JP3080038B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JP3080038B2
JP3080038B2 JP09181118A JP18111897A JP3080038B2 JP 3080038 B2 JP3080038 B2 JP 3080038B2 JP 09181118 A JP09181118 A JP 09181118A JP 18111897 A JP18111897 A JP 18111897A JP 3080038 B2 JP3080038 B2 JP 3080038B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
output
control
input
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP09181118A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1127119A (ja
Inventor
弘道 山根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP09181118A priority Critical patent/JP3080038B2/ja
Publication of JPH1127119A publication Critical patent/JPH1127119A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3080038B2 publication Critical patent/JP3080038B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路に関
し、特に複数の出力バッファを有する半導体集積回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に、半導体集積回路の出力バッフ
ァ回路は、負荷である外部素子に加えてそれ自身のトラ
ンジスタの寄生容量や出力端子と外部素子への接続容量
などの負荷容量を駆動するため大利得を有し、この負荷
容量の充放電時に瞬間的に数十mAの電流が出力バッフ
ァ回路の素子に流れる。これにより半導体集積回路内の
電源電位が瞬間的に変動することにより電源ノイズが生
じ、それに伴い各素子の入力しきい値も変動するため、
半導体集積回路が誤動作する問題点があった。
【0003】従来、この種の複数の出力バッフア回路の
同時動作時の電源ノイズによる素子の誤動作を防ぐため
種々の提案がなされている。例えば、特開昭63−39
212号公報記載の従来の半導体集積回路は、複数の出
力バッフア回路の少なくとも1つの入力側に遅延回路を
設けることにより、これら複数の同時動作を回避すると
いうものであった。
【0004】従来の半導体集積回路をブロックで示す図
4を参照すると、この従来の半導体集積回路は、半導体
集積回路の内部信号S101,S102を出力する内部
回路100と、内部信号S101の供給に応答して出力
端子T101に出力信号O101を出力する出力バッフ
ア回路101と、内部信号S102を所定時間遅延し遅
延信号D102を出力する遅延回路103と、遅延信号
D102の供給に応答して出力端子T102に出力信号
O102を出力する出力バッフア回路102とをとを備
える。
【0005】出力バッフア回路101は、直列接続され
たインバータI101,I102と、PMOSトランジ
スタQ101,NMOSトランジスタQ102からなる
インバータI103とで構成される。
【0006】出力バッフア回路102は、直列接続され
たインバータI201,I202と、PMOSトランジ
スタQ201,NMOSトランジスタQ202からなる
インバータI203とで構成される。遅延回路103は
直列接続された4個のインバータI301〜I304か
ら成る。
【0007】次に、図4及び各信号波形を波形図で示す
図5を参照して、従来の半導体集積回路の動作について
説明すると、まず内部回路101は同一タイミングで変
化する内部信号S101,S102を出力する。内部信
号S101,S102が同一タイミングでLレベルから
Hレベルに遷移した時、インバータI101,I10
2,I201,I202及び遅延回路6を構成するイン
バータI301〜I304の各遅延時間をΔTとする
と、内部信号S102が、LレベルからHレベルへ遷移
した後、6ΔT後に節点N102の電位はLレベルから
Hレベルへ遷移する。一方節点N201の電位は、内部
信号S1の遷移後、2ΔT後にLレベルからHレベルへ
遷移する。
【0008】すなわち、内部信号S101,S102の
電位が同一タイミングで変化しても、出力端子T10
1,T102の出力信号O101,O102の各電位は
同時に変化せず、出力信号O101の電位変化後4ΔT
後に出力信号O102の電位が変化することになる。こ
れにより、出力バッフア回路101,102の各々の負
荷電流が時間的に分散されので、半導体集積回路内の電
源ノイズを低減でき内部回路素子の誤動作を防止でき
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路は、各出力バッファ回路毎に独立に遅延制御を
行っているため、各々の遅延回路や内部信号のタイミン
グスキューにより遅延が相殺された場合、効果が得られ
ないという欠点があった。
【0010】また、内部信号の変化と無関係に各出力バ
ッファに一律の遅延時間を割り当てるため、上記変化の
組み合わせの全て考慮して設計する必要があり、内部信
号が同時に変化する出力バッファ回路の確定と、それぞ
れに適合する遅延回路の挿入を行う必要があり回路設計
が困難であるという欠点があった。
【0011】本発明の目的は、出力バッファ回路の同時
動作時の電源ノイズによる内部回路素子の誤動作を防止
する半導体集積回路を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、それぞれ入力信号の供給に応答して対応する出力信
号を出力する第1〜第N(2以上の正の整数)の出力バ
ッファ回路を備える半導体集積回路において、前記第1
〜第Nの出力バッファ回路の各々が、前記入力信号と
の入力信号のラッチを制御する制御信号の供給を受けこ
の制御信号の制御に応答して前記入力信号をラッチしこ
のラッチしたラッチ信号を前記出力信号として出力する
入力信号制御回路と、前記入力信号の入力を検出し予め
定めた時間幅の入力検出信号を出力する入力検出回路
と、前記制御信号の供給を受けこの制御信号を所定の遅
延時間分遅延させて遅延制御信号を生成しこの遅延制御
信号と前記入力検出信号との論理演算結果により他の出
力バッフア回路の制御信号として供給する制御出力信号
を出力する制御信号出力回路とを備え、前記第1〜第N
の出力バッファ回路の各々の制御信号として前記第N,
第1〜第N−1の出力バッファ回路の制御出力信号をそ
れぞれ供給するよう接続し、 前記第1〜第Nの出力バッ
ファ回路の各々が、前記出力信号の出力が終了するまで
前記制御出力信号の供給先の出力バッファ回路の出力を
遅延させるよう制御することを特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を特徴
づける出力バッフア回路をブロックで示す図1を参照す
ると、この図に示す本実施の形態の半導体集積回路の出
力バッフア回路は、入力信号Sと制御信号CSの供給を
受けラッチ信号SLを出力する入力信号制御回路1と、
ラッチ信号SLの供給に応答して出力信号Oを出力する
バッフア回路2と、入力信号Sの入力を検出して検出信
号SDを出力する入力信号検出回路3と、制御信号CS
の供給を受け制御出力信号COを出力する制御信号出力
回路4とを備える。
【0014】入力信号制御回路1は、入力信号Sを反転
して反転入力信号SBを出力すると共にΔt1の遅延値
を有するインバータI11と、反転入力信号SBをラッ
チしラッチ信号SLを出力する負論理ゲート入力のラッ
チL11とを備える。
【0015】バッフア回路2は、ラッチ信号SLを反転
して出力信号Oを出力するインバータI21を備える。
【0016】入力信号検出回路3は、直列接続され各々
Δt1,Δt2の遅延値を有し遅延信号D1を出力する
インバータI31,I32と、Δt3の遅延値を有し遅
延信号D1と入力信号Sとの排他的否定論理和をとり遅
延信号SDを出力するEXNORゲートEX31とを備
える。
【0017】制御信号出力回路4は、制御信号CSをラ
ッチしラッチ信号Qを出力する負論理クロックのD型の
フリップフロップF41と、制御信号CSをラッチしラ
ッチ信号LCを出力するラッチL41と、ラッチ信号L
Cを反転し反転ラッチ信号CBを出力するインバータI
41と、遅延信号SDと反転ラッチ信号CBの否定論理
積をとり制御出力信号COを出力するNANDゲートG
41とを備える。
【0018】次に、図1を参照して本実施の形態の出力
バッフア回路の動作について説明すると、本実施の形態
の出力バッフア回路は、入力信号制御回路1が他の出力
バッフア回路の出力する制御信号CSにしたがって入力
信号Sの出力信号Oへの伝達を制御するとともに、入力
信号検出回路3は、入力信号Sの変化を検出し、制御信
号CSとともに新たな制御出力信号COを生成して他の
出力バッフア回路に供給する。
【0019】まず、入力信号制御回路1は、インバータ
I11が入力信号Sを反転して反転入力信号SBを出力
すると共にΔt1の遅延値を与え、ラッチL11に供給
する。ラッチL11は入力制御信号CSがLレベルのと
き反転入力信号SBをラッチしラッチ信号SLをバッフ
ア回路2に供給する。バッフア回路2のインバータI2
1は、ラッチ信号SLを反転し出力信号Oを端子T3を
経由して出力する。入力信号検出回路3は、インバータ
I31,I32が入力信号SにΔt1+Δt2の遅延値
を与えて信号D1を出力し、EXNORゲートEX31
に供給する。EXNORゲートEX31は、信号D1と
入力信号Sとの排他的否定論理和をとり、入力信号Sの
立ち上がり,立ち下がり変化を検出しこの入力信号Sか
らΔt3の遅延値を有し幅がΔt1+Δt2の負論理の
遅延信号SDを出力する。
【0020】制御信号出力回路4は、入力信号検出回路
3の出力する遅延信号SDの立ち下がり遷移で制御信号
CSのレベルをフリップフロップF41にラッチし、ラ
ッチ信号Qを出力する。すなわちフリップフロップF4
1は制御信号CSのレベルがLレベルであればLレベル
のラッチ信号QによりラッチL41をラッチ状態にし、
HレベルであればHレベルのラッチ信号Qによりラッチ
L41をスルー状態として、制御信号CSのラッチ信号
LCをインバータI41に供給する。インバータI41
はラッチ信号LCの供給に応答して反転ラッチ信号CB
をNANDゲートG41に伝達する。NANDゲートG
41は、反転ラッチ信号CBと遅延信号SDとの否定論
理積をとり、制御出力信号COを端子T4を経由して出
力する。
【0021】次に、複数の出力バッフア回路の相互接続
をブロックで示す図2を参照すると、この図に示す本実
施の形態の半導体集積回路は上述の出力バッフア回路1
0,20及び30を有する。以下説明の便宜上出力バッ
フア回路10,20,30の各々の構成要素で1桁のも
のをそれぞれ10番台,20番台,30番台で表す。例
えば、出力バッフア回路10の入力信号制御回路を11
とする。
【0022】出力バッフア回路10の入力端子T11は
入力端子TI10に接続され、入力信号S1がこれら端
子TI10,T11を経由して入力信号制御回路11,
入力信号検出回路13に供給される。また出力端子T1
3は出力端子TO10に接続され出力信号O1を出力す
る。制御入力端子T12は出力バッフア回路30の制御
信号出力端子T34に接続され制御信号CS1として信
号CO3の供給を受ける。制御信号出力端子T14は出
力バッフア回路20の制御入力端子SD2に接続され制
御出力信号CO1を供給する。
【0023】同様に、出力バッフア回路20の入力端子
T21は入力端子TI20に接続され、入力信号S2が
これら端子TI20,T21を経由して入力信号制御回
路21,入力信号検出回路23に供給される。また出力
端子T23は出力端子TO20に接続され出力信号O2
を出力する。制御入力端子SD2は、上述のように、制
御信号CS2として出力バッフア回路10からの信号C
O1の供給を受ける。制御信号出力端子T24は出力バ
ッフア回路30の制御入力端子T32に接続され制御出
力信号CO2を供給する。
【0024】同様に、出力バッフア回路30の入力端子
T31は入力端子TI30に接続され、入力信号S3が
これら端子TI30,T31を経由して入力信号制御回
路31,入力信号検出回路33に供給される。また出力
端子T33は出力端子TO30に接続され出力信号O3
を出力する。制御入力端子SD2は、上述のように、制
御信号CS3として出力バッフア回路20からの信号C
O2の供給を受ける。制御信号出力端子T34は出力バ
ッフア回路10の制御入力端子T12に接続され制御出
力信号CO3を供給する。
【0025】図1,図2及び各部動作波形をタイムチャ
ートで示す図3を参照して本実施の形態の半導体集積回
路の動作について説明すると、まず、出力バッフア回路
10の入力端子TI10に入力された入力信号S1は、
時刻T1で立ち上がり遷移したとする。出力バッフア回
路10は、入力信号S1の供給に応答して入力信号制御
回路11のインバータI11によりΔt1遅れた信号S
B1を生成し、この信号SB1をラッチL11,インバ
ータI21,端子T13を経由して出力信号O1として
出力端子TO10から出力する。
【0026】また、入力信号検出回路13は、入力信号
S1の供給に応答してΔt3遅れた遅延時間幅(Δt1
+Δt2)の信号SD1を生成して出力する。この時、
信号SD1の立ち下がりエッジで制御出力検出回路14
のフリップフロップF41は入力制御信号CS1のLレ
ベルをラッチしてLレベルのラッチ信号Q1を生成す
る。ラッチL41はこのLレベルのラッチ信号Q1の供
給に応答してラッチ状態になってラッチ信号LC1を出
力し、インバータI41はこのラッチ信号LC1を反転
して信号CB1のHレベルを出力したまま、以後の入力
制御信号CS1の信号の伝達を遮断する。信号CB1が
Hレベルであるため、NANDゲートG41は前述の信
号SD1の反転信号を制御出力信号CO1として出力
し、出力バッフア回路20に入力制御信号CS2として
供給する。
【0027】ここで、出力バッフア回路20の入力端子
TI20に時刻T1より少し遅れた入力信号S2の供給
を受けるものとする。
【0028】出力バッフア回路20は、入力信号S2の
供給に応答して前述の出力バッフア回路10と同様に動
作し信号SB2,SD2を生成する。しかし、入力信号
制御回路21のラッチL11は、信号SB2の立ち下が
りエッジ時刻TaのときHレベルの入力制御信号CS2
の供給を受けているため、信号SB2はラッチL11で
遮断される。したがって、信号SB2対応の出力信号O
2は出力端子TO20へ出力されない。次に、時刻Tb
になると、入力制御信号CS2が立ち下がり、ラッチL
11がスルー状態になり、信号SB2対応のラッチ信号
SL2をインバータI21に供給し、インバータI21
はこの信号SL2対応の出力信号O2を出力端子TO2
0に出力する。
【0029】また、信号SD2の立ち下がりエッジで制
御出力検出回路24のフリップフロップF41はHレベ
ルの入力制御信号CS2をラッチしラッチ信号Q2を出
力する。信号Q2の供給に応答してラッチL41はスル
ー状態になり、入力制御信号CS2対応のラッチ信号L
C2をインバータI41に供給する。インバータI41
はこのラッチ信号LC2対応のΔt4遅延した信号CB
2をNANDゲートG41に供給する。NANDゲート
G41は信号SD2,CB2のNAND論理演算結果の
制御出力信号CO2を出力し、出力バッファ回路30の
制御入力信号CS3として供給する。
【0030】出力バッフア回路30は、入力信号S3の
供給に応答して前述の出力バッフア回路20と同様に動
作し信号SB3,SD3を生成する。出力端子TO30
には、制御入力信号CS3が立ち下がる時刻Tcに時刻
T1より少し遅れて供給された入力信号S3対応の出力
信号O3を出力する。
【0031】出力バッフア回路30の制御出力信号CO
3は、出力バッフア回路10の入力制御信号CS1とし
て供給するが、前述のように、このときの入力制御回路
11のラッチL41はラッチ状態であるため、信号CS
1の伝達は遮断され、制御出力信号CO1として出力さ
れない。
【0032】これにより、最初に信号入力端子T1に入
力信号Sが入力された出力バッファ回路を起点とし、順
次相互に接続された制御信号入力端子T2への制御信号
CSの伝達を行い、この制御信号CSのHレベルの各出
力バッファ回路での遅延時間分シフトした時間に出力端
子T3から出力信号Oを出力する。
【0033】制御信号CSのHレベルの遅延時間は、前
段の出力バッファ回路が出力する制御出力信号COに対
して、1つの出力バッファ回路を経由する毎に、インバ
ータI41の単位遅延時間Δt4分づつ増加するため、
各出力バッファ回路の入力信号Sがほぼ同時に変化して
も出力信号OはΔt4幅で分離される。
【0034】以上、本実施の形態では、出力バッファ回
路10を起点とする場合の動作について説明したが時刻
T2に示すように出力バッファ回路20を起点にした場
合も同様に説明することが出来る。
【0035】また、本実施の形態では3個の出力バッフ
ァ回路の接続について説明したが、これに限ることな
く、4個以上の相互接続についても同様に動作する。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路は、複数の出力バッファ回路の各々が、制御信号
の制御に応答して入力信号をラッチし出力信号として出
力する入力信号制御回路と、入力信号の入力を検出し予
め定めた時間幅の入力検出信号を出力する入力検出回路
と、上記制御信号を所定の遅延時間分遅延させた遅延制
御信号と上記入力検出信号との論理演算結果により他の
出力バッフア回路の制御信号として供給する制御信号出
力回路とを備え、上記出力信号の出力が終了するまで上
記制御出力信号により他の出力バッフア回路の出力を遅
延させるよう制御することにより、任意の出力バッファ
回路の入力信号の変化とほぼ同一タイミングで他の出力
バッファ回路の入力信号が変化しても一定の遅延間隔に
て他の出力バッファ回路の出力信号を変化させるため、
出力バッファ回路の同時動作が抑制され、同時動作によ
る誤動作を防止できるという効果がある。
【0037】また、各々の出力バッファ回路の入力信号
の状態をそれぞれで監視し、他の出力バッファ回路の制
御用信号を出力するので、設計者が入力信号のタイミン
グに合わせて、出力バッファ回路の使用箇所を考えるこ
となく、同時動作による誤動作の防止効果を得ることが
出きるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体集積回路の一実施の形態を特徴
付ける出力バッフア回路を示すブロック図である。
【図2】本実施の形態の半導体集積回路における複数の
出力バッフア回路の相互接続の一例を示すブロック図で
ある。
【図3】本実施の形態の半導体集積回路における動作の
一例を示すタイムチャートである。
【図4】従来の半導体集積回路の一例を示すブロック図
である。
【図5】従来の半導体集積回路における動作の一例を示
すタイムチャートである。
【符号の説明】
1 入力信号制御回路 2 バッフア回路 3 入力信号検出回路 4 制御信号出力回路 10,20,30,101,102 出力バッフア回
路 100 内部回路 103 遅延回路 F41 フリップフロップ G41 NANDゲート I11,I21,I31,I32,I41 インバー
タ L11,L41 ラッチ EX31 EXNORゲート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 17/00 - 17/70

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれ入力信号の供給に応答して対応
    する出力信号を出力する第1〜第N(2以上の正の整
    数)の出力バッファ回路を備える半導体集積回路におい
    て、 前記第1〜第Nの出力バッファ回路の各々が、前記入力
    信号とこの入力信号のラッチを制御する制御信号の供給
    を受けこの制御信号の制御に応答して前記入力信号をラ
    ッチしこのラッチしたラッチ信号を前記出力信号として
    出力する入力信号制御回路と、 前記入力信号の入力を検出し予め定めた時間幅の入力検
    出信号を出力する入力検出回路と、 前記制御信号の供給を受けこの制御信号を所定の遅延時
    間分遅延させて遅延制御信号を生成しこの遅延制御信号
    と前記入力検出信号との論理演算結果により他の出力バ
    ッフア回路の制御信号として供給する制御出力信号を出
    力する制御信号出力回路とを備え、前記第1〜第Nの出力バッファ回路の各々の制御信号と
    して前記第N,第1〜第N−1の出力バッファ回路の制
    御出力信号をそれぞれ供給するよう接続し、 前記第1〜第Nの出力バッファ回路の各々が、 前記出力
    信号の出力が終了するまで前記制御出力信号の供給先の
    出力バッファ回路の出力を遅延させるよう制御すること
    を特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記入力信号制御回路が、前記入力信号
    を反転して反転入力信号を出力する第1のインバータ
    と、前記反転入力信号をラッチし前記ラッチ信号を出力
    する負論理ゲート入力の第1のラッチとを備え、 前記入力検出回路が、直列接続され全体で第1の遅延値
    を有し第1の遅延信号を出力する第2,第3のインバー
    タと、第2の遅延値を有し前記第1の遅延信号と前記入
    力信号との排他的否定論理和をとり第2の遅延信号を出
    力するEXNORゲートとを備え、 前記制御信号出力回路が、前記制御信号をラッチし第1
    のラッチ制御信号を出力する負論理クロックのフリップ
    フロップと、前記第1のラッチ制御信号の供給に応答し
    て前記制御信号をラッチし第2のラッチ制御信号を出力
    する第2のラッチと、前記第2のラッチ制御信号を反転
    し第3の遅延値の反転ラッチ信号を出力する第4のイン
    バータと、前記第2の遅延信号と前記反転ラッチ信号と
    の否定論理積をとり前記制御出力信号を出力するNAN
    Dゲートとを備えることを特徴とする請求項1記載の半
    導体集積回路。
JP09181118A 1997-07-07 1997-07-07 半導体集積回路 Expired - Fee Related JP3080038B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09181118A JP3080038B2 (ja) 1997-07-07 1997-07-07 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09181118A JP3080038B2 (ja) 1997-07-07 1997-07-07 半導体集積回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1127119A JPH1127119A (ja) 1999-01-29
JP3080038B2 true JP3080038B2 (ja) 2000-08-21

Family

ID=16095174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09181118A Expired - Fee Related JP3080038B2 (ja) 1997-07-07 1997-07-07 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3080038B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100411023B1 (ko) * 2001-06-27 2003-12-12 주식회사 하이닉스반도체 출력 회로
JP4464189B2 (ja) 2004-04-28 2010-05-19 Necエレクトロニクス株式会社 ノイズキャンセル回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1127119A (ja) 1999-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6594770B1 (en) Semiconductor integrated circuit device
US5999030A (en) Flip-flop circuit
US5619170A (en) PLL timing generator with voltage controlled oscillator
KR100512935B1 (ko) 내부 클럭신호 발생회로 및 방법
EP0606912B1 (en) CMOS polyphase clock generation circuits
JP3980431B2 (ja) バッファ回路とバッファツリー及び半導体装置
US7598784B2 (en) System and method for controlling signal transitions
KR100612417B1 (ko) 펄스-기반 고속 저전력 게이티드 플롭플롭 회로
US6617902B2 (en) Semiconductor memory and holding device
US6759886B2 (en) Clock generating circuit generating a plurality of clock signals
JP2008278482A (ja) マルチスピードリングオシレータ
US5642061A (en) Short circuit current free dynamic logic clock timing
JP2002158567A (ja) クロック信号からのパルス信号の生成
JPH10190416A (ja) フリップフロップ回路
US6608514B1 (en) Clock signal generator circuit and semiconductor integrated circuit with the same circuit
JP2611034B2 (ja) 遅延回路
TW437169B (en) Reset circuit for flip-flop
US6208188B1 (en) Synchronizing circuit for receiving an asynchronous input signal
JP2805466B2 (ja) メモリのアドレス遷移検出回路
JP3080038B2 (ja) 半導体集積回路
US5850154A (en) Data transmission method and data transmission circuit
JPH10242820A (ja) 集積回路用の非重複クロック信号発生回路および方法
US6252449B1 (en) Clock distribution circuit in an integrated circuit
KR0131164B1 (ko) 주/종속 플립-플롭
KR0172428B1 (ko) 3볼트 및 5볼트 겸용 딜레이셀

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000523

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees