JP2801104B2 - アクテイブマトリックス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
アクテイブマトリックス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法Info
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- JP2801104B2 JP2801104B2 JP1427492A JP1427492A JP2801104B2 JP 2801104 B2 JP2801104 B2 JP 2801104B2 JP 1427492 A JP1427492 A JP 1427492A JP 1427492 A JP1427492 A JP 1427492A JP 2801104 B2 JP2801104 B2 JP 2801104B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】アクテイブマトリックス駆動方式
散乱型液晶表示装置の製造方法、特にＴＦＴを用いたア
クテイブマトリックス駆動方式と、ポリマー分散型液晶
層による散乱モードを組み合わせた液晶表示装置の製造
方法に関する。
散乱型液晶表示装置の製造方法、特にＴＦＴを用いたア
クテイブマトリックス駆動方式と、ポリマー分散型液晶
層による散乱モードを組み合わせた液晶表示装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】まずポリマー分散型液晶を用いた従来の
ＴＦＴ−ＬＣＤの構造について説明する。図６の平面図
（ａ）及び、平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）に示すよ
うに、ガラス基板６０１上に、ＴＦＴ６０２及び画素電
極６０３をマトリックス状に設け、ＴＦＴを動作させる
走査電極線６０４及び、信号電極線６０５を直交配線
し、ＴＦＴを備えた基板を構成する。そしてこの基板上
にパッシベーション膜６０６を設ける。平面図ではパッ
シベーション膜６０６は省略してある。なお図中６０７
はゲート絶縁膜、６０８は非ドープアモルファスシリコ
ン膜、６０９はｎ+アモルファスシリコン膜、６１０は
ソース電極、６１１はドレイン電極であり、ソース電極
６１０は信号電極線６０５と同種金属であり、両者は互
いに接続されている。
ＴＦＴ−ＬＣＤの構造について説明する。図６の平面図
（ａ）及び、平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）に示すよ
うに、ガラス基板６０１上に、ＴＦＴ６０２及び画素電
極６０３をマトリックス状に設け、ＴＦＴを動作させる
走査電極線６０４及び、信号電極線６０５を直交配線
し、ＴＦＴを備えた基板を構成する。そしてこの基板上
にパッシベーション膜６０６を設ける。平面図ではパッ
シベーション膜６０６は省略してある。なお図中６０７
はゲート絶縁膜、６０８は非ドープアモルファスシリコ
ン膜、６０９はｎ+アモルファスシリコン膜、６１０は
ソース電極、６１１はドレイン電極であり、ソース電極
６１０は信号電極線６０５と同種金属であり、両者は互
いに接続されている。
【０００３】また、対向基板側は、図７の平面図（ａ）
及び、平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）に示すように、
ガラス基板７０１上にクロム膜をスパッタリング法で成
膜した後、斜線で示すパターン７０２にパターニングす
る。これは、ＴＦＴを備えた基板からの漏れ光を遮断す
る役目がある。７０３はＴＦＴを備えた基板の両画素電
極に対応する開口部で、この部分が有効表示部となる。
さらにこの上にＩＴＯ膜７０４を画面全体に形成し、対
向電極とする。
及び、平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）に示すように、
ガラス基板７０１上にクロム膜をスパッタリング法で成
膜した後、斜線で示すパターン７０２にパターニングす
る。これは、ＴＦＴを備えた基板からの漏れ光を遮断す
る役目がある。７０３はＴＦＴを備えた基板の両画素電
極に対応する開口部で、この部分が有効表示部となる。
さらにこの上にＩＴＯ膜７０４を画面全体に形成し、対
向電極とする。
【０００４】前記の走査電極線及び、信号電極線は、Ｔ
ＦＴを備えた基板のエッジ部、つまり画面外周辺に電極
端子として配線され、その部分でドライバーＩＣと接続
される。図８を参照して、８０１は走査電極端子、８０
２は信号電極端子、８０３は後で述べる対向電極端子で
ある。図９を参照して、対向基板９０１の周囲に直径１
０μｍのプラスチックビーズを混入した熱硬化性のシー
ル樹脂９０２をスクリーン印刷の手法を用いて設け、先
に述べたＴＦＴを備えた基板９０３と真空中で貼り合わ
せた。この際、対向基板の四隅には導電性樹脂９０４を
設け、対向基板のＩＴＯ膜とＴＦＴを備えた基板の対向
電極用電極線９０５が接続されるようにする貼り合わせ
後、加熱処理を行い、シール樹脂を硬化させて、液晶パ
ネルを完成させる。
ＦＴを備えた基板のエッジ部、つまり画面外周辺に電極
端子として配線され、その部分でドライバーＩＣと接続
される。図８を参照して、８０１は走査電極端子、８０
２は信号電極端子、８０３は後で述べる対向電極端子で
ある。図９を参照して、対向基板９０１の周囲に直径１
０μｍのプラスチックビーズを混入した熱硬化性のシー
ル樹脂９０２をスクリーン印刷の手法を用いて設け、先
に述べたＴＦＴを備えた基板９０３と真空中で貼り合わ
せた。この際、対向基板の四隅には導電性樹脂９０４を
設け、対向基板のＩＴＯ膜とＴＦＴを備えた基板の対向
電極用電極線９０５が接続されるようにする貼り合わせ
後、加熱処理を行い、シール樹脂を硬化させて、液晶パ
ネルを完成させる。
【０００５】断面図を図１０に示す。１００１はシール
樹脂である。両基板の間にはスペーサとしてプラスチッ
クビーズ１００２を配置し、一定の厚さの空隙を基板間
に形成する。この空隙に光重合性をもつ、ポリマーのモ
ノマーあるいはオリゴマーと液晶材料の混合物１００３
を注入し、封止する。１００４はＴＦＴを備えた基板、
１００５はＴＦＴ、１００６は画素電極、１００７はパ
ッシベーション膜、１００８は対向基板、１００９は遮
光膜、１０１０は対向電極である。
樹脂である。両基板の間にはスペーサとしてプラスチッ
クビーズ１００２を配置し、一定の厚さの空隙を基板間
に形成する。この空隙に光重合性をもつ、ポリマーのモ
ノマーあるいはオリゴマーと液晶材料の混合物１００３
を注入し、封止する。１００４はＴＦＴを備えた基板、
１００５はＴＦＴ、１００６は画素電極、１００７はパ
ッシベーション膜、１００８は対向基板、１００９は遮
光膜、１０１０は対向電極である。
【０００６】次にこの液晶パネルに紫外線を照射して、
ポリマーのモノマーあるいはオリゴマーを重合させる。
この重合によって、ポリマーと液晶が相分離反応する。
この時図１１に示すように液晶相１１０１を構成する液
晶分子１１０２はポリマー化合物１１０３の網目構造中
に分散し、界面１１０４に沿って配向する。この配向方
向は規制されないからパネル内における液晶分子の配向
はランダムとなりパネルに入射する光を散乱する。なお
１１０５は透明電極である。そしてこの液晶パネルの走
査電極線及び、信号電極線、対向電極線それぞれ対応す
る電極端子にドライバーＩＣを実装し、駆動回路に接続
する。
ポリマーのモノマーあるいはオリゴマーを重合させる。
この重合によって、ポリマーと液晶が相分離反応する。
この時図１１に示すように液晶相１１０１を構成する液
晶分子１１０２はポリマー化合物１１０３の網目構造中
に分散し、界面１１０４に沿って配向する。この配向方
向は規制されないからパネル内における液晶分子の配向
はランダムとなりパネルに入射する光を散乱する。なお
１１０５は透明電極である。そしてこの液晶パネルの走
査電極線及び、信号電極線、対向電極線それぞれ対応す
る電極端子にドライバーＩＣを実装し、駆動回路に接続
する。
【０００７】パネルの駆動法について簡単に説明する。
走査電極線に最上段から順次、パルス信号を入力し、そ
れぞれの走査電極線上のＴＦＴを動作させる。この動作
タイミングに合わせて信号電極から映像信号を入力する
と、それぞれのＴＦＴに接続された画素電極と、それに
向かい合う対向電極の間に電圧が印加される。液晶相に
電圧が印加されると、図１２に示すように、液晶分子が
電界方向に配向するため、光の散乱作用が減少し、透明
となる、この透明状態と電圧無印加時の散乱状態を印加
電圧で制御することにより画像表示を行う。
走査電極線に最上段から順次、パルス信号を入力し、そ
れぞれの走査電極線上のＴＦＴを動作させる。この動作
タイミングに合わせて信号電極から映像信号を入力する
と、それぞれのＴＦＴに接続された画素電極と、それに
向かい合う対向電極の間に電圧が印加される。液晶相に
電圧が印加されると、図１２に示すように、液晶分子が
電界方向に配向するため、光の散乱作用が減少し、透明
となる、この透明状態と電圧無印加時の散乱状態を印加
電圧で制御することにより画像表示を行う。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の液晶パネル製造
工程においては、紫外線をパネルに照射することで、ポ
リマーのモノマーあるいはオリゴマーを重合させる工程
がある。この時、ＴＦＴを備えた基板側から紫外線を照
射すると、走査電極線及び、信号電極線が入射光を遮断
し、また対向基板側から紫外線を照射すると、遮光パタ
ーン（図７参照）が入射光を遮断する。従って、従来の
アクテイブマトリクス駆動方式によるポリマー分散型液
晶表示装置では、パネル内部に重合するための紫外線が
照射されない部分があり、その部分のモノマーあるいは
オリゴマーは重合されない。
工程においては、紫外線をパネルに照射することで、ポ
リマーのモノマーあるいはオリゴマーを重合させる工程
がある。この時、ＴＦＴを備えた基板側から紫外線を照
射すると、走査電極線及び、信号電極線が入射光を遮断
し、また対向基板側から紫外線を照射すると、遮光パタ
ーン（図７参照）が入射光を遮断する。従って、従来の
アクテイブマトリクス駆動方式によるポリマー分散型液
晶表示装置では、パネル内部に重合するための紫外線が
照射されない部分があり、その部分のモノマーあるいは
オリゴマーは重合されない。
【０００９】この重合されない部分は液晶表示装置の非
表示部となるが、液晶表示装置の使用時間の経過と共
に、未重合物質が表示部に拡散して、表示部の電気光学
特性が変化する。従って、表示品位の信頼性に問題があ
った。
表示部となるが、液晶表示装置の使用時間の経過と共
に、未重合物質が表示部に拡散して、表示部の電気光学
特性が変化する。従って、表示品位の信頼性に問題があ
った。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、一対の絶
縁性基板における一方の基板上に走査電極線を形成し、
前記走査電極線上に複数の薄膜トランジスター（ＴＦ
Ｔ）を設置し、その上にパターン化した信号電極線を設
け、ＴＦＴを介して前記信号電極線より電圧を印加しう
るように画素電極を設置し、前記画素電極上をパッシベ
ーション膜で被覆し、ＴＦＴ部、画素電極と走査電極線
間の非表示部、画素電極と信号電極線間の非表示部を遮
蔽するようにパッシベーション膜の上に遮蔽膜を設け、
他方の基板上に対向電極を設け、対向電極とＴＦＴが対
向するように一対の絶縁性基板を設置し、一対の絶縁性
基板間に光重合性をもつモノマーと、液晶材料の混合物
を注入し、他方の基板側から光照射してポリマー分散型
液晶層を形成することを特徴とするアクティブマトリッ
クス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法に関する。
縁性基板における一方の基板上に走査電極線を形成し、
前記走査電極線上に複数の薄膜トランジスター（ＴＦ
Ｔ）を設置し、その上にパターン化した信号電極線を設
け、ＴＦＴを介して前記信号電極線より電圧を印加しう
るように画素電極を設置し、前記画素電極上をパッシベ
ーション膜で被覆し、ＴＦＴ部、画素電極と走査電極線
間の非表示部、画素電極と信号電極線間の非表示部を遮
蔽するようにパッシベーション膜の上に遮蔽膜を設け、
他方の基板上に対向電極を設け、対向電極とＴＦＴが対
向するように一対の絶縁性基板を設置し、一対の絶縁性
基板間に光重合性をもつモノマーと、液晶材料の混合物
を注入し、他方の基板側から光照射してポリマー分散型
液晶層を形成することを特徴とするアクティブマトリッ
クス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法に関する。
【００１１】本発明のＴＦＴパネルの製造工程を図を追
って説明する。図２から図５はＴＦＴアレイの平面図
（ａ）及び平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）を工程に沿
って順次示したものであり、この図を参照して説明す
る。なお補助容量並びに補助容量電極線等、本発明に直
接関係しない部分は省略している。まず、図２を参照し
て、ガラス基板２０１上にタンタルの薄膜をスパッタリ
ング法で形成して、フォトリソグラフの手法を用いて走
査電極２０２を形成する。
って説明する。図２から図５はＴＦＴアレイの平面図
（ａ）及び平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）を工程に沿
って順次示したものであり、この図を参照して説明す
る。なお補助容量並びに補助容量電極線等、本発明に直
接関係しない部分は省略している。まず、図２を参照し
て、ガラス基板２０１上にタンタルの薄膜をスパッタリ
ング法で形成して、フォトリソグラフの手法を用いて走
査電極２０２を形成する。
【００１２】ここで、基板は前記ガラスの他に石英など
が挙げられ、好適にはガラスが適用できる。走査電極線
用の素材としては、前記タンタルの他にアルミ、クロム
等が好適に適用される。次に図３を参照して、ゲート絶
縁膜である窒化シリコン膜３０１、非ドープアモルファ
スシリコン膜３０２、及びｎ+ アモルファスシリコン膜
３０３を順次プラズマＣＶＤ法により形成し、両アモル
ファスシリコン膜を島状にパターニングする。
が挙げられ、好適にはガラスが適用できる。走査電極線
用の素材としては、前記タンタルの他にアルミ、クロム
等が好適に適用される。次に図３を参照して、ゲート絶
縁膜である窒化シリコン膜３０１、非ドープアモルファ
スシリコン膜３０２、及びｎ+ アモルファスシリコン膜
３０３を順次プラズマＣＶＤ法により形成し、両アモル
ファスシリコン膜を島状にパターニングする。
【００１３】次に図４を参照して、チタン膜４０１をス
パッタリング法で成膜し、そしてｎ + シリコン膜と共に
パターン化して信号電極線を形成する。次に図５のＴＦ
Ｔアレイの平面図（ａ）及び平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図
（ｂ）を参照して、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により
成膜し、画素電極５０１としてパターン化する。そし
て、窒化シリコン膜を画面全体に形成し、パッシベーシ
ョン膜５０２とする。
パッタリング法で成膜し、そしてｎ + シリコン膜と共に
パターン化して信号電極線を形成する。次に図５のＴＦ
Ｔアレイの平面図（ａ）及び平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図
（ｂ）を参照して、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により
成膜し、画素電極５０１としてパターン化する。そし
て、窒化シリコン膜を画面全体に形成し、パッシベーシ
ョン膜５０２とする。
【００１４】ＴＦＴは前記アモルファスシリコン系の他
に、ポリシリコン系などが挙げられる。なお、パッシベ
ーション膜は、ここで用いた窒化シリコン膜に限らず、
酸化シリコン膜、あるいはポリイミド膜等の高分子樹脂
膜でもよい。パッシベーション膜５０２の上に、クロム
膜をスパッタリング法で成膜後、図１の平面図（ａ）及
び平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）に示すようにＴＦＴ
部、画素電極と走査電極線間の非表示部、画素電極と信
号電極線間の非表示部の上に、それらを遮蔽する大きさ
の遮光膜１０１をパターニングする。さらに、遮光膜材
料としてクロム膜の他にアルミニウム、チタン、モリブ
デン、タンタルモリブデン、チタンまたはカーボンブラ
ックあるいは黒色顔料を混入したアクリル系樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリアミド樹脂などの黒色樹脂が好適に利
用される。
に、ポリシリコン系などが挙げられる。なお、パッシベ
ーション膜は、ここで用いた窒化シリコン膜に限らず、
酸化シリコン膜、あるいはポリイミド膜等の高分子樹脂
膜でもよい。パッシベーション膜５０２の上に、クロム
膜をスパッタリング法で成膜後、図１の平面図（ａ）及
び平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）に示すようにＴＦＴ
部、画素電極と走査電極線間の非表示部、画素電極と信
号電極線間の非表示部の上に、それらを遮蔽する大きさ
の遮光膜１０１をパターニングする。さらに、遮光膜材
料としてクロム膜の他にアルミニウム、チタン、モリブ
デン、タンタルモリブデン、チタンまたはカーボンブラ
ックあるいは黒色顔料を混入したアクリル系樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリアミド樹脂などの黒色樹脂が好適に利
用される。
【００１５】対向基板側には、まずガラス基板上にＩＴ
Ｏをスパッタリング法で成膜し、対向電極とする。遮光
膜は形成しない。対向基板材料としては前記ＩＴＯ膜の
他に酸化スズや酸化インジウムが適用されるが、ＩＴＯ
膜が好適である。このようにして作製した対向基板とＴ
ＦＴを備えた基板を、対向電極とＴＦＴが対向するよう
に直径約１０μｍのプラステチックビーズを間に挟んで
シール樹脂を用いて貼り合わせる。その後、予めシール
樹脂パターンの一部を開口して設けた注入口から、紫外
線等の光による重合性をもつモノマーまたはオリゴマー
と液晶材料の混合物を注入し、注入口を樹脂により封止
する。
Ｏをスパッタリング法で成膜し、対向電極とする。遮光
膜は形成しない。対向基板材料としては前記ＩＴＯ膜の
他に酸化スズや酸化インジウムが適用されるが、ＩＴＯ
膜が好適である。このようにして作製した対向基板とＴ
ＦＴを備えた基板を、対向電極とＴＦＴが対向するよう
に直径約１０μｍのプラステチックビーズを間に挟んで
シール樹脂を用いて貼り合わせる。その後、予めシール
樹脂パターンの一部を開口して設けた注入口から、紫外
線等の光による重合性をもつモノマーまたはオリゴマー
と液晶材料の混合物を注入し、注入口を樹脂により封止
する。
【００１６】注入後、紫外線等の光を対向基板側から照
射し、モノマーあるいはオリゴマーを重合させ、ポリマ
ー分散型液晶層を形成する。ここで、紫外線等の光によ
る重合性をもつモノマーまたはオリゴマーはアクリル系
材料、エポキシ系材料等が挙げられ、好適にはアクリル
系材料が適用される。また、液晶材料としてはシアノフ
ェニルシクロヘキサン系、シアノビフェニル系、フッ素
系、トラン系などが挙げられる。
射し、モノマーあるいはオリゴマーを重合させ、ポリマ
ー分散型液晶層を形成する。ここで、紫外線等の光によ
る重合性をもつモノマーまたはオリゴマーはアクリル系
材料、エポキシ系材料等が挙げられ、好適にはアクリル
系材料が適用される。また、液晶材料としてはシアノフ
ェニルシクロヘキサン系、シアノビフェニル系、フッ素
系、トラン系などが挙げられる。
【００１７】この後は、従来法と同じように駆動用ＩＣ
と駆動用回路により液晶表示装置に画像表示を行う。
と駆動用回路により液晶表示装置に画像表示を行う。
【００１８】
【作用】上記の手段を用いることにより、パネル内の未
重合残存物質をほぼ無くすことができ、その結果、表示
品位が高く、信頼性の良いアクテイブマトリクス駆動方
式液晶表示装置を提供することができる。
重合残存物質をほぼ無くすことができ、その結果、表示
品位が高く、信頼性の良いアクテイブマトリクス駆動方
式液晶表示装置を提供することができる。
【００１９】
【実施例】本発明のＴＦＴパネルの製造工程を説明す
る。前記の図２から図５までは製造工程について、図１
は完成したパネルの平面図と断面図の概略である。図２
から図５はＴＦＴアレイの平面図（ａ）及び平面図中Ｐ
−Ｐ’の断面図（ｂ）を工程に沿って順次示したもので
あり、この図を参照して説明する。なお補助容量並びに
補助容量電極線等、本発明に直接関係しない部分は省略
している。まず、図２を参照して、ガラス基板２０１上
にタンタルの薄膜をスパッタリング法で形成して、フォ
トリソグラフの手法を用いて走査電極２０２を形成す
る。
る。前記の図２から図５までは製造工程について、図１
は完成したパネルの平面図と断面図の概略である。図２
から図５はＴＦＴアレイの平面図（ａ）及び平面図中Ｐ
−Ｐ’の断面図（ｂ）を工程に沿って順次示したもので
あり、この図を参照して説明する。なお補助容量並びに
補助容量電極線等、本発明に直接関係しない部分は省略
している。まず、図２を参照して、ガラス基板２０１上
にタンタルの薄膜をスパッタリング法で形成して、フォ
トリソグラフの手法を用いて走査電極２０２を形成す
る。
【００２０】次に図３を参照して、ゲート絶縁膜である
窒化シリコン膜３０１、非ドープアモルファスシリコン
膜３０２、及びｎ+ アモルファスシリコン膜３０３を順
次プラズマＣＶＤ法により形成し、両アモルファスシリ
コン膜を島状にパターニングする。次に図４を参照し
て、チタン膜４０１をスパッタリング法で成膜し、そし
てｎ + シリコン膜と共にパターン化して信号電極線を形
成する。
窒化シリコン膜３０１、非ドープアモルファスシリコン
膜３０２、及びｎ+ アモルファスシリコン膜３０３を順
次プラズマＣＶＤ法により形成し、両アモルファスシリ
コン膜を島状にパターニングする。次に図４を参照し
て、チタン膜４０１をスパッタリング法で成膜し、そし
てｎ + シリコン膜と共にパターン化して信号電極線を形
成する。
【００２１】次に図５のＴＦＴアレイの平面図（ａ）及
び平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）を参照して、ＩＴＯ
膜をスパッタリング法により成膜し、画素電極５０１と
してパターン化する。そして、窒化シリコン膜を画面全
体に形成し、パッシベーション膜５０２とする。パッシ
ベーション膜５０２の上に、クロム膜をスパッタリング
法で成膜後、図１の平面図（ａ）及び平面図中Ｐ−Ｐ’
の断面図（ｂ）に示すようにＴＦＴ部、画素電極と走査
電極線間の非表示部、画素電極と信号電極線間の非表示
部の上に、それらを遮蔽する大きさの遮光膜１０１をパ
ターニングする。
び平面図中Ｐ−Ｐ’の断面図（ｂ）を参照して、ＩＴＯ
膜をスパッタリング法により成膜し、画素電極５０１と
してパターン化する。そして、窒化シリコン膜を画面全
体に形成し、パッシベーション膜５０２とする。パッシ
ベーション膜５０２の上に、クロム膜をスパッタリング
法で成膜後、図１の平面図（ａ）及び平面図中Ｐ−Ｐ’
の断面図（ｂ）に示すようにＴＦＴ部、画素電極と走査
電極線間の非表示部、画素電極と信号電極線間の非表示
部の上に、それらを遮蔽する大きさの遮光膜１０１をパ
ターニングする。
【００２２】対向基板側には、まずガラス基板上にＩＴ
Ｏをスパッタリング法で成膜し、対向電極とする。遮光
膜は形成しない。このようにして作製した対向基板とＴ
ＦＴを備えた基板を、対向電極とＴＦＴが対向するよう
に直径１０μｍのプラステチックビーズを間に挟んでシ
ール樹脂を用いて貼り合わせる。その後、予めシール樹
脂パターンの一部を開口して設けた注入口から、紫外線
による重合性をもつポリマー（アクリル系）のモノマー
と液晶材料（シアノフェニルシクロヘキサン系）の混合
物を注入し、注入口を樹脂により封止する。
Ｏをスパッタリング法で成膜し、対向電極とする。遮光
膜は形成しない。このようにして作製した対向基板とＴ
ＦＴを備えた基板を、対向電極とＴＦＴが対向するよう
に直径１０μｍのプラステチックビーズを間に挟んでシ
ール樹脂を用いて貼り合わせる。その後、予めシール樹
脂パターンの一部を開口して設けた注入口から、紫外線
による重合性をもつポリマー（アクリル系）のモノマー
と液晶材料（シアノフェニルシクロヘキサン系）の混合
物を注入し、注入口を樹脂により封止する。
【００２３】注入後、紫外線を対向基板側から照射し、
モノマーを重合させ、ポリマー分散型液晶層を形成す
る。この後は、従来法と同じように駆動用ＩＣと駆動用
回路により液晶表示装置に画像表示を行う。ついで、本
実施例の製造方法による表示装置と従来法によるものの
表示部の電気光学特性を比較した。初期においては両者
に大差は認められなかったが、１０００時間経過後は本
発明の表示装置の特性が著しく良好な結果を示した。こ
れは従来法の表示装置では、液晶表示装置の使用時間の
経過と共に、未重合物質が表示部に拡散して、表示部の
電気光学特性が変化したものと考えられる。
モノマーを重合させ、ポリマー分散型液晶層を形成す
る。この後は、従来法と同じように駆動用ＩＣと駆動用
回路により液晶表示装置に画像表示を行う。ついで、本
実施例の製造方法による表示装置と従来法によるものの
表示部の電気光学特性を比較した。初期においては両者
に大差は認められなかったが、１０００時間経過後は本
発明の表示装置の特性が著しく良好な結果を示した。こ
れは従来法の表示装置では、液晶表示装置の使用時間の
経過と共に、未重合物質が表示部に拡散して、表示部の
電気光学特性が変化したものと考えられる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、従来法では達成できなかっ
た、高品位画像で、高信頼性で表示できるアクテイブマ
トリクス駆動方式散乱型液晶表示装置を提供できた。
た、高品位画像で、高信頼性で表示できるアクテイブマ
トリクス駆動方式散乱型液晶表示装置を提供できた。
【図１】本発明の実施例における表示装置の構成概略図
である。
である。
【図２】本発明の実施例における液晶表示装置の製造工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図６】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図７】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図８】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図９】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図１０】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図
である。
である。
【図１１】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図
である。
である。
【図１２】従来の液晶表示装置の製造工程を説明する図
である。
である。
１０１ 遮光膜 ２０１ ガラス基板 ２０２ 走査電極 ３０１ 窒化シリコン膜 ３０２ 非ドープアモルファスシリコン膜 ３０３ ｎ+ アモルファスシリコン膜 ４０１ チタン膜 ５０１ 画素電極 ５０２ パッシベーション膜 ６０１ ガラス基板 ６０２ ＴＦＴ ６０３ 画素電極 ６０４ 走査電極線 ６０５ 信号電極線 ６０６ パッシベーション膜 ６０７ ゲート絶縁膜 ６０８ 非ドープアモルファスシリコン膜 ６０９ ｎ+ アモルファスシリコン膜 ６１０ ソース電極 ６１１ ドレイン電極 ７０１ ガラス基板 ７０２ パターン ７０３ 有効表示部 ７０４ ＩＴＯ膜 ８０１ 走査電極端子 ８０２ 信号電極端子 ８０３ 対向電極端子 ９０１ 対向基板 ９０２ シール樹脂 ９０３ ＴＦＴを備えた基板 ９０４ 導電性樹脂 ９０５ 対向電極用電極線 １００１ シール樹脂 １００２ プラスチックビーズ １００３ 液晶材料の混合物 １００４ ＴＦＴを備えた基板 １００５ ＴＦＴ １００６ 画素電極 １００７ パッシベーション膜 １００８ 対向基板 １００９ 遮光膜 １０１０ 対向電極 １１０１ 液晶相 １１０２ 液晶分子 １１０３ ポリマー化合物 １１０４ 界面 １１０５ 透明電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−223727（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−271233（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−145218（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−166422（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−166422（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−119350（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 500 G02F 1/1333
Claims (3)
- 【請求項１】一対の絶縁性基板における一方の基板上に
走査電極線を形成し、前記走査電極線上に複数の薄膜ト
ランジスター（ＴＦＴ）を設置し、その上にパターン化
した信号電極線を設け、ＴＦＴを介して前記信号電極線
より電圧を印加しうるように画素電極を設置し、前記画
素電極上をパッシベーション膜で被覆し、ＴＦＴ部、画
素電極と走査電極線間の非表示部、画素電極と信号電極
線間の非表示部を遮蔽するようにパッシベーション膜の
上に遮蔽膜を設け、 他方の基板上に対向電極を設け、対向電極とＴＦＴが対
向するように一対の絶縁性基板を設置し、一対の絶縁性
基板間に光重合性をもつモノマーと、液晶材料の混合物
を注入し、他方の基板側から光照射してポリマー分散型
液晶層を形成することを特徴とするアクティブマトリッ
クス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 光重合性をもつモノマーがアクリル系ま
たはエポキシ系である請求項１項に記載された製造方
法。 - 【請求項３】 遮蔽膜がクロム、アルミ、タンタル、モ
リブデン、チタンまたはカーボンブラックあるいは黒色
顔料を混入したアクリル系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
アミド樹脂の黒色樹脂膜より選ばれた膜である請求項１
〜２項のいずれかの項に記載された製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1427492A JP2801104B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | アクテイブマトリックス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP1427492A JP2801104B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | アクテイブマトリックス駆動方式散乱型液晶表示装置の製造方法 |
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| JP2801104B2 true JP2801104B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
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|---|---|---|---|
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-
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- 1992-01-29 JP JP1427492A patent/JP2801104B2/ja not_active Expired - Lifetime
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