JP3374812B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面実装型の半導体
装置に関し、特に、本発明は、中間基板に有機基板を用
いたフリップチップ実装を有する面実装型の半導体装置
に関する。
装置に関し、特に、本発明は、中間基板に有機基板を用
いたフリップチップ実装を有する面実装型の半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は一般に、放熱板、補
強板等を設けて構成される。例えば、従来例１としての
特開平１１−４０６８７号公報の「半導体装置」を、図
４および図５に示す。図４は縦断面図、図５は横断面図
である。この従来の半導体装置は、半導体チップ２１、
バンプ２２、樹脂基板２３、樹脂基板上面２４、パッド
２５、はんだボール２７、封止樹脂２８、補強板２９、
接着剤３０、３３、補強部材３１、およびカバー板３２
を有して構成される。本構成の半導体装置は、反り防止
のためにフリップチップ型のＢＧＡ（Ball Grid Array)
パッケージの半導体チップ２１を避けた四隅の部分に補
強板２９を接着し、さらにその上にカバー板３２を接着
した構造となっている。必要に応じて、カバー板３２の
上面に不図示の放熱フィンを取り付けることができる。
強板等を設けて構成される。例えば、従来例１としての
特開平１１−４０６８７号公報の「半導体装置」を、図
４および図５に示す。図４は縦断面図、図５は横断面図
である。この従来の半導体装置は、半導体チップ２１、
バンプ２２、樹脂基板２３、樹脂基板上面２４、パッド
２５、はんだボール２７、封止樹脂２８、補強板２９、
接着剤３０、３３、補強部材３１、およびカバー板３２
を有して構成される。本構成の半導体装置は、反り防止
のためにフリップチップ型のＢＧＡ（Ball Grid Array)
パッケージの半導体チップ２１を避けた四隅の部分に補
強板２９を接着し、さらにその上にカバー板３２を接着
した構造となっている。必要に応じて、カバー板３２の
上面に不図示の放熱フィンを取り付けることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の構造の半導体装置は、樹脂基板２３の半導体チッ
プ２１を避けた部分を使用して補強板２９を取り付ける
ため、取り付けのためのエリアが必要であり、半導体装
置の外形サイズを極力小さくしようとするには適してい
ない。
来例の構造の半導体装置は、樹脂基板２３の半導体チッ
プ２１を避けた部分を使用して補強板２９を取り付ける
ため、取り付けのためのエリアが必要であり、半導体装
置の外形サイズを極力小さくしようとするには適してい
ない。
【０００４】また、補強板２９、カバー板３２はＳＵＳ
３０４や銅を使用しており、重量も大きく、小型軽量化
を狙う製品への適用には適していない。その熱膨張係数
は、ＳＵＳ３０４：１８．９ｐｐｍ、銅：１６．５ｐｐ
ｍといずれも通常のガラスエポキシ基板の１２〜１４ｐ
ｐｍよりも大きく、リフロー時やその後に温度変化にさ
らされた場合、熱膨張係数の大きさが違うことによるス
トレスが半導体装置に加わり、ＰＫＧ（パッケージ）自
身の信頼性を低下させる可能性がある。
３０４や銅を使用しており、重量も大きく、小型軽量化
を狙う製品への適用には適していない。その熱膨張係数
は、ＳＵＳ３０４：１８．９ｐｐｍ、銅：１６．５ｐｐ
ｍといずれも通常のガラスエポキシ基板の１２〜１４ｐ
ｐｍよりも大きく、リフロー時やその後に温度変化にさ
らされた場合、熱膨張係数の大きさが違うことによるス
トレスが半導体装置に加わり、ＰＫＧ（パッケージ）自
身の信頼性を低下させる可能性がある。
【０００５】さらに熱膨張係数が異なることにより、温
度変化により半導体装置に反りが生じ、その反りの生じ
る部分にはんだボール接続部が有る場合は、応力が加わ
り、はんだでの破断を引き起こし易く、接続信頼性を低
下させる場合があるという問題を伴う。
度変化により半導体装置に反りが生じ、その反りの生じ
る部分にはんだボール接続部が有る場合は、応力が加わ
り、はんだでの破断を引き起こし易く、接続信頼性を低
下させる場合があるという問題を伴う。
【０００６】本発明は、基板スペース利用効率を高め、
接続信頼性を高めた半導体装置を提供することを目的と
する。
接続信頼性を高めた半導体装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、請求項１記載の発明によれば、半導体装置は、中間
基板に有機基板を用いたフリップチップ実装を有する面
実装型の半導体装置において、回路面を中間基板側に向
けて実装されている半導体チップと、半導体チップの裏
面側すなわち中間基板の反対側に設けられた補強基板
と、中間基板の半導体チップを実装している面の反対面
に形成されたＢＧＡ接続用のはんだボールとを有して構
成され、補強基板の厚みおよび材質を中間基板と同じと
したことを特徴とするものである。
め、請求項１記載の発明によれば、半導体装置は、中間
基板に有機基板を用いたフリップチップ実装を有する面
実装型の半導体装置において、回路面を中間基板側に向
けて実装されている半導体チップと、半導体チップの裏
面側すなわち中間基板の反対側に設けられた補強基板
と、中間基板の半導体チップを実装している面の反対面
に形成されたＢＧＡ接続用のはんだボールとを有して構
成され、補強基板の厚みおよび材質を中間基板と同じと
したことを特徴とするものである。
【０００８】請求項２記載の発明によれば、半導体装置
は、補強基板には、半導体チップを収容するように半導
体チップを覆い包む凹部（キャビティ）が設けられ、こ
の凹部は、半導体チップと同じ厚みでかつ同じ大きさで
あり、補強基板の厚みを、当該補強基板における凹部底
面の肉薄部の肉厚とし、補強基板の凹部周辺の最も厚い
部分が、半導体チップの厚みと中間基板の厚みとを合わ
せた厚みとなっている請求項１に記載の半導体装置であ
ることを特徴とするものである。
は、補強基板には、半導体チップを収容するように半導
体チップを覆い包む凹部（キャビティ）が設けられ、こ
の凹部は、半導体チップと同じ厚みでかつ同じ大きさで
あり、補強基板の厚みを、当該補強基板における凹部底
面の肉薄部の肉厚とし、補強基板の凹部周辺の最も厚い
部分が、半導体チップの厚みと中間基板の厚みとを合わ
せた厚みとなっている請求項１に記載の半導体装置であ
ることを特徴とするものである。
【０００９】請求項３記載の発明よれば、半導体装置
は、補強基板の両表層にはベタ銅パターンを設け、この
補強基板の半導体チップの上部に当たる部分にさらに所
定の大きさの放熱用スルーホールを設け、放熱性を高め
た請求項１または２に記載の半導体装置であることを特
徴とするものである。
は、補強基板の両表層にはベタ銅パターンを設け、この
補強基板の半導体チップの上部に当たる部分にさらに所
定の大きさの放熱用スルーホールを設け、放熱性を高め
た請求項１または２に記載の半導体装置であることを特
徴とするものである。
【００１０】請求項４記載の発明よれば、半導体装置
は、補強基板は、半導体チップおよび中間基板へ所定の
接着剤により強固に接着されている請求項１から３の何
れか１項に記載の半導体装置であることを特徴とするも
のである。
は、補強基板は、半導体チップおよび中間基板へ所定の
接着剤により強固に接着されている請求項１から３の何
れか１項に記載の半導体装置であることを特徴とするも
のである。
【００１１】請求項５記載の発明よれば、半導体装置
は、中間基板の熱膨張係数（α１）と補強基板の熱膨張
係数（α２）を、α１＞α２、の関係とした請求項１か
ら４の何れか１項に記載の半導体装置であることを特徴
とするものである。
は、中間基板の熱膨張係数（α１）と補強基板の熱膨張
係数（α２）を、α１＞α２、の関係とした請求項１か
ら４の何れか１項に記載の半導体装置であることを特徴
とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による半導体装置の実施の形態を詳細に説明する。図１
から図３を参照すると、本発明の半導体装置の一実施形
態が示されている。
による半導体装置の実施の形態を詳細に説明する。図１
から図３を参照すると、本発明の半導体装置の一実施形
態が示されている。
【００１３】（第１の実施例）
図１に本発明の半導体装置の第１の実施例の断面図を示
す。本実施例の半導体装置１は、半導体チップ２、中間
基板３、補強基板４、接着材５、はんだボール６、マザ
ーボード７、放熱用スルーホール８、を有して構成され
る。
す。本実施例の半導体装置１は、半導体チップ２、中間
基板３、補強基板４、接着材５、はんだボール６、マザ
ーボード７、放熱用スルーホール８、を有して構成され
る。
【００１４】半導体装置１はフリップチップ実装構造を
とっており、半導体チップ２は回路面を中間基板３側に
向けて実装されている。半導体チップ２の裏面側すなわ
ち中間基板３の反対側に補強基板４が設けられている。
補強基板４の厚み、材質は中間基板と同じであり、半導
体チップ２および中間基板３へ接着剤５により強固に接
着されている。中間基板３の半導体チップ２を実装して
いる面の反対面にはＢＧＡ（Ball Grid Array)接続用の
はんだボール６が形成され、このはんだボール６により
マザーボード７に実装されている。
とっており、半導体チップ２は回路面を中間基板３側に
向けて実装されている。半導体チップ２の裏面側すなわ
ち中間基板３の反対側に補強基板４が設けられている。
補強基板４の厚み、材質は中間基板と同じであり、半導
体チップ２および中間基板３へ接着剤５により強固に接
着されている。中間基板３の半導体チップ２を実装して
いる面の反対面にはＢＧＡ（Ball Grid Array)接続用の
はんだボール６が形成され、このはんだボール６により
マザーボード７に実装されている。
【００１５】（動作の説明）
図１に示す本発明の半導体装置の第１の実施例につい
て、図面を基に詳細に説明する。上記に構成される半導
体装置１は、フリップチップ実装構造をとっており、半
導体チップ２の回路面を中間基板３側に向けて実装され
ている。中間基板３はガラスエポキシ基板であり、半導
体チップ２のピン数とピンピッチによっては微細配線の
可能なビルドアップ構造の基板を使用することができ
る。
て、図面を基に詳細に説明する。上記に構成される半導
体装置１は、フリップチップ実装構造をとっており、半
導体チップ２の回路面を中間基板３側に向けて実装され
ている。中間基板３はガラスエポキシ基板であり、半導
体チップ２のピン数とピンピッチによっては微細配線の
可能なビルドアップ構造の基板を使用することができ
る。
【００１６】半導体チップ２の裏面側、すなわち中間基
板３の反対側に補強基板４が設けられている。補強基板
４の材質は、中間基板３と同じガラスエポキシ基板を用
いており、図１の場合は、板厚、外形サイズも中間基板
３と同じである。この補強基板４は、半導体チップ２お
よび中間基板３に接着剤５により強固に接着されてい
る。半導体チップ１の厚み分、補強基板４と中間基板３
に間隙が生ずるが、その間隙へも接着剤５を充填する。
本実施例での接着剤５は、熱硬化型のエポキシ樹脂を用
いている。
板３の反対側に補強基板４が設けられている。補強基板
４の材質は、中間基板３と同じガラスエポキシ基板を用
いており、図１の場合は、板厚、外形サイズも中間基板
３と同じである。この補強基板４は、半導体チップ２お
よび中間基板３に接着剤５により強固に接着されてい
る。半導体チップ１の厚み分、補強基板４と中間基板３
に間隙が生ずるが、その間隙へも接着剤５を充填する。
本実施例での接着剤５は、熱硬化型のエポキシ樹脂を用
いている。
【００１７】中間基板３の半導体チップ２を実装してい
る面の反対面にＢＧＡ接続用のはんだボール６が形成さ
れ、このはんだボール６により、電気的、機械的にマザ
ーボード７に実装されている。本実施例でのはんだボー
ル６は、Ｓｎ６３／Ｐｂ３７の共晶はんだを用いてい
る。
る面の反対面にＢＧＡ接続用のはんだボール６が形成さ
れ、このはんだボール６により、電気的、機械的にマザ
ーボード７に実装されている。本実施例でのはんだボー
ル６は、Ｓｎ６３／Ｐｂ３７の共晶はんだを用いてい
る。
【００１８】本実施例の第１の効果として、半導体装置
をマザーボードに実装した際のＢＧＡはんだボールの接
続信頼性が良いことがあげられる。これは、半導体チッ
プに対して、同材質の中間基板と補強基板が対称的に配
置されている構造であるため、熱ストレスが加わった時
に半導体装置自身の反りの発生を抑えることができるか
らである。その結果、マザーボードに実装した時に、は
んだボールの接続部に加わるストレスを抑えることがで
きる。
をマザーボードに実装した際のＢＧＡはんだボールの接
続信頼性が良いことがあげられる。これは、半導体チッ
プに対して、同材質の中間基板と補強基板が対称的に配
置されている構造であるため、熱ストレスが加わった時
に半導体装置自身の反りの発生を抑えることができるか
らである。その結果、マザーボードに実装した時に、は
んだボールの接続部に加わるストレスを抑えることがで
きる。
【００１９】本実施例の第２の効果として、軽量、小型
な半導体装置を得ることができる。これは、比重の大き
い金属製の補強基板を使用せず、比重の小さい樹脂性の
基板を使用しているためである。また、補強基板を半導
体チップも含めた部分に接着することができ、半導体装
置としての外形サイズを極力小さくすることができる。
な半導体装置を得ることができる。これは、比重の大き
い金属製の補強基板を使用せず、比重の小さい樹脂性の
基板を使用しているためである。また、補強基板を半導
体チップも含めた部分に接着することができ、半導体装
置としての外形サイズを極力小さくすることができる。
【００２０】（第２の実施例）
本発明の第２の実施例を図２に示す。本図２においては
補強基板４には、半導体チップ２と同じ厚み、同じ大き
さの凹部（キャビティ）が設けてあり、接着する際に半
導体チップ２を覆い包む構造となっている。補強基板４
の最も厚い部分の厚みは、半導体チップ２と中間基板３
の厚みを合わせた厚みとなっている。
補強基板４には、半導体チップ２と同じ厚み、同じ大き
さの凹部（キャビティ）が設けてあり、接着する際に半
導体チップ２を覆い包む構造となっている。補強基板４
の最も厚い部分の厚みは、半導体チップ２と中間基板３
の厚みを合わせた厚みとなっている。
【００２１】本構造とすることにより、第１の実施例の
場合よりも接着材の部分が小さくなり、より温度ストレ
スが加わった場合のＰＫＧ自身の信頼性を向上させるこ
とができる。
場合よりも接着材の部分が小さくなり、より温度ストレ
スが加わった場合のＰＫＧ自身の信頼性を向上させるこ
とができる。
【００２２】（第３の実施例）
本発明の第３の実施例を図３に示す。本図３において
は、補強基板４の半導体チップ２の上部に当たる部分に
放熱用スルーホール８が設けられている。放熱用スルー
ホール８を補強基板４の両表層に設けたベタ銅パターン
に接続することにより、さらに放熱性を高めることがで
きる。本構造においては、半導体チップ２の周囲を密封
する構造でありながら熱設計も考慮しているため、消費
電力の大きい半導体チップにも適用可能である。
は、補強基板４の半導体チップ２の上部に当たる部分に
放熱用スルーホール８が設けられている。放熱用スルー
ホール８を補強基板４の両表層に設けたベタ銅パターン
に接続することにより、さらに放熱性を高めることがで
きる。本構造においては、半導体チップ２の周囲を密封
する構造でありながら熱設計も考慮しているため、消費
電力の大きい半導体チップにも適用可能である。
【００２３】これは図２の構造においても、放熱用スル
ーホール８を設けることにより、本第３の実施例と同様
の効果を得ることができる。
ーホール８を設けることにより、本第３の実施例と同様
の効果を得ることができる。
【００２４】（第４の実施例）
第１から第３の実施例では、中間基板３と補強基板４は
同じ材質の同じサイズのものを使用しているが、第４の
実施例として半導体チップ２、中間基板３、補強基板４
さらにはマザーボード７のそれぞれの熱膨張係数を考慮
してＢＧＡの接続信頼性を向上させることもできる。
同じ材質の同じサイズのものを使用しているが、第４の
実施例として半導体チップ２、中間基板３、補強基板４
さらにはマザーボード７のそれぞれの熱膨張係数を考慮
してＢＧＡの接続信頼性を向上させることもできる。
【００２５】中間基板３と補強基板４はいずれも半導体
装置の外形サイズと同サイズであり、使用する基板面積
はそれほど大きくない。しかしマザーボード７は、通常
使用する基板面積は大きいため、安価な基板を使用する
ことが望ましい。安価な基板としては、熱膨張係数の大
きいガラスエポキシ基板が代表的であるが、その熱膨張
係数は大きい場合で１４ｐｐｍまで大きくなる。
装置の外形サイズと同サイズであり、使用する基板面積
はそれほど大きくない。しかしマザーボード７は、通常
使用する基板面積は大きいため、安価な基板を使用する
ことが望ましい。安価な基板としては、熱膨張係数の大
きいガラスエポキシ基板が代表的であるが、その熱膨張
係数は大きい場合で１４ｐｐｍまで大きくなる。
【００２６】一方、フリップチップ実装する相手の中間
基板３には、半導体チップ２の熱膨張係数（３ｐｐｍ）
に近づけるために、低膨張の有機基板を使用する場合が
ある（１０〜７ｐｐｍ程度）。その場合は、中間基板３
の熱膨張係数（α１）と補強基板４の熱膨張係数（α
２）を、α１＞α２、とすることにより、ＢＧＡの接続
信頼性を向上させることができる。
基板３には、半導体チップ２の熱膨張係数（３ｐｐｍ）
に近づけるために、低膨張の有機基板を使用する場合が
ある（１０〜７ｐｐｍ程度）。その場合は、中間基板３
の熱膨張係数（α１）と補強基板４の熱膨張係数（α
２）を、α１＞α２、とすることにより、ＢＧＡの接続
信頼性を向上させることができる。
【００２７】これは、このような熱膨張係数にすること
により、半導体装置１単体では、加熱時には中央部が下
に凸に、冷却時には上に凸に変形する。よって、半導体
装置１を熱膨張係数の大きいマザーボード７に実装した
場合の、加熱冷却時の変形に追従する。ただし、半導体
装置１単体の加熱時の変形量は、補強基板４を取り付け
ていない構造の時よりも変形量を小さくコントロールす
る必要がある。
により、半導体装置１単体では、加熱時には中央部が下
に凸に、冷却時には上に凸に変形する。よって、半導体
装置１を熱膨張係数の大きいマザーボード７に実装した
場合の、加熱冷却時の変形に追従する。ただし、半導体
装置１単体の加熱時の変形量は、補強基板４を取り付け
ていない構造の時よりも変形量を小さくコントロールす
る必要がある。
【００２８】また、同様な効果として、中間基板３と補
強基板４の材質を同じとした場合は、中間基板３の板厚
（ｔ１）と補強基板４の板厚を、ｔ１＞ｔ２、として中
間基板２の熱変形をやや優位とさせてもよい。
強基板４の材質を同じとした場合は、中間基板３の板厚
（ｔ１）と補強基板４の板厚を、ｔ１＞ｔ２、として中
間基板２の熱変形をやや優位とさせてもよい。
【００２９】さらに、板厚を同じとした場合で、中間基
板３の剛性（Ｅ１）を補強基板４の剛性（Ｅ２）を、Ｅ
１＞Ｅ２、としてもよい。このことは、これらを組み合
わせた場合や、基板の表層、内層の銅配線層のパターン
の設計によっても同様な効果を得ることができるのは明
らかである。
板３の剛性（Ｅ１）を補強基板４の剛性（Ｅ２）を、Ｅ
１＞Ｅ２、としてもよい。このことは、これらを組み合
わせた場合や、基板の表層、内層の銅配線層のパターン
の設計によっても同様な効果を得ることができるのは明
らかである。
【００３０】尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の半導体装置は、半導体チップが回路面を中間基板側に
向けて実装され、補強基板が半導体チップの裏面側すな
わち中間基板の反対側に設けられ、ＢＧＡ接続用のはん
だボールが中間基板の半導体チップを実装している面の
反対面に形成されている。この構成により、マザーボー
ドへ実装時の熱ストレスが加わった時に半導体装置自身
の反りの発生を抑えることができ、また、はんだボール
の接続部に加わるストレスも抑えることができ、ＢＧＡ
はんだボールの接続信頼性が向上する。
の半導体装置は、半導体チップが回路面を中間基板側に
向けて実装され、補強基板が半導体チップの裏面側すな
わち中間基板の反対側に設けられ、ＢＧＡ接続用のはん
だボールが中間基板の半導体チップを実装している面の
反対面に形成されている。この構成により、マザーボー
ドへ実装時の熱ストレスが加わった時に半導体装置自身
の反りの発生を抑えることができ、また、はんだボール
の接続部に加わるストレスも抑えることができ、ＢＧＡ
はんだボールの接続信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の実施形態を示す第１の実
施例の断面図である。
施例の断面図である。
【図２】第２の実施例の断面図である。
【図３】第３の実施例の断面図である。
【図４】従来例の縦断面図である。
【図５】従来例の横断面図である。
１ 半導体装置
２ 半導体チップ
３ 中間基板
４ 補強基板
５ 接着材
６ はんだボール
７ マザーボード
８ 放熱用スルーホール
２１ 半導体チップ
２２ バンプ
２３ 樹脂基板
２４ 樹脂基板上面
２５ パッド
２７ はんだボール
２８ 封止樹脂
２９ 補強板
３０、３３ 接着剤
３１ 補強部材
３２ カバー板
Claims (5)
- 【請求項１】 中間基板に有機基板を用いたフリップチ
ップ実装を有する面実装型の半導体装置において、 回路面を前記中間基板側に向けて実装されている半導体
チップと、 前記半導体チップの裏面側すなわち中間基板の反対側に
設けられた補強基板と、 前記中間基板の半導体チップを実装している面の反対面
に形成されたＢＧＡ接続用のはんだボールと、 を有して構成され、 前記補強基板の厚みおよび材質を前記中間基板と同じと
したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記補強基板は、前記半導体チップを収
容するように前記半導体チップを覆い包む凹部（キャビ
ティ）が設けられ、 前記凹部は、前記半導体チップと同じ厚みでかつ同じ大
きさであり、 前記補強基板の厚みを、当該補強基板における前記凹部
底面の肉薄部の肉厚とし、 前記補強基板の凹部周辺の最も厚い部分が、前記半導体
チップの厚みと前記中間基板の厚みとを合わせた厚みと
なっている ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 前記補強基板の両表層にはベタ銅パター
ンを設け、 該補強基板の前記半導体チップの上部に当たる部分にさ
らに所定の大きさの放熱用スルーホールを設け、 放熱性を高めたことを特徴とする請求項１または２に記
載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記補強基板は、前記半導体チップおよ
び中間基板へ所定の接着剤により強固に接着されている
ことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の半導
体装置。 - 【請求項５】 前記中間基板の熱膨張係数（α１）と前
記補強基板の熱膨張係数（α２）を、α１＞α２、の関
係としたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31942799A JP3374812B2 (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31942799A JP3374812B2 (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001135749A JP2001135749A (ja) | 2001-05-18 |
| JP3374812B2 true JP3374812B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=18110083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31942799A Expired - Fee Related JP3374812B2 (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3374812B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101919248B1 (ko) | 2014-01-09 | 2018-11-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 휘어짐 제어 구조체를 갖는 반도체 디바이스 패키지 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4930204B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2012-05-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5150518B2 (ja) | 2008-03-25 | 2013-02-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置および多層配線基板ならびにそれらの製造方法 |
| JP5980566B2 (ja) | 2012-05-17 | 2016-08-31 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| DE102014114973B4 (de) * | 2014-10-15 | 2020-10-01 | Infineon Technologies Ag | Einpress-Package mit Chipkontakt auf aktiver Fläche mit Beanspruchsschutz und Verfahren zur Herstellung desselben |
-
1999
- 1999-11-10 JP JP31942799A patent/JP3374812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101919248B1 (ko) | 2014-01-09 | 2018-11-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 휘어짐 제어 구조체를 갖는 반도체 디바이스 패키지 |
| US10685920B2 (en) | 2014-01-09 | 2020-06-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device package with warpage control structure |
| US11329006B2 (en) | 2014-01-09 | 2022-05-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device package with warpage control structure |
| US11764169B2 (en) | 2014-01-09 | 2023-09-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device package with warpage control structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001135749A (ja) | 2001-05-18 |
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