JP3090014B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3090014B2 JP3090014B2 JP07338009A JP33800995A JP3090014B2 JP 3090014 B2 JP3090014 B2 JP 3090014B2 JP 07338009 A JP07338009 A JP 07338009A JP 33800995 A JP33800995 A JP 33800995A JP 3090014 B2 JP3090014 B2 JP 3090014B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- inorganic insulating
- insulating film
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 amorphous Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＶＴＲ等に使用され
る薄膜磁気ヘッド及びその製造法に係り、特に、保護基
板のガラス接合時の割れ、剥離の問題を解決するもので
ある。
る薄膜磁気ヘッド及びその製造法に係り、特に、保護基
板のガラス接合時の割れ、剥離の問題を解決するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、インダクタンスが低
くて、周波数特性に優れていることから、ハードディス
クドライブ用等の磁気ヘッドとして、数多く使用され始
めている。
くて、周波数特性に優れていることから、ハードディス
クドライブ用等の磁気ヘッドとして、数多く使用され始
めている。
【０００３】一般的な薄膜磁気ヘッドの構造を図３に示
す。また、図４は図３のＡ−Ａ’断面図であり、図５は
媒体摺動面からこの薄膜磁気ヘッドを見た図である。こ
こで、２が磁気ギャップ、１ａ、１ｂがそれぞれ磁性膜
の上部コア、下部コア、３が絶縁膜、４がコイルであ
る。
す。また、図４は図３のＡ−Ａ’断面図であり、図５は
媒体摺動面からこの薄膜磁気ヘッドを見た図である。こ
こで、２が磁気ギャップ、１ａ、１ｂがそれぞれ磁性膜
の上部コア、下部コア、３が絶縁膜、４がコイルであ
る。
【０００４】この様な構造の磁気ヘッドをＶＴＲ用とし
て用いる場合、磁気ギャップを中心に非対称な形状とな
っているため、良好なテープタッチが得られず、そのた
め良好な特性を引き出すことが出来ない。そこで、磁気
媒体と良好に接するために、保護基板をはりつける必要
がある。
て用いる場合、磁気ギャップを中心に非対称な形状とな
っているため、良好なテープタッチが得られず、そのた
め良好な特性を引き出すことが出来ない。そこで、磁気
媒体と良好に接するために、保護基板をはりつける必要
がある。
【０００５】ここで、保護基板の接着層部分は媒体摺動
面に露出するため、張り付けに有機接着材料を用いる
と、露出部分にごみ付きが発生し、良好な記録再生が出
来なくなってしまう。
面に露出するため、張り付けに有機接着材料を用いる
と、露出部分にごみ付きが発生し、良好な記録再生が出
来なくなってしまう。
【０００６】そこで、接着には無機ガラス溶着を利用す
ることが望ましい。無機ガラス溶着を行なうためには最
低でも４００℃以上の温度を加える必要がある。
ることが望ましい。無機ガラス溶着を行なうためには最
低でも４００℃以上の温度を加える必要がある。
【０００７】ところが、一般的な薄膜磁気ヘッドでは、
コイルの絶縁材料としてフォトレジスト等の樹脂材料を
用いており、４００℃以上のガラス溶着温度には耐える
ことが出来ない。
コイルの絶縁材料としてフォトレジスト等の樹脂材料を
用いており、４００℃以上のガラス溶着温度には耐える
ことが出来ない。
【０００８】よって、例えば特開平３−５８３０８号の
「薄膜磁気ヘッド」に開示されているように、オール無
機材料の薄膜磁気ヘッドが極めて高い耐熱性を有してお
り、ＶＴＲ用の薄膜磁気ヘッドとしてより利用に適して
いるといえる。ところが、実際に保護基板６をガラス溶
着法にてはりつけて、図６に示すような薄膜磁気ヘッド
２０を製作すると、絶縁膜３に隣接する接着ガラス５の
部分にクラック、割れ、剥離１１が発生してしまった。
「薄膜磁気ヘッド」に開示されているように、オール無
機材料の薄膜磁気ヘッドが極めて高い耐熱性を有してお
り、ＶＴＲ用の薄膜磁気ヘッドとしてより利用に適して
いるといえる。ところが、実際に保護基板６をガラス溶
着法にてはりつけて、図６に示すような薄膜磁気ヘッド
２０を製作すると、絶縁膜３に隣接する接着ガラス５の
部分にクラック、割れ、剥離１１が発生してしまった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そこで、クラックが発
生した原因についての解析を行なった結果、以下のこと
が判明した。 （１）保護基板６のはり付けの工程は、薄膜ヘッド形成
プロセスが終了したウェハーをバー状に切り出し、数チ
ップヘッドが並んでいる状態で行なわれる。
生した原因についての解析を行なった結果、以下のこと
が判明した。 （１）保護基板６のはり付けの工程は、薄膜ヘッド形成
プロセスが終了したウェハーをバー状に切り出し、数チ
ップヘッドが並んでいる状態で行なわれる。
【００１０】（２）この薄膜磁気ヘッドを構成する絶縁
材料３には、ＳｉＯ2 膜等が使用され、その形成にはス
パッタリング法が用いられる。堆積される膜厚の総厚み
は３０〜４０μｍで、このとき絶縁膜３には、１〜３×
１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の圧縮応力が加わる。その結果と
して、基板７は図７（Ａ）に示されるように反ってしま
う。
材料３には、ＳｉＯ2 膜等が使用され、その形成にはス
パッタリング法が用いられる。堆積される膜厚の総厚み
は３０〜４０μｍで、このとき絶縁膜３には、１〜３×
１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の圧縮応力が加わる。その結果と
して、基板７は図７（Ａ）に示されるように反ってしま
う。
【００１１】（３）次に、保護基板６のガラス溶着のた
めに温度を加えていく。基板材料はガラス、セラミック
等が用いられるが、基板７上に成膜される磁性膜の特性
を十分に引き出すためには熱膨張係数を磁性膜３と略同
一にする必要がある。
めに温度を加えていく。基板材料はガラス、セラミック
等が用いられるが、基板７上に成膜される磁性膜の特性
を十分に引き出すためには熱膨張係数を磁性膜３と略同
一にする必要がある。
【００１２】従って、基板７の熱膨張係数は、薄膜ヘッ
ドに用いられる金属磁性材料、パーマロイ、センダス
ト、アモルファス、窒化鉄等の熱膨張係数８０〜１２０
×１０-7程度の値となる。
ドに用いられる金属磁性材料、パーマロイ、センダス
ト、アモルファス、窒化鉄等の熱膨張係数８０〜１２０
×１０-7程度の値となる。
【００１３】これに対し、ＳｉＯ2 の熱膨張係数は、５
〜１０×１０-7程度の値である。そのため、ガラスが溶
融する温度では基板７はフラットもしくは図７（Ｂ）に
示されるように反対向きに反ろうとする。ただし、実際
は治具（図示せず）で図７（Ｂ）の矢印方向にフラット
に荷重を加えるために接着は保護基板６と平行に行なわ
れる。
〜１０×１０-7程度の値である。そのため、ガラスが溶
融する温度では基板７はフラットもしくは図７（Ｂ）に
示されるように反対向きに反ろうとする。ただし、実際
は治具（図示せず）で図７（Ｂ）の矢印方向にフラット
に荷重を加えるために接着は保護基板６と平行に行なわ
れる。
【００１４】（４）上記の状態で保護基板６の接着が行
なわれ、温度を室温まで下げると、溶着後の基板７は、
元の状態に戻る力が加わり、図７（Ｃ）に示されるよう
に接合部分に引っ張り力が加わる。そこで、ガラス材料
５は、引っ張り力には極めて弱いためにクラックが発生
してしまう。
なわれ、温度を室温まで下げると、溶着後の基板７は、
元の状態に戻る力が加わり、図７（Ｃ）に示されるよう
に接合部分に引っ張り力が加わる。そこで、ガラス材料
５は、引っ張り力には極めて弱いためにクラックが発生
してしまう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】以上の結果より、温度の
変化に対して基板材料７が反らない状態に出来れば良い
ことがわかる。そのために、第１の基板７上に、少なく
とも下部磁性膜１ｂ、磁気ギャップ２、コイル４、上部
磁性膜１ａ、第１の無機絶縁膜３が構成されており、第
２の基板６を基板の絶縁膜３の成膜面上にガラス溶着法
により接着ガラス５を用いて接合し、所定の加工を行な
うことによって形成される薄膜磁気ヘッド１０におい
て、前記第１の基板７の成膜面と反対側の面に第１の無
機絶縁膜３の膜厚と略同一の厚さを有し、且つ、前記第
１の無機絶縁膜と略同一の熱膨張係数を有する第２の無
機絶縁膜３ｂを形成する構成とした。
変化に対して基板材料７が反らない状態に出来れば良い
ことがわかる。そのために、第１の基板７上に、少なく
とも下部磁性膜１ｂ、磁気ギャップ２、コイル４、上部
磁性膜１ａ、第１の無機絶縁膜３が構成されており、第
２の基板６を基板の絶縁膜３の成膜面上にガラス溶着法
により接着ガラス５を用いて接合し、所定の加工を行な
うことによって形成される薄膜磁気ヘッド１０におい
て、前記第１の基板７の成膜面と反対側の面に第１の無
機絶縁膜３の膜厚と略同一の厚さを有し、且つ、前記第
１の無機絶縁膜と略同一の熱膨張係数を有する第２の無
機絶縁膜３ｂを形成する構成とした。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッド及びその
製造方法の一実施例について、図１、図２と共に以下に
説明する。
製造方法の一実施例について、図１、図２と共に以下に
説明する。
【００１７】保護基板６はり付けの工程は、薄膜ヘッド
形成プロセス、第１の基板７上に、下部磁性膜１ｂ、磁
気ギャップ２、コイル４、上部磁性膜１ａ等の形成プロ
セスが終了したウェハーを、バー状に切り出し、基板７
の形状として、数チップヘッドが並んでいる状態で行な
われる。
形成プロセス、第１の基板７上に、下部磁性膜１ｂ、磁
気ギャップ２、コイル４、上部磁性膜１ａ等の形成プロ
セスが終了したウェハーを、バー状に切り出し、基板７
の形状として、数チップヘッドが並んでいる状態で行な
われる。
【００１８】（Ａ） 第１の工程 薄膜ヘッドの形成プロセス（第１の基板７上に、下部磁
性膜１ｂ、磁気ギャップ２、コイル４、上部磁性膜１ａ
等の形成プロセス）が終了したウエハーから、数チップ
ヘッドが並んでいる状態で基板（バー）７を切り出す。
性膜１ｂ、磁気ギャップ２、コイル４、上部磁性膜１ａ
等の形成プロセス）が終了したウエハーから、数チップ
ヘッドが並んでいる状態で基板（バー）７を切り出す。
【００１９】（Ｂ） 第２の工程 基板（バー）７を表裏を逆にして、基板（バー）７の裏
面上に、スパッタ等の真空薄膜成形技術により室温に
て、ＳｉＯ2 等を使用して、無機絶縁膜３ｂを略２０〜
３０μｍ程度形成する。
面上に、スパッタ等の真空薄膜成形技術により室温に
て、ＳｉＯ2 等を使用して、無機絶縁膜３ｂを略２０〜
３０μｍ程度形成する。
【００２０】（Ｃ） 第３の工程 基板（バー）７を表裏を逆にして元に戻して、基板（バ
ー）７の表面上に、スパッタ等の真空薄膜成形技術によ
り室温にて、ＳｉＯ2 等を使用して無機絶縁膜３を、無
機絶縁膜３ｂと略同一の膜厚となるように、略２０〜３
０μｍ程度形成する。なお、無機絶縁膜３は、無機絶縁
膜３ｂと同一の材料のものか略同一の熱膨張係数の材料
のものを選択する。
ー）７の表面上に、スパッタ等の真空薄膜成形技術によ
り室温にて、ＳｉＯ2 等を使用して無機絶縁膜３を、無
機絶縁膜３ｂと略同一の膜厚となるように、略２０〜３
０μｍ程度形成する。なお、無機絶縁膜３は、無機絶縁
膜３ｂと同一の材料のものか略同一の熱膨張係数の材料
のものを選択する。
【００２１】（Ｄ） 第４の工程 次に、別処理にて、その片面に接着用のガラス材（鉛ガ
ラス）５が室温にて、１０〜数１０μｍ形成され、厚さ
が基板７と略同一の保護基板６を、無機絶縁膜３が形成
されている基板（バー）７の所定の位置に、図に示され
るように接着ガラス（鉛ガラス）５の面と無機絶縁膜３
の面とが隣接するように載置する。
ラス）５が室温にて、１０〜数１０μｍ形成され、厚さ
が基板７と略同一の保護基板６を、無機絶縁膜３が形成
されている基板（バー）７の所定の位置に、図に示され
るように接着ガラス（鉛ガラス）５の面と無機絶縁膜３
の面とが隣接するように載置する。
【００２２】なお、保護基板６は、基板７と同一の材料
か、略同一の熱膨張係数の材料のものが良い。また、接
着用のガラス材（鉛ガラス）５は、保護基板６と熱膨張
係数を揃えるか、より近いものを選択するようにする。
か、略同一の熱膨張係数の材料のものが良い。また、接
着用のガラス材（鉛ガラス）５は、保護基板６と熱膨張
係数を揃えるか、より近いものを選択するようにする。
【００２３】次に、ガラス溶着をするために温度を加え
て４００℃以上に温度をあげる。基板材料７はガラス、
セラミック等が用いられるが、基板７の上に成膜される
磁性膜の特性を十分に引き出すためには、熱膨張係数を
磁性膜と略同一にする必要がある。
て４００℃以上に温度をあげる。基板材料７はガラス、
セラミック等が用いられるが、基板７の上に成膜される
磁性膜の特性を十分に引き出すためには、熱膨張係数を
磁性膜と略同一にする必要がある。
【００２４】従って、基板７の熱膨張係数は、薄膜磁気
ヘッドに使用される金属磁性材料、パーマロイ、センダ
スト、アモルファス、窒化鉄等の熱膨張係数８０〜１２
０×１０-7程度の値となる。これに対し、無機絶縁材料
３を構成しているＳｉＯ2 の熱膨張係数は、５〜１０×
１０-7である。
ヘッドに使用される金属磁性材料、パーマロイ、センダ
スト、アモルファス、窒化鉄等の熱膨張係数８０〜１２
０×１０-7程度の値となる。これに対し、無機絶縁材料
３を構成しているＳｉＯ2 の熱膨張係数は、５〜１０×
１０-7である。
【００２５】基板７の上下の両面３，３ｂに略同一の膜
厚の無機絶縁膜が対称的に形成されたことになる。その
結果、接合ガラス５に隣接する無機絶縁膜３内に引っ張
り力が発生しないので、接合ガラス５の部分にも不要な
力は発生しない。
厚の無機絶縁膜が対称的に形成されたことになる。その
結果、接合ガラス５に隣接する無機絶縁膜３内に引っ張
り力が発生しないので、接合ガラス５の部分にも不要な
力は発生しない。
【００２６】よって、これらの処理を行なうことによ
り、接合ガラス５の部分にクラック、割れ、剥離のな
い、良好な接合が可能になる。かかる条件の薄膜磁気ヘ
ッドは図１に示されるような構成の薄膜磁気ヘッド１０
となる。
り、接合ガラス５の部分にクラック、割れ、剥離のな
い、良好な接合が可能になる。かかる条件の薄膜磁気ヘ
ッドは図１に示されるような構成の薄膜磁気ヘッド１０
となる。
【００２７】即ち、本発明の薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法は、第１の基板７上に、少なくとも下部磁性膜１
ｂ、磁気ギャップ２、コイル４、上部磁性膜１ａ、第１
の無機絶縁膜３が構成されており、第２の基板６を基板
の絶縁膜成膜面上にガラス溶着法により接着ガラス５を
用いて接合し、所定の加工を行なうことにより、第１の
基板７の成膜面と反対側の面に第２の無機絶縁膜３ｂを
形成するように構成し、これによって、保護基板６のガ
ラス接合時のクラック、割れ、剥離の問題を解決したも
のである。
造方法は、第１の基板７上に、少なくとも下部磁性膜１
ｂ、磁気ギャップ２、コイル４、上部磁性膜１ａ、第１
の無機絶縁膜３が構成されており、第２の基板６を基板
の絶縁膜成膜面上にガラス溶着法により接着ガラス５を
用いて接合し、所定の加工を行なうことにより、第１の
基板７の成膜面と反対側の面に第２の無機絶縁膜３ｂを
形成するように構成し、これによって、保護基板６のガ
ラス接合時のクラック、割れ、剥離の問題を解決したも
のである。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法により、第１の無機絶縁膜成膜
面と反対側の基板面に第１の無機絶縁膜の膜厚と略同一
の厚さを有し、且つ、前記第１の無機絶縁膜と略同一の
熱膨張係数を有する第２の無機絶縁膜を形成するように
したことにより、保護基板の接着時の応力を緩和し、接
着ガラス部分へのクラック、割れ、剥離等の発生を防止
することが出来る。
ヘッド及びその製造方法により、第１の無機絶縁膜成膜
面と反対側の基板面に第１の無機絶縁膜の膜厚と略同一
の厚さを有し、且つ、前記第１の無機絶縁膜と略同一の
熱膨張係数を有する第２の無機絶縁膜を形成するように
したことにより、保護基板の接着時の応力を緩和し、接
着ガラス部分へのクラック、割れ、剥離等の発生を防止
することが出来る。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例の構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例
である。
である。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの構成を示した図であ
る。
る。
【図４】図３のＡ−Ａ′断面図である。
【図５】媒体摺動面からこの薄膜磁気ヘッドを見た図で
ある。
ある。
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示した図であ
る。
る。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を示し
た図である。
た図である。
１ａ 上部磁性膜（上部コア） １ｂ 下部磁性膜（下部コア） ２ 磁気ギャップ ３ 第１の無機絶縁膜 ３ｂ 第２の無機絶縁膜 ４ コイル ５ 接着ガラス（鉛ガラス） ６ 保護基板（第２の基板） ７ 基板（バー）（第１の基板） １０，２０ 薄膜磁気ヘッド １１ クラック
Claims (2)
- 【請求項１】第１の基板上に、少なくとも下部磁性膜、
磁気ギャップ、コイル、上部磁性膜、第１の無機絶縁膜
を形成し、前記第１の基板の無機絶縁膜の成膜面上に接
着ガラスを介して第２の基板を形成した薄膜磁気ヘッド
において、 前記第１の基板の成膜面と反対側の面に前記第１の無機
絶縁膜の膜厚と略同一の膜厚を有し、且つ、前記第１の
無機絶縁膜と略同一の熱膨張係数を有する第２の無機絶
縁膜を形成するようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】第１の基板上に、少なくとも下部磁性膜、
磁気ギャップ、コイル、上部磁性膜、第１の無機絶縁膜
が構成されており、第２の基板を前記第１の基板の無機
絶縁膜の成膜面上にガラス溶着法により接着ガラスを用
いて接合し、所定の加工を行なうことによって形成され
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 前記第１の基板の成膜面と反対側の面に前記第１の無機
絶縁膜の膜厚と略同一の膜厚を有し、且つ、前記第１の
無機絶縁膜と略同一の熱膨張係数を有する第２の無機絶
縁膜を形成するようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07338009A JP3090014B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| KR1019960055891A KR100270947B1 (ko) | 1995-11-30 | 1996-11-21 | 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법(Thin flim magnetic head) |
| US08/755,696 US5822161A (en) | 1995-11-30 | 1996-11-25 | Thin film magnetic head |
| CN96121799A CN1071041C (zh) | 1995-11-30 | 1996-11-30 | 薄膜磁头及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07338009A JP3090014B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09161225A JPH09161225A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3090014B2 true JP3090014B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=18314097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07338009A Expired - Fee Related JP3090014B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5822161A (ja) |
| JP (1) | JP3090014B2 (ja) |
| KR (1) | KR100270947B1 (ja) |
| CN (1) | CN1071041C (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765756B1 (en) | 1999-03-12 | 2004-07-20 | Western Digital (Fremont), Inc. | Ultra-short yoke and ultra-low stack height writer and method of fabrication |
| JP2004039090A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Sony Corp | 磁気ヘッド装置並びにこれを用いた磁気テープドライブ装置及び磁気ディスクドライブ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0358308A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH03165305A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Canon Inc | 磁気ヘッド |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP07338009A patent/JP3090014B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-21 KR KR1019960055891A patent/KR100270947B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-25 US US08/755,696 patent/US5822161A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-30 CN CN96121799A patent/CN1071041C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100270947B1 (ko) | 2000-11-01 |
| CN1071041C (zh) | 2001-09-12 |
| US5822161A (en) | 1998-10-13 |
| JPH09161225A (ja) | 1997-06-20 |
| KR970029359A (ko) | 1997-06-26 |
| CN1161530A (zh) | 1997-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH036564B2 (ja) | ||
| KR0178764B1 (ko) | 자기 헤드 | |
| JP3090014B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2874787B2 (ja) | 合金磁性薄膜積層体の製造方法 | |
| JP3139086B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH03168909A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3114220B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH08180314A (ja) | コア薄膜磁気ヘッド | |
| JP2871439B2 (ja) | 積層型磁気ヘッド | |
| JPS5990218A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0241804B2 (ja) | ||
| JPH06338014A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2000036107A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH05128439A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS5952421A (ja) | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPH04339306A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 | |
| JPH044644B2 (ja) | ||
| JPS58224431A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0827899B2 (ja) | 磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPH06349019A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2001006117A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH04344307A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS6254807A (ja) | 磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH0248965B2 (ja) | Kinzokunanjiseimakujikihetsudo | |
| JPH05290327A (ja) | 磁気ヘッド製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |