JP3507628B2 - 化学的機械研磨用研磨組成物 - Google Patents
化学的機械研磨用研磨組成物Info
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 379
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 183
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 82
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 34
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 22
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 14
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 14
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 14
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001735 carboxylic acids Chemical group 0.000 claims description 5
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 claims description 4
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 241000255925 Diptera Species 0.000 claims 1
- 241000238558 Eucarida Species 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 55
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 55
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- -1 transition metal salts Chemical class 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229960002449 glycine Drugs 0.000 description 4
- 235000013905 glycine and its sodium salt Nutrition 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical group 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical class O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Chemical class O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 235000013373 food additive Nutrition 0.000 description 1
- 239000002778 food additive Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N peroxydisulfuric acid Chemical compound OS(=O)(=O)OOS(O)(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- PXLIDIMHPNPGMH-UHFFFAOYSA-N sodium chromate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Cr]([O-])(=O)=O PXLIDIMHPNPGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的機械研磨用
研磨組成物に関する。さらに詳しくは、本発明は、研磨
レートが大きく効率的に研磨を行うことができ、腐食痕
とディッシングの発生が少なく高精度の仕上げ面を得る
ことができる、半導体装置製造に好適に適用することが
できる化学的機械研磨用研磨組成物に関する。
研磨組成物に関する。さらに詳しくは、本発明は、研磨
レートが大きく効率的に研磨を行うことができ、腐食痕
とディッシングの発生が少なく高精度の仕上げ面を得る
ことができる、半導体装置製造に好適に適用することが
できる化学的機械研磨用研磨組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学的機械研磨は、一般に高精度の仕上
げ面を得るために有効な手法とされている。半導体装置
製造の分野においても、半導体装置の集積度向上、多層
化にともない、フォトリソグラフィー工程の焦点深度か
らの要求をはじめとする様々な問題に対処するため、化
学的機械研磨技術の導入が提案され、活発な検討がすす
められている。この技術の適用の一態様として、例え
ば、特公平６−１０３６８１号公報、特開平６−１３２
２８７号公報、特開平７−２３３４８５号公報などに開
示されるごとく、プロセスウェハ上の絶縁膜に形成され
た孔や溝に銅などの配線材料を埋め込み、絶縁膜表面よ
り上部に位置する配線材料を研磨除去することで配線層
を形成するという手法がある。高精度面を達成するため
の化学的機械研磨、特に半導体装置製造のための化学的
機械研磨においては、被研磨物に与える機械的損傷をで
きるだけ低くするため、機械的研磨力の小さい、すなわ
ち粒径が小さく軟らかい研磨材粒子を使用することが好
ましいとされている。極端な場合には、研磨材粒子を使
用せず、研磨材粒子による機械的研磨の寄与をなくすこ
とも検討されている。さらに半導体装置製造において、
化学的機械研磨を適用して配線層を形成する手法では、
絶縁膜の研磨レートをできるだけ低くすることが望まれ
ており、この意味からも機械的研磨の寄与は小さい方が
好ましい。機械的研磨力の小さい研磨組成物が高い研磨
レートを示すためには、大きな化学的研磨力を付与する
ことが必須である。しかし、大き過ぎる化学的研磨力は
問題である。このことは、例えば、電子材料１９９６年
５月号、８２頁からの記事中に、前記配線層形成のため
の研磨組成物について、次の趣旨の記載がある通りであ
る。すなわち、研磨組成物は、一般に、配線材料（金
属）を酸化又はエッチングさせる添加剤と、メカニカル
な加工を行う砥粒から構成され、求められる研磨性能と
しては、絶縁膜（ＳｉＯ2）との選択比が高いことや、
ディッシング（過剰なエッチング）を起こさないことが
挙げられている。銅配線層形成のための研磨組成物も、
種々提案されている。これら研磨組成物のほとんどにつ
いては、過酸化水素や遷移金属塩をはじめとする公知の
酸化剤を含有することが示されている。特公平６−１０
３６８１号公報には、研磨材粒子、遷移金属のキレート
塩及びこの塩の溶剤からなる研磨組成物が開示されてい
る。特開平６−１３２２８７号公報には、アルミナから
なる砥粒を含み、水酸化カリウムを主成分とするpH３程
度の研磨組成物が開示されている。特開平６−３１３１
６４号公報には、水性コロイダルシリカゾル又はゲルの
研磨材と過硫酸塩の研磨促進剤からなる研磨組成物が開
示されている。特開平７−２３３４８５号公報には、ア
ミノ酢酸及びアミド硫酸から選ばれる少なくとも１種の
有機酸と酸化剤と水とを含有する研磨組成物が開示され
ている。特開平８−８３７８０号公報には、アミノ酢酸
及び／又はアミド硫酸、酸化剤及び水を包含するエッチ
ング剤と、少なくともベンゾトリアゾール又はその誘導
体を包含する配線材料表面に保護膜を形成させる化学試
薬とを含有する研磨組成物が開示されている。セミコン
関西９６ＵＬＳＩ技術セミナー、講演予稿集、２−４９
〜２−５５頁には、アルミナを有機酸の水溶液中に懸濁
させた市販のスラリーと３０％過酸化水素水溶液を使用
直前に混合したpH３.６〜３.８の研磨組成物が記載され
ている。また、化学的機械研磨の範疇に入るとは言い難
いが、特開平２−１５８６８３号公報には、水、α−ア
ルミナ、ベーマイト及び無機酸又は有機酸のアンモニウ
ム塩を含有してなる研磨組成物が開示されている。上記
の研磨組成物の多くは、化学的研磨力を高めた結果、高
い研磨レートは確保されているものの、研磨面に腐食痕
が認められ、また実プロセスにおいては、配線材料が過
剰にエッチングされて凹む現象、いわゆるディッシング
が生じやすいという欠点がある。一方、特開平７−２３
３４８５号公報及び特開平８−８３７８０号公報に開示
されている研磨組成物は、腐食痕やディッシングの問題
は小さくなっているが、これら公報の実施例に記載され
ている研磨レートは高々２２０ｎｍ／分であり、しかも
この場合にはpHを１０.５と高い値に調整する必要があ
る。これら公報に記載される中性の研磨組成物の研磨レ
ートは、例えば、７７ｎｍ／分と低い値である。また、
特開平７−２３３４８５号公報には、アミド硫酸と過酸
化水素を添加した系において９５０ｎｍ／分という極め
て高い研磨レートを達成できることが記載されている
が、エッチング速度が５０ｎｍ／分とかなり大きな値で
あるため、このような場合には、腐食痕やディッシング
の問題は完全には解決されない。また、特開平２−１５
８６８３号公報に開示される研磨組成物は、本質的には
機械的研磨組成物である。すなわち、１,１００℃以上
の温度で焼成した機械的研磨力の強いα−アルミナを必
要とするものである。添加する無機酸又は有機酸のアン
モニウム塩は、α−アルミナ及びベーマイトゾルを含む
系において、粒子の分散性を制御する目的で添加される
ものであり、このように機械的研磨力の強い研磨組成物
においては、被研磨物への化学的作用は皆無に等しい。
したがって、本発明の目的とするような高精度面を達成
するためには甚だ不十分なものである。従来の化学的機
械研磨用研磨組成物の多くは、酸性又はアルカリ性を示
すものであったが、装置材料の腐食、作業者の取り扱い
やすさ、廃液処理などの観点からは、中性を示す研磨組
成物が望まれていた。さらに、従来の化学的機械研磨用
研磨組成物は、半導体装置特性を劣化させる金属成分を
使用するもの、特殊で高価な化学試薬を使用するもの、
人体に対して有害な物質を主成分とするものなどが多
く、これらの問題のない研磨組成物が切望されていた。
げ面を得るために有効な手法とされている。半導体装置
製造の分野においても、半導体装置の集積度向上、多層
化にともない、フォトリソグラフィー工程の焦点深度か
らの要求をはじめとする様々な問題に対処するため、化
学的機械研磨技術の導入が提案され、活発な検討がすす
められている。この技術の適用の一態様として、例え
ば、特公平６−１０３６８１号公報、特開平６−１３２
２８７号公報、特開平７−２３３４８５号公報などに開
示されるごとく、プロセスウェハ上の絶縁膜に形成され
た孔や溝に銅などの配線材料を埋め込み、絶縁膜表面よ
り上部に位置する配線材料を研磨除去することで配線層
を形成するという手法がある。高精度面を達成するため
の化学的機械研磨、特に半導体装置製造のための化学的
機械研磨においては、被研磨物に与える機械的損傷をで
きるだけ低くするため、機械的研磨力の小さい、すなわ
ち粒径が小さく軟らかい研磨材粒子を使用することが好
ましいとされている。極端な場合には、研磨材粒子を使
用せず、研磨材粒子による機械的研磨の寄与をなくすこ
とも検討されている。さらに半導体装置製造において、
化学的機械研磨を適用して配線層を形成する手法では、
絶縁膜の研磨レートをできるだけ低くすることが望まれ
ており、この意味からも機械的研磨の寄与は小さい方が
好ましい。機械的研磨力の小さい研磨組成物が高い研磨
レートを示すためには、大きな化学的研磨力を付与する
ことが必須である。しかし、大き過ぎる化学的研磨力は
問題である。このことは、例えば、電子材料１９９６年
５月号、８２頁からの記事中に、前記配線層形成のため
の研磨組成物について、次の趣旨の記載がある通りであ
る。すなわち、研磨組成物は、一般に、配線材料（金
属）を酸化又はエッチングさせる添加剤と、メカニカル
な加工を行う砥粒から構成され、求められる研磨性能と
しては、絶縁膜（ＳｉＯ2）との選択比が高いことや、
ディッシング（過剰なエッチング）を起こさないことが
挙げられている。銅配線層形成のための研磨組成物も、
種々提案されている。これら研磨組成物のほとんどにつ
いては、過酸化水素や遷移金属塩をはじめとする公知の
酸化剤を含有することが示されている。特公平６−１０
３６８１号公報には、研磨材粒子、遷移金属のキレート
塩及びこの塩の溶剤からなる研磨組成物が開示されてい
る。特開平６−１３２２８７号公報には、アルミナから
なる砥粒を含み、水酸化カリウムを主成分とするpH３程
度の研磨組成物が開示されている。特開平６−３１３１
６４号公報には、水性コロイダルシリカゾル又はゲルの
研磨材と過硫酸塩の研磨促進剤からなる研磨組成物が開
示されている。特開平７−２３３４８５号公報には、ア
ミノ酢酸及びアミド硫酸から選ばれる少なくとも１種の
有機酸と酸化剤と水とを含有する研磨組成物が開示され
ている。特開平８−８３７８０号公報には、アミノ酢酸
及び／又はアミド硫酸、酸化剤及び水を包含するエッチ
ング剤と、少なくともベンゾトリアゾール又はその誘導
体を包含する配線材料表面に保護膜を形成させる化学試
薬とを含有する研磨組成物が開示されている。セミコン
関西９６ＵＬＳＩ技術セミナー、講演予稿集、２−４９
〜２−５５頁には、アルミナを有機酸の水溶液中に懸濁
させた市販のスラリーと３０％過酸化水素水溶液を使用
直前に混合したpH３.６〜３.８の研磨組成物が記載され
ている。また、化学的機械研磨の範疇に入るとは言い難
いが、特開平２−１５８６８３号公報には、水、α−ア
ルミナ、ベーマイト及び無機酸又は有機酸のアンモニウ
ム塩を含有してなる研磨組成物が開示されている。上記
の研磨組成物の多くは、化学的研磨力を高めた結果、高
い研磨レートは確保されているものの、研磨面に腐食痕
が認められ、また実プロセスにおいては、配線材料が過
剰にエッチングされて凹む現象、いわゆるディッシング
が生じやすいという欠点がある。一方、特開平７−２３
３４８５号公報及び特開平８−８３７８０号公報に開示
されている研磨組成物は、腐食痕やディッシングの問題
は小さくなっているが、これら公報の実施例に記載され
ている研磨レートは高々２２０ｎｍ／分であり、しかも
この場合にはpHを１０.５と高い値に調整する必要があ
る。これら公報に記載される中性の研磨組成物の研磨レ
ートは、例えば、７７ｎｍ／分と低い値である。また、
特開平７−２３３４８５号公報には、アミド硫酸と過酸
化水素を添加した系において９５０ｎｍ／分という極め
て高い研磨レートを達成できることが記載されている
が、エッチング速度が５０ｎｍ／分とかなり大きな値で
あるため、このような場合には、腐食痕やディッシング
の問題は完全には解決されない。また、特開平２−１５
８６８３号公報に開示される研磨組成物は、本質的には
機械的研磨組成物である。すなわち、１,１００℃以上
の温度で焼成した機械的研磨力の強いα−アルミナを必
要とするものである。添加する無機酸又は有機酸のアン
モニウム塩は、α−アルミナ及びベーマイトゾルを含む
系において、粒子の分散性を制御する目的で添加される
ものであり、このように機械的研磨力の強い研磨組成物
においては、被研磨物への化学的作用は皆無に等しい。
したがって、本発明の目的とするような高精度面を達成
するためには甚だ不十分なものである。従来の化学的機
械研磨用研磨組成物の多くは、酸性又はアルカリ性を示
すものであったが、装置材料の腐食、作業者の取り扱い
やすさ、廃液処理などの観点からは、中性を示す研磨組
成物が望まれていた。さらに、従来の化学的機械研磨用
研磨組成物は、半導体装置特性を劣化させる金属成分を
使用するもの、特殊で高価な化学試薬を使用するもの、
人体に対して有害な物質を主成分とするものなどが多
く、これらの問題のない研磨組成物が切望されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高精度面を
達成するための化学的機械研磨、特に半導体装置製造に
おける配線層形成のための化学的機械研磨において、高
い研磨レートを示し、絶縁膜との選択比が高く、腐食痕
やディッシングが少なく、中性を示し、半導体装置特性
を劣化させる金属成分を含有せず、特殊で高価な化学試
薬が不要で、かつ人体に対して有害な物質を主成分とし
ない化学的機械研磨用研磨組成物を提供することを目的
としてなされたものである。
達成するための化学的機械研磨、特に半導体装置製造に
おける配線層形成のための化学的機械研磨において、高
い研磨レートを示し、絶縁膜との選択比が高く、腐食痕
やディッシングが少なく、中性を示し、半導体装置特性
を劣化させる金属成分を含有せず、特殊で高価な化学試
薬が不要で、かつ人体に対して有害な物質を主成分とし
ない化学的機械研磨用研磨組成物を提供することを目的
としてなされたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、カルボン酸、酸
化剤及び水を含有し、さらに適量のアルカリを添加する
ことによりpHを５〜９に調整された化学的機械研磨用研
磨組成物が、高精度面を達成するための化学的機械研
磨、特に半導体装置製造における配線層形成のための化
学的機械研磨において、高い研磨レートを示し、絶縁膜
との選択比が高く、腐食痕やディッシングが少ない研磨
を可能とすることを見いだし、この知見に基づいて本発
明を完成するに至った。すなわち、本発明は、 （１）りんご酸、ニコチン酸、グルコン酸、クエン酸、
酒石酸、乳酸、酢酸、及び蓚酸から選ばれる１種以上の
カルボン酸、酸化剤及び水を含有し、アルカリによりpH
が５〜９に調整されてなることを特徴とするシリコンウ
ェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機械研磨用
研磨組成物、 （２）アルカリが、アンモニアである第１項に記載のシ
リコンウェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機
械研磨用研磨組成物、 （３）カルボン酸が分子量が１００〜３００のカルボン
酸であることを特徴とする第１項〜第２項の何れか１項
に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成のため
の化学的機械研磨用研磨組成物、 （４）アルカリによりpH５〜８に調整されてなる第１項
〜第３項の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装
置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物、 （５）燐酸を研磨組成物１００重量部に対し、０.００
０５〜０.１重量部含有させたことを特徴とする第１項
〜第４項の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装
置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物、 （６）１１０ｎｍ／分以上の研磨レートを有すること特
徴とする第１項〜第５項の何れか１項に記載のシリコン
ウェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機械研磨
用研磨組成物、 （７）カルボン酸の含有量が研磨組成物１００重量部に
対し、０.１〜５重量部であることを特徴とする第１項
〜第６項の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装
置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物、 （８）酸化剤が、過酸化水素である第１項〜第７項の何
れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形
成のための化学的機械研磨用研磨組成物。 （９）酸化剤の含有量が研磨組成物１００重量部に対
し、０.０１〜１０重量部であることを特徴とする第１
項〜第７項の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導体
装置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成
物、 （１０）化学的機械研磨用研磨組成物に、さらに研磨材
粒子を含有せしめてなる第１項〜第９項の何れか１項に
記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成のための
化学的機械研磨用研磨組成物、 （１１）研磨材粒子の含有量が、研磨組成物１００重量
部に対し、１〜２０重量部であることを特徴とする第１
０項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成の
ための化学的機械研磨用研磨組成物、 （１２）研磨材粒子が、酸化アルミニウム、酸化シリコ
ン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムから選ばれる１種
以上の研磨材粒子又は研磨材粒子の組合せである第１０
項又は第１１項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配
線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物、 （１３）シリコンウェハ上に形成した熱酸化膜の研磨レ
ートに対する銅の研磨レートの比が、６０を超えること
を特徴とする第１項〜第１２項の何れか１項に記載のシ
リコンウェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機
械研磨用研磨組成物、及び （１４）使用直前に過酸化水素水を添加して化学的機械
研磨を行うことを特徴とする第１項〜第１３項の何れか
１項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成の
ための化学的機械研磨用研磨組成物を用いた化学的機械
研磨方法、を提供するものである。
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、カルボン酸、酸
化剤及び水を含有し、さらに適量のアルカリを添加する
ことによりpHを５〜９に調整された化学的機械研磨用研
磨組成物が、高精度面を達成するための化学的機械研
磨、特に半導体装置製造における配線層形成のための化
学的機械研磨において、高い研磨レートを示し、絶縁膜
との選択比が高く、腐食痕やディッシングが少ない研磨
を可能とすることを見いだし、この知見に基づいて本発
明を完成するに至った。すなわち、本発明は、 （１）りんご酸、ニコチン酸、グルコン酸、クエン酸、
酒石酸、乳酸、酢酸、及び蓚酸から選ばれる１種以上の
カルボン酸、酸化剤及び水を含有し、アルカリによりpH
が５〜９に調整されてなることを特徴とするシリコンウ
ェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機械研磨用
研磨組成物、 （２）アルカリが、アンモニアである第１項に記載のシ
リコンウェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機
械研磨用研磨組成物、 （３）カルボン酸が分子量が１００〜３００のカルボン
酸であることを特徴とする第１項〜第２項の何れか１項
に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成のため
の化学的機械研磨用研磨組成物、 （４）アルカリによりpH５〜８に調整されてなる第１項
〜第３項の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装
置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物、 （５）燐酸を研磨組成物１００重量部に対し、０.００
０５〜０.１重量部含有させたことを特徴とする第１項
〜第４項の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装
置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物、 （６）１１０ｎｍ／分以上の研磨レートを有すること特
徴とする第１項〜第５項の何れか１項に記載のシリコン
ウェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機械研磨
用研磨組成物、 （７）カルボン酸の含有量が研磨組成物１００重量部に
対し、０.１〜５重量部であることを特徴とする第１項
〜第６項の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装
置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物、 （８）酸化剤が、過酸化水素である第１項〜第７項の何
れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形
成のための化学的機械研磨用研磨組成物。 （９）酸化剤の含有量が研磨組成物１００重量部に対
し、０.０１〜１０重量部であることを特徴とする第１
項〜第７項の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導体
装置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成
物、 （１０）化学的機械研磨用研磨組成物に、さらに研磨材
粒子を含有せしめてなる第１項〜第９項の何れか１項に
記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成のための
化学的機械研磨用研磨組成物、 （１１）研磨材粒子の含有量が、研磨組成物１００重量
部に対し、１〜２０重量部であることを特徴とする第１
０項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成の
ための化学的機械研磨用研磨組成物、 （１２）研磨材粒子が、酸化アルミニウム、酸化シリコ
ン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムから選ばれる１種
以上の研磨材粒子又は研磨材粒子の組合せである第１０
項又は第１１項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配
線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物、 （１３）シリコンウェハ上に形成した熱酸化膜の研磨レ
ートに対する銅の研磨レートの比が、６０を超えること
を特徴とする第１項〜第１２項の何れか１項に記載のシ
リコンウェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機
械研磨用研磨組成物、及び （１４）使用直前に過酸化水素水を添加して化学的機械
研磨を行うことを特徴とする第１項〜第１３項の何れか
１項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成の
ための化学的機械研磨用研磨組成物を用いた化学的機械
研磨方法、を提供するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の化学的機械研磨用研磨組
成物は、カルボン酸、酸化剤及び水を含有し、アルカリ
によりpHが５〜９に調整されてなるものである。本発明
の研磨組成物において、カルボン酸の分子量は、１００
〜３００であることが好ましい。カルボン酸の分子量が
１００未満であると、研磨レートが小さくなり、腐食痕
が発生するおそれがある。カルボン酸の分子量が３００
を超えると、カルボン酸が水へ溶解しにくく、研磨レー
トを向上させ腐食痕の発生を抑えるという好ましい効果
が得られなくなるおそれがある。また、研磨材粒子を使
用する場合には、粒子の分散状態に悪影響を与えるおそ
れがある。分子量が１００〜３００のカルボン酸の中
で、りんご酸、ニコチン酸、グルコン酸、クエン酸及び
酒石酸が、研磨レートを大きくし、腐食痕の発生を防止
する点で特に好ましい。また、これらのカルボン酸は、
いずれも半導体装置特性に有害な金属成分を含有せず、
安価で入手しやすく、食品添加物として広く使用されて
おり、人体に対しても安全無害であるという好ましい特
徴を併せもつ。本発明の研磨組成物において、カルボン
酸の含有量は、研磨組成物１００重量部に対し、０.１
〜５重量部であることが好ましく、０.４〜３重量部で
あることがより好ましい。カルボン酸の含有量が、研磨
組成物１００重量部に対し０.１重量部未満であると、
研磨レートが十分に向上しないおそれがある。カルボン
酸の含有量が、研磨組成物１００重量部に対し５重量部
を超えると、研磨面に腐食痕が発生する傾向が強くなる
おそれがある。本発明組成物において、カルボン酸は１
種を単独で使用することができ、２種以上を組み合わせ
て使用することができる。
成物は、カルボン酸、酸化剤及び水を含有し、アルカリ
によりpHが５〜９に調整されてなるものである。本発明
の研磨組成物において、カルボン酸の分子量は、１００
〜３００であることが好ましい。カルボン酸の分子量が
１００未満であると、研磨レートが小さくなり、腐食痕
が発生するおそれがある。カルボン酸の分子量が３００
を超えると、カルボン酸が水へ溶解しにくく、研磨レー
トを向上させ腐食痕の発生を抑えるという好ましい効果
が得られなくなるおそれがある。また、研磨材粒子を使
用する場合には、粒子の分散状態に悪影響を与えるおそ
れがある。分子量が１００〜３００のカルボン酸の中
で、りんご酸、ニコチン酸、グルコン酸、クエン酸及び
酒石酸が、研磨レートを大きくし、腐食痕の発生を防止
する点で特に好ましい。また、これらのカルボン酸は、
いずれも半導体装置特性に有害な金属成分を含有せず、
安価で入手しやすく、食品添加物として広く使用されて
おり、人体に対しても安全無害であるという好ましい特
徴を併せもつ。本発明の研磨組成物において、カルボン
酸の含有量は、研磨組成物１００重量部に対し、０.１
〜５重量部であることが好ましく、０.４〜３重量部で
あることがより好ましい。カルボン酸の含有量が、研磨
組成物１００重量部に対し０.１重量部未満であると、
研磨レートが十分に向上しないおそれがある。カルボン
酸の含有量が、研磨組成物１００重量部に対し５重量部
を超えると、研磨面に腐食痕が発生する傾向が強くなる
おそれがある。本発明組成物において、カルボン酸は１
種を単独で使用することができ、２種以上を組み合わせ
て使用することができる。
【０００６】本発明の研磨組成物は、酸化剤を含有す
る。酸化剤は、化学的機械研磨において、金属の酸化反
応を促進し、研磨レートを高める作用効果を有する。使
用する酸化剤は水溶性を有するものであれば特に制限は
なく、例えば、過酸化水素、過マンガン酸カリウムなど
の過マンガン酸化合物、クロム酸ナトリウムなどのクロ
ム酸化合物、硝酸などの硝酸化合物、ペルオキソ二硫酸
などのペルオキソ酸化合物、過塩素酸などのオキソ酸化
合物、フェリシアン化カリウムなどの遷移金属塩、過酢
酸、ニトロベンゼンなどの有機系酸化剤などを挙げるこ
とができる。これらの中で、過酸化水素は、金属分を含
有せず、反応の際に生ずる副生成物や分解物が無害であ
り、半導体産業においても洗浄用薬液などとして使用実
績があるため、特に好ましい。本発明の研磨組成物にお
いて、酸化剤の含有量は、研磨組成物１００重量部に対
し、０.０１〜１０重量部であることが好ましい。酸化
剤の含有量が、研磨組成物１００重量部に対し０.０１
重量部未満であると、研磨力を高める有効な作用が現れ
にくく、研磨レートが向上しないおそれがある。酸化剤
の含有量が、研磨組成物１００重量部に対して１０重量
部を超えると、酸化剤の含有量の増加に見合った研磨レ
ートの向上は認められず、経済的ではない。本発明の研
磨組成物において、酸化剤として過酸化水素を使用する
場合は、貯蔵中における過酸化水素の分解による組成変
動を防止するために、所定の濃度の過酸化水素水と、過
酸化水素を添加することにより所定の研磨組成物となる
ような組成物を別個に調製し、使用直前に両者を混合し
て化学的機械研磨を行うことが好ましい。
る。酸化剤は、化学的機械研磨において、金属の酸化反
応を促進し、研磨レートを高める作用効果を有する。使
用する酸化剤は水溶性を有するものであれば特に制限は
なく、例えば、過酸化水素、過マンガン酸カリウムなど
の過マンガン酸化合物、クロム酸ナトリウムなどのクロ
ム酸化合物、硝酸などの硝酸化合物、ペルオキソ二硫酸
などのペルオキソ酸化合物、過塩素酸などのオキソ酸化
合物、フェリシアン化カリウムなどの遷移金属塩、過酢
酸、ニトロベンゼンなどの有機系酸化剤などを挙げるこ
とができる。これらの中で、過酸化水素は、金属分を含
有せず、反応の際に生ずる副生成物や分解物が無害であ
り、半導体産業においても洗浄用薬液などとして使用実
績があるため、特に好ましい。本発明の研磨組成物にお
いて、酸化剤の含有量は、研磨組成物１００重量部に対
し、０.０１〜１０重量部であることが好ましい。酸化
剤の含有量が、研磨組成物１００重量部に対し０.０１
重量部未満であると、研磨力を高める有効な作用が現れ
にくく、研磨レートが向上しないおそれがある。酸化剤
の含有量が、研磨組成物１００重量部に対して１０重量
部を超えると、酸化剤の含有量の増加に見合った研磨レ
ートの向上は認められず、経済的ではない。本発明の研
磨組成物において、酸化剤として過酸化水素を使用する
場合は、貯蔵中における過酸化水素の分解による組成変
動を防止するために、所定の濃度の過酸化水素水と、過
酸化水素を添加することにより所定の研磨組成物となる
ような組成物を別個に調製し、使用直前に両者を混合し
て化学的機械研磨を行うことが好ましい。
【０００７】本発明の研磨組成物は、アルカリによりpH
を５〜９に、より好ましくはpHを６〜８に調整する。研
磨組成物のpHを５〜９に調整することにより、配線材料
の活性溶解を抑え、腐食痕の発生を避けて、しかも高い
研磨レートを得ることができる。研磨組成物のpHを６〜
８に調整することにより、腐食痕の発生が一層少なくな
り、装置材料の腐食のおそれがなく、作業者の取り扱い
と廃液処理が容易になる。アルカリによるpH調整方法に
は特に制限はなく、例えば、アルカリを組成物に直接添
加することができ、あるいは、添加すべきアルカリの一
部又は全部をカルボン酸又は燐酸のアルカリ塩として添
加することができる。使用するアルカリには特に制限は
なく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど
のアルカリ金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウムなどのアルカリ金属の炭酸塩、水酸化カルシウムな
どのアルカリ土類金属の水酸化物、アンモニア、アミン
などを挙げることができる。これらの中で、アンモニア
は、半導体装置特性を劣化させるアルカリ金属を含ま
ず、半導体産業でも洗浄用薬液などとして使用実績があ
るため特に好ましい。アンモニアは、アルカリ性領域に
おいては揮発性が高いため、組成の変動が起こりやす
く、刺激臭を発するという欠点を有するが、本発明の研
磨組成物は中性領域にあるため、アンモニアはアンモニ
ウムイオンとして安定に水中に存在し、このような不都
合を生じない。本発明の研磨組成物は、燐酸を含有せし
めることができる。微量の燐酸の存在により、腐食痕を
発生させることなく、研磨レートが向上し、好ましい研
磨性能が得られる。燐酸は、化学的機械研磨が進行する
過程において、化学反応に対して触媒的な作用を有する
ものと考えられる。本発明の研磨組成物において、燐酸
の含有量は、研磨組成物１００重量部に対し、０.００
０５〜０.１重量部であることが好ましく、０.００１〜
０.０１重量部であることがより好ましい。燐酸の含有
量が研磨組成物１００重量部に対し０.０００５重量部
未満であると、研磨レートの向上効果は顕著には現れな
い。燐酸の含有量が研磨組成物１００重量部に対し０.
１重量部を超えると、化学的機械研磨において活性溶解
が支配的となり、研磨面に腐食痕が発生する傾向が強く
なるおそれがある。
を５〜９に、より好ましくはpHを６〜８に調整する。研
磨組成物のpHを５〜９に調整することにより、配線材料
の活性溶解を抑え、腐食痕の発生を避けて、しかも高い
研磨レートを得ることができる。研磨組成物のpHを６〜
８に調整することにより、腐食痕の発生が一層少なくな
り、装置材料の腐食のおそれがなく、作業者の取り扱い
と廃液処理が容易になる。アルカリによるpH調整方法に
は特に制限はなく、例えば、アルカリを組成物に直接添
加することができ、あるいは、添加すべきアルカリの一
部又は全部をカルボン酸又は燐酸のアルカリ塩として添
加することができる。使用するアルカリには特に制限は
なく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど
のアルカリ金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウムなどのアルカリ金属の炭酸塩、水酸化カルシウムな
どのアルカリ土類金属の水酸化物、アンモニア、アミン
などを挙げることができる。これらの中で、アンモニア
は、半導体装置特性を劣化させるアルカリ金属を含ま
ず、半導体産業でも洗浄用薬液などとして使用実績があ
るため特に好ましい。アンモニアは、アルカリ性領域に
おいては揮発性が高いため、組成の変動が起こりやす
く、刺激臭を発するという欠点を有するが、本発明の研
磨組成物は中性領域にあるため、アンモニアはアンモニ
ウムイオンとして安定に水中に存在し、このような不都
合を生じない。本発明の研磨組成物は、燐酸を含有せし
めることができる。微量の燐酸の存在により、腐食痕を
発生させることなく、研磨レートが向上し、好ましい研
磨性能が得られる。燐酸は、化学的機械研磨が進行する
過程において、化学反応に対して触媒的な作用を有する
ものと考えられる。本発明の研磨組成物において、燐酸
の含有量は、研磨組成物１００重量部に対し、０.００
０５〜０.１重量部であることが好ましく、０.００１〜
０.０１重量部であることがより好ましい。燐酸の含有
量が研磨組成物１００重量部に対し０.０００５重量部
未満であると、研磨レートの向上効果は顕著には現れな
い。燐酸の含有量が研磨組成物１００重量部に対し０.
１重量部を超えると、化学的機械研磨において活性溶解
が支配的となり、研磨面に腐食痕が発生する傾向が強く
なるおそれがある。
【０００８】本発明の研磨組成物は、配線材料の化学的
機械研磨において、研磨時の加工圧力及び定盤回転数を
適度に大きくすることにより、研磨材粒子を含有するこ
となく、研磨パッドとの摺動のみで必要な研磨レートを
達成することが可能である。しかし、さらに大きい研磨
レートを得るためには、研磨材粒子を含有せしめること
が好ましい。研磨材粒子の含有量は、研磨組成物１００
重量部に対し、１〜２０重量部であることが好ましい。
研磨材粒子の含有量が研磨組成物１００重量部に対し１
重量部未満であると、機械的研磨力への寄与が小さく、
研磨材粒子の効果が顕著に現れないおそれがある。研磨
材粒子の含有量が研磨組成物１００重量部に対し２０重
量部を超えると、機械的研磨力は研磨材粒子の量の増加
に見合っては増大せず、一般に高価な化学的機械研磨用
の研磨材粒子を必要以上に使用することとなり、経済的
でない。本発明の研磨組成物において、研磨材粒子とし
ては、一般に化学的機械研磨に使用される、機械的研磨
力が小さい、すなわち粒径が小さく軟らかい研磨材粒子
を好適に使用することができる。また、半導体装置特性
を劣化させる不純物成分の少ない高純度の研磨材粒子が
好ましい。このような研磨材粒子としては、例えば、酸
化アルミニウム、酸化シリコン、酸化チタン、酸化ジル
コニウムなどの研磨材粒子を挙げることができる。本発
明の研磨組成物において、研磨材粒子は１種を単独で使
用することができ、２種以上を組み合わせて使用するこ
とができる。さらに、本発明の研磨組成物においては、
本発明の研磨組成物の有する極めて好ましい特徴と損な
わない範囲内において、広く一般に研磨組成物に添加さ
れる分散剤、緩衝剤、粘度調整剤をはじめとする種々の
公知の添加剤を含有せしめることができる。
機械研磨において、研磨時の加工圧力及び定盤回転数を
適度に大きくすることにより、研磨材粒子を含有するこ
となく、研磨パッドとの摺動のみで必要な研磨レートを
達成することが可能である。しかし、さらに大きい研磨
レートを得るためには、研磨材粒子を含有せしめること
が好ましい。研磨材粒子の含有量は、研磨組成物１００
重量部に対し、１〜２０重量部であることが好ましい。
研磨材粒子の含有量が研磨組成物１００重量部に対し１
重量部未満であると、機械的研磨力への寄与が小さく、
研磨材粒子の効果が顕著に現れないおそれがある。研磨
材粒子の含有量が研磨組成物１００重量部に対し２０重
量部を超えると、機械的研磨力は研磨材粒子の量の増加
に見合っては増大せず、一般に高価な化学的機械研磨用
の研磨材粒子を必要以上に使用することとなり、経済的
でない。本発明の研磨組成物において、研磨材粒子とし
ては、一般に化学的機械研磨に使用される、機械的研磨
力が小さい、すなわち粒径が小さく軟らかい研磨材粒子
を好適に使用することができる。また、半導体装置特性
を劣化させる不純物成分の少ない高純度の研磨材粒子が
好ましい。このような研磨材粒子としては、例えば、酸
化アルミニウム、酸化シリコン、酸化チタン、酸化ジル
コニウムなどの研磨材粒子を挙げることができる。本発
明の研磨組成物において、研磨材粒子は１種を単独で使
用することができ、２種以上を組み合わせて使用するこ
とができる。さらに、本発明の研磨組成物においては、
本発明の研磨組成物の有する極めて好ましい特徴と損な
わない範囲内において、広く一般に研磨組成物に添加さ
れる分散剤、緩衝剤、粘度調整剤をはじめとする種々の
公知の添加剤を含有せしめることができる。
【０００９】高精度面を達成するための化学的機械研
磨、特に半導体装置製造における配線層形成のための化
学的機械研磨においては、一般に、機械的研磨力の寄与
を小さくするため、研磨組成物に大きな化学的研磨力を
付与する必要がある。被研磨物が配線材料のように金属
の場合は、金属表面で強制的に腐食反応を生ぜしめるた
めの酸化剤の添加が有効である。金属の腐食はすべて表
面での造膜反応を経由するとされており、いったん形成
された皮膜の溶解度と溶解速度が高ければ活性溶解が進
行する。活性溶解が支配的で溶解速度が大きい場合に
は、局所的な溶解速度が金属組織に依存するため、金属
表面に腐食痕が発生し、実プロセスでの配線材料の化学
的機械研磨においては、腐食痕とともに、ディッシング
現象として現れる。研磨が進行して絶縁膜表面が現れる
段階において、配線材料が引き続き溶解するのに対し、
絶縁膜は腐食されないためである。すなわち、腐食痕と
ディッシングは同一の原因により発生するので、腐食痕
の発生を評価することにより、実プロセスでのディッシ
ングの発生を評価することができる。本発明の化学的機
械研磨用研磨組成物は、カルボン酸、酸化剤及び水を含
有し、アルカリによりpHが中性領域に調整されているの
で、高精度面を達成するための化学的機械研磨、特に半
導体装置製造における配線層形成のための化学的機械研
磨において、高い研磨レートを示し、絶縁膜との選択比
が高く、腐食痕やディッシングが少ない。本発明の研磨
組成物は、半導体装置特性を劣化させる金属成分を含有
せず、中性であるために作業者の取り扱い及び廃液処理
が容易である。本発明の研磨組成物は、さらに必要に応
じて、燐酸又は研磨材粒子を含有せしめることにより、
その好ましい研磨性能を一層高めることができる。
磨、特に半導体装置製造における配線層形成のための化
学的機械研磨においては、一般に、機械的研磨力の寄与
を小さくするため、研磨組成物に大きな化学的研磨力を
付与する必要がある。被研磨物が配線材料のように金属
の場合は、金属表面で強制的に腐食反応を生ぜしめるた
めの酸化剤の添加が有効である。金属の腐食はすべて表
面での造膜反応を経由するとされており、いったん形成
された皮膜の溶解度と溶解速度が高ければ活性溶解が進
行する。活性溶解が支配的で溶解速度が大きい場合に
は、局所的な溶解速度が金属組織に依存するため、金属
表面に腐食痕が発生し、実プロセスでの配線材料の化学
的機械研磨においては、腐食痕とともに、ディッシング
現象として現れる。研磨が進行して絶縁膜表面が現れる
段階において、配線材料が引き続き溶解するのに対し、
絶縁膜は腐食されないためである。すなわち、腐食痕と
ディッシングは同一の原因により発生するので、腐食痕
の発生を評価することにより、実プロセスでのディッシ
ングの発生を評価することができる。本発明の化学的機
械研磨用研磨組成物は、カルボン酸、酸化剤及び水を含
有し、アルカリによりpHが中性領域に調整されているの
で、高精度面を達成するための化学的機械研磨、特に半
導体装置製造における配線層形成のための化学的機械研
磨において、高い研磨レートを示し、絶縁膜との選択比
が高く、腐食痕やディッシングが少ない。本発明の研磨
組成物は、半導体装置特性を劣化させる金属成分を含有
せず、中性であるために作業者の取り扱い及び廃液処理
が容易である。本発明の研磨組成物は、さらに必要に応
じて、燐酸又は研磨材粒子を含有せしめることにより、
その好ましい研磨性能を一層高めることができる。
【００１０】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例１ 超純水、りんご酸（試薬特級、分子量１３４）、電子工
業用燐酸、電子工業用過酸化水素水及び高純度酸化アル
ミニウム［昭和電工(株)］を原料とした酸化アルミニウ
ム研磨材を所定量混合し、電子工業用アンモニア水を適
量添加することにより中性に調整した。さらに、この混
合物を超純水で希釈することにより、最終的な組成が、
研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、りんご酸１重量部、過酸化水素２
重量部、燐酸０.０１重量部を含有するpH７.５の研磨組
成物を得た。この研磨組成物の銅に対する研磨性能評価
を、以下の方法により行った。 ［研磨条件］ ワーク：２０mmφ、５mmｔ銅（公称純度：３Ｎ５）製ペ
レット×５（１１０mmφガラス基板に貼付して作製） パッド：二層タイプの化学的機械研磨用パッド 研磨機：片面ポリシングマシン、定盤径３２０mm 定盤回転数：６０rpm 加工圧力：２２０gf／cm2 研磨組成物供給速度：３０ml／分 研磨時間：３０分 ［評価項目］ 研磨レート：研磨前後のワーク厚みをマイクロメータで
測定 腐食痕：目視及び光学顕微鏡にて観察 研磨レートは、３１０ｎｍ／分と高い値であった。ま
た、研磨面には、腐食痕は全く認められなかった。次
に、絶縁膜との選択比を評価するため、同じ研磨組成物
を用いてシリコン基板上に形成せしめた熱酸化膜に対す
る研磨性能評価を以下の方法により行った。 ［研磨条件］ ワーク：５"φシリコンウェハ上に形成した熱酸化膜
（膜厚約１.５μｍ） パッド：二層タイプの化学的機械研磨用パッド 研磨機：片面ポリシングマシン、定盤径７２０mm 定盤回転数：３０rpm 加工圧力：２２０gf／cm2 研磨組成物供給速度：１００ml／分 研磨時間：５分 ［評価項目］ 研磨レート：研磨前後の酸化膜厚みをエリプソメータで
測定 研磨レートは、５ｎｍ／分と極めて低い値であった。し
たがって、絶縁膜との選択比は、６０を超える極めて大
きい値となる。次に、超純水１００重量部と高純度酸化
アルミニウム［昭和電工(株)］を原料とした酸化アルミ
ニウム研磨材５.３重量部を混合して機械的研磨力のみ
を有する研磨組成物を調製し、同様の方法で熱酸化膜に
対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは５ｎ
ｍ／分であった。この結果から、本発明の研磨組成物
は、研磨組成物の機械的研磨力のみが、絶縁膜の研磨レ
ートに寄与していると判断できる。 実施例２ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、りんご酸
５重量部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部を
含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様
にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レ
ートは７３０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食痕
は、極僅かであった。 実施例３ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、りんご酸
０.５重量部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部
を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同
様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨
レートは１５０ｎｍ／分であった。また、研磨面に、腐
食痕は全く認められなかった。 実施例４ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、りんご酸
１重量部、過酸化水素２重量部を含有するpH７.５の研
磨組成物を得た。実施例１と同様にして銅に対する研磨
性能評価を行ったところ、研磨レートは２１０ｎｍ／分
であった。また、研磨面に、腐食痕は全く認められなか
った。実施例１〜４の結果を第１表に示す。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例１ 超純水、りんご酸（試薬特級、分子量１３４）、電子工
業用燐酸、電子工業用過酸化水素水及び高純度酸化アル
ミニウム［昭和電工(株)］を原料とした酸化アルミニウ
ム研磨材を所定量混合し、電子工業用アンモニア水を適
量添加することにより中性に調整した。さらに、この混
合物を超純水で希釈することにより、最終的な組成が、
研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、りんご酸１重量部、過酸化水素２
重量部、燐酸０.０１重量部を含有するpH７.５の研磨組
成物を得た。この研磨組成物の銅に対する研磨性能評価
を、以下の方法により行った。 ［研磨条件］ ワーク：２０mmφ、５mmｔ銅（公称純度：３Ｎ５）製ペ
レット×５（１１０mmφガラス基板に貼付して作製） パッド：二層タイプの化学的機械研磨用パッド 研磨機：片面ポリシングマシン、定盤径３２０mm 定盤回転数：６０rpm 加工圧力：２２０gf／cm2 研磨組成物供給速度：３０ml／分 研磨時間：３０分 ［評価項目］ 研磨レート：研磨前後のワーク厚みをマイクロメータで
測定 腐食痕：目視及び光学顕微鏡にて観察 研磨レートは、３１０ｎｍ／分と高い値であった。ま
た、研磨面には、腐食痕は全く認められなかった。次
に、絶縁膜との選択比を評価するため、同じ研磨組成物
を用いてシリコン基板上に形成せしめた熱酸化膜に対す
る研磨性能評価を以下の方法により行った。 ［研磨条件］ ワーク：５"φシリコンウェハ上に形成した熱酸化膜
（膜厚約１.５μｍ） パッド：二層タイプの化学的機械研磨用パッド 研磨機：片面ポリシングマシン、定盤径７２０mm 定盤回転数：３０rpm 加工圧力：２２０gf／cm2 研磨組成物供給速度：１００ml／分 研磨時間：５分 ［評価項目］ 研磨レート：研磨前後の酸化膜厚みをエリプソメータで
測定 研磨レートは、５ｎｍ／分と極めて低い値であった。し
たがって、絶縁膜との選択比は、６０を超える極めて大
きい値となる。次に、超純水１００重量部と高純度酸化
アルミニウム［昭和電工(株)］を原料とした酸化アルミ
ニウム研磨材５.３重量部を混合して機械的研磨力のみ
を有する研磨組成物を調製し、同様の方法で熱酸化膜に
対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは５ｎ
ｍ／分であった。この結果から、本発明の研磨組成物
は、研磨組成物の機械的研磨力のみが、絶縁膜の研磨レ
ートに寄与していると判断できる。 実施例２ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、りんご酸
５重量部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部を
含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様
にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レ
ートは７３０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食痕
は、極僅かであった。 実施例３ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、りんご酸
０.５重量部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部
を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同
様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨
レートは１５０ｎｍ／分であった。また、研磨面に、腐
食痕は全く認められなかった。 実施例４ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、りんご酸
１重量部、過酸化水素２重量部を含有するpH７.５の研
磨組成物を得た。実施例１と同様にして銅に対する研磨
性能評価を行ったところ、研磨レートは２１０ｎｍ／分
であった。また、研磨面に、腐食痕は全く認められなか
った。実施例１〜４の結果を第１表に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】実施例１〜４の本発明の研磨組成物におい
て、りんご酸の含有量が増すにつれ研磨レートは大きく
なり、りんご酸の含有量が同一の場合は、燐酸を含有し
ない組成物より燐酸を含有する組成物の方が研磨レート
が大きいので、りんご酸及び燐酸の含有量を選定するこ
とにより、所望の研磨レートを有する研磨組成物を調製
することができる。研磨レートの最も大きい実施例２に
おいて腐食痕が極僅かに認められたほかは、腐食痕は全
く認められず、本発明の化学的機械研磨用研磨組成物
が、研磨レートが大きいにもかかわらず、高精度面を達
成し得ることが分かる。 実施例５ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、ニコチン
酸１重量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重
量部を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１
と同様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、
研磨レートは５００ｎｍ／分であった。また、研磨面
に、腐食痕は全く認められなかった。 実施例６ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、グルコン
酸２重量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重
量部を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１
と同様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、
研磨レートは３１０ｎｍ／分であった。また、研磨面
に、腐食痕は全く認められなかった。 実施例７ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、クエン酸
２重量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.０１重量部
を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同
様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨
レートは４５０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食
痕は、極僅かであった。 実施例８ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、酒石酸１
重量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重量部
を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同
様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨
レートは４５０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食
痕は、極僅かであった。 実施例９ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、乳酸１重
量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.０１重量部を含
有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様に
して銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レー
トは５００ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食痕は
少なかった。 実施例１０ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、酢酸１重
量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重量部を
含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様
にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レ
ートは１１０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食痕
は少なかった。 実施例１１ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、蓚酸１重
量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重量部を
含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様
にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レ
ートは１３０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食痕
は少なかった。実施例５〜１１の結果を第２表に示す。
て、りんご酸の含有量が増すにつれ研磨レートは大きく
なり、りんご酸の含有量が同一の場合は、燐酸を含有し
ない組成物より燐酸を含有する組成物の方が研磨レート
が大きいので、りんご酸及び燐酸の含有量を選定するこ
とにより、所望の研磨レートを有する研磨組成物を調製
することができる。研磨レートの最も大きい実施例２に
おいて腐食痕が極僅かに認められたほかは、腐食痕は全
く認められず、本発明の化学的機械研磨用研磨組成物
が、研磨レートが大きいにもかかわらず、高精度面を達
成し得ることが分かる。 実施例５ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、ニコチン
酸１重量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重
量部を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１
と同様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、
研磨レートは５００ｎｍ／分であった。また、研磨面
に、腐食痕は全く認められなかった。 実施例６ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、グルコン
酸２重量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重
量部を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１
と同様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、
研磨レートは３１０ｎｍ／分であった。また、研磨面
に、腐食痕は全く認められなかった。 実施例７ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、クエン酸
２重量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.０１重量部
を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同
様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨
レートは４５０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食
痕は、極僅かであった。 実施例８ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、酒石酸１
重量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重量部
を含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同
様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨
レートは４５０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食
痕は、極僅かであった。 実施例９ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、乳酸１重
量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.０１重量部を含
有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様に
して銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レー
トは５００ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食痕は
少なかった。 実施例１０ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、酢酸１重
量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重量部を
含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様
にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レ
ートは１１０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食痕
は少なかった。 実施例１１ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化アルミニウム研磨材５.３重量部、蓚酸１重
量部、過酸化水素０.２重量部、燐酸０.００１重量部を
含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様
にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レ
ートは１３０ｎｍ／分であった。また、研磨面の腐食痕
は少なかった。実施例５〜１１の結果を第２表に示す。
【００１３】
【表２】
【００１４】実施例５〜１１の本発明の研磨組成物にお
いて、カルボン酸及び燐酸の含有量が同じ場合、分子量
が１００未満のカルボン酸を含有する研磨組成物より
も、分子量が１００以上のカルボン酸を含有する研磨組
成物の方が、研磨レートが大きく、腐食痕の状態も良好
であることが分かる。 実施例１２ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化シリコン研磨材５.３重量部、りんご酸１重
量部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部を含有
するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様にし
て銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レート
は２９０ｎｍ／分であった。また、研磨面に、腐食痕は
全く認められなかった。 実施例１３ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化チタン研磨材５.３重量部、りんご酸１重量
部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部を含有す
るpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様にして
銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは
５１０ｎｍ／分であった。また、研磨面に、腐食痕は全
く認められなかった。 実施例１４ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化ジルコニウム研磨材５.３重量部、りんご酸
１重量部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部を
含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様
にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レ
ートは４７０ｎｍ／分であった。また、研磨面に、腐食
痕は全く認められなかった。実施例１２〜１４の結果を
第３表に示す。
いて、カルボン酸及び燐酸の含有量が同じ場合、分子量
が１００未満のカルボン酸を含有する研磨組成物より
も、分子量が１００以上のカルボン酸を含有する研磨組
成物の方が、研磨レートが大きく、腐食痕の状態も良好
であることが分かる。 実施例１２ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化シリコン研磨材５.３重量部、りんご酸１重
量部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部を含有
するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様にし
て銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レート
は２９０ｎｍ／分であった。また、研磨面に、腐食痕は
全く認められなかった。 実施例１３ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化チタン研磨材５.３重量部、りんご酸１重量
部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部を含有す
るpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様にして
銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは
５１０ｎｍ／分であった。また、研磨面に、腐食痕は全
く認められなかった。 実施例１４ 実施例１と同様にして、研磨組成物１０５.３重量部に
対し、酸化ジルコニウム研磨材５.３重量部、りんご酸
１重量部、過酸化水素２重量部、燐酸０.０１重量部を
含有するpH７.５の研磨組成物を得た。実施例１と同様
にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レ
ートは４７０ｎｍ／分であった。また、研磨面に、腐食
痕は全く認められなかった。実施例１２〜１４の結果を
第３表に示す。
【００１５】
【表３】
【００１６】実施例１２〜１４の結果から、酸化アルミ
ニウムに代えて、研磨材を酸化シリコン、酸化チタン又
は酸化ジルコニウムとした本発明の研磨組成物も、研磨
レートが大きいにもかかわらず、高精度面を達成し得る
ことが分かる。 実施例１５ 実施例１と全く同じ研磨組成物を調製し、実施例１の銅
のワークに代えて、２０mmφ、５mmｔアルミニウム製ペ
レット×５（１１０mmφガラス基板に貼付して作製）の
ワークを用い、実施例１と同様な方法でアルミニウムに
対する研磨性能評価を行った。研磨レートは２５０ｎｍ
／分と高い値であり、研磨面に発生した腐食痕は極僅か
であった。 比較例１ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、過酸化水素０.２重量部を含有し、
硝酸によりpHが３.２に調整された研磨組成物を調製し
た。この研磨組成物を用いて、実施例１と同様にして銅
に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは１
６０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕が認められた。 比較例２ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、硝酸アンモニウム１重量部を含有
し、アンモニアによりpHが７.０に調整された研磨組成
物を調製した。この研磨組成物を用いて、実施例１と同
様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨
レートは６０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕が認めら
れた。 比較例３ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、硝酸アンモニウム１重量部、過酸
化水素０.２重量部を含有し、アンモニアによりpHが７.
０に調整された研磨組成物を調製した。この研磨組成物
を用いて、実施例１と同様にして銅に対する研磨性能評
価を行ったところ、研磨レートは９０ｎｍ／分であり、
研磨面に腐食痕が認められた。 比較例４ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、過硫酸アンモニウム１重量部を含
有し、pHが７.８である研磨組成物を調製した。この研
磨組成物を用いて、実施例１と同様にして銅に対する研
磨性能評価を行ったところ、研磨レートは２９０ｎｍ／
分であり、研磨面に特に激しい腐食痕が認められた。 比較例５ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、アミノ酢酸０.１重量部、過酸化水
素５重量部を含有し、pHが５.８である研磨組成物を調
製した。この研磨組成物を用いて、実施例１と同様にし
て銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レート
は３０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕は認められなか
った。 比較例６ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、アミノ酢酸１重量部、過酸化水素
１重量部を含有し、pHが５.９である研磨組成物を調製
した。この研磨組成物を用いて、実施例１と同様にして
銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは
３８０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕が認められた。 比較例７ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、酢酸１重量部を含有し、アンモニ
アによりpH７.０に調整された研磨組成物を調製した。
この研磨組成物を用いて、実施例１と同様にして銅に対
する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは３０ｎ
ｍ／分であり、研磨面に腐食痕は認められなかった。 比較例８ アンモニア水でpH調整を行わなかった以外は、実施例１
と全く同じ研磨組成物を調製した。研磨組成物のpHは
２.５であった。この研磨組成物を用いて、実施例１と
同様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研
磨レートは６４０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕が認
めらた。比較例１〜８の結果を第４表に示す。
ニウムに代えて、研磨材を酸化シリコン、酸化チタン又
は酸化ジルコニウムとした本発明の研磨組成物も、研磨
レートが大きいにもかかわらず、高精度面を達成し得る
ことが分かる。 実施例１５ 実施例１と全く同じ研磨組成物を調製し、実施例１の銅
のワークに代えて、２０mmφ、５mmｔアルミニウム製ペ
レット×５（１１０mmφガラス基板に貼付して作製）の
ワークを用い、実施例１と同様な方法でアルミニウムに
対する研磨性能評価を行った。研磨レートは２５０ｎｍ
／分と高い値であり、研磨面に発生した腐食痕は極僅か
であった。 比較例１ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、過酸化水素０.２重量部を含有し、
硝酸によりpHが３.２に調整された研磨組成物を調製し
た。この研磨組成物を用いて、実施例１と同様にして銅
に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは１
６０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕が認められた。 比較例２ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、硝酸アンモニウム１重量部を含有
し、アンモニアによりpHが７.０に調整された研磨組成
物を調製した。この研磨組成物を用いて、実施例１と同
様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨
レートは６０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕が認めら
れた。 比較例３ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、硝酸アンモニウム１重量部、過酸
化水素０.２重量部を含有し、アンモニアによりpHが７.
０に調整された研磨組成物を調製した。この研磨組成物
を用いて、実施例１と同様にして銅に対する研磨性能評
価を行ったところ、研磨レートは９０ｎｍ／分であり、
研磨面に腐食痕が認められた。 比較例４ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、過硫酸アンモニウム１重量部を含
有し、pHが７.８である研磨組成物を調製した。この研
磨組成物を用いて、実施例１と同様にして銅に対する研
磨性能評価を行ったところ、研磨レートは２９０ｎｍ／
分であり、研磨面に特に激しい腐食痕が認められた。 比較例５ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、アミノ酢酸０.１重量部、過酸化水
素５重量部を含有し、pHが５.８である研磨組成物を調
製した。この研磨組成物を用いて、実施例１と同様にし
て銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レート
は３０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕は認められなか
った。 比較例６ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、アミノ酢酸１重量部、過酸化水素
１重量部を含有し、pHが５.９である研磨組成物を調製
した。この研磨組成物を用いて、実施例１と同様にして
銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは
３８０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕が認められた。 比較例７ 研磨組成物１０５.３重量部に対し、酸化アルミニウム
研磨材５.３重量部、酢酸１重量部を含有し、アンモニ
アによりpH７.０に調整された研磨組成物を調製した。
この研磨組成物を用いて、実施例１と同様にして銅に対
する研磨性能評価を行ったところ、研磨レートは３０ｎ
ｍ／分であり、研磨面に腐食痕は認められなかった。 比較例８ アンモニア水でpH調整を行わなかった以外は、実施例１
と全く同じ研磨組成物を調製した。研磨組成物のpHは
２.５であった。この研磨組成物を用いて、実施例１と
同様にして銅に対する研磨性能評価を行ったところ、研
磨レートは６４０ｎｍ／分であり、研磨面に腐食痕が認
めらた。比較例１〜８の結果を第４表に示す。
【００１７】
【表４】
【００１８】比較例１〜７の従来の化学的機械研磨用研
磨組成物及び比較例８のアルカリによるpH調整を行わな
かった研磨組成物のうち、研磨面に腐食痕が認められな
い比較例５及び比較例７の研磨組成物は、研磨レートが
非常に小さい。また、研磨レートの比較的大きい比較例
１、比較例５、比較例６及び比較例８の研磨組成物は、
いずれも研磨面に腐食痕が認められる。さらに、比較例
２及び比較例３の研磨組成物は、研磨レートが小さいに
もかかわらず、研磨面に腐食痕が認められる。
磨組成物及び比較例８のアルカリによるpH調整を行わな
かった研磨組成物のうち、研磨面に腐食痕が認められな
い比較例５及び比較例７の研磨組成物は、研磨レートが
非常に小さい。また、研磨レートの比較的大きい比較例
１、比較例５、比較例６及び比較例８の研磨組成物は、
いずれも研磨面に腐食痕が認められる。さらに、比較例
２及び比較例３の研磨組成物は、研磨レートが小さいに
もかかわらず、研磨面に腐食痕が認められる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の化学的機械研磨用研磨組成物
は、高い研磨レートを示し、絶縁膜との選択比が高く、
腐食痕やディッシングが少なく、中性を示し、半導体装
置特性を劣化させる金属成分を必要とせず、特殊で高価
な化学試薬が不要で、人体に対して有害な物質を主成分
としないため、高精度面を達成するための化学的機械研
磨、特に半導体装置製造における配線層形成のための化
学的機械研磨用途に好適に使用することができる。
は、高い研磨レートを示し、絶縁膜との選択比が高く、
腐食痕やディッシングが少なく、中性を示し、半導体装
置特性を劣化させる金属成分を必要とせず、特殊で高価
な化学試薬が不要で、人体に対して有害な物質を主成分
としないため、高精度面を達成するための化学的機械研
磨、特に半導体装置製造における配線層形成のための化
学的機械研磨用途に好適に使用することができる。
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(56)参考文献 特開 平９−55363（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−233485（ＪＰ，Ａ)
特開 昭52−30159（ＪＰ，Ａ)
特開 昭47−3409（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−18472（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−116756（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−94455（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−354900（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C09K 13/06
B24B 37/00
H01L 21/304 - 21/306
ＥＵＲＯＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (14)
- 【請求項１】りんご酸、ニコチン酸、グルコン酸、クエ
ン酸、酒石酸、乳酸、酢酸、及び蓚酸から選ばれる１種
以上のカルボン酸、酸化剤及び水を含有し、アルカリに
よりpHが５〜９に調整されてなることを特徴とするシリ
コンウェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機械
研磨用研磨組成物。 - 【請求項２】アルカリが、アンモニアである請求項１に
記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成のための
化学的機械研磨用研磨組成物。 - 【請求項３】カルボン酸が分子量が１００〜３００のカ
ルボン酸であることを特徴とする請求項１〜２の何れか
１項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成の
ための化学的機械研磨用研磨組成物。 - 【請求項４】アルカリによりpH５〜８に調整されてなる
請求項１〜３の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導
体装置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成
物。 - 【請求項５】燐酸を研磨組成物１００重量部に対し、
０.０００５〜０.１重量部含有させたことを特徴とする
請求項１〜４の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導
体装置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成
物。 - 【請求項６】１１０ｎｍ／分以上の研磨レートを有する
こと特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のシリ
コンウェハ半導体装置の配線層形成のための化学的機械
研磨用研磨組成物。 - 【請求項７】カルボン酸の含有量が研磨組成物１００重
量部に対し、０.１〜５重量部であることを特徴とする
請求項１〜６の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導
体装置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成
物。 - 【請求項８】酸化剤が、過酸化水素である請求項１〜７
の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線
層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物。 - 【請求項９】酸化剤の含有量が研磨組成物１００重量部
に対し、０.０１〜１０重量部であることを特徴とする
請求項１〜７の何れか１項に記載のシリコンウェハ半導
体装置の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成
物。 - 【請求項１０】化学的機械研磨用研磨組成物に、さらに
研磨材粒子を含有せしめてなる請求項１〜９の何れか１
項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成のた
めの化学的機械研磨用研磨組成物。 - 【請求項１１】研磨材粒子の含有量が、研磨組成物１０
０重量部に対し、１〜２０重量部であることを特徴とす
る請求項１０に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線
層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物。 - 【請求項１２】研磨材粒子が、酸化アルミニウム、酸化
シリコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムから選ばれ
る１種以上の研磨材粒子又は研磨材粒子の組合せである
請求項１０又は１１に記載のシリコンウェハ半導体装置
の配線層形成のための化学的機械研磨用研磨組成物。 - 【請求項１３】シリコンウェハ上に形成した熱酸化膜の
研磨レートに対する銅の研磨レートの比が、６０を超え
ることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載
のシリコンウェハ半導体装置の配線層形成のための化学
的機械研磨用研磨組成物。 - 【請求項１４】使用直前に過酸化水素水を添加して化学
的機械研磨を行うことを特徴とする請求項１〜１３の何
れか１項に記載のシリコンウェハ半導体装置の配線層形
成のための化学的機械研磨用研磨組成物を用いた化学的
機械研磨方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22307296A JP3507628B2 (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 化学的機械研磨用研磨組成物 |
| US08/895,954 US5800577A (en) | 1996-08-06 | 1997-07-17 | Polishing composition for chemical mechanical polishing |
| DE69736035T DE69736035T2 (de) | 1996-08-06 | 1997-07-22 | Polierzusammensetzung zum chemisch-mechanischen Polieren |
| EP97112569A EP0823465B1 (en) | 1996-08-06 | 1997-07-22 | Polishing composition for chemical mechanical polishing |
| TW086111055A TW374793B (en) | 1996-08-06 | 1997-08-02 | A grinding composition for chemical-mechanical polishing of semiconductor device |
| KR1019970037458A KR100231451B1 (ko) | 1996-08-06 | 1997-08-06 | 화학적기계연마용 연마조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22307296A JP3507628B2 (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 化学的機械研磨用研磨組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1046140A JPH1046140A (ja) | 1998-02-17 |
| JP3507628B2 true JP3507628B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=16792399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22307296A Expired - Lifetime JP3507628B2 (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 化学的機械研磨用研磨組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5800577A (ja) |
| EP (1) | EP0823465B1 (ja) |
| JP (1) | JP3507628B2 (ja) |
| KR (1) | KR100231451B1 (ja) |
| DE (1) | DE69736035T2 (ja) |
| TW (1) | TW374793B (ja) |
Families Citing this family (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1997-07-17 US US08/895,954 patent/US5800577A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-22 EP EP97112569A patent/EP0823465B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-22 DE DE69736035T patent/DE69736035T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-02 TW TW086111055A patent/TW374793B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-08-06 KR KR1019970037458A patent/KR100231451B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0823465A3 (en) | 1998-10-21 |
| EP0823465B1 (en) | 2006-06-07 |
| KR19980018410A (ko) | 1998-06-05 |
| DE69736035D1 (de) | 2006-07-20 |
| US5800577A (en) | 1998-09-01 |
| DE69736035T2 (de) | 2007-01-25 |
| JPH1046140A (ja) | 1998-02-17 |
| KR100231451B1 (ko) | 1999-11-15 |
| TW374793B (en) | 1999-11-21 |
| EP0823465A2 (en) | 1998-02-11 |
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Legal Events
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031212 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031219 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131226 Year of fee payment: 10 |
|
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
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