JP4244739B2 - Ｔｆｔアレイ基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＴＦＴアレイ基板の製造方法及びＴＦＴアレイ基板製造における感光材の塗布条件調整方法に係り、さらに詳しくは、液晶ディスプレイなどを構成するＴＦＴアレイ基板の製造における写真製版工程で塗布される感光材の膜厚のばらつきを制御するための感光材塗布条件調整方法に関する。

一般に、液晶ディスプレイなどに用いられるＴＦＴアレイ基板は、様々な工程を経て製造される。すなわち、基板の主面を洗浄する洗浄工程、基板の主面上に金属膜などを形成する成膜工程、感光材（フォトレジスト）を塗布して露光現像する写真製版工程、金属膜などをエッチングして配線パターンを形成するエッチング工程及び残った感光材を剥離する剥離工程などの工程が繰り返される。この様なＴＦＴアレイ基板の製造にあたっては、工程数が多いとイニシャルコスト及びランニングコストがかさむので、プロセスの簡素化によるコストダウンが求められていた。

そこで、ＴＦＴアレイ基板の製造における生産性を向上させるために、写真製版工程の回数（マスク枚数）を低減する方法が従来から提案されている（例えば、特許文献１）。この方法では、チャネル部をハーフトーン露光することにより、ＴＦＴチャネルがパターニングされる。ハーフトーン露光とは、フォトマスク上の遮光膜の有無により露光光を透過または遮断するという通常の露光とは異なり、透過部及び遮断部に加えてそれらの中間部、すなわち、半透過性の部分を設けて露光する方法である。

図１２は、成膜後の基板における要部断面の一例を示した図である。ボトムゲート型のＴＦＴアレイ基板の場合、まず、ガラス基板などの絶縁性基板６上に導電性の金属膜がスパッタリングにより形成され、写真製版、エッチング及び感光材の剥離によりゲートライン２がパターニングされる。次に、基板を洗浄し、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）により絶縁膜１０、半導体膜９ａ及び８ａを順次に形成した後、金属膜４ａがスパッタリングにより形成される。この金属膜４ａの成膜後の状態を示したのが図１２（ａ）であり、図中のＢは画素電極部、Ｃはチャネル部をそれぞれ表している。この様な成膜工程の後、感光材Ｅが塗布されて写真製版が行われる。図１２（ｂ）は感光材Ｅの塗布後の状態を示している。感光材Ｅは、スピンコーターなどを用いて塗布される。

図１３は、ハーフトーン露光による写真製版後の基板における要部断面の一例を示した状態遷移図である。感光材Ｅの塗布後、基板は加熱処理（プリベーク）され、感光材Ｅに含まれる溶剤を蒸発させる。そして、フォトマスクを介してハーフトーン露光し、現像処理を行って不要な感光材Ｅを除去した後、加熱処理（ポストベーク）で感光材Ｅを焼きしめた状態を示したのが図１３（ａ）である。図中のＥ１は半透過部、Ｅ２は遮断部、Ｅ３は透過部をそれぞれ表している。このハーフトーン露光において、感光材Ｅは、露光量の違いから透過部Ｅ３と、半透過部Ｅ１とで現像液に対する溶解性に差が生じる。このため、現像後に感光材Ｅの半透過部Ｅ１は、膜厚が薄い層として基板上に残る。

現像後、金属膜４ａをウエットエッチングすることによりソース・ドレイン電極及び画素電極が形成され、さらに、半導体膜８ａ及び９ａをドライエッチングすることにより、トランジスタ領域が一括パターニングされる。このときの状態を示したのが図１３（ｂ）である。次に、酸素アッシングにより半透過部Ｅ１の感光材Ｅが除去され（図１３（ｃ））、金属膜４ａのウエットエッチングの後、半導体膜８ａをドライエッチングし（図１３（ｄ））、ウエット処理により感光材Ｅを剥離すると、ＴＦＴが完成する（図１３（ｅ））。チャネル部Ｃには、ＴＦＴチャネル１３が形成されている。

上述したハーフトーン露光による写真製版工程では、基板上に塗布される感光材Ｅの膜厚、特に、チャネル部Ｃに形成される半透過部Ｅ１の膜厚を基板間で均一に制御することが重要である。基板間で感光材Ｅの膜厚に差が生じると、半透過部Ｅ１の膜厚にも差が生じる。半透過部Ｅ１の膜厚が厚すぎる場合、酸素アッシングによる半透過部Ｅ１における感光材Ｅの除去の際に、感光材Ｅの半透過膜Ｅ１の膜厚が厚すぎるために、チャネル部Ｃがウエットエッチングされず、感光材Ｅを剥離後、金属膜がチャネル部Ｃに残り、ＴＦＴのチャネル部が形成されない。一方、半透過部Ｅ１の膜厚が薄すぎる場合には、現像後のエッチングにより半透過部Ｅ１の感光材Ｅが除去され、半透過部Ｅ１の一部がエッチングされてしまい、ＴＦＴチャネル１３が正しく形成されない。しかし、金属膜などの膜厚の不均一により、画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さが基板間で異なる場合があり、この様な場合には、基板上に塗布される感光材Ｅの膜厚がチャネル部Ｃにおいて異なるため、露光現像後における半透過部Ｅ１の膜厚を基板間で均一にすることは容易ではなかった。

図１４は、チャネル部の高さが異なる基板間で感光材の膜厚を比較して示した従来図である。通常、画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さが異なると、チャネル部Ｃに塗布された感光材Ｅの膜厚も異なる。例えば、画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤ１が相対的に低い場合、塗布された感光材Ｅのチャネル部Ｃにおける膜厚Ｇ３は厚くなり、露光現像後の半透過部Ｅ１の膜厚Ｆ３も厚くなる（図１４（ａ））。一方、画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤ２が高い（Ｄ２>Ｄ１）場合には、感光材Ｅのチャネル部Ｃにおける膜厚Ｇ４が薄くなり、露光現像後の半透過部Ｅ１の膜厚Ｆ４も薄く（Ｆ４<Ｆ３）なる（図１４（ｂ））。

ハーフトーン露光による写真製版工程において感光材の膜厚を制御する従来例としては、特許文献２に記載のものがある。この特許文献２に記載のＴＦＴアレイ基板製造方法は、下地膜の有無によって、半透過部における感光材の膜厚に差が生じることを防止するものである。すなわち、画素電極部及びチャネル部間で膜厚が異なる感光材をフォトマスクの透過率を異ならせることにより、露光現像後の半透過部における感光材の膜厚を画素電極部及びチャネル部間で均一にするものである。従って、チャネル部の高さに応じてチャネル部に塗布される感光材の膜厚を制御するものではなく、ハーフトーン露光における半透過部の膜厚が基板間でばらつくのを防止することができるものではない。
特開２００１−３３９０７２号公報 特開２００２−１４１５１２号公報 特開平９−３２６３４４号公報

解決しようとする問題点は、ハーフトーン露光においてチャネル部に形成される半透過部の膜厚が基板間で均一でないと、半透過部の膜厚が厚すぎたり、薄すぎたりし、ＴＦＴアレイ基板が正しく形成されない点である。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、生産性を向上させたＴＦＴアレイ基板の製造方法及びＴＦＴアレイ基板製造における感光材の塗布条件調整方法を提供することを目的としている。特に、ハーフトーン露光においてチャネル部に形成される半透過部の膜厚が基板間でばらつくのを抑制することができる感光材塗布条件調整方法を提供することを目的としている。

本発明によるＴＦＴアレイ基板の製造方法は、画素電極部及びチャネル部が形成された絶縁性基板において、画素電極部に対するチャネル部の高さを測定する高さ測定ステップと、この高さの測定結果から感光材の塗布条件を定める塗布条件決定ステップと、この塗布条件に基づいて上記画素電極部及びチャネル部が形成された絶縁性基板に感光材を塗布する感光材塗布ステップにより構成される。上記塗布条件決定ステップは、感光材膜厚を塗布条件に対応づけた感光剤膜厚の塗布特性テーブル、及び、感光材塗布前の画素電極部に対するチャネル部の高さを露光現像処理後の感光材膜厚に対応づけた感光体膜厚の高さ特性テーブルに基づいて、塗布条件を定めるステップである。

この様な構成によれば、チャネル部の高さから感光材の塗布条件を決定することができるので、画素電極部に対するチャネル部の高さを測定することにより、チャネル部に塗布される感光材の膜厚を制御することができる。すなわち、感光材の異なる塗布条件に対応付けて感光材膜厚が記録された塗布特性テーブルと、チャネル部の高さごとに露光現像後のチャネル部における感光材膜厚が記録された高さ特性テーブルが予め用意してあれば、絶縁性基板上のチャネル部の高さを測定することによって、感光材の塗布条件を決定することができるので、チャネル部における感光材の膜厚、特に、ハーフトーン露光後の膜厚を所望の膜厚に制御することができる。

本発明によるＴＦＴアレイ基板の製造方法は、上記構成に加え、画素電極部及びチャネル部からなる配線パターンと同一パターンの擬似パターンを当該画素電極部及びチャネル部が設けられる絶縁性基板上に形成する擬似パターン形成ステップを有し、上記塗布条件調整ステップにおいて、上記擬似パターンにおける画素電極部に対するチャネル部の高さが測定されるように構成される。

この様な構成によれば、チャネル部の高さの測定において配線パターンの代わりに擬似パターンにおける画素電極部に対するチャネル部の高さが測定されるので、チャネル部の高さの測定において配線パターンに損傷が生じるのを防止することができる。

本発明によるＴＦＴアレイ基板製造における感光材の塗布条件調整方法は、絶縁性基板上に塗布された感光材の膜厚を感光材の塗布条件を異ならせて測定し、感光材膜厚の塗布特性を求める塗布特性測定ステップと、絶縁性基板上に画素電極部及びチャネル部を形成し、感光材が塗布される前の絶縁性基板における画素電極部に対するチャネル部の高さごとに、露光現像後のチャネル部における感光材膜厚を測定して感光材膜厚の高さ特性を求める高さ特性測定ステップと、画素電極部及びチャネル部を形成した絶縁性基板において、画素電極部に対するチャネル部の高さを測定し、この高さの測定結果から上記塗布特性及び上記高さ特性に基づいて感光材の塗布条件を定める塗布条件調整ステップにより構成される。

本発明によるＴＦＴアレイ基板の製造方法及びＴＦＴアレイ基板製造における感光材の塗布条件調整方法によれば、チャネル部の高さから感光材の塗布条件を決定することができるので、画素電極部に対するチャネル部の高さを測定することにより、チャネル部に塗布される感光材の膜厚を制御することができる。特に、ハーフトーン露光においてチャネル部に形成される半透過部の膜厚を基板間で均一にすることができるので、生産性を向上させることができる。

実施の形態１．
図１は、ＴＦＴアレイ基板の主面における要部の一構成例を示した平面図である。このＴＦＴアレイ基板は、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイを構成する半導体基板であり、基板の主面上には、多数の画素がマトリクス状に配置されている。基板上には、画素ごとに画素電極１、ドレイン電極４及びソース電極３がそれぞれ設けられている。各ソース電極３は、ソースライン５に接続され、ソースライン５に直交してゲートライン２が設けられている。

図２は、図１のＡ−Ａにおける断面図である。ガラス基板などの絶縁性基板６上には、スパッタリングにより形成されたゲートライン２がパターニングされている。また、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）により形成された絶縁膜１０、半導体層９及び８と、スパッタリングにより形成されたソース電極３及びドレイン電極４がパターニングされている。画素電極１は、パッシベーション絶縁膜７に設けられたコンタクトホールを介してドレイン電極４と接続している。画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さは、ゲートライン２、絶縁膜１０、半導体層９及び８、並びに、ソース・ドレイン電極の膜厚における不均一により、基板間で異なっている場合がある。本実施の形態では、この様なチャネル部Ｃの高さを測定することにより、感光材の塗布条件を決定し、チャネル部Ｃに塗布された感光材（ポジ型フォトレジスト）の膜厚が基板間でばらつくのを防止している。

図３は、本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における写真製版工程前のＴＦＴアレイ基板における要部断面の一例を示した図である。絶縁性基板６上には、ゲートライン２、絶縁膜１０、半導体膜９ａ及び８ａ、並びに、金属膜４ａがそれぞれ成膜されてチャネル部Ｃが形成されている。このチャネル部Ｃの画素電極部Ｂに対する高さＤが感光材の塗布条件の決定に際して測定される。例えば、チャネル部Ｃにおける基板全体の厚みと、画素電極部Ｂにおける基板全体の厚みをそれぞれ測定し、測定値の差、すなわち、高低差から高さＤを求めることができる。この様なチャネル部Ｃの高さＤの測定には、光学式膜厚計または触針式膜厚計を用いることができる。高さＤとしては、２５０ｎｍ程度であり、基板間で１０％程度の変動がある。

図４は、本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における写真製版工程後のＴＦＴアレイ基板における要部断面の一例を示した図である。ハーフトーン露光して現像後、加熱処理（ポストベーク）により感光材Ｅは焼きしめられる。このときの半透過部Ｅ１における感光材Ｅの膜厚Ｆが、チャネル部Ｃの高さＤを測定することによって基板間でばらつくのが防止される。膜厚Ｆとしては、４００〜５００±１００ｎｍ程度である。

図５は、本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法におけるチャネル部の高さの測定点の一例を示した平面図である。このＴＦＴアレイ基板１１上には、多数の画素からなる２つのパネル部１２が形成されている。各画素の配線パターンにおける画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤは、パネル部１２内の測定点Ａ１〜Ａ５について測定される。これらの測定点Ａ１〜Ａ５は、高さＤの測定が容易であるように各パネル部１２の端部に配置されている。また、ＴＦＴアレイ基板１１の主面全体についての高さＤの平均値が正しく求められるように配置されている。ここでは、各測定点Ａ１〜Ａ５において測定された高さＤの平均値が求められ、この平均値を高さＤの測定値とする。

図６は、本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法において用いられるスピンコーターの回転数ごとの感光材膜厚の一例を示した図である。スピンコーティングにより基板上に塗布される感光材Ｅの膜厚ｆは、スピンコーターにおける単位時間当たりの回転数ｎの増加に伴って減少している。この様な異なる回転数ｎごとに測定された感光材膜厚の塗布特性は、金属膜などを形成する前の絶縁性基板、例えば、素ガラスを用いて測定される。膜厚ｆの測定には、例えば、光学式膜厚計が用いられる。

一方、感光材Ｅが塗布される前の基板における画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さごとに、露光現像後のチャネル部Ｃにおける感光材Ｅの膜厚が測定される。つまり、チャネル部Ｃの高さＤが異なる基板を用いて、所定の塗布条件、すなわち、所定の回転数ｎで感光材Ｅを塗布し、ハーフトーン露光による露光現像後の半透過部Ｅ１における感光材Ｅの膜厚Ｆが測定される。この様にして、異なる高さＤごとに測定された感光材膜厚の高さ特性が求められる。高さＤ及び膜厚Ｆの測定には、光学式膜厚計または触針式膜厚計が用いられる。

この様な感光材膜厚の高さ特性と塗布特性を予め測定しておくことにより、これらの特性が記録されたテーブルに基づいて、チャネル部Ｃの高さＤの測定結果から感光材Ｅの塗布条件、すなわち、スピンコーティングにおける回転数ｎを定めることができる。例えば、金属膜などの成膜後の基板において感光材Ｅの塗布前にチャネル部Ｃの高さＤを測定する。そして、この高さＤの測定結果から上記高さ特性に基づいて、感光材塗布後の膜厚Ｆを推定する。この推定値と所望の膜厚とのずれから、上記塗布特性に基づいて、回転数ｎが決定される。この感光材Ｅの塗布条件に基づいて、感光材Ｅを塗布することにより、チャネル部Ｃに塗布された感光材Ｅの膜厚Ｆが基板間でばらつくのが防止される。

図７は、本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法において形成された感光材の膜厚をチャネル部の高さが異なる基板間で比較して示した図である。本実施の形態では、画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤ１が相対的に低い場合であっても、塗布された感光材Ｅのチャネル部Ｃにおける膜厚Ｇ１が厚くならず、露光現像後の半透過部Ｅ１の膜厚Ｆ１は所望の膜厚となる（図７（ａ））。また、画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤ２が高い（Ｄ２>Ｄ１）場合であっても、感光材Ｅのチャネル部Ｃにおける膜厚Ｇ２が薄くならず、露光現像後の半透過部Ｅ１の膜厚Ｆ２は所望の膜厚（Ｆ２＝Ｆ１）となる（図７（ｂ））。

図８のステップＳ１〜Ｓ５は、本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における塗布特性の測定動作の一例を示したフローチャートである。まず、絶縁性基板６上にスピンコーターで感光材Ｅを塗布する（ステップＳ１）。そして、塗布された感光材Ｅの膜厚を光学式膜厚計にて測定する（ステップＳ２）。次に、異なる基板を用いて同様の測定を繰り返す。このとき、スピンコーティングにおける回転数ｎを異ならせて感光材Ｅが塗布される（ステップＳ３，Ｓ５）。

そして、回転数ｎにおける所定の測定範囲が終了すると、スピンコーティングにおける単位時間当たりの異なる回転数ｎに対応付けて感光材Ｅの膜厚が記録されたテーブル、すなわち、塗布特性テーブルを作成する（ステップＳ４）。

図９のステップＳ１１〜Ｓ１７は、本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における高さ特性の測定動作の一例を示したフローチャートである。まず、チャネル部Ｃが形成された基板において、画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤを膜厚計にて測定する（ステップＳ１１）。そして、この基板上に所定の塗布条件にて感光材Ｅを塗布する（ステップＳ１２）。

感光材Ｅが塗布された基板を加熱処理し、ハーフトーン露光した後、現像処理を行う（ステップＳ１３）。そして、再度加熱処理した後、半透過部Ｅ１における感光材Ｅの膜厚Ｆを膜厚計にて測定する（ステップＳ１４）。次に、異なる基板を用いて同様の測定を繰り返す（ステップＳ１５，Ｓ１７）。そして、チャネル部Ｃの高さＤにおける所定の測定範囲が終了すると、感光材Ｅが塗布される前の基板における画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤごとに、露光現像後のチャネル部Ｃにおける感光材Ｅの膜厚Ｆが記録されたテーブル、すなわち、高さ特性テーブルを作成する（ステップＳ１６）。

図１０のステップＳ２１〜Ｓ２４は、本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における塗布条件の調整動作の一例を示したフローチャートである。まず、画素電極部Ｂ及びチャネル部Ｃが形成された絶縁性基板６において、画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤを膜厚計にて測定する（ステップＳ２１）。次に、この高さＤの測定結果に基づいて、感光材Ｅの塗布特性テーブルと、高さ特性テーブルを参照し（ステップＳ２２）、所望の膜厚を得るためにスピンコーティングにおける最適な回転数ｎを算出する（ステップＳ２３）。そして、算出した回転数ｎに基づいて、基板上に感光材Ｅをスピンコーティングする（ステップＳ２４）。

本実施の形態によれば、チャネル部Ｃの高さＤから感光材Ｅの塗布条件を決定することができるので、画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤを測定することにより、チャネル部Ｃに塗布される感光材Ｅの膜厚を制御することができる。すなわち、感光材Ｅの異なる塗布条件に対応付けて記録された感光材膜厚の塗布特性テーブルと、チャネル部Ｃの高さＤごとに露光現像後のチャネル部Ｃにおける感光材Ｅの膜厚Ｆが記録された高さ特性テーブルが予め用意してあれば、基板上のチャネル部Ｃの高さＤを測定することによって、感光材Ｅの塗布条件、すなわち、スピンコーティングにおける回転数ｎを決定することができ、チャネル部Ｃにおける感光材Ｅの膜厚Ｆを所望の膜厚に制御することができる。

なお、本実施の形態では、感光材Ｅの塗布条件としてスピンコーティングにおける単位時間当たりの回転数ｎに着目し、異なる回転数ｎに対応付けて感光材Ｅの膜厚が記録されたテーブルが用いられる場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、感光材Ｅの塗布条件として、スピンコーティングにおける塗布時間に着目し、異なる塗布時間に対応付けて感光材Ｅの膜厚が記録されたテーブルを用いるものであっても良い。この様な構成によっても、基板上のチャネル部Ｃの高さＤを測定することによって、感光材Ｅの塗布条件、すなわち、スピンコーティングにおける塗布時間を決定することができ、チャネル部Ｃにおける感光材Ｅの膜厚Ｆを所望の膜厚に制御することができる。

実施の形態２．
実施の形態１では、チャネル部Ｃの高さＤをＴＦＴアレイ基板１１上のパネル部１２内の測定点Ａ１〜Ａ５にて測定する場合の例について説明した。これに対して、本実施の形態では、配線パターンと同一パターンの擬似パターンについて高さを測定する場合について説明する。

図１１は、本発明の実施の形態２によるＴＦＴアレイ基板の製造方法におけるチャネル部の高さの測定点の一例を示した平面図である。このＴＦＴアレイ基板１１上には、パネル部１２外に擬似パターンＡ６〜Ａ８が形成されている。各擬似パターンＡ６〜Ａ８は、パネル部１２内の配線パターンと同一パターンからなり、これらの擬似パターンＡ６〜Ａ８における画素電極部Ｂに対するチャネル部Ｃの高さＤが測定される。擬似パターンＡ６〜Ａ８は、ＴＦＴアレイ基板１１の主面全体についての高さＤの平均値が正しく求められるように配置されている。

触針式膜厚計などでチャネル部Ｃの高さＤを測定すると、配線パターンが損傷を受ける場合がある。本実施の形態によれば、擬似パターンＡ６〜Ａ８について測定が行われるので、この様な配線パターンの損傷を防止することができる。

ＴＦＴアレイ基板の主面における要部の一構成例を示した平面図である。 図１のＡ−Ａにおける断面図である。 本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における写真製版工程前のＴＦＴアレイ基板における要部断面の一例を示した図である。 本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における写真製版工程後のＴＦＴアレイ基板における要部断面の一例を示した図である。 本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法におけるチャネル部の高さの測定点の一例を示した平面図である。 本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法において用いられるスピンコーターの回転数ごとの感光材膜厚の一例を示した図である。 本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法において形成された感光材の膜厚をチャネル部の高さが異なる基板間で比較して示した図である。 本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における塗布特性の測定動作の一例を示したフローチャートである。 本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における高さ特性の測定動作の一例を示したフローチャートである。 本発明の実施の形態１によるＴＦＴアレイ基板の製造方法における塗布条件の調整動作の一例を示したフローチャートである。 本発明の実施の形態２によるＴＦＴアレイ基板の製造方法におけるチャネル部の高さの測定点の一例を示した平面図である。 成膜後の基板における要部断面の一例を示した図である。 ハーフトーン露光による写真製版後の基板における要部断面の一例を示した状態遷移図である。 チャネル部の高さが異なる基板間で感光材の膜厚を比較して示した従来図である。

符号の説明

１ 画素電極
２ ゲートライン
３ ソース電極
４ ドレイン電極
４ａ 金属膜
５ ソースライン
６ 絶縁性基板
７ パッシベーション絶縁膜
８，９ 半導体層
８ａ，９ａ 半導体膜
１０ 絶縁膜
１１ ＴＦＴアレイ基板
１２ パネル部
Ａ１〜Ａ５ 測定点
Ａ６〜Ａ８ 擬似パターン
Ｂ 画素電極部
Ｃ チャネル部
Ｅ 感光材
Ｅ１ 半透過部
Ｅ２ 遮断部

Claims (3)

1. 画素電極部及びチャネル部が形成された絶縁性基板において、
   感光材塗布前に画素電極部に対するチャネル部の高さを測定する高さ測定ステップと、
   この高さの測定結果から感光材の塗布条件を定める塗布条件決定ステップと、
   この塗布条件に基づいて上記画素電極部及びチャネル部が形成された絶縁性基板に感光材を塗布する感光材塗布ステップと、
   上記チャネル部をハーフトーン露光した後に現像を行うハーフトーン露光現像処理ステップと、からなり、
   上記塗布条件決定ステップは、
   感光材塗布前の画素電極部に対するチャネル部の高さをハーフトーン露光現像処理後のチャネル部における感光材膜厚に対応づけた感光材膜厚の高さ特性テーブル、及び、感光材膜厚を塗布条件に対応づけた感光材膜厚の塗布特性テーブルに基づいて、塗布条件を定めるステップであり、
   上記高さ特性テーブルは、感光材が塗布される前の画素電極部に対するチャネル部の高さごとに、ハーフトーン露光現像後のチャネル部における感光材膜厚を測定することを異なる基板を用いて繰り返すことにより作成されたものであることを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。
2. 上記塗布特性テーブルは、感光材がスピンコーティングにより塗布され、このスピンコーティングにおける単位時間当たりの異なる回転数に対応付けて感光材膜厚が記録されたテーブルであることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ基板の製造方法。
3. 画素電極部及びチャネル部からなる配線パターンと同一パターンの擬似パターンを当該画素電極部及びチャネル部が設けられる絶縁性基板上に形成する擬似パターン形成ステップを有し、
   上記塗布条件決定ステップにおいて、上記擬似パターンにおける画素電極部に対するチャネル部の高さが測定されることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ基板の製造方法。

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