JPH1154485A - 半導体製造装置およびその異物除去方法 - Google Patents
半導体製造装置およびその異物除去方法Info
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- JPH1154485A JPH1154485A JP9213326A JP21332697A JPH1154485A JP H1154485 A JPH1154485 A JP H1154485A JP 9213326 A JP9213326 A JP 9213326A JP 21332697 A JP21332697 A JP 21332697A JP H1154485 A JPH1154485 A JP H1154485A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 稼動率を下げることなく、ウェハ上に付着す
る微小な異物の低減が図られる半導体製造装置とその異
物除去方法とを提供する。 【解決手段】 真空処理室１０に水または水蒸気を導入
するための気体等導入配管８０が接続されている。真空
処理室１０は、真空排気口１２により排気され、導入さ
れた水蒸気または水が断熱膨張により浮遊する微小な異
物７０を核として固化または液化する。
る微小な異物の低減が図られる半導体製造装置とその異
物除去方法とを提供する。 【解決手段】 真空処理室１０に水または水蒸気を導入
するための気体等導入配管８０が接続されている。真空
処理室１０は、真空排気口１２により排気され、導入さ
れた水蒸気または水が断熱膨張により浮遊する微小な異
物７０を核として固化または液化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置お
よびその異物除去方法に関し、特に、半導体製造装置の
処理室内を浮遊する微小異物の低減が図られる半導体製
造装置およびその異物除去方法に関するものである。
よびその異物除去方法に関し、特に、半導体製造装置の
処理室内を浮遊する微小異物の低減が図られる半導体製
造装置およびその異物除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロニクスの発展は目ざま
しいものがあるが、その発展は半導体素子を製造するた
めの半導体製造装置等の製造技術の進歩によるところが
大きい。シリコンウェハから半導体素子を形成する一連
の工程であるウェハプロセスにおいては、半導体ウェハ
（以下単に「ウェハ」と記す）が種々の半導体製造装置
内で処理が施され、製品として完成する。
しいものがあるが、その発展は半導体素子を製造するた
めの半導体製造装置等の製造技術の進歩によるところが
大きい。シリコンウェハから半導体素子を形成する一連
の工程であるウェハプロセスにおいては、半導体ウェハ
（以下単に「ウェハ」と記す）が種々の半導体製造装置
内で処理が施され、製品として完成する。
【０００３】半導体素子の集積度が増大し、微細な形状
の処理が要求されるようになった。これに伴い、ウェハ
プロセス中のウェハをいかに清浄な状態に保つかが重要
な課題となり、特に、異物の少ない半導体製造装置の必
要性が増してきた。
の処理が要求されるようになった。これに伴い、ウェハ
プロセス中のウェハをいかに清浄な状態に保つかが重要
な課題となり、特に、異物の少ない半導体製造装置の必
要性が増してきた。
【０００４】そのような半導体製造装置の一例として、
ウェハに真空中にて処理を施すドライエッチング装置に
ついて図を用いて説明する。図７を参照して、真空処理
室１０内の下部に試料台としての下部電極２０が形成さ
れている。下部電極２０と真空処理室１０とは絶縁体１
１により電気的に絶縁されている。下部電極２０の上に
は、ウェハ５０が載置される。下部電極２０には、バイ
アス生成用のブロッキングコンデンサ２２および高周波
整合回路２１を介して、高周波（たとえば１３．５６Ｍ
Ｈｚ）電源２３が接続されている。また真空処理室１０
には、下部電極２０と対向して上部電極４０が設けられ
ている。その上部電極４０には、所定のガスを供給する
供給装置４１から送られたガスを吹出すための吹出し口
４２が設けられている。真空処理室１０は、排気手段
（図示せず）に接続された真空排気口１２により排気さ
れる。さらに、真空処理室１０内の圧力を測定するため
の圧力測定器１３が、圧力測定口１４を介して設けられ
ている。
ウェハに真空中にて処理を施すドライエッチング装置に
ついて図を用いて説明する。図７を参照して、真空処理
室１０内の下部に試料台としての下部電極２０が形成さ
れている。下部電極２０と真空処理室１０とは絶縁体１
１により電気的に絶縁されている。下部電極２０の上に
は、ウェハ５０が載置される。下部電極２０には、バイ
アス生成用のブロッキングコンデンサ２２および高周波
整合回路２１を介して、高周波（たとえば１３．５６Ｍ
Ｈｚ）電源２３が接続されている。また真空処理室１０
には、下部電極２０と対向して上部電極４０が設けられ
ている。その上部電極４０には、所定のガスを供給する
供給装置４１から送られたガスを吹出すための吹出し口
４２が設けられている。真空処理室１０は、排気手段
（図示せず）に接続された真空排気口１２により排気さ
れる。さらに、真空処理室１０内の圧力を測定するため
の圧力測定器１３が、圧力測定口１４を介して設けられ
ている。
【０００５】次に、上述したドライエッチング装置を用
いたエッチング動作について説明する。同図を参照し
て、搬送装置（図示せず）によって真空処理室１０内に
搬入されたウェハ５０は、下部電極２０上に載置され
る。次に、供給装置４１からエッチングガスを導入口４
０により放電空間３０に放出する。真空処理室１０内の
圧力を、圧力測定器１３と排気コンダクタンス制御装置
（図示せず）により、所定の圧力に制御する。圧力調整
後、下部電極２０には高周波電源２２より高周波電力が
印加される。これにより下部電極２０と上部電極４０と
の間にグロー放電が発生する。このグロー放電により、
放電空間３０にあるエッチングガスは励起されてプラズ
マ３１となる。このプラズマ３１がウェハ５０の表面に
照射されることにより、エッチング処理が行なわれる。
いたエッチング動作について説明する。同図を参照し
て、搬送装置（図示せず）によって真空処理室１０内に
搬入されたウェハ５０は、下部電極２０上に載置され
る。次に、供給装置４１からエッチングガスを導入口４
０により放電空間３０に放出する。真空処理室１０内の
圧力を、圧力測定器１３と排気コンダクタンス制御装置
（図示せず）により、所定の圧力に制御する。圧力調整
後、下部電極２０には高周波電源２２より高周波電力が
印加される。これにより下部電極２０と上部電極４０と
の間にグロー放電が発生する。このグロー放電により、
放電空間３０にあるエッチングガスは励起されてプラズ
マ３１となる。このプラズマ３１がウェハ５０の表面に
照射されることにより、エッチング処理が行なわれる。
【０００６】エッチング処理においては、ウェハ５０の
被エッチング成分がプラズマ３１中の活性種と反応す
る。反応生成物は気化し、ウェハ５０の表面から離れ、
放電空間３０に広がる。最終的には、反応生成物は真空
排気口１２から排出される。このとき、気化した反応生
成物の一部が、放電空間３０内で重合反応等を起こし固
化することがある。また、気化した反応生成物の一部
が、真空処理室１０の壁面で冷却され、再び固化するこ
とがある。
被エッチング成分がプラズマ３１中の活性種と反応す
る。反応生成物は気化し、ウェハ５０の表面から離れ、
放電空間３０に広がる。最終的には、反応生成物は真空
排気口１２から排出される。このとき、気化した反応生
成物の一部が、放電空間３０内で重合反応等を起こし固
化することがある。また、気化した反応生成物の一部
が、真空処理室１０の壁面で冷却され、再び固化するこ
とがある。
【０００７】このようにして、真空処理室１０の壁面な
どに付着して固化した反応生成物は、エッチング処理が
進むに従い、厚くなり、固化堆積物６０となる。その固
化堆積物６０は、最終的には、真空処理室１０の壁面か
ら剥離し、排気されるか、あるいは、ウェハ５０上に落
下する。ウェハ５０上に落下した固化堆積物は、エッチ
ングを阻害し、結果としてウェハの生産性を低下させ
る。
どに付着して固化した反応生成物は、エッチング処理が
進むに従い、厚くなり、固化堆積物６０となる。その固
化堆積物６０は、最終的には、真空処理室１０の壁面か
ら剥離し、排気されるか、あるいは、ウェハ５０上に落
下する。ウェハ５０上に落下した固化堆積物は、エッチ
ングを阻害し、結果としてウェハの生産性を低下させ
る。
【０００８】一方、放電空間３０内で固化した反応生成
物は、サブミクロン以下の微小径のものが多い。これら
の反応生成物は、プラズマによって帯電するか、あるい
は、中性粒子との衝突により、その大部分が放電空間３
０内を長時間にわたって浮遊する異物７０となる。
物は、サブミクロン以下の微小径のものが多い。これら
の反応生成物は、プラズマによって帯電するか、あるい
は、中性粒子との衝突により、その大部分が放電空間３
０内を長時間にわたって浮遊する異物７０となる。
【０００９】これら真空処理室内に発生した異物のう
ち、特に真空処理室１０の壁面に付着した固化堆積物６
０の除去については、さまざまな提案がなされている。
たとえば、特開平６−２９５８８２号公報には、真空処
理室の壁面をヒータなどにより、反応生成物の蒸発温度
以上に加熱し、反応生成物の付着を防ぐことが開示され
ている。また、一般にプラズマによってクリーニングす
る方法も採用されている。
ち、特に真空処理室１０の壁面に付着した固化堆積物６
０の除去については、さまざまな提案がなされている。
たとえば、特開平６−２９５８８２号公報には、真空処
理室の壁面をヒータなどにより、反応生成物の蒸発温度
以上に加熱し、反応生成物の付着を防ぐことが開示され
ている。また、一般にプラズマによってクリーニングす
る方法も採用されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たドライエッチング装置の異物除去については、以下に
示すような問題点があった。
たドライエッチング装置の異物除去については、以下に
示すような問題点があった。
【００１１】まず、ウェハの歩留りに影響する異物の大
きさとデザインルールとには、図８に示されているよう
な関係があることが報告されている。これによれば、西
暦２０００年ごろから生産が開始される１ＧＤＲＡＭに
おいては、０．１μｍ程度の異物が歩留りに影響する。
きさとデザインルールとには、図８に示されているよう
な関係があることが報告されている。これによれば、西
暦２０００年ごろから生産が開始される１ＧＤＲＡＭに
おいては、０．１μｍ程度の異物が歩留りに影響する。
【００１２】ところで、一般的にある空間に存在する異
物の大きさとその数には、図９に示すような関係があ
る。これによれば、異物径がより小さい異物ほどその数
が多いことがわかる。特に微小異物は、一度発生すると
大気中はもちろんのこと、減圧状態の下でも長時間にわ
たって真空処理室内の空間を浮遊することが知られてい
る。これについて図を用いて説明する。図８は、密閉さ
れた空間内に、０．３〜２μｍの人工異物を流し入れ、
その異物の供給を停止してからの時間と空間に存在する
異物の数との関係をパーティクルカウンタを用いて測定
した結果である。これによれば、大気圧（７６０Ｔｏｒ
ｒ）の場合では、供給を停止してからの時間に対して異
物数は大きく減少していない。一方、減圧状態（１２Ｔ
ｏｒｒ）の下では、異物数は、時間とともに減少するも
のの、２０分以上異物が空間内を浮遊していることがわ
かる。このため、人工異物の最小径よりさらに小さい
０．１μｍ程度の異物では、より長い時間空間内を浮遊
することが推定される。
物の大きさとその数には、図９に示すような関係があ
る。これによれば、異物径がより小さい異物ほどその数
が多いことがわかる。特に微小異物は、一度発生すると
大気中はもちろんのこと、減圧状態の下でも長時間にわ
たって真空処理室内の空間を浮遊することが知られてい
る。これについて図を用いて説明する。図８は、密閉さ
れた空間内に、０．３〜２μｍの人工異物を流し入れ、
その異物の供給を停止してからの時間と空間に存在する
異物の数との関係をパーティクルカウンタを用いて測定
した結果である。これによれば、大気圧（７６０Ｔｏｒ
ｒ）の場合では、供給を停止してからの時間に対して異
物数は大きく減少していない。一方、減圧状態（１２Ｔ
ｏｒｒ）の下では、異物数は、時間とともに減少するも
のの、２０分以上異物が空間内を浮遊していることがわ
かる。このため、人工異物の最小径よりさらに小さい
０．１μｍ程度の異物では、より長い時間空間内を浮遊
することが推定される。
【００１３】このような微小異物に対しては、主に真空
処理室の壁面に付着した異物を除去する従来の方法で
は、有効に取除くことができなかった。そればかりでは
なく、壁面に付着した異物を除去する際に、微小な異物
が発生し、結果的に、真空処理室内を浮遊する異物の数
が増加することがあった。
処理室の壁面に付着した異物を除去する従来の方法で
は、有効に取除くことができなかった。そればかりでは
なく、壁面に付着した異物を除去する際に、微小な異物
が発生し、結果的に、真空処理室内を浮遊する異物の数
が増加することがあった。
【００１４】また、ドライエッチング装置を停止して、
人手でクリーニングすることが行なわれるが、この場合
には、微小異物がほぼ完全に取除かれるものの、ドライ
エッチング装置の稼動率が低下し、生産性が落ちること
があった。
人手でクリーニングすることが行なわれるが、この場合
には、微小異物がほぼ完全に取除かれるものの、ドライ
エッチング装置の稼動率が低下し、生産性が落ちること
があった。
【００１５】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、１つの目的は、処理室内の微小異物
の除去が容易な半導体製造装置を提供することであり、
他の目的は、その異物除去方法を提供することである。
されたものであり、１つの目的は、処理室内の微小異物
の除去が容易な半導体製造装置を提供することであり、
他の目的は、その異物除去方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの局面にお
ける半導体製造装置は、処理室と、導入配管と、排気手
段とを備えている。処理室は、半導体基板に所定のプロ
セスを施す。導入配管は、処理室内に所定の液体または
気体を導入する。排気手段は、処理室内を排気し、処理
室内に導入された液体または気体を断熱膨張により、処
理室内に浮遊する異物を核として固化または液化させ
る。
ける半導体製造装置は、処理室と、導入配管と、排気手
段とを備えている。処理室は、半導体基板に所定のプロ
セスを施す。導入配管は、処理室内に所定の液体または
気体を導入する。排気手段は、処理室内を排気し、処理
室内に導入された液体または気体を断熱膨張により、処
理室内に浮遊する異物を核として固化または液化させ
る。
【００１７】好ましくは、導入配管は処理室の上部近傍
に接続されている。また好ましくは、処理室に接続され
た、処理室内にキャリアガスを導入するためのキャリア
ガス導入配管をさらに含んでいる。
に接続されている。また好ましくは、処理室に接続され
た、処理室内にキャリアガスを導入するためのキャリア
ガス導入配管をさらに含んでいる。
【００１８】本発明の他の局面における半導体製造装置
の異物除去方法は、半導体基板に所定のプロセスを施す
ための排気手段を含む処理室を有する半導体製造装置の
異物除去方法であって、処理室内に所定の液体または気
体を導入する工程と、排気手段によって処理室内を所定
の圧力にまで減圧する減圧工程により、導入された液体
または気体を、処理室内の異物を核として固化または液
化させる工程とを備えている。
の異物除去方法は、半導体基板に所定のプロセスを施す
ための排気手段を含む処理室を有する半導体製造装置の
異物除去方法であって、処理室内に所定の液体または気
体を導入する工程と、排気手段によって処理室内を所定
の圧力にまで減圧する減圧工程により、導入された液体
または気体を、処理室内の異物を核として固化または液
化させる工程とを備えている。
【００１９】好ましくは、減圧工程は、液体または気体
を処理室内に導入する前に行なわれる。
を処理室内に導入する前に行なわれる。
【００２０】また好ましくは、固化または液化させる工
程の後、排気手段により、処理室内を排気する工程を含
んでいる。
程の後、排気手段により、処理室内を排気する工程を含
んでいる。
【００２１】さらに好ましくは、固化または液化させる
工程と並行して、排気手段により処理室内を排気する工
程を行なう。
工程と並行して、排気手段により処理室内を排気する工
程を行なう。
【００２２】また好ましくは、処理室内を排気する工程
の後、さらに処理室内に液体または気体を導入するとと
もに、排気手段により導入された液体または気体を、固
化または液化成長させる工程と、排気手段により処理室
内を排気する工程とを含んでいる。
の後、さらに処理室内に液体または気体を導入するとと
もに、排気手段により導入された液体または気体を、固
化または液化成長させる工程と、排気手段により処理室
内を排気する工程とを含んでいる。
【００２３】さら好ましくは、処理室内を排気する工程
と並行して、処理室内にキャリアガスを導入する工程を
含んでいる。
と並行して、処理室内にキャリアガスを導入する工程を
含んでいる。
【００２４】好ましくは、液体または気体を導入する工
程として、液体または気体処理室の上部近傍から導入さ
れる。
程として、液体または気体処理室の上部近傍から導入さ
れる。
【００２５】好ましくは、液体または気体として、液体
の水、水蒸気または二酸化炭素のうちいずれかを用い
る。またキャリアガスとして、不活性ガスまたは乾燥空
気を用いる。
の水、水蒸気または二酸化炭素のうちいずれかを用い
る。またキャリアガスとして、不活性ガスまたは乾燥空
気を用いる。
【００２６】
実施の形態１ 実施の形態１に係るドライエッチング装置とその異物除
去方法について図を用いて説明する。図１を参照して、
真空処理室１０に、異物除去のための気体または液体を
導入するための配管として、異物除去用気体または液体
導入配管（以下「気体等導入配管」と記す）８０が接続
されている。また、真空処理室１０の壁面に付着する異
物を除去するためにヒータ１５を設けている。なお、こ
れ以外の構成については従来の技術の項において説明し
た従来のドライエッチング装置の構成と同様なので同一
部材には同一符号を付しその説明を省略する。
去方法について図を用いて説明する。図１を参照して、
真空処理室１０に、異物除去のための気体または液体を
導入するための配管として、異物除去用気体または液体
導入配管（以下「気体等導入配管」と記す）８０が接続
されている。また、真空処理室１０の壁面に付着する異
物を除去するためにヒータ１５を設けている。なお、こ
れ以外の構成については従来の技術の項において説明し
た従来のドライエッチング装置の構成と同様なので同一
部材には同一符号を付しその説明を省略する。
【００２７】次に、上述したドライエッチング装置の異
物除去方法について説明する。まず、所定のエッチング
プロセスを２５回連続して行なう。その後、真空度約
０．０１Ｔｏｒｒの真空処理室１０内へ、大気圧よりも
低い圧力の約９０℃の水蒸気５００ｓｃｃｍを気体等導
入配管８０により約５秒間導入する。その後、約０．０
１Ｔｏｒｒの真空度にまで真空処理室１０内を減圧す
る。ウェハ５０を真空処理室１０内に搬送し、下部電極
２０に載置する。所定のエッチングガスを導入口４２に
より５秒間真空処理室１０内に導入する。プラズマを発
生させずに真空排気を約１分間行ない、真空度を０．０
１Ｔｏｒｒに低下させた後に、ウェハ５０を真空処理室
１０から取出した。その取出したウェハ（ウェハＡ）に
付着した異物の数と大きさについて評価した。
物除去方法について説明する。まず、所定のエッチング
プロセスを２５回連続して行なう。その後、真空度約
０．０１Ｔｏｒｒの真空処理室１０内へ、大気圧よりも
低い圧力の約９０℃の水蒸気５００ｓｃｃｍを気体等導
入配管８０により約５秒間導入する。その後、約０．０
１Ｔｏｒｒの真空度にまで真空処理室１０内を減圧す
る。ウェハ５０を真空処理室１０内に搬送し、下部電極
２０に載置する。所定のエッチングガスを導入口４２に
より５秒間真空処理室１０内に導入する。プラズマを発
生させずに真空排気を約１分間行ない、真空度を０．０
１Ｔｏｒｒに低下させた後に、ウェハ５０を真空処理室
１０から取出した。その取出したウェハ（ウェハＡ）に
付着した異物の数と大きさについて評価した。
【００２８】一方、比較のために真空処理室１０内へ水
蒸気を導入させない場合について同様の評価を行なっ
た。すなわち、所定のエッチングプロセスを２５回終了
後に、真空度約０．０１Ｔｏｒｒの真空処理室１０内の
下部電極２０上にウェハを載置する。エッチングガスを
５秒間真空処理室１０内に導入しプラズマを発生させず
に排気を約１分行なう。真空度０．０１Ｔｏｒｒに低下
させ、ウェハを真空処理室１０から取出した。その取出
したウェハ（ウェハＢ）に付着した異物について同様の
評価を行なった。
蒸気を導入させない場合について同様の評価を行なっ
た。すなわち、所定のエッチングプロセスを２５回終了
後に、真空度約０．０１Ｔｏｒｒの真空処理室１０内の
下部電極２０上にウェハを載置する。エッチングガスを
５秒間真空処理室１０内に導入しプラズマを発生させず
に排気を約１分行なう。真空度０．０１Ｔｏｒｒに低下
させ、ウェハを真空処理室１０から取出した。その取出
したウェハ（ウェハＢ）に付着した異物について同様の
評価を行なった。
【００２９】これらの評価結果について説明する。図２
（ａ）は、ウェハＢの評価結果であり、図２（ｂ）は、
ウェハＡの評価結果である。図２（ａ）を参照して、水
蒸気を導入しない場合、ウェハ上の総異物数は７８個で
あった。そのうち０．１６μｍ以下の微小異物は５７個
であった。
（ａ）は、ウェハＢの評価結果であり、図２（ｂ）は、
ウェハＡの評価結果である。図２（ａ）を参照して、水
蒸気を導入しない場合、ウェハ上の総異物数は７８個で
あった。そのうち０．１６μｍ以下の微小異物は５７個
であった。
【００３０】一方、図２（ｂ）を参照して、水蒸気を導
入した場合、ウェハ上の総異物数は８個であり、そのう
ち、０．１６μｍ以下の微小異物は７個であった。した
がって、水蒸気を導入することにより、真空処理室内の
微小な異物を大幅に減少することが確認できた。
入した場合、ウェハ上の総異物数は８個であり、そのう
ち、０．１６μｍ以下の微小異物は７個であった。した
がって、水蒸気を導入することにより、真空処理室内の
微小な異物を大幅に減少することが確認できた。
【００３１】以上の結果は、次のように考えられる。図
３（ａ）に示されているように、水蒸気を導入する前の
真空処理室内には、微小な異物が浮遊している。そして
図３（ｂ）に示されているように、減圧された真空処理
室内へ水蒸気を導入することにより、水蒸気が断熱膨張
を起こして冷却され、浮遊していた微小な異物を核とし
て固化または液化成長する。水蒸気が固化または液化成
長した異物は、その重量が増加し、真空処理室の下部へ
落下し始め、図３（ｃ）に示されているように、排気手
段により真空処理室の外へ排出される。つまり、重量が
増した異物が真空処理室の下部へ落下する効果と、排気
手段によって真空処理室の外へ排出される効果とによ
り、ウェハ上に付着する微小な異物が減少したものと考
えられる。
３（ａ）に示されているように、水蒸気を導入する前の
真空処理室内には、微小な異物が浮遊している。そして
図３（ｂ）に示されているように、減圧された真空処理
室内へ水蒸気を導入することにより、水蒸気が断熱膨張
を起こして冷却され、浮遊していた微小な異物を核とし
て固化または液化成長する。水蒸気が固化または液化成
長した異物は、その重量が増加し、真空処理室の下部へ
落下し始め、図３（ｃ）に示されているように、排気手
段により真空処理室の外へ排出される。つまり、重量が
増した異物が真空処理室の下部へ落下する効果と、排気
手段によって真空処理室の外へ排出される効果とによ
り、ウェハ上に付着する微小な異物が減少したものと考
えられる。
【００３２】実施の形態２ 実施の形態２に係る異物除去方法について説明する。実
施の形態１において、ウェハ上に付着する微小な異物が
減少するのは、重量が増した異物が真空処理室の下部へ
落下する効果と、排気手段によって真空処理室の外へ排
出される効果によることが考えられた。そこで、重量が
増加した異物の落下による効果のみを評価するため、水
蒸気を真空処理室内に導入した後に真空処理室内を排気
せずにウェハ上の異物を評価した。
施の形態１において、ウェハ上に付着する微小な異物が
減少するのは、重量が増した異物が真空処理室の下部へ
落下する効果と、排気手段によって真空処理室の外へ排
出される効果によることが考えられた。そこで、重量が
増加した異物の落下による効果のみを評価するため、水
蒸気を真空処理室内に導入した後に真空処理室内を排気
せずにウェハ上の異物を評価した。
【００３３】この場合、ウェハ上の総異物数は２２個で
あった。これにより、処理室内を浮遊する微小な異物の
重量を増加させ、落下させることによってもウェハ上に
付着する異物数をある程度低減できることが判明した。
あった。これにより、処理室内を浮遊する微小な異物の
重量を増加させ、落下させることによってもウェハ上に
付着する異物数をある程度低減できることが判明した。
【００３４】実施の形態３ 実施の形態３に係る異物除去方法について説明する。実
施の形態１においては、所定の水蒸気を５秒間導入した
後に真空引きを行なった。この真空引きを、水蒸気の導
入と並行して行なった。
施の形態１においては、所定の水蒸気を５秒間導入した
後に真空引きを行なった。この真空引きを、水蒸気の導
入と並行して行なった。
【００３５】この場合、同様の異物の評価を行なったと
ころ、ウェハ上に付着した異物の総数は７個であった。
ころ、ウェハ上に付着した異物の総数は７個であった。
【００３６】なお、水蒸気は真空処理室内に連続的に導
入したが、間欠的に導入しても全く同様の異物低減効果
が得られた。特に、水蒸気を間欠的に導入することは、
水蒸気の導入による真空処理室内の圧力の変化が少な
く、排気系の容量が小さい場合などには有用である。
入したが、間欠的に導入しても全く同様の異物低減効果
が得られた。特に、水蒸気を間欠的に導入することは、
水蒸気の導入による真空処理室内の圧力の変化が少な
く、排気系の容量が小さい場合などには有用である。
【００３７】実施の形態４ 実施の形態４に係る異物除去方法について説明する。実
施の形態１〜３においては、真空処理室内に水蒸気を導
入した。水蒸気の他に、液体の水を導入してもよい。す
なわち、所定のエッチングプロセス終了後に、真空処理
室内を大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）にした。その真空処理
室内に液体マスフローにより、水０．２ｃｃを導入し
た。その後、真空処理室内を１Ｔｏｒｒにまで減圧し
た。
施の形態１〜３においては、真空処理室内に水蒸気を導
入した。水蒸気の他に、液体の水を導入してもよい。す
なわち、所定のエッチングプロセス終了後に、真空処理
室内を大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）にした。その真空処理
室内に液体マスフローにより、水０．２ｃｃを導入し
た。その後、真空処理室内を１Ｔｏｒｒにまで減圧し
た。
【００３８】この場合、同様の異物の評価を行なったと
ころ、ウェハ上に付着した異物の総数は４６個であっ
た。したがって、真空処理室内に液体の水を導入するこ
とによってもウェハ上に付着する異物数の低減に効果が
あることが判明した。
ころ、ウェハ上に付着した異物の総数は４６個であっ
た。したがって、真空処理室内に液体の水を導入するこ
とによってもウェハ上に付着する異物数の低減に効果が
あることが判明した。
【００３９】以上実施の形態１〜４におけるウェハ上の
異物の付着数の低減について水の相図を用いて説明す
る。図４を参照して、実施の形態１〜３の場合は、同図
中の矢印ａに相当すると考えられる。すなわち、水蒸気
は約０．０１Ｔｏｒｒの真空処理室内へ導入された際
に、圧力の低下に伴う断熱膨張により水蒸気の温度が低
下する。水蒸気は放電空間内を浮遊する微小な異物を核
として固化または液化する。これにより、微小な異物の
重量が増加し、真空処理室内の下部へ落下するととも
に、排気手段（図示せず）により真空処理室の外へ排気
される。その結果、ウェハ上に付着する微小な異物が減
少すると考えられる。
異物の付着数の低減について水の相図を用いて説明す
る。図４を参照して、実施の形態１〜３の場合は、同図
中の矢印ａに相当すると考えられる。すなわち、水蒸気
は約０．０１Ｔｏｒｒの真空処理室内へ導入された際
に、圧力の低下に伴う断熱膨張により水蒸気の温度が低
下する。水蒸気は放電空間内を浮遊する微小な異物を核
として固化または液化する。これにより、微小な異物の
重量が増加し、真空処理室内の下部へ落下するととも
に、排気手段（図示せず）により真空処理室の外へ排気
される。その結果、ウェハ上に付着する微小な異物が減
少すると考えられる。
【００４０】次に、実施の形態４の場合は、同図中矢印
ｂに相当すると考えられる。すなわち、液体の水を大気
圧の真空処理室へ導入するとともに、その真空処理室内
を排気することにより断熱膨張により水の温度が低下す
る。その水は真空処理室内を浮遊する微小な異物を核と
して固化する。これにより、微小な異物の重量が増加し
真空処理室内の下部へ落下するとともに、排気手段によ
って真空処理室の外へ排出される。その結果、ウェハ上
に付着する微小な異物が減少すると考えられる。
ｂに相当すると考えられる。すなわち、液体の水を大気
圧の真空処理室へ導入するとともに、その真空処理室内
を排気することにより断熱膨張により水の温度が低下す
る。その水は真空処理室内を浮遊する微小な異物を核と
して固化する。これにより、微小な異物の重量が増加し
真空処理室内の下部へ落下するとともに、排気手段によ
って真空処理室の外へ排出される。その結果、ウェハ上
に付着する微小な異物が減少すると考えられる。
【００４１】なお、水蒸気は、気体等導入配管８０によ
り真空処理室内に導入されたが、所定のエッチングガス
を真空処理室内に導入する導入口４２から水蒸気を導入
させても同様の効果を得ることができる。
り真空処理室内に導入されたが、所定のエッチングガス
を真空処理室内に導入する導入口４２から水蒸気を導入
させても同様の効果を得ることができる。
【００４２】実施の形態５ 実施の形態５に係る異物除去方法について説明する。実
施の形態１においては、水蒸気を真空処理室内に導入し
てから真空処理室内の排気を行なった。この真空処理室
内の排気と並行してキャリアガスとしての窒素ガスを真
空処理室内に導入してもよい。
施の形態１においては、水蒸気を真空処理室内に導入し
てから真空処理室内の排気を行なった。この真空処理室
内の排気と並行してキャリアガスとしての窒素ガスを真
空処理室内に導入してもよい。
【００４３】すなわち、真空処理室１０に設けられた他
の配管（図示せず）により窒素を５０ｓｃｃｍ導入し
た。その窒素の導入と並行して真空処理室内を排気し
た。
の配管（図示せず）により窒素を５０ｓｃｃｍ導入し
た。その窒素の導入と並行して真空処理室内を排気し
た。
【００４４】この場合、同様の異物の評価を行なったと
ころ、ウェハ上に付着した異物の総数は６個であった。
これは、真空処理室内に窒素の流れが形成され、その流
れに乗って異物が効果的に真空処理室の外へ排出される
ため、ウェハ上に付着する微小な異物の数が低減したと
考えられる。
ころ、ウェハ上に付着した異物の総数は６個であった。
これは、真空処理室内に窒素の流れが形成され、その流
れに乗って異物が効果的に真空処理室の外へ排出される
ため、ウェハ上に付着する微小な異物の数が低減したと
考えられる。
【００４５】なお、真空処理室内に導入するガスとして
は窒素に限られず、他の不活性ガスでもよく、また、乾
燥空気、Ｈｅなどの稀ガスでも同様の効果を得ることが
できる。
は窒素に限られず、他の不活性ガスでもよく、また、乾
燥空気、Ｈｅなどの稀ガスでも同様の効果を得ることが
できる。
【００４６】実施の形態６ 実施の形態６に係る異物除去方法について説明する。前
述した異物除去の工程を複数回繰返すことにより、さら
にウェハ上に付着する微小な異物を低減することができ
る。すなわち、図５を参照して、真空処理室内に水蒸気
を導入し、その真空処理室内を排気する一連の工程を３
回繰返した。この場合、同様の異物評価を行なったとこ
ろ、ウェハ上に付着した異物の総数は３個であった。
述した異物除去の工程を複数回繰返すことにより、さら
にウェハ上に付着する微小な異物を低減することができ
る。すなわち、図５を参照して、真空処理室内に水蒸気
を導入し、その真空処理室内を排気する一連の工程を３
回繰返した。この場合、同様の異物評価を行なったとこ
ろ、ウェハ上に付着した異物の総数は３個であった。
【００４７】また図６を参照して、真空処理室内に水蒸
気を導入し、その真空処理室内を排気するとともに、真
空処理室内に窒素ガスを導入する一連の工程を３回繰返
した。この場合も、ウェハ上に付着した異物の総数は３
個であった。
気を導入し、その真空処理室内を排気するとともに、真
空処理室内に窒素ガスを導入する一連の工程を３回繰返
した。この場合も、ウェハ上に付着した異物の総数は３
個であった。
【００４８】以上、一連の異物除去の工程を繰返して実
施することにより、ウェハ上に付着する異物をさらに低
減することができる。
施することにより、ウェハ上に付着する異物をさらに低
減することができる。
【００４９】上述した実施の形態においては、評価のた
めに所定のエッチングプロセスを行なった後に異物除去
を行なったが、所定のエッチングプロセスの開始前やエ
ッチングプロセスの間に行なっても、異物除去の効果に
差がないことは言うまでもない。しかも、一連の異物除
去工程は、ドライエッチング装置を停止することなく行
なうことができ、ドライエッチング装置の稼動率を大幅
に向上させることが可能である。
めに所定のエッチングプロセスを行なった後に異物除去
を行なったが、所定のエッチングプロセスの開始前やエ
ッチングプロセスの間に行なっても、異物除去の効果に
差がないことは言うまでもない。しかも、一連の異物除
去工程は、ドライエッチング装置を停止することなく行
なうことができ、ドライエッチング装置の稼動率を大幅
に向上させることが可能である。
【００５０】また、上記各実施の形態においては、水蒸
気または液体の水は真空処理装置の上部から導入した。
これは導入された気体等が、真空処理室内に浮遊する微
小な異物を核として固化または液化成長し、その成長し
た異物が落下することにより真空処理室内の異物の低減
を促進しようと意図したものである。
気または液体の水は真空処理装置の上部から導入した。
これは導入された気体等が、真空処理室内に浮遊する微
小な異物を核として固化または液化成長し、その成長し
た異物が落下することにより真空処理室内の異物の低減
を促進しようと意図したものである。
【００５１】しかしながら、実際の異物除去において
は、その異物が下部電極に落下することが懸念される。
これに対しては、予め、図１に示す下部電極２０上にダ
ミーのウェハ等を載置することにより回避することがで
きる。また、ダミーのウェハ以外に、たとえば、下部電
極上方に、シャッタを設けても同様の効果を得ることが
できる。
は、その異物が下部電極に落下することが懸念される。
これに対しては、予め、図１に示す下部電極２０上にダ
ミーのウェハ等を載置することにより回避することがで
きる。また、ダミーのウェハ以外に、たとえば、下部電
極上方に、シャッタを設けても同様の効果を得ることが
できる。
【００５２】また、上記各実施の形態においては、水蒸
気または液体の水を例に挙げた。この他に、アルコール
と水との混合物を用いてもよい。また二酸化炭素を用い
てもよい。さらに、断熱膨張を利用して固化しやすい気
体としては、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｎ2 、ＣＯ、メ
タン、プロパン、フレオンがあり、これらを用いても同
様の効果を得ることができる。
気または液体の水を例に挙げた。この他に、アルコール
と水との混合物を用いてもよい。また二酸化炭素を用い
てもよい。さらに、断熱膨張を利用して固化しやすい気
体としては、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｎ2 、ＣＯ、メ
タン、プロパン、フレオンがあり、これらを用いても同
様の効果を得ることができる。
【００５３】さらに、半導体製造装置として、ドライエ
ッチング装置を例に挙げたが、この他に、減圧ＣＶＤ装
置などのウェハに処理を施すための処理室と、その処理
室内を排気する手段を備えている半導体製造装置にも適
用することができ、同様の効果を得ることができる。
ッチング装置を例に挙げたが、この他に、減圧ＣＶＤ装
置などのウェハに処理を施すための処理室と、その処理
室内を排気する手段を備えている半導体製造装置にも適
用することができ、同様の効果を得ることができる。
【００５４】なお、今回開示された実施の形態はすべて
の点で例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は上記で説明した範囲ではな
く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれること
が意図される。
の点で例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は上記で説明した範囲ではな
く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれること
が意図される。
【００５５】
【発明の効果】本発明の１つの局面における半導体製造
装置は、処理室と、導入配管と、排気手段とを備えてい
る。処理室は、半導体基板に所定のプロセスを施す。導
入配管は、処理室内に所定の液体または気体を導入す
る。排気手段は、処理室内を排気し、処理室内に導入さ
れた液体または気体を断熱膨張により、処理室内に浮遊
する異物を核として固化または液化させる。
装置は、処理室と、導入配管と、排気手段とを備えてい
る。処理室は、半導体基板に所定のプロセスを施す。導
入配管は、処理室内に所定の液体または気体を導入す
る。排気手段は、処理室内を排気し、処理室内に導入さ
れた液体または気体を断熱膨張により、処理室内に浮遊
する異物を核として固化または液化させる。
【００５６】この構成によれば、排気手段によって処理
室内は減圧される。導入配管によって処理室内に導入さ
れた液体または気体は、断熱膨張により冷却される。こ
のとき、導入された液体または気体は、処理室内に浮遊
する異物を核として、固化または液化成長する。これに
より、異物の重量が増加し、容易に処理室の下部に落下
する。また、排気手段によりその異物が容易に処理室の
外へ排出される。その結果、半導体基板上に付着する異
物が低減する。
室内は減圧される。導入配管によって処理室内に導入さ
れた液体または気体は、断熱膨張により冷却される。こ
のとき、導入された液体または気体は、処理室内に浮遊
する異物を核として、固化または液化成長する。これに
より、異物の重量が増加し、容易に処理室の下部に落下
する。また、排気手段によりその異物が容易に処理室の
外へ排出される。その結果、半導体基板上に付着する異
物が低減する。
【００５７】好ましくは、導入配管は処理室の上部近傍
に接続されている。この場合には、処理室内の上部付近
に存在する異物を核として、導入された液体または気体
が固化または液化成長し、排出される。その結果、半導
体基板の上方に浮遊する異物が半導体基板上に付着する
のをより効率よく防ぐことができる。
に接続されている。この場合には、処理室内の上部付近
に存在する異物を核として、導入された液体または気体
が固化または液化成長し、排出される。その結果、半導
体基板の上方に浮遊する異物が半導体基板上に付着する
のをより効率よく防ぐことができる。
【００５８】また好ましくは、処理室に接続された、処
理室内にキャリアガスを導入するためのキャリアガス導
入配管をさらに含んでいる。
理室内にキャリアガスを導入するためのキャリアガス導
入配管をさらに含んでいる。
【００５９】この場合には、導入された気体等が、その
まわりに固化または液化成長した異物がキャリアガスの
流れに伴って、容易に処理室の外へ効率よく排出され
る。その結果、半導体基板上に付着する異物がさらに減
少する。
まわりに固化または液化成長した異物がキャリアガスの
流れに伴って、容易に処理室の外へ効率よく排出され
る。その結果、半導体基板上に付着する異物がさらに減
少する。
【００６０】本発明の他の局面における半導体製造装置
の異物除去方法は、半導体基板に所定のプロセスを施す
ための排気手段を含む処理室を有する半導体製造装置の
異物除去方法であって、処理室内に所定の液体または気
体を導入する工程と、排気手段によって処理室内を所定
の圧力にまで減圧する減圧工程により、導入された液体
または気体を、処理室内の異物を核として固化または液
化させる工程とを備えている。
の異物除去方法は、半導体基板に所定のプロセスを施す
ための排気手段を含む処理室を有する半導体製造装置の
異物除去方法であって、処理室内に所定の液体または気
体を導入する工程と、排気手段によって処理室内を所定
の圧力にまで減圧する減圧工程により、導入された液体
または気体を、処理室内の異物を核として固化または液
化させる工程とを備えている。
【００６１】この方法によれば、処理室内に導入された
液体または気体は、処理室内が排気手段によって排気さ
れるため、断熱膨張によって冷却される。このとき、導
入された液体または気体は処理室内に浮遊する微小な異
物を核として固化または液化成長する。これにより、異
物はその重量が増加し処理室の下部へより落下しやすく
なる。その結果、半導体基板上に付着する異物を低減す
ることができる。
液体または気体は、処理室内が排気手段によって排気さ
れるため、断熱膨張によって冷却される。このとき、導
入された液体または気体は処理室内に浮遊する微小な異
物を核として固化または液化成長する。これにより、異
物はその重量が増加し処理室の下部へより落下しやすく
なる。その結果、半導体基板上に付着する異物を低減す
ることができる。
【００６２】好ましくは、減圧工程は、液体または気体
を処理室内に導入する前に行なわれる。
を処理室内に導入する前に行なわれる。
【００６３】この場合には、液体または気体が減圧され
た処理室内へ導入される。このとき液体または気体が急
激に膨張し、異物を核として固化または液化成長がより
効率よく行なわれる。その結果、半導体基板上に付着す
る異物が低減する。
た処理室内へ導入される。このとき液体または気体が急
激に膨張し、異物を核として固化または液化成長がより
効率よく行なわれる。その結果、半導体基板上に付着す
る異物が低減する。
【００６４】また好ましくは、固化または液化させる工
程の後、排気手段により、処理室内を排気する工程を含
んでいる。
程の後、排気手段により、処理室内を排気する工程を含
んでいる。
【００６５】この場合には、導入された気体等がそのま
わりに固化または液化成長した異物が処理室の外へ排出
される。その結果、半導体基板上に落下して付着する異
物がより減少する。
わりに固化または液化成長した異物が処理室の外へ排出
される。その結果、半導体基板上に落下して付着する異
物がより減少する。
【００６６】さらに好ましくは、固化または液化させる
工程と並行して、排気手段により処理室内を排気する工
程を行なう。
工程と並行して、排気手段により処理室内を排気する工
程を行なう。
【００６７】この場合には、異物が、導入された気体等
がその異物を核として固化または液化成長しながら排気
される。これにより、半導体基板上に落下して付着する
異物がさらに減少する。
がその異物を核として固化または液化成長しながら排気
される。これにより、半導体基板上に落下して付着する
異物がさらに減少する。
【００６８】また好ましくは、処理室内を排気する工程
の後、さらに処理室内に液体または気体を導入するとと
もに、排気手段により導入された液体または気体を、固
化または液化成長させる工程と、排気手段により処理室
内を排気する工程とを含んでいる。
の後、さらに処理室内に液体または気体を導入するとと
もに、排気手段により導入された液体または気体を、固
化または液化成長させる工程と、排気手段により処理室
内を排気する工程とを含んでいる。
【００６９】この場合には、処理室内の微小な異物を核
として、導入した気体等を固化または液化成長させ、そ
の異物を処理室の外へ排出する一連の工程が繰返され
る。これによって、処理室内に浮遊する微小な異物が効
率よく排出される。その結果、半導体基板上に付着する
異物がさらに減少する。
として、導入した気体等を固化または液化成長させ、そ
の異物を処理室の外へ排出する一連の工程が繰返され
る。これによって、処理室内に浮遊する微小な異物が効
率よく排出される。その結果、半導体基板上に付着する
異物がさらに減少する。
【００７０】さら好ましくは、処理室内を排気する工程
と並行して、処理室内にキャリアガスを導入する工程を
含んでいる。
と並行して、処理室内にキャリアガスを導入する工程を
含んでいる。
【００７１】この場合には、キャリアガスの流れに乗っ
て異物がさらに効率よく処理室の外へ排出される。その
結果、半導体基板上に付着する異物がさらに減少する。
て異物がさらに効率よく処理室の外へ排出される。その
結果、半導体基板上に付着する異物がさらに減少する。
【００７２】好ましくは、液体または気体を導入する工
程として、液体または気体処理室の上部近傍から導入さ
れる。
程として、液体または気体処理室の上部近傍から導入さ
れる。
【００７３】この場合には、処理室内の上部付近に存在
する微小な異物を核として、導入された気体等が固化ま
たは液化成長し、処理室の外へ排出される。その結果、
半導体基板の上方に浮遊する微小な異物が半導体基板上
に付着するのを防ぐことができる。
する微小な異物を核として、導入された気体等が固化ま
たは液化成長し、処理室の外へ排出される。その結果、
半導体基板の上方に浮遊する微小な異物が半導体基板上
に付着するのを防ぐことができる。
【００７４】好ましくは、液体または気体として、液体
の水、水蒸気または二酸化炭素のうちいずれかを用い
る。またキャリアガスとして、不活性ガスまたは乾燥空
気を用いる。
の水、水蒸気または二酸化炭素のうちいずれかを用い
る。またキャリアガスとして、不活性ガスまたは乾燥空
気を用いる。
【００７５】これらはいずれも半導体製造ラインで比較
的よく用いられているものであり、容易に適用すること
が可能である。
的よく用いられているものであり、容易に適用すること
が可能である。
【図１】 本発明の実施の形態１に係るドライエッチン
グ装置の一断面図である。
グ装置の一断面図である。
【図２】 （ａ）は、同実施の形態において、水蒸気を
導入しない場合の異物数の評価結果であり、（ｂ）は、
水蒸気を導入した場合の評価結果である。
導入しない場合の異物数の評価結果であり、（ｂ）は、
水蒸気を導入した場合の評価結果である。
【図３】 （ａ）は、異物除去効果を説明するための第
１の状態を示す図であり、（ｂ）は、その第２の状態を
示す図であり、（ｃ）は、その第３の状態を示す図であ
る。
１の状態を示す図であり、（ｂ）は、その第２の状態を
示す図であり、（ｃ）は、その第３の状態を示す図であ
る。
【図４】 実施の形態１〜４における異物除去効果を説
明するための水の相図である。
明するための水の相図である。
【図５】 本発明の実施の形態６に係るプロセスフロー
を示す第１の図である。
を示す第１の図である。
【図６】 同実施の形態において、第２のフローを示す
図である。
図である。
【図７】 従来のドライエッチング装置の一断面図であ
る。
る。
【図８】 半導体装置のデザインルールとその半導体装
置の歩留りに影響する異物の大きさとの関係を示す図で
ある。
置の歩留りに影響する異物の大きさとの関係を示す図で
ある。
【図９】 ある空間内に存在する異物の大きさとその個
数との関係を示す図である。
数との関係を示す図である。
【図１０】 従来のドライエッチング装置において、真
空処理室内の空間を浮遊する異物の個数を測定したグラ
フである。
空処理室内の空間を浮遊する異物の個数を測定したグラ
フである。
１０ 真空処理室、１１ 絶縁物、１２ 真空排気口、
１３ 圧力測定器、１４ 圧力測定口、１５ ヒータ、
２０ 下部電極、２３ 高周波電源、４０ 上部電源、
４１ 供給装置、４２ 導入口、５０ ウェハ、８０
気体等導入配管。
１３ 圧力測定器、１４ 圧力測定口、１５ ヒータ、
２０ 下部電極、２３ 高周波電源、４０ 上部電源、
４１ 供給装置、４２ 導入口、５０ ウェハ、８０
気体等導入配管。
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体基板に所定のプロセスを施すため
の処理室と、 前記処理室内に所定の液体または気体を導入するための
導入配管と、 前記処理室内を排気し、前記処理室内に導入された前記
液体または気体を断熱膨張により、前記処理室内に浮遊
する異物を核として固化または液化させるための排気手
段とを備えた、半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記導入配管は、前記処理室の上部近傍
に接続されている、請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記処理室に接続された、前記処理室内
にキャリアガスを導入するためのキャリアガス導入配管
をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項４】 半導体基板に所定のプロセスを施すため
の、排気手段を含む処理室を有する半導体製造装置の異
物除去方法であって、 前記処理室内に所定の液体または気体を導入する工程
と、 前記排気手段によって前記処理室内を所定の圧力にまで
減圧する減圧工程により、導入された前記液体または気
体を、前記処理室内の異物を核として固化または液化さ
せる工程とを備えた、半導体製造装置の異物除去方法。 - 【請求項５】 前記減圧工程は、前記液体または気体を
前記処理室内に導入する前に行なわれる、請求項４記載
の半導体製造装置の異物除去方法。 - 【請求項６】 前記固化または液化させる工程の後、前
記排気手段により前記処理室内を排気する工程を含む、
請求項４または５に記載の半導体製造装置の異物除去方
法。 - 【請求項７】 前記固化または液化させる工程と並行し
て、前記排気手段により前記処理室内を排気する工程を
行なう、請求項４または５に記載の半導体製造装置の異
物除去方法。 - 【請求項８】 前記処理室内を排気する工程の後、さら
に前記処理室内に前記液体または気体を導入するととも
に、前記排気手段により導入された前記液体または気体
を、固化または液化させる工程と、 前記排気手段により前記処理室内を排気する工程と、を
含む、請求項６記載の半導体製造装置の異物除去方法。 - 【請求項９】 前記処理室内を排気する工程と並行し
て、前記処理室内にキャリアガスを導入する工程を含
む、請求項７または８に記載の半導体製造装置の異物除
去方法。 - 【請求項１０】 前記液体または気体を導入する工程と
して、前記液体または気体は前記処理室の上部近傍から
導入される、請求項４〜９のいずれかに記載の半導体製
造装置の異物除去方法。 - 【請求項１１】 前記液体または気体として、液体の
水、水蒸気または二酸化炭素のうちいずれかを用いる、
請求項４〜１０のいずれかに記載の半導体製造装置の異
物除去方法。 - 【請求項１２】 前記キャリアガスとして、不活性ガス
または乾燥空気を用いる、請求項４〜１１のいずれかに
記載の半導体製造装置の異物除去方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21332697A JP3676912B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 半導体製造装置およびその異物除去方法 |
| KR1019980000297A KR100308362B1 (ko) | 1997-08-07 | 1998-01-08 | 반도체제조장치의이물질제거방법 |
| US09/019,702 US6024105A (en) | 1997-08-07 | 1998-02-06 | Semiconductor manufacturing device and method of removing particles therefrom |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21332697A JP3676912B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 半導体製造装置およびその異物除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154485A true JPH1154485A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3676912B2 JP3676912B2 (ja) | 2005-07-27 |
Family
ID=16637308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21332697A Expired - Fee Related JP3676912B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 半導体製造装置およびその異物除去方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6024105A (ja) |
| JP (1) | JP3676912B2 (ja) |
| KR (1) | KR100308362B1 (ja) |
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| US7062347B2 (en) | 2001-07-26 | 2006-06-13 | Hitachi, Ltd. | Maintenance method and system for plasma processing apparatus |
| US7207340B2 (en) | 2000-12-08 | 2007-04-24 | Tokyo Electric Limited | Method and system for removal of gas and plasma processing apparatus |
| US7631651B2 (en) | 2005-09-05 | 2009-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning method of semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
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| BRPI0803774B1 (pt) * | 2008-06-11 | 2018-09-11 | Univ Federal De Santa Catarina Ufsc | processo e reator de plasma para tratamento de peças metálicas |
| JP5984424B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-09-06 | 国立大学法人京都大学 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理装置 |
| CN108746002B (zh) * | 2018-03-28 | 2021-12-07 | 深圳市科普伦科技有限公司 | 一种微电子元器件清洁设备及方法 |
| CN113130285B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-04-15 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种陶瓷进气接射频清洗装置 |
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1997
- 1997-08-07 JP JP21332697A patent/JP3676912B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-08 KR KR1019980000297A patent/KR100308362B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-02-06 US US09/019,702 patent/US6024105A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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| KR19990023041A (ko) | 1999-03-25 |
| US6024105A (en) | 2000-02-15 |
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