JPS5952421A - 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドとその製造方法Info
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- JPS5952421A JPS5952421A JP16096682A JP16096682A JPS5952421A JP S5952421 A JPS5952421 A JP S5952421A JP 16096682 A JP16096682 A JP 16096682A JP 16096682 A JP16096682 A JP 16096682A JP S5952421 A JPS5952421 A JP S5952421A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は２つの非磁性基板間に磁性層を有し該磁性層の
厚み方向に所定のへソドギャソプが形成されてなる薄膜
磁気ヘッドとその製造方法に関する 〔従来技術〕 従来、ビデオテープレコーダなどに用いられる磁気ヘッ
ドとして、薄膜磁気ヘッドが開発されており、トラック
幅を充分に狭くすることができるようにして記録密度の
向上を可能にしている。
厚み方向に所定のへソドギャソプが形成されてなる薄膜
磁気ヘッドとその製造方法に関する 〔従来技術〕 従来、ビデオテープレコーダなどに用いられる磁気ヘッ
ドとして、薄膜磁気ヘッドが開発されており、トラック
幅を充分に狭くすることができるようにして記録密度の
向上を可能にしている。
かかる薄膜磁気ヘッドは、磁性層とこれを保護する非磁
性基板とからなり、該非磁性基板の一方にスパッタリン
グなどにより該磁性層が形成され、該磁性層の表面に該
非磁性基板の他方を接着し、磁性層を非磁性基板により
サントイ・ツチ状に挾んで構成されている０そして、ヘ
ン。
性基板とからなり、該非磁性基板の一方にスパッタリン
グなどにより該磁性層が形成され、該磁性層の表面に該
非磁性基板の他方を接着し、磁性層を非磁性基板により
サントイ・ツチ状に挾んで構成されている０そして、ヘ
ン。
ドギャップは、磁性層の厚み方向に所定ギャツ。
プ幅で形成されており、アジマス角に応じて５ツドギヤ
ツプの傾きを定めることができる。
ツプの傾きを定めることができる。
ところで、このような薄膜磁気ヘッドにおいては、従来
、非磁性基板と磁性層との接着を、適当は樹脂でもって
行々つていた。このようへ接着剤として樹脂を用いるこ
とは、接着強度の点で信頼性に乏しく、寸だ、薄膜磁気
ヘッドのテープとの接触面に樹脂層が露出していること
になるから、薄膜磁気ヘッドのテープに対すへいわゆる
テープタッチに著しく悪影響を及ぼしテープの円滑な走
行を阻害するとともに、テープの走行による樹脂層の摩
耗が生ずることになる０ また、磁性層は応力により大きく磁気特性が変化し、こ
の変化を小さくするためには、接着層を極力薄くする方
が好ましいが、−のことは、接着強度の信頼性をさらに
低下させることになる０ ビデオ、テープレコーダに用いられる磁気ヘッドのヘツ
、ドギャップのトラック幅は、一般に、約２０μｍ以上
である。しかるに、ビデオテープレコーダに用いられる
薄膜磁気ヘッドの場合、゛その磁性層は厚みが約２０μ
ｍ以上であることを必要とするから、かかる厚さの磁性
層をスパッタリング法などで形成しようとすると、膨大
な時間を要することになる。また、薄膜磁気ヘッドの磁
性層は、金属磁性体からなるものであるから低抵抗体で
あり、渦電流が生じて高周波での透磁率損失が顕著にな
シ、金属磁性体のみからなる厚さ約２０μｍの磁性層で
ある場合、この損失は非常に大きなものと々る。そこで
、通常２０μｍ以上の厚さの磁性層は、薄い磁性膜と非
磁性絶縁物の層間膜とで多層構造とする必要がある。
、非磁性基板と磁性層との接着を、適当は樹脂でもって
行々つていた。このようへ接着剤として樹脂を用いるこ
とは、接着強度の点で信頼性に乏しく、寸だ、薄膜磁気
ヘッドのテープとの接触面に樹脂層が露出していること
になるから、薄膜磁気ヘッドのテープに対すへいわゆる
テープタッチに著しく悪影響を及ぼしテープの円滑な走
行を阻害するとともに、テープの走行による樹脂層の摩
耗が生ずることになる０ また、磁性層は応力により大きく磁気特性が変化し、こ
の変化を小さくするためには、接着層を極力薄くする方
が好ましいが、−のことは、接着強度の信頼性をさらに
低下させることになる０ ビデオ、テープレコーダに用いられる磁気ヘッドのヘツ
、ドギャップのトラック幅は、一般に、約２０μｍ以上
である。しかるに、ビデオテープレコーダに用いられる
薄膜磁気ヘッドの場合、゛その磁性層は厚みが約２０μ
ｍ以上であることを必要とするから、かかる厚さの磁性
層をスパッタリング法などで形成しようとすると、膨大
な時間を要することになる。また、薄膜磁気ヘッドの磁
性層は、金属磁性体からなるものであるから低抵抗体で
あり、渦電流が生じて高周波での透磁率損失が顕著にな
シ、金属磁性体のみからなる厚さ約２０μｍの磁性層で
ある場合、この損失は非常に大きなものと々る。そこで
、通常２０μｍ以上の厚さの磁性層は、薄い磁性膜と非
磁性絶縁物の層間膜とで多層構造とする必要がある。
磁性層の形成に際し、たとえば、スパッタリングにおけ
る基板温度、Ａｒガスのガス圧、電極間の距離力どの条
件により、形成される金属磁性膜の応力が変化して磁気
特性が影響を受ける。この応力は膜厚が厚くなる程顕著
となり、特に、膜厚が１０μｍ以上で応力が増加して応
力。
る基板温度、Ａｒガスのガス圧、電極間の距離力どの条
件により、形成される金属磁性膜の応力が変化して磁気
特性が影響を受ける。この応力は膜厚が厚くなる程顕著
となり、特に、膜厚が１０μｍ以上で応力が増加して応
力。
のコントロールが困難になる。また、非磁性基板と磁性
層との熱膨張率が異なると、磁性層の厚さに比例して応
力が増加する。両者の熱膨張率が合致していれば問題は
ないが、通常、これらを合致させることは容易でなく、
多少の応力は許容されていた。
層との熱膨張率が異なると、磁性層の厚さに比例して応
力が増加する。両者の熱膨張率が合致していれば問題は
ないが、通常、これらを合致させることは容易でなく、
多少の応力は許容されていた。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、優れた機
械的強度と一様は磁気特性を有し、製造時間が短縮され
た薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供するにある。
械的強度と一様は磁気特性を有し、製造時間が短縮され
た薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、非磁性基板の夫
々に部分磁性層がスパッタリング法などによって形成さ
れ、該部分磁性層をガラス薄膜により互いに接着するよ
うにした点を特徴とする。
々に部分磁性層がスパッタリング法などによって形成さ
れ、該部分磁性層をガラス薄膜により互いに接着するよ
うにした点を特徴とする。
先述のように、スパッタリングなどにより金属磁性膜を
形成する場合、膜厚が、１０μｍ以よとなると応力が増
加する。しかし、実験の結果では、膜厚が１０μｍ以下
では、常に安定した高磁気特性が再現性よく得られ、磁
気特性にバフツキが生じないということがわかった。こ
のように、金属磁性膜の膜厚を１０μｍ以下に形成する
ことは、また、磁性層を金属磁性膜と非磁性絶縁物の層
間膜とを交互に情層した多層構造とすることに何等支障
とならないし、また、層間膜として、金属磁性膜相互を
接着する非磁性絶縁物の接着剤を用いることができる。
形成する場合、膜厚が、１０μｍ以よとなると応力が増
加する。しかし、実験の結果では、膜厚が１０μｍ以下
では、常に安定した高磁気特性が再現性よく得られ、磁
気特性にバフツキが生じないということがわかった。こ
のように、金属磁性膜の膜厚を１０μｍ以下に形成する
ことは、また、磁性層を金属磁性膜と非磁性絶縁物の層
間膜とを交互に情層した多層構造とすることに何等支障
とならないし、また、層間膜として、金属磁性膜相互を
接着する非磁性絶縁物の接着剤を用いることができる。
本発明は、以上の点を考慮してなされたものである。
以下、本発明の実施例を図面について説明するＯ
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実。
施例を示す正面図であって、１．１′は非磁性基板、２
＋、２ｔ２ｒ、２２は金属磁性膜、３．３′は層間膜、
４はガラス薄膜、５はヘッドギャップである。
＋、２ｔ２ｒ、２２は金属磁性膜、３．３′は層間膜、
４はガラス薄膜、５はヘッドギャップである。
この実施例は、非磁性基板１．１′間に磁性層が形成さ
れ、該磁性層は、金属磁性膜２１ 、２．．２１′、２
Ｊ、層間膜３．３′、ガラス薄膜４が積層されて多層構
造をなしている。金属磁性ｌ１ａ２１、層間膜３、金属
磁性膜２２の部分磁性層は非磁性基板１上に、また、金
属磁性膜２１′、層間膜３′、金属磁性膜２２′の部分
磁性層は非磁性基板１／上に夫々スパッタリング法など
で形成されたものであって、金属磁性膜２２．２２′
は低融点のガラス薄１換４によって接着されている。層
間１漠３．３′はＳ ｉ ０２などの非磁性絶縁層であ
って、磁性層での渦電流の発生を防止する。ガラス薄膜
４は接着剤とともに層間膜としても機能して藝る。
れ、該磁性層は、金属磁性膜２１ 、２．．２１′、２
Ｊ、層間膜３．３′、ガラス薄膜４が積層されて多層構
造をなしている。金属磁性ｌ１ａ２１、層間膜３、金属
磁性膜２２の部分磁性層は非磁性基板１上に、また、金
属磁性膜２１′、層間膜３′、金属磁性膜２２′の部分
磁性層は非磁性基板１／上に夫々スパッタリング法など
で形成されたものであって、金属磁性膜２２．２２′
は低融点のガラス薄１換４によって接着されている。層
間１漠３．３′はＳ ｉ ０２などの非磁性絶縁層であ
って、磁性層での渦電流の発生を防止する。ガラス薄膜
４は接着剤とともに層間膜としても機能して藝る。
金属磁性膜２１，２２．２１′、２Ｊの厚さは１０μｍ
ｉｇ下に設定され。また、接着材がガラス薄膜４である
から、ガラス薄膜４も充分に薄くすることができて金属
磁性膜２＋ 、 ２２．２１’、２２での応力を極力抑
制することができ、磁性層に所定の磁気特性を精度よく
もたせることができＡｏそして、ガラス薄膜４の厚さを
薄くしても金属磁性１１弗２．２２′の接着強度は充分
に大きく、また、テープの走行に格別不都合を生じない
。
ｉｇ下に設定され。また、接着材がガラス薄膜４である
から、ガラス薄膜４も充分に薄くすることができて金属
磁性膜２＋ 、 ２２．２１’、２２での応力を極力抑
制することができ、磁性層に所定の磁気特性を精度よく
もたせることができＡｏそして、ガラス薄膜４の厚さを
薄くしても金属磁性１１弗２．２２′の接着強度は充分
に大きく、また、テープの走行に格別不都合を生じない
。
第２図（Ａ）ないしくＤ）は第１図の薄膜磁気ヘッドの
製造方法の一実施例を示す工程図であって、５′はギャ
ップスペーサであり、第１図に対応する部分には同一符
号をつけている。
製造方法の一実施例を示す工程図であって、５′はギャ
ップスペーサであり、第１図に対応する部分には同一符
号をつけている。
まず、たとえば、Ｍｎ０−Ｎｉ０系などの非磁性基板１
．１′の表面に、たとえば、センダスト薄膜でなる金属
磁性膜２１，２１’を形成する。−具体例としては、Ｄ
Ｃ４極スパッタリング装置を用い、毎時３μｍの速度で
約６μｍの厚さのセンダスト薄膜を形成した。次いで、
金属磁性膜２１．２１′の上に、ＲＦスパッタリング装
置によシ、ＳｉＯ２をスパッタリングして約ｓｏｏ ７
ｊの厚さの層間膜３．３′を形成し、さらに、金属磁性
膜２１゜２１′の場合と同様に、約６μｍの厚さの金属
磁性膜２２．２２′を形成した。そして、金属磁性膜２
２．２２上に、ＲＦスパッタリング装置によシ、低融点
のガラスをスパッタリングして約０．３μｍのガラス薄
膜４を形成して基板ａ、 ｂを得た（第。
．１′の表面に、たとえば、センダスト薄膜でなる金属
磁性膜２１，２１’を形成する。−具体例としては、Ｄ
Ｃ４極スパッタリング装置を用い、毎時３μｍの速度で
約６μｍの厚さのセンダスト薄膜を形成した。次いで、
金属磁性膜２１．２１′の上に、ＲＦスパッタリング装
置によシ、ＳｉＯ２をスパッタリングして約ｓｏｏ ７
ｊの厚さの層間膜３．３′を形成し、さらに、金属磁性
膜２１゜２１′の場合と同様に、約６μｍの厚さの金属
磁性膜２２．２２′を形成した。そして、金属磁性膜２
２．２２上に、ＲＦスパッタリング装置によシ、低融点
のガラスをスパッタリングして約０．３μｍのガラス薄
膜４を形成して基板ａ、 ｂを得た（第。
２図（Ａ））。
ガラス薄膜４は、コーニング社のｐｂ系の低融点ガラス
であるす１４１７ガラスを材料として用い、該ガラスを
ターゲットとして、ＲＦスパッタリング装置により、Ｉ
Ｗ／ｃｍ２のパワーを投入して形成した。
であるす１４１７ガラスを材料として用い、該ガラスを
ターゲットとして、ＲＦスパッタリング装置により、Ｉ
Ｗ／ｃｍ２のパワーを投入して形成した。
次に、基板ａ、 ｂは、ガラス薄Ｈ＠ ４が重なるよう
に突き合わされ（第２図（Ｂ））、非磁性基板１．１′
側から所定の圧力を加えなから６２００Ｃで１０分間保
持し、コアブロックを形成した（第２図（Ｃ））。そし
て、このコアブロックを、非磁性基板１．１′間の磁性
層の厚さ方向に切断し、夫々の切断面を鏡面ラップし、
また、図示しないが、巻線窓を形成した後、夫々の切断
面に非磁性ギャップスペーサ５′を形成しく第２図（Ｄ
））、シかる後、上記切断面を突き合わせて接着ボンデ
ィングし、ヘッドギャップ５を形成して第１図の薄膜磁
気ヘッドを得た。
に突き合わされ（第２図（Ｂ））、非磁性基板１．１′
側から所定の圧力を加えなから６２００Ｃで１０分間保
持し、コアブロックを形成した（第２図（Ｃ））。そし
て、このコアブロックを、非磁性基板１．１′間の磁性
層の厚さ方向に切断し、夫々の切断面を鏡面ラップし、
また、図示しないが、巻線窓を形成した後、夫々の切断
面に非磁性ギャップスペーサ５′を形成しく第２図（Ｄ
））、シかる後、上記切断面を突き合わせて接着ボンデ
ィングし、ヘッドギャップ５を形成して第１図の薄膜磁
気ヘッドを得た。
以上のようにして、トラック幅が約２４μｍのへラドギ
ャップを有する薄膜磁気ヘッドが得られたわけであるが
、第２図（Ａ）の工程において、非磁性基板１１１′上
に同時に、金属磁性膜２１．２２と層間膜３とからなる
約１２μｍの厚さ−の部分磁性層と、金属磁性膜２１′
、２Ｊと層間膜３′とからなる同じく約１２μｍの厚さ
の部分磁性層とが形成され、これらをガラスｙＡη膜４
で互いに接着するものであるから、製造に要する時間と
しては、金属磁性膜２１．２２．２１′、２２′と層間
膜３．３′、４を順次形成してトラック幅が約２４μｍ
のへラドギャップを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に
比べて、約半分となって短縮され、順次膜形成してトラ
ック幅１２μｍのへラドギャップを有する薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の場合とほぼ等しくなる。
ャップを有する薄膜磁気ヘッドが得られたわけであるが
、第２図（Ａ）の工程において、非磁性基板１１１′上
に同時に、金属磁性膜２１．２２と層間膜３とからなる
約１２μｍの厚さ−の部分磁性層と、金属磁性膜２１′
、２Ｊと層間膜３′とからなる同じく約１２μｍの厚さ
の部分磁性層とが形成され、これらをガラスｙＡη膜４
で互いに接着するものであるから、製造に要する時間と
しては、金属磁性膜２１．２２．２１′、２２′と層間
膜３．３′、４を順次形成してトラック幅が約２４μｍ
のへラドギャップを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に
比べて、約半分となって短縮され、順次膜形成してトラ
ック幅１２μｍのへラドギャップを有する薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の場合とほぼ等しくなる。
また、各金属磁性膜は１０μｍ以下の厚さで形成する上
に、接着材としてガラスを薄膜形成するものであるから
、バルクガラス流入法などに比べてガラス薄膜の膜厚を
容易にコントロールすることができ、充分に薄くシて各
金属磁性膜における応力を極力抑制することができて、
得られる薄膜磁気ヘッドの磁性層に磁気特性のバラツキ
がなくなる。
に、接着材としてガラスを薄膜形成するものであるから
、バルクガラス流入法などに比べてガラス薄膜の膜厚を
容易にコントロールすることができ、充分に薄くシて各
金属磁性膜における応力を極力抑制することができて、
得られる薄膜磁気ヘッドの磁性層に磁気特性のバラツキ
がなくなる。
第３図は本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示
す正面図であって、２．２′は金属磁性膜であり、第１
図に対応する部分には同一符号をつけている。
す正面図であって、２．２′は金属磁性膜であり、第１
図に対応する部分には同一符号をつけている。
この実施例では、磁性層は金属磁性膜２．２′とガラス
薄膜４とからなり、金属磁性膜２．２′は夫々非磁性基
板１．１′にスパッタリング法などによって形成され″
（ものであって、ガラス薄膜４は、金属磁性膜２．２′
の接着材である俣ともに、層間膜としても機能している
。金帆砂・性膜２．２′の夫々の膜厚は１０μｍ以下で
あって、しかるに、この実施例はトラック幅が比較的狭
いヘッドギャップの薄膜磁気ヘッドであり、ガラスーク
膜４以外の格別の層間膜を必要としない。
薄膜４とからなり、金属磁性膜２．２′は夫々非磁性基
板１．１′にスパッタリング法などによって形成され″
（ものであって、ガラス薄膜４は、金属磁性膜２．２′
の接着材である俣ともに、層間膜としても機能している
。金帆砂・性膜２．２′の夫々の膜厚は１０μｍ以下で
あって、しかるに、この実施例はトラック幅が比較的狭
いヘッドギャップの薄膜磁気ヘッドであり、ガラスーク
膜４以外の格別の層間膜を必要としない。
第４図（Ａ）、（Ｂ）は第３図の薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を示す工程図であって、第３図に対応す
る部分には同一符号をつけている０ 非磁性基板１．、’１’上に、厚さ６μｍのセンダスト
の金寓磁性膜２．２′を形成し、さらに、ガｊラス薄瞭
４を形成して基板ａ、ｂを和た（第４図（Ａ））。金属
磁性膜２．２′およびガラス薄膜４の形成方法、ガラス
薄膜４の材料、厚さなどは、第２図で示した実施例の場
合と同様である。。
方法の一実施例を示す工程図であって、第３図に対応す
る部分には同一符号をつけている０ 非磁性基板１．、’１’上に、厚さ６μｍのセンダスト
の金寓磁性膜２．２′を形成し、さらに、ガｊラス薄瞭
４を形成して基板ａ、ｂを和た（第４図（Ａ））。金属
磁性膜２．２′およびガラス薄膜４の形成方法、ガラス
薄膜４の材料、厚さなどは、第２図で示した実施例の場
合と同様である。。
基板ａＸｂは、ガラス薄膜４が重なるように突き合わさ
れ、加圧、加熱してコアブロックを得た（第４図（Ｂ）
）。このコアブロックは、第２図（Ｄ）以下で説明した
加工処理を行なってヘッドギャップを形成し、第３図に
示すトラック幅が約１２μｍのヘッドギャップの薄膜磁
気ヘッドを得た。
れ、加圧、加熱してコアブロックを得た（第４図（Ｂ）
）。このコアブロックは、第２図（Ｄ）以下で説明した
加工処理を行なってヘッドギャップを形成し、第３図に
示すトラック幅が約１２μｍのヘッドギャップの薄膜磁
気ヘッドを得た。
かかる薄膜磁気ヘッドは、トラック幅が約６μｍの薄膜
磁気ヘッドを得るにほぼ等しい時間で得ることができ、
製造時間が短縮され、また、第３図の実施例と同様の効
果を得ることができた０ 第５図は本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施
例を示す正面図でありて、、４１，４２．４３はガラス
薄膜であり、第１図に対応する部分には同一符号をつけ
ている。
磁気ヘッドを得るにほぼ等しい時間で得ることができ、
製造時間が短縮され、また、第３図の実施例と同様の効
果を得ることができた０ 第５図は本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施
例を示す正面図でありて、、４１，４２．４３はガラス
薄膜であり、第１図に対応する部分には同一符号をつけ
ている。
この実施例では、磁性層は金属磁性膜２ｓ 、２２１．
２１′、２２′とガラ、ス薄膜４１．４２．４３ とが
積層された多層構造をなし、ガラス薄膜４Ｉ、 ４２．
４３は金属磁性膜２１，２２．２１′、２２′を接着す
るとともに、層間膜としても機能している。
２１′、２２′とガラ、ス薄膜４１．４２．４３ とが
積層された多層構造をなし、ガラス薄膜４Ｉ、 ４２．
４３は金属磁性膜２１，２２．２１′、２２′を接着す
るとともに、層間膜としても機能している。
第６図は第５図の薄膜イ函気ヘッドの製造方法の一実施
例を示す工程図であって、第５１ン１に対応する部分に
は同一符号をつけている。
例を示す工程図であって、第５１ン１に対応する部分に
は同一符号をつけている。
非磁性基板１．１′上に、厚さ６ｔｔｍのセンダストや
磁性膜２１．２１’を形成し、ＲＦスパッタリング装置
によシ、約１ｏｏｏｉの厚さにガラス薄膜４１．．４ｓ
を形成した。次に、厚さ６卸のセンダストの磁性膜２２
．２２を形成し、さらに、上記と同様にして、厚さ約２
５００ Ａのガラス薄膜４２を形成し□て基板ａ、 ｂ
を得た。以下、先に述べたように、基板ａ、 ｂを接着
し、加工処理してトラック幅が約２４μｍのへラドギャ
ップを有子る第５図の薄膜磁気ヘッドを得た。センダス
トの磁性膜の形成方法、ガラス薄膜の材料などは、先に
述べた実施例と同様である。
磁性膜２１．２１’を形成し、ＲＦスパッタリング装置
によシ、約１ｏｏｏｉの厚さにガラス薄膜４１．．４ｓ
を形成した。次に、厚さ６卸のセンダストの磁性膜２２
．２２を形成し、さらに、上記と同様にして、厚さ約２
５００ Ａのガラス薄膜４２を形成し□て基板ａ、 ｂ
を得た。以下、先に述べたように、基板ａ、 ｂを接着
し、加工処理してトラック幅が約２４μｍのへラドギャ
ップを有子る第５図の薄膜磁気ヘッドを得た。センダス
トの磁性膜の形成方法、ガラス薄膜の材料などは、先に
述べた実施例と同様である。
この実施例によれば、ガラス薄膜が層間膜と接着材とを
兼ね、かつ、層間膜は全て同じ材料で力）るから、ＲＦ
スパッタリング装置のターゲットを交換する手間が省け
、また、基板ａ、 ｂ（第６図）を加圧、加熱状態に接
着する場合、全てのガラス薄膜４＋、４２．４３が同じ
溶融状態となって粘度が低下し、イ匙性膜２１．２２．
２１′、２２に加わる応力が緩和される。
兼ね、かつ、層間膜は全て同じ材料で力）るから、ＲＦ
スパッタリング装置のターゲットを交換する手間が省け
、また、基板ａ、 ｂ（第６図）を加圧、加熱状態に接
着する場合、全てのガラス薄膜４＋、４２．４３が同じ
溶融状態となって粘度が低下し、イ匙性膜２１．２２．
２１′、２２に加わる応力が緩和される。
以上、本発明の実施例について説明１−たが、製造方法
の各実施例において、必ずしも基′＆ａ１ｂの夫々の表
面にガラス薄膜を形成する必要はなく、いずれか一方に
のみ形成するようにしてもよく、また、各金属磁性膜の
厚さも６μｍに限定されるのではない。さらに、非磁性
基板１．１′上に直接金属磁性膜が形成されるものとし
て説明したが、非磁性基板１．１′と金属磁性膜との接
着性を向上させるだめに、非磁性基板１．１′上に他の
適当な物質膜を形成し、その上に金属磁性膜を形成する
ようにすることもできる。
の各実施例において、必ずしも基′＆ａ１ｂの夫々の表
面にガラス薄膜を形成する必要はなく、いずれか一方に
のみ形成するようにしてもよく、また、各金属磁性膜の
厚さも６μｍに限定されるのではない。さらに、非磁性
基板１．１′上に直接金属磁性膜が形成されるものとし
て説明したが、非磁性基板１．１′と金属磁性膜との接
着性を向上させるだめに、非磁性基板１．１′上に他の
適当な物質膜を形成し、その上に金属磁性膜を形成する
ようにすることもできる。
以上説明したよう妃、本発明によれば、非磁性基板の夫
々に部分磁性層が形成され、該部分磁性層を互いにガラ
ス薄膜によシ接着したものであるから、機械的強度が向
上し、磁性層への応力も緩和することができてバラツキ
のない磁気特性を有し、さらに製造時間を大幅に短縮す
ることができて生産効率も向上し、上記従来技術の欠点
を除いて優れた機能の薄膜磁気ヘッドとその製造方法を
提供することができる。
々に部分磁性層が形成され、該部分磁性層を互いにガラ
ス薄膜によシ接着したものであるから、機械的強度が向
上し、磁性層への応力も緩和することができてバラツキ
のない磁気特性を有し、さらに製造時間を大幅に短縮す
ることができて生産効率も向上し、上記従来技術の欠点
を除いて優れた機能の薄膜磁気ヘッドとその製造方法を
提供することができる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
正面図、第２図（Ａ）ないしくＤ）は第１図の薄膜磁気
ヘッドの製造方法の一実施例を示す工程図、第３図は本
発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示す正面図、
第４図（Ａ）、（Ｂ）は第３図の薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を示す工程図、第５図は本発明による薄
ｌｌα磁気ヘッドのさらに他の実施例を示す正面図、第
６図は第５図の薄膜磁気ヘッドの製造方法の二実施例を
示す工程図である。 １．１′・・・・・・非磁性基板、 ２．２′、２１．２２．２１′、２２′・・・・・・金
属磁性層、３．３′・・・・・・層間材、 ４．４１，４２．４３ ・・・・・・ガラス薄膜、５・
・・・・・ヘットキャップ、 ５′・・・・・・ギャップスペーサ。 才 １図 第１頁の続き ０発 明 者 小野桁間 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所家電研究所内 １３８−
正面図、第２図（Ａ）ないしくＤ）は第１図の薄膜磁気
ヘッドの製造方法の一実施例を示す工程図、第３図は本
発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示す正面図、
第４図（Ａ）、（Ｂ）は第３図の薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を示す工程図、第５図は本発明による薄
ｌｌα磁気ヘッドのさらに他の実施例を示す正面図、第
６図は第５図の薄膜磁気ヘッドの製造方法の二実施例を
示す工程図である。 １．１′・・・・・・非磁性基板、 ２．２′、２１．２２．２１′、２２′・・・・・・金
属磁性層、３．３′・・・・・・層間材、 ４．４１，４２．４３ ・・・・・・ガラス薄膜、５・
・・・・・ヘットキャップ、 ５′・・・・・・ギャップスペーサ。 才 １図 第１頁の続き ０発 明 者 小野桁間 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所家電研究所内 １３８−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）２つの非磁性基板と磁性層とが積層してなり、該
磁性層の厚み方向にヘッドギャップが形成された薄膜Ｇ
ζ気ヘッドにおいて、該磁性層はガラス薄膜をはさんだ
第１、第２の部分磁性層からなり、該ガラス薄膜により
、該第１、第２の部分磁性層が接着されていることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド０ （２、特許請求の範囲第（１）項において、前記第１、
第２の部分！１％性層は、単層の磁性薄膜であることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド０（３）特許請求の範囲第（
１）項において、前＝己第１、第２の部分磁性層は、磁
性薄膜と層間膜とカニ交互に積層されてなシ、該層間膜
が該磁性薄膜間に介在せることを特徴とする薄膜磁気へ
ッ ド 。 （４）２つの非磁性基板と磁性層とが積層してなり、該
磁性層の厚み方向にヘッドギャップが形成された薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、該非磁性基板の夫々に第
１、第２の部分磁性層を形成し填１、第２の基板を得る
第１の工程と、該第１、第２の部分磁性層の少なくとも
いずれか一方にガラス薄膜を形成する第２の工程と、該
ガラス薄膜を接着層とし前記第１、印、２の基板を接着
する第３の工程と、前記ヘッドギャップを形成する第４
の工程とからなシ、製造に要する時間を短縮することが
できるように構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 （５）特許請求の範囲第（４）項において、前記第１、
第２の部分磁性層は、単層の磁性薄膜であることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方も（６）特許請求の範囲
ＦＪ’； （４）項において、前記第１の工程は、磁性
薄膜と層間膜とを交互に形成し、該層間膜が該磁性；、
ｐ、：膜間に介在せる前記第１、第２の部分磁性層を形
りしすることができるように構成したことを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16096682A JPS5952421A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16096682A JPS5952421A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952421A true JPS5952421A (ja) | 1984-03-27 |
| JPH0447367B2 JPH0447367B2 (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=15726017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16096682A Granted JPS5952421A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226917A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘツド及びその製法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55174730U (ja) * | 1979-05-31 | 1980-12-15 | ||
| JPS56107325A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture for magnetic recording head |
| JPS57141009A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-01 | Hitachi Ltd | Thin film magnetic head and its production |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16096682A patent/JPS5952421A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55174730U (ja) * | 1979-05-31 | 1980-12-15 | ||
| JPS56107325A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture for magnetic recording head |
| JPS57141009A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-01 | Hitachi Ltd | Thin film magnetic head and its production |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226917A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘツド及びその製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447367B2 (ja) | 1992-08-03 |
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