JP3112442B2 - 金属電極形成方法および二次的生成物除去方法 - Google Patents
金属電極形成方法および二次的生成物除去方法Info
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- JP3112442B2 JP3112442B2 JP10032995A JP3299598A JP3112442B2 JP 3112442 B2 JP3112442 B2 JP 3112442B2 JP 10032995 A JP10032995 A JP 10032995A JP 3299598 A JP3299598 A JP 3299598A JP 3112442 B2 JP3112442 B2 JP 3112442B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、金属電極形成方
法に関するものであり、特に、エアロゾルを用いた二次
的生成物の除去に関する。
法に関するものであり、特に、エアロゾルを用いた二次
的生成物の除去に関する。
【０００２】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】従来、
強誘電体素子の電極としてＩｒ（イリジウム）、Ｐｔ
（白金）等が用いられている。かかるＩｒ電極の形成方
法について説明する。通常のＡｌ電極と同様に、全面に
Ａｌ層を形成した後、所定のパターンのレジストを形成
し、エッチングを行なう。そして、レジストをアッシン
グによって除去する。これにより、Ｉｒ電極が形成され
る。
強誘電体素子の電極としてＩｒ（イリジウム）、Ｐｔ
（白金）等が用いられている。かかるＩｒ電極の形成方
法について説明する。通常のＡｌ電極と同様に、全面に
Ａｌ層を形成した後、所定のパターンのレジストを形成
し、エッチングを行なう。そして、レジストをアッシン
グによって除去する。これにより、Ｉｒ電極が形成され
る。
【０００３】しかしながら、ＩｒやＰｔは、エッチング
処理の際、図３Ｃに示すように、レジスト３２の側壁に
二次的生成物１５ａが形成される。さらに、アッシング
処理によりレジスト３２を除去すると、図３Ｄに示すよ
うに、前記二次的生成物の側壁１５ａが残る。この状態
でウエットエッチングを行なっても、図４に示す様に側
壁１５ａが残存し、その上に層間膜を介して形成するア
ルミ配線等のカバレジが低下する。特に、レジスト除去
の為のアッシング処理により、前記二次的生成物は、よ
り強固な膜となってしまい、除去がより困難となる。
処理の際、図３Ｃに示すように、レジスト３２の側壁に
二次的生成物１５ａが形成される。さらに、アッシング
処理によりレジスト３２を除去すると、図３Ｄに示すよ
うに、前記二次的生成物の側壁１５ａが残る。この状態
でウエットエッチングを行なっても、図４に示す様に側
壁１５ａが残存し、その上に層間膜を介して形成するア
ルミ配線等のカバレジが低下する。特に、レジスト除去
の為のアッシング処理により、前記二次的生成物は、よ
り強固な膜となってしまい、除去がより困難となる。
【０００４】一方、特開平８−２９８２５２号公報に
は、凍結アルゴンのエアロゾルを用いて基板上のレジス
トを除去する方法が開示されている。簡単に説明する
と、まず、アルゴンの液化温度以上の温度にある加圧さ
れたガス状アルゴン含有気流を膨張、固化させ、凍結ア
ルゴン粒子のエアロゾルを、除去対象のレジストに衝突
させる。そして、基板を直線的に動かす。これにより、
レジストを除去する。なお、この際の条件は、アルゴン
エアロゾルの流量は９５°Ｋで１．４ＳＣＦＭ、キャリ
アガスの窒素の温度と流量は、１９５°Ｋで１．８ＳＣ
ＦＭとする。
は、凍結アルゴンのエアロゾルを用いて基板上のレジス
トを除去する方法が開示されている。簡単に説明する
と、まず、アルゴンの液化温度以上の温度にある加圧さ
れたガス状アルゴン含有気流を膨張、固化させ、凍結ア
ルゴン粒子のエアロゾルを、除去対象のレジストに衝突
させる。そして、基板を直線的に動かす。これにより、
レジストを除去する。なお、この際の条件は、アルゴン
エアロゾルの流量は９５°Ｋで１．４ＳＣＦＭ、キャリ
アガスの窒素の温度と流量は、１９５°Ｋで１．８ＳＣ
ＦＭとする。
【０００５】そこで、発明者は、前記エアロゾルを用い
て、前記側壁に二次的生成物が形成されたレジスト除去
の実験を行なった。しかし、前記条件では前記側壁に二
次的生成物が形成されたレジストを除去することはでき
なかった。
て、前記側壁に二次的生成物が形成されたレジスト除去
の実験を行なった。しかし、前記条件では前記側壁に二
次的生成物が形成されたレジストを除去することはでき
なかった。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解決
し、前記エアロゾルを用いてレジストの側壁に形成され
た二次的生成物を除去する方法および、前記二次的生成
物を確実に除去できる電極形成方法を提供することを目
的とする。
し、前記エアロゾルを用いてレジストの側壁に形成され
た二次的生成物を除去する方法および、前記二次的生成
物を確実に除去できる電極形成方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の金属電極形成
方法においては、前記レジスト除去後に、前記異方性エ
ッチッグによって前記レジストの側壁に形成された二次
的生成物を、エアロゾル化させた不活性ガスの粒子を用
いて除去する金属電極形成方法であって、前記不活性ガ
スとして、キセノンを用いている。
方法においては、前記レジスト除去後に、前記異方性エ
ッチッグによって前記レジストの側壁に形成された二次
的生成物を、エアロゾル化させた不活性ガスの粒子を用
いて除去する金属電極形成方法であって、前記不活性ガ
スとして、キセノンを用いている。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】以下に本明細書において用いた用語につい
て説明する。
て説明する。
【００１３】「基板の上に金属電極層を形成する」と
は、基板の上に直接、金属電極層を形成することはもち
ろん、基板と金属電極層の間に別の層が介在するよう
に、間接的に形成することも含む。
は、基板の上に直接、金属電極層を形成することはもち
ろん、基板と金属電極層の間に別の層が介在するよう
に、間接的に形成することも含む。
【００１４】「不活性ガス」とは、除去対象である前記
二次的生成物に対しては活性である場合も含む。
二次的生成物に対しては活性である場合も含む。
【００１５】「不活性ガスの粒子」とは、凍結した固体
微粒子はもちろん、液体の粒子も含む。
微粒子はもちろん、液体の粒子も含む。
【００１６】
【発明の効果】請求項１の金属電極形成方法において
は、前記レジスト除去後に、前記異方性エッチッグによ
って前記レジストの側壁に形成された二次的生成物を、
エアロゾル化させた不活性ガスを用いて除去する。この
ように、エアロゾル化させた不活性ガスを用いた除去の
前に、レジストを除去することにより、前記二次的生成
物の側壁だけとなる。したがって、エアロゾル化させた
不活性ガスを用いて除去を効率的に行なうことができ
る。また、前記不活性ガスとして、キセノンを用いてい
る。したがって、アルゴンを用いた場合と比べて、より
効率的に、前記二次的生成物を除去することができる。
は、前記レジスト除去後に、前記異方性エッチッグによ
って前記レジストの側壁に形成された二次的生成物を、
エアロゾル化させた不活性ガスを用いて除去する。この
ように、エアロゾル化させた不活性ガスを用いた除去の
前に、レジストを除去することにより、前記二次的生成
物の側壁だけとなる。したがって、エアロゾル化させた
不活性ガスを用いて除去を効率的に行なうことができ
る。また、前記不活性ガスとして、キセノンを用いてい
る。したがって、アルゴンを用いた場合と比べて、より
効率的に、前記二次的生成物を除去することができる。
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【発明の実施の形態】図面を用いて、本発明にかかる電
極形成方法について説明する。図３Ａに示すように、表
面に絶縁膜３が形成された基板２の上に、下部電極層
５、強誘電体膜７、およびＩｒの電極層２５を形成す
る。つぎに、図３Ｂに示す様に、上部電極用のレジスト
３２を形成する。
極形成方法について説明する。図３Ａに示すように、表
面に絶縁膜３が形成された基板２の上に、下部電極層
５、強誘電体膜７、およびＩｒの電極層２５を形成す
る。つぎに、図３Ｂに示す様に、上部電極用のレジスト
３２を形成する。
【００２２】この状態で、異方性エッチングを行なう
と、電極層２５がエッチングされ、上部電極１５が形成
される。なお、この際、レジスト３２の側壁には、図３
Ｃに示す様に、Ｉｒの二次的生成物１５ａが付着する。
と、電極層２５がエッチングされ、上部電極１５が形成
される。なお、この際、レジスト３２の側壁には、図３
Ｃに示す様に、Ｉｒの二次的生成物１５ａが付着する。
【００２３】つぎに、レジスト３２を除去する。本実施
形態においては、Ｉｒに対して選択性の高いエッチング
液を用いて、レジスト３２を除去した。したがって、上
部電極１５の下部の強誘電体膜７にプラズマによる悪影
響を与えることがない。具体的には、厚み１μｍのレジ
ストを除去するのに、５０°Ｃ、１５分間で有機アルカ
リ溶液を用いてエッチッグを行なった。
形態においては、Ｉｒに対して選択性の高いエッチング
液を用いて、レジスト３２を除去した。したがって、上
部電極１５の下部の強誘電体膜７にプラズマによる悪影
響を与えることがない。具体的には、厚み１μｍのレジ
ストを除去するのに、５０°Ｃ、１５分間で有機アルカ
リ溶液を用いてエッチッグを行なった。
【００２４】つぎに、このようにレジスト３２を除去し
て、二次的生成物１５ａの内部を中空にした状態で、エ
アロゾルを用いた二次的生成物除去処理を行なう。エア
ロゾルを用いた二次的生成物除去処理を行なう装置の原
理は、前記特開平８−２９８２５２号公報に説明されて
いるが、図２を用いて簡単に説明する。
て、二次的生成物１５ａの内部を中空にした状態で、エ
アロゾルを用いた二次的生成物除去処理を行なう。エア
ロゾルを用いた二次的生成物除去処理を行なう装置の原
理は、前記特開平８−２９８２５２号公報に説明されて
いるが、図２を用いて簡単に説明する。
【００２５】アルゴンと窒素の混合物は、熱交換器５３
で予冷され、凝縮成分の一部または全部が液化され、こ
れらが、ノズル６１から真空室５１内に放出される。そ
の際、真空室５１内は、ノズル内に比べて低く維持され
るので、この放出により膨張する。ノズル６１から放出
されたアルゴンの粒子は、ガスノズル６２から供給され
る不活性ガスによって加速され、基板１に衝突する。な
お、基板１は真空室５１内をスキャン機構により（図示
せず）移動される。
で予冷され、凝縮成分の一部または全部が液化され、こ
れらが、ノズル６１から真空室５１内に放出される。そ
の際、真空室５１内は、ノズル内に比べて低く維持され
るので、この放出により膨張する。ノズル６１から放出
されたアルゴンの粒子は、ガスノズル６２から供給され
る不活性ガスによって加速され、基板１に衝突する。な
お、基板１は真空室５１内をスキャン機構により（図示
せず）移動される。
【００２６】これにより、図１に示すように、アルゴン
ガスの粒子６０が、二次的生成物１５ａに衝突して、二
次的生成物１５ａが除去される。
ガスの粒子６０が、二次的生成物１５ａに衝突して、二
次的生成物１５ａが除去される。
【００２７】このようにして、レジストの側壁に生成さ
れた二次的生成物１５ａを効率よく除去することができ
る。その後、従来と同様にして、レジストを用いてエッ
チングし、強誘電体膜７、下部電極層５を成形する。
れた二次的生成物１５ａを効率よく除去することができ
る。その後、従来と同様にして、レジストを用いてエッ
チングし、強誘電体膜７、下部電極層５を成形する。
【００２８】本実施形態においては、アルゴンエアロゾ
ルの流量は５０ＳＬＭ（Standard Litter per Minute)
とし、キャリアガスの流量は５ＳＬＭとした。また、基
板のスキャン速度を１ｃｍ／秒とした。
ルの流量は５０ＳＬＭ（Standard Litter per Minute)
とし、キャリアガスの流量は５ＳＬＭとした。また、基
板のスキャン速度を１ｃｍ／秒とした。
【００２９】なお、エアロゾルを用いた二次的生成物除
去処理を行なう際に、基板１を加熱して、アルゴン粒子
を衝突させるようにしてもよい。これにより、熱応力に
よる除去が促進される。加熱する温度としては、強誘電
体膜７の耐熱温度以下とすることが必要である。例え
ば、ＰＺＴだと２００°Ｃ程度である。例えば、真空室
に搬入前に加熱してもよく、さらに、真空室内で加熱し
てもよい。
去処理を行なう際に、基板１を加熱して、アルゴン粒子
を衝突させるようにしてもよい。これにより、熱応力に
よる除去が促進される。加熱する温度としては、強誘電
体膜７の耐熱温度以下とすることが必要である。例え
ば、ＰＺＴだと２００°Ｃ程度である。例えば、真空室
に搬入前に加熱してもよく、さらに、真空室内で加熱し
てもよい。
【００３０】また、本実施形態においては、アルゴンガ
スを用いたが、キセノン（Ｘｅ）ガスを用いてもよい。
キセノン（Ｘｅ）ガスはアルゴンガスよりも、質量が大
きい為、より効果的に二次的生成物を除去することがで
きる。この場合も、アルゴンと同様に、真空室５１内の
圧力を３重点以下に維持することが望ましい。
スを用いたが、キセノン（Ｘｅ）ガスを用いてもよい。
キセノン（Ｘｅ）ガスはアルゴンガスよりも、質量が大
きい為、より効果的に二次的生成物を除去することがで
きる。この場合も、アルゴンと同様に、真空室５１内の
圧力を３重点以下に維持することが望ましい。
【００３１】なお、本実施形態においては、Ｉｒに対し
て選択性の高いエッチング液を用いて、レジスト３２を
除去した。しかし、アッシングにより、レジストを除去
してもよい。
て選択性の高いエッチング液を用いて、レジスト３２を
除去した。しかし、アッシングにより、レジストを除去
してもよい。
【００３２】また、本実施形態においては、強誘電体膜
としてＰＺＴを用いたが、他の強誘電体膜についても同
様に適用できる。
としてＰＺＴを用いたが、他の強誘電体膜についても同
様に適用できる。
【００３３】また、本実施形態においては、強誘電体素
子の電極としてＩｒを用いた場合について説明したが、
Ｐｔ等の他の金属にもついても同様に適用することがで
きる。
子の電極としてＩｒを用いた場合について説明したが、
Ｐｔ等の他の金属にもついても同様に適用することがで
きる。
【００３４】また、本実施形態においては、強誘電体素
子の電極としてＩｒを用いた場合について説明したが、
化学的に安定した金属の二次的生成物の除去であれば、
同様に適用することができる。
子の電極としてＩｒを用いた場合について説明したが、
化学的に安定した金属の二次的生成物の除去であれば、
同様に適用することができる。
【００３５】なお、本実施形態においては、基板２の上
に形成された絶縁膜３上に、下部電極を形成する場合に
ついて説明したが、トランジスタ等の素子が形成された
層の上に絶縁膜を形成し、下部電極を形成するようにし
てもよい。
に形成された絶縁膜３上に、下部電極を形成する場合に
ついて説明したが、トランジスタ等の素子が形成された
層の上に絶縁膜を形成し、下部電極を形成するようにし
てもよい。
【図１】本発明にかかるエアロゾルを用いた側壁除去の
状態を示す図である。
状態を示す図である。
【図２】エアロゾルの発生装置の原理を説明するための
図である。
図である。
【図３】電極形成の工程を示す図である。
【図４】従来の二次的生成物の側壁の残存状態を示す図
である。
である。
２ 基板 ５ 下部電極層 ７ 強誘電体膜 １５ 上部電極 １５ａ 二次的生成物 ６０ アルゴン粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/28 H01L 21/304 643 H01L 21/304 645
Claims (1)
- 【請求項１】基板の上に金属電極層を形成する工程、 前記金属電極層の上にレジストを形成する工程、 前記レジストをマスクに用いて異方性エッチッグを行な
う工程、 前記レジストを除去する工程、を備え、 前記レジスト除去後に、前記異方性エッチッグによって
前記レジストの側壁に形成された二次的生成物を、エア
ロゾル化させた不活性ガスの粒子を用いて除去する金属
電極形成方法であって、 前記不活性ガスとして、キセノンを用いたこと、 を特徴とする金属電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10032995A JP3112442B2 (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 金属電極形成方法および二次的生成物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10032995A JP3112442B2 (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 金属電極形成方法および二次的生成物除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233490A JPH11233490A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3112442B2 true JP3112442B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=12374445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10032995A Expired - Fee Related JP3112442B2 (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 金属電極形成方法および二次的生成物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3112442B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627336U (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | 市光工業株式会社 | 電動格納式ドアーミラー |
-
1998
- 1998-02-16 JP JP10032995A patent/JP3112442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627336U (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | 市光工業株式会社 | 電動格納式ドアーミラー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11233490A (ja) | 1999-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000907 |
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