JP3490745B2 - 複合光導波路型光デバイス - Google Patents
複合光導波路型光デバイスInfo
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G01C19/64—Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams
- G01C19/72—Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams with counter-rotating light beams in a passive ring, e.g. fibre laser gyrometers
- G01C19/721—Details
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複合光導波路型光デバ
イスに関し、特に光ファイバジャイロや光伝送システム
に用いられる複合光導波路型光デバイスに関する。
イスに関し、特に光ファイバジャイロや光伝送システム
に用いられる複合光導波路型光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
の光ファイバジャイロ装置に用いられている光学系とし
ては、全て光ファイバを用いて構成した全光ファイバ方
式と、偏光器およびＹ分岐状光導波路を備えた光導波路
基板を用いる方式とがある。
の光ファイバジャイロ装置に用いられている光学系とし
ては、全て光ファイバを用いて構成した全光ファイバ方
式と、偏光器およびＹ分岐状光導波路を備えた光導波路
基板を用いる方式とがある。
【０００３】図１３は、この後者の方式において用いら
れる従来の光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デバ
イス２００を説明するための斜視図である。
れる従来の光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デバ
イス２００を説明するための斜視図である。
【０００４】この光ファイバジャイロ用複合光導波路型
光デバイス２００は、光導波路チップ１０と、光ファイ
バループ９０と、光ファイバカプラ６０６と、レーザー
ダイオード６１２とフォトダイオード６１４とを備えて
いる。
光デバイス２００は、光導波路チップ１０と、光ファイ
バループ９０と、光ファイバカプラ６０６と、レーザー
ダイオード６１２とフォトダイオード６１４とを備えて
いる。
【０００５】光導波路チップ１０は、ＬｉＮｂＯ3 基板
１２と、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の上面１４に設けられた
Ｙ分岐状光導波路１６と、位相変調器２４と、偏光子２
８とを備えている。Ｙ分岐状光導波路１６は、分岐前の
１本の光導波路１８と、分岐後の２本の光導波路２０、
２２とからなり、光導波路１８の端部は光ファイバカプ
ラ６０６を構成する光ファイバ６０２と接続されてい
る。光導波路２０および２２は、それぞれ光ファイバル
ープ９０の両端の光ファイバ９２および９４とそれぞれ
接続されている。光導波路２０の両側には、位相変調器
２４を構成するための電極２６が設けられている。
１２と、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の上面１４に設けられた
Ｙ分岐状光導波路１６と、位相変調器２４と、偏光子２
８とを備えている。Ｙ分岐状光導波路１６は、分岐前の
１本の光導波路１８と、分岐後の２本の光導波路２０、
２２とからなり、光導波路１８の端部は光ファイバカプ
ラ６０６を構成する光ファイバ６０２と接続されてい
る。光導波路２０および２２は、それぞれ光ファイバル
ープ９０の両端の光ファイバ９２および９４とそれぞれ
接続されている。光導波路２０の両側には、位相変調器
２４を構成するための電極２６が設けられている。
【０００６】このように、従来の光ファイバジャイロ用
複合光導波路型光デバイス２００においては、Ｙ分岐状
光導波路１６と、位相変調器２４と、偏光子２８とがＬ
ｉＮｂＯ3 基板１２上に集積された光導波路チップ１０
を用いているから、小型化が図られている。しかしなが
ら、光カプラ６０６は、２本の光ファイバ６０２、６０
４を融着して構成したものであるから、その長さを短く
することは困難である。さらに、光導波路チップ１０、
光カプラ６０６、レーザーダイオード６１２、フォトダ
イオード６１４は、図示のように、一方向に並置される
から、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デバイス
２００全体の長さも長いものとなってしまっていた。
複合光導波路型光デバイス２００においては、Ｙ分岐状
光導波路１６と、位相変調器２４と、偏光子２８とがＬ
ｉＮｂＯ3 基板１２上に集積された光導波路チップ１０
を用いているから、小型化が図られている。しかしなが
ら、光カプラ６０６は、２本の光ファイバ６０２、６０
４を融着して構成したものであるから、その長さを短く
することは困難である。さらに、光導波路チップ１０、
光カプラ６０６、レーザーダイオード６１２、フォトダ
イオード６１４は、図示のように、一方向に並置される
から、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デバイス
２００全体の長さも長いものとなってしまっていた。
【０００７】また、光を利用したＣＡＴＶやＢ−ＩＳＤ
Ｎを実現するための加入者系の普及には、光伝送システ
ムを構成するための経済的で小型の光部品の実現が必須
となる。そのために、従来の個別の光部品を集積化して
小型化、低コスト化する光導波路型光デバイスの開発が
盛んに行われている。光導波路が形成された光導波路基
板に、光導波路内を伝搬する光を分岐・結合する機能、
光導波路内を伝搬する光を変調する機能、および光導波
路内を伝搬する光を分波・合波する機能等の光を制御す
る機能を持たせるとともに、これらの諸機能を持つ光導
波路基板と発光素子および受光素子とを合体させた複合
デバイス（ハイブリッド）が提案されているが、未だ、
そのデバイスが大きい、その構造が複雑である、という
問題があった。
Ｎを実現するための加入者系の普及には、光伝送システ
ムを構成するための経済的で小型の光部品の実現が必須
となる。そのために、従来の個別の光部品を集積化して
小型化、低コスト化する光導波路型光デバイスの開発が
盛んに行われている。光導波路が形成された光導波路基
板に、光導波路内を伝搬する光を分岐・結合する機能、
光導波路内を伝搬する光を変調する機能、および光導波
路内を伝搬する光を分波・合波する機能等の光を制御す
る機能を持たせるとともに、これらの諸機能を持つ光導
波路基板と発光素子および受光素子とを合体させた複合
デバイス（ハイブリッド）が提案されているが、未だ、
そのデバイスが大きい、その構造が複雑である、という
問題があった。
【０００８】従って、本発明の目的は、小型化された複
合光導波路型光デバイスを提供することにある。
合光導波路型光デバイスを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光導波
路と前記光導波路の一端が露出する端面とを有する光導
波路基板であって、前記光導波路内を前記端面に向かっ
て伝搬する光の一部が前記端面において反射されて、反
射光として前記光導波路基板の外部に射出されるよう
に、前記端面が前記光導波路の光軸に対して斜めに設け
られた前記光導波路基板と、前記光導波路基板の外部に
射出される前記反射光を受光するように設けた受光素子
と、前記光導波路に光を供給する光供給手段と、前記光
供給手段と前記光導波路との間に設けられた光ファイバ
埋込導波路チップと、を備え、前記光ファイバ埋込導波
路チップが、上面にＶ溝が形成されたセラミックス基板
と、前記Ｖ溝に載設され、かつ、前記光供給手段から前
記光導波路に供給される前記光が内部を伝搬する光ファ
イバと、前記セラミックス基板とともに前記光ファイバ
を前記Ｖ溝に固定する石英製蓋とを有し、前記光導波路
の前記端面と、前記光ファイバ埋込導波路チップの端面
との間には、屈折率の異なる層が介挿されていることを
特徴とする複合光導波路型光デバイスが得られる。
路と前記光導波路の一端が露出する端面とを有する光導
波路基板であって、前記光導波路内を前記端面に向かっ
て伝搬する光の一部が前記端面において反射されて、反
射光として前記光導波路基板の外部に射出されるよう
に、前記端面が前記光導波路の光軸に対して斜めに設け
られた前記光導波路基板と、前記光導波路基板の外部に
射出される前記反射光を受光するように設けた受光素子
と、前記光導波路に光を供給する光供給手段と、前記光
供給手段と前記光導波路との間に設けられた光ファイバ
埋込導波路チップと、を備え、前記光ファイバ埋込導波
路チップが、上面にＶ溝が形成されたセラミックス基板
と、前記Ｖ溝に載設され、かつ、前記光供給手段から前
記光導波路に供給される前記光が内部を伝搬する光ファ
イバと、前記セラミックス基板とともに前記光ファイバ
を前記Ｖ溝に固定する石英製蓋とを有し、前記光導波路
の前記端面と、前記光ファイバ埋込導波路チップの端面
との間には、屈折率の異なる層が介挿されていることを
特徴とする複合光導波路型光デバイスが得られる。
【００１０】このように、本発明においては、光導波路
の一端が露出する光導波路基板の端面を光導波路の光軸
に対して斜めに設けて、光導波路内をこの端面に向かっ
て伝搬する光の一部がこの端面において反射されて光導
波路基板の外部に射出されるようにしているから、複合
光導波路型光デバイスの長さを、従来の２本のファイバ
を融着して構成した光カプラを用いたデバイスと比較し
て、短くできる。
の一端が露出する光導波路基板の端面を光導波路の光軸
に対して斜めに設けて、光導波路内をこの端面に向かっ
て伝搬する光の一部がこの端面において反射されて光導
波路基板の外部に射出されるようにしているから、複合
光導波路型光デバイスの長さを、従来の２本のファイバ
を融着して構成した光カプラを用いたデバイスと比較し
て、短くできる。
【００１１】また、受光素子も、斜めに設けられた端面
から反射する光を受光するように設けられるから、受光
素子は、光導波路基板の真横には配設されず、光導波路
基板の上方または下方に３次元的に配設されるようにな
り、複合光導波路型光デバイス全体の長さを短くでき
る。なお、このような構成とすれば、受光素子は光導波
路基板上に容易に載置可能である。
から反射する光を受光するように設けられるから、受光
素子は、光導波路基板の真横には配設されず、光導波路
基板の上方または下方に３次元的に配設されるようにな
り、複合光導波路型光デバイス全体の長さを短くでき
る。なお、このような構成とすれば、受光素子は光導波
路基板上に容易に載置可能である。
【００１２】なお、光導波路の一端が露出する斜めの端
面が、光導波路の光軸となす角度は、８０°以下である
ことが好ましい。８０°より大きいと、反射角が小さす
ぎて、反射端面と受光素子との距離が大きくなりすぎ、
光ビームの広がりも大きくなり、受光光量が少なくなり
すぎるからである。
面が、光導波路の光軸となす角度は、８０°以下である
ことが好ましい。８０°より大きいと、反射角が小さす
ぎて、反射端面と受光素子との距離が大きくなりすぎ、
光ビームの広がりも大きくなり、受光光量が少なくなり
すぎるからである。
【００１３】また、光導波路の一端が露出する斜めの端
面が、光導波路の光軸となす角度は、より好ましくは、
ブリュースタ角以下である。入射角がブリュースタ角か
ら臨界角の間では反射率が大きくできるからである。好
ましい反射率は４０〜６０％の範囲である。
面が、光導波路の光軸となす角度は、より好ましくは、
ブリュースタ角以下である。入射角がブリュースタ角か
ら臨界角の間では反射率が大きくできるからである。好
ましい反射率は４０〜６０％の範囲である。
【００１４】ただし、光導波路の一端が露出する斜めの
端面が、光導波路の光軸となす角度は、（９０°−臨界
角）以上である。
端面が、光導波路の光軸となす角度は、（９０°−臨界
角）以上である。
【００１５】また、光導波路内を伝搬する光の偏光状態
をＳ偏光とすることによっても反射率を大きくすること
ができる。好ましい反射率は４０〜６０％の範囲であ
る。
をＳ偏光とすることによっても反射率を大きくすること
ができる。好ましい反射率は４０〜６０％の範囲であ
る。
【００１６】前記光導波路基板が、前記光導波路内を伝
搬する光を分岐・結合する領域、前記光導波路内を伝搬
する光を変調する領域、前記光導波路内を伝搬する光を
分波・合波する領域、および前記光導波路内を伝搬する
光をアイソレーションする領域のうちの少なくとも一つ
の領域を有することが好ましい。さらに、必要に応じ
て、これらの領域を複数有し、さらに集積度を高めた構
成とすることも可能である。
搬する光を分岐・結合する領域、前記光導波路内を伝搬
する光を変調する領域、前記光導波路内を伝搬する光を
分波・合波する領域、および前記光導波路内を伝搬する
光をアイソレーションする領域のうちの少なくとも一つ
の領域を有することが好ましい。さらに、必要に応じ
て、これらの領域を複数有し、さらに集積度を高めた構
成とすることも可能である。
【００１７】また、前記端面に誘電体または金属からな
る膜をさらに設け、前記光導波路内を前記端面に向かっ
て伝搬する光の一部が、前記膜と前記端面との界面およ
び前記膜の前記端面と接している面とは反対側の面の少
なくとも一方において反射されて、前記光導波路基板の
外部に射出されるようにすることもできる。このように
することによって、反射率を大きくすることができる。
好ましい反射率は４０〜６０％の範囲である。
る膜をさらに設け、前記光導波路内を前記端面に向かっ
て伝搬する光の一部が、前記膜と前記端面との界面およ
び前記膜の前記端面と接している面とは反対側の面の少
なくとも一方において反射されて、前記光導波路基板の
外部に射出されるようにすることもできる。このように
することによって、反射率を大きくすることができる。
好ましい反射率は４０〜６０％の範囲である。
【００１８】好ましくは、前記光供給手段から供給され
る光を、前記光ファイバを介して前記端面から前記光導
波路内に供給するようにする。この場合に、光供給手段
として、発光素子をレンズ等と組み合わせた発光素子モ
ジュールを直接この端面に接続するように設けることに
よって、複合光導波路型光デバイスをより小型化でき
る。しかしながら、このように発光素子をレンズ等と組
み合わせた発光素子モジュールは体積が大きくなるの
で、発光素子モジュールを直接この端面に接続し難い場
合もあり、そのような場合には、光ファイバを介して発
光素子からの光をこの端面から光導波路内に供給するよ
うにしてもよい。
る光を、前記光ファイバを介して前記端面から前記光導
波路内に供給するようにする。この場合に、光供給手段
として、発光素子をレンズ等と組み合わせた発光素子モ
ジュールを直接この端面に接続するように設けることに
よって、複合光導波路型光デバイスをより小型化でき
る。しかしながら、このように発光素子をレンズ等と組
み合わせた発光素子モジュールは体積が大きくなるの
で、発光素子モジュールを直接この端面に接続し難い場
合もあり、そのような場合には、光ファイバを介して発
光素子からの光をこの端面から光導波路内に供給するよ
うにしてもよい。
【００１９】また、好ましくは、前記光導波路基板が、
ＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板、ガラス基板また
は半導体基板である。
ＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板、ガラス基板また
は半導体基板である。
【００２０】また、本発明によれば、Ｙ分岐状光導波路
と、前記Ｙ分岐状光導波路のうちの分岐されていない１
本の部分の第１の光導波路の端部が露出する第１の端面
と、前記Ｙ分岐状光導波路のうちの２本に分岐された２
本の部分の第２および第３の光導波路の端部が露出し光
ファイバループが接続される第２の端面と、前記第２お
よび第３の光導波路のうち少なくとも一方の光導波路内
を伝搬する光の位相を変調する位相変調部と、を有する
光導波路基板であって、前記第１の光導波路内を前記第
１の端面に向かって伝搬する光の一部が前記第１の端面
において反射されて、反射光として前記光導波路基板の
外部に射出されるように、前記第１の端面が前記第１の
光導波路の光軸に対して斜めに設けられた前記光導波路
基板と、前記光導波路基板の外部に射出される前記反射
光を受光するように設けた受光素子と、前記光導波路に
光を供給する光供給手段と、前記光供給手段と前記光導
波路との間に設けられた光ファイバ埋込導波路チップ
と、を備え、前記光ファイバ埋込導波路チップが、上面
にＶ溝が形成されたセラミックス基板と、前記Ｖ溝に載
設され、かつ、前記光供給手段から前記光導波路に供給
される前記光が内部を伝搬する光ファイバと、前記セラ
ミックス基板とともに前記光ファイバを前記Ｖ溝に固定
する石英製蓋とを有し、前記光導波路の前記端面と、前
記光ファイバ埋込導波路チップの端面との間には、屈折
率の異なる層が介挿されていることを特徴とする光ファ
イバジャイロ用複合光導波路型光デバイスが得られる。
と、前記Ｙ分岐状光導波路のうちの分岐されていない１
本の部分の第１の光導波路の端部が露出する第１の端面
と、前記Ｙ分岐状光導波路のうちの２本に分岐された２
本の部分の第２および第３の光導波路の端部が露出し光
ファイバループが接続される第２の端面と、前記第２お
よび第３の光導波路のうち少なくとも一方の光導波路内
を伝搬する光の位相を変調する位相変調部と、を有する
光導波路基板であって、前記第１の光導波路内を前記第
１の端面に向かって伝搬する光の一部が前記第１の端面
において反射されて、反射光として前記光導波路基板の
外部に射出されるように、前記第１の端面が前記第１の
光導波路の光軸に対して斜めに設けられた前記光導波路
基板と、前記光導波路基板の外部に射出される前記反射
光を受光するように設けた受光素子と、前記光導波路に
光を供給する光供給手段と、前記光供給手段と前記光導
波路との間に設けられた光ファイバ埋込導波路チップ
と、を備え、前記光ファイバ埋込導波路チップが、上面
にＶ溝が形成されたセラミックス基板と、前記Ｖ溝に載
設され、かつ、前記光供給手段から前記光導波路に供給
される前記光が内部を伝搬する光ファイバと、前記セラ
ミックス基板とともに前記光ファイバを前記Ｖ溝に固定
する石英製蓋とを有し、前記光導波路の前記端面と、前
記光ファイバ埋込導波路チップの端面との間には、屈折
率の異なる層が介挿されていることを特徴とする光ファ
イバジャイロ用複合光導波路型光デバイスが得られる。
【００２１】この場合においても、第１の光導波路の端
部が露出する光導波路基板の第１の端面を第１の光導波
路の光軸に対して斜めに設けて、第１の光導波路内をこ
の第１の端面に向かって伝搬する光の一部がこの第１の
端面において反射されて光導波路基板の外部に射出され
るようにしているから、光ファイバジャイロ用複合光導
波路型光デバイスの長さを、従来の２本のファイバを融
着して構成した光カプラを用いたデバイスと比較して、
短くできる。
部が露出する光導波路基板の第１の端面を第１の光導波
路の光軸に対して斜めに設けて、第１の光導波路内をこ
の第１の端面に向かって伝搬する光の一部がこの第１の
端面において反射されて光導波路基板の外部に射出され
るようにしているから、光ファイバジャイロ用複合光導
波路型光デバイスの長さを、従来の２本のファイバを融
着して構成した光カプラを用いたデバイスと比較して、
短くできる。
【００２２】また、受光素子も、斜めに設けられた第１
の端面から反射する光を受光するように設けられるか
ら、受光素子は、光導波路基板の真横には配設されず、
光導波路基板の上方または下方に３次元的に配設される
ようになり、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デ
バイス全体の長さを短くできる。
の端面から反射する光を受光するように設けられるか
ら、受光素子は、光導波路基板の真横には配設されず、
光導波路基板の上方または下方に３次元的に配設される
ようになり、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デ
バイス全体の長さを短くできる。
【００２３】さらに、また、本発明によれば、第１の光
導波路と、第２の光導波路と、前記第１の光導波路の一
端が露出する端面と、前記第１の光導波路内を伝搬する
光と前記第２の光導波路を伝搬する光とを分波・合波す
る方向性結合型合分波器部とを有する光導波路基板であ
って、前記第１の光導波路内を前記端面に向かって伝搬
する光の一部が前記端面において反射されて、反射光と
して前記光導波路基板の外部に射出されるように、前記
端面が前記第１の光導波路の光軸に対して斜めに設けら
れた前記光導波路基板と、前記光導波路基板の外部に射
出される前記反射光を受光するように設けた受光素子
と、前記第１の光導波路に第１の波長を有する光を前記
端面から供給する光供給手段と、前記第２の光導波路に
前記第１の波長とは異なる第２の波長を有する光を透過
させる手段と、前記光供給手段と前記第１の光導波路と
の間に設けられた光ファイバ埋込導波路チップと、を備
え、前記光ファイバ埋込導波路チップが、上面にＶ溝が
形成されたセラミックス基板と、前記Ｖ溝に載設され、
かつ、前記光供給手段から前記第１の光導波路に供給さ
れる前記第１の波長を有する光が内部を伝搬する光ファ
イバと、前記セラミックス基板とともに前記光ファイバ
を前記Ｖ溝に固定する石英製蓋とを有し、前記第１の光
導波路の前記端面と、前記光ファイバ埋込導波路チップ
の端面との間には、屈折率の異なる層が介挿されている
ことを特徴とする双方向波長多重光伝送モジュールが得
られる。
導波路と、第２の光導波路と、前記第１の光導波路の一
端が露出する端面と、前記第１の光導波路内を伝搬する
光と前記第２の光導波路を伝搬する光とを分波・合波す
る方向性結合型合分波器部とを有する光導波路基板であ
って、前記第１の光導波路内を前記端面に向かって伝搬
する光の一部が前記端面において反射されて、反射光と
して前記光導波路基板の外部に射出されるように、前記
端面が前記第１の光導波路の光軸に対して斜めに設けら
れた前記光導波路基板と、前記光導波路基板の外部に射
出される前記反射光を受光するように設けた受光素子
と、前記第１の光導波路に第１の波長を有する光を前記
端面から供給する光供給手段と、前記第２の光導波路に
前記第１の波長とは異なる第２の波長を有する光を透過
させる手段と、前記光供給手段と前記第１の光導波路と
の間に設けられた光ファイバ埋込導波路チップと、を備
え、前記光ファイバ埋込導波路チップが、上面にＶ溝が
形成されたセラミックス基板と、前記Ｖ溝に載設され、
かつ、前記光供給手段から前記第１の光導波路に供給さ
れる前記第１の波長を有する光が内部を伝搬する光ファ
イバと、前記セラミックス基板とともに前記光ファイバ
を前記Ｖ溝に固定する石英製蓋とを有し、前記第１の光
導波路の前記端面と、前記光ファイバ埋込導波路チップ
の端面との間には、屈折率の異なる層が介挿されている
ことを特徴とする双方向波長多重光伝送モジュールが得
られる。
【００２４】この場合においても、第１の光導波路の一
端が露出する光導波路基板の端面を第１の光導波路の光
軸に対して斜めに設けて、第１の光導波路内をこの端面
に向かって伝搬する光の一部がこの端面において反射さ
れて光導波路基板の外部に射出されるようにしているか
ら、双方向波長多重光伝送モジュールを短くできる。
端が露出する光導波路基板の端面を第１の光導波路の光
軸に対して斜めに設けて、第１の光導波路内をこの端面
に向かって伝搬する光の一部がこの端面において反射さ
れて光導波路基板の外部に射出されるようにしているか
ら、双方向波長多重光伝送モジュールを短くできる。
【００２５】また、受光素子も、斜めに設けられた端面
から反射する光を受光するように設けられるから、受光
素子は、光導波路基板の真横には配設されず、光導波路
基板の上方または下方に３次元的に配設されるようにな
り、双方向波長多重光伝送モジュール全体の長さを短く
できる。
から反射する光を受光するように設けられるから、受光
素子は、光導波路基板の真横には配設されず、光導波路
基板の上方または下方に３次元的に配設されるようにな
り、双方向波長多重光伝送モジュール全体の長さを短く
できる。
【００２６】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２７】図１は、本発明の第１の実施例の光ファイ
バジャイロ用複合光導波路型光デバイスを説明するため
の概略斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線断面図で
ある。
バジャイロ用複合光導波路型光デバイスを説明するため
の概略斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線断面図で
ある。
【００２８】本実施例の光ファイバジャイロ用複合光導
波路型光デバイス２００は、光導波路チップ１０と、光
ファイバループ９０と、フォトダイオード５４と、レー
ザーダイオード７０とを備えている。
波路型光デバイス２００は、光導波路チップ１０と、光
ファイバループ９０と、フォトダイオード５４と、レー
ザーダイオード７０とを備えている。
【００２９】光導波路チップ１０は、ＬｉＮｂＯ3 基板
１２と、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の上面１４に設けられた
Ｙ分岐状光導波路１６と、位相変調器２４と、偏光子２
８と、を備えている。Ｙ分岐状光導波路１６は、分岐前
の１本の光導波路１８と、分岐後の２本の光導波路２
０、２２とからなり、光導波路２０および２２の端部
は、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３０において、光ファ
イバループ９０の両端の光ファイバ９２および９４とそ
れぞれ接続されている。光導波路２０の両側には、位相
変調器２４を構成するための電極２６が設けられてお
り、光導波路２２の両側にも、位相変調器２４を構成す
るための電極２６が設けられている。光導波路１８上に
は偏光子２８が設けられている。
１２と、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の上面１４に設けられた
Ｙ分岐状光導波路１６と、位相変調器２４と、偏光子２
８と、を備えている。Ｙ分岐状光導波路１６は、分岐前
の１本の光導波路１８と、分岐後の２本の光導波路２
０、２２とからなり、光導波路２０および２２の端部
は、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３０において、光ファ
イバループ９０の両端の光ファイバ９２および９４とそ
れぞれ接続されている。光導波路２０の両側には、位相
変調器２４を構成するための電極２６が設けられてお
り、光導波路２２の両側にも、位相変調器２４を構成す
るための電極２６が設けられている。光導波路１８上に
は偏光子２８が設けられている。
【００３０】Ｙ分岐状光導波路１６の一端が露出するＬ
ｉＮｂＯ3 基板１２の端面３２は、Ｙ分岐状光導波路１
６の光軸に対して７０°（θ＝７０°）となるように光
学研磨されて設けられている。なお、本実施例において
は、端面３２は、ＬｉＮｂＯ 3 基板１２の上面１４とも
７０°の角度をなすように形成されている。Ｙ分岐状光
導波路１６内を端面３２に向かって伝搬する伝搬光４０
の一部が端面３２で反射されて反射光４２となり、伝搬
光４０の一部が端面３２で屈折されて、伝搬光４４とな
る。
ｉＮｂＯ3 基板１２の端面３２は、Ｙ分岐状光導波路１
６の光軸に対して７０°（θ＝７０°）となるように光
学研磨されて設けられている。なお、本実施例において
は、端面３２は、ＬｉＮｂＯ 3 基板１２の上面１４とも
７０°の角度をなすように形成されている。Ｙ分岐状光
導波路１６内を端面３２に向かって伝搬する伝搬光４０
の一部が端面３２で反射されて反射光４２となり、伝搬
光４０の一部が端面３２で屈折されて、伝搬光４４とな
る。
【００３１】ＬｉＮｂＯ3 基板１２の上面１４上であっ
て、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３２の近傍には、フォ
トダイオードモジュール５０が固着されている。フォト
ダイオードモジュール５０は、フォトダイオード５４
と、フォトダイオード５４を載置するフォトダイオード
ホルダー５２とを備えている。フォトダイオード５４
は、Ｙ分岐状光導波路１６の真上に設けられ、さらに、
端面３２からの反射光４２がフォトダイオード５４内に
入射するように設けられている。フォトダイオード５４
からリード線５６が引き出されている。
て、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３２の近傍には、フォ
トダイオードモジュール５０が固着されている。フォト
ダイオードモジュール５０は、フォトダイオード５４
と、フォトダイオード５４を載置するフォトダイオード
ホルダー５２とを備えている。フォトダイオード５４
は、Ｙ分岐状光導波路１６の真上に設けられ、さらに、
端面３２からの反射光４２がフォトダイオード５４内に
入射するように設けられている。フォトダイオード５４
からリード線５６が引き出されている。
【００３２】光導波路チップ１０は、素子載置台８０の
後方凸部８２上に載置されている。素子載置台８０の前
方凸部８６上にはレーザーダイオード７０が載置されて
いる。レーザーダイオード７０から射出された光は、レ
ンズ６０によって集光され、入射光４６としてＬｉＮｂ
Ｏ3 基板１２の端面３２においてＹ分岐状光導波路１６
内に入射する。なお、レンズ６０は、素子載置台８０の
中央凹部８４上に載置されたレンズホルダー６２によっ
て保持されている。また、レーザーダイオード７０から
リード線７２が引き出されている。
後方凸部８２上に載置されている。素子載置台８０の前
方凸部８６上にはレーザーダイオード７０が載置されて
いる。レーザーダイオード７０から射出された光は、レ
ンズ６０によって集光され、入射光４６としてＬｉＮｂ
Ｏ3 基板１２の端面３２においてＹ分岐状光導波路１６
内に入射する。なお、レンズ６０は、素子載置台８０の
中央凹部８４上に載置されたレンズホルダー６２によっ
て保持されている。また、レーザーダイオード７０から
リード線７２が引き出されている。
【００３３】次に、本実施例の光ファイバジャイロ用複
合光導波路型光デバイス２００の製造方法を説明する。
合光導波路型光デバイス２００の製造方法を説明する。
【００３４】まず、直径３インチ、厚さ１ｍｍの電気光
学効果を有するＬｉＮｂ０3 単結晶ウエファ（図示せ
ず）上に、フォトリソグラフィ技術により、幅３μｍ、
厚さ５００ÅのＴｉ膜を選択的に形成し、その後１００
０℃で６時間、ＬｉＮｂＯ3 基板１２を加熱してＬｉＮ
ｂＯ3 基板１２にＴｉを拡散させて、Ｔｉ拡散のＹ分岐
状光導波路１６を選択的に形成した。
学効果を有するＬｉＮｂ０3 単結晶ウエファ（図示せ
ず）上に、フォトリソグラフィ技術により、幅３μｍ、
厚さ５００ÅのＴｉ膜を選択的に形成し、その後１００
０℃で６時間、ＬｉＮｂＯ3 基板１２を加熱してＬｉＮ
ｂＯ3 基板１２にＴｉを拡散させて、Ｔｉ拡散のＹ分岐
状光導波路１６を選択的に形成した。
【００３５】次に、Ｙ分岐状光導波路１６のうちの分岐
前の１本の光導波路１８上にＳｉＯ 2 膜をバッファとし
てＡｌ薄膜を蒸着し、不用な部分のＡｌ薄膜を除去して
偏光子２８を形成した。さらに、光導波路２０および２
２の両側に、これらの光導波路２０および２２とそれぞ
れ平行に、Ａｕ薄膜製の電極２６をそれぞれ選択的に形
成して、光導波路２０および２２用の位相変調器２４を
それぞれ形成した。
前の１本の光導波路１８上にＳｉＯ 2 膜をバッファとし
てＡｌ薄膜を蒸着し、不用な部分のＡｌ薄膜を除去して
偏光子２８を形成した。さらに、光導波路２０および２
２の両側に、これらの光導波路２０および２２とそれぞ
れ平行に、Ａｕ薄膜製の電極２６をそれぞれ選択的に形
成して、光導波路２０および２２用の位相変調器２４を
それぞれ形成した。
【００３６】次に、このような処理を施したＬｉＮｂＯ
3 単結晶ウエファから、幅５ｍｍ、長さ４０ｍｍのＬｉ
ＮｂＯ3 基板１２を複数枚切り出し、ＬｉＮｂＯ3 基板
１２の端面３２をＬｉＮｂＯ3 基板１２の上面１４に対
して７０°となるように切断し、光学研磨した。
3 単結晶ウエファから、幅５ｍｍ、長さ４０ｍｍのＬｉ
ＮｂＯ3 基板１２を複数枚切り出し、ＬｉＮｂＯ3 基板
１２の端面３２をＬｉＮｂＯ3 基板１２の上面１４に対
して７０°となるように切断し、光学研磨した。
【００３７】その後、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３２
の近傍であって、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の上面１４上
に、フォトダイオードモジュール５０を固着した。次
に、波長０．８５μｍの光を発するレーザーダイオード
７０を、レーザーダイオード７０から射出したレーザー
光がレンズ６０を介して端面３２に露出するＹ分岐状光
導波路１６の端部に集光するように、素子載置台８０の
前方凸部８６上に取り付けた。
の近傍であって、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の上面１４上
に、フォトダイオードモジュール５０を固着した。次
に、波長０．８５μｍの光を発するレーザーダイオード
７０を、レーザーダイオード７０から射出したレーザー
光がレンズ６０を介して端面３２に露出するＹ分岐状光
導波路１６の端部に集光するように、素子載置台８０の
前方凸部８６上に取り付けた。
【００３８】次に、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３０に
おいて、光導波路２０および２２の端部に、光ファイバ
ループ９０の両端の光ファイバ９２および９４をそれぞ
れ接続して、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デ
バイス２００を製造した。
おいて、光導波路２０および２２の端部に、光ファイバ
ループ９０の両端の光ファイバ９２および９４をそれぞ
れ接続して、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デ
バイス２００を製造した。
【００３９】図３は、本発明の第１の実施例の光ファイ
バジャイロ用複合光導波路型光デバイス２００の変形例
を説明するための断面図である。
バジャイロ用複合光導波路型光デバイス２００の変形例
を説明するための断面図である。
【００４０】本変形例においては、ＬｉＮｂＯ3 基板１
２の端面３２上にＴｉ薄膜１３２を設けた点が、上述し
た第１の実施例と異なるが、他の点は同じであり、製造
方法も同様である。本変形例においては、Ｙ分岐状光導
波路１６内を端面３２に向かって伝搬する伝搬光４０の
一部が端面３２およびＴｉ薄膜１３２の表面１３３で反
射されてそれぞれ反射光４２および反射光４８となり、
フォトダイオード５４内に入射する。このように、Ｔｉ
薄膜１３２を設けることによって反射光４２の反射率を
増加させることができる。
２の端面３２上にＴｉ薄膜１３２を設けた点が、上述し
た第１の実施例と異なるが、他の点は同じであり、製造
方法も同様である。本変形例においては、Ｙ分岐状光導
波路１６内を端面３２に向かって伝搬する伝搬光４０の
一部が端面３２およびＴｉ薄膜１３２の表面１３３で反
射されてそれぞれ反射光４２および反射光４８となり、
フォトダイオード５４内に入射する。このように、Ｔｉ
薄膜１３２を設けることによって反射光４２の反射率を
増加させることができる。
【００４１】図４は、本発明の第２の実施例の光ファイ
バジャイロ用複合光導波路型光デバイス２００を説明す
るための斜視図であり、図５は、図４のＸ−Ｘ線断面図
である。
バジャイロ用複合光導波路型光デバイス２００を説明す
るための斜視図であり、図５は、図４のＸ−Ｘ線断面図
である。
【００４２】上述した第１の実施例においては、レーザ
ーダイオード７０から射出された光は、レンズ６０によ
って集光され、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３２におい
てＹ分岐状光導波路１６内に直接入射するように構成し
ていたが、本実施例においては、レーザーダイオードモ
ジュール１７０を用い、レーザーダイオード１７４から
射出されたレーザー光１７９を、光ファイバ埋込導波路
チップ１００を介してＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３２
に露出するＹ分岐状光導波路１６内に入射するように構
成している点が第１の実施例と異なるが、他の点につい
ては第１の実施例と同様である。
ーダイオード７０から射出された光は、レンズ６０によ
って集光され、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３２におい
てＹ分岐状光導波路１６内に直接入射するように構成し
ていたが、本実施例においては、レーザーダイオードモ
ジュール１７０を用い、レーザーダイオード１７４から
射出されたレーザー光１７９を、光ファイバ埋込導波路
チップ１００を介してＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３２
に露出するＹ分岐状光導波路１６内に入射するように構
成している点が第１の実施例と異なるが、他の点につい
ては第１の実施例と同様である。
【００４３】レーザーダイオードモジュール１７０は、
ホルダー１７６と、レーザーダイオード１７４と、レー
ザーダイオード１７４より射出されたレーザー光１７９
を集光するためのレンズ１７８とを備えており、レーザ
ーダイオード１７４およびレンズ１７８は、ホルダー１
７６に固定されている。また、レーザーダイオード１７
４からリード線１７２が引き出されている。
ホルダー１７６と、レーザーダイオード１７４と、レー
ザーダイオード１７４より射出されたレーザー光１７９
を集光するためのレンズ１７８とを備えており、レーザ
ーダイオード１７４およびレンズ１７８は、ホルダー１
７６に固定されている。また、レーザーダイオード１７
４からリード線１７２が引き出されている。
【００４４】光ファイバ埋込導波路チップ１００は、セ
ラミックス基板１０２と、石英製蓋１０４と、裸光ファ
イバ１０８とを備えている。セラミックス基板１０２の
上面には、裸光ファイバ１０８を載設する断面がＶ字状
のＶ溝１０６が設けられている。光ファイバの被覆部を
取り除いた裸光ファイバ１０８が、Ｖ溝１０６内にセラ
ミックス基板１０２および石英製蓋１０４によって固定
されている。光ファイバ埋込導波路チップ１００の端面
１１２は、裸光ファイバ１０８の光軸に対して９０°と
なるように光学研磨されている。レーザーダイオード１
７４から射出したレーザー光１７９が、この端面１１２
に露出する裸光ファイバ１０８の端部に集光され、裸光
ファイバ１０８内を伝搬光４５として伝搬するように、
レーザーダイオードモジュール１７０がこの端面１１２
に取り付けられている。
ラミックス基板１０２と、石英製蓋１０４と、裸光ファ
イバ１０８とを備えている。セラミックス基板１０２の
上面には、裸光ファイバ１０８を載設する断面がＶ字状
のＶ溝１０６が設けられている。光ファイバの被覆部を
取り除いた裸光ファイバ１０８が、Ｖ溝１０６内にセラ
ミックス基板１０２および石英製蓋１０４によって固定
されている。光ファイバ埋込導波路チップ１００の端面
１１２は、裸光ファイバ１０８の光軸に対して９０°と
なるように光学研磨されている。レーザーダイオード１
７４から射出したレーザー光１７９が、この端面１１２
に露出する裸光ファイバ１０８の端部に集光され、裸光
ファイバ１０８内を伝搬光４５として伝搬するように、
レーザーダイオードモジュール１７０がこの端面１１２
に取り付けられている。
【００４５】光ファイバ埋込導波路チップ１００の端面
１１０は、裸光ファイバ１０８の光軸に対して７０°
（φ＝７０°）となるように光学研磨されて設けられて
いる。光ファイバ埋込導波路チップ１００の端面１１０
と、光導波路チップ１０の端面３２とが、それらの間に
空気層１０３を介挿して略並行に設けられている。この
ような配置とすることにより、裸光ファイバ１０８とＹ
分岐状光導波路１６とが光学的に結合されるとともに、
Ｙ分岐状光導波路１６内を端面３２に向かって伝搬する
伝搬光４０の一部が端面３２および端面１１０で反射さ
れてそれぞれ反射光４２および反射光４８となり、フォ
トダイオード５４内に入射し、伝搬光４０の一部が、端
面３２および端面１１０で屈折されて、伝搬光４５とな
り、裸光ファイバ１０８内を端面１１２に向かって伝搬
する。
１１０は、裸光ファイバ１０８の光軸に対して７０°
（φ＝７０°）となるように光学研磨されて設けられて
いる。光ファイバ埋込導波路チップ１００の端面１１０
と、光導波路チップ１０の端面３２とが、それらの間に
空気層１０３を介挿して略並行に設けられている。この
ような配置とすることにより、裸光ファイバ１０８とＹ
分岐状光導波路１６とが光学的に結合されるとともに、
Ｙ分岐状光導波路１６内を端面３２に向かって伝搬する
伝搬光４０の一部が端面３２および端面１１０で反射さ
れてそれぞれ反射光４２および反射光４８となり、フォ
トダイオード５４内に入射し、伝搬光４０の一部が、端
面３２および端面１１０で屈折されて、伝搬光４５とな
り、裸光ファイバ１０８内を端面１１２に向かって伝搬
する。
【００４６】次に、本実施例の光ファイバジャイロ用複
合光導波路型光デバイス２００の製造方法を説明する。
合光導波路型光デバイス２００の製造方法を説明する。
【００４７】まず、長さ５ｍｍ、幅５ｍｍ、厚さ３ｍｍ
のセラミックス基板１０２の上面にＶ溝１０６を設け、
長さが略５ｍｍの裸光ファイバ１０８をＶ溝１０６内に
載置し、その上から厚さ２ｍｍの石英製蓋１０４を被
せ、セラミックス基板１０２、裸光ファイバ１０８およ
び石英製蓋１０４を樹脂製の接着剤で固着して、光ファ
イバ埋込導波路チップ１００を形成した。
のセラミックス基板１０２の上面にＶ溝１０６を設け、
長さが略５ｍｍの裸光ファイバ１０８をＶ溝１０６内に
載置し、その上から厚さ２ｍｍの石英製蓋１０４を被
せ、セラミックス基板１０２、裸光ファイバ１０８およ
び石英製蓋１０４を樹脂製の接着剤で固着して、光ファ
イバ埋込導波路チップ１００を形成した。
【００４８】次に、この光ファイバ埋込導波路チップ１
００の端面１１０を、裸光ファイバ１０８の光軸に対し
て７０°（φ＝７０°）となるように光学研磨し、端面
１１２を裸光ファイバ１０８の光軸に対して９０°とな
るように光学研磨し、この端面１１２にレーザーダイオ
ードモジュール１７０を、そのレーザーダイオード１７
４から射出したレーザー光１７９が端面１１２に露出す
る裸光ファイバ１０８の端部に集光するように、取り付
けた。
００の端面１１０を、裸光ファイバ１０８の光軸に対し
て７０°（φ＝７０°）となるように光学研磨し、端面
１１２を裸光ファイバ１０８の光軸に対して９０°とな
るように光学研磨し、この端面１１２にレーザーダイオ
ードモジュール１７０を、そのレーザーダイオード１７
４から射出したレーザー光１７９が端面１１２に露出す
る裸光ファイバ１０８の端部に集光するように、取り付
けた。
【００４９】次に、光導波路チップ１０を第１の実施例
と同様にして形成し、光導波路チップ１０の上面１４上
にフォトダイオードモジュール５０を固着した。
と同様にして形成し、光導波路チップ１０の上面１４上
にフォトダイオードモジュール５０を固着した。
【００５０】次に、この光ファイバ埋込導波路チップ１
００の端面１１０と光導波路チップ１０の端面３２とが
略並行となるとともに、光ファイバ埋込導波路チップ１
００の裸光ファイバ１０８の光軸と光導波路チップ１０
のＹ分岐状光導波路１６の光軸とが合うように、光ファ
イバ埋込導波路チップ１００と光導波路チップ１０とを
位置決めし、固着した。
００の端面１１０と光導波路チップ１０の端面３２とが
略並行となるとともに、光ファイバ埋込導波路チップ１
００の裸光ファイバ１０８の光軸と光導波路チップ１０
のＹ分岐状光導波路１６の光軸とが合うように、光ファ
イバ埋込導波路チップ１００と光導波路チップ１０とを
位置決めし、固着した。
【００５１】次に、ＬｉＮｂＯ3 基板１２の端面３０に
おいて、光導波路２０および２２の端部に、光ファイバ
ループ９０の両端の光ファイバ９２および９４をそれぞ
れ接続して、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デ
バイス２００を製造した。
おいて、光導波路２０および２２の端部に、光ファイバ
ループ９０の両端の光ファイバ９２および９４をそれぞ
れ接続して、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デ
バイス２００を製造した。
【００５２】図６は、本発明の第２の実施例の光ファイ
バジャイロ用複合光導波路型光デバイス２００の変形例
を説明するための断面図である。
バジャイロ用複合光導波路型光デバイス２００の変形例
を説明するための断面図である。
【００５３】本変形例においては、ＬｉＮｂＯ3 基板１
２の端面３２上にＴｉ薄膜１３４を設け、光ファイバ埋
込導波路チップ１００の端面１１０と、光導波路チップ
１０の端面３２との間にこのＴｉ薄膜１３４を介挿した
点が、上述した第２の実施例と異なるが、他の点は同じ
であり、製造方法も同様である。
２の端面３２上にＴｉ薄膜１３４を設け、光ファイバ埋
込導波路チップ１００の端面１１０と、光導波路チップ
１０の端面３２との間にこのＴｉ薄膜１３４を介挿した
点が、上述した第２の実施例と異なるが、他の点は同じ
であり、製造方法も同様である。
【００５４】本変形例においても、Ｙ分岐状光導波路１
６内を端面３２に向かって伝搬する伝搬光４０の一部が
端面３２および端面１１０で反射されてそれぞれ反射光
４２および反射光４８となり、フォトダイオード５４内
に入射する。このように、Ｔｉ薄膜１３４を設けること
によって反射光４２の反射率を増加させ、または容易に
所望の値にすることができる。
６内を端面３２に向かって伝搬する伝搬光４０の一部が
端面３２および端面１１０で反射されてそれぞれ反射光
４２および反射光４８となり、フォトダイオード５４内
に入射する。このように、Ｔｉ薄膜１３４を設けること
によって反射光４２の反射率を増加させ、または容易に
所望の値にすることができる。
【００５５】図７は、本発明の第３の実施例の光ファイ
バジャイロ用複合光導波路型光デバイス２００を説明す
るための断面図である。
バジャイロ用複合光導波路型光デバイス２００を説明す
るための断面図である。
【００５６】上述した第２の実施例においては、レーザ
ーダイオードモジュール１７０を光ファイバ埋込導波路
チップ１００の端面１１２に取り付けたが、本実施例に
おいては、レーザーダイオードモジュール１８０と光フ
ァイバ埋込導波路チップ１００の端面１１２との間に光
ファイバ１８２を介挿した点が、第２の実施例と異なる
が、他の点は同じであり、製造方法も同様である。
ーダイオードモジュール１７０を光ファイバ埋込導波路
チップ１００の端面１１２に取り付けたが、本実施例に
おいては、レーザーダイオードモジュール１８０と光フ
ァイバ埋込導波路チップ１００の端面１１２との間に光
ファイバ１８２を介挿した点が、第２の実施例と異なる
が、他の点は同じであり、製造方法も同様である。
【００５７】図８は、本発明の第４の実施例の双方向波
長多重伝送モジュールに用いられる石英系光導波路基板
を説明するための斜視図であり、図９は、本発明の第４
の実施例の双方向波長多重伝送モジュールを説明するた
めの斜視図であり、図１０は、図９のＸ−Ｘ線断面図で
あり、図１１は、図９のＹ−Ｙ線断面図である。
長多重伝送モジュールに用いられる石英系光導波路基板
を説明するための斜視図であり、図９は、本発明の第４
の実施例の双方向波長多重伝送モジュールを説明するた
めの斜視図であり、図１０は、図９のＸ−Ｘ線断面図で
あり、図１１は、図９のＹ−Ｙ線断面図である。
【００５８】本実施例の双方向波長多重伝送モジュール
５００は、石英系光導波路基板３００と、フォトダイオ
ードモジュール３５０と、光ファイバ埋込導波路チップ
４００と、レーザーダイオードモジュール４８０と、光
ファイバ３９０、４２０および４８２と、を備えてい
る。
５００は、石英系光導波路基板３００と、フォトダイオ
ードモジュール３５０と、光ファイバ埋込導波路チップ
４００と、レーザーダイオードモジュール４８０と、光
ファイバ３９０、４２０および４８２と、を備えてい
る。
【００５９】光ファイバ埋込導波路チップ４００は、セ
ラミックス基板４０２と、石英製蓋４０４と、裸光ファ
イバ４１４および４１６とを備えている。セラミックス
基板４０２の上面には、裸光ファイバ４１４および４１
６を載設する断面がＶ字状のＶ溝４０６および４０８が
それぞれ設けられている。光ファイバの被覆部を取り除
いた裸光ファイバ４１４および４１６が、Ｖ溝４０６お
よび４０８内にそれぞれセラミックス基板４０２および
石英製蓋４０４によって固定されている。
ラミックス基板４０２と、石英製蓋４０４と、裸光ファ
イバ４１４および４１６とを備えている。セラミックス
基板４０２の上面には、裸光ファイバ４１４および４１
６を載設する断面がＶ字状のＶ溝４０６および４０８が
それぞれ設けられている。光ファイバの被覆部を取り除
いた裸光ファイバ４１４および４１６が、Ｖ溝４０６お
よび４０８内にそれぞれセラミックス基板４０２および
石英製蓋４０４によって固定されている。
【００６０】光ファイバ埋込導波路チップ４００の端面
４１２は、裸光ファイバ４１４および４１６の光軸に対
して９０°となるように光学研磨されている。波長１．
３μｍのレーザー光を射出するレーザーダイオードモジ
ュール４８０がその一端に接続された光ファイバ４８２
の他端が、この端面４１２に露出する裸光ファイバ４１
４と光学的に結合するように、端面４１２に取り付けら
れている。波長１．５５μｍ用の光ファイバ４２０の一
端が、端面４１２に露出する裸光ファイバ４１６と光学
的に結合するように、端面４１２に取り付けられてい
る。光ファイバ埋込導波路チップ４００の端面４１０
は、裸光ファイバ４１４および４１６の光軸に対して６
０°（φ＝６０°）となるように光学研磨されて設けら
れている。
４１２は、裸光ファイバ４１４および４１６の光軸に対
して９０°となるように光学研磨されている。波長１．
３μｍのレーザー光を射出するレーザーダイオードモジ
ュール４８０がその一端に接続された光ファイバ４８２
の他端が、この端面４１２に露出する裸光ファイバ４１
４と光学的に結合するように、端面４１２に取り付けら
れている。波長１．５５μｍ用の光ファイバ４２０の一
端が、端面４１２に露出する裸光ファイバ４１６と光学
的に結合するように、端面４１２に取り付けられてい
る。光ファイバ埋込導波路チップ４００の端面４１０
は、裸光ファイバ４１４および４１６の光軸に対して６
０°（φ＝６０°）となるように光学研磨されて設けら
れている。
【００６１】石英系光導波路基板３００は、石英基板３
０２と、石英基板３０２の上面３０４に設けられた石英
系光導波路３０６および３０８と、石英基板３０２の端
面３１４の一部に設けられたＴｉ薄膜３１６とを備えて
いる。石英系光導波路３０６および石英系光導波路３０
８を近接させて方向性結合型合分波器３１０を形成して
いる。石英系光導波路３０６の両端は石英基板３０２の
それぞれの端面３１２および３１４に露出している。石
英系光導波路３０８の一端は、石英基板３０２の端面３
１４に露出し、その他端は石英基板３０２内において終
端している。
０２と、石英基板３０２の上面３０４に設けられた石英
系光導波路３０６および３０８と、石英基板３０２の端
面３１４の一部に設けられたＴｉ薄膜３１６とを備えて
いる。石英系光導波路３０６および石英系光導波路３０
８を近接させて方向性結合型合分波器３１０を形成して
いる。石英系光導波路３０６の両端は石英基板３０２の
それぞれの端面３１２および３１４に露出している。石
英系光導波路３０８の一端は、石英基板３０２の端面３
１４に露出し、その他端は石英基板３０２内において終
端している。
【００６２】石英系光導波路３０６および３０８の一端
が露出する石英基板３０２の端面３１４は、石英系光導
波路３０６および３０８の光軸に対して６０°（θ＝６
０°）となるように切断し、光学研磨されて設けられて
いる。なお、本実施例においては、端面３１４は、石英
基板３０２の上面３０４とも６０°の角度をなすように
形成されている。石英系光導波路３０６の他端が露出す
る石英基板３０２の端面３１２は、石英系光導波路３０
６の光軸に対して９０°の角度をなすように光学研磨さ
れて設けられている。石英系光導波路３０６の端部は、
石英基板３０２の端面３１２において光ファイバ３９０
と接続されている。
が露出する石英基板３０２の端面３１４は、石英系光導
波路３０６および３０８の光軸に対して６０°（θ＝６
０°）となるように切断し、光学研磨されて設けられて
いる。なお、本実施例においては、端面３１４は、石英
基板３０２の上面３０４とも６０°の角度をなすように
形成されている。石英系光導波路３０６の他端が露出す
る石英基板３０２の端面３１２は、石英系光導波路３０
６の光軸に対して９０°の角度をなすように光学研磨さ
れて設けられている。石英系光導波路３０６の端部は、
石英基板３０２の端面３１２において光ファイバ３９０
と接続されている。
【００６３】石英基板３０２の上面３０４上であって、
石英基板３０２の端面３１４の近傍には、フォトダイオ
ードモジュール３５０が固着されている。フォトダイオ
ードモジュール３５０は、フォトダイオード３５４と、
フォトダイオード３５４を載置するフォトダイオードホ
ルダー３５２とを備えている。フォトダイオード３５４
は、石英系光導波路３０６の真上に設けられている。フ
ォトダイオード３５４からリード線３５６が引き出され
ている。
石英基板３０２の端面３１４の近傍には、フォトダイオ
ードモジュール３５０が固着されている。フォトダイオ
ードモジュール３５０は、フォトダイオード３５４と、
フォトダイオード３５４を載置するフォトダイオードホ
ルダー３５２とを備えている。フォトダイオード３５４
は、石英系光導波路３０６の真上に設けられている。フ
ォトダイオード３５４からリード線３５６が引き出され
ている。
【００６４】光ファイバ埋込導波路チップ４００の端面
４１０と、石英系光導波路基板３００の端面３１４と
が、それらの間にＴｉ薄膜３１６および空気層３１８を
それぞれ部分的に介挿して略並行に設けられている。
１．３μｍ用の裸光ファイバ４１４と石英系光導波路３
０６との間にはＴｉ薄膜３１６が介挿され、１．５５μ
ｍ用の裸光ファイバ４１６と石英系光導波路３０８との
間には空気層３１８が介挿されている。
４１０と、石英系光導波路基板３００の端面３１４と
が、それらの間にＴｉ薄膜３１６および空気層３１８を
それぞれ部分的に介挿して略並行に設けられている。
１．３μｍ用の裸光ファイバ４１４と石英系光導波路３
０６との間にはＴｉ薄膜３１６が介挿され、１．５５μ
ｍ用の裸光ファイバ４１６と石英系光導波路３０８との
間には空気層３１８が介挿されている。
【００６５】このような配置とすることにより、裸光フ
ァイバ４１４と石英系光導波路３０６とが光学的に結合
されて、裸光ファイバ４１４内を端面４１０に向かって
伝搬する入射光３４６が端面４１０および端面３１４で
屈折されて石英系光導波路３０６内に導入されるととも
に、石英系光導波路３０６内を端面３１４に向かって伝
搬する伝搬光３４０の一部が端面３１４および端面４１
０で反射されてそれぞれ反射光３４２および反射光３４
８となり、フォトダイオード３５４内に入射し、伝搬光
３４０の一部が、端面３１４および端面４１０で屈折さ
れて、伝搬光３４５となり、裸光ファイバ４１４内を端
面４１２に向かって伝搬する。
ァイバ４１４と石英系光導波路３０６とが光学的に結合
されて、裸光ファイバ４１４内を端面４１０に向かって
伝搬する入射光３４６が端面４１０および端面３１４で
屈折されて石英系光導波路３０６内に導入されるととも
に、石英系光導波路３０６内を端面３１４に向かって伝
搬する伝搬光３４０の一部が端面３１４および端面４１
０で反射されてそれぞれ反射光３４２および反射光３４
８となり、フォトダイオード３５４内に入射し、伝搬光
３４０の一部が、端面３１４および端面４１０で屈折さ
れて、伝搬光３４５となり、裸光ファイバ４１４内を端
面４１２に向かって伝搬する。
【００６６】また、裸光ファイバ４１６と石英系光導波
路３０８とが光学的に結合されて、方向性結合型合分波
器３１０を通り、石英系光導波路３０８を端面３１４に
向かって伝搬する光３４９が端面３１４および端面４１
０で屈折されて裸光ファイバ４１６に導入される。
路３０８とが光学的に結合されて、方向性結合型合分波
器３１０を通り、石英系光導波路３０８を端面３１４に
向かって伝搬する光３４９が端面３１４および端面４１
０で屈折されて裸光ファイバ４１６に導入される。
【００６７】次に、本実施例の双方向波長多重伝送モジ
ュール５００の製造方法を説明する。
ュール５００の製造方法を説明する。
【００６８】まず、石英基板３０２の上面３０４に石英
系光導波路３０６および３０８を形成するとともに、こ
れらの石英系光導波路３０６および３０８によって１．
３μｍの光と、１．５５μｍの光を合分波する方向性結
合型合分波器３１０を形成した。
系光導波路３０６および３０８を形成するとともに、こ
れらの石英系光導波路３０６および３０８によって１．
３μｍの光と、１．５５μｍの光を合分波する方向性結
合型合分波器３１０を形成した。
【００６９】次に、石英基板３０２の端面３１４を石英
系光導波路３０６および３０８の光軸に対して６０°の
角度をなすように（θ＝６０°となるように）光学研磨
した。石英系光導波路３０６が露出する側の端面３１４
上に選択的にＴｉ薄膜３１６を蒸着法によって形成し、
反射率５０％の端面３１４を形成した。また、石英基板
３０２の端面３１２を石英系光導波路３０６の光軸に対
して９０°となるように光学研磨した。
系光導波路３０６および３０８の光軸に対して６０°の
角度をなすように（θ＝６０°となるように）光学研磨
した。石英系光導波路３０６が露出する側の端面３１４
上に選択的にＴｉ薄膜３１６を蒸着法によって形成し、
反射率５０％の端面３１４を形成した。また、石英基板
３０２の端面３１２を石英系光導波路３０６の光軸に対
して９０°となるように光学研磨した。
【００７０】次に、石英基板３０２の端面３１４の近傍
であって、石英基板３０２の上面３０４上にフォトダイ
オードモジュール３５０を固着した。
であって、石英基板３０２の上面３０４上にフォトダイ
オードモジュール３５０を固着した。
【００７１】一方、セラミックス基板４０２の上面にＶ
溝４０６および４０８を設け、裸光ファイバ４１４およ
び４１６をＶ溝４０６および４０８内にそれぞれ載置
し、その上から石英製蓋４０４を被せ、セラミックス基
板４０２、裸光ファイバ４１４および４１６ならびに石
英製蓋４０４を樹脂製の接着剤で固着して、光ファイバ
埋込導波路チップ４００を形成した。
溝４０６および４０８を設け、裸光ファイバ４１４およ
び４１６をＶ溝４０６および４０８内にそれぞれ載置
し、その上から石英製蓋４０４を被せ、セラミックス基
板４０２、裸光ファイバ４１４および４１６ならびに石
英製蓋４０４を樹脂製の接着剤で固着して、光ファイバ
埋込導波路チップ４００を形成した。
【００７２】次に、この光ファイバ埋込導波路チップ４
００の端面４１０を、裸光ファイバ４１４および４１６
の光軸に対して６０°（φ＝６０°）となるように光学
研磨し、端面４１２を裸光ファイバ４１４および４１６
の光軸に対して９０°となるように光学研磨した。
００の端面４１０を、裸光ファイバ４１４および４１６
の光軸に対して６０°（φ＝６０°）となるように光学
研磨し、端面４１２を裸光ファイバ４１４および４１６
の光軸に対して９０°となるように光学研磨した。
【００７３】次に、波長１．３μｍのレーザー光を射出
するレーザーダイオードモジュール４８０がその一端に
接続された光ファイバ４８２が、この端面４１２に露出
する裸光ファイバ４１４と光学的に結合するように、光
ファイバ４８２を端面４１２に取り付けた。また、波長
１．５５μｍ用の光ファイバ４２０の一端が、端面４１
２に露出する裸光ファイバ４１６と光学的に結合するよ
うに、光ファイバ４２０を端面４１２に取り付けた。
するレーザーダイオードモジュール４８０がその一端に
接続された光ファイバ４８２が、この端面４１２に露出
する裸光ファイバ４１４と光学的に結合するように、光
ファイバ４８２を端面４１２に取り付けた。また、波長
１．５５μｍ用の光ファイバ４２０の一端が、端面４１
２に露出する裸光ファイバ４１６と光学的に結合するよ
うに、光ファイバ４２０を端面４１２に取り付けた。
【００７４】次に、この光ファイバ埋込導波路チップ４
００の端面４１０と石英基板３０２の端面３１４とが略
並行となるとともに、光ファイバ埋込導波路チップ４０
０の裸光ファイバ４１４および４１６と石英基板３０２
の石英系光導波路３０６および３０８とがそれぞれ光学
的に結合されるように、光ファイバ埋込導波路チップ４
００と石英系光導波路基板３００とを位置決めし、固着
した。
００の端面４１０と石英基板３０２の端面３１４とが略
並行となるとともに、光ファイバ埋込導波路チップ４０
０の裸光ファイバ４１４および４１６と石英基板３０２
の石英系光導波路３０６および３０８とがそれぞれ光学
的に結合されるように、光ファイバ埋込導波路チップ４
００と石英系光導波路基板３００とを位置決めし、固着
した。
【００７５】次に、石英基板３０２の端面３１２におい
て、石英系光導波路３０６の端部に、送受信用の光ファ
イバ３９０を取り付けて双方向波長多重伝送モジュール
５００を製造した。
て、石英系光導波路３０６の端部に、送受信用の光ファ
イバ３９０を取り付けて双方向波長多重伝送モジュール
５００を製造した。
【００７６】図１２は、本発明の第５の実施例の双方向
波長多重伝送モジュールを説明するための斜視図であ
る。
波長多重伝送モジュールを説明するための斜視図であ
る。
【００７７】上述した第４の実施例においては、レーザ
ーダイオードモジュール４８０を光ファイバ４８２を介
して光ファイバ埋込導波路チップ４００の裸光ファイバ
４１４と光学的に結合したが、本実施例においては、レ
ーザーダイオードモジュール４７０を光ファイバ埋込導
波路チップ４００の端面４１２に直接取り付けた点が、
第４の実施例と異なるが、他の点は同様であり、製造方
法も同様である。本実施例のように、レーザーダイオー
ドモジュール４７０を光ファイバ埋込導波路チップ４０
０の端面４１２に直接取り付けることによって、双方向
波長多重伝送モジュール５００をより小型化できる。な
お、レーザーダイオードモジュール４７０からはリード
線４７２が引き出されている。
ーダイオードモジュール４８０を光ファイバ４８２を介
して光ファイバ埋込導波路チップ４００の裸光ファイバ
４１４と光学的に結合したが、本実施例においては、レ
ーザーダイオードモジュール４７０を光ファイバ埋込導
波路チップ４００の端面４１２に直接取り付けた点が、
第４の実施例と異なるが、他の点は同様であり、製造方
法も同様である。本実施例のように、レーザーダイオー
ドモジュール４７０を光ファイバ埋込導波路チップ４０
０の端面４１２に直接取り付けることによって、双方向
波長多重伝送モジュール５００をより小型化できる。な
お、レーザーダイオードモジュール４７０からはリード
線４７２が引き出されている。
【００７８】
【発明の効果】本発明においては、光導波路の一端が露
出する光導波路基板の端面を光導波路の光軸に対して斜
めに設けて、光導波路内をこの端面に向かって伝搬する
光の一部がこの端面において反射されて光導波路基板の
外部に射出されるようにしているから、複合光導波路型
光デバイスの長さを、従来の２本の光ファイバを融着し
て構成した光カプラを用いたデバイスと比較して、短く
できる。また、受光素子も、斜めに設けられた端面から
反射する光を受光するように設けられるから、受光素子
は、光導波路基板の真横には配設されず、光導波路基板
の上方または下方に３次元的に配設されるようになり、
複合光導波路型光デバイス全体の長さを短くできる。従
って、小型化された複合光導波路型光デバイスが得られ
る。
出する光導波路基板の端面を光導波路の光軸に対して斜
めに設けて、光導波路内をこの端面に向かって伝搬する
光の一部がこの端面において反射されて光導波路基板の
外部に射出されるようにしているから、複合光導波路型
光デバイスの長さを、従来の２本の光ファイバを融着し
て構成した光カプラを用いたデバイスと比較して、短く
できる。また、受光素子も、斜めに設けられた端面から
反射する光を受光するように設けられるから、受光素子
は、光導波路基板の真横には配設されず、光導波路基板
の上方または下方に３次元的に配設されるようになり、
複合光導波路型光デバイス全体の長さを短くできる。従
って、小型化された複合光導波路型光デバイスが得られ
る。
【００７９】また、第１の光導波路の端部が露出する光
導波路基板の第１の端面を第１の光導波路の光軸に対し
て斜めに設けて、第１の光導波路内をこの第１の端面に
向かって伝搬する光の一部がこの第１の端面において反
射されて光導波路基板の外部に射出されるようにしてい
るから、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デバイ
スの長さを、従来の２本の光ファイバを融着して構成し
た光カプラを用いたデバイスと比較して、短くできる。
さらに、受光素子も、斜めに設けられた第１の端面から
反射する光を受光するように設けられるから、受光素子
は、光導波路基板の真横には配設されず、光導波路基板
の上方または下方に３次元的に配設されるようになり、
光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デバイス全体の
長さを短くできる。従って、小型化された光ファイバジ
ャイロ用複合光導波路型光デバイスが得られる。
導波路基板の第１の端面を第１の光導波路の光軸に対し
て斜めに設けて、第１の光導波路内をこの第１の端面に
向かって伝搬する光の一部がこの第１の端面において反
射されて光導波路基板の外部に射出されるようにしてい
るから、光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デバイ
スの長さを、従来の２本の光ファイバを融着して構成し
た光カプラを用いたデバイスと比較して、短くできる。
さらに、受光素子も、斜めに設けられた第１の端面から
反射する光を受光するように設けられるから、受光素子
は、光導波路基板の真横には配設されず、光導波路基板
の上方または下方に３次元的に配設されるようになり、
光ファイバジャイロ用複合光導波路型光デバイス全体の
長さを短くできる。従って、小型化された光ファイバジ
ャイロ用複合光導波路型光デバイスが得られる。
【００８０】また、第１の光導波路の一端が露出する光
導波路基板の端面を第１の光導波路の光軸に対して斜め
に設けて、第１の光導波路内をこの端面に向かって伝搬
する光の一部がこの端面において反射されて光導波路基
板の外部に射出されるようにしているから、双方向波長
多重伝送モジュールを短くできる。さらに、受光素子
も、斜めに設けられた端面から反射する光を受光するよ
うに設けられるから、受光素子は、光導波路基板の真横
には配設されず、光導波路基板の上方または下方に３次
元的に配設されるようになり、双方向波長多重伝送モジ
ュール全体の長さを短くできる。従って、小型化された
双方向波長多重伝送モジュールが得られる。
導波路基板の端面を第１の光導波路の光軸に対して斜め
に設けて、第１の光導波路内をこの端面に向かって伝搬
する光の一部がこの端面において反射されて光導波路基
板の外部に射出されるようにしているから、双方向波長
多重伝送モジュールを短くできる。さらに、受光素子
も、斜めに設けられた端面から反射する光を受光するよ
うに設けられるから、受光素子は、光導波路基板の真横
には配設されず、光導波路基板の上方または下方に３次
元的に配設されるようになり、双方向波長多重伝送モジ
ュール全体の長さを短くできる。従って、小型化された
双方向波長多重伝送モジュールが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の光ファイバジャイロ用
複合光導波路型光デバイスを説明するための概略斜視図
である。
複合光導波路型光デバイスを説明するための概略斜視図
である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例の光ファイバジャイロ用
複合光導波路型光デバイスの変形例を説明するための断
面図である。
複合光導波路型光デバイスの変形例を説明するための断
面図である。
【図４】本発明の第２の実施例の光ファイバジャイロ用
複合光導波路型光デバイスを説明するための斜視図であ
る。
複合光導波路型光デバイスを説明するための斜視図であ
る。
【図５】図４のＸ−Ｘ線断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例の光ファイバジャイロ用
複合光導波路型光デバイスの変形例を説明するための断
面図である。
複合光導波路型光デバイスの変形例を説明するための断
面図である。
【図７】本発明の第３の実施例の光ファイバジャイロ用
複合光導波路型光デバイスを説明するための斜視図であ
る。
複合光導波路型光デバイスを説明するための斜視図であ
る。
【図８】本発明の第４の実施例の双方向波長多重伝送モ
ジュールに用いられる石英系光導波路基板を説明するた
めの斜視図である。
ジュールに用いられる石英系光導波路基板を説明するた
めの斜視図である。
【図９】本発明の第４の実施例の双方向波長多重伝送モ
ジュールを説明するための斜視図である。
ジュールを説明するための斜視図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１１】図９のＹ−Ｙ線断面図である。
【図１２】本発明の第５の実施例の双方向波長多重伝送
モジュールを説明するための斜視図である。
モジュールを説明するための斜視図である。
【図１３】従来の光ファイバジャイロ用複合光導波路型
光デバイスを説明するための斜視図である。
光デバイスを説明するための斜視図である。
１０…光導波路チップ、１２…ＬｉＮｂＯ3 基板、１４
…上面、１６…Ｙ分岐状光導波路、１８…光導波路、２
０…光導波路、２２…光導波路、２４…位相変調器、２
６…電極、２８…偏光子、３０…端面、３２…端面、４
０…伝搬光、４２…反射光、４４…伝搬光、４５…伝搬
光、４６…入射光、４８…反射光、５０…フォトダイオ
ードモジュール、５２…フォトダイオードホルダー、５
４…フォトダイオード、５６…リード線、６０…レン
ズ、６２…レンズホルダー、７０…レーザーダイオー
ド、７２…リード線、８０…素子載置台、８２…後方凸
部、８４…中央凹部、８６…前方凸部、９０…光ファイ
バループ、９２…光ファイバ、９４…光ファイバ、１０
０…光ファイバ埋込導波路チップ、１０２…セラミック
ス基板、１０３…空気層、１０４…石英製蓋、１０６…
Ｖ溝、１０８…裸光ファイバ、１１０…端面、１１２…
端面、１３２…Ｔｉ薄膜、１３４…Ｔｉ薄膜、１７０…
レーザーダイオードモジュール、１７２…リード線、１
７４…レーザーダイオード、１７６…ホルダー、１７８
…レンズ、１７９…レーザー光、１８０…レーザーダイ
オードモジュール、１８２…光ファイバ、２００…光フ
ァイバジャイロ用複合光導波路型光デバイス、３００…
石英系光導波路基板、３０２…石英基板、３０４…上
面、３０６…石英系光導波路、３０８…石英系光導波
路、３１０…方向性結合型合分波器、３１２…端面、３
１４…端面、３１６…Ｔｉ薄膜、３１８…空気層、３４
０…伝搬光、３４２…反射光、３４５…伝搬光、３４６
…入射光、３４８…反射光、３４９…伝搬光、３５０…
フォトダイオードモジュール、３５２…フォトダイオー
ドホルダー、３５４…フォトダイオード、３５６…リー
ド線、３９０…光ファイバ、４００…光ファイバ埋込導
波路チップ、４０２…セラミックス基板、４０４…石英
製蓋、４０６…Ｖ溝、４０８…Ｖ溝、４１０…端面、４
１２…端面、４１４…裸光ファイバ、４１６…裸光ファ
イバ、４２０…光ファイバ、４７０…レーザーダイオー
ドモジュール、４７２…リード線、４８０…レーザーダ
イオードモジュール、４８２…光ファイバ、５００…双
方向波長多重伝送モジュール、６０２…光ファイバ、６
０４…光ファイバ、６０６…光カプラ、６１２…レーザ
ーダイオード、６１４…フォトダイオード
…上面、１６…Ｙ分岐状光導波路、１８…光導波路、２
０…光導波路、２２…光導波路、２４…位相変調器、２
６…電極、２８…偏光子、３０…端面、３２…端面、４
０…伝搬光、４２…反射光、４４…伝搬光、４５…伝搬
光、４６…入射光、４８…反射光、５０…フォトダイオ
ードモジュール、５２…フォトダイオードホルダー、５
４…フォトダイオード、５６…リード線、６０…レン
ズ、６２…レンズホルダー、７０…レーザーダイオー
ド、７２…リード線、８０…素子載置台、８２…後方凸
部、８４…中央凹部、８６…前方凸部、９０…光ファイ
バループ、９２…光ファイバ、９４…光ファイバ、１０
０…光ファイバ埋込導波路チップ、１０２…セラミック
ス基板、１０３…空気層、１０４…石英製蓋、１０６…
Ｖ溝、１０８…裸光ファイバ、１１０…端面、１１２…
端面、１３２…Ｔｉ薄膜、１３４…Ｔｉ薄膜、１７０…
レーザーダイオードモジュール、１７２…リード線、１
７４…レーザーダイオード、１７６…ホルダー、１７８
…レンズ、１７９…レーザー光、１８０…レーザーダイ
オードモジュール、１８２…光ファイバ、２００…光フ
ァイバジャイロ用複合光導波路型光デバイス、３００…
石英系光導波路基板、３０２…石英基板、３０４…上
面、３０６…石英系光導波路、３０８…石英系光導波
路、３１０…方向性結合型合分波器、３１２…端面、３
１４…端面、３１６…Ｔｉ薄膜、３１８…空気層、３４
０…伝搬光、３４２…反射光、３４５…伝搬光、３４６
…入射光、３４８…反射光、３４９…伝搬光、３５０…
フォトダイオードモジュール、３５２…フォトダイオー
ドホルダー、３５４…フォトダイオード、３５６…リー
ド線、３９０…光ファイバ、４００…光ファイバ埋込導
波路チップ、４０２…セラミックス基板、４０４…石英
製蓋、４０６…Ｖ溝、４０８…Ｖ溝、４１０…端面、４
１２…端面、４１４…裸光ファイバ、４１６…裸光ファ
イバ、４２０…光ファイバ、４７０…レーザーダイオー
ドモジュール、４７２…リード線、４８０…レーザーダ
イオードモジュール、４８２…光ファイバ、５００…双
方向波長多重伝送モジュール、６０２…光ファイバ、６
０４…光ファイバ、６０６…光カプラ、６１２…レーザ
ーダイオード、６１４…フォトダイオード
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−157944（ＪＰ，Ａ)
特開 昭53−92148（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−212110（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−291518（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−175705（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−241044（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−103804（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01C 19/72
G02B 6/42
G02F 1/035
Claims (7)
- 【請求項１】光導波路と前記光導波路の一端が露出する
端面とを有する光導波路基板であって、前記光導波路内
を前記端面に向かって伝搬する光の一部が前記端面にお
いて反射されて、反射光として前記光導波路基板の外部
に射出されるように、前記端面が前記光導波路の光軸に
対して斜めに設けられた前記光導波路基板と、前記光導
波路基板の外部に射出される前記反射光を受光するよう
に設けた受光素子と、前記光導波路に光を供給する光供
給手段と、前記光供給手段と前記光導波路との間に設け
られた光ファイバ埋込導波路チップと、を備え、 前記光ファイバ埋込導波路チップは、上面にＶ溝が形成
されたセラミックス基板と、前記Ｖ溝に載設され、か
つ、前記光供給手段から前記光導波路に供給される前記
光が内部を伝搬する光ファイバと、前記セラミックス基
板とともに前記光ファイバを前記Ｖ溝に固定する石英製
蓋とを有し、 前記光導波路の前記端面と、前記光ファイバ埋込導波路
チップの端面との間には、屈折率の異なる層が介挿され
てい ることを特徴とする複合光導波路型光デバイス。 - 【請求項２】前記光導波路基板が、前記光導波路内を伝
搬する光を分岐・結合する領域、前記光導波路内を伝搬
する光を変調する領域、前記光導波路内を伝搬する光を
分波・合波する領域、および前記光導波路内を伝搬する
光をアイソレーションする領域のうちの少なくとも一つ
の領域を有していることを特徴とする請求項１記載の複
合光導波路型光デバイス。 - 【請求項３】前記端面に誘電体または金属からなる膜を
さらに設け、前記光導波路内を前記端面に向かって伝搬
する光の一部が、前記膜と前記端面との界面および前記
膜の前記端面と接している面とは反対側の面の少なくと
も一方において反射されて、前記光導波路基板の外部に
射出されるようにしたことを特徴とする請求項１または
２記載の複合光導波路型光デバイス。 - 【請求項４】前記光供給手段から供給される光を、前記
光ファイバを介して前記端面から前記光導波路内に供給
するようにしたことを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに記載の複合光導波路型光デバイス。 - 【請求項５】前記光導波路基板が、ＬｉＮｂＯ3基板、
ＬｉＴａＯ3基板、ガラス基板または半導体基板である
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の複
合光導波路型光デバイス。 - 【請求項６】Ｙ分岐状光導波路と、前記Ｙ分岐状光導波
路のうちの分岐されていない１本の部分の第１の光導波
路の端部が露出する第１の端面と、前記Ｙ分岐状光導波
路のうちの２本に分岐された２本の部分の第２および第
３の光導波路の端部が露出し光ファイバループが接続さ
れる第２の端面と、前記第２および第３の光導波路のう
ち少なくとも一方の光導波路内を伝搬する光の位相を変
調する位相変調部と、を有する光導波路基板であって、
前記第１の光導波路内を前記第１の端面に向かって伝搬
する光の一部が前記第１の端面において反射されて、反
射光として前記光導波路基板の外部に射出されるよう
に、前記第１の端面が前記第１の光導波路の光軸に対し
て斜めに設けられた前記光導波路基板と、前記光導波路
基板の外部に射出される前記反射光を受光するように設
けた受光素子と、前記光導波路に光を供給する光供給手
段と、前記光供給手段と前記光導波路との間に設けられ
た光ファイバ埋込導波路チップと、を備え、 前記光ファイバ埋込導波路チップは、上面にＶ溝が形成
されたセラミックス基板と、前記Ｖ溝に載設され、か
つ、前記光供給手段から前記光導波路に供給される前記
光が内部を伝搬する光ファイバと、前記セラミックス基
板とともに前記光ファイバを前記Ｖ溝に固定する石英製
蓋とを有し、 前記光導波路の前記端面と、前記光ファイバ埋込導波路
チップの端面との間には、屈折率の異なる層が介挿され
てい ることを特徴とする光ファイバジャイロ用複合光導
波路型光デバイス。 - 【請求項７】第１の光導波路と、第２の光導波路と、前
記第１の光導波路の一端が露出する端面と、前記第１の
光導波路内を伝搬する光と前記第２の光導波路を伝搬す
る光とを分波・合波する方向性結合型合分波器部とを有
する光導波路基板であって、前記第１の光導波路内を前
記端面に向かって伝搬する光の一部が前記端面において
反射されて、反射光として前記光導波路基板の外部に射
出されるように、前記端面が前記第１の光導波路の光軸
に対して斜めに設けられた前記光導波路基板と、前記光
導波路基板の外部に射出される前記反射光を受光するよ
うに設けた受光素子と、前記第１の光導波路に第１の波
長を有する光を前記端面から供給する光供給手段と、前
記第２の光導波路に前記第１の波長とは異なる第２の波
長を有する光を透過させる手段と、前記光供給手段と前
記第１の光導波路との間に設けられた光ファイバ埋込導
波路チップと、を備え、 前記光ファイバ埋込導波路チップは、上面にＶ溝が形成
されたセラミックス基板と、前記Ｖ溝に載設され、か
つ、前記光供給手段から前記第１の光導波路に供給され
る前記第１の波長を有する光が内部を伝搬する光ファイ
バと、前記セラミックス基板とともに前記光ファイバを
前記Ｖ溝に固定する石英製蓋とを有し、 前記第１の光導波路の前記端面と、前記光ファイバ埋込
導波路チップの端面との間には、屈折率の異なる層が介
挿されている ことを特徴とする双方向波長多重光伝送モ
ジュール。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24706493A JP3490745B2 (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 複合光導波路型光デバイス |
| EP94307185A EP0646772B1 (en) | 1993-10-01 | 1994-09-30 | Optical waveguide with inclined endface |
| US08/316,331 US5724464A (en) | 1993-10-01 | 1994-09-30 | Compound optical waveguide device |
| DE69414808T DE69414808T2 (de) | 1993-10-01 | 1994-09-30 | Optischer Wellenleiter mit schräger Endfläche |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24706493A JP3490745B2 (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 複合光導波路型光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07103770A JPH07103770A (ja) | 1995-04-18 |
| JP3490745B2 true JP3490745B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=17157891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24706493A Expired - Lifetime JP3490745B2 (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 複合光導波路型光デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5724464A (ja) |
| EP (1) | EP0646772B1 (ja) |
| JP (1) | JP3490745B2 (ja) |
| DE (1) | DE69414808T2 (ja) |
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| JPH10206807A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-08-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光パルス発生装置 |
| JPH10253857A (ja) | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Hitachi Ltd | 光通信モジュール |
| US6081638A (en) * | 1998-07-20 | 2000-06-27 | Honeywell Inc. | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6205274B1 (en) | 1998-07-20 | 2001-03-20 | Honeywell Inc. | Fiber optic header for an edge emitting laser |
| US6521989B2 (en) | 1998-10-08 | 2003-02-18 | Honeywell Inc. | Methods and apparatus for hermetically sealing electronic packages |
| JP2000227524A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Sony Corp | 光導波装置および光送受信装置、ならびにそれらの製造方法 |
| EP1085354A3 (en) * | 1999-09-14 | 2003-12-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Planar lightwave circuit module |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6778585B2 (en) | 2000-10-02 | 2004-08-17 | Optical Communication Products, Inc. | VCSEL monitoring using refracted ray coupling |
| KR100440256B1 (ko) * | 2002-10-02 | 2004-07-15 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 광벤치를 이용한 광송신 모듈 |
| US7366380B1 (en) * | 2005-04-18 | 2008-04-29 | Luxtera, Inc. | PLC for connecting optical fibers to optical or optoelectronic devices |
| JP6022859B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-11-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 空間光変調器、光集積回路 |
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| US11421843B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-23 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber-delivered laser-induced dynamic light system |
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| US11884202B2 (en) | 2019-01-18 | 2024-01-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system |
Family Cites Families (14)
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|---|---|---|---|---|
| FR2556480B1 (fr) * | 1983-12-09 | 1986-08-22 | Lignes Telegraph Telephon | Coupleur bidirectionnel optique actif |
| JPH01118806A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 複合光導波型デバイス |
| JPH0255304A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Hitachi Cable Ltd | 光集積回路 |
| EP0416070B1 (en) * | 1989-03-27 | 1993-06-09 | United Technologies Corporation | Single-polarization, integrated optical components for optical gyroscopes |
| US4981334A (en) * | 1989-12-22 | 1991-01-01 | Raynet Corp. | Compact optical fiber coupler |
| JP2631902B2 (ja) * | 1990-04-20 | 1997-07-16 | 日本航空電子工業 株式会社 | 光集積回路 |
| JPH0534650A (ja) * | 1991-05-10 | 1993-02-12 | Fujitsu Ltd | モニタ付分岐干渉型光変調器 |
| US5357103A (en) * | 1991-10-02 | 1994-10-18 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Light receiving module with optical fiber coupling |
| JPH05157944A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 双方向光デバイス |
| US5170448A (en) * | 1992-01-06 | 1992-12-08 | Motorola, Inc. | Optical waveguide apparatus and method for partially collecting light |
| US5386484A (en) * | 1992-02-10 | 1995-01-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber type polarizer |
| US5299222A (en) * | 1992-03-11 | 1994-03-29 | Lightwave Electronics | Multiple diode laser stack for pumping a solid-state laser |
| US5291571A (en) * | 1992-03-19 | 1994-03-01 | Fujitsu Limited | Duplicated light source module |
| US5390271A (en) * | 1993-05-03 | 1995-02-14 | Litton Systems, Inc. | Optical interface for hybrid circuit |
-
1993
- 1993-10-01 JP JP24706493A patent/JP3490745B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1994
- 1994-09-30 DE DE69414808T patent/DE69414808T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-30 US US08/316,331 patent/US5724464A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-30 EP EP94307185A patent/EP0646772B1/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0646772B1 (en) | 1998-11-25 |
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