JP2004111761A - 気相成長方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＬＺＴの成膜において、気化器内の原料流路における固体ＣＶＤ原料の付着等を容易に検知することができ、歩留りを低下させることなく、品質、純度が優れた強誘電体膜が得られる気相成長方法を提供する。
【解決手段】前記強誘電体膜の成膜に用いられるＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いてその成分を分析、監視しながら半導体製造装置へ供給し気相成長を行なう。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置にガス状のＣＶＤ原料を供給し強誘電体膜を成膜する気相成長方法に関する。さらに詳細には、固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させた原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いて組成を監視しながら半導体製造装置へ供給し、ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＬＺＴ等の強誘電体膜を成膜する気相成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体分野においては、半導体メモリー用の酸化物系誘電体膜として、高誘電率を有しステップカバレッジ性が高いチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜、チタン酸ストロンチウムバリウム（ＢＳＴ）膜、タンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）膜、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）膜等が用いられている。これらの半導体膜のＣＶＤ原料としては、例えばＰｂ源としてＰｂ（ＤＰＭ）_２（固体原料）、Ｚｒ源としてＺｒ（ＯＣ（ＣＨ_３）_３）_４（液体原料）、Ｚｒ（ＤＰＭ）_４（固体原料）、Ｔｉ源としてＴｉ（ＯＣＨ（ＣＨ_３）_２）_４（液体原料）、Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ_３）_２）_２（ＤＰＭ）_２（固体原料）、Ｂａ源としてＢａ（ＤＰＭ）_２（固体原料）、Ｓｒ源としてＳｒ（ＤＰＭ）_２（固体原料）が用いられている。
【０００３】
ＣＶＤ原料として液体原料を使用する場合、通常は、液体原料がキャリアガスとともに気化器に供給され、気化器でガス状にされた後、ＣＶＤ装置に供給される。しかし、液体原料は、一般的に蒸気圧が低く、粘度が高く、気化温度と分解温度が接近しているため、その品質を低下させることなく、しかも所望の濃度及び流量で効率よく気化させることは困難なことであった。また、固体原料は、高温に保持し昇華して気化供給することにより高純度の原料を得ることが可能であるが、工業的には充分な供給量を確保することが極めて困難であるため、通常はテトラヒドロフラン等の溶媒に溶解させて液体原料とすることにより気化させて使用している。しかし、固体原料は、気化温度が溶媒と大きく相異し、加熱により溶媒のみが気化して固体原料が析出しやすいので、液体原料の気化よりもさらに困難であった。
【０００４】
このように液体原料または固体原料を用いた半導体膜の製造は、高度の技術を必要とするが、高品質、高純度のものが期待できるため、これらの原料を劣化や析出をさせることなく効率よく気化する目的で、種々の気化器が開発されてきた。
このような気化器としては、例えば、気化室の形状が、球形、楕球形、樽形、円筒形等であり、キャリヤーガスが気化室内で旋回流を形成するような向きに設定され、気化室の中央部には形状が気化室の形状に略相似形で加熱手段が付与された突起が設けられている気化器が挙げられる（特開２０００−３１５６８６）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前記気化器によれば、加熱されたキャリヤーガスが、気化室の内壁面と突起の間隙を滑らかに旋回し、このような加熱されたキャリヤーガスの流れにより、気化室の内壁及び気化室の中央部の突起からの熱伝達が容易になり、気化室内の温度の均一化をはかることができるので、複数種類のＣＶＤ原料の気化においても、各ＣＶＤ原料の品質の低下を抑制することが可能であり効率よく気化させることができるとされている。
【０００６】
しかしながら、このような気化効率が優れた気化器を用いても、ＰＺＴ膜、ＢＳＴ膜、ＳＢＴ膜、あるいはＰＬＺＴ膜の気相成長を行なう際に、固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させた原料を用いた場合は、気化器内の原料流路には長時間の使用により固体ＣＶＤ原料が析出して原料の流路内に付着し、絶縁薄膜の品質、純度に悪影響を及ぼす虞があった。このような固体ＣＶＤ原料の付着に関しては、気化器内の原料流路に圧力計を設置して圧力を監視することにより原料流路の閉塞を予知することができ、圧力が上昇し始める際に気化供給及び気相成長を中断して洗浄することにより気化器内を浄化することができるが、相当量の固体ＣＶＤ原料が付着しないと、固体ＣＶＤ原料の付着自体は検知することができなかった。そのため、品質、純度が優れた強誘電体膜を確実に得るためには、洗浄サイクルを短くする必要があり、歩留りが低下するという不都合があった。
【０００７】
従って、本発明が解決しようとする課題は、これらの強誘電体膜の気相成長において、気化器内の原料流路における固体ＣＶＤ原料の付着を容易に検知することができ、歩留りを低下させることなく、品質、純度が優れた強誘電体膜が得られる気相成長方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、ＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いてその成分を分析、監視しながら半導体製造装置へ供給することにより、気化器内の原料流路における固体ＣＶＤ原料の付着を検知することが可能となり、効率の良い洗浄サイクルで気化器を浄化することにより、歩留りを低下させることなく、品質、純度が優れた強誘電体膜が得られることを見い出し本発明に到達した。
【０００９】
すなわち本発明は、鉛を含むＣＶＤ原料、ジルコニウムを含むＣＶＤ原料、及びチタンを含むＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いて該混合気化ガスの成分を分析しながら半導体製造装置へ供給し、ＰＺＴ膜を成膜することを特徴とする気相成長方法である。
【００１０】
また、本発明は、バリウムを含むＣＶＤ原料、ストロンチウムを含むＣＶＤ原料、及びチタンを含むＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いて該混合気化ガスの成分を分析しながら半導体製造装置へ供給し、ＢＳＴ膜を成膜することを特徴とする気相成長方法である。
【００１１】
また、本発明は、ストロンチウムを含むＣＶＤ原料、ビスマスを含むＣＶＤ原料、及びタンタルを含むＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いて該混合気化ガスの成分を分析しながら半導体製造装置へ供給し、ＳＢＴ膜を成膜することを特徴とする気相成長方法である。
【００１２】
また、本発明は、鉛を含むＣＶＤ原料、ランタンを含むＣＶＤ原料、ジルコニウムを含むＣＶＤ原料、及びチタンを含むＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いて該混合気化ガスの成分を分析しながら半導体製造装置へ供給し、ＰＬＺＴ膜を成膜することを特徴とする気相成長方法でもある。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、ＰＺＴ膜、ＢＳＴ膜、ＳＢＴ膜、またはＰＬＺＴ膜の気相成長方法に適用される。
本発明の気相成長方法は、ＰＺＴ膜、ＢＳＴ膜、ＳＢＴ膜、またはＰＬＺＴ膜の気相成長方法であって、これらの成膜に用いられるＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いてその成分を分析しながら半導体製造装置へ供給し、気相成長する方法である。
【００１４】
本発明の気相成長方法に適用できるＰＺＴ膜、ＢＳＴ膜、ＳＢＴ膜、またはＰＬＺＴ膜の成膜に用いられるＣＶＤ原料は、常温、常圧で液体であっても、また固体を溶媒に溶解したものであっても、液状を保持し得るものであれば特に制限はなく、用途に応じて適宜選択、使用される。例えば鉛を含むＣＶＤ原料としては、ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）鉛（Ｐｂ（ＤＰＭ）_２）等、ジルコニウムを含むＣＶＤ原料としては、テトラｔｅｒｔ−ブトキシジルコニウム（Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ_３）_３）_４）、テトラｎ−ブトキシジルコニウム（Ｚｒ（ＯＣ_４Ｈ_９）_４）、テトラジメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４）、テトラ（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（ＤＰＭ）_４）、（イソプロポキシ）トリス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５，−ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（ＯｉＰｒ）（ＤＰＭ）_３）、テトラ（２，６，−ジメチル−３，５ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（ＤＭＨＤ）_４）等を挙げることができる。
【００１５】
また、チタンを含むＣＶＤ原料としては、テトラｉｓｏ−プロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ_３）_２）_４）、テトラｎ−プロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ_３Ｈ_７）_４）、テトラジメチルアミノチタン（Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_４）、テトラジエチルアミノチタン（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）_４）、テトラ（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）チタン（Ｔｉ（ＤＰＭ）_４）、（ジ−ターシャリーブトキシ）ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３．５．ヘプタンジオナイト）チタン（Ｔｉ（ＯｔＢｕ）_２（ＤＰＭ）_２）、（ジ−イソプロポキシ）ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５，−ヘプタンジオナイト）チタン（Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_２（ＤＰＭ）_２）等を例示することができる。
【００１６】
また、バリウムを含むＣＶＤ原料としては、ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）バリウム（Ｂａ（ＤＰＭ）_２）等、ストロンチウムを含むＣＶＤ原料としては、ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）ストロンチウム（Ｓｒ（ＤＰＭ）_２）等、ビスマスを含むＣＶＤ原料としては、ビスマス（ＩＩＩ）ターシャリーブトキシド（Ｂｉ（ＯｔＢｕ）_３）、ビスマス（ＩＩＩ）ターシャリーペントキシド（Ｂｉ（ＯｔＡｍ）_３）、トリフェニルビスマス（ＢｉＰｈ_３）等を例示することができる。
【００１７】
また、タンタルを含むＣＶＤ原料としては、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５）、ペンタジメチルアミノタンタル（Ｔａ（Ｎ（ＣＨ_３）_２）_５）、ペンタジエチルアミノタンタル（Ｔａ（Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）_５）、（ジ−イソプロポキシ）トリス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５，−ヘプタンジオナイト）タンタル（Ｔａ（ＯｉＰｒ）_２（ＤＰＭ）_３）等、ランタンを含むＣＶＤ原料としては、トリス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）ランタン（Ｌａ（ＤＰＭ）_３）等を例示することができる。
ただし、これらのうち固体のＣＶＤ原料は、通常は０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌ程度の濃度で有機溶媒に溶解して使用する必要がある。
【００１８】
固体ＣＶＤ原料の溶媒として用いられる前記有機溶媒は、通常はその沸点温度が４０℃〜１４０℃の有機溶媒である。それらの有機溶媒として、例えば、プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール、アセトン、エチルメチルケトン、ｉｓｏ−プロピルメチルケトン、ｉｓｏ−ブチルメチルケトン等のケトン、プロピルアミン、ブチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、トリエチルアミン等のアミン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素等を挙げることができる。
【００１９】
以下、本発明の気相成長方法を、図１に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
図１は、本発明の気相成長方法を実施するためのＣＶＤ原料の気化供給装置及び半導体製造装置の例を示す構成図である。
【００２０】
本発明の気相成長方法に使用される気化供給装置は、例えば、図１のように、ＣＶＤ原料２が封入されたＣＶＤ原料容器３、脱ガス器４、液体マスフローコントローラー等の液体流量制御部５、気化器６、キャリアガス供給ライン９等からなる気化ラインを含むものである。気化ラインは、ＰＺＴ膜、ＢＳＴ膜、またはＳＢＴ膜を気相成長する際には通常３ライン、ＰＬＺＴ膜を気相成長する際には通常４ライン設定される。本発明の気相成長方法においては、各々の気化ラインから供給されたＣＶＤ原料の気化ガスを気化ガス混合器１０で混合した後、その混合気化ガスの成分を分析するためのＦＴＩＲ１１が設けられる。
【００２１】
本発明の気相成長方法においては、例えば、ＣＶＤ原料が封入されたＣＶＤ原料容器を各気化供給ラインに設置した後、ＣＶＤ原料容器内に不活性ガスの圧力をかけることにより、液体ＣＶＤ原料が脱ガス器を経由して液体マスフローコントローラーに導入され、さらに気化器へ供給されて気化される。気化器は、液体ＣＶＤ原料を気化するための気化室、液体ＣＶＤ原料を気化室へ噴霧するための噴霧ノズル、気化ガス排出口、気化室を加熱するためのヒーター等により構成されるが、特に固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させた原料を用いた場合は、長時間の気化供給により、噴霧ノズル、気化室のＣＶＤ原料噴出口近辺には、固体ＣＶＤ原料が析出、付着し、ＣＶＤ原料の気化ガス供給量の低下、変質成分の発生等により、絶縁薄膜の品質、純度に悪影響を及ぼす虞があった。
【００２２】
本発明の気相成長方法においては、図１に示すように、各々の気化ラインから供給されたＣＶＤ原料の気化ガスを混合した後、その混合気化ガスの成分をＦＴＩＲで測定するので、前述のような固体ＣＶＤ原料の析出、付着、閉塞によるＣＶＤ原料の成分変化、変質成分の発生を容易に検知することができる。また、本発明においては、固体ＣＶＤ原料の析出、付着、閉塞のほか、気化供給装置のトラブルによるＣＶＤ原料成分の組成変化等も検知することが可能である。
【００２３】
本発明の気相成長方法は、以上のように気化器における固体ＣＶＤ原料の析出、付着、あるいは閉塞を容易に検知することができるので、これによる各ＣＶＤ原料の増減を検知し、例えばシーケンサーを設けて電気信号により液体流量制御部のＣＶＤ原料の流量を制御することができる。また、本発明は、効率の良い洗浄サイクルで気化器を浄化することが可能であり、歩留りを低下させることなく、品質、純度が優れたＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＬＺＴ等の強誘電体膜が得られる。
【００２４】
【実施例】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
【００２５】
実施例１
（気化器の製作）
噴霧ノズル部に超音波振動子を有する図２に示すような気化器を３個製作した。気化室は内径１１０ｍｍの球形であり、ＣＶＤ原料供給口が気化室の最上部に、気化ガス出口が気化室の下部に、キャリアガス導入口が気化容器の上部に設けられている。キャリアガス導入管の向きは、キャリアガスが気化室内壁水平面の接線方向に供給され、気化室内で旋回流を形成するような向きに設定されている。また、ＣＶＤ原料の導入部には、気化器内のＣＶＤ原料詰りによる圧力上昇を検知するための圧力計を設けた。尚、この気化器は、液体ＣＶＤ原料が超音波振動子により霧化され、さらに気化室内の加熱されたキャリアガスの旋回流と接触する構成なので、液体ＣＶＤ原料を効率よく容易に気化することが可能である。
【００２６】
（気化供給装置の製作）
次に、Ｐｂ（ＤＰＭ）_２をＴＨＦに溶解した原料が封入された原料容器、Ｚｒ（ＤＰＭ）_４をＴＨＦに溶解した原料が封入された原料容器、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_２（ＤＰＭ）_２をＴＨＦに溶解した原料が封入された原料容器（固体ＣＶＤ原料の濃度はいずれも０．３ｍｏｌ／Ｌ）を、各々脱ガス器、液体マスフローコントローラー、気化器、キャリアガス供給ライン等に接続し、気化ラインを３個製作した。さらに、これらの気化ラインと、気化ガス混合器、ＦＴＩＲを接続して、気化供給装置を製作するとともに、気化供給装置と半導体製造装置を接続して図１に示すような構成の装置を製作した。
【００２７】
（気相成長試験）
半導体製造装置にシリコン基板をセットし、温度を７００℃とするとともに、気化器内を１．６ｋＰａ（１２ｔｏｒｒ）、２３０℃、気化ガス混合器の混合室を２３０℃に保持した。次にＰｂ（ＤＰＭ）_２／ＴＨＦ、Ｚｒ（ＤＰＭ）_４／ＴＨＦ、及びＴｉ（ＯｉＰｒ）_２（ＤＰＭ）_２／ＴＨＦを、液体マスフローコントローラーを用いて、各々０．３６ｇ／ｍｉｎ、０．２ｇ／ｍｉｎ、０．２ｇ／ｍｉｎの流量で各々の気化器に供給するとともに、各々のキャリアガス供給ラインから２３０℃に加熱されたアルゴンガスを、２００ｍｌ／ｍｉｎの流量で気化器に供給して気化させた。さらに気化ガス混合器から排出される混合気化ガスに、２３０℃に加熱された高純度の酸素を５００ｍｌ／ｍｉｎの流量で添加して半導体製造装置に供給してシリコン基板上にＰＺＴ膜を成膜した。
【００２８】
この間、ＦＴＩＲを用いて１０分間隔で混合気化ガスの成分を分析した。その結果、気相成長試験開始直後は、図３に示すような赤外線吸収スペクトルが得られたが、気相成長試験開始から２．５時間後には、図４に示すように気相成長試験開始直後のデータとは若干異なる赤外線吸収スペクトルが得られため、気相成長を一時中断し、気化器をＴＨＦで洗浄してから再度気相成長を行なった。尚、このような状況の変化は、圧力計では検知することができなかった。その後、前記のような操作を繰返して行ない気相成長試験を終了した。この間に得られたＰＺＴ膜の蛍光Ｘ線分析による組成比率測定の経時変化を表１に示す。表１に示す試験経過時間は、洗浄に要した時間（約１０分）を省いた時間である。
【００２９】
比較例１
実施例１においてＦＴＩＲを使用しなかった以外は実施例１と同様にして気相成長試験を行なった。その結果、気相成長試験開始から１０時間後に、ＣＶＤ原料の導入部の圧力上昇を検知したため気相成長を中止した。この間に得られたＰＺＴ膜の蛍光Ｘ線分析による組成測定の経時変化を表１に示す。
【００３０】
【表１】

【００３１】
【発明の効果】
本発明の気相成長方法は、ＣＶＤ原料の混合気化ガスの成分を、ＦＴＩＲを用いて分析、監視しながら気相成長を行なうので、気化器内の原料流路における固体ＣＶＤ原料の付着や気化供給装置のトラブルによるＣＶＤ原料成分の組成変化等を、迅速かつ容易に検知することが可能である。その結果、効率の良い洗浄サイクルで気化器等を浄化することが可能となり、歩留りを低下させることなく、品質、純度が優れたＰＺＴ膜、ＢＳＴ膜、ＳＢＴ膜、ＰＬＺＴ膜等の強誘電体膜が得られようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の気相成長方法を実施するためのＣＶＤ原料の気化供給装置及び半導体製造装置の一例を示す構成図
【図２】本発明の気相成長方法を実施するための気化器の一例を示す断面図
【図３】実施例１における気相成長試験開始直後の混合気化ガスの赤外線吸収スペクトル
【図４】実施例１における気相成長試験開始から２．５時間後の混合気化ガスの赤外線吸収スペクトル
【符号の説明】
１　不活性ガス供給ライン
２　ＣＶＤ原料
３　ＣＶＤ原料容器
４　脱ガス器
５　液体マスフローコントローラー
６　気化器
７　ガス予熱器
８　気体マスフローコントローラー
９　キャリアガス供給ライン
１０　気化ガス混合器
１１　ＦＴＩＲ
１２　断熱材
１３　半導体製造装置
１４　超音波振動子
１５　ＣＶＤ原料噴出口
１６　キャリアガス供給管
１７　気化ガス排出管
１８　気化室
１９　ヒーター

Claims (16)

1. 鉛を含むＣＶＤ原料、ジルコニウムを含むＣＶＤ原料、及びチタンを含むＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いて該混合気化ガスの成分を分析しながら半導体製造装置へ供給し、ＰＺＴ膜を成膜することを特徴とする気相成長方法。
2. バリウムを含むＣＶＤ原料、ストロンチウムを含むＣＶＤ原料、及びチタンを含むＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いて該混合気化ガスの成分を分析しながら半導体製造装置へ供給し、ＢＳＴ膜を成膜することを特徴とする気相成長方法。
3. ストロンチウムを含むＣＶＤ原料、ビスマスを含むＣＶＤ原料、及びタンタルを含むＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いて該混合気化ガスの成分を分析しながら半導体製造装置へ供給し、ＳＢＴ膜を成膜することを特徴とする気相成長方法。
4. 鉛を含むＣＶＤ原料、ランタンを含むＣＶＤ原料、ジルコニウムを含むＣＶＤ原料、及びチタンを含むＣＶＤ原料の混合気化ガスを、ＦＴＩＲを用いて該混合気化ガスの成分を分析しながら半導体製造装置へ供給し、ＰＬＺＴ膜を成膜することを特徴とする気相成長方法。
5. 混合気化ガスが、各ＣＶＤ原料を、各々別々に液体流量制御部を経由させて気化器へ供給し、気化させた後、気化ガス混合器で混合することにより得られる請求項１乃至請求項４のいずれかの１項に記載の気相成長方法。
6. ＦＴＩＲを用いた混合気化ガスの成分の分析により、気化器内のＣＶＤ原料の付着または詰りを検知する請求項１乃至請求項４のいずれかの１項に記載の気相成長方法。
7. ＦＴＩＲを用いた混合気化ガスの成分の分析により、各ＣＶＤ原料の増減を検知し、シーケンサーを介して電気信号により液体流量制御部のＣＶＤ原料の流量を制御する請求項１乃至請求項４のいずれかの１項に記載の気相成長方法。
8. ＣＶＤ原料が、固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させた原料である請求項１乃至請求項４のいずれかの１項に記載の気相成長方法。
9. 鉛を含むＣＶＤ原料が、ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）鉛を有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料である請求項１または請求項４に記載の気相成長方法。
10. ジルコニウムを含むＣＶＤ原料が、テトラ（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）ジルコニウム、テトラ（２，６，−ジメチル−３，５ヘプタンジオナイト）ジルコニウム、または（イソプロポキシ）トリス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５，−ヘプタンジオナイト）ジルコニウムを有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料である請求項１または請求項４に記載の気相成長方法。
11. チタンを含むＣＶＤ原料が、テトラ（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）チタン、（ジ−ターシャリーブトキシ）ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３．５．ヘプタンジオナイト）チタン、または（ジ−イソプロポキシ）ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５，−ヘプタンジオナイト）チタンを有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料である請求項１、請求項２、または請求項４のいずれかの１項に記載の気相成長方法。
12. バリウムを含むＣＶＤ原料が、ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）バリウムを有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料である請求２に記載の気相成長方法。
13. ストロンチウムを含むＣＶＤ原料が、ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）ストロンチウムを有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料である請求項２または請求項３に記載の気相成長方法。
14. ビスマスを含むＣＶＤ原料が、ビスマス（ＩＩＩ）ターシャリーブトキシド、ビスマス（ＩＩＩ）ターシャリーペントキシド、またはトリフェニルビスマスを有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料である請求項３に記載の気相成長方法。
15. タンタルを含むＣＶＤ原料が、（ジ−イソプロポキシ）トリス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５，−ヘプタンジオナイト）タンタルを有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料である請求項３に記載の気相成長方法。
16. ランタンを含むＣＶＤ原料が、トリス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５ヘプタンジオナイト）ランタンを有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料である請求項４に記載の気相成長方法。

Images