JP2000082693A

JP2000082693A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2000082693A
Application number: JP10250597A
Authority: JP
Inventors: Tetsuro Kondo; 哲朗近藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-09-04
Filing date: 1998-09-04
Publication date: 2000-03-21

Abstract

(57)【要約】【課題】レジストパターンをマスクに使用して金属膜を
エッチングする工程を含む半導体装置の製造方法に関
し、膜のパターニングにマスクとして使用されたレジス
トと膜のパターニングの際に発生した反応生成物を容易
に除去すること。【解決手段】半導体基板１１の上に直接又は絶縁層１２
を介して金属膜１３〜１５を形成する工程と、金属膜１
３〜１５の上にレジスト１６を塗布する工程と、レジス
ト１６を露光、現像してレジストパターン１６ｐを形成
する工程と、レジストパターン１６ｐに覆われない領域
の金属膜１３〜１５を反応ガスを用いてエッチングして
金属パターン１７を形成する工程と、金属パターン１７
を形成する際に生成された半導体基板１１上又は絶縁層
１２上の反応生成物１８を第１の雰囲気３（４）中で除
去する工程と、酸素を含む第２の雰囲気５中でレジスト
パターン１６ｐをアッシングする工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、より詳しくは、レジストパターンのアッシ
ング工程を含む半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の配線、電極を構成する導電
膜としては、アルミニウム、タングステン、タングステ
ンシリサイドなどの単層構造や、或いはチタン、窒化チ
タン、タングステンなどを適当に組み合わせた多層構造
がある。多層構造の導電膜としては、例えばチタン、窒
化チタン、タングステンを順に形成したものがあり、そ
の多層構造膜はレジストを用いて次のようにしてパター
ニングされる。

【０００３】まず、図８(a) に示すように、シリコン基
板101 上に絶縁層102 として二酸化シリコン（SiO₂）を
形成し、さらにその絶縁層102 の上にチタン（Ti）膜10
3 、窒化チタン（TiN ）膜104 及びタングステン（Ｗ）
膜105 を順に成長し、これらにより導電膜106 形成す
る。さらに、タングステン膜105 の上にレジストを塗布
し、これを露光、現像してレジストパターン107 を形成
する。

【０００４】次に、図８(b) に示すように、レジストパ
ターン107 から露出している導電膜106 を反応性イオン
エッチング法によってエッチングし、これによって得ら
れたパターンを配線108 として使用する。さらに、図８
(c) に示すように、レジストパターン107 を除去するこ
とによって配線108 を露出させる。

【０００５】ところで、レジストパターン107 の除去方
法としては溶剤を用いるウェット処理と反応ガスを用い
るドライ処理がある。レジストパターン107 のウエット
処理による除去は、一連のドライ処理に組み込むことが
できないので、ドライ処理による技術の確立が求められ
ている。ドライ処理によるレジスト剥離をドライエッチ
ングの後に連続して行うために例えば図９に示すように
エッチングチャンバ111 とアッシングチャンバ112 をウ
ェハ搬送チャンバ110 を介して接続した装置がある。そ
のウェハ搬送チャンバ110 にはロード／アンロードチャ
ンバ113 が隣接され、半導体ウェハｗｆはロード／アン
ロードチャンバ113 を通してウェハ搬送チャンバ110 内
に搬入され、あるいはその外に搬出される。

【０００６】半導体ウェハｗｆの搬送はロボット114 に
よって行われる。ウェハ搬送チャンバ110 内に搬送され
た半導体ウェハｗｆは、ロボット114 によってエッチン
グチャンバ111 、アッシングチャンバ112 、ウェハ搬送
チャンバ110 の間を移送されるようになっている。そし
て、エッチングチャンバ111 からアッシングチャンバ11
2 に搬送された半導体ウェハｗｆ上のレジストパターン
107 は、アッシングチャンバ112 内で除去される。アッ
シングを終えた半導体ウェハｗｆは、ロボット114 によ
ってアッシングチャンバ112 からウェハ搬送チャンバ11
0 を通してロード／アンロードチャンバ113 に置かれ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図９に示すよ
うな従来のドライ処理によれば、アッシングチャンバ11
2 でのレジストのアッシングレートは処理枚数が増える
毎に低下する。しかも、ドライエッチング後には図８
(b),(c) で破線によって示すように配線108 の側壁に反
応生成物109 が付着するが、その反応生成物109 はドラ
イアッシングの後にも残っている。これらのことは、本
願発明者によって確認されたことである。

【０００８】本発明の目的は、膜のパターニングにマス
クとして使用されたレジストと膜のパターニングの際に
発生した反応生成物を容易に除去する工程を含む半導体
装置の製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１、
図５、図６に例示するように、半導体基板１１の上に直
接又は絶縁層１２を介して金属膜１３〜１５を形成する
工程と、金属膜１３〜１５の上にレジスト１６を塗布す
る工程と、前記レジスト１６を露光、現像してレジスト
パターン１６ｐを形成する工程と、前記レジストパター
ン１６ｐに覆われない領域の前記金属膜１３〜１５を反
応ガスを用いてエッチングして金属パターン１７を形成
する工程と、前記金属パターン１７を形成する際に生成
された前記半導体基板１１上又は前記絶縁層１２上の生
成物１８を第１の雰囲気３（４）中で除去する工程と、
酸素を含む第２の雰囲気５中で前記レジストパターン１
６ｐをアッシングする工程とを有することを特徴とする
半導体装置の製造方法により解決する。

【００１０】上記した半導体装置の製造方法において、
前記生成物１８の除去は、前記生成物１８を加熱して揮
発させることにより除去することを特徴とする。この場
合、前記生成物の加熱温度は５０℃以上であることを特
徴とする。上記した半導体装置の製造方法において、前
記生成物１８の除去は、前記第１の雰囲気４を真空にし
て前記生成物１８を揮発させることによって行われるこ
とを特徴とする。

【００１１】上記した半導体装置の製造方法において、
前記第１の雰囲気３内で前記生成物１８を除去する際に
は、前記第１の雰囲気３内に不活性なガスが流されるこ
とを特徴とする。上記した半導体装置の製造方法におい
て、前記生成物１８の除去は、前記生成物１８にハロゲ
ン含有ガスを供給することによって除去することを特徴
とする。前記第１の雰囲気３中での前記生成物への前記
ハロゲン含有ガスの供給は、前記金属膜をエッチングし
た雰囲気と同一であることを特徴とする。

【００１２】上記した半導体装置の製造方法において、
前記金属膜１３〜１５は、少なくともタングステン、チ
タン、窒化チタンのいずれかを含む膜であることを特徴
とする。次に、本発明の作用について説明する。本発明
によれば、レジストパターンを用いて金属膜をエッチン
グする際に生じる生成物を、アッシング雰囲気と異なる
雰囲気で除去するようにしている。

【００１３】このため、生成物の揮発物がアッシングチ
ャンバを汚染することはなく、汚染によるアシングレー
トの低下が抑制される。しかも、アッシングの前に予め
生成物を除去したので、生成物がアッシング後に基板上
に残ることはない。生成物の除去方法としては、生成物
を加熱して揮発させたり、生成物を減圧雰囲気において
揮発させたり、又はハロゲンガスとの反応によって除去
するなどの方法がある。

【００１４】ハロゲンガスを用いて生成物を除去するチ
ャンバとしては、金属膜をエッチングするチャンバをそ
のまま用いてもよい。

【００１５】

【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態
を図面に基づいて説明する。（第１の実施の形態）まず、本発明の第１の実施の形態
を図１〜図３に基づいて説明する。図１は、本実施形態
の半導体装置の製造における配線パターン形成からレジ
ストアッシングまでの工程に使用する装置を示してい
る。

【００１６】図１において、ウェハ搬送室１の周囲に
は、ロード／アンロードチャンバ２、エッチングチャン
バ３、減圧チャンバ４及びアッシングチャンバ５が取り
付けられている。それらのチャンバ２〜４は、それぞれ
第１〜第４のゲートバルブ６〜９を介してウェハ搬送室
１に接続されている。また、減圧チャンバ４は、エッチ
ングチャンバ３とアッシングチャンバ５の間に配置され
ている。

【００１７】ウェハ搬送室１にはウェハ搬送用のロボッ
ト１０が取り付けられており、そのロボット１０は、ロ
ード／アンロードチャンバ２に置かれた半導体ウェハｗ
ｆをウェハ搬送室１内に搬入したり、その外に搬出した
り、さらに、第１〜第４のゲートバルブ６〜９を通して
エッチングチャンバ３、減圧チャンバ４、アッシングチ
ャンバ５に出し入れするようになっている。

【００１８】エッチングチャンバ３は、反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）装置、プラズマエッチング装置など
のドライエッチング装置の一部を構成している。ＲＩＥ
装置のエッチングチャンバ３は、例えば、図２に示すよ
うな構造を有している。図２に示すエッチングチャンバ
３内には、キャパシタ３ａ及び高周波電源Ｒｆを介して
接地された第一の電極３ｂと、接地された第二の電極３
ｃとが間隔をおいて相対向して配置されている。

【００１９】第一の電極３ｂのうち第二の電極３ｃに対
向する側の面はウェハ載置面となっていている。また、
第二の電極３ｃはガスシャワーを兼用する構造となって
いてそのうちの第一の電極３ｂに対向する面には多数の
孔を有するガス放出板３ｄが取り付けられ、その反対側
の面にはガス導入管３ｅが接続されている。エッチング
チャンバ３には排気口３ｆが設けられ、排気口３ｆに接
続された減圧ポンプ（不図示）によってエッチングチャ
ンバ３内を減圧するようになっている。

【００２０】図３は、上記した減圧チャンバ４の構成を
示している。図３において、減圧チャンバ４には、エッ
チングチャンバ３から搬送された半導体ウェハｗｆを加
熱するためのヒータを内蔵したウェハ載置台４ａが取り
付けられている。減圧チャンバ４には、ガス導入管４ｂ
と排気管４ｃが取付けられている。なお、半導体ウェハ
ｗｆの加熱方法としては、ウェハ載置台４ａの下からの
加熱に限るものではなく、例えば加熱ランプによって上
方から加熱する構造であってもよい。

【００２１】図４は、上記したアッシングチャンバ５内
とその周辺の構成を示す断面図である。図４において、
アッシングチャンバ５の底部にはヒータ内蔵のウェハ載
置台５ａが取り付けられ、さらに底部には排気口５ｂが
設けられている。さらにアッシングチャンバ５のうちウ
ェハ載置台５ａの上方にはプラズマ発生室５ｃが接続さ
れている。プラズマ発生室５ｃにおいては、その上部に
ガス導入管５ｄが接続され、さらにその側方にマイクロ
波導波管５ｅが配置されている。そして、プラズマ発生
室５ｃ内に導入されたガスは、マイクロ波導波管５ｅを
通じて導入されたマイクロ波によりプラズマ化される。

【００２２】さらに、プラズマ発生室５ｃとアッシング
チャンバ５との接続口には、複数の孔が形成された石英
板５ｇが取り付けられている。これにより、プラズマ発
生室５ｃ内で発生したイオン、電子は石英板５ｇによっ
て捕獲されてアッシングチャンバ５内への移動が阻止さ
れる。したがって、石英板５ｇの孔からアッシングチャ
ンバ５に向けて放出されるガスは、主に活性化された状
態のガス（酸素など）である。

【００２３】以上のような装置を用いて、膜のパターニ
ングからアッシングまでの一連の工程を図５、図６に基
づいて説明する。まず、図５(a) に示すように、シリコ
ン、GaAsなどのウェハ状の半導体基板１１の上にSiO₂、
ＰＳＧ、ＢＰＳＧなどの絶縁層１２を形成し、さらに絶
縁層１２上に膜厚２０〜５０nmのチタン（Ti）膜１３、
膜厚２０〜５０nmの窒化チタン（TiN ）膜１４、膜厚１
００〜４００nmのタングステン（Ｗ）膜１５を順次形成
する。それらの膜１３〜１５の形成は例えばＣＶＤ法、
スパッタ法などによる。

【００２４】次に、図５(b) に示すように、タンスグテ
ン膜１５の上にレジスト（感光剤）１６を塗布する。続
いて、レジスト１６を露光、現像することによって図５
(c)に示すようにレジストパターン１６ｐを形成する。
レジストパターン１６ｐの平面形状は、絶縁層１２の上
に形成しようとする配線の形状である。レジストパター
ン１６ｐを有する半導体基板１は、図１に示す第５のゲ
ートバルブ２ａを通してロード／アンロードチャンバ２
内に搬送される。そして、その半導体基板１１は、ロボ
ット１０によって第１のゲートバルブ６を通して一旦ウ
ェハ搬送室１内に移送された後に、さらにロボット１０
によってエッチングチャンバ３内に搬送される。

【００２５】そして、エッチングチャンバ３内では、レ
ジストパターン１６ｐをマスクに使用して、タングステ
ン膜１３、窒化チタン膜１４、チタン膜１５の一部がエ
ッチングされる。エッチング方法としては、反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）やプラズマエッチングなどがあ
る。タングステン膜１５をエッチングするために用いら
れるガスは六フッ化硫黄（SF₆）と窒素（N₂）を含むガ
スであり、チタン膜１５、窒化チタン膜１４をエッチン
グするために用いられるガスは塩素（Cl₂）と塩化ホウ
素（BCl₃）の混合ガスである。また、エッチングチャン
バ３内の圧力は例えば５〜２０mTorr に設定される。

【００２６】図６(a) のようにパターニングされたタン
グステン膜１５、窒化チタン膜１４、チタン膜１３は共
に金属配線１７として使用される。そのエッチングの最
中には、図６(a) に示すように金属配線１７の側部に生
成物１８が成長する。その生成物１８は、どのような原
因で生じたものかは不明であり、エッチング雰囲気に含
まれる元素同士の反応によるものかもしれないし、それ
らの元素の混合物かもしれない。この生成物は、後述す
る加熱や減圧によって基板から飛散又は揮発する固体で
ある。

【００２７】次に、半導体基板１１をアシングチャンバ
５に移送してそこでレジストパターン１６ｐをアッシン
グすると、半導体ウェハｗｆの処理枚数が増える毎にア
ッシングレートが低下したり或いは生成物が除去されな
いことになる。そこで、本実施形態では、金属配線１７
を形成するためのエッチングの後に半導体基板１１をロ
ボット１０によってウェハ搬送室１内に一旦戻した後
に、半導体ウェハｗｆを第３のゲートバルブ８を通して
減圧チャンバ４内のウェハ載置台４ａに載せる。その減
圧チャンバ４内は１〜５Torr程度に減圧されている。

【００２８】そして、ウェハ載置台４ａに内蔵されたヒ
ータによって半導体基板１１とその上のレジストパター
ン１６ｐ及び生成物１８を５０℃以上、好ましくは２０
０〜３００℃に加熱する。そのように加熱された反応生
成物１８は、図６(b) に示すように半導体基板１１から
揮発される。その加熱による反応生成物１８の揮発を円
滑にするためには、減圧チャンバ４内にガス導入管４ｂ
を通して不活性ガス、例えば窒素ガスを大量に導入する
ことが好ましい。

【００２９】そのような加熱処理後に、ロボット１０に
よって第三、第四のゲートバルブ８、９を通して半導体
ウェハｗｆを減圧チャンバ４からアッシングチャンバ５
に移してウェハ載置台４ａに載せる。そして、図６(c)
に示すように、減圧チャンバ４内で半導体ウェハｗｆ上
のレジストパターン１６ｐをアッシングし、除去する。
この場合、アッシングチャンバ４内の圧力を２Torrと
し、また、半導体ウェハｗｆの加熱温度を２５０℃に設
定する。

【００３０】アッシングチャンバ５上部のプラズマ発生
室５ｃには酸素（O₂）ガスと窒素（N₂）ガスを導入し、
プラズマ発生室５ｃに導入するマイクロ波パワーを１４
００Ｗとして、半導体ウェハｗｆに向けて酸素ラジカル
を供給してレジストパターン１６ｐをアッシングし、除
去する。このようなアッシングでは、１台のアッシング
チャンバ５における半導体ウェハｗｆの処理累積枚数が
増加してもアッシングレートは従来に比べて高く維持さ
れる。

【００３１】アッシングレートは、前工程である減圧チ
ャンバ５内での加熱時間に影響されて、表１のように加
熱時間が長いほどアッシングレートが大きくなる。この
ことから、エッチングとアッシングの間に、生成物を除
去する工程は重要であることがわかる。

【００３２】

【表１】

【００３３】以上のように、アッシングチャンバ５内で
レジストパターン１６ｐが除去された半導体基板１１を
ロボット１０により第４のゲートバルブ９を通してウェ
ハ搬送室１内に取り出し、ついで第１のゲートバルブ６
を通してロード／アンロードチャンバ２内に戻すと、金
属配線のパターニングからレジストパターンの除去まで
の一連の工程は終了する。

【００３４】次に、アッシング前に減圧チャンバ４内で
の処理を有しない従来技術において、１つのアッシング
チャンバ５でのアッシング処理の累積枚数が増える毎に
アッシングレートが低下する理由を説明する。その原因
を調べるために、２つのサイクルのアッシング処理を行
ったところ図７に示す結果が得られた。第１のアッシン
グサイクル処理では、次のような１９枚の試料を用意し
て１枚ずつ順にアッシングチャンバ５でレジストをアッ
シングした。

【００３５】１枚目、７枚目、１３枚目、１９枚目の試
料は、露光、現像がされずにベークされだけのレジスト
が基板の一面に露出しているとともに、レジストの下の
膜は実質的に露出していないものである。２枚目〜６枚
目の試料は、エッチング雰囲気に置かれたレジストが基
板の一面に露出し、レジストの下の膜は実質的に露出し
ていないものであり、エッチング中の雰囲気をアッシン
グチャンバに持ってくることがアッシングレートの低下
を引き起こしているかどうかを見るための参照として用
いられる。

【００３６】８枚目〜１２枚目の試料は、レジストパタ
ーンを用いてタングステン膜を３０秒間エッチングした
直後の状態であって、レジストパターンが残っている状
態のものである。１４枚目〜１８枚目の試料は、レジス
トパターンを用いて窒化チタン膜を３０秒間エッチング
した直後の状態であって、レジストパターンが残ってい
る状態のものである。

【００３７】図７の実線で示すアッシングレートの測定
は、１枚目の試料のレジストをアッシングしてそのアッ
シングレートを調べた後に、２枚目から６枚目の試料の
レジストパターンを順次アッシングし、ついで、７枚目
をアッシングしてそのレジストのアッシングレートを調
べ、さらに、８枚目から１２枚目の試料のレジストパタ
ーンを順次アッシングし、この後に、１３枚目の試料の
レジストをアッシングしてそのアッシングレートを調
べ、さらに、１４枚目から１８枚目の試料のレジストパ
ターンをアッシングし、最後に、１９枚目の試料のレジ
ストをアッシングしてそのアッシングレートを調べると
いった手順によった。

【００３８】そのような第１のアッシングサイクルを行
った後に、アッシングチャンバ５内をＣＦ₄などのガス
によってクリーニングし、その後に第２のアッシングサ
イクル処理を行なったところ図７の破線で示すようなデ
ータが得られた。第２のアッシングサイクル処理では、
次のような１９枚の試料を用意して１枚ずつアッシング
チャンバ５で順にアッシングした。

【００３９】第２のアッシングサイクルでは、１枚目、
７枚目、１３枚目、１９枚目の試料と、２枚目〜４枚目
の試料については、第１のアッシングサイクルのものと
同じ状態の試料を用いた。また、８枚目〜１２枚目の試
料は、第１のアッシングサイクルとは異なり、レジスト
パターンを用いて窒化チタン膜を３０秒間エッチングし
た直後の状態のものである。１４枚目〜１８枚目の試料
は、第１のアッシングサイクルとは異なり、レジストパ
ターンを用いてタングステン膜を３０秒間エッチングし
た直後の状態のものである。

【００４０】図７の破線で示すアッシングレートは、１
枚目〜１９枚目の試料を順にアッシングし、それらの試
料のうち１枚目、７枚目、１３枚目、１９枚目の試料に
ついて測定したものである。図７の実線と破線によるア
ッシングレートの変化によれば、レジスト自体のアシン
グは、アッシングチャンバ４内でアッシングレートを低
下させる原因とはなっていないことが分かり、エッチン
グにより生じた生成物がアッシングレートを低下させる
要因となっていると、考えられる。また、窒化チタン膜
のエッチングによって生じた第１の生成物よりも、タン
グステン膜のエッチングによって生じた第２の生成物の
方がアッシングレートを低下させることがわかる。

【００４１】なお、第１のアッシングサイクルでの１枚
目〜７枚目の試料と第２のアッシングサイクルでの１枚
目〜７枚目の試料とはアッシング対象が同じであるが、
そのアッシングレートが異なっている。この原因として
は、アシングサイクル開始直前のアッシングチャンバ５
内のクリーニング状態が異なることに由来するものと考
えられる。

【００４２】以上のことから、エッチングチャンバ３、
減圧チャンバ４、アッシングチャンバ５の順に半導体ウ
ェハ処理を行なわせる一連の工程は、レジストパターン
で覆われたタングステン膜をエッチングする工程で特に
有効であることがわかる。（その他の実施の形態）ところで、第１の実施の形態で
は金属配線１７のパターニングの後に発生する生成物１
８の除去を減圧チャンバ５内で行ったが、エッチングチ
ャンバ４内で除去することも可能である。例えば、エッ
チングの終了後にエッチングチャンバ４内のエッチング
ガスをＣＦ₄ガス又はＣＦ₄含有ガスのようなハロゲン
含有ガスに置換して半導体ウェハ上の生成物を除去する
ことも可能である。この場合、エッチングチャンバ内の
圧力を５mTorr〜５Torrとする。

【００４３】また、生成物１８の除去としては、それら
の方法の他に、減圧チャンバ４内の例えば１０ mTorrの
真空雰囲気で生成物１８を常温で放置して揮発させる方
法もあるが、このような方法は加熱する場合に比べて処
理時間がかかる。生成物１８を加熱するユニットとして
減圧チャンバ４の代わりにアシングチャンバ５を用いる
ことも考えられるが、アッシングチャンバ５内で生成物
を揮発させるとアッシングチャンバ５を汚染してアッシ
ングレート低下の原因になるので好ましくない。

【００４４】上記した実施形態では、絶縁層の上に配線
を形成する工程について説明したが、半導体基板の上に
タングステン、窒化チタンなどの金属層からなるゲート
電極をパターニングする場合にも、エッチングとアッシ
ングの間に上述したような生成物を除去する工程を含ま
せてもよい。なお、生成物１８の除去をウェット処理に
よって行う場合には、例えば、純水液、アミン系薬液、
フッ素含有薬液、硝酸及びアンモニアイオンを含む薬
液、又はＯＨを含む薬液を用いるのが好ましい。

【００４５】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、レジ
ストパターンを用いて金属膜をエッチングする際に生じ
る生成物を、アッシング雰囲気と異なる雰囲気で除去す
るようにしたので、生成物の揮発物がアッシングチャン
バを汚染することはなく、汚染によるアシングレートの
低下を防止できる。しかも、生成物をアッシングの前に
予め除去したので、生成物がアッシング後にウェハ上に
残ることを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施の形態に使用される装置
に使用される複数のチャンバの配置を示す平面図であ
る。

【図２】図２は、本発明の実施の形態に使用されるエッ
チング装置のチャンバを示す断面図である。

【図３】図３は、本発明の実施の形態に使用される減圧
チャンバを示す断面図である。

【図４】図４は、本発明の実施の形態に使用されるアッ
シング装置のチャンバを示す断面図である。

【図５】図５(a) 〜図５(c) は、本発明の実施の形態の
配線形成工程からアッシング工程を示す断面図（その
１）である。

【図６】図６(a) 〜図６(c) は、本発明の実施の形態の
配線形成工程からアッシング工程を示す断面図（その
２）である。

【図７】図７は、従来技術によるアッシング装置の処理
累積枚数とアッシングレートの変化を示す図である。

【図８】図８は、従来の配線形成工程からアッシング工
程を示す断面図である。

【図９】図９は、従来の金属エッチングからアッシング
までに使用する装置の複数のチャンバの配置を示す平面
図である。

【符号の説明】

１…ウェハ搬送室、２…ロード／アンロードチャンバ、
３…エッチングチャンバ、４…減圧チャンバ、５…アッ
シングチャンバ、１０…ロボット、１１…半導体基板
（半導体ウェハ）、１２…絶縁層、１３…チタン膜、１
４…窒化チタン膜、１５…タングステン膜、１６…レジ
スト、１６ｐ…レジストパターン、１７…配線、１８…
生成物。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の上に直接又は絶縁層を介して
金属膜を形成する工程と、金属膜の上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光、現像してレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンに覆われない領域の前記金属膜を
反応ガスを用いてエッチングして金属パターンを形成す
る工程と、前記金属パターンを形成する際に生成された前記半導体
基板上又は前記絶縁層上の生成物を第１の雰囲気中で除
去する工程と、酸素を含む第２の雰囲気中で前記レジストパターンをア
ッシングする工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項２】前記生成物の除去は、前記生成物を加熱し
て揮発させることによって除去することを特徴とする請
求項１記載半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記生成物の加熱温度は５０℃以上である
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項４】前記生成物の除去は、前記第１の雰囲気を
真空にして前記生成物を揮発させることによって行われ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項５】前記第１の雰囲気内で前記生成物を除去す
る際には、前記第１の雰囲気内に不活性なガスが流され
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項６】前記第１の雰囲気中での前記反応生成物の
除去は、前記反応生成物にハロゲン含有ガスを供給する
ことによって除去することを特徴とする請求項１記載半
導体装置の製造方法。
【請求項７】前記反応生成物への前記ハロゲン含有ガス
の供給は、前記金属膜をエッチングした雰囲気と同一で
あることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項８】前記金属膜は、少なくともタングステン、
チタン、窒化チタンのいずれかを含む膜であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。