JP2004514266A - 貴金属用研磨組成物 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- -1 aromatic sulfoxide Chemical class 0.000 claims description 29
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 10
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002153 sulfur containing inorganic group Chemical group 0.000 claims description 3
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N sulfurothioic S-acid Chemical compound OS(O)(=O)=S DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WBZKQQHYRPRKNJ-UHFFFAOYSA-N disulfurous acid Chemical compound OS(=O)S(O)(=O)=O WBZKQQHYRPRKNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N peroxydisulfuric acid Chemical compound OS(=O)(=O)OOS(O)(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N thiomalic acid Chemical compound OC(=O)CC(S)C(O)=O NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 2
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 claims 2
- DIQUUDQGAZZWFJ-REOHCLBHSA-N (2s)-2-(sulfanylamino)propanoic acid Chemical compound SN[C@@H](C)C(O)=O DIQUUDQGAZZWFJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001261 hydroxy acids Chemical class 0.000 claims 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 45
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 8
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 3
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 3
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010591 solubility diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical group C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- OSKNUZYLXFBIHL-UHFFFAOYSA-N azanium;hydron;phthalate Chemical compound N.OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O OSKNUZYLXFBIHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- GOMCKELMLXHYHH-UHFFFAOYSA-L dipotassium;phthalate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O GOMCKELMLXHYHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 2
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- GLVAUDGFNGKCSF-UHFFFAOYSA-N mercaptopurine Chemical compound S=C1NC=NC2=C1NC=N2 GLVAUDGFNGKCSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical group 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidine-2-thione Chemical compound SC1=NCCS1 WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAJBSGLXSREIHP-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis[(2-sulfanylacetyl)oxymethyl]butyl 2-sulfanylacetate Chemical group SCC(=O)OCC(CC)(COC(=O)CS)COC(=O)CS KAJBSGLXSREIHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAJYJWXEWKRTPO-UHFFFAOYSA-N 2,3,3,4,4,5-hexamethylhexane-2-thiol Chemical compound CC(C)C(C)(C)C(C)(C)C(C)(C)S YAJYJWXEWKRTPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSYGHMBJXWRQFD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-sulfanylacetyl)oxyethyl 2-sulfanylacetate Chemical group SCC(=O)OCCOC(=O)CS PSYGHMBJXWRQFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAQZWTGSNCDKTK-UHFFFAOYSA-N 2-(3-sulfanylpropanoyloxy)ethyl 3-sulfanylpropanoate Chemical group SCCC(=O)OCCOC(=O)CCS HAQZWTGSNCDKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGMADIBCHLQMIP-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanethiol;hydron;chloride Chemical group Cl.NCCS OGMADIBCHLQMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACBOBKJKSFYJML-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;2-sulfanylpropanoic acid Chemical group CC(S)C(O)=O.CC(S)C(O)=O.CC(S)C(O)=O.CCC(CO)(CO)CO ACBOBKJKSFYJML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUGAOYSWHHGDJY-UHFFFAOYSA-K 5-hydroxy-2,8,9-trioxa-1-aluminabicyclo[3.3.2]decane-3,7,10-trione Chemical compound [Al+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O ZUGAOYSWHHGDJY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical group S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJHHIJFTHRNPIK-UHFFFAOYSA-N Diphenyl sulfoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)C1=CC=CC=C1 JJHHIJFTHRNPIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N Ethylenethiourea Chemical group S=C1NCCN1 PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical group SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric Acid Chemical class [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDUCNPHDIMQCY-UHFFFAOYSA-N [3-(2-sulfanylacetyl)oxy-2,2-bis[(2-sulfanylacetyl)oxymethyl]propyl] 2-sulfanylacetate Chemical group SCC(=O)OCC(COC(=O)CS)(COC(=O)CS)COC(=O)CS RUDUCNPHDIMQCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEAFLBOWLRRIHV-UHFFFAOYSA-N [Na].[P] Chemical compound [Na].[P] HEAFLBOWLRRIHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N cysteamine Chemical compound NCCS UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- AFZSMODLJJCVPP-UHFFFAOYSA-N dibenzothiazol-2-yl disulfide Chemical group C1=CC=C2SC(SSC=3SC4=CC=CC=C4N=3)=NC2=C1 AFZSMODLJJCVPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethyl mercaptane Chemical group CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229960001428 mercaptopurine Drugs 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- YIFCZJACMYQVNM-UHFFFAOYSA-N n-(2-sulfanylethyl)benzenesulfonamide Chemical group SCCNS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 YIFCZJACMYQVNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001741 organic sulfur group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- JOKPITBUODAHEN-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneplatinum Chemical compound [Pt]=S JOKPITBUODAHEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N thiosalicylic acid Chemical group OC(=O)C1=CC=CC=C1S NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N thiouracil Chemical group O=C1C=CNC(=S)N1 ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950000329 thiouracil Drugs 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000733 zeta-potential measurement Methods 0.000 description 1
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical group OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
本発明の研磨組成物は、白金などの貴金属を含有する基板の化学機械研磨に有用であり、研磨組成物に対して硫黄含有化合物を約0.1重量%〜50重量%、研磨組成物に対して研磨粒子を約0.5重量%〜約55重量%、研磨組成物に対して水溶性有機添加剤を約10重量%まで含有する。その研磨粒子は、アルミナ、酸化セリウム、シリカ、ダイヤモンド、ゲルマニア、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ホウ素、炭化ホウ素、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される。有機添加剤は、研磨剤粒子の分散を高め、かつ研磨組成物のpHを安定化し、誘電体除去率を抑えることによって、金属除去率および金属除去選択度もまた向上させる。
Description
【0001】
本発明は、半導体基板を研磨するための研磨組成物またはスラリーに関する。白金−硫黄化合物を形成することによって、ドライエッチング速度を向上させる白金のドライエッチングに、硫黄含有ガスを使用できることは、1996年2月20日発行のMatsumoto他による米国特許第5,492,855号から公知である。
【0002】
本発明によれば、配位子含有化合物が、貴金属層と、バリヤ層と、誘電性層とを有する半導体基板の化学機械研磨に使用する水性研磨組成物中に存在する。その配位子含有化合物中に存在する配位子は、貴金属と錯体を形成し、その錯体は、約5〜約100の範囲の安定度定数を有する。
【0003】
ここで、添付の図面を参照して、本発明の実施形態を実施例により説明する。
【0004】
公知の化学機械研磨(CMP)技術は最初に、誘電性フィルム(つまり、SiO2)の研磨に適用されたが、以来CMPは、集積回路の相互接続に通常使用される、タングステン、銅およびアルミニウムなどの金属を研磨することに適用されてきた。それと比較して、貴金属に用いられるCMPは、あまり開発されていない。ギガビットDRAM(動的ランダムアクセス記憶装置)およびFeRAM(強誘電性ランダムアクセス記憶装置)における電極およびバリヤ材料として、貴金属が使用されて以来、半導体における貴金属の使用は、さらに関心を集めている。大部分の金属構造は、3種の異なるフィルムまたは層、すなわち、導電性金属層(例えば、銅、タングステンまたは白金)と、導電性金属層とその隣接する誘電性層との間のバリヤ層またはライナー層(例えば、チタンまたはタンタル合金)と、誘電性層(例えば、テトラエチルオルトシリケートから誘導された酸化ケイ素または二酸化ケイ素)とを含む。集積回路は、シリコンから作製されたウエハ上に材料(金属、バリヤおよび誘電性層)の連続層を堆積することによって構成される。各層を堆積した後、その層をエッチングして、集積回路の素子としての役割を果たす、半導体基板上の回路機能を作製する。デバイス回路におけるラインおよび機能の小型化が原因で、正確な焦点深度を達成し、かつ非平坦な表面に伴うダイ内部およびダイ対ダイの影響を補うであろう最適化されたフォトリソグラフィ法を確立することは非常に困難である。さらに、一連の層を連続して堆積し、エッチングするため、基板の最も外側の層がますます非平坦となる。ウエハの表面が非平坦であると、その結果、次の回路の層に欠陥を生じ、回路に欠陥が生じる。したがって、連続層のそれぞれに平坦な表面を有することが望ましい。
【0005】
集積回路の配線を提供する多層金属構造用の相互接続ラインおよびビアを形成するのに、「ダマシン」法が用いられる。ダマシン技術は、平坦な誘電性(絶縁体)層のトレンチをエッチングすることと、アルミニウム、銅、またはタングステンなどの金属でトレンチを充填することを含む。「デュアルダマシン」と呼ばれる技術では、ダマシン構造が充填されるため、より低いレベルまで接触を付与する、エッチングされたビアが提供される。銅を充填として使用する場合には、通常、誘電性層への銅イオンの移動を防ぐために、他の材料の層を最初に堆積して、トレンチおよびビアを配線する。この移動バリヤまたはバリヤ層は通常、タンタル、窒化タンタル、チタンおよび/または窒化チタンを含有する。移動バリヤに加えて、相互接続金属および/または他の金属の導電性シード層が適用され、無電解めっきまたは電解めっきに対する良好な部分としての役割を果たす。更なる詳細は、「Making the Move to Dual Damascene Processing」, Semiconductor International, 1997年8月に記載されている。
【0006】
集積回路におけるコンデンサは、ポリシリコンおよびポリシリコン構造に接合された金属から製造される。集積回路は通常、基礎誘電体と、それらの間に誘電体を有する第1(底部)電極および第2(上部)電極とを有する。その上部電極および底部電極に、貴金属またはその合金を使用する。実施形態では、集積回路におけるコンデンサは、実質的に平坦であることが可能である。さらに、集積回路におけるコンデンサの構造の詳細は、米国特許第6,040,0616号に記載されている。一実施形態において、本発明の研磨組成物は、集積回路における平坦なコンデンサまたは埋込みバリヤ構造を有するコンデンサを製造するためのCMPでの用途が見出される。
【0007】
通常のCMP法では、例えば、全平坦化段階が、研磨段階の一段階で行われる場合には、金属層およびバリヤ層の材料の除去率が高く、誘電性層の除去率が低いことが望ましいだろう。金属除去率と誘電体除去率との比は、金属選択比と呼ばれる。CMP法を金属除去に有効にするために、この比を可能な限り高く維持することが望ましい。本発明による研磨組成物によって、10オングストローム未満の二乗平均表面粗さ、すなわちRMS値および最小の欠陥を有する、実質的に平坦な研磨表面が得られる。表面粗さを特徴づけるために、単一の数値(「RMS」数)を使用することは一般的である。RMSは、基板表面形態の平均幅/高さから得た、研磨基板表面の二乗平均偏差である。
【0008】
本発明は、貴金属(例えば、白金)および/または貴金属合金を含有する半導体基板を研磨するための研磨組成物またはスラリーに関し、集積回路の製造において、関連するバリヤ層(例えば、タンタル、窒化タンタル、チタンおよび/または窒化チタン)、および関連する誘電性層(例えば、熱酸化物またはテトラエチルオルトシリケート(TEOS)から誘導された二酸化ケイ素)を半導体基板上にフィルムまたは層として提供する。貴金属を含有する表面を研磨する方法もまた提供する。本明細書中で意味する貴金属には、白金族元素(イリジウム、パラジウム、白金、オスミウム、ロジウム、およびルテニウム)、銀、金、酸化物および/またはその合金が含まれる。本明細書中で意味する研磨組成物には、研磨剤を含有しない研磨組成物と研磨剤を含有する研磨組成物であるスラリーとが含まれる。一実施形態では、本発明を、貴金属相互接続を有する半導体デバイスの製造に適用する。他の実施形態では、本発明を、集積回路におけるコンデンサの製造に適用する。
【0009】
実施形態において、研磨組成物は、懸濁液中で研磨粒子を保持するための分散剤など、他の添加剤と共に研磨粒子(例えば、アルミナまたは酸化セリウム)を有する実質的な脱イオン水と、目的の金属層(例えば、白金)を除去する高い選択度を達成する研磨組成物の活性を高めるためのpH安定剤(緩衝液)及び他の化学物質とを含有する。詳細な実施形態では、研磨組成物は、水溶性有機添加剤を研磨組成物に対して約10重量%まで;サブミクロンサイズの研磨粒子を研磨組成物に対して約0.5重量%〜約55重量%;配位子含有化合物を研磨組成物に対して約0.1重量%〜50重量%;含有し、その配位子は、貴金属との錯体を形成し、前記錯体は、約5〜約100の範囲の安定度定数を有する。その水溶性有機添加剤は、ヒドロキシ、カルボキシ、チオール、メルカプト、アミノ等の部分を含有し、それを使用して、研磨組成物の粘性を改変し;および/または研磨組成物中の研磨粒子を分散し;および/またはpH緩衝液として作用させることによって、研磨組成物のpHを安定化する。カルボキシ部分を含有する水溶性有機添加剤の例には、フタル酸水素アンモニウムおよびフタル酸カリウムが含まれる。ポリビニルピロリドンなどの有機化合物を使用して、本発明の研磨組成物の粘性を改変する。
【0010】
研磨粒子は、必要とされる摩耗の程度に応じて、研磨組成物に対して0.5重量%〜55重量%含有される。研磨粒子は、平均粒径範囲25〜500nmを有する一次粒子、あるいは一次粒子と、500nmまでの平均凝集体サイズを有する凝集した小さな粒子との混合物(一次粒子の粒径範囲5〜100nm)であることが可能である。実施形態では、研磨組成物は、平均粒径範囲5〜100nmの研磨粒子を有し、その研磨粒子は、硬さ約4モース〜約10モースを有する材料から製造される。その硬さを保持しながら、研磨粒子および凝集体をカプセル化することが可能であり、その結果研磨基板は、スクラッチおよび欠陥を極めてわずかしか有しない。
【0011】
研磨組成物中の研磨粒子には、限定されないが、アルミナ、酸化セリウム、ゲルマニア(germania)、シリカ、チタニア、ジルコニア、ダイヤモンド、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、またはそれらの組み合わせが含まれる。一実施形態では、研磨組成物は、α−アルミナを約99%含有する。アルミナは、α−アルミナ、γ−アルミナおよびδ−アルミナとして市販されている。これらの相は、アルミナ水和物の脱水シーケンスにおける様々な段階から生じる。α−アルミナは、γ−アルミナよりも硬く、タングステンおよび白金などの硬い基板を除去するのに好ましい。アルミナの硬さは、α−アルミナの重量%に依存する。したがって、様々な重量%のα−アルミナを有するアルミナを使用することによって、基板の表面仕上が制御される。スラリーにおけるα−アルミナの使用についての更なる詳細は、米国特許第5,693,239号に記載されている。
【0012】
実施形態において、研磨組成物は、表面積約50〜400m2/gおよび500nm未満の平均凝集体サイズを有する研磨粒子を含有する。例えば、アルミナの密度が3.96gm/ccであると仮定すると、直径1nmの球形粒子に相当する理論上の表面積は約1,500m2/gmであり;直径10nmの球形粒子に相当する理論上の表面積は約150m2/gmであり;直径500nmの球形粒子に相当する理論上の表面積は約3m2/gmである。研磨粒子の実際の表面積は、一般にBET測定と呼ばれる、S. Brunauer, P. H. EmmetおよびI. Teller, J. Am. Chemical Society, Volume 60, p.309(1938)の窒素吸着法により測定することができる。研磨粒子の実際の表面積は、研磨粒径分布(モノモード(monomodal)であろうと、バイモード(bimodal)であろうと)と研磨粒子多孔度の関数である。研磨粒径分布は、モノモードまたはバイモードであることが可能である。ユニモード(モノモードとも呼ばれる)粒径分布は、比較的均一な粒径の粒子を有するが、バイモード集団は、粒径により2つの異なる集団にグループ分けされる粒子を含有する。平均粒子直径は通常、市販の研磨材料の粒径として報告する。
【0013】
研磨組成物の粒子は分散させるべきであり、沈殿または凝集させないほうがよい。しかしながら、一次粒子および凝集粒子のパーセンテージによって、研磨組成物中のかかる粒子が沈殿する場合があり、混合などの機械的手段によって、再分散する必要がある。再分散するために、高剪断混合を用いる。
【0014】
有機化合物を分散剤として使用する。分散剤は、研磨後の洗浄の際に、研磨組成物中の研磨粒子が基板表面に付着する傾向を低減する。沈殿、フロキュレーションおよび凝集に対して、さらにスラリーを安定化するために、界面活性剤、ポリマー安定剤、もしくは他の界面活性分散剤など他の様々な添加剤もまた使用する。通常の界面活性剤の多くの例は、McCutcheon’s Emulsifiers and Detergents, North American and International Edition (McCutcheon Division, The MC Publishing Co (2000年4月)に記載されている。界面活性剤または分散剤を、研磨粒子の立体的安定化を達成する量で研磨組成物に添加する。
【0015】
安定な研磨組成物は、ゼータ電位が+20ミリボルトを超えるか、または−20ミリボルト未満の組成物である。ゼータ電位は、液体中で測定される、電気2重層の範囲を超える液体の剪断面とバルクとの間の電位差である。研磨組成物のゼータ電位は、pH、存在する研磨剤(金属酸化物)の種類および界面活性剤、塩等の存在に依存する。pHが高くなるのに伴って、表面電荷は、最大値に達するまで、等電点から離れて負または正に増大する。等電点は、ゼータ電位が0であるpHとして定義される。ゼータ電位は、電気泳動および電気音響分光法(電界と音場との相互作用)などのいくつかの標準技術によって測定される。音場をかけて、コロイド振動電位(CVP)と呼ばれる、得られた電界を測定することが可能である。あるいは逆に、電界をかけて、電子音波振幅(ESA)と呼ばれる、得られた音場を測定することができる。通常のゼータ電位測定器具は、Mount Kiso 社Dispersion Technology(ケンタッキー州)製造の音響および電気音響分光計、モデルDT−1200と同様である。
【0016】
研磨組成物の実施形態における硫黄含有化合物は、研磨される基板に存在する貴金属の除去を高める。例として、向上した除去メカニズムは、基板表面の貴金属層上へ硫黄含有化合物を吸着し、続いて、研磨パッドに対する基板表面の反復運動および摩擦により補助され、さらに研磨組成物中の研磨剤により補助される機械的除去を行うことを含む。基板表面と、それを取り囲む研磨組成物との境界面では、表面の貴金属原子は、電子不足である空の「d」または「s」軌道を有し、そのため、ルイス塩基として作用する、またはルイス塩基部分を含有する化合物と錯化する。安定度定数は、キレート化錯体を形成する金属カチオンと配位子(ルイス塩基またはルイス塩基部分)との間の平衡反応を意味する。
【0017】
いくつかの金属の例示的な配位子およびそれに対応する安定度定数を以下の表に示す。
【0018】
【表1】
【0019】
貴金属(例えば:白金)とチオ硫酸塩の安定度定数が高いことによって、基板表面からの貴金属の溶解率が向上し、それによって、CMPの際に貴金属除去率が高まる。
【0020】
硫黄を含有する無機および/もしくは有機化合物またはその両方の化合物のいずれかを、研磨組成物の実施形態で使用して、基板に存在する貴金属の除去を高める。一実施形態では、研磨組成物は、無機もしくは有機硫黄含有化合物を約0.1重量%〜約50重量%含有する。
【0021】
本発明の研磨組成物中に使用する「硫黄含有」有機化合物の例には、限定されないが、2−アミノエタンチオールなどのアミノアルカンチオール;t−ドデシルメルカプタンなどのアルキルメルカプタン、およびC10〜C11第3級メルカプタンの混合物;エチレングリコールビス(チオグリコレート)、エチレングリコールビス(メルカプトプロピオネート)、トリメチロールプロパントリス(チオグリコレート)、トリメチロールプロパントリス(メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(チオグリコレート)などのポリオールのメルカプトカルボン酸エステル;チオグリコール酸、β−メルカプトアラニン、2−メルカプト安息香酸、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアジルジスルフィド、メルカプトエタノール、β−メルカプトエチルアミンヒドロクロリド、N−(2−メルカプトエチル)ベンゼンスルホンアミド、2−メルカプト−4−ヒドロキシピリミジン、2−メルカプトイミダゾリン、メルカプトメリンナトリウム、β−メルカプトプロピオン酸、6−メルカプトプリン、メルカプトコハク酸、および2−メルカプトチアゾリン;硫化ジフェニルなどの芳香族スルフィド;およびジフェニルスルホキシド等の芳香族スルホキシドが含まれる。
【0022】
研磨組成物の実施形態における「硫黄含有」無機化合物の例には、チオ硫酸、二亜硫酸、ポリチオン酸、ペルオキソ二硫酸などの酸の金属塩およびそれらの組み合わせが含まれる。
【0023】
研磨組成物の実施形態において、有機添加剤を、研磨組成物の重量に対して約10重量%まで使用する。有機添加剤は、研磨粒子に対してカプセル化手段、懸濁手段として作用して、硬い研磨粒子に関連するスクラッチングを最小限に抑え、かつ基板表面の全体的な均一性を向上させる。または、有機添加剤は、研磨プロセスの際に目的の金属層上に吸着されることによって、ならびに誘電性層および関連するバリヤ層を保護することによって、研磨される半導体基板の表面品質を高める。有機添加剤の他の使用は、pH緩衝液として作用し、研磨組成物のpHを安定させることである。例示的な有機添加剤は、ヒドロキシ、カルボキシ、チオール、メルカプト、アミノ基を含有し、フタレート、例えばフタル酸水素アンモニウムおよびフタル酸カリウムなどの化合物が含まれる。さらに、カルボキシ部分を有する例示的な有機添加剤には、カルボキシレート、ヒドロキシ、スルホンおよびホスホン基を有する有機酸が含まれる。有機酸の例としては、クエン酸、乳酸、リンゴ酸および酒石酸が挙げられる。誘電性層の除去率を抑制する酸性種の使用は、参照により本明細書に援用される、米国特許第5,476,606号に詳細に記載されている。
【0024】
均一な除去率は、研磨組成物のpHの関数である。したがって、安定なpHを有する研磨組成物が望ましい。実施形態において、研磨組成物は、約1.5〜5の範囲のpHを有し、かつα−アルミナおよびγ−アルミナから製造された研磨粒子を含有する。安定な平衡pH値に達する時間は、研磨剤におけるα−アルミナおよびγ−アルミナの重量%の関数であることが見出されている。したがって、研磨剤のα−アルミナおよびγ−アルミナを含有する研磨組成物中で、pHの安定性は、10Mまでのモル濃度でアルミニウムイオンを添加することによって確実となる。実施形態において、溶解したアルミニウム(III)イオンを初期濃度1Mで提供して、安定なpH値約2を有する研磨組成物が得られる。特定のpHでの溶解アルミニウムイオンのモル濃度は、図1に示す様々なpH値でのアルミナの溶解度ダイアグラムから決定する。図1は、Aluminum Section of the Atlas of Electrochemical Equilibria, Marcel Pourbaix(1966年)の図4から得られる。他の実施形態では、クエン酸などの有機酸を2Mまでの濃度で添加して、安定なpHを有する研磨組成物が得られる。本明細書中で定義される安定なpHとは、0.5pH単位未満で変動するpH値である。
【0025】
本明細書に記述するように、様々な物理的、化学的および機械的パラメーターによって、研磨した基板表面の品質が調節される。研磨圧力または押付け力によって、研磨速度が調節される。押付け力が高いと、その結果研磨速度が速くなり、押付け力が低いと、研磨粒子によって、基板表面が高い押付け力値の場合と同程度にスクラッチされるわけではないため、より良い品質の研磨表面が得られる。約0.7kPa〜約70kPaの範囲の押付け力値をCMPの際に用いる。CMPでは、研磨する基板(ガラスディスクまたは半導体ウエハ)を、研磨装置のキャリヤまたは研磨ヘッド上に取り付ける。半導体基板の露出面を回転研磨パッドに対して設置する。半導体デバイスと接触する研磨パッドの研磨層の表面を、研磨層と呼ぶ。研磨パッドは、本明細書中で非固定砥粒パッド(研磨層中に研磨剤を含有しない)または固定砥粒パッド(研磨層中に研磨剤を含有する)とも呼ばれる公知のパッドであることが可能である。キャリヤヘッドは、基板に制御可能な圧力(または押付け力)を加えて、研磨パッドに対してそれを押す。次いで、研磨粒子を含有する、または含有しない研磨組成物をウエハと研磨パッドの境界面に分配して、目的の層(例えば、金属CMPプロセスにおける金属)の除去を高める。研磨組成物は通常、水性であり、研磨パッドの研磨層の組成に応じて研磨粒子が存在することが必要とされる、または必要とされない場合がある。反応性液体とも呼ばれる研磨剤を含有しない研磨液は通常、固定砥粒パッドと共に使用し、研磨粒子を含有する研磨液は通常、非固定砥粒パッドと共に使用する。銅などの軟質金属の相互接続を研磨する場合、研磨液は、研磨粒子を3重量%まで含有することが可能である。半導体のCMP研磨で使用される通常の研磨粒子は、アルミナ、酸化セリウム、シリカ、チタニア、ゲルマニア、ダイアモンド、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、またはそれらの組み合わせである。本発明の研磨組成物は、研磨組成物に対して約0.5重量%〜55重量%で研磨粒子を含有する。
【0026】
研磨パッドに対して基板を水平方向に運動させることによって、研磨を行う。その運動は、直線運動または円運動またはそれらの組み合わせである。研磨パッド表面は、研磨装置に取り付けられた、ミクロテクスチャーを形成する機械的手段により、パッドの研磨使用時に再生される初期ミクロテクスチャーを有する。その機械的手段は通常、Abrasive Technology社により販売されている100グリットコンディショニングディスクである。ミクロテクスチャー再コンディショニング段階は、研磨工程中に間隔をおいて行うことが好ましく、パッドに対して基板を供給する段階中、またはさらに好ましくは基板をパッドから取り外す合間に行う。パッド表面を再コンディショニング(ミクロテクスチャーを再生する)する手段を備えた適切な研磨装置が、米国特許第5,990,010号に開示されている。基板が所望の程度の平坦度を達成し、金属層が完全に除去されたら、研磨を終了する。使用することが可能な研磨パッドの例としては、独立気泡構造を有するウレタン製研磨パッドが挙げられる。
【0027】
実施例1
この実施例では、研磨組成物にチオ硫酸塩イオンを添加することによって、白金除去の選択度が著しく向上することを説明する。Strasbaugh 6DS−SP研磨機械にRodel社(米国、デラウェア州ニューアークを拠点とする)から市販のIC1000−XY溝研磨パッドを用いて、白金およびTEOSから得られた二酸化ケイ素でコーティングされた200mmウエハで研磨実験を行った。IC1000−XY溝研磨パッドを、サブパッドとしてのSUBA IV研磨パッドと共に使用した。SUBA IV研磨パッドもまたRodel社から市販されている。
研磨を以下の条件下で行った。
研磨押付け力:4psi
定盤速度:80rpm
キャリヤ速度:60rpm
背圧:0psi
スラリー流量:200ml/分
研磨時間:60秒。
【0028】
Abrasive Technology社から市販のタイプの4インチ、100グリットダイアモンドコンディショナーディスクの2つのスウィープ(sweep)を用いて、脱イオン水で常にフラッシングしながら、IC1000−XY研磨パッドをコンディショニングした。コンディショニングサイクル中、50rpmの定盤速度を14lbsの押付け力と共に用いた。研磨したウエハをPolitexパッドおよび脱イオン水を用いてバフ磨きした。
【0029】
研磨組成物の様々な配合物を調製し、白金およびTEOSから得た二酸化ケイ素を有する200mmウエハを研磨するのに用いた。表1に、この実験での研磨ウエハ表面の白金除去率(RR)データおよび粗さの値を示す。研磨組成物の配合物はすべて、pH2を有した。さらに、配合物に対して約0.1重量%で塩酸を各配合物に添加した。20ミクロン×20ミクロン走査領域を用いたDigital Instruments Dimension 5000 Atomic Force Microsopeを使用して、粗さの値を測定した。
【0030】
【表2】
【0031】
表1のデータにより示されているように、一定の研磨剤濃度では、白金除去率が、チオ硫酸塩イオンを添加することによって増大している。さらに、チオ硫酸塩イオンの一定濃度に対してアルミナの重量%が増大すると、白金の除去率が増大する。一定の研磨剤濃度では、クエン酸を添加することによって、酸化物の割合が減少するため、白金除去の選択度が向上する。
【0032】
実施例2
白金およびTEOSから得た二酸化ケイ素でコーティングした200mmウエハを、Westech 372U研磨機械(IPEC/SPEEDFAMから入手可能)を用いて研磨した。押付け力を4psiに変更したことを除いては、条件はすべて、実施例1と同一である。研磨組成物の様々な配合物を調製し、200mmウエハを研磨するのに使用した。表2に、研磨したウエハ表面の白金除去率データおよび粗さの値を示す。研磨組成物の配合物はすべて、pH2を有した。表面粗さの値は、20ミクロン×20ミクロン走査領域を用いたDigital Instruments Dimension 5000 Atomic Force Microsopeを使用して測定した。
【0033】
【表3】
【0034】
表2から分かるように、所定の粒径に関して、高い重量%のアルミナを添加することによって、白金除去の選択度が向上した。
【0035】
実施例3
この実施例では、アルミニウムイオンおよび/またはクエン酸などの有機酸を添加することによる、安定なpH値の達成を説明する。塩化アルミニウム、クエン酸アルミニウムおよび/または硝酸アルミニウムなどの可溶性アルミニウム塩を用いて、アルミニウムイオンを得ることができる。塩化アルミニウムをこの実施例で使用した。以下の表に、異なる重量%のα−アルミナを有する研磨剤を含有する研磨組成物の配合物について、約3.7〜4の範囲の安定なpH(平衡)値に達する時間を示す。研磨組成物の各配合物の初期pHは2.0であり、全研磨剤濃度を30重量%で一定に維持した。
【0036】
【表4】
【0037】
溶液中に存在するアルミニウム(III)(Al3 +)イオンが一定の溶解濃度である場合には、安定なpHが得られる。一定の溶解アルミニウム(III)濃度は、アルミナ水和物の溶解度に基づく特定のpH値に対する平衡濃度に相当する。特定のpHに対する平衡Al(III)イオン濃度は、図1などの溶解度ダイアグラムから得られる。図1に示すように、約3.7〜4の範囲の最終pH値は、溶解アルミニウム濃度0.001Mに相当する。γ−アルミナはα−アルミナよりも速く溶解し、したがって、安定なpH値に達する時間は、研磨組成物中の研磨剤が、γ−アルミナのみを含有する場合にはかなり短い。それと対照的に、研磨剤が主にα−アルミナを含有する場合には平衡に達する時間はかなり長い。溶液中の初期の一定の溶解アルミニウム(III)濃度を得ることによって、即時に安定なpH値を有する研磨組成物が得られる。
【0038】
クエン酸などの有機酸を添加することによって、アルミナスラリーのpHも安定化される。溶液中の溶解アルミニウム(III)濃度が、所定のpH値に相当する平衡値になるまで、アルミナ粒子は溶解する。その溶解反応により、以下の反応、Al2O3+3H2O=2Al3 ++6OH−
に従って、ヒドロキシルイオンの放出を生じる。
【0039】
クエン酸が、研磨組成物中に適切な量で存在する場合、クエン酸は、アルミニウム(III)イオンと錯化する。この錯化反応の結果、水素イオンが放出され、上記の溶解プロセスにより放出されたヒドロキシルイオンが中和され、その結果安定なpHが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
固体アルミナの溶解度ダイヤグラムである。
本発明は、半導体基板を研磨するための研磨組成物またはスラリーに関する。白金−硫黄化合物を形成することによって、ドライエッチング速度を向上させる白金のドライエッチングに、硫黄含有ガスを使用できることは、1996年2月20日発行のMatsumoto他による米国特許第5,492,855号から公知である。
【0002】
本発明によれば、配位子含有化合物が、貴金属層と、バリヤ層と、誘電性層とを有する半導体基板の化学機械研磨に使用する水性研磨組成物中に存在する。その配位子含有化合物中に存在する配位子は、貴金属と錯体を形成し、その錯体は、約5〜約100の範囲の安定度定数を有する。
【0003】
ここで、添付の図面を参照して、本発明の実施形態を実施例により説明する。
【0004】
公知の化学機械研磨(CMP)技術は最初に、誘電性フィルム(つまり、SiO2)の研磨に適用されたが、以来CMPは、集積回路の相互接続に通常使用される、タングステン、銅およびアルミニウムなどの金属を研磨することに適用されてきた。それと比較して、貴金属に用いられるCMPは、あまり開発されていない。ギガビットDRAM(動的ランダムアクセス記憶装置)およびFeRAM(強誘電性ランダムアクセス記憶装置)における電極およびバリヤ材料として、貴金属が使用されて以来、半導体における貴金属の使用は、さらに関心を集めている。大部分の金属構造は、3種の異なるフィルムまたは層、すなわち、導電性金属層(例えば、銅、タングステンまたは白金)と、導電性金属層とその隣接する誘電性層との間のバリヤ層またはライナー層(例えば、チタンまたはタンタル合金)と、誘電性層(例えば、テトラエチルオルトシリケートから誘導された酸化ケイ素または二酸化ケイ素)とを含む。集積回路は、シリコンから作製されたウエハ上に材料(金属、バリヤおよび誘電性層)の連続層を堆積することによって構成される。各層を堆積した後、その層をエッチングして、集積回路の素子としての役割を果たす、半導体基板上の回路機能を作製する。デバイス回路におけるラインおよび機能の小型化が原因で、正確な焦点深度を達成し、かつ非平坦な表面に伴うダイ内部およびダイ対ダイの影響を補うであろう最適化されたフォトリソグラフィ法を確立することは非常に困難である。さらに、一連の層を連続して堆積し、エッチングするため、基板の最も外側の層がますます非平坦となる。ウエハの表面が非平坦であると、その結果、次の回路の層に欠陥を生じ、回路に欠陥が生じる。したがって、連続層のそれぞれに平坦な表面を有することが望ましい。
【0005】
集積回路の配線を提供する多層金属構造用の相互接続ラインおよびビアを形成するのに、「ダマシン」法が用いられる。ダマシン技術は、平坦な誘電性(絶縁体)層のトレンチをエッチングすることと、アルミニウム、銅、またはタングステンなどの金属でトレンチを充填することを含む。「デュアルダマシン」と呼ばれる技術では、ダマシン構造が充填されるため、より低いレベルまで接触を付与する、エッチングされたビアが提供される。銅を充填として使用する場合には、通常、誘電性層への銅イオンの移動を防ぐために、他の材料の層を最初に堆積して、トレンチおよびビアを配線する。この移動バリヤまたはバリヤ層は通常、タンタル、窒化タンタル、チタンおよび/または窒化チタンを含有する。移動バリヤに加えて、相互接続金属および/または他の金属の導電性シード層が適用され、無電解めっきまたは電解めっきに対する良好な部分としての役割を果たす。更なる詳細は、「Making the Move to Dual Damascene Processing」, Semiconductor International, 1997年8月に記載されている。
【0006】
集積回路におけるコンデンサは、ポリシリコンおよびポリシリコン構造に接合された金属から製造される。集積回路は通常、基礎誘電体と、それらの間に誘電体を有する第1(底部)電極および第2(上部)電極とを有する。その上部電極および底部電極に、貴金属またはその合金を使用する。実施形態では、集積回路におけるコンデンサは、実質的に平坦であることが可能である。さらに、集積回路におけるコンデンサの構造の詳細は、米国特許第6,040,0616号に記載されている。一実施形態において、本発明の研磨組成物は、集積回路における平坦なコンデンサまたは埋込みバリヤ構造を有するコンデンサを製造するためのCMPでの用途が見出される。
【0007】
通常のCMP法では、例えば、全平坦化段階が、研磨段階の一段階で行われる場合には、金属層およびバリヤ層の材料の除去率が高く、誘電性層の除去率が低いことが望ましいだろう。金属除去率と誘電体除去率との比は、金属選択比と呼ばれる。CMP法を金属除去に有効にするために、この比を可能な限り高く維持することが望ましい。本発明による研磨組成物によって、10オングストローム未満の二乗平均表面粗さ、すなわちRMS値および最小の欠陥を有する、実質的に平坦な研磨表面が得られる。表面粗さを特徴づけるために、単一の数値(「RMS」数)を使用することは一般的である。RMSは、基板表面形態の平均幅/高さから得た、研磨基板表面の二乗平均偏差である。
【0008】
本発明は、貴金属(例えば、白金)および/または貴金属合金を含有する半導体基板を研磨するための研磨組成物またはスラリーに関し、集積回路の製造において、関連するバリヤ層(例えば、タンタル、窒化タンタル、チタンおよび/または窒化チタン)、および関連する誘電性層(例えば、熱酸化物またはテトラエチルオルトシリケート(TEOS)から誘導された二酸化ケイ素)を半導体基板上にフィルムまたは層として提供する。貴金属を含有する表面を研磨する方法もまた提供する。本明細書中で意味する貴金属には、白金族元素(イリジウム、パラジウム、白金、オスミウム、ロジウム、およびルテニウム)、銀、金、酸化物および/またはその合金が含まれる。本明細書中で意味する研磨組成物には、研磨剤を含有しない研磨組成物と研磨剤を含有する研磨組成物であるスラリーとが含まれる。一実施形態では、本発明を、貴金属相互接続を有する半導体デバイスの製造に適用する。他の実施形態では、本発明を、集積回路におけるコンデンサの製造に適用する。
【0009】
実施形態において、研磨組成物は、懸濁液中で研磨粒子を保持するための分散剤など、他の添加剤と共に研磨粒子(例えば、アルミナまたは酸化セリウム)を有する実質的な脱イオン水と、目的の金属層(例えば、白金)を除去する高い選択度を達成する研磨組成物の活性を高めるためのpH安定剤(緩衝液)及び他の化学物質とを含有する。詳細な実施形態では、研磨組成物は、水溶性有機添加剤を研磨組成物に対して約10重量%まで;サブミクロンサイズの研磨粒子を研磨組成物に対して約0.5重量%〜約55重量%;配位子含有化合物を研磨組成物に対して約0.1重量%〜50重量%;含有し、その配位子は、貴金属との錯体を形成し、前記錯体は、約5〜約100の範囲の安定度定数を有する。その水溶性有機添加剤は、ヒドロキシ、カルボキシ、チオール、メルカプト、アミノ等の部分を含有し、それを使用して、研磨組成物の粘性を改変し;および/または研磨組成物中の研磨粒子を分散し;および/またはpH緩衝液として作用させることによって、研磨組成物のpHを安定化する。カルボキシ部分を含有する水溶性有機添加剤の例には、フタル酸水素アンモニウムおよびフタル酸カリウムが含まれる。ポリビニルピロリドンなどの有機化合物を使用して、本発明の研磨組成物の粘性を改変する。
【0010】
研磨粒子は、必要とされる摩耗の程度に応じて、研磨組成物に対して0.5重量%〜55重量%含有される。研磨粒子は、平均粒径範囲25〜500nmを有する一次粒子、あるいは一次粒子と、500nmまでの平均凝集体サイズを有する凝集した小さな粒子との混合物(一次粒子の粒径範囲5〜100nm)であることが可能である。実施形態では、研磨組成物は、平均粒径範囲5〜100nmの研磨粒子を有し、その研磨粒子は、硬さ約4モース〜約10モースを有する材料から製造される。その硬さを保持しながら、研磨粒子および凝集体をカプセル化することが可能であり、その結果研磨基板は、スクラッチおよび欠陥を極めてわずかしか有しない。
【0011】
研磨組成物中の研磨粒子には、限定されないが、アルミナ、酸化セリウム、ゲルマニア(germania)、シリカ、チタニア、ジルコニア、ダイヤモンド、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、またはそれらの組み合わせが含まれる。一実施形態では、研磨組成物は、α−アルミナを約99%含有する。アルミナは、α−アルミナ、γ−アルミナおよびδ−アルミナとして市販されている。これらの相は、アルミナ水和物の脱水シーケンスにおける様々な段階から生じる。α−アルミナは、γ−アルミナよりも硬く、タングステンおよび白金などの硬い基板を除去するのに好ましい。アルミナの硬さは、α−アルミナの重量%に依存する。したがって、様々な重量%のα−アルミナを有するアルミナを使用することによって、基板の表面仕上が制御される。スラリーにおけるα−アルミナの使用についての更なる詳細は、米国特許第5,693,239号に記載されている。
【0012】
実施形態において、研磨組成物は、表面積約50〜400m2/gおよび500nm未満の平均凝集体サイズを有する研磨粒子を含有する。例えば、アルミナの密度が3.96gm/ccであると仮定すると、直径1nmの球形粒子に相当する理論上の表面積は約1,500m2/gmであり;直径10nmの球形粒子に相当する理論上の表面積は約150m2/gmであり;直径500nmの球形粒子に相当する理論上の表面積は約3m2/gmである。研磨粒子の実際の表面積は、一般にBET測定と呼ばれる、S. Brunauer, P. H. EmmetおよびI. Teller, J. Am. Chemical Society, Volume 60, p.309(1938)の窒素吸着法により測定することができる。研磨粒子の実際の表面積は、研磨粒径分布(モノモード(monomodal)であろうと、バイモード(bimodal)であろうと)と研磨粒子多孔度の関数である。研磨粒径分布は、モノモードまたはバイモードであることが可能である。ユニモード(モノモードとも呼ばれる)粒径分布は、比較的均一な粒径の粒子を有するが、バイモード集団は、粒径により2つの異なる集団にグループ分けされる粒子を含有する。平均粒子直径は通常、市販の研磨材料の粒径として報告する。
【0013】
研磨組成物の粒子は分散させるべきであり、沈殿または凝集させないほうがよい。しかしながら、一次粒子および凝集粒子のパーセンテージによって、研磨組成物中のかかる粒子が沈殿する場合があり、混合などの機械的手段によって、再分散する必要がある。再分散するために、高剪断混合を用いる。
【0014】
有機化合物を分散剤として使用する。分散剤は、研磨後の洗浄の際に、研磨組成物中の研磨粒子が基板表面に付着する傾向を低減する。沈殿、フロキュレーションおよび凝集に対して、さらにスラリーを安定化するために、界面活性剤、ポリマー安定剤、もしくは他の界面活性分散剤など他の様々な添加剤もまた使用する。通常の界面活性剤の多くの例は、McCutcheon’s Emulsifiers and Detergents, North American and International Edition (McCutcheon Division, The MC Publishing Co (2000年4月)に記載されている。界面活性剤または分散剤を、研磨粒子の立体的安定化を達成する量で研磨組成物に添加する。
【0015】
安定な研磨組成物は、ゼータ電位が+20ミリボルトを超えるか、または−20ミリボルト未満の組成物である。ゼータ電位は、液体中で測定される、電気2重層の範囲を超える液体の剪断面とバルクとの間の電位差である。研磨組成物のゼータ電位は、pH、存在する研磨剤(金属酸化物)の種類および界面活性剤、塩等の存在に依存する。pHが高くなるのに伴って、表面電荷は、最大値に達するまで、等電点から離れて負または正に増大する。等電点は、ゼータ電位が0であるpHとして定義される。ゼータ電位は、電気泳動および電気音響分光法(電界と音場との相互作用)などのいくつかの標準技術によって測定される。音場をかけて、コロイド振動電位(CVP)と呼ばれる、得られた電界を測定することが可能である。あるいは逆に、電界をかけて、電子音波振幅(ESA)と呼ばれる、得られた音場を測定することができる。通常のゼータ電位測定器具は、Mount Kiso 社Dispersion Technology(ケンタッキー州)製造の音響および電気音響分光計、モデルDT−1200と同様である。
【0016】
研磨組成物の実施形態における硫黄含有化合物は、研磨される基板に存在する貴金属の除去を高める。例として、向上した除去メカニズムは、基板表面の貴金属層上へ硫黄含有化合物を吸着し、続いて、研磨パッドに対する基板表面の反復運動および摩擦により補助され、さらに研磨組成物中の研磨剤により補助される機械的除去を行うことを含む。基板表面と、それを取り囲む研磨組成物との境界面では、表面の貴金属原子は、電子不足である空の「d」または「s」軌道を有し、そのため、ルイス塩基として作用する、またはルイス塩基部分を含有する化合物と錯化する。安定度定数は、キレート化錯体を形成する金属カチオンと配位子(ルイス塩基またはルイス塩基部分)との間の平衡反応を意味する。
【0017】
いくつかの金属の例示的な配位子およびそれに対応する安定度定数を以下の表に示す。
【0018】
【表1】
【0019】
貴金属(例えば:白金)とチオ硫酸塩の安定度定数が高いことによって、基板表面からの貴金属の溶解率が向上し、それによって、CMPの際に貴金属除去率が高まる。
【0020】
硫黄を含有する無機および/もしくは有機化合物またはその両方の化合物のいずれかを、研磨組成物の実施形態で使用して、基板に存在する貴金属の除去を高める。一実施形態では、研磨組成物は、無機もしくは有機硫黄含有化合物を約0.1重量%〜約50重量%含有する。
【0021】
本発明の研磨組成物中に使用する「硫黄含有」有機化合物の例には、限定されないが、2−アミノエタンチオールなどのアミノアルカンチオール;t−ドデシルメルカプタンなどのアルキルメルカプタン、およびC10〜C11第3級メルカプタンの混合物;エチレングリコールビス(チオグリコレート)、エチレングリコールビス(メルカプトプロピオネート)、トリメチロールプロパントリス(チオグリコレート)、トリメチロールプロパントリス(メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(チオグリコレート)などのポリオールのメルカプトカルボン酸エステル;チオグリコール酸、β−メルカプトアラニン、2−メルカプト安息香酸、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアジルジスルフィド、メルカプトエタノール、β−メルカプトエチルアミンヒドロクロリド、N−(2−メルカプトエチル)ベンゼンスルホンアミド、2−メルカプト−4−ヒドロキシピリミジン、2−メルカプトイミダゾリン、メルカプトメリンナトリウム、β−メルカプトプロピオン酸、6−メルカプトプリン、メルカプトコハク酸、および2−メルカプトチアゾリン;硫化ジフェニルなどの芳香族スルフィド;およびジフェニルスルホキシド等の芳香族スルホキシドが含まれる。
【0022】
研磨組成物の実施形態における「硫黄含有」無機化合物の例には、チオ硫酸、二亜硫酸、ポリチオン酸、ペルオキソ二硫酸などの酸の金属塩およびそれらの組み合わせが含まれる。
【0023】
研磨組成物の実施形態において、有機添加剤を、研磨組成物の重量に対して約10重量%まで使用する。有機添加剤は、研磨粒子に対してカプセル化手段、懸濁手段として作用して、硬い研磨粒子に関連するスクラッチングを最小限に抑え、かつ基板表面の全体的な均一性を向上させる。または、有機添加剤は、研磨プロセスの際に目的の金属層上に吸着されることによって、ならびに誘電性層および関連するバリヤ層を保護することによって、研磨される半導体基板の表面品質を高める。有機添加剤の他の使用は、pH緩衝液として作用し、研磨組成物のpHを安定させることである。例示的な有機添加剤は、ヒドロキシ、カルボキシ、チオール、メルカプト、アミノ基を含有し、フタレート、例えばフタル酸水素アンモニウムおよびフタル酸カリウムなどの化合物が含まれる。さらに、カルボキシ部分を有する例示的な有機添加剤には、カルボキシレート、ヒドロキシ、スルホンおよびホスホン基を有する有機酸が含まれる。有機酸の例としては、クエン酸、乳酸、リンゴ酸および酒石酸が挙げられる。誘電性層の除去率を抑制する酸性種の使用は、参照により本明細書に援用される、米国特許第5,476,606号に詳細に記載されている。
【0024】
均一な除去率は、研磨組成物のpHの関数である。したがって、安定なpHを有する研磨組成物が望ましい。実施形態において、研磨組成物は、約1.5〜5の範囲のpHを有し、かつα−アルミナおよびγ−アルミナから製造された研磨粒子を含有する。安定な平衡pH値に達する時間は、研磨剤におけるα−アルミナおよびγ−アルミナの重量%の関数であることが見出されている。したがって、研磨剤のα−アルミナおよびγ−アルミナを含有する研磨組成物中で、pHの安定性は、10Mまでのモル濃度でアルミニウムイオンを添加することによって確実となる。実施形態において、溶解したアルミニウム(III)イオンを初期濃度1Mで提供して、安定なpH値約2を有する研磨組成物が得られる。特定のpHでの溶解アルミニウムイオンのモル濃度は、図1に示す様々なpH値でのアルミナの溶解度ダイアグラムから決定する。図1は、Aluminum Section of the Atlas of Electrochemical Equilibria, Marcel Pourbaix(1966年)の図4から得られる。他の実施形態では、クエン酸などの有機酸を2Mまでの濃度で添加して、安定なpHを有する研磨組成物が得られる。本明細書中で定義される安定なpHとは、0.5pH単位未満で変動するpH値である。
【0025】
本明細書に記述するように、様々な物理的、化学的および機械的パラメーターによって、研磨した基板表面の品質が調節される。研磨圧力または押付け力によって、研磨速度が調節される。押付け力が高いと、その結果研磨速度が速くなり、押付け力が低いと、研磨粒子によって、基板表面が高い押付け力値の場合と同程度にスクラッチされるわけではないため、より良い品質の研磨表面が得られる。約0.7kPa〜約70kPaの範囲の押付け力値をCMPの際に用いる。CMPでは、研磨する基板(ガラスディスクまたは半導体ウエハ)を、研磨装置のキャリヤまたは研磨ヘッド上に取り付ける。半導体基板の露出面を回転研磨パッドに対して設置する。半導体デバイスと接触する研磨パッドの研磨層の表面を、研磨層と呼ぶ。研磨パッドは、本明細書中で非固定砥粒パッド(研磨層中に研磨剤を含有しない)または固定砥粒パッド(研磨層中に研磨剤を含有する)とも呼ばれる公知のパッドであることが可能である。キャリヤヘッドは、基板に制御可能な圧力(または押付け力)を加えて、研磨パッドに対してそれを押す。次いで、研磨粒子を含有する、または含有しない研磨組成物をウエハと研磨パッドの境界面に分配して、目的の層(例えば、金属CMPプロセスにおける金属)の除去を高める。研磨組成物は通常、水性であり、研磨パッドの研磨層の組成に応じて研磨粒子が存在することが必要とされる、または必要とされない場合がある。反応性液体とも呼ばれる研磨剤を含有しない研磨液は通常、固定砥粒パッドと共に使用し、研磨粒子を含有する研磨液は通常、非固定砥粒パッドと共に使用する。銅などの軟質金属の相互接続を研磨する場合、研磨液は、研磨粒子を3重量%まで含有することが可能である。半導体のCMP研磨で使用される通常の研磨粒子は、アルミナ、酸化セリウム、シリカ、チタニア、ゲルマニア、ダイアモンド、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、またはそれらの組み合わせである。本発明の研磨組成物は、研磨組成物に対して約0.5重量%〜55重量%で研磨粒子を含有する。
【0026】
研磨パッドに対して基板を水平方向に運動させることによって、研磨を行う。その運動は、直線運動または円運動またはそれらの組み合わせである。研磨パッド表面は、研磨装置に取り付けられた、ミクロテクスチャーを形成する機械的手段により、パッドの研磨使用時に再生される初期ミクロテクスチャーを有する。その機械的手段は通常、Abrasive Technology社により販売されている100グリットコンディショニングディスクである。ミクロテクスチャー再コンディショニング段階は、研磨工程中に間隔をおいて行うことが好ましく、パッドに対して基板を供給する段階中、またはさらに好ましくは基板をパッドから取り外す合間に行う。パッド表面を再コンディショニング(ミクロテクスチャーを再生する)する手段を備えた適切な研磨装置が、米国特許第5,990,010号に開示されている。基板が所望の程度の平坦度を達成し、金属層が完全に除去されたら、研磨を終了する。使用することが可能な研磨パッドの例としては、独立気泡構造を有するウレタン製研磨パッドが挙げられる。
【0027】
実施例1
この実施例では、研磨組成物にチオ硫酸塩イオンを添加することによって、白金除去の選択度が著しく向上することを説明する。Strasbaugh 6DS−SP研磨機械にRodel社(米国、デラウェア州ニューアークを拠点とする)から市販のIC1000−XY溝研磨パッドを用いて、白金およびTEOSから得られた二酸化ケイ素でコーティングされた200mmウエハで研磨実験を行った。IC1000−XY溝研磨パッドを、サブパッドとしてのSUBA IV研磨パッドと共に使用した。SUBA IV研磨パッドもまたRodel社から市販されている。
研磨を以下の条件下で行った。
研磨押付け力:4psi
定盤速度:80rpm
キャリヤ速度:60rpm
背圧:0psi
スラリー流量:200ml/分
研磨時間:60秒。
【0028】
Abrasive Technology社から市販のタイプの4インチ、100グリットダイアモンドコンディショナーディスクの2つのスウィープ(sweep)を用いて、脱イオン水で常にフラッシングしながら、IC1000−XY研磨パッドをコンディショニングした。コンディショニングサイクル中、50rpmの定盤速度を14lbsの押付け力と共に用いた。研磨したウエハをPolitexパッドおよび脱イオン水を用いてバフ磨きした。
【0029】
研磨組成物の様々な配合物を調製し、白金およびTEOSから得た二酸化ケイ素を有する200mmウエハを研磨するのに用いた。表1に、この実験での研磨ウエハ表面の白金除去率(RR)データおよび粗さの値を示す。研磨組成物の配合物はすべて、pH2を有した。さらに、配合物に対して約0.1重量%で塩酸を各配合物に添加した。20ミクロン×20ミクロン走査領域を用いたDigital Instruments Dimension 5000 Atomic Force Microsopeを使用して、粗さの値を測定した。
【0030】
【表2】
【0031】
表1のデータにより示されているように、一定の研磨剤濃度では、白金除去率が、チオ硫酸塩イオンを添加することによって増大している。さらに、チオ硫酸塩イオンの一定濃度に対してアルミナの重量%が増大すると、白金の除去率が増大する。一定の研磨剤濃度では、クエン酸を添加することによって、酸化物の割合が減少するため、白金除去の選択度が向上する。
【0032】
実施例2
白金およびTEOSから得た二酸化ケイ素でコーティングした200mmウエハを、Westech 372U研磨機械(IPEC/SPEEDFAMから入手可能)を用いて研磨した。押付け力を4psiに変更したことを除いては、条件はすべて、実施例1と同一である。研磨組成物の様々な配合物を調製し、200mmウエハを研磨するのに使用した。表2に、研磨したウエハ表面の白金除去率データおよび粗さの値を示す。研磨組成物の配合物はすべて、pH2を有した。表面粗さの値は、20ミクロン×20ミクロン走査領域を用いたDigital Instruments Dimension 5000 Atomic Force Microsopeを使用して測定した。
【0033】
【表3】
【0034】
表2から分かるように、所定の粒径に関して、高い重量%のアルミナを添加することによって、白金除去の選択度が向上した。
【0035】
実施例3
この実施例では、アルミニウムイオンおよび/またはクエン酸などの有機酸を添加することによる、安定なpH値の達成を説明する。塩化アルミニウム、クエン酸アルミニウムおよび/または硝酸アルミニウムなどの可溶性アルミニウム塩を用いて、アルミニウムイオンを得ることができる。塩化アルミニウムをこの実施例で使用した。以下の表に、異なる重量%のα−アルミナを有する研磨剤を含有する研磨組成物の配合物について、約3.7〜4の範囲の安定なpH(平衡)値に達する時間を示す。研磨組成物の各配合物の初期pHは2.0であり、全研磨剤濃度を30重量%で一定に維持した。
【0036】
【表4】
【0037】
溶液中に存在するアルミニウム(III)(Al3 +)イオンが一定の溶解濃度である場合には、安定なpHが得られる。一定の溶解アルミニウム(III)濃度は、アルミナ水和物の溶解度に基づく特定のpH値に対する平衡濃度に相当する。特定のpHに対する平衡Al(III)イオン濃度は、図1などの溶解度ダイアグラムから得られる。図1に示すように、約3.7〜4の範囲の最終pH値は、溶解アルミニウム濃度0.001Mに相当する。γ−アルミナはα−アルミナよりも速く溶解し、したがって、安定なpH値に達する時間は、研磨組成物中の研磨剤が、γ−アルミナのみを含有する場合にはかなり短い。それと対照的に、研磨剤が主にα−アルミナを含有する場合には平衡に達する時間はかなり長い。溶液中の初期の一定の溶解アルミニウム(III)濃度を得ることによって、即時に安定なpH値を有する研磨組成物が得られる。
【0038】
クエン酸などの有機酸を添加することによって、アルミナスラリーのpHも安定化される。溶液中の溶解アルミニウム(III)濃度が、所定のpH値に相当する平衡値になるまで、アルミナ粒子は溶解する。その溶解反応により、以下の反応、Al2O3+3H2O=2Al3 ++6OH−
に従って、ヒドロキシルイオンの放出を生じる。
【0039】
クエン酸が、研磨組成物中に適切な量で存在する場合、クエン酸は、アルミニウム(III)イオンと錯化する。この錯化反応の結果、水素イオンが放出され、上記の溶解プロセスにより放出されたヒドロキシルイオンが中和され、その結果安定なpHが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
固体アルミナの溶解度ダイヤグラムである。
Claims (10)
- 貴金属層と、バリヤ層と、誘電性層とを有する半導体基板の化学機械研磨に用いる水性組成物であって、
配位子含有化合物が前記研磨組成物に対して約0.1重量%〜約50重量%であり、前記配位子が前記貴金属との安定度定数を約5〜約100の範囲で有することを特徴とする、水性組成物。 - 前記配位子含有化合物が、硫黄含有無機化合物または硫黄含有有機化合物である、請求項2に記載の組成物。
- 前記硫黄含有有機化合物が、芳香族スルフィド、芳香族スルホキシド、アミノアルキルチオール、アルキルメルカプタン、メルカプトカルボン酸エステル、チオグリコール酸、メルカプトアラニン、メルカプト芳香族酸、メルカプト芳香族チアゾール、メルカプト芳香族チアジルジスルフィド、メルカプトアルカノール、メルカプトアルキルアミンヒドロクロリド、メルカプトアルキル芳香族スルホンアミド、メルカプトプロピオン酸、およびメルカプトコハク酸からなる群から選択される硫黄含有有機化合物である、請求項3に記載の組成物。
- 前記硫黄含有無機化合物が、チオ硫酸、二亜硫酸、ポリチオン酸、ペルオキソ二硫酸、およびそれらの混合物からなる群から選択される酸の金属塩である、請求項3に記載の組成物。
- 前記研磨剤がα−アルミナである、請求項4に記載の組成物。
- 前記有機化合物が、ジカルボン酸、トリカルボン酸およびヒドロキシ酸からなる群から選択される有機酸である、請求項5に記載の組成物。
- 前記トリカルボン酸がクエン酸であり、かつ前記水性組成物のpHが約1.5〜約5の範囲であり、安定なpH値が、約10Mまでのモル濃度でアルミニウム(III)イオンを添加することによって達成される、請求項6に記載の組成物。
- 貴金属回路を有する半導体基板の表面を研磨する方法であって、
i.研磨機械に前記基板を置き、前記基板を前記研磨機械のキャリヤに固定して取り付ける段階と、
ii.研磨表面を有する研磨層を有する研磨パッドを用意し、前記研磨機械の定盤に固定して取り付ける段階と、
iii.前記キャリヤに固定して取り付けられた前記基板と前記定盤に固定して取り付けられた前記研磨パッドとを接触させ、固定圧力または押付け力下で前記パッドおよび前記基板の間に相対運動を保つ段階と、
iv.前記基板と前記研磨パッドの研磨表面との境界面で前記研磨パッド上に水性研磨組成物を分配し、その結果、前記研磨パッドに対する前記基板の可動加圧接触によって、実質的に平坦化された基板表面を得る段階とを含み、前記研磨組成物が、請求項1に記載の研磨組成物である方法。 - 請求項5に記載の研磨組成物を用いて行われる、請求項8に記載の方法。
- 請求項7に記載の研磨組成物を用いて行われる、請求項8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17061299P | 1999-12-14 | 1999-12-14 | |
US17155399P | 1999-12-22 | 1999-12-22 | |
PCT/US2000/033527 WO2001044396A1 (en) | 1999-12-14 | 2000-12-11 | Polishing compositions for noble metals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004514266A true JP2004514266A (ja) | 2004-05-13 |
Family
ID=26866281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001545477A Pending JP2004514266A (ja) | 1999-12-14 | 2000-12-11 | 貴金属用研磨組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020111027A1 (ja) |
EP (1) | EP1252248A1 (ja) |
JP (1) | JP2004514266A (ja) |
KR (1) | KR100844032B1 (ja) |
TW (1) | TW555826B (ja) |
WO (1) | WO2001044396A1 (ja) |
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JP7493367B2 (ja) | 2020-03-27 | 2024-05-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法および半導体基板の製造方法 |
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EP1252248A1 (en) | 2002-10-30 |
WO2001044396A1 (en) | 2001-06-21 |
KR100844032B1 (ko) | 2008-07-04 |
US20020111027A1 (en) | 2002-08-15 |
TW555826B (en) | 2003-10-01 |
KR20020082837A (ko) | 2002-10-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110705 |