JP3335492B2 - 薄膜の堆積装置 - Google Patents
薄膜の堆積装置Info
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- JP3335492B2 JP3335492B2 JP32697294A JP32697294A JP3335492B2 JP 3335492 B2 JP3335492 B2 JP 3335492B2 JP 32697294 A JP32697294 A JP 32697294A JP 32697294 A JP32697294 A JP 32697294A JP 3335492 B2 JP3335492 B2 JP 3335492B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ(Chemical Vapo
r Deposition、化学気相堆積）法により基板上に各種の
薄膜を形成する薄膜の堆積装置に関するものであって、
とくに該堆積装置を構成する気化器及び反応室の改良に
関するものである。
r Deposition、化学気相堆積）法により基板上に各種の
薄膜を形成する薄膜の堆積装置に関するものであって、
とくに該堆積装置を構成する気化器及び反応室の改良に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体メモリーやデバイスの集積
化が急速に進んでおり、例えばダイナミックランダムア
クセスメモリー(ＤＲＡＭ)では、３年間にビット数が４
倍になるといった急激なペースである。これはデバイス
の高速化、低消費電力化、低コスト化等を図るためであ
る。しかしながら、いかに集積度が向上しても、ＤＲＡ
Ｍの構成要素であるキャパシタは、一定の容量をもたな
ければならない。このため、キャパシタ材料の膜厚を薄
くする必要があるが、従来より用いられているＳiＯ2材
料では薄膜化がすでに限界に達している。そこで、材料
を誘電率の高いものに変更してキャパシタの容量を高め
るといった手法が試みられ、このため高誘電率材料を利
用するための研究が最近注目を集めている。
化が急速に進んでおり、例えばダイナミックランダムア
クセスメモリー(ＤＲＡＭ)では、３年間にビット数が４
倍になるといった急激なペースである。これはデバイス
の高速化、低消費電力化、低コスト化等を図るためであ
る。しかしながら、いかに集積度が向上しても、ＤＲＡ
Ｍの構成要素であるキャパシタは、一定の容量をもたな
ければならない。このため、キャパシタ材料の膜厚を薄
くする必要があるが、従来より用いられているＳiＯ2材
料では薄膜化がすでに限界に達している。そこで、材料
を誘電率の高いものに変更してキャパシタの容量を高め
るといった手法が試みられ、このため高誘電率材料を利
用するための研究が最近注目を集めている。
【０００３】このようなキャパシタ用材料に要求される
特性としては、上記のように高誘電率でありかつ十分な
薄膜化が可能であることと、リーク電流が小さいことと
が最も重要である。すなわち、高誘電率材料を用いた上
で、膜厚をできる限り薄くし、かつリーク電流をできる
だけ少なくする必要がある。一般的には、膜厚をＳiＯ2
換算膜厚で１nm以下にし、１.１Ｖ印加時のリーク電流
密度を１０-8Ａ／cm2のオーダ以下にすることが大まか
な開発目標とされている。このような観点から、酸化タ
ンタル、チタン酸ジルコン酸鉛(ＰＺＴ)、チタン酸ジル
コン酸ランタン鉛(ＰＬＺＴ)、チタン酸ストロンチウム
あるいはチタン酸バリウム等の酸化物系誘電体膜が各種
成膜法を用いて種々検討されている。一般に、段差のあ
るＤＲＡＭのキャパシタ用電極上に薄膜を形成するに
は、複雑な形状の物体への付き周り性が良好なＣＶＤ法
による成膜がプロセス上非常に有利である。しかしなが
ら、現時点ではＣＶＤ用原料として安定で良好な気化特
性を備えたものが存在しないということが大きな問題と
なっている。これは、主としてＣＶＤ用原料として多用
されているβ−ジケトン系のジピバロイルメタン(ＤＰ
Ｍ)化合物の加熱による気化特性が良好でないことによ
る。したがって、原料に起因するこのような欠点のため
に、性能が良好でかつ作製再現性のよい誘電体薄膜を形
成する技術は未だ確立されていない現状にある。
特性としては、上記のように高誘電率でありかつ十分な
薄膜化が可能であることと、リーク電流が小さいことと
が最も重要である。すなわち、高誘電率材料を用いた上
で、膜厚をできる限り薄くし、かつリーク電流をできる
だけ少なくする必要がある。一般的には、膜厚をＳiＯ2
換算膜厚で１nm以下にし、１.１Ｖ印加時のリーク電流
密度を１０-8Ａ／cm2のオーダ以下にすることが大まか
な開発目標とされている。このような観点から、酸化タ
ンタル、チタン酸ジルコン酸鉛(ＰＺＴ)、チタン酸ジル
コン酸ランタン鉛(ＰＬＺＴ)、チタン酸ストロンチウム
あるいはチタン酸バリウム等の酸化物系誘電体膜が各種
成膜法を用いて種々検討されている。一般に、段差のあ
るＤＲＡＭのキャパシタ用電極上に薄膜を形成するに
は、複雑な形状の物体への付き周り性が良好なＣＶＤ法
による成膜がプロセス上非常に有利である。しかしなが
ら、現時点ではＣＶＤ用原料として安定で良好な気化特
性を備えたものが存在しないということが大きな問題と
なっている。これは、主としてＣＶＤ用原料として多用
されているβ−ジケトン系のジピバロイルメタン(ＤＰ
Ｍ)化合物の加熱による気化特性が良好でないことによ
る。したがって、原料に起因するこのような欠点のため
に、性能が良好でかつ作製再現性のよい誘電体薄膜を形
成する技術は未だ確立されていない現状にある。
【０００４】このような状況下において、本発明者ら
は、従来の固体原料をテトラヒドロフラン(ＴＨＦ)とい
う有機溶剤に溶解してなる気化性を飛躍的に向上させた
ＣＶＤ原料を提案している(特願平４−２５２８３６
号)。しかしながら、本発明者らが、このようなＣＶＤ
原料を用いて、ＳiＯ2膜作製用などの従来の液体原料用
のＣＶＤ法による薄膜の堆積装置(以下、これを液体原
料用ＣＶＤ装置という)を用いて誘電体膜の作製を試み
たところ、装置上種々の問題点があることがわかった。
は、従来の固体原料をテトラヒドロフラン(ＴＨＦ)とい
う有機溶剤に溶解してなる気化性を飛躍的に向上させた
ＣＶＤ原料を提案している(特願平４−２５２８３６
号)。しかしながら、本発明者らが、このようなＣＶＤ
原料を用いて、ＳiＯ2膜作製用などの従来の液体原料用
のＣＶＤ法による薄膜の堆積装置(以下、これを液体原
料用ＣＶＤ装置という)を用いて誘電体膜の作製を試み
たところ、装置上種々の問題点があることがわかった。
【０００５】図２３は、従来技術による液体原料用ＣＶ
Ｄ装置の概略構造を示す模式図である。なお、ここでは
液体のＣＶＤ原料として固体原料であるＳr(ＤＰＭ)2を
ＴＨＦ(テトラヒドロフラン)に溶解させた溶液を使用
し、かつＴＴＩＰ[Ｔi(Ｏ−i−Ｃ3Ｈ7)4]及びＯ2を使用
して基板上にチタン酸ストロンチウム[ＳrＴiＯ3]膜を
成膜する例について説明する。図２３において、１は希
釈ガス管であり、２は希釈ガス量調整器であり、３は接
続管であり、４は気化器であり、５は液体原料容器であ
り、６は液体原料供給器であり、１８は加圧管であり、
７は噴霧ノズルであり、８は気化器用の加熱ヒータであ
り、９は絞り部であり、１０は原料ガス輸送管であり、
１１は原料ガス輸送管用の加熱ヒータであり、１２は原
料ガス供給孔であり、１３は反応ガス供給管であり、１
４は反応室用の加熱ヒータであり、１５は反応室であ
り、１６は加熱ステージであり、１７はシリコン等の成
膜基板である。
Ｄ装置の概略構造を示す模式図である。なお、ここでは
液体のＣＶＤ原料として固体原料であるＳr(ＤＰＭ)2を
ＴＨＦ(テトラヒドロフラン)に溶解させた溶液を使用
し、かつＴＴＩＰ[Ｔi(Ｏ−i−Ｃ3Ｈ7)4]及びＯ2を使用
して基板上にチタン酸ストロンチウム[ＳrＴiＯ3]膜を
成膜する例について説明する。図２３において、１は希
釈ガス管であり、２は希釈ガス量調整器であり、３は接
続管であり、４は気化器であり、５は液体原料容器であ
り、６は液体原料供給器であり、１８は加圧管であり、
７は噴霧ノズルであり、８は気化器用の加熱ヒータであ
り、９は絞り部であり、１０は原料ガス輸送管であり、
１１は原料ガス輸送管用の加熱ヒータであり、１２は原
料ガス供給孔であり、１３は反応ガス供給管であり、１
４は反応室用の加熱ヒータであり、１５は反応室であ
り、１６は加熱ステージであり、１７はシリコン等の成
膜基板である。
【０００６】次に、図２３に示すＣＶＤ装置の動作につ
いて説明する。気化器４がヒータ８により２５０℃程度
の所定温度まで加熱された後、希釈ガス量調整器２によ
り一定流量で希釈用不活性ガスを噴霧ノズル７周辺より
気化器４内に噴出させる。ここで液体原料供給器６より
一定流量で液体のＣＶＤ原料[Ｓr(ＤＰＭ)2／ＴＨＦ]を
供給すると、この液体のＣＶＤ原料は噴霧ノズル７の先
端のエッヂ部で周囲の高速の希釈ガス流れによって大ま
かに微粒化され、気化器４の内壁の広い範囲に衝突して
瞬時に気化する。気化ガスは原料ガス輸送管１０を通し
て反応室１５に輸送され、バブリングにより供給される
Ｔi原料ＴＴＩＰ[Ｔi(Ｏ−i−Ｃ3Ｈ7)4]や酸化ガス(例
えば、Ｏ2、Ｎ2Ｏ)と混合される。混合ガスは、一定圧
力に保たれた反応室１５に導入され、加熱ステージ１６
により加熱された基板１７の表面にＣＶＤ反応によるＳ
Ｔ膜[ＳrＴiＯ3]を形成する。なお薄膜形成に寄与しな
かった混合ガスは、排気部(排気ライン)より真空ポンプ
を介して外部に排出される。
いて説明する。気化器４がヒータ８により２５０℃程度
の所定温度まで加熱された後、希釈ガス量調整器２によ
り一定流量で希釈用不活性ガスを噴霧ノズル７周辺より
気化器４内に噴出させる。ここで液体原料供給器６より
一定流量で液体のＣＶＤ原料[Ｓr(ＤＰＭ)2／ＴＨＦ]を
供給すると、この液体のＣＶＤ原料は噴霧ノズル７の先
端のエッヂ部で周囲の高速の希釈ガス流れによって大ま
かに微粒化され、気化器４の内壁の広い範囲に衝突して
瞬時に気化する。気化ガスは原料ガス輸送管１０を通し
て反応室１５に輸送され、バブリングにより供給される
Ｔi原料ＴＴＩＰ[Ｔi(Ｏ−i−Ｃ3Ｈ7)4]や酸化ガス(例
えば、Ｏ2、Ｎ2Ｏ)と混合される。混合ガスは、一定圧
力に保たれた反応室１５に導入され、加熱ステージ１６
により加熱された基板１７の表面にＣＶＤ反応によるＳ
Ｔ膜[ＳrＴiＯ3]を形成する。なお薄膜形成に寄与しな
かった混合ガスは、排気部(排気ライン)より真空ポンプ
を介して外部に排出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＣＶＤ原料を用いて上記のような従来の液体原料用
ＣＶＤ装置で薄膜の形成を行なう場合、次に述べるよう
な問題があった。 (１)２５０℃に保持された気化器内で気化したＣＶＤ原
料ガスを凝縮・分解させずに反応室へ供給するには、気
化器から反応室までの配管を２５０℃で均一に保温する
必要がある。そこで、ＳＵＳ製のチューブ及びバルブか
らなる配管をリボンヒーターで２５０℃に保温している
が、リボンヒーターから外気への放熱量が多いので熱効
率が悪い、あるいは配管各部における温度均一性が悪い
などといった問題があった。
うなＣＶＤ原料を用いて上記のような従来の液体原料用
ＣＶＤ装置で薄膜の形成を行なう場合、次に述べるよう
な問題があった。 (１)２５０℃に保持された気化器内で気化したＣＶＤ原
料ガスを凝縮・分解させずに反応室へ供給するには、気
化器から反応室までの配管を２５０℃で均一に保温する
必要がある。そこで、ＳＵＳ製のチューブ及びバルブか
らなる配管をリボンヒーターで２５０℃に保温している
が、リボンヒーターから外気への放熱量が多いので熱効
率が悪い、あるいは配管各部における温度均一性が悪い
などといった問題があった。
【０００８】(２)液体原料を用いたＣＶＤ法により得ら
れるＢＳＴ膜は、原料劣化等の原因のため組成・膜質に
関して良好な再現性を得にくいといった問題があった。
これは、適当なin−situモニターシステムがないからで
ある。
れるＢＳＴ膜は、原料劣化等の原因のため組成・膜質に
関して良好な再現性を得にくいといった問題があった。
これは、適当なin−situモニターシステムがないからで
ある。
【０００９】(３)反応室内で基板を支持するサセプタは
従来よりＣ(カーボン)でつくられているが、この場合６
０枚程度の基板(ウエハ)上に成膜を行なうと、カーボン
の酸化のためにサセプタが劣化し、基板の温度が不均一
になってしまい、また成膜の回数を重ねる度に基板の温
度が変化してしまうなどといった問題があった。
従来よりＣ(カーボン)でつくられているが、この場合６
０枚程度の基板(ウエハ)上に成膜を行なうと、カーボン
の酸化のためにサセプタが劣化し、基板の温度が不均一
になってしまい、また成膜の回数を重ねる度に基板の温
度が変化してしまうなどといった問題があった。
【００１０】(４)拡散板の温度は、加熱ステージからの
輻射熱量とガスヘッド上の冷却水への放熱量とによって
決まるが、これらを自由にコントロールすることができ
ないといった問題があった。
輻射熱量とガスヘッド上の冷却水への放熱量とによって
決まるが、これらを自由にコントロールすることができ
ないといった問題があった。
【００１１】(５)気化器で気化したＣＶＤ原料ガスは、
反応ガスと混合され拡散板を通過して基板上で成膜反応
を行なうが、成膜に寄与しない反応生成物が反応室内壁
等に付着し、これに起因して基板上に異物がつくことが
あるといった問題があった。
反応ガスと混合され拡散板を通過して基板上で成膜反応
を行なうが、成膜に寄与しない反応生成物が反応室内壁
等に付着し、これに起因して基板上に異物がつくことが
あるといった問題があった。
【００１２】(６)反応室底面は比較的温度が低く、成膜
に寄与しない反応生成物が凝縮して該底面に付着しやす
い。そして、この底面に堆積した異物が、反応室を真空
に引いたり大気圧に戻す際に舞い上がり、これに起因し
て基板上に異物がつくことがあるといった問題があっ
た。
に寄与しない反応生成物が凝縮して該底面に付着しやす
い。そして、この底面に堆積した異物が、反応室を真空
に引いたり大気圧に戻す際に舞い上がり、これに起因し
て基板上に異物がつくことがあるといった問題があっ
た。
【００１３】(７）気化器で気化されて反応室に送り込
まれるＣＶＤ原料の組成比が不安定なため、これに伴っ
て基板上に形成される薄膜の組成比も不安定になるとい
った問題があった。
まれるＣＶＤ原料の組成比が不安定なため、これに伴っ
て基板上に形成される薄膜の組成比も不安定になるとい
った問題があった。
【００１４】(８）液体のＣＶＤ原料は気化器の内壁に
衝突して気化されるので、気化器内壁に原料残渣物が付
着し、この付着物の粉が散らばり原料とともに反応室内
に混入するといった問題があった。
衝突して気化されるので、気化器内壁に原料残渣物が付
着し、この付着物の粉が散らばり原料とともに反応室内
に混入するといった問題があった。
【００１５】(９）気化器内壁に原料残渣物が付着して
汚れた場合、気化器内壁を洗浄するのが不便であるとい
った問題があった。
汚れた場合、気化器内壁を洗浄するのが不便であるとい
った問題があった。
【００１６】本発明は、従来の液体原料用ＣＶＤ装置、
とくに有機金属化合物を用いるＣＶＤ装置における上記
のような問題点を解決するためになされたものであっ
て、液体のＣＶＤ原料の気化時及び成膜中において、気
化したＣＶＤ原料を安定して反応室へ供給することがで
き、反応生成物の凝縮等による発塵等を防止することが
でき、さらには組成ずれの無い良質な薄膜を基板上に精
度良く形成することができる手段を得ること等を目的と
するものである。
とくに有機金属化合物を用いるＣＶＤ装置における上記
のような問題点を解決するためになされたものであっ
て、液体のＣＶＤ原料の気化時及び成膜中において、気
化したＣＶＤ原料を安定して反応室へ供給することがで
き、反応生成物の凝縮等による発塵等を防止することが
でき、さらには組成ずれの無い良質な薄膜を基板上に精
度良く形成することができる手段を得ること等を目的と
するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達するた
め、本発明の第１の態様は、有機金属錯体を溶媒に溶解
させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、該ＣＶＤ
原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給器から供
給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化器と、気
化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成する反応
室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置において、
気化したＣＶＤ原料の濃度を検出する質量分析計が設け
られ、該質量分析計のサンプリング部が気化器と反応室
との間のＣＶＤ原料供給系に臨んで配置されていること
を特徴とする。
め、本発明の第１の態様は、有機金属錯体を溶媒に溶解
させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、該ＣＶＤ
原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給器から供
給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化器と、気
化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成する反応
室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置において、
気化したＣＶＤ原料の濃度を検出する質量分析計が設け
られ、該質量分析計のサンプリング部が気化器と反応室
との間のＣＶＤ原料供給系に臨んで配置されていること
を特徴とする。
【００１８】本発明の第２の態様は、有機金属錯体を溶
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、気化したＣＶＤ原料の濃度を検出する光吸収セ
ルが設けられ、該光吸収セルのサンプリング部が気化器
と反応室との間のＣＶＤ原料供給系に臨んで配置されて
いることを特徴とする。
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、気化したＣＶＤ原料の濃度を検出する光吸収セ
ルが設けられ、該光吸収セルのサンプリング部が気化器
と反応室との間のＣＶＤ原料供給系に臨んで配置されて
いることを特徴とする。
【００１９】本発明の第３の態様は、有機金属錯体を溶
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、気化器に供給される液体のＣＶＤ原料を霧化さ
せる霧化機構が設けられていることを特徴とする。
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、気化器に供給される液体のＣＶＤ原料を霧化さ
せる霧化機構が設けられていることを特徴とする。
【００２０】本発明の第４の態様は、有機金属錯体を溶
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、上記気化器が、円筒形に形成されるとともに、
ＣＶＤ原料が該気化器の接線方向に導入されるように形
成されていることを特徴とする。
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、上記気化器が、円筒形に形成されるとともに、
ＣＶＤ原料が該気化器の接線方向に導入されるように形
成されていることを特徴とする。
【００２１】本発明の第５の態様は、有機金属錯体を溶
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、上記気化器が、取り替えが可能な内壁を備えて
いることを特徴とする。
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、上記気化器が、取り替えが可能な内壁を備えて
いることを特徴とする。
【００２２】本発明の第６の態様は、有機金属錯体を溶
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、気化器に洗浄液を供給する洗浄液供給系と、気
化器を開閉することなく気化器内壁を上記洗浄液で洗浄
する洗浄機構とが設けられていることを特徴とする。
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、気化器に洗浄液を供給する洗浄液供給系と、気
化器を開閉することなく気化器内壁を上記洗浄液で洗浄
する洗浄機構とが設けられていることを特徴とする。
【００２３】本発明の第７の態様は、有機金属錯体を溶
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、気化器を開閉することなく気化器内壁をスパッ
タエッチ洗浄する洗浄機構が設けられていることを特徴
とする。
媒に溶解させてなるＣＶＤ原料を保持する原料容器と、
該ＣＶＤ原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給されたＣＶＤ原料を加熱して気化させる気化
器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄膜を形成
する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆積装置に
おいて、気化器を開閉することなく気化器内壁をスパッ
タエッチ洗浄する洗浄機構が設けられていることを特徴
とする。
【００２４】本発明の第８の態様は、上記第７の態様に
かかる薄膜の堆積装置において、気化器内壁及び気化器
上板が、基板上に形成される薄膜と同一の材質の材料で
コーティングされていることを特徴とする。
かかる薄膜の堆積装置において、気化器内壁及び気化器
上板が、基板上に形成される薄膜と同一の材質の材料で
コーティングされていることを特徴とする。
【００２５】本発明の第９の態様は、液体のＣＶＤ原料
を保持する原料容器と、該原料容器内のＣＶＤ原料を気
化部へ液体のままで供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給された液体のＣＶＤ原料を高温にして気化さ
せる気化器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄
膜を形成する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆
積装置において、反応室上に恒温ボックスが設けられ、
気化器と気化器から反応室への配管とが上記恒温ボック
ス内に収容されていることを特徴とする。
を保持する原料容器と、該原料容器内のＣＶＤ原料を気
化部へ液体のままで供給する液体供給器と、該液体供給
器から供給された液体のＣＶＤ原料を高温にして気化さ
せる気化器と、気化したＣＶＤ原料を用いて基板上に薄
膜を形成する反応室とを有するＣＶＤ法による薄膜の堆
積装置において、反応室上に恒温ボックスが設けられ、
気化器と気化器から反応室への配管とが上記恒温ボック
ス内に収容されていることを特徴とする。
【００２６】本発明の第１０の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、内面に高温のＮ2ガ
スが吹き付けられるＫＢr製窓が反応室に設けられ、反
応室内で形成中の薄膜に上記ＫＢr製窓を通して反応室
外から赤外線を照射し、薄膜の形成を継続しつつ赤外吸
収分光(ＦＴ−ＩＲ)分析により該薄膜の膜質を分析する
膜質分析システムが設けられていることを特徴とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、内面に高温のＮ2ガ
スが吹き付けられるＫＢr製窓が反応室に設けられ、反
応室内で形成中の薄膜に上記ＫＢr製窓を通して反応室
外から赤外線を照射し、薄膜の形成を継続しつつ赤外吸
収分光(ＦＴ−ＩＲ)分析により該薄膜の膜質を分析する
膜質分析システムが設けられていることを特徴とする。
【００２７】本発明の第１１の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、内面に高温のＮ2ガ
スが吹き付けられるＢe製窓が反応室に設けられ、反応
室内で形成中の薄膜に上記Ｂe製窓を通して反応室外か
らＸ線を照射し、薄膜の形成を継続しつつ蛍光Ｘ線(Ｘ
ＲＦ)分析により該薄膜の膜質を分析する膜質分析シス
テムが設けられていることを特徴とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、内面に高温のＮ2ガ
スが吹き付けられるＢe製窓が反応室に設けられ、反応
室内で形成中の薄膜に上記Ｂe製窓を通して反応室外か
らＸ線を照射し、薄膜の形成を継続しつつ蛍光Ｘ線(Ｘ
ＲＦ)分析により該薄膜の膜質を分析する膜質分析シス
テムが設けられていることを特徴とする。
【００２８】本発明の第１２の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、内面に高温のＮ2ガ
スが吹き付けられる石英製窓が反応室に設けられ、反応
室内で形成中の薄膜に上記石英製窓を通して反応室外か
ら偏光した光を照射し、薄膜の形成を継続しつつ表面光
吸収法(ＳＰＡ法)分析により該薄膜の膜質を分析する膜
質分析システムが設けられていることを特徴とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、内面に高温のＮ2ガ
スが吹き付けられる石英製窓が反応室に設けられ、反応
室内で形成中の薄膜に上記石英製窓を通して反応室外か
ら偏光した光を照射し、薄膜の形成を継続しつつ表面光
吸収法(ＳＰＡ法)分析により該薄膜の膜質を分析する膜
質分析システムが設けられていることを特徴とする。
【００２９】本発明の第１３の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室の排気部に、
ＣＶＤ原料からの分解生成物量を検出する質量分析計
(ＱＭＳ)を備えた排気分析システムが設けられているこ
とを特徴とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室の排気部に、
ＣＶＤ原料からの分解生成物量を検出する質量分析計
(ＱＭＳ)を備えた排気分析システムが設けられているこ
とを特徴とする。
【００３０】本発明の第１４の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、基板を支持するサセ
プタが窒化ホウ素(ＢＮ)でつくられていることを特徴と
する。
にかかる薄膜の堆積装置において、基板を支持するサセ
プタが窒化ホウ素(ＢＮ)でつくられていることを特徴と
する。
【００３１】本発明の第１５の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、基板の温度を検出す
る熱電対が基板を支持するサセプタの外周部に配置され
ていることを特徴とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、基板の温度を検出す
る熱電対が基板を支持するサセプタの外周部に配置され
ていることを特徴とする。
【００３２】本発明の第１６の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室内の拡散板の
温度を制御するるヒータが設けられていることを特徴と
する。
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室内の拡散板の
温度を制御するるヒータが設けられていることを特徴と
する。
【００３３】本発明の第１７の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室の内壁が中空
部を有する二重構造とされ、上記中空部に冷却媒体を供
給する冷却手段が設けられていることを特徴とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室の内壁が中空
部を有する二重構造とされ、上記中空部に冷却媒体を供
給する冷却手段が設けられていることを特徴とする。
【００３４】本発明の第１８の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室の内壁がＳi
Ｏ2で被覆されていることを特徴とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室の内壁がＳi
Ｏ2で被覆されていることを特徴とする。
【００３５】本発明の第１９の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、所定の回数の薄膜形
成が行われる毎に、バブリングによりＴＥＯＳを反応室
内に供給するＴＥＯＳ供給システムが設けられているこ
とを特徴とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、所定の回数の薄膜形
成が行われる毎に、バブリングによりＴＥＯＳを反応室
内に供給するＴＥＯＳ供給システムが設けられているこ
とを特徴とする。
【００３６】本発明の第２０の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、所定の回数の薄膜形
成が行われる毎に、バブリングによりＨＦを反応室内に
供給するＨＦ供給システムが設けられていることを特徴
とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、所定の回数の薄膜形
成が行われる毎に、バブリングによりＨＦを反応室内に
供給するＨＦ供給システムが設けられていることを特徴
とする。
【００３７】本発明の第２１の態様は、上記第９の態様
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室の底部に、交
換可能な発塵抑制用メッシュが設けられていることを特
徴とする。
にかかる薄膜の堆積装置において、反応室の底部に、交
換可能な発塵抑制用メッシュが設けられていることを特
徴とする。
【００３８】
【作用】本発明の第１の態様によれば、質量分析計によ
って成膜時に気化器から反応室内に送り込まれるＣＶＤ
原料の濃度が常時モニタリングされ、液体供給器(流量
コントローラ)を自動制御して膜組成比を調整すること
が可能となる。
って成膜時に気化器から反応室内に送り込まれるＣＶＤ
原料の濃度が常時モニタリングされ、液体供給器(流量
コントローラ)を自動制御して膜組成比を調整すること
が可能となる。
【００３９】本発明の第２の態様によれば、光吸収セル
(ＦＴ−ＩＲ)によって成膜時に気化器から反応室内に送
り込まれるＣＶＤ原料の濃度が常時モニタリングされ、
液体供給器(流量コントローラ)を自動制御して膜組成比
を調整することが可能となる。
(ＦＴ−ＩＲ)によって成膜時に気化器から反応室内に送
り込まれるＣＶＤ原料の濃度が常時モニタリングされ、
液体供給器(流量コントローラ)を自動制御して膜組成比
を調整することが可能となる。
【００４０】本発明の第３の態様によれば、霧化機構に
よって液体のＣＶＤ原料が気化器に入る前に霧化させら
れるので、液体のＣＶＤ原料が気化器に入る前に均一な
微粒滴となる。
よって液体のＣＶＤ原料が気化器に入る前に霧化させら
れるので、液体のＣＶＤ原料が気化器に入る前に均一な
微粒滴となる。
【００４１】本発明の第４の態様によれば、気化器が円
筒形とされ、液体のＣＶＤ原料がキャリアガスとともに
接線方向(円周方向)に導入されるので、気化したＣＶＤ
原料を気化器の中心軸方向に排出すれば、気化残渣など
の発塵物が気化器内壁に付着する。
筒形とされ、液体のＣＶＤ原料がキャリアガスとともに
接線方向(円周方向)に導入されるので、気化したＣＶＤ
原料を気化器の中心軸方向に排出すれば、気化残渣など
の発塵物が気化器内壁に付着する。
【００４２】本発明の第５の態様によれば、気化器には
取り替え可能な内壁が設けられているので、成膜終了後
に内壁を取り替えることにより、気化器内壁の付着物を
除去することができる。
取り替え可能な内壁が設けられているので、成膜終了後
に内壁を取り替えることにより、気化器内壁の付着物を
除去することができる。
【００４３】本発明の第６の態様によれば、成膜終了後
に気化器内に洗浄液を供給して、気化器を開閉すること
なくその内壁を洗浄することができる。
に気化器内に洗浄液を供給して、気化器を開閉すること
なくその内壁を洗浄することができる。
【００４４】本発明の第７の態様によれば、気化器の内
壁に平板電極板を設けて成膜終了後にプラズマを発生さ
せるなどして、気化器内壁をスパッタエッチ洗浄するよ
うにしているので、気化器を開閉することなくその内壁
を洗浄することができる。
壁に平板電極板を設けて成膜終了後にプラズマを発生さ
せるなどして、気化器内壁をスパッタエッチ洗浄するよ
うにしているので、気化器を開閉することなくその内壁
を洗浄することができる。
【００４５】本発明の第８の態様によれば、基本的には
上記第７の態様と同様の作用が生じる。さらに、気化器
内壁及び気化器上板が、基板上に形成される薄膜と同一
の材質の材料でコーティングされているので、スパッタ
エッチ洗浄が促進される。
上記第７の態様と同様の作用が生じる。さらに、気化器
内壁及び気化器上板が、基板上に形成される薄膜と同一
の材質の材料でコーティングされているので、スパッタ
エッチ洗浄が促進される。
【００４６】本発明の第９の態様によれば、気化器と気
化器から反応室までの配管とがすべて反応室上の恒温ボ
ックス内に納められるので、システムがシンプル化され
るとともに、熱効率が高められる。
化器から反応室までの配管とがすべて反応室上の恒温ボ
ックス内に納められるので、システムがシンプル化され
るとともに、熱効率が高められる。
【００４７】本発明の第１０の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、成膜
中の膜質が赤外吸収分光(ＦＴ−ＩＲ)分析によりin si
tuに分析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能
となり、成膜中における膜質制御が可能となる。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、成膜
中の膜質が赤外吸収分光(ＦＴ−ＩＲ)分析によりin si
tuに分析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能
となり、成膜中における膜質制御が可能となる。
【００４８】本発明の第１１の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、成膜
中の膜質が蛍光Ｘ線(ＸＲＦ)分析によりin situに分析
されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能となり、
成膜中における膜質制御が可能となる。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、成膜
中の膜質が蛍光Ｘ線(ＸＲＦ)分析によりin situに分析
されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能となり、
成膜中における膜質制御が可能となる。
【００４９】本発明の第１２の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、成膜
中の膜質が表面光吸収法(ＳＰＡ法)分析によりin situ
に分析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能と
なり、成膜中における膜質制御が可能となる。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、成膜
中の膜質が表面光吸収法(ＳＰＡ法)分析によりin situ
に分析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能と
なり、成膜中における膜質制御が可能となる。
【００５０】本発明の第１３の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、排気
部に設けられた質量分析計(ＱＭＳ)によりＴＨＦ、Ｓr
(ＤＰＭ)2等のＣＶＤ原料からの分解生成物量が検出(モ
ニタリング)されるので、原料供給量の異常等が即座に
検知される。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、排気
部に設けられた質量分析計(ＱＭＳ)によりＴＨＦ、Ｓr
(ＤＰＭ)2等のＣＶＤ原料からの分解生成物量が検出(モ
ニタリング)されるので、原料供給量の異常等が即座に
検知される。
【００５１】本発明の第１４の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、従来
はＣ(カーボン)でつくられていたサセプタを耐酸化性の
高いＢＮでつくるようにしたので、サセプタの劣化が抑
制される。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、従来
はＣ(カーボン)でつくられていたサセプタを耐酸化性の
高いＢＮでつくるようにしたので、サセプタの劣化が抑
制される。
【００５２】本発明の第１５の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、従来
はヒータ裏面に設置していた熱電対をサセプタ内に設け
ているので、基板に近い位置での温度モニタリングが可
能となる。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、従来
はヒータ裏面に設置していた熱電対をサセプタ内に設け
ているので、基板に近い位置での温度モニタリングが可
能となる。
【００５３】本発明の第１６の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、拡散
板にヒータが設けられ、拡散板の温度制御が可能となる
ので、いかなる成膜条件下においても、拡散板の温度を
気化器の温度と一致させることができる。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、拡散
板にヒータが設けられ、拡散板の温度制御が可能となる
ので、いかなる成膜条件下においても、拡散板の温度を
気化器の温度と一致させることができる。
【００５４】本発明の第１７の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、反応
室内壁が二重構造とされ、その内部に冷却媒体が導入さ
れるので、反応室内壁が冷却され、反応生成物等が反応
室内壁で凝縮され、発塵が抑制される。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、反応
室内壁が二重構造とされ、その内部に冷却媒体が導入さ
れるので、反応室内壁が冷却され、反応生成物等が反応
室内壁で凝縮され、発塵が抑制される。
【００５５】本発明の第１８の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、反応
室内壁がＳiＯ2で被覆されるので、反応生成物等が反応
室内壁に付着しにくくなり、発塵が抑制される。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、反応
室内壁がＳiＯ2で被覆されるので、反応生成物等が反応
室内壁に付着しにくくなり、発塵が抑制される。
【００５６】本発明の第１９の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、所定
の回数の薄膜形成が行われる毎にバブリングによりＴＥ
ＯＳが反応室内に供給され、これによって反応室内壁が
ＳiＯ2で被覆されるので、反応生成物等が反応室内壁に
付着しにくくなり、発塵が抑制される。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、所定
の回数の薄膜形成が行われる毎にバブリングによりＴＥ
ＯＳが反応室内に供給され、これによって反応室内壁が
ＳiＯ2で被覆されるので、反応生成物等が反応室内壁に
付着しにくくなり、発塵が抑制される。
【００５７】本発明の第２０の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、所定
の回数の薄膜形成が行われる毎にバブリングによりＨＦ
が反応室内に供給され、これによって反応室内壁が洗浄
されるので、発塵が抑制される。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、所定
の回数の薄膜形成が行われる毎にバブリングによりＨＦ
が反応室内に供給され、これによって反応室内壁が洗浄
されるので、発塵が抑制される。
【００５８】本発明の第２１の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、反応
室底部に交換可能な発塵抑制用メッシュが設けられるの
で、発塵が抑制される。
は上記第９の態様と同様の作用が生じる。さらに、反応
室底部に交換可能な発塵抑制用メッシュが設けられるの
で、発塵が抑制される。
【００５９】
【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。 ＜第１実施例＞まず、本発明の第１実施例を添付の図面
を参照しつつ具体的に説明する。この第１実施例では、
ＣＶＤ原料として固体原料であるＢa(ＤＰＭ)2、Ｓr(Ｄ
ＰＭ)2、ＴiＯ(ＤＰＭ)2 をＴＨＦ(テトラヒドロフラ
ン）に溶解させた溶液を用い、(Ｂa,Ｓr）ＴiＯ3［ＢＳ
Ｔ］薄膜を基板上に成膜する例を示す。なお、前記の従
来の技術と重複する箇所は適宜その説明を省略する。
を参照しつつ具体的に説明する。この第１実施例では、
ＣＶＤ原料として固体原料であるＢa(ＤＰＭ)2、Ｓr(Ｄ
ＰＭ)2、ＴiＯ(ＤＰＭ)2 をＴＨＦ(テトラヒドロフラ
ン）に溶解させた溶液を用い、(Ｂa,Ｓr）ＴiＯ3［ＢＳ
Ｔ］薄膜を基板上に成膜する例を示す。なお、前記の従
来の技術と重複する箇所は適宜その説明を省略する。
【００６０】図１は、本発明の第１実施例にかかるＣＶ
Ｄ法による薄膜の堆積装置(ＣＶＤ装置)の概略構成図で
ある。図１において、２０は気化器４と反応室１５の間
の原料ガス輸送管１０に臨んでサンプリング部が設けら
れた質量分析計である。その他の構成は、図２３に示す
従来のＣＶＤ装置と同様である。
Ｄ法による薄膜の堆積装置(ＣＶＤ装置)の概略構成図で
ある。図１において、２０は気化器４と反応室１５の間
の原料ガス輸送管１０に臨んでサンプリング部が設けら
れた質量分析計である。その他の構成は、図２３に示す
従来のＣＶＤ装置と同様である。
【００６１】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置における成膜の手順は従来技術と
同様である。そして、成膜中に、気化器４で気化され原
料ガス輸送管１０を経て反応室１５に供給されるＣＶＤ
原料とキャリアガスとの混合気の一部をサンプリング
し、これを質量分析計２０で分析(モニタリング)する。
図８に、Ｓr系原料のＳr(ＤＰＭ)2 分子を質量分析計で
測定した際に得られる信号の一例を示す。図８に示すデ
ータにおいて、マスナンバーｍ／z＝３９７の信号強度
と、絶対量が既知のキャリアガスＮ2 (ｍ／z＝２８）あ
るいはＡr (ｍ／z＝４０）の信号強度の比からＳrの濃
度を算定することができる。また、Ｂa、Ｔiの濃度も同
様に算定することができる。このようにして算定された
Ｂa、Ｓr、Ｔi濃度に基づいて液体原料供給器６のマス
フローコントローラを調整し、目標とするＣＶＤ原料の
流量を決定する。
する。このＣＶＤ装置における成膜の手順は従来技術と
同様である。そして、成膜中に、気化器４で気化され原
料ガス輸送管１０を経て反応室１５に供給されるＣＶＤ
原料とキャリアガスとの混合気の一部をサンプリング
し、これを質量分析計２０で分析(モニタリング)する。
図８に、Ｓr系原料のＳr(ＤＰＭ)2 分子を質量分析計で
測定した際に得られる信号の一例を示す。図８に示すデ
ータにおいて、マスナンバーｍ／z＝３９７の信号強度
と、絶対量が既知のキャリアガスＮ2 (ｍ／z＝２８）あ
るいはＡr (ｍ／z＝４０）の信号強度の比からＳrの濃
度を算定することができる。また、Ｂa、Ｔiの濃度も同
様に算定することができる。このようにして算定された
Ｂa、Ｓr、Ｔi濃度に基づいて液体原料供給器６のマス
フローコントローラを調整し、目標とするＣＶＤ原料の
流量を決定する。
【００６２】以上の説明のとおり、第１実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、気化器４と反応室１５との間の配管に
質量分析計２０を設けているので、成膜中に反応室１５
に供給されるＣＶＤ原料中のＢa、Ｓr、Ｔi濃度をモニ
タすることができる。これにより基板上に形成される薄
膜(ＢＳＴ膜)中のＢaとＳrとＴiの比を安定化させるこ
とができる。
ＣＶＤ装置では、気化器４と反応室１５との間の配管に
質量分析計２０を設けているので、成膜中に反応室１５
に供給されるＣＶＤ原料中のＢa、Ｓr、Ｔi濃度をモニ
タすることができる。これにより基板上に形成される薄
膜(ＢＳＴ膜)中のＢaとＳrとＴiの比を安定化させるこ
とができる。
【００６３】＜第２実施例＞以下、本発明の第２実施例
を添付の図面に基づいて具体的に説明する。この第２実
施例では、ＣＶＤ原料として固体原料であるＢa(ＤＰ
Ｍ)2、Ｓr(ＤＰＭ)2、ＴiＯ(ＤＰＭ)2 をＴＨＦ(テトラ
ヒドロフラン）に溶解させた溶液を用い、ＢＳＴ薄膜を
成膜する例を示す。なお、前記の従来の技術と重複する
箇所は適宜その説明を省略する。図２は、第２実施例に
かかるＣＶＤ装置の概略構成図である。図２において、
２１は赤外線吸収分析 (ＦＴ−ＩＲ）装置の光源であ
り、２２〜２５はＫＢr製窓であり、２６は赤外吸収管
であり、２７はＦＴ−ＩＲ装置の光源２１から出た赤外
光線であり、２８と２９とはそれぞれＦＴ−ＩＲ装置の
分光器と検知器とであり、３０〜３５は開閉バルブであ
り、３６は赤外吸収管２６にＮ2ガスを供給するＮ2ガス
供給管であり、３７は赤外吸収管２６を真空引きするた
めの排気管である。
を添付の図面に基づいて具体的に説明する。この第２実
施例では、ＣＶＤ原料として固体原料であるＢa(ＤＰ
Ｍ)2、Ｓr(ＤＰＭ)2、ＴiＯ(ＤＰＭ)2 をＴＨＦ(テトラ
ヒドロフラン）に溶解させた溶液を用い、ＢＳＴ薄膜を
成膜する例を示す。なお、前記の従来の技術と重複する
箇所は適宜その説明を省略する。図２は、第２実施例に
かかるＣＶＤ装置の概略構成図である。図２において、
２１は赤外線吸収分析 (ＦＴ−ＩＲ）装置の光源であ
り、２２〜２５はＫＢr製窓であり、２６は赤外吸収管
であり、２７はＦＴ−ＩＲ装置の光源２１から出た赤外
光線であり、２８と２９とはそれぞれＦＴ−ＩＲ装置の
分光器と検知器とであり、３０〜３５は開閉バルブであ
り、３６は赤外吸収管２６にＮ2ガスを供給するＮ2ガス
供給管であり、３７は赤外吸収管２６を真空引きするた
めの排気管である。
【００６４】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。まず、開閉バルブ３０、３１を閉じる。そして、
開閉バルブ３３を閉じる一方、開閉バルブ３４を開いて
排気管３７から赤外吸収管２６を真空引きする。十分に
真空引きが行われた後で開閉バルブ３４を閉じる。次
に、開閉バルブ３２、３５を閉じる一方、開閉バルブ３
０、３１を開いて気化器４で気化されたＣＶＤ原料が赤
外吸収管２６を通って反応室１５に導入されるようにす
る。ＦＴ−ＩＲの光源２１から出た赤外光線２７は赤外
吸収管２６内のＣＶＤ原料中を通過して分光器２８及び
検知器２９で検知される。図９(a)〜(c)に、それぞれＴ
ＨＦにＢa(ＤＰＭ)2、Ｓr(ＤＰＭ)2、ＴiＯ(ＤＰＭ)2
を溶かした溶液の赤外吸収スペクトルの一例を示す。図
９において、Ｂa(ＤＰＭ)2 とＳr(ＤＰＭ)2 とは１４５
０cm-1の吸収ピークから、ＴiＯ(ＤＰＭ)2は１５２０cm
-1あるいは６５０cm-1の吸収ピークからそれぞれモル濃
度を算定することができる。さらに、キャリアガスＮ2
の流量を考慮するとＢa(ＤＰＭ)2、Ｓr(ＤＰＭ)2、Ｔi
Ｏ(ＤＰＭ)2 の供給量を算定することができる。このよ
うにして算定されたＢa、Ｓr、Ｔi濃度に基づいて液体
原料供給器６のマスフローコントローラを調整し、目標
とするＣＶＤ原料の流量を決定する。なお、赤外吸収管
２６は加熱されて原料ガス輸送管１０と同一温度に保た
れている。また、ＫＢr製窓２２、２５の原料残渣物の
付着による曇りを防止するため、これらの内側にもう一
重のＫＢr製窓２３、２４が設けられている。内側のＫ
Ｂr製窓２３、２４は外側のＫＢr製窓２２、２５よりも
高温になるのでＣＶＤ原料蒸気の凝縮が発生しない。測
定が終了したら開閉バルブ３４を開き、赤外吸収管２６
を十分に真空引きした後、開閉バルブ３４を閉じる一方
開閉バルブ３３を開いてＮ2を赤外吸収管２６内に導入
する。なお、通常の成膜時には開閉バルブ３０、３１を
閉じる一方、開閉バルブ３２、３５を開いて従来の技術
と同じ手順で成膜を行う。
する。まず、開閉バルブ３０、３１を閉じる。そして、
開閉バルブ３３を閉じる一方、開閉バルブ３４を開いて
排気管３７から赤外吸収管２６を真空引きする。十分に
真空引きが行われた後で開閉バルブ３４を閉じる。次
に、開閉バルブ３２、３５を閉じる一方、開閉バルブ３
０、３１を開いて気化器４で気化されたＣＶＤ原料が赤
外吸収管２６を通って反応室１５に導入されるようにす
る。ＦＴ−ＩＲの光源２１から出た赤外光線２７は赤外
吸収管２６内のＣＶＤ原料中を通過して分光器２８及び
検知器２９で検知される。図９(a)〜(c)に、それぞれＴ
ＨＦにＢa(ＤＰＭ)2、Ｓr(ＤＰＭ)2、ＴiＯ(ＤＰＭ)2
を溶かした溶液の赤外吸収スペクトルの一例を示す。図
９において、Ｂa(ＤＰＭ)2 とＳr(ＤＰＭ)2 とは１４５
０cm-1の吸収ピークから、ＴiＯ(ＤＰＭ)2は１５２０cm
-1あるいは６５０cm-1の吸収ピークからそれぞれモル濃
度を算定することができる。さらに、キャリアガスＮ2
の流量を考慮するとＢa(ＤＰＭ)2、Ｓr(ＤＰＭ)2、Ｔi
Ｏ(ＤＰＭ)2 の供給量を算定することができる。このよ
うにして算定されたＢa、Ｓr、Ｔi濃度に基づいて液体
原料供給器６のマスフローコントローラを調整し、目標
とするＣＶＤ原料の流量を決定する。なお、赤外吸収管
２６は加熱されて原料ガス輸送管１０と同一温度に保た
れている。また、ＫＢr製窓２２、２５の原料残渣物の
付着による曇りを防止するため、これらの内側にもう一
重のＫＢr製窓２３、２４が設けられている。内側のＫ
Ｂr製窓２３、２４は外側のＫＢr製窓２２、２５よりも
高温になるのでＣＶＤ原料蒸気の凝縮が発生しない。測
定が終了したら開閉バルブ３４を開き、赤外吸収管２６
を十分に真空引きした後、開閉バルブ３４を閉じる一方
開閉バルブ３３を開いてＮ2を赤外吸収管２６内に導入
する。なお、通常の成膜時には開閉バルブ３０、３１を
閉じる一方、開閉バルブ３２、３５を開いて従来の技術
と同じ手順で成膜を行う。
【００６５】以上の説明のとおり、第２実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、気化器４と反応室１５との間に赤外吸
収管２６を設けているので、赤外線吸収分析法により、
成膜中に反応室１５に供給されるＣＶＤ原料の濃度をモ
ニタリングすることができる。これによりＢＳＴ膜中の
ＢaとＳrとＴiの比が安定化される。
ＣＶＤ装置では、気化器４と反応室１５との間に赤外吸
収管２６を設けているので、赤外線吸収分析法により、
成膜中に反応室１５に供給されるＣＶＤ原料の濃度をモ
ニタリングすることができる。これによりＢＳＴ膜中の
ＢaとＳrとＴiの比が安定化される。
【００６６】＜第３実施例＞以下、本発明の第３実施例
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図３は、
第３実施例にかかるＣＶＤ装置の概略構成図である。図
３において、３８は液体原料供給器６と液体原料容器５
との間に設けられたコンプレッサーであり、７aは圧力
霧化用ノズルである。
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図３は、
第３実施例にかかるＣＶＤ装置の概略構成図である。図
３において、３８は液体原料供給器６と液体原料容器５
との間に設けられたコンプレッサーであり、７aは圧力
霧化用ノズルである。
【００６７】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。液体原料容器５から供給される、例えばＢa(ＤＰ
Ｍ)2 を０.１mol/litterの濃度でＴＨＦに溶解させた溶
液からなる液体のＣＶＤ原料が、コンプレッサー３８に
より２〜５気圧に加圧され、液体原料供給器６を経て圧
力霧化用ノズル７aにより霧化される。霧化されて霧状
になった液体のＣＶＤ原料は気化器４で容易に加熱・気
化され残渣を発生することなく反応室１５に導入され
る。
する。液体原料容器５から供給される、例えばＢa(ＤＰ
Ｍ)2 を０.１mol/litterの濃度でＴＨＦに溶解させた溶
液からなる液体のＣＶＤ原料が、コンプレッサー３８に
より２〜５気圧に加圧され、液体原料供給器６を経て圧
力霧化用ノズル７aにより霧化される。霧化されて霧状
になった液体のＣＶＤ原料は気化器４で容易に加熱・気
化され残渣を発生することなく反応室１５に導入され
る。
【００６８】以上の説明のとおり、第３実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、液体のＣＶＤ原料が気化器４で気化す
る前に霧化されるので、気化器４内に発生する残渣を低
減することができる。
ＣＶＤ装置では、液体のＣＶＤ原料が気化器４で気化す
る前に霧化されるので、気化器４内に発生する残渣を低
減することができる。
【００６９】＜第４実施例＞以下、本発明の第４実施例
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図４は、
第４実施例にかかるＣＶＤ装置の気化器まわりの概略構
成図である。図４において、３９は円筒形の気化器であ
り、４０は該円筒の接線方向(円周方向)に液体のＣＶＤ
原料とキャリアガスとを吹き込むノズルであり、４１は
円筒形の気化器３９の中心軸方向からＣＶＤ原料ガスを
排気する原料ガス輸送管である。また、４２はノズル４
０から勢いよく気化器３９に吹き込まれた液体のＣＶＤ
原料及びキャリアガスの混合流れ(スワール)である。
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図４は、
第４実施例にかかるＣＶＤ装置の気化器まわりの概略構
成図である。図４において、３９は円筒形の気化器であ
り、４０は該円筒の接線方向(円周方向)に液体のＣＶＤ
原料とキャリアガスとを吹き込むノズルであり、４１は
円筒形の気化器３９の中心軸方向からＣＶＤ原料ガスを
排気する原料ガス輸送管である。また、４２はノズル４
０から勢いよく気化器３９に吹き込まれた液体のＣＶＤ
原料及びキャリアガスの混合流れ(スワール)である。
【００７０】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。ノズル４０から気化器３９内に不活性なキャリア
ガスとともに勢いよく接線方向吹き込まれた液体のＣＶ
Ｄ原料は遠心力により円筒形の気化器３９の内壁に沿っ
て流されながら気化し、気化したＣＶＤ原料蒸気は中央
部の排気管４１に吸い込まれた後反応室１５に導入され
る。このとき、気化器４内で塵ないしは粉が発生して
も、これらは遠心力により気化器３９の内壁に付着さ
れ、中央の排気管４１から反応室１５に混入することが
抑制される。
する。ノズル４０から気化器３９内に不活性なキャリア
ガスとともに勢いよく接線方向吹き込まれた液体のＣＶ
Ｄ原料は遠心力により円筒形の気化器３９の内壁に沿っ
て流されながら気化し、気化したＣＶＤ原料蒸気は中央
部の排気管４１に吸い込まれた後反応室１５に導入され
る。このとき、気化器４内で塵ないしは粉が発生して
も、これらは遠心力により気化器３９の内壁に付着さ
れ、中央の排気管４１から反応室１５に混入することが
抑制される。
【００７１】以上の説明のとおり、第４実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、発生した塵ないしは粉が気化器内壁に
付着するので、気化器３９内での発塵が抑制され、反応
室１５への塵ないしは粉の混入が防止される。
ＣＶＤ装置では、発生した塵ないしは粉が気化器内壁に
付着するので、気化器３９内での発塵が抑制され、反応
室１５への塵ないしは粉の混入が防止される。
【００７２】＜第５実施例＞以下、本発明の第５実施例
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図５は、
第５実施例にかかるＣＶＤ装置の概略構成図である。図
５において、４３は気化器４の内壁に設けられた取り外
し可能な内壁板である。
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図５は、
第５実施例にかかるＣＶＤ装置の概略構成図である。図
５において、４３は気化器４の内壁に設けられた取り外
し可能な内壁板である。
【００７３】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、成膜終了後に、気化器４の
上半分をはずし、内壁板４３を交換する。これにより気
化器内壁に付着した原料残渣物を容易に除去することが
できる。
する。このＣＶＤ装置では、成膜終了後に、気化器４の
上半分をはずし、内壁板４３を交換する。これにより気
化器内壁に付着した原料残渣物を容易に除去することが
できる。
【００７４】以上の説明のとおり、第５実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、成膜後に内壁板４３を交換することで
気化器内を容易に浄化できるので、メンテナンス時間が
短くなりスループットが上昇する。
ＣＶＤ装置では、成膜後に内壁板４３を交換することで
気化器内を容易に浄化できるので、メンテナンス時間が
短くなりスループットが上昇する。
【００７５】＜第６実施例＞以下、本発明の第６実施例
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図６は、
第６実施例にかかるＣＶＤ装置の概略構成図である。図
６において、４４は例えばＴＨＦなどの洗浄液を保持す
る洗浄液容器であり、４５は加圧管であり、４６〜４８
は開閉バルブであり、４９は気化器４を真空引きするた
めの排気ポンプである。
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図６は、
第６実施例にかかるＣＶＤ装置の概略構成図である。図
６において、４４は例えばＴＨＦなどの洗浄液を保持す
る洗浄液容器であり、４５は加圧管であり、４６〜４８
は開閉バルブであり、４９は気化器４を真空引きするた
めの排気ポンプである。
【００７６】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、成膜終了後に、開閉バルブ
４７を閉じる一方、開閉バルブ４６を開いて気化器４内
に洗浄液を注入しながら排気ポンプ４９で気化器４内を
真空引きする。これにより、気化器内壁に付着している
原料残渣物が洗浄液により分解され、排気ポンプ４９で
気化器外に吸い出される。
する。このＣＶＤ装置では、成膜終了後に、開閉バルブ
４７を閉じる一方、開閉バルブ４６を開いて気化器４内
に洗浄液を注入しながら排気ポンプ４９で気化器４内を
真空引きする。これにより、気化器内壁に付着している
原料残渣物が洗浄液により分解され、排気ポンプ４９で
気化器外に吸い出される。
【００７７】以上の説明のとおり、第６実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、成膜後に気化器内部に洗浄液を注ぎ、
排気ポンプ４９で真空引きすることにより、気化器を開
閉することなく容易に気化器内部を浄化することができ
る。なお、洗浄液としてフッ酸水溶液を使うことも効果
的である。この場合は、気化器４の材料としてステンレ
ス、銅などの耐酸性の強いものを用いるのがよい。
ＣＶＤ装置では、成膜後に気化器内部に洗浄液を注ぎ、
排気ポンプ４９で真空引きすることにより、気化器を開
閉することなく容易に気化器内部を浄化することができ
る。なお、洗浄液としてフッ酸水溶液を使うことも効果
的である。この場合は、気化器４の材料としてステンレ
ス、銅などの耐酸性の強いものを用いるのがよい。
【００７８】＜第７実施例＞以下、本発明の第７実施例
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図７は、
第７実施例にかかるＣＶＤ装置の気化器まわりの概略構
成図である。図７において、５０は内面をＴiでコーテ
ィングされた導電性の気化器下板であり、５１は気化器
下板５０を加熱するための絶縁体に包まれた気化器下板
用ヒータであり、５２は高周波用電源であり、５３は導
電性の気化器上板であり、５４は内面をＴiでコーティ
ングされた気化器上板用加熱ヒータであり、５５は原料
ガス輸送管であり、５６は原料ガス輸送管用の加熱ヒー
タであり、５７は放電ガス供給管であり、５８は気化器
４の排気管であり、５９は液体原料供給管であり、６０
及び６１は配管５７〜５９を埋め込んだ絶縁体材料であ
る。
を添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。図７は、
第７実施例にかかるＣＶＤ装置の気化器まわりの概略構
成図である。図７において、５０は内面をＴiでコーテ
ィングされた導電性の気化器下板であり、５１は気化器
下板５０を加熱するための絶縁体に包まれた気化器下板
用ヒータであり、５２は高周波用電源であり、５３は導
電性の気化器上板であり、５４は内面をＴiでコーティ
ングされた気化器上板用加熱ヒータであり、５５は原料
ガス輸送管であり、５６は原料ガス輸送管用の加熱ヒー
タであり、５７は放電ガス供給管であり、５８は気化器
４の排気管であり、５９は液体原料供給管であり、６０
及び６１は配管５７〜５９を埋め込んだ絶縁体材料であ
る。
【００７９】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、成膜終了後に、排気管５８
により気化器内を十分に真空引きした後、放電ガス供給
管５７から放電ガスを流入させ、高周波用電源５２をＯ
Ｎにする。そうすると、気化器上板５３と気化器下板５
０とを電極とする放電が起こり、プラズマが発生する。
そして、このプラズマにより気化器内壁に付着した原料
残渣物がスパッタで除去される。このとき、気化器４の
内面がＴiで覆われているので、スパッタにより内壁の
一部がＢＳＴ膜のコンタミ成分になる心配はない。
する。このＣＶＤ装置では、成膜終了後に、排気管５８
により気化器内を十分に真空引きした後、放電ガス供給
管５７から放電ガスを流入させ、高周波用電源５２をＯ
Ｎにする。そうすると、気化器上板５３と気化器下板５
０とを電極とする放電が起こり、プラズマが発生する。
そして、このプラズマにより気化器内壁に付着した原料
残渣物がスパッタで除去される。このとき、気化器４の
内面がＴiで覆われているので、スパッタにより内壁の
一部がＢＳＴ膜のコンタミ成分になる心配はない。
【００８０】以上の説明のとおり、第７実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、成膜後にプラズマを発生させてスパッ
タエッチすることにより、気化器４を開閉せずに気化器
内壁を洗浄することができる。
ＣＶＤ装置では、成膜後にプラズマを発生させてスパッ
タエッチすることにより、気化器４を開閉せずに気化器
内壁を洗浄することができる。
【００８１】＜第８実施例＞以下、本発明の第８実施例
を添付の図面に基づいて具体的に説明する。ここでは、
液体のＣＶＤ原料として固体原料であるＢa(ＤＰＭ)2,
Ｓr(ＤＰＭ)2,ＴiＯ(ＤＰＭ)2をＴＨＦ(テトラヒドロフ
ラン)に溶解させた溶液を用い、Ｏ2及びＮ2Ｏを使用し
て基板上に(Ｂa,Ｓr)ＴiＯ3［ＢＳＴ］膜を成膜する例
を示す。なお、上記の従来の技術と重複する箇所は適宜
その説明を省略する。
を添付の図面に基づいて具体的に説明する。ここでは、
液体のＣＶＤ原料として固体原料であるＢa(ＤＰＭ)2,
Ｓr(ＤＰＭ)2,ＴiＯ(ＤＰＭ)2をＴＨＦ(テトラヒドロフ
ラン)に溶解させた溶液を用い、Ｏ2及びＮ2Ｏを使用し
て基板上に(Ｂa,Ｓr)ＴiＯ3［ＢＳＴ］膜を成膜する例
を示す。なお、上記の従来の技術と重複する箇所は適宜
その説明を省略する。
【００８２】図１０は、第８実施例にかかるＣＶＤ装置
の概略構成図である。図１０において、７１はベント側
バルブであり、７２は反応室側バルブであり、７３は原
料ガス用ベントラインであり、７４は恒温ボックスであ
り、７５はミキサーであり、７６は拡散板であり、７７
はサセプタであり、７８はリフレクタであり、７９は熱
電対である。
の概略構成図である。図１０において、７１はベント側
バルブであり、７２は反応室側バルブであり、７３は原
料ガス用ベントラインであり、７４は恒温ボックスであ
り、７５はミキサーであり、７６は拡散板であり、７７
はサセプタであり、７８はリフレクタであり、７９は熱
電対である。
【００８３】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。従来は、例えば図２３に示すように、気化器４が
反応室１５の周辺に配置されていたが、第８実施例にお
いては、気化器４が反応室１５の上に設置された恒温ボ
ックス７４内に配置され、気化器４から反応室１５まで
の配管がすべて恒温ボックス７４内に納められている。
これらの配管はリボンヒーターにより昇温させるように
なっており、恒温ボックス７４はその内壁が断熱材で形
成されている。液体のＣＶＤ原料(Ｂa(ＤＰＭ)2、Ｓr
(ＤＰＭ)2、ＴiＯ(ＤＰＭ)2＋ＴＨＦ)とキャリアガス
(Ｎ2ガス)とは原料ガス輸送管１０から気化器４に供給
され、気化器４の内壁の広い範囲に衝突して瞬時に気化
する。気化したＣＶＤ原料ガスはまず、ベント側バルブ
７１を開状態とする一方反応室側バルブ７２を閉状態と
することによりベント側へ流しておく。この後、ベント
側バルブ７１を閉状態に変更する一方反応室側バルブ７
２を開状態に変更することによりＣＶＤ原料ガスを反応
室側へ流す。これにより、ＣＶＤ原料ガスがミキサー７
５内で酸化ガス(例えば、Ｏ2、Ｎ2Ｏ)と混合され、加熱
ステージ１６によって加熱された成膜基板１７表面に、
ＣＶＤ反応によりＢＳＴ膜の成膜が開始される。
する。従来は、例えば図２３に示すように、気化器４が
反応室１５の周辺に配置されていたが、第８実施例にお
いては、気化器４が反応室１５の上に設置された恒温ボ
ックス７４内に配置され、気化器４から反応室１５まで
の配管がすべて恒温ボックス７４内に納められている。
これらの配管はリボンヒーターにより昇温させるように
なっており、恒温ボックス７４はその内壁が断熱材で形
成されている。液体のＣＶＤ原料(Ｂa(ＤＰＭ)2、Ｓr
(ＤＰＭ)2、ＴiＯ(ＤＰＭ)2＋ＴＨＦ)とキャリアガス
(Ｎ2ガス)とは原料ガス輸送管１０から気化器４に供給
され、気化器４の内壁の広い範囲に衝突して瞬時に気化
する。気化したＣＶＤ原料ガスはまず、ベント側バルブ
７１を開状態とする一方反応室側バルブ７２を閉状態と
することによりベント側へ流しておく。この後、ベント
側バルブ７１を閉状態に変更する一方反応室側バルブ７
２を開状態に変更することによりＣＶＤ原料ガスを反応
室側へ流す。これにより、ＣＶＤ原料ガスがミキサー７
５内で酸化ガス(例えば、Ｏ2、Ｎ2Ｏ)と混合され、加熱
ステージ１６によって加熱された成膜基板１７表面に、
ＣＶＤ反応によりＢＳＴ膜の成膜が開始される。
【００８４】以上の説明の通り、第８実施例にかかるＣ
ＶＤ装置では、気化器４及び気化器４から反応室１５ま
での配管がすべて反応室上の恒温ボックス７４内に納め
られるので、液体原料気化システムがシンプル化され
る。また、気化器４から反応室１５までの配管温度を比
較的容易に均一にすることができる。さらに、恒温ボッ
クス内壁が断熱材で形成されているので、リボンヒータ
ーからの放熱量が少なくなり、熱効率が高められる。
ＶＤ装置では、気化器４及び気化器４から反応室１５ま
での配管がすべて反応室上の恒温ボックス７４内に納め
られるので、液体原料気化システムがシンプル化され
る。また、気化器４から反応室１５までの配管温度を比
較的容易に均一にすることができる。さらに、恒温ボッ
クス内壁が断熱材で形成されているので、リボンヒータ
ーからの放熱量が少なくなり、熱効率が高められる。
【００８５】＜第９実施例＞以下、本発明の第９実施例
を図１１に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説明す
る。図１１において、８０はＩＲ光源であり、８１は偏
光子であり、８２はＩＲ光(p偏光)であり、８３はＩＲ
光検知器であり、８４はＩＲ光を透過する窓(ＫＢr等)
であり、８５はパージ用Ｎ2ガスであり、８６はカバー
である。
を図１１に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説明す
る。図１１において、８０はＩＲ光源であり、８１は偏
光子であり、８２はＩＲ光(p偏光)であり、８３はＩＲ
光検知器であり、８４はＩＲ光を透過する窓(ＫＢr等)
であり、８５はパージ用Ｎ2ガスであり、８６はカバー
である。
【００８６】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。ここで、成膜中の薄膜表面への入射光と薄膜表面
上の光の入射点に立てた法線とにより形成される面を入
射面と呼び、その面内で振動する光を平行偏光(Ｐ波)と
呼ぶことにする。この平行偏光は入射光の電気ベクトル
と反射光のそれとが薄膜表面で強め合い、薄膜表面に垂
直な定常振動電場をつくる。そして、薄膜の成分分子に
この定常波が作用し、光は吸収を受ける。ここで、反応
室内壁とカバー８６との間にはパージ用Ｎ2ガス８５が
流されており、これによってＣＶＤ原料ガスやその分解
生成物の窓８４への付着が防止される。成膜中、薄膜表
面での光の吸収をin−situに観察し、成膜が再現性よく
行われているかどうかモニターする。また、成膜反応機
構を推定することによって、成膜パラメーターを制御
し、より高品質なＢＳＴ膜を形成することが可能とな
る。
する。ここで、成膜中の薄膜表面への入射光と薄膜表面
上の光の入射点に立てた法線とにより形成される面を入
射面と呼び、その面内で振動する光を平行偏光(Ｐ波)と
呼ぶことにする。この平行偏光は入射光の電気ベクトル
と反射光のそれとが薄膜表面で強め合い、薄膜表面に垂
直な定常振動電場をつくる。そして、薄膜の成分分子に
この定常波が作用し、光は吸収を受ける。ここで、反応
室内壁とカバー８６との間にはパージ用Ｎ2ガス８５が
流されており、これによってＣＶＤ原料ガスやその分解
生成物の窓８４への付着が防止される。成膜中、薄膜表
面での光の吸収をin−situに観察し、成膜が再現性よく
行われているかどうかモニターする。また、成膜反応機
構を推定することによって、成膜パラメーターを制御
し、より高品質なＢＳＴ膜を形成することが可能とな
る。
【００８７】以上の説明の通り、第９実施例にかかるＣ
ＶＤ装置では、成膜過程中に、薄膜の膜質をin situに
赤外吸収分光(ＦＴ−ＩＲ)分析により分析することがで
きるシステムを備えているので、再現性よく成膜を行う
ことができ、しかも成膜反応機構を推定することがで
き、成膜パラメーターを制御してより高品質なＢＳＴ膜
を得ることができる。
ＶＤ装置では、成膜過程中に、薄膜の膜質をin situに
赤外吸収分光(ＦＴ−ＩＲ)分析により分析することがで
きるシステムを備えているので、再現性よく成膜を行う
ことができ、しかも成膜反応機構を推定することがで
き、成膜パラメーターを制御してより高品質なＢＳＴ膜
を得ることができる。
【００８８】＜第１０実施例＞以下、本発明の第１０実
施例を図１２に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１２において、８７はＸ線管であり、８８は
連続Ｘ線であり、８９は薄膜中の元素の特性Ｘ線であ
り、９０は分光された特性Ｘ線であり、９１はＸ線用窓
(Ｂe等)であり、９２は分光結晶であり、９３は検出器
であり、９４はゴニオメーターである。
施例を図１２に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１２において、８７はＸ線管であり、８８は
連続Ｘ線であり、８９は薄膜中の元素の特性Ｘ線であ
り、９０は分光された特性Ｘ線であり、９１はＸ線用窓
(Ｂe等)であり、９２は分光結晶であり、９３は検出器
であり、９４はゴニオメーターである。
【００８９】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、成膜中の薄膜上にＸ線管８
７で発生した連続Ｘ線８８を照射すると、薄膜中の原子
のＫ、Ｌ殻の電子をはじき飛ばし(光電効果)、はじき飛
ばされた電子は原子外にたたき出される。このようにし
て原子は励起状態になる。Ｋ殻又はＬ殻にできた空位
に、それより外殻から電子が落ち込み、励起状態から定
常状態に戻る。このとき、外殻と空位を作っていた内殻
(この場合は、Ｋ殻又はＬ殻)のエネルギー差に相当する
Ｘ線が照射される。これが薄膜中の元素の特性Ｘ線８９
である。Ｘ線用窓９１にはＢe等を使用することがで
き、分光結晶９２とゴニオメーター９４内の検出器９３
との角度を調整することにより特性Ｘ線９０を検知し、
成膜時にin−situに組成分析を行う。in−situで分析し
ている組成が目標値と異なる場合は、原料溶液の供給量
を調節する。
する。このＣＶＤ装置では、成膜中の薄膜上にＸ線管８
７で発生した連続Ｘ線８８を照射すると、薄膜中の原子
のＫ、Ｌ殻の電子をはじき飛ばし(光電効果)、はじき飛
ばされた電子は原子外にたたき出される。このようにし
て原子は励起状態になる。Ｋ殻又はＬ殻にできた空位
に、それより外殻から電子が落ち込み、励起状態から定
常状態に戻る。このとき、外殻と空位を作っていた内殻
(この場合は、Ｋ殻又はＬ殻)のエネルギー差に相当する
Ｘ線が照射される。これが薄膜中の元素の特性Ｘ線８９
である。Ｘ線用窓９１にはＢe等を使用することがで
き、分光結晶９２とゴニオメーター９４内の検出器９３
との角度を調整することにより特性Ｘ線９０を検知し、
成膜時にin−situに組成分析を行う。in−situで分析し
ている組成が目標値と異なる場合は、原料溶液の供給量
を調節する。
【００９０】以上の説明の通り、第１０実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、成膜過程中に膜組成をin situにＸＲ
Ｆ分析を行うことができるシステムを備えているので、
再現性よく成膜を行うことができ、しかも成膜反応機構
を推定することができ、成膜パラメーターを制御してよ
り高品質なＢＳＴ膜を得ることができる。
ＣＶＤ装置では、成膜過程中に膜組成をin situにＸＲ
Ｆ分析を行うことができるシステムを備えているので、
再現性よく成膜を行うことができ、しかも成膜反応機構
を推定することができ、成膜パラメーターを制御してよ
り高品質なＢＳＴ膜を得ることができる。
【００９１】＜第１１実施例＞以下、本発明の第１１実
施例を図１３に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１３において、９５はＸeランプであり、９
６はp偏光であり、９７は合成石英窓であり、９８は光
検出器である。
施例を図１３に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１３において、９５はＸeランプであり、９
６はp偏光であり、９７は合成石英窓であり、９８は光
検出器である。
【００９２】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置で用いられている表面光吸収法
(Ｓurface−Ｐhoto Ａbsorption,ＳＰＡ)は、Ｂrewster
角に近い入射角で、入射面内に偏光した光(p偏向)９６
を成膜しつつある薄膜表面にあて、その反射光強度をモ
ニターするものである。ＳＰＡ法の特徴は光の強度のみ
をモニターするという点である。窓９７の材料には合成
石英を使用し、第９実施例の場合と同様に、窓９７には
パージ用Ｎ2ガス８５が流されており、原料ガス及び分
解生成物の窓への付着が防止される。
する。このＣＶＤ装置で用いられている表面光吸収法
(Ｓurface−Ｐhoto Ａbsorption,ＳＰＡ)は、Ｂrewster
角に近い入射角で、入射面内に偏光した光(p偏向)９６
を成膜しつつある薄膜表面にあて、その反射光強度をモ
ニターするものである。ＳＰＡ法の特徴は光の強度のみ
をモニターするという点である。窓９７の材料には合成
石英を使用し、第９実施例の場合と同様に、窓９７には
パージ用Ｎ2ガス８５が流されており、原料ガス及び分
解生成物の窓への付着が防止される。
【００９３】以上の説明の通り、第１１実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、成膜過程中に膜組成をin situにＳＰ
Ａ分析を行うことができるシステムを備えているので、
再現性よく成膜を行うことができ、しかも成膜反応機構
を推定することができ、成膜パラメーターを制御してよ
り高品質なＢＳＴ膜を得ることができる。
ＣＶＤ装置では、成膜過程中に膜組成をin situにＳＰ
Ａ分析を行うことができるシステムを備えているので、
再現性よく成膜を行うことができ、しかも成膜反応機構
を推定することができ、成膜パラメーターを制御してよ
り高品質なＢＳＴ膜を得ることができる。
【００９４】＜第１２実施例＞以下、本発明の第１２実
施例を図１４に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１４において、９９は質量分析計(ＱＭＳ)で
あり、１００はオリフィス加熱用ヒータである。
施例を図１４に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１４において、９９は質量分析計(ＱＭＳ)で
あり、１００はオリフィス加熱用ヒータである。
【００９５】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、反応室１５の排気部と排気
用ロータリーポンプとの間に質量分析計９９を設置し、
排気ガスの分解生成物の分析を行う。オリフィス１００
は径０.３mmのものを使用しており、低温で蒸気圧の低
いＣＶＤ原料ガスはこのオリフィス１００で詰まりやす
い。そこで、オリフィス用加熱ヒータでオリフィス１０
０を２５０℃まで加熱し、詰まりの発生を防止するよう
にしている。
する。このＣＶＤ装置では、反応室１５の排気部と排気
用ロータリーポンプとの間に質量分析計９９を設置し、
排気ガスの分解生成物の分析を行う。オリフィス１００
は径０.３mmのものを使用しており、低温で蒸気圧の低
いＣＶＤ原料ガスはこのオリフィス１００で詰まりやす
い。そこで、オリフィス用加熱ヒータでオリフィス１０
０を２５０℃まで加熱し、詰まりの発生を防止するよう
にしている。
【００９６】以上の説明の通り、第１２実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、成膜中の排気部の原料ガス及び分解生
成物をin situに分析することができるので、再現性よ
く原料ガスが供給されているかどうかを確認することが
でき、しかも成膜反応機構を推定できるので、再現性の
よい成膜を行うことができ、成膜パラメーターを制御し
て高品質なＢＳＴ膜を得ることができる。
ＣＶＤ装置では、成膜中の排気部の原料ガス及び分解生
成物をin situに分析することができるので、再現性よ
く原料ガスが供給されているかどうかを確認することが
でき、しかも成膜反応機構を推定できるので、再現性の
よい成膜を行うことができ、成膜パラメーターを制御し
て高品質なＢＳＴ膜を得ることができる。
【００９７】＜第１３実施例＞以下、本発明の第１３実
施例を図１５に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１５において、１０１はＢＮ製サセプタであ
る。
施例を図１５に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１５において、１０１はＢＮ製サセプタであ
る。
【００９８】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。従来は、Ｃ(カーボン)製サセプタ上に配置した基
盤(ウエハ)上にＢＳＴ膜の成膜を行っていたが、この場
合高温の酸素雰囲気中でＣが徐々に酸化されて変質して
ゆく。そこで、サセプタをＢＮ(窒化硼素)製にして、耐
酸化性を高め変質を起こしにくくしている。また、Ｃの
熱伝導率が０.０８cal／cm・sec・℃であるのに対し、
ＢＮの熱伝導率は０.０６cal／cm・sec・℃であり、両
者は大差ないので、基盤上の温度分布も従来と同程度と
なる。
する。従来は、Ｃ(カーボン)製サセプタ上に配置した基
盤(ウエハ)上にＢＳＴ膜の成膜を行っていたが、この場
合高温の酸素雰囲気中でＣが徐々に酸化されて変質して
ゆく。そこで、サセプタをＢＮ(窒化硼素)製にして、耐
酸化性を高め変質を起こしにくくしている。また、Ｃの
熱伝導率が０.０８cal／cm・sec・℃であるのに対し、
ＢＮの熱伝導率は０.０６cal／cm・sec・℃であり、両
者は大差ないので、基盤上の温度分布も従来と同程度と
なる。
【００９９】以上の説明の通り、第１３実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、サセプタ１０１を耐酸化性があり、か
つ高熱伝導率のＢＮ製としているので、サセプタ１０１
が劣化せず、長期的に安定した再現性のよい成膜が実現
される。
ＣＶＤ装置では、サセプタ１０１を耐酸化性があり、か
つ高熱伝導率のＢＮ製としているので、サセプタ１０１
が劣化せず、長期的に安定した再現性のよい成膜が実現
される。
【０１００】＜第１４実施例＞以下、本発明の第１４実
施例を図１６に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１６において、１０２はサセプタ７７に設置
した熱電対である。
施例を図１６に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１６において、１０２はサセプタ７７に設置
した熱電対である。
【０１０１】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。従来のＣＶＤ装置では、加熱ステージの底面に設
置された熱電対により温度測定を行い、この信号に基づ
いて加熱ステージへの加熱を行っていた。しかしなが
ら、このようにすると、サセプタがＣ(カーボン)製の場
合にはこれを高温の酸素雰囲気中に長期間放置しておく
と劣化してしまうので、熱電対が同じ温度を示していて
もサセプタ表面即ち基盤表面温度が異なってくることに
なる。そこで、第１４実施例にかかるこのＣＶＤ装置で
は、熱電対１０２の設置場所をサセプタ７７の外周部に
変更した。
する。従来のＣＶＤ装置では、加熱ステージの底面に設
置された熱電対により温度測定を行い、この信号に基づ
いて加熱ステージへの加熱を行っていた。しかしなが
ら、このようにすると、サセプタがＣ(カーボン)製の場
合にはこれを高温の酸素雰囲気中に長期間放置しておく
と劣化してしまうので、熱電対が同じ温度を示していて
もサセプタ表面即ち基盤表面温度が異なってくることに
なる。そこで、第１４実施例にかかるこのＣＶＤ装置で
は、熱電対１０２の設置場所をサセプタ７７の外周部に
変更した。
【０１０２】以上の説明の通り、第１４実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、熱電対１０２の設置場所をサセプタ７
７の周辺に変更しているので、基盤１７に近い場所での
温度モニターが可能となり、常に同じウエハ温度を保ち
ながら長期的に安定した再現性の良好な成膜が実現され
る。
ＣＶＤ装置では、熱電対１０２の設置場所をサセプタ７
７の周辺に変更しているので、基盤１７に近い場所での
温度モニターが可能となり、常に同じウエハ温度を保ち
ながら長期的に安定した再現性の良好な成膜が実現され
る。
【０１０３】＜第１５実施例＞以下、本発明の第１５実
施例を図１７に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１７において、１０３は拡散板用ヒータであ
り、１０４は冷却水である。
施例を図１７に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１７において、１０３は拡散板用ヒータであ
り、１０４は冷却水である。
【０１０４】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、拡散板７６の温度は、加熱
ステージ１６からの輻射熱及び冷却水１０４への放熱に
よって決定される。そこで輻射熱量が少ないとき等に供
給熱量を補充するため、拡散板７６の周囲４ケ所に拡散
板用ヒータ１０３を設置した。よって、いかなる成膜条
件においても、拡散板７６の温度コントロールが可能で
ある。
する。このＣＶＤ装置では、拡散板７６の温度は、加熱
ステージ１６からの輻射熱及び冷却水１０４への放熱に
よって決定される。そこで輻射熱量が少ないとき等に供
給熱量を補充するため、拡散板７６の周囲４ケ所に拡散
板用ヒータ１０３を設置した。よって、いかなる成膜条
件においても、拡散板７６の温度コントロールが可能で
ある。
【０１０５】以上の説明の通り、第１５実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、拡散板７６の周囲４ケ所に拡散板用ヒ
ータ１０３を設置しているので、いかなる成膜条件にお
いても、拡散板７６の温度を気化器４と同じ温度(例え
ば、２５０℃)に制御することができる。
ＣＶＤ装置では、拡散板７６の周囲４ケ所に拡散板用ヒ
ータ１０３を設置しているので、いかなる成膜条件にお
いても、拡散板７６の温度を気化器４と同じ温度(例え
ば、２５０℃)に制御することができる。
【０１０６】＜第１６実施例＞以下、本発明の第１６実
施例を図１８に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１８において、１０５は冷却水出口であり、
１０６は冷却水入口であり、１０７は冷却水である。
施例を図１８に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１８において、１０５は冷却水出口であり、
１０６は冷却水入口であり、１０７は冷却水である。
【０１０７】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、反応室１５の内壁を二重構
造とし、その中空部に冷却水入口１０６から冷却水１０
７を注入し冷却水出口１０５から出す。これによって、
反応室内壁が常温以下となり、蒸気圧の低い原料ガスや
反応生成物が反応室内壁で凝縮する。なお、冷却水の代
わりに液体窒素(７７°Ｋ)あるいは液体ヘリウム(４°
Ｋ)の蒸気でもよい。
する。このＣＶＤ装置では、反応室１５の内壁を二重構
造とし、その中空部に冷却水入口１０６から冷却水１０
７を注入し冷却水出口１０５から出す。これによって、
反応室内壁が常温以下となり、蒸気圧の低い原料ガスや
反応生成物が反応室内壁で凝縮する。なお、冷却水の代
わりに液体窒素(７７°Ｋ)あるいは液体ヘリウム(４°
Ｋ)の蒸気でもよい。
【０１０８】以上の説明の通り、第１６実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、反応室内壁を二重構造とし、その内側
を冷却することによって、蒸気圧の低い原料ガスや反応
生成物を反応室内壁に凝縮させることができ、発塵等が
抑制され、長期的に安定した連続成膜が可能となる。
ＣＶＤ装置では、反応室内壁を二重構造とし、その内側
を冷却することによって、蒸気圧の低い原料ガスや反応
生成物を反応室内壁に凝縮させることができ、発塵等が
抑制され、長期的に安定した連続成膜が可能となる。
【０１０９】＜第１７実施例＞以下、本発明の第１７実
施例を図１９に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１９において、１０８はＳiＯ2で被覆された
反応室内壁である。
施例を図１９に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図１９において、１０８はＳiＯ2で被覆された
反応室内壁である。
【０１１０】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。本発明者らは、液体原料を用いたＣＶＤ法による
ＢＳＴ成膜においては、基板材料依存性があることを見
出している。すなわち、ＰtやＰoly−Ｓiの表面よりは
ＳiＯ2の表面の方がＣＶＤ−ＢＳＴ膜の成膜速度が小さ
いといった基板材料依存性がある。そこで、反応室内壁
１０８をすべてＳiＯ2で被覆した。
する。本発明者らは、液体原料を用いたＣＶＤ法による
ＢＳＴ成膜においては、基板材料依存性があることを見
出している。すなわち、ＰtやＰoly−Ｓiの表面よりは
ＳiＯ2の表面の方がＣＶＤ−ＢＳＴ膜の成膜速度が小さ
いといった基板材料依存性がある。そこで、反応室内壁
１０８をすべてＳiＯ2で被覆した。
【０１１１】以上の説明の通り、第１７実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、反応室内壁１０８をすべてＳiＯ2で被
覆しているので、反応室内壁１０８への付着物が減少し
て発塵が抑制され、長期的に安定した再現性の良好な成
膜が可能となる。
ＣＶＤ装置では、反応室内壁１０８をすべてＳiＯ2で被
覆しているので、反応室内壁１０８への付着物が減少し
て発塵が抑制され、長期的に安定した再現性の良好な成
膜が可能となる。
【０１１２】＜第１８実施例＞以下、本発明の第１８実
施例を図２０に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図２０において、１０９はバブリング用窒素ガ
スであり、１１０はＴＥＯＳバブラーであり、１１１は
自動圧力制御装置(Ａuto−Ｐressure−Ｃontroller,Ａ
ＰＣ)であり、１１２は１２０℃保温配管である。
施例を図２０に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図２０において、１０９はバブリング用窒素ガ
スであり、１１０はＴＥＯＳバブラーであり、１１１は
自動圧力制御装置(Ａuto−Ｐressure−Ｃontroller,Ａ
ＰＣ)であり、１１２は１２０℃保温配管である。
【０１１３】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、第１７実施例の場合と同様
に、反応室内壁がＳiＯ2で被覆され、これによって反応
室内壁への付着物が減少し、発塵量が抑制される。しか
しながら、ＢＳＴ膜の成膜を重ねる度に徐々にＳiＯ2上
に原料ガスあるいはその反応生成物が付着し、表面のＳ
iＯ2が覆われてしまう。そこで６０枚程度成膜を行う毎
にＴＥＯＳバブラー１１０からバブリング用窒素ガス１
０９により反応室内へＴＥＯＳをバブリングし、反応室
内壁を再度ＳiＯ2で被覆する。ＴＥＯＳバブラー１１０
から反応室１５までの経路でのＴＥＯＳの凝縮を防ぐた
めに、配管１１２の温度を１２０℃以上に設定する。
する。このＣＶＤ装置では、第１７実施例の場合と同様
に、反応室内壁がＳiＯ2で被覆され、これによって反応
室内壁への付着物が減少し、発塵量が抑制される。しか
しながら、ＢＳＴ膜の成膜を重ねる度に徐々にＳiＯ2上
に原料ガスあるいはその反応生成物が付着し、表面のＳ
iＯ2が覆われてしまう。そこで６０枚程度成膜を行う毎
にＴＥＯＳバブラー１１０からバブリング用窒素ガス１
０９により反応室内へＴＥＯＳをバブリングし、反応室
内壁を再度ＳiＯ2で被覆する。ＴＥＯＳバブラー１１０
から反応室１５までの経路でのＴＥＯＳの凝縮を防ぐた
めに、配管１１２の温度を１２０℃以上に設定する。
【０１１４】以上の説明の通り、第１８実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、６０枚程度成膜を行う毎に、ＴＥＯＳ
バブラー１１０からバブリング用窒素ガス１０９により
反応室内へＴＥＯＳがバブリングされ、常時反応室内壁
がＳiＯ2で被覆され、反応室内壁への付着物が減少し発
塵の量が抑制され、長期的に安定した再現性の良好な成
膜が可能となる。
ＣＶＤ装置では、６０枚程度成膜を行う毎に、ＴＥＯＳ
バブラー１１０からバブリング用窒素ガス１０９により
反応室内へＴＥＯＳがバブリングされ、常時反応室内壁
がＳiＯ2で被覆され、反応室内壁への付着物が減少し発
塵の量が抑制され、長期的に安定した再現性の良好な成
膜が可能となる。
【０１１５】＜第１９実施例＞以下、本発明の第１９実
施例を図２１に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図２１において、１１３はＨＦバブラーであ
る。
施例を図２１に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図２１において、１１３はＨＦバブラーであ
る。
【０１１６】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、６０枚程度の成膜を行う毎
にＨＦバブラー１１３からバブリング用窒素ガス１０９
により反応室内へＨＦをバブリングして反応室内壁を洗
浄する。
する。このＣＶＤ装置では、６０枚程度の成膜を行う毎
にＨＦバブラー１１３からバブリング用窒素ガス１０９
により反応室内へＨＦをバブリングして反応室内壁を洗
浄する。
【０１１７】以上の説明の通り、第１９実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、ＨＦにより反応室内壁を洗浄すること
ができ、発塵の量が抑制され、長期的に安定した再現性
の良好な成膜が可能となる。
ＣＶＤ装置では、ＨＦにより反応室内壁を洗浄すること
ができ、発塵の量が抑制され、長期的に安定した再現性
の良好な成膜が可能となる。
【０１１８】＜第２０実施例＞以下、本発明の第２０実
施例を図２２に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図２２において、１１４は発塵抑制用メッシュ
である。
施例を図２２に示すＣＶＤ装置を参照しつつ具体的に説
明する。図２２において、１１４は発塵抑制用メッシュ
である。
【０１１９】次に、このＣＶＤ装置の動作について説明
する。このＣＶＤ装置では、反応室底部に発塵抑制用メ
ッシュ１１４が設置され、排気部に流出するガスはこの
発塵抑制用メッシュ１１４を通過するが、低温で蒸気圧
の低い原料ガスや反応生成物がこの発塵抑制用メッシュ
１１４により大部分捕獲される。また、この発塵抑制用
メッシュ１１４は交換可能であり数十枚成膜する度に交
換することにより、従来排気部に貯まっていた異物を除
去することができ、発塵量を低減することができる。
する。このＣＶＤ装置では、反応室底部に発塵抑制用メ
ッシュ１１４が設置され、排気部に流出するガスはこの
発塵抑制用メッシュ１１４を通過するが、低温で蒸気圧
の低い原料ガスや反応生成物がこの発塵抑制用メッシュ
１１４により大部分捕獲される。また、この発塵抑制用
メッシュ１１４は交換可能であり数十枚成膜する度に交
換することにより、従来排気部に貯まっていた異物を除
去することができ、発塵量を低減することができる。
【０１２０】以上の説明の通り、第２０実施例にかかる
ＣＶＤ装置では、反応室底部に発塵抑制用メッシュ１１
４を設置しているので、数十枚成膜する度に交換するこ
とにより、従来排気部に貯まっていた異物を除去するこ
とができ、発塵量を低減することができる。
ＣＶＤ装置では、反応室底部に発塵抑制用メッシュ１１
４を設置しているので、数十枚成膜する度に交換するこ
とにより、従来排気部に貯まっていた異物を除去するこ
とができ、発塵量を低減することができる。
【０１２１】
【発明の効果】本発明の第１の態様によれば、質量分析
計によって成膜時に気化器から反応室内に送り込まれる
ＣＶＤ原料の濃度が常時モニタリングされるので、液体
供給器(流量コントローラ)を自動制御して膜組成比を調
整することが可能となり、薄膜の組成比が安定する。
計によって成膜時に気化器から反応室内に送り込まれる
ＣＶＤ原料の濃度が常時モニタリングされるので、液体
供給器(流量コントローラ)を自動制御して膜組成比を調
整することが可能となり、薄膜の組成比が安定する。
【０１２２】本発明の第２の態様によれば、光吸収セル
(ＦＴ−ＩＲ)によって成膜時に気化器から反応室内に送
り込まれるＣＶＤ原料の濃度が常時モニタリングされる
ので、液体供給器(流量コントローラ)を自動制御して膜
組成比を調整することが可能となり、薄膜の組成比が安
定する。
(ＦＴ−ＩＲ)によって成膜時に気化器から反応室内に送
り込まれるＣＶＤ原料の濃度が常時モニタリングされる
ので、液体供給器(流量コントローラ)を自動制御して膜
組成比を調整することが可能となり、薄膜の組成比が安
定する。
【０１２３】本発明の第３の態様によれば、霧化機構に
よって液体のＣＶＤ原料が気化器に入る前に霧化させら
れるので、液体のＣＶＤ原料が気化器に入る前に均一な
微粒滴となり、気化器内壁における原料残渣量が低減さ
れる。
よって液体のＣＶＤ原料が気化器に入る前に霧化させら
れるので、液体のＣＶＤ原料が気化器に入る前に均一な
微粒滴となり、気化器内壁における原料残渣量が低減さ
れる。
【０１２４】本発明の第４の態様によれば、気化器が円
筒形とされ、液体のＣＶＤ原料がキャリアガスとともに
接線方向(円周方向)に導入されるので、気化したＣＶＤ
原料を気化器の中心軸方向に排出すれば、気化残渣など
の発塵物が気化器内壁に付着し、このため発塵物の反応
室への混入が防止される。
筒形とされ、液体のＣＶＤ原料がキャリアガスとともに
接線方向(円周方向)に導入されるので、気化したＣＶＤ
原料を気化器の中心軸方向に排出すれば、気化残渣など
の発塵物が気化器内壁に付着し、このため発塵物の反応
室への混入が防止される。
【０１２５】本発明の第５の態様によれば、気化器には
取り替え可能な内壁が設けられているので、成膜終了後
に内壁を取り替えることにより、気化器内壁の付着物を
除去することができ、該付着物の除去が容易化される。
取り替え可能な内壁が設けられているので、成膜終了後
に内壁を取り替えることにより、気化器内壁の付着物を
除去することができ、該付着物の除去が容易化される。
【０１２６】本発明の第６の態様によれば、成膜終了後
に気化器内に洗浄液を供給して、気化器を開閉すること
なくその内壁を洗浄することができ、異物(コンタミネ
ーション)の反応室への混入が防止される。
に気化器内に洗浄液を供給して、気化器を開閉すること
なくその内壁を洗浄することができ、異物(コンタミネ
ーション)の反応室への混入が防止される。
【０１２７】本発明の第７の態様によれば、気化器の内
壁に平板電極板を設けて成膜終了後にプラズマを発生さ
せるなどして、気化器内壁をスパッタエッチ洗浄するよ
うにしているので、気化器を開閉することなくその内壁
を洗浄することができ、異物(コンタミネーション)の反
応室への混入が防止される。
壁に平板電極板を設けて成膜終了後にプラズマを発生さ
せるなどして、気化器内壁をスパッタエッチ洗浄するよ
うにしているので、気化器を開閉することなくその内壁
を洗浄することができ、異物(コンタミネーション)の反
応室への混入が防止される。
【０１２８】本発明の第８の態様によれば、基本的には
上記第７の態様と同様の効果が得られる。さらに、気化
器内壁及び電極が、基板上に形成される薄膜と同一の材
質の材料でコーティングされているので、スパッタエッ
チ洗浄が促進される。
上記第７の態様と同様の効果が得られる。さらに、気化
器内壁及び電極が、基板上に形成される薄膜と同一の材
質の材料でコーティングされているので、スパッタエッ
チ洗浄が促進される。
【０１２９】本発明の第９の態様によれば、気化器と気
化器から反応室までの配管とがすべて反応室上の恒温ボ
ックス内に納められるので、システムがシンプル化され
るとともに、熱効率が高められ、コストが低減される。
化器から反応室までの配管とがすべて反応室上の恒温ボ
ックス内に納められるので、システムがシンプル化され
るとともに、熱効率が高められ、コストが低減される。
【０１３０】本発明の第１０の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、成
膜中の膜質が赤外吸収分光(ＦＴ−ＩＲ)分析によりin
situに分析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可
能となり、成膜中における膜質制御が可能となり、この
ため高品質な薄膜が得られる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、成
膜中の膜質が赤外吸収分光(ＦＴ−ＩＲ)分析によりin
situに分析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可
能となり、成膜中における膜質制御が可能となり、この
ため高品質な薄膜が得られる。
【０１３１】本発明の第１１の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、成
膜中の膜質が蛍光Ｘ線(ＸＲＦ)分析によりin situに分
析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能とな
り、成膜中における膜質制御が可能となり、このため高
品質な薄膜が得られる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、成
膜中の膜質が蛍光Ｘ線(ＸＲＦ)分析によりin situに分
析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能とな
り、成膜中における膜質制御が可能となり、このため高
品質な薄膜が得られる。
【０１３２】本発明の第１２の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、成
膜中の膜質が表面光吸収法(ＳＰＡ法)分析によりin si
tuに分析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能
となり、成膜中における膜質制御が可能となり、このた
め高品質な薄膜が得られる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、成
膜中の膜質が表面光吸収法(ＳＰＡ法)分析によりin si
tuに分析されるので、薄膜の膜質のモニタリングが可能
となり、成膜中における膜質制御が可能となり、このた
め高品質な薄膜が得られる。
【０１３３】本発明の第１３の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、排
気部に設けられた質量分析計(ＱＭＳ)によりＴＨＦ、Ｓ
r(ＤＰＭ)2等のＣＶＤ原料からの分解生成物量が検出
(モニタリング)されるので、原料供給量の異常等が即座
に検知され、再現性のよい高品質な薄膜が得られる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、排
気部に設けられた質量分析計(ＱＭＳ)によりＴＨＦ、Ｓ
r(ＤＰＭ)2等のＣＶＤ原料からの分解生成物量が検出
(モニタリング)されるので、原料供給量の異常等が即座
に検知され、再現性のよい高品質な薄膜が得られる。
【０１３４】本発明の第１４の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、従
来はＣ(カーボン)でつくられていたサセプタを耐酸化性
の高いＢＮでつくるようにしたので、サセプタの劣化が
抑制され、安定した再現性のよい高品質な薄膜が得られ
る。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、従
来はＣ(カーボン)でつくられていたサセプタを耐酸化性
の高いＢＮでつくるようにしたので、サセプタの劣化が
抑制され、安定した再現性のよい高品質な薄膜が得られ
る。
【０１３５】本発明の第１５の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、従
来はヒータ裏面に設置していた熱電対をサセプタ内に設
けているので、基板に近い位置での温度モニタリングが
可能となり、長期的に安定した再現性のよい高品質な薄
膜が得られる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、従
来はヒータ裏面に設置していた熱電対をサセプタ内に設
けているので、基板に近い位置での温度モニタリングが
可能となり、長期的に安定した再現性のよい高品質な薄
膜が得られる。
【０１３６】本発明の第１６の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、拡
散板にヒータが設けられ、拡散板の温度制御が可能とな
るので、いかなる成膜条件下においても、拡散板の温度
を気化器の温度と一致させることができ、再現性のよい
高品質な薄膜が得られる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、拡
散板にヒータが設けられ、拡散板の温度制御が可能とな
るので、いかなる成膜条件下においても、拡散板の温度
を気化器の温度と一致させることができ、再現性のよい
高品質な薄膜が得られる。
【０１３７】本発明の第１７の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、反
応室内壁が二重構造とされ、その内部に冷却媒体が導入
されるので、反応室内壁が冷却され、反応生成物等が反
応室内壁で凝縮され、発塵が抑制され、このため長期的
に安定した連続成膜が可能となる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、反
応室内壁が二重構造とされ、その内部に冷却媒体が導入
されるので、反応室内壁が冷却され、反応生成物等が反
応室内壁で凝縮され、発塵が抑制され、このため長期的
に安定した連続成膜が可能となる。
【０１３８】本発明の第１８の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、反
応室内壁がＳiＯ2で被覆されるので、反応生成物等が反
応室内壁に付着しにくくなり、発塵が抑制され、長期的
に安定した再現性のよい高品質な薄膜が得られる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、反
応室内壁がＳiＯ2で被覆されるので、反応生成物等が反
応室内壁に付着しにくくなり、発塵が抑制され、長期的
に安定した再現性のよい高品質な薄膜が得られる。
【０１３９】本発明の第１９の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、所
定の回数の薄膜形成が行われる毎にバブリングによりＴ
ＥＯＳが反応室内に供給され、これによって反応室内壁
がＳiＯ2で被覆されるので、反応生成物等が反応室内壁
に付着しにくくなり、発塵が抑制され、長期的に安定し
た再現性のよい高品質な薄膜が得られる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、所
定の回数の薄膜形成が行われる毎にバブリングによりＴ
ＥＯＳが反応室内に供給され、これによって反応室内壁
がＳiＯ2で被覆されるので、反応生成物等が反応室内壁
に付着しにくくなり、発塵が抑制され、長期的に安定し
た再現性のよい高品質な薄膜が得られる。
【０１４０】本発明の第２０の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、所
定の回数の薄膜形成が行われる毎にバブリングによりＨ
Ｆが反応室内に供給され、これによって反応室内壁が洗
浄されるので、発塵が抑制され、長期的に安定した再現
性のよい高品質な薄膜が得られる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、所
定の回数の薄膜形成が行われる毎にバブリングによりＨ
Ｆが反応室内に供給され、これによって反応室内壁が洗
浄されるので、発塵が抑制され、長期的に安定した再現
性のよい高品質な薄膜が得られる。
【０１４１】本発明の第２１の態様によれば、基本的に
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、反
応室底部に交換可能な発塵抑制用メッシュが設けられる
ので、発塵が抑制され、長期的に安定した連続成膜が可
能となる。
は上記第９の態様と同様の効果が得られる。さらに、反
応室底部に交換可能な発塵抑制用メッシュが設けられる
ので、発塵が抑制され、長期的に安定した連続成膜が可
能となる。
【図１】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略構
成図である。
成図である。
【図２】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略構
成図である。
成図である。
【図３】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略構
成図である。
成図である。
【図４】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略構
成図である。
成図である。
【図５】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略構
成図である。
成図である。
【図６】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略構
成図である。
成図である。
【図７】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略構
成図である。
成図である。
【図８】 質量分析計によるＣＶＤ原料の分析結果の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図９】 ＣＶＤ原料の赤外吸収スペクトルの測定結
果の一例を示す図である。
果の一例を示す図である。
【図１０】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図１１】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図１２】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図１３】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図１４】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図１５】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図１６】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図１７】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図１８】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図１９】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２０】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２１】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２２】 本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２３】 従来の液体原料用ＣＶＤ装置の概略構成図
である。
である。
１ 希釈ガス管、２ 希釈ガス量調整器、３ 接続管、
４ 気化器、５ 液体原料容器、６ 液体原料供給器、
７ 噴霧ノズル、７a 圧力霧化用ノズル、８ 加熱ヒ
ータ、９ 絞り部、１０ 原料ガス輸送管、１１ 加熱
ヒータ、１２ 原料ガス供給孔、１３ 反応ガス供給
管、１４ 加熱ヒータ、１５ 反応室、１６ 加熱ステ
ージ、１７ 成膜基板、１８ 加圧管、２０ 質量分析
計、２１ ＦＴ−ＩＲ光源、２２〜２５ ＫＢr製窓、
２６ 赤外吸収管、２７ 赤外光線、２８ ＦＴ−ＩＲ
分光器、２９ ＦＴ−ＩＲ検知器、３０〜３５ 開閉バ
ルブ、３６ Ｎ2ガス供給管、３７ 排気管、３８ コ
ンプレッサー、３９ 円筒形気化器、４０ ノズル、４
１ 原料ガス輸送管、４２ キャリアガスと原料の混合
流、４３ 内壁板、４４ 洗浄液容器、４５ 加圧管、
４６〜４８ 開閉バルブ、４９ 排気ポンプ、５０ 気
化器下板、５１ ヒータ、５２ 高周波用電源、５３
気化器上板、５４ 加熱ヒータ、５５ 原料ガス輸送
管、５６ 加熱ヒータ、５７ 放電ガス供給管、５８
排気管、５９ 液体原料供給管、６０〜６１ 絶縁材、
７１ ベント側バルブ、７２ 反応室側バルブ、７３
原料ガス用ベントライン、７４ 恒温ボックス、７５
ミキサー、７６ 拡散板、７７ サセプタ、７８ リフ
レクタ、７９ 熱電対、８０ ＩＲ光源、８１ 偏光
子、８２ ＩＲ光(p偏光)、８３ ＩＲ光検知器、８４
ＩＲ用窓(ＫＢr等)、８５ パージ用窒素ガス、８６
カバー、８７ Ｘ線管、８８ 連続Ｘ線、８９ 薄膜中
の元素の特性Ｘ線、９０ 分光された特性Ｘ線、９１
Ｘ線用窓(Ｂe等)、９２ 分光結晶、９３ 検出器、９
４ ゴニオメータ、９５ Ｘeランプ、９６ p偏光、９
７ 合成石英窓、９８ 光検出器、９９ 質量分析計
(ＱＭＳ)、１００ オリフィス用加熱ヒータ、１０１
ＢＮ製サセプタ、１０２ 熱電対、１０３ 拡散板用ヒ
ータ、１０４ 冷却水、１０５ 冷却水出口、１０６
冷却水入口、１０７ 冷却水、１０８ 反応室内壁、１
０９ バブリング用窒素ガス、１１０ ＴＥＯＳバブラ
ー、１１１ ＡＰＣ、１１２ １２０℃保温配管、１１
３ ＨＦ、１１４ 発塵防止用メッシュ。
４ 気化器、５ 液体原料容器、６ 液体原料供給器、
７ 噴霧ノズル、７a 圧力霧化用ノズル、８ 加熱ヒ
ータ、９ 絞り部、１０ 原料ガス輸送管、１１ 加熱
ヒータ、１２ 原料ガス供給孔、１３ 反応ガス供給
管、１４ 加熱ヒータ、１５ 反応室、１６ 加熱ステ
ージ、１７ 成膜基板、１８ 加圧管、２０ 質量分析
計、２１ ＦＴ−ＩＲ光源、２２〜２５ ＫＢr製窓、
２６ 赤外吸収管、２７ 赤外光線、２８ ＦＴ−ＩＲ
分光器、２９ ＦＴ−ＩＲ検知器、３０〜３５ 開閉バ
ルブ、３６ Ｎ2ガス供給管、３７ 排気管、３８ コ
ンプレッサー、３９ 円筒形気化器、４０ ノズル、４
１ 原料ガス輸送管、４２ キャリアガスと原料の混合
流、４３ 内壁板、４４ 洗浄液容器、４５ 加圧管、
４６〜４８ 開閉バルブ、４９ 排気ポンプ、５０ 気
化器下板、５１ ヒータ、５２ 高周波用電源、５３
気化器上板、５４ 加熱ヒータ、５５ 原料ガス輸送
管、５６ 加熱ヒータ、５７ 放電ガス供給管、５８
排気管、５９ 液体原料供給管、６０〜６１ 絶縁材、
７１ ベント側バルブ、７２ 反応室側バルブ、７３
原料ガス用ベントライン、７４ 恒温ボックス、７５
ミキサー、７６ 拡散板、７７ サセプタ、７８ リフ
レクタ、７９ 熱電対、８０ ＩＲ光源、８１ 偏光
子、８２ ＩＲ光(p偏光)、８３ ＩＲ光検知器、８４
ＩＲ用窓(ＫＢr等)、８５ パージ用窒素ガス、８６
カバー、８７ Ｘ線管、８８ 連続Ｘ線、８９ 薄膜中
の元素の特性Ｘ線、９０ 分光された特性Ｘ線、９１
Ｘ線用窓(Ｂe等)、９２ 分光結晶、９３ 検出器、９
４ ゴニオメータ、９５ Ｘeランプ、９６ p偏光、９
７ 合成石英窓、９８ 光検出器、９９ 質量分析計
(ＱＭＳ)、１００ オリフィス用加熱ヒータ、１０１
ＢＮ製サセプタ、１０２ 熱電対、１０３ 拡散板用ヒ
ータ、１０４ 冷却水、１０５ 冷却水出口、１０６
冷却水入口、１０７ 冷却水、１０８ 反応室内壁、１
０９ バブリング用窒素ガス、１１０ ＴＥＯＳバブラ
ー、１１１ ＡＰＣ、１１２ １２０℃保温配管、１１
３ ＨＦ、１１４ 発塵防止用メッシュ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 加藤 浩一 (56)参考文献 特開 平４−22126（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−261529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−71399（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−86719（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−18016（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−245524（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−98784（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−333570（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−354326（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−136120（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−90246（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291152（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−102247（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−291040（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−310444（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94426（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−346243（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−349747（ＪＰ，Ａ) 特表 平８−508315（ＪＰ，Ａ) 国際公開94／21840（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 C23C 16/18 C23C 16/52 H01L 21/205 H01L 21/316
Claims (2)
- 【請求項１】 有機金属錯体を溶媒に溶解させてなるＣ
ＶＤ原料を保持する原料容器と、該ＣＶＤ原料を定量供
給する液体供給器と、該液体供給器から供給されたＣＶ
Ｄ原料を加熱して気化させる気化器と、気化したＣＶＤ
原料を用いて基板上に薄膜を形成する反応室とを有する
ＣＶＤ法による薄膜の堆積装置において、 上記気化器が、取り替えが可能な内壁を備えていること
を特徴とする薄膜の堆積装置。 - 【請求項２】 有機金属錯体を溶媒に溶解させてなるＣ
ＶＤ原料を保持する原料容器と、該ＣＶＤ原料を定量供
給する液体供給器と、該液体供給器から供給されたＣＶ
Ｄ原料を加熱して気化させる気化器と、気化したＣＶＤ
原料を用いて基板上に薄膜を形成する反応室とを有する
ＣＶＤ法による薄膜の堆積装置において、 気化器を開閉することなく気化器内壁をスパッタエッチ
洗浄する洗浄機構が設けられ、 気化器内壁及び気化器上板が、基板上に形成される薄膜
と同一の材質の材料でコーティングされていることを特
徴とする薄膜の堆積装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32697294A JP3335492B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 薄膜の堆積装置 |
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| KR1019950061269A KR100203000B1 (ko) | 1994-12-28 | 1995-12-28 | 화학 증착에 의한 박막 형성 장치 및 방법 |
| US09/070,009 US6033732A (en) | 1994-12-28 | 1998-04-30 | Apparatus for and method of forming thin film by chemical vapor deposition |
| US09/478,362 US6096133A (en) | 1994-12-28 | 2000-01-06 | Chemical vapor deposition apparatus |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JPH08186103A JPH08186103A (ja) | 1996-07-16 |
| JP3335492B2 true JP3335492B2 (ja) | 2002-10-15 |
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| JP32697294A Expired - Fee Related JP3335492B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 薄膜の堆積装置 |
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| JPH11176819A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 高誘電率薄膜形成用ｃｖｄ溶液原料のモニター方法およびその装置 |
| JPH11297681A (ja) | 1998-04-07 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高誘電率薄膜形成用ｃｖｄ装置および高誘電率薄膜の形成方法 |
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| JP2000349078A (ja) | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2000345345A (ja) | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置用気化装置 |
| JP4187373B2 (ja) | 1999-12-27 | 2008-11-26 | 株式会社Ａｄｅｋａ | 化学気相成長用銅原料及びこれを用いた薄膜の製造方法 |
| KR100331024B1 (ko) * | 2000-06-05 | 2002-04-03 | 김상호 | 액체소스 분사 기화장치 |
| JP4634592B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2011-02-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜成膜液体原料用気化器 |
| JP3987312B2 (ja) | 2001-08-31 | 2007-10-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体製造装置のクリーニング方法 |
| JP2004111761A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Japan Pionics Co Ltd | 気相成長方法 |
| KR100473806B1 (ko) * | 2002-09-28 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 유기물 박막 및 유기물 소자를 위한 대면적 유기물 기상증착 장치 및 제조 방법 |
| JP2004273766A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Watanabe Shoko:Kk | 気化装置及びそれを用いた成膜装置並びに気化方法及び成膜方法 |
| TWI326104B (en) * | 2003-05-27 | 2010-06-11 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for generating a precursor for a semiconductor processing system |
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| JP4710481B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2011-06-29 | 住友化学株式会社 | 有機金属化合物供給容器 |
| JP4899958B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-03-21 | 日立電線株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
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| JP4680246B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2011-05-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | 気相成長装置の異常生成物除去方法 |
| JP5346532B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-11-20 | 創研工業株式会社 | 気化器ユニット、これを用いる半導体処理システムおよび気化器に接続されるガス輸送管 |
| DE102009031059A1 (de) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | Clariant International Ltd. | Vorrichtung zur kontinuierlichen Durchführung chemischer Reaktionen bei hohen Temperaturen |
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| JP7174950B2 (ja) * | 2018-12-11 | 2022-11-18 | 株式会社デンソー | 成膜方法 |
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1994
- 1994-12-28 JP JP32697294A patent/JP3335492B2/ja not_active Expired - Fee Related
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