JP3520976B2 - 半導体装置の接合構造 - Google Patents
半導体装置の接合構造Info
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- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置の接合
構造に関する。
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体装置の接合構造の一
例の封止前の状態の一部の平面図を示し、図５は図４の
Ｘ−Ｘ線に沿う部分に相当する封止後の状態の断面図を
示したものである。この半導体装置の接合構造はChip O
n Filmといわれるもので、、長方形状の半導体装置１の
下面周辺部に設けられたバンプ電極２がフィルム基板
（回路基板）３の上面に設けられた接続端子４に熱圧着
されて接合されていることにより、フィルム基板３上に
半導体装置１が搭載されている。
例の封止前の状態の一部の平面図を示し、図５は図４の
Ｘ−Ｘ線に沿う部分に相当する封止後の状態の断面図を
示したものである。この半導体装置の接合構造はChip O
n Filmといわれるもので、、長方形状の半導体装置１の
下面周辺部に設けられたバンプ電極２がフィルム基板
（回路基板）３の上面に設けられた接続端子４に熱圧着
されて接合されていることにより、フィルム基板３上に
半導体装置１が搭載されている。
【０００３】この場合、接続端子４を含むフィルム基板
３の上面において半導体装置１搭載領域およびその周囲
を少なくとも除く部分にはソルダーレジストからなる保
護膜５が設けられている。すなわち、半導体装置１搭載
領域およびその周囲に対応する部分における保護膜５に
は長方形状の開口部６が設けられている。また、半導体
装置１とフィルム基板３との間および半導体装置１の周
囲にはエポキシ系樹脂からなる封止材７が設けられてい
る。
３の上面において半導体装置１搭載領域およびその周囲
を少なくとも除く部分にはソルダーレジストからなる保
護膜５が設けられている。すなわち、半導体装置１搭載
領域およびその周囲に対応する部分における保護膜５に
は長方形状の開口部６が設けられている。また、半導体
装置１とフィルム基板３との間および半導体装置１の周
囲にはエポキシ系樹脂からなる封止材７が設けられてい
る。
【０００４】ところで、封止材７を形成する場合、図示
していないが、ディスペンサーの封止材吐出用のノズル
を半導体装置１の例えば図４における下側（図５では右
側）の長辺に沿って移動させながら、その近傍における
フィルム基板３上に封止材を塗布（サイドポッティン
グ）している。そして、この塗布された封止材が毛細管
現象により半導体装置１とフィルム基板３との間に浸透
することにより、半導体装置１とフィルム基板３との間
および半導体装置１の周囲に封止材７を形成している。
していないが、ディスペンサーの封止材吐出用のノズル
を半導体装置１の例えば図４における下側（図５では右
側）の長辺に沿って移動させながら、その近傍における
フィルム基板３上に封止材を塗布（サイドポッティン
グ）している。そして、この塗布された封止材が毛細管
現象により半導体装置１とフィルム基板３との間に浸透
することにより、半導体装置１とフィルム基板３との間
および半導体装置１の周囲に封止材７を形成している。
【０００５】この場合、半導体装置１の図４における下
側の長辺とこれに対向する保護膜５の開口部６の縁部と
の間隔Ｄが０．３〜０．５ｍｍ程度ないと、塗布した封
止材を半導体装置１とフィルム基板３との間に浸透させ
ることができない。そこで、従来では、半導体装置１の
４辺の外面と保護膜５の開口部６の４辺の縁部との間隔
Ｄが全て０．３〜０．５ｍｍ程度となるようにしてい
る。
側の長辺とこれに対向する保護膜５の開口部６の縁部と
の間隔Ｄが０．３〜０．５ｍｍ程度ないと、塗布した封
止材を半導体装置１とフィルム基板３との間に浸透させ
ることができない。そこで、従来では、半導体装置１の
４辺の外面と保護膜５の開口部６の４辺の縁部との間隔
Ｄが全て０．３〜０．５ｍｍ程度となるようにしてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図５に示す
ように、半導体装置１の右側の長辺の外面と保護膜５の
間から塗布されて半導体装置１とフィルム基板３との間
に浸透した封止材７が、保護膜５の開口部６の対辺側の
縁部までに至らず、この部分におけるフィルム基板３の
接続端子４を封止材７で覆うことができず露出してしま
う。このようなことは、図４における左右の接続端子４
についても生じることがある。接続端子４の露出部分
は、当然、酸化やマイグレーション等の不具合を発生す
るものであるから、従来では、半導体装置１の一対の長
辺に沿ってまたは周囲全体に沿って封止材を塗布してい
るが、封止材吐出用のノズルによる封止材塗布箇所が２
箇所または４箇所となるばかりでなく、その移動距離も
長くなり、このため封止材塗布作業が面倒であるという
問題があった。この発明の課題は、封止材塗布作業を簡
単とすることである。
ように、半導体装置１の右側の長辺の外面と保護膜５の
間から塗布されて半導体装置１とフィルム基板３との間
に浸透した封止材７が、保護膜５の開口部６の対辺側の
縁部までに至らず、この部分におけるフィルム基板３の
接続端子４を封止材７で覆うことができず露出してしま
う。このようなことは、図４における左右の接続端子４
についても生じることがある。接続端子４の露出部分
は、当然、酸化やマイグレーション等の不具合を発生す
るものであるから、従来では、半導体装置１の一対の長
辺に沿ってまたは周囲全体に沿って封止材を塗布してい
るが、封止材吐出用のノズルによる封止材塗布箇所が２
箇所または４箇所となるばかりでなく、その移動距離も
長くなり、このため封止材塗布作業が面倒であるという
問題があった。この発明の課題は、封止材塗布作業を簡
単とすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上に設
けた保護膜の内側に延出された接続端子と半導体装置に
設けられたバンプ電極を接合し、前記保護膜の開口部内
を封止材にて封止する半導体装置の接合構造において、
前記半導体装置は長方形状であり、前記半導体装置の一
の長辺側のみを前記封止材が塗布される辺側となし、前
記半導体装置の外面と前記保護膜の開口部の縁部との間
隔を、前記封止材が塗布される辺側で常に他の辺側より
も大きくなしたものである。この発明によれば、半導体
装置の外面と保護膜の開口部の縁部との間隔を、封止材
の塗布側において、他の側よりも大きくなしているの
で、間隔の小さい部分における保護膜の開口部の縁部ま
で、半導体装置と回路基板との間を浸透してきた封止材
を到達させることができ、ひいては封止材塗布作業を簡
単とすることができる。
けた保護膜の内側に延出された接続端子と半導体装置に
設けられたバンプ電極を接合し、前記保護膜の開口部内
を封止材にて封止する半導体装置の接合構造において、
前記半導体装置は長方形状であり、前記半導体装置の一
の長辺側のみを前記封止材が塗布される辺側となし、前
記半導体装置の外面と前記保護膜の開口部の縁部との間
隔を、前記封止材が塗布される辺側で常に他の辺側より
も大きくなしたものである。この発明によれば、半導体
装置の外面と保護膜の開口部の縁部との間隔を、封止材
の塗布側において、他の側よりも大きくなしているの
で、間隔の小さい部分における保護膜の開口部の縁部ま
で、半導体装置と回路基板との間を浸透してきた封止材
を到達させることができ、ひいては封止材塗布作業を簡
単とすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態にお
ける半導体装置の接合構造の封止前の状態の一部の平面
図を示し、図２は図１のＸ−Ｘ線に沿う部分に相当する
封止後の状態の断面図を示したものである。これらの図
において、図４および図５と同一名称部分には同一の符
号を付し、その説明を適宜省略する。この実施形態で
は、図１において、半導体装置１の下側の長辺の外面と
これに対向する保護膜５の開口部６の縁部との間隔Ｄ１
は０．３〜０．５ｍｍ程度となっており、残りの３つの
間隔Ｄ２は０．２ｍｍ程度またはそれ以下となってい
る。
ける半導体装置の接合構造の封止前の状態の一部の平面
図を示し、図２は図１のＸ−Ｘ線に沿う部分に相当する
封止後の状態の断面図を示したものである。これらの図
において、図４および図５と同一名称部分には同一の符
号を付し、その説明を適宜省略する。この実施形態で
は、図１において、半導体装置１の下側の長辺の外面と
これに対向する保護膜５の開口部６の縁部との間隔Ｄ１
は０．３〜０．５ｍｍ程度となっており、残りの３つの
間隔Ｄ２は０．２ｍｍ程度またはそれ以下となってい
る。
【０００９】そして、間隔Ｄ１の部分から封止材７を塗
布すると、この塗布された封止材７は毛細管現象により
半導体装置１とフィルム基板３との間に浸透し、３つの
間隔Ｄ２の部分において保護膜５の開口部６の縁部まで
またはその外側まで到達する。これは、３つの間隔Ｄ２
が間隔Ｄ１よりも小さくて０．２ｍｍ程度またはそれ以
下となっているからである。したがって、間隔Ｄ１の部
分に封止材７を塗布するだけの簡単な封止材塗布作業に
より、保護膜５の開口部６内における回路基板３の接続
端子４を封止材７で十分に覆うことができる。
布すると、この塗布された封止材７は毛細管現象により
半導体装置１とフィルム基板３との間に浸透し、３つの
間隔Ｄ２の部分において保護膜５の開口部６の縁部まで
またはその外側まで到達する。これは、３つの間隔Ｄ２
が間隔Ｄ１よりも小さくて０．２ｍｍ程度またはそれ以
下となっているからである。したがって、間隔Ｄ１の部
分に封止材７を塗布するだけの簡単な封止材塗布作業に
より、保護膜５の開口部６内における回路基板３の接続
端子４を封止材７で十分に覆うことができる。
【００１０】なお、図１を参照して説明すると、半導体
装置１の下面の左右辺部にバンプ電極が設けられていな
い場合、フィルム基板３にもそれに対応する接続端子が
設けられていないので、左右の間隔Ｄ２をＤ１として
も、別に問題はない。
装置１の下面の左右辺部にバンプ電極が設けられていな
い場合、フィルム基板３にもそれに対応する接続端子が
設けられていないので、左右の間隔Ｄ２をＤ１として
も、別に問題はない。
【００１１】また、上記実施形態では、半導体装置１が
長方形状である場合について説明したが、これに限ら
ず、正方形状であってもよい。ただし、この場合、図３
に示すように、下側と右側の間隔Ｄ１を０．３〜０．５
ｍｍ程度とし、残りの２つの間隔Ｄ２を０．２ｍｍ程度
またはそれ以下とする。そして、２つの間隔Ｄ１の部分
に封止材を塗布すると、この塗布された封止材を残りの
２つの間隔Ｄ２の部分において保護膜５の開口部６の縁
部までまたはその外側まで到達させることができる。ま
た、半導体装置１がボンディングされる基板は、フィル
ム基板に限らず、フェノール樹脂やセラミック等の硬質
基板、又はガラス基板等を用いるChip onBoardやChip o
n Glass等の手法にも適用可能である。
長方形状である場合について説明したが、これに限ら
ず、正方形状であってもよい。ただし、この場合、図３
に示すように、下側と右側の間隔Ｄ１を０．３〜０．５
ｍｍ程度とし、残りの２つの間隔Ｄ２を０．２ｍｍ程度
またはそれ以下とする。そして、２つの間隔Ｄ１の部分
に封止材を塗布すると、この塗布された封止材を残りの
２つの間隔Ｄ２の部分において保護膜５の開口部６の縁
部までまたはその外側まで到達させることができる。ま
た、半導体装置１がボンディングされる基板は、フィル
ム基板に限らず、フェノール樹脂やセラミック等の硬質
基板、又はガラス基板等を用いるChip onBoardやChip o
n Glass等の手法にも適用可能である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、半導体装置の外面と保護膜の開口部の縁部との間隔
を、封止材の塗布側において、他の側よりも大きくなし
ているので、間隔の小さい部分における保護膜の開口部
の縁部まで、半導体装置と回路基板との間を浸透してき
た封止材を到達させることができ、ひいては封止材塗布
作業を簡単とすることができる。
ば、半導体装置の外面と保護膜の開口部の縁部との間隔
を、封止材の塗布側において、他の側よりも大きくなし
ているので、間隔の小さい部分における保護膜の開口部
の縁部まで、半導体装置と回路基板との間を浸透してき
た封止材を到達させることができ、ひいては封止材塗布
作業を簡単とすることができる。
【図１】この発明の一実施形態における半導体装置の接
合構造の封止前の状態の一部の平面図。
合構造の封止前の状態の一部の平面図。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う部分に相当する封止後の
状態の断面図。
状態の断面図。
【図３】この発明の他の実施形態における半導体装置の
接合構造の封止前の状態の一部の平面図。
接合構造の封止前の状態の一部の平面図。
【図４】従来の半導体装置の接合構造の一例の封止前の
状態の一部の平面図。
状態の一部の平面図。
【図５】図４のＸ−Ｘ線に沿う部分に相当する封止後の
状態の断面図。
状態の断面図。
１ 半導体装置
２ バンプ電極
３ フィルム基板
４ 接続端子
５ 保護膜
６ 開口部
７ 封止材
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/28
H01L 21/56
H01L 21/60 311
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に設けた保護膜の内側に延出され
た接続端子と半導体装置に設けられたバンプ電極を接合
し、前記保護膜の開口部内を封止材にて封止する半導体
装置の接合構造において、前記半導体装置は長方形状で
あり、前記半導体装置の一の長辺側のみを前記封止材が
塗布される辺側となし、前記半導体装置の外面と前記保
護膜の開口部の縁部との間隔を、前記封止材が塗布され
る辺側で常に他の辺側よりも大きくなしたことを特徴と
する半導体装置の接合構造。 - 【請求項２】 請求項１に記載の発明において、前記４
つの間隔のうち他の間隔よりも小さくなっている間隔は
０．２ｍｍ以下であり、前記他の間隔は０．３〜０．５
ｍｍ程度であることを特徴とする半導体装置の接合構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000008763A JP3520976B2 (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 半導体装置の接合構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000008763A JP3520976B2 (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 半導体装置の接合構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001203302A JP2001203302A (ja) | 2001-07-27 |
| JP3520976B2 true JP3520976B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=18536981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000008763A Expired - Fee Related JP3520976B2 (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 半導体装置の接合構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3520976B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050178498A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Au Optronics Corporation | Method for sealing electroluminescence display devices |
| JP4502204B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2010-07-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| US7872356B2 (en) | 2007-05-16 | 2011-01-18 | Qualcomm Incorporated | Die stacking system and method |
-
2000
- 2000-01-18 JP JP2000008763A patent/JP3520976B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2001203302A (ja) | 2001-07-27 |
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