JP3215245B2 - 薄膜表面の粗面形成方法 - Google Patents
薄膜表面の粗面形成方法Info
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- JP3215245B2 JP3215245B2 JP33206993A JP33206993A JP3215245B2 JP 3215245 B2 JP3215245 B2 JP 3215245B2 JP 33206993 A JP33206993 A JP 33206993A JP 33206993 A JP33206993 A JP 33206993A JP 3215245 B2 JP3215245 B2 JP 3215245B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜表面の粗面形成方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の製造においては、加
工後の半導体素子表面は、できるだけ平滑にすることが
検討されており、積極的に素子表面を粗面化しようとい
う動きは少なかった。しかし、薄膜表面を粗面化するこ
とは、例えば素子の作製において化学的に密着性の弱い
場合に、膜と膜との密着性を上げることが可能となり、
また、半導体素子表面の凹凸の程度の差により、光学的
な特性の違った領域を半導体素子内の任意な位置に形成
することができるようになり、新たなデバイスへの適用
が可能である。
工後の半導体素子表面は、できるだけ平滑にすることが
検討されており、積極的に素子表面を粗面化しようとい
う動きは少なかった。しかし、薄膜表面を粗面化するこ
とは、例えば素子の作製において化学的に密着性の弱い
場合に、膜と膜との密着性を上げることが可能となり、
また、半導体素子表面の凹凸の程度の差により、光学的
な特性の違った領域を半導体素子内の任意な位置に形成
することができるようになり、新たなデバイスへの適用
が可能である。
【０００３】従来の技術では、例えば「Ｊ．Ｖａｃ．Ｓ
ｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ７（６），１９８９」に示さ
れているように、エッチング条件、例えば、電力（ｐｏ
ｗｅｒ）とか圧力などの条件によっては、偶然にもブラ
ックシリコンなどと言われるような多数の針が並んだよ
うな表面が形成されることが知られている。図６に従来
の技術による薄膜表面の凹凸が形成される工程例を示
す。
ｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ７（６），１９８９」に示さ
れているように、エッチング条件、例えば、電力（ｐｏ
ｗｅｒ）とか圧力などの条件によっては、偶然にもブラ
ックシリコンなどと言われるような多数の針が並んだよ
うな表面が形成されることが知られている。図６に従来
の技術による薄膜表面の凹凸が形成される工程例を示
す。
【０００４】まず、図６（Ａ）に示すように、ガラス基
板１上にシリコン窒化膜２、シリコン膜３をプラズマＣ
ＶＤ法などにより形成する。次いで、図６（Ｂ）に示す
ように、レジストパターン（図示なし）を形成し、部分
的にシリコン膜３をエッチング除去し、シリコン膜３を
任意の位置に、任意の形状で形成する。
板１上にシリコン窒化膜２、シリコン膜３をプラズマＣ
ＶＤ法などにより形成する。次いで、図６（Ｂ）に示す
ように、レジストパターン（図示なし）を形成し、部分
的にシリコン膜３をエッチング除去し、シリコン膜３を
任意の位置に、任意の形状で形成する。
【０００５】この場合のシリコン膜３のエッチングは、
通常、六フッ化イオウを含む混合ガスや、四フッ化炭素
を含む混合ガスによって行うと、エッチング面４には数
１０〜１００Å程度の凹凸が形成される。
通常、六フッ化イオウを含む混合ガスや、四フッ化炭素
を含む混合ガスによって行うと、エッチング面４には数
１０〜１００Å程度の凹凸が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この薄
膜表面の凹凸の程度を再現性良く制御することが困難で
あった。本発明は、上記のような状況に鑑みて、薄膜表
面の任意な位置を容易に粗面化することが可能な薄膜表
面の粗面形成方法を提供することを目的とする。
膜表面の凹凸の程度を再現性良く制御することが困難で
あった。本発明は、上記のような状況に鑑みて、薄膜表
面の任意な位置を容易に粗面化することが可能な薄膜表
面の粗面形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （Ａ）薄膜表面に凹凸を形成する薄膜表面の粗面形成方
法において、（ａ）基板上にシリコン窒化膜を形成する
工程と、（ｂ）このシリコン窒化膜上にアモルファスシ
リコン膜を全面的または選択的に形成する工程と、
（ｃ）このアモルファスシリコン膜上にＣｒ膜を形成す
る工程と、（ｄ）このＣｒ膜をエッチングし除去する工
程と、（ｅ）前記アモルファスシリコン膜とＣｒ膜の界
面に形成されたクロムシリサイド層と、このアモルファ
スシリコン膜の少なくとも一部をエッチングし前記シリ
コン窒化膜の表面に凹凸を形成する工程を含むようにし
たものである。
成するために、 （Ａ）薄膜表面に凹凸を形成する薄膜表面の粗面形成方
法において、（ａ）基板上にシリコン窒化膜を形成する
工程と、（ｂ）このシリコン窒化膜上にアモルファスシ
リコン膜を全面的または選択的に形成する工程と、
（ｃ）このアモルファスシリコン膜上にＣｒ膜を形成す
る工程と、（ｄ）このＣｒ膜をエッチングし除去する工
程と、（ｅ）前記アモルファスシリコン膜とＣｒ膜の界
面に形成されたクロムシリサイド層と、このアモルファ
スシリコン膜の少なくとも一部をエッチングし前記シリ
コン窒化膜の表面に凹凸を形成する工程を含むようにし
たものである。
【０００８】（Ｂ）薄膜表面に凹凸を形成する薄膜表面
の粗面形成方法において、（ａ）基板上にフッ素ラジカ
ルでエッチングされる金属膜を形成する工程と、（ｂ）
この金属膜上にアモルファスシリコン膜を全面的または
選択的に形成する工程と、（ｃ）このアモルファスシリ
コン膜上にＣｒ膜を形成する工程と、（ｄ）このＣｒ膜
をエッチングし、除去する工程と、（ｅ）前記金属膜と
アモルファスシリコン膜との界面に形成された金属シリ
サイド膜と、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも
一部をエッチングし前記金属膜の表面に凹凸を形成する
工程を含むようにしたものである。
の粗面形成方法において、（ａ）基板上にフッ素ラジカ
ルでエッチングされる金属膜を形成する工程と、（ｂ）
この金属膜上にアモルファスシリコン膜を全面的または
選択的に形成する工程と、（ｃ）このアモルファスシリ
コン膜上にＣｒ膜を形成する工程と、（ｄ）このＣｒ膜
をエッチングし、除去する工程と、（ｅ）前記金属膜と
アモルファスシリコン膜との界面に形成された金属シリ
サイド膜と、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも
一部をエッチングし前記金属膜の表面に凹凸を形成する
工程を含むようにしたものである。
【０００９】（Ｃ）前記（Ａ）または（Ｂ）において、
前記Ｃｒ膜をエッチングし除去する工程は、塩素ガスを
含むエッチングガスによるドライエッチング工程であ
る。
前記Ｃｒ膜をエッチングし除去する工程は、塩素ガスを
含むエッチングガスによるドライエッチング工程であ
る。
【００１０】（Ｄ）前記（Ａ）または（Ｂ）において、
前記Ｃｒ膜をエッチングし除去する工程は、硝酸第２セ
リウムアンモニウムを含むウェットエッチング工程であ
る。
前記Ｃｒ膜をエッチングし除去する工程は、硝酸第２セ
リウムアンモニウムを含むウェットエッチング工程であ
る。
【００１１】（Ｅ）前記（Ａ）において、前記クロムシ
リサイド層と前記アモルファスシリコン膜をエッチング
する工程は、前記シリコン窒化膜の少なくとも一部をエ
ッチングし除去する工程を含む。
リサイド層と前記アモルファスシリコン膜をエッチング
する工程は、前記シリコン窒化膜の少なくとも一部をエ
ッチングし除去する工程を含む。
【００１２】（Ｆ）前記（Ｂ）において、前記金属シリ
サイド膜と前記アモルファスシリコン膜をエッチングす
る工程は、前記金属膜の少なくとも一部をエッチングし
除去する工程を含む。
サイド膜と前記アモルファスシリコン膜をエッチングす
る工程は、前記金属膜の少なくとも一部をエッチングし
除去する工程を含む。
【００１３】
【作用】本発明によれば、薄膜表面に凹凸を形成する薄
膜表面の粗面形成方法において、基板上に形成されたシ
リコン窒化膜や金属膜等の薄膜上にアモルファスシリコ
ン膜を全面的または選択的に形成し、該アモルファスシ
リコン膜上にＣｒ膜を形成し、前記アモルファスシリコ
ン膜と前記Ｃｒ膜との界面にクロムシリサイド層が形成
された後、前記Ｃｒ膜をエッチング除去し、前記クロム
シリサイド層と前記アモルファスシリコン膜の少なくと
も一部をエッチングし、前記薄膜の表面に凹凸を形成す
ることができる。
膜表面の粗面形成方法において、基板上に形成されたシ
リコン窒化膜や金属膜等の薄膜上にアモルファスシリコ
ン膜を全面的または選択的に形成し、該アモルファスシ
リコン膜上にＣｒ膜を形成し、前記アモルファスシリコ
ン膜と前記Ｃｒ膜との界面にクロムシリサイド層が形成
された後、前記Ｃｒ膜をエッチング除去し、前記クロム
シリサイド層と前記アモルファスシリコン膜の少なくと
も一部をエッチングし、前記薄膜の表面に凹凸を形成す
ることができる。
【００１４】したがって、容易に、任意な位置の薄膜表
面を粗面化することができる。
面を粗面化することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示
す薄膜表面の粗面形成工程断面図である。まず、図１
（Ａ）に示すように、ガラス基板１１上にプラズマＣＶ
Ｄ法により窒化膜（ＳｉＮ膜）１２を３０００Å形成し
た後、同じくプラズマＣＶＤ法により、不純物がノンド
ープのａ−Ｓｉ膜１３を７５０Å形成し、最後に、スパ
ッタ法により、Ｃｒ膜１４を２５０Å形成する。する
と、ａ−Ｓｉ膜１３とＣｒ膜１４との界面にクロムシリ
サイド層１５が形成される。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示
す薄膜表面の粗面形成工程断面図である。まず、図１
（Ａ）に示すように、ガラス基板１１上にプラズマＣＶ
Ｄ法により窒化膜（ＳｉＮ膜）１２を３０００Å形成し
た後、同じくプラズマＣＶＤ法により、不純物がノンド
ープのａ−Ｓｉ膜１３を７５０Å形成し、最後に、スパ
ッタ法により、Ｃｒ膜１４を２５０Å形成する。する
と、ａ−Ｓｉ膜１３とＣｒ膜１４との界面にクロムシリ
サイド層１５が形成される。
【００１６】次いで、図１（Ｂ）に示すように、Ｃｒ膜
１４を塩素と酸素ガスからなる混合ガスを用いてプラズ
マエッチング（第１回目のエッチング）により、全面除
去する。次いで、図１（Ｃ）に示すように、六フッ化イ
オウと塩素と水素ガスからなる混合ガスにより、一定時
間エッチング（第２回目のエッチング）を施す。この図
１（Ｃ）は第２回目のエッチングを施した後の基板の断
面を模式的に示している。
１４を塩素と酸素ガスからなる混合ガスを用いてプラズ
マエッチング（第１回目のエッチング）により、全面除
去する。次いで、図１（Ｃ）に示すように、六フッ化イ
オウと塩素と水素ガスからなる混合ガスにより、一定時
間エッチング（第２回目のエッチング）を施す。この図
１（Ｃ）は第２回目のエッチングを施した後の基板の断
面を模式的に示している。
【００１７】この断面図から分かるように、エッチング
後、ガラス基板１１上にはＳｉＮ膜１２だけが残り、か
つそのＳｉＮ膜１２の表面が凹凸になっている。この実
施例での第２回目のエッチングの時間を変えて、表面凹
凸の寸法ｄ〔図１（Ｃ）参照〕を測定した結果を図２に
示す。図２において、横軸は本発明の第２回目のエッチ
ング時間を、縦軸は表面凹凸の寸法ｄを示している。
後、ガラス基板１１上にはＳｉＮ膜１２だけが残り、か
つそのＳｉＮ膜１２の表面が凹凸になっている。この実
施例での第２回目のエッチングの時間を変えて、表面凹
凸の寸法ｄ〔図１（Ｃ）参照〕を測定した結果を図２に
示す。図２において、横軸は本発明の第２回目のエッチ
ング時間を、縦軸は表面凹凸の寸法ｄを示している。
【００１８】この図から明らかなように、第２回目のエ
ッチングの時間が長い程、表面凹凸の寸法ｄが大きくな
る。したがって、表面粗面化の程度を第２回目のエッチ
ングのエッチング時間で制御することができる。図３は
本発明の第２実施例を示す半導体素子表面の粗面形成工
程断面図である。
ッチングの時間が長い程、表面凹凸の寸法ｄが大きくな
る。したがって、表面粗面化の程度を第２回目のエッチ
ングのエッチング時間で制御することができる。図３は
本発明の第２実施例を示す半導体素子表面の粗面形成工
程断面図である。
【００１９】まず、図３（Ａ）に示すように、ガラス基
板２１上にプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜２２を３
０００Å形成した後、同じくプラズマＣＶＤ法により、
ａ−Ｓｉを成膜し、エッチングしてａ−Ｓｉ膜２３のパ
ターンを部分的に形成する。最後にスパッタ法によりＣ
ｒ膜２４を形成することにより、クロムシリサイド層２
５がａ−Ｓｉ膜２３とＣｒ膜２４の界面に形成される。
板２１上にプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜２２を３
０００Å形成した後、同じくプラズマＣＶＤ法により、
ａ−Ｓｉを成膜し、エッチングしてａ−Ｓｉ膜２３のパ
ターンを部分的に形成する。最後にスパッタ法によりＣ
ｒ膜２４を形成することにより、クロムシリサイド層２
５がａ−Ｓｉ膜２３とＣｒ膜２４の界面に形成される。
【００２０】次いで、図３（Ｂ）に示すように、Ｃｒ膜
２４を塩素と酸素ガスからなる混合ガスを用いて、プラ
ズマエッチング（第１回目のエッチング）により、全面
除去する。次に、クロムシリサイド層２５とａ−Ｓｉ膜
２３を六フッ化イオウと塩素と水素ガスからなる混合ガ
スにより、一定時間エッチング（第２回目のエッチン
グ）を施す。
２４を塩素と酸素ガスからなる混合ガスを用いて、プラ
ズマエッチング（第１回目のエッチング）により、全面
除去する。次に、クロムシリサイド層２５とａ−Ｓｉ膜
２３を六フッ化イオウと塩素と水素ガスからなる混合ガ
スにより、一定時間エッチング（第２回目のエッチン
グ）を施す。
【００２１】すると、図３（Ｃ）に示すように、基板上
の任意の位置に粗面部２６を形成することができる。次
に、図４は本発明の第３実施例を示す薄膜表面の粗面形
成工程断面図である。まず、図４（Ａ）に示すように、
ガラス基板３１上にシリコン膜３２を形成し、その上に
Ｃｒ膜３３を形成する。すると、シリコン膜３２とＣｒ
膜３３との界面にクロムシリサイド層３４が形成され
る。
の任意の位置に粗面部２６を形成することができる。次
に、図４は本発明の第３実施例を示す薄膜表面の粗面形
成工程断面図である。まず、図４（Ａ）に示すように、
ガラス基板３１上にシリコン膜３２を形成し、その上に
Ｃｒ膜３３を形成する。すると、シリコン膜３２とＣｒ
膜３３との界面にクロムシリサイド層３４が形成され
る。
【００２２】次いで、Ｃｒ膜３３を塩素と酸素ガスから
なる混合ガスを用いてプラズマエッチングにより全面除
去し、次いで六フッ化イオウと塩素と水素ガスからなる
混合ガスにて、前記クロムシリサイド層３４をプラズマ
エッチングにより除去すると共に、シリコン膜表面をエ
ッチングする。このエッチングにより、図４（Ｂ）に示
すように、基板上のシリコン膜３２の表面に粗面部３５
を形成することができる。
なる混合ガスを用いてプラズマエッチングにより全面除
去し、次いで六フッ化イオウと塩素と水素ガスからなる
混合ガスにて、前記クロムシリサイド層３４をプラズマ
エッチングにより除去すると共に、シリコン膜表面をエ
ッチングする。このエッチングにより、図４（Ｂ）に示
すように、基板上のシリコン膜３２の表面に粗面部３５
を形成することができる。
【００２３】このように、上記した第１及び第２の実施
例においては、窒化膜／シリコン膜／Ｃｒ膜の構造を形
成し、２回のエッチングにより窒化膜の全面又は局所的
に凹凸を形成し、粗面化を図れることを示したが、第３
の実施例によれば、シリコン膜／Ｃｒ膜の２層構造でシ
リコン膜に凹凸を形成し、粗面化を図るようにしてもよ
い。
例においては、窒化膜／シリコン膜／Ｃｒ膜の構造を形
成し、２回のエッチングにより窒化膜の全面又は局所的
に凹凸を形成し、粗面化を図れることを示したが、第３
の実施例によれば、シリコン膜／Ｃｒ膜の２層構造でシ
リコン膜に凹凸を形成し、粗面化を図るようにしてもよ
い。
【００２４】次に、図５は本発明の第４実施例を示す薄
膜表面の粗面形成工程断面図である。まず、図５（Ａ）
に示すように、基板４１上にＴａやＭｏ等のフッ素ラジ
カルでエッチングされる金属膜４２を形成した後、プラ
ズマＣＶＤ法により不純物がノンドープのａ−Ｓｉ膜４
３を７５０Å形成し、最後にスパッタ法により、Ｃｒ膜
４４を２５０Å形成する。この時、ａ−Ｓｉ膜４３とＣ
ｒ膜４４との界面にクロムシリサイド層４５が形成され
る。
膜表面の粗面形成工程断面図である。まず、図５（Ａ）
に示すように、基板４１上にＴａやＭｏ等のフッ素ラジ
カルでエッチングされる金属膜４２を形成した後、プラ
ズマＣＶＤ法により不純物がノンドープのａ−Ｓｉ膜４
３を７５０Å形成し、最後にスパッタ法により、Ｃｒ膜
４４を２５０Å形成する。この時、ａ−Ｓｉ膜４３とＣ
ｒ膜４４との界面にクロムシリサイド層４５が形成され
る。
【００２５】次いで、図５（Ｂ）に示すように、Ｃｒ膜
４４を塩素と酸素ガスからなる混合ガスを用いてプラズ
マエッチング（第１回目のエッチング）により、全面除
去する。次いで、六フッ化イオウと塩素と水素ガスから
なる混合ガスにより、クロムシリサイド層４５とａ−Ｓ
ｉ膜４３とを一定時間エッチング（第２回目のエッチン
グ）を施して除去する。この第２回目のエッチングによ
り図５（Ｃ）に示すような金属膜４２の表面を粗面化す
ることができる。
４４を塩素と酸素ガスからなる混合ガスを用いてプラズ
マエッチング（第１回目のエッチング）により、全面除
去する。次いで、六フッ化イオウと塩素と水素ガスから
なる混合ガスにより、クロムシリサイド層４５とａ−Ｓ
ｉ膜４３とを一定時間エッチング（第２回目のエッチン
グ）を施して除去する。この第２回目のエッチングによ
り図５（Ｃ）に示すような金属膜４２の表面を粗面化す
ることができる。
【００２６】このように、第１実施例から第３実施例に
示したＳｉＮ膜の代わりに、ＴａやＭｏ等のフッ素ラジ
カルでエッチングされる金属膜を使用することにより、
該金属膜の表面を全面または局所的に粗面化することが
可能である。また、Ｃｒ膜のエッチング法については、
塩素と酸素ガスからなる混合ガスを用いる代わりに、硝
酸第２セリウムアンモニウムを用いたウェットエッチン
グ法によって行ってもよい。
示したＳｉＮ膜の代わりに、ＴａやＭｏ等のフッ素ラジ
カルでエッチングされる金属膜を使用することにより、
該金属膜の表面を全面または局所的に粗面化することが
可能である。また、Ｃｒ膜のエッチング法については、
塩素と酸素ガスからなる混合ガスを用いる代わりに、硝
酸第２セリウムアンモニウムを用いたウェットエッチン
グ法によって行ってもよい。
【００２７】更に、Ｃｒ膜のエッチング後のドライエッ
チングガスとしては、六フッ化イオウを含む混合ガスで
行う方が、短時間の処理で凹凸が形成できるが、四フッ
化炭素を含む混合ガスを用いても凹凸を形成することが
でき、表面の粗面化が図れる。また、Ｃｒ膜の下に形成
されるＳｉ膜については、スパッタ法等によって形成さ
れたものでもよく、かつドープされた膜（例えば、Ｐド
ープ、Ｂドープ等）であってもよい。
チングガスとしては、六フッ化イオウを含む混合ガスで
行う方が、短時間の処理で凹凸が形成できるが、四フッ
化炭素を含む混合ガスを用いても凹凸を形成することが
でき、表面の粗面化が図れる。また、Ｃｒ膜の下に形成
されるＳｉ膜については、スパッタ法等によって形成さ
れたものでもよく、かつドープされた膜（例えば、Ｐド
ープ、Ｂドープ等）であってもよい。
【００２８】同様に、Ｃｒ膜についても、スパッタ法以
外の形成法によって形成した膜であっても良い。なお、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発
明の範囲から排除するものではない。
外の形成法によって形成した膜であっても良い。なお、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発
明の範囲から排除するものではない。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、薄膜表面に凹凸を形成する粗面形成方法におい
て、基板上に形成されたシリコン窒化膜や金属膜等の薄
膜上にアモルファスシリコン膜を全面的または選択的に
形成し、該アモルファスシリコン膜上にＣｒ膜を形成
し、前記アモルファスシリコン膜と前記Ｃｒ膜との界面
にクロムシリサイド層が形成された後、前記Ｃｒ膜をエ
ッチング除去し、前記クロムシリサイド層と前記アモル
ファスシリコン膜の少なくとも一部をエッチングし前記
薄膜の表面に凹凸を形成するようにしたので、容易に任
意な位置の薄膜表面を粗面化することができる。
よれば、薄膜表面に凹凸を形成する粗面形成方法におい
て、基板上に形成されたシリコン窒化膜や金属膜等の薄
膜上にアモルファスシリコン膜を全面的または選択的に
形成し、該アモルファスシリコン膜上にＣｒ膜を形成
し、前記アモルファスシリコン膜と前記Ｃｒ膜との界面
にクロムシリサイド層が形成された後、前記Ｃｒ膜をエ
ッチング除去し、前記クロムシリサイド層と前記アモル
ファスシリコン膜の少なくとも一部をエッチングし前記
薄膜の表面に凹凸を形成するようにしたので、容易に任
意な位置の薄膜表面を粗面化することができる。
【００３０】したがって、薄膜表面の粗面化により、そ
の上に形成される膜との密着性を高め、剥離防止効果を
高めることができる。また、薄膜表面の凹凸の程度の差
により、例えば、薄膜光学素子などにおいて、光学的に
特性の違った領域を任意な位置に形成することができ、
容易に光の散乱領域を形成することができる。
の上に形成される膜との密着性を高め、剥離防止効果を
高めることができる。また、薄膜表面の凹凸の程度の差
により、例えば、薄膜光学素子などにおいて、光学的に
特性の違った領域を任意な位置に形成することができ、
容易に光の散乱領域を形成することができる。
【００３１】更に、薄膜表面の粗面化により、その上に
形成される膜と接触面積を大きくすることができ、下層
が金属膜である場合には、例えば、ＤＲＡＭなどの半導
体素子の下層の電極などの表面の接触面積を大きくし、
上層に誘電体を挟み上部電極を形成する場合などにはキ
ャパシタ（容量）の増加を図ることができる。
形成される膜と接触面積を大きくすることができ、下層
が金属膜である場合には、例えば、ＤＲＡＭなどの半導
体素子の下層の電極などの表面の接触面積を大きくし、
上層に誘電体を挟み上部電極を形成する場合などにはキ
ャパシタ（容量）の増加を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す薄膜表面の粗面形成
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す第２回目のエッチン
グの時間に対する表面凹凸の寸法ｄとの関係を示す図で
ある。
グの時間に対する表面凹凸の寸法ｄとの関係を示す図で
ある。
【図３】本発明の第２実施例を示す薄膜表面の粗面形成
工程断面図である。
工程断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示す薄膜表面の粗面形成
工程断面図である。
工程断面図である。
【図５】本発明の第４実施例を示す薄膜表面の粗面形成
工程断面図である。
工程断面図である。
【図６】従来の薄膜表面の粗面形成工程断面図である。
１１，２１，３１ ガラス基板 １２，２２ 窒化膜（ＳｉＮ膜） １３，２３，４３ ａ−Ｓｉ膜 １４，２４，３３，４４ Ｃｒ膜 １５，２５，３４，４５ クロムシリサイド層 ２６，３５ 粗面部 ３２ シリコン膜 ４１ 基板 ４２ 金属膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−196162（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190511（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21752（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−33848（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−271625（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−218958（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−235526（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/822
Claims (6)
- 【請求項１】 薄膜表面に凹凸を形成する薄膜表面の粗
面形成方法において、 （ａ）基板上にシリコン窒化膜を形成する工程と、 （ｂ）該シリコン窒化膜上にアモルファスシリコン膜を
全面的または選択的に形成する工程と、 （ｃ）該アモルファスシリコン膜上にＣｒ膜を形成する
工程と、 （ｄ）該Ｃｒ膜をエッチングし除去する工程と、 （ｅ）前記アモルファスシリコン膜とＣｒ膜の界面に形
成されたクロムシリサイド層と、このアモルファスシリ
コン膜の少なくとも一部をエッチングし前記シリコン窒
化膜の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とす
る薄膜表面の粗面形成方法。 - 【請求項２】 薄膜表面に凹凸を形成する薄膜表面の粗
面形成方法において、 （ａ）基板上にフッ素ラジカルでエッチングされる金属
膜を形成する工程と、 （ｂ）該金属膜上にアモルファスシリコン膜を全面的ま
たは選択的に形成する工程と、 （ｃ）該アモルファスシリコン膜上にＣｒ膜を形成する
工程と、 （ｄ）該Ｃｒ膜をエッチングし、除去する工程と、 （ｅ）前記金属膜とアモルファスシリコン膜との界面に
形成された金属シリサイド膜と、前記アモルファスシリ
コン膜の少なくとも一部をエッチングし前記金属膜の表
面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜表
面の粗面形成方法。 - 【請求項３】 前記Ｃｒ膜をエッチングし除去する工程
は、塩素ガスを含むエッチングガスによるドライエッチ
ング工程であることを特徴とする請求項１又は２記載の
薄膜表面の粗面形成方法。 - 【請求項４】 前記Ｃｒ膜をエッチングし除去する工程
は、硝酸第２セリウムアンモニウムを含むウェットエッ
チング工程であることを特徴とする請求項１又は２記載
の薄膜表面の粗面形成方法。 - 【請求項５】 前記クロムシリサイド層と前記アモルフ
ァスシリコン膜をエッチングする工程は、前記シリコン
窒化膜の少なくとも一部をエッチングし除去する工程を
含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜表面の粗面形
成方法。 - 【請求項６】 前記金属シリサイド膜と前記アモルファ
スシリコン膜をエッチングする工程は、前記金属膜の少
なくとも一部をエッチングし除去する工程を含むことを
特徴とする請求項２記載の薄膜表面の粗面形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33206993A JP3215245B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 薄膜表面の粗面形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33206993A JP3215245B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 薄膜表面の粗面形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193051A JPH07193051A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3215245B2 true JP3215245B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=18250804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33206993A Expired - Fee Related JP3215245B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 薄膜表面の粗面形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3215245B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4780264B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2011-09-28 | 信越化学工業株式会社 | クロム系フォトマスクの形成方法 |
| CN102820224A (zh) * | 2011-06-09 | 2012-12-12 | 上海中科高等研究院 | 用于tft干刻工艺中的界面层处理方法 |
| US11752576B2 (en) * | 2018-03-14 | 2023-09-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system for removing peripheral portion of substrate, substrate processing method and computer readable recording medium thereof |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33206993A patent/JP3215245B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07193051A (ja) | 1995-07-28 |
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