JP3076342B1 - Film carrier tape for mounting electronic components and method of manufacturing the same - Google Patents
Film carrier tape for mounting electronic components and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
【要約】
【解決手段】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、該銅箔をエッ
チングして所望の配線パターンが形成された電子部品実
装用フィルムキャリアテープであり、該配線パターンの
ほぼ全体にスズメッキすることにより銅拡散スズメッキ
層(a)が形成されており、該配線パターンの端子部分を
除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体からなる保
護層が形成されていると共に、該端子部分には、銅拡散
スズメッキ層(a)と、該銅拡散スズメッキ層(a)表面から
純スズメッキ層(b)の表面向かって銅拡散濃度が次第に
低下する銅・スズ含有領域を有し、この領域が実質的に
純スズメッキ層(b)と連続して形成されていることを特
徴とする。
【効果】本発明によれば、ソルダーレジスト下の配線パ
ターンにえぐれ部が形成されにくく、またホイスカーの
発生もない。A film carrier tape for mounting electronic components according to the present invention is a film carrier for mounting electronic components on which a desired wiring pattern is formed by attaching a copper foil to an insulating film and etching the copper foil. A tape, a copper diffusion tin plating layer (a) is formed by tin-plating almost the entire wiring pattern, and a protective layer made of a cured body of a solder resist is provided at a predetermined position except for a terminal portion of the wiring pattern. While being formed, the terminal portion has a copper-diffused tin plating layer (a), and copper / copper whose copper diffusion concentration gradually decreases from the surface of the copper-diffused tin plating layer (a) toward the surface of the pure tin plating layer (b). It has a tin-containing region, and this region is formed substantially continuously with the pure tin plating layer (b). According to the present invention, a curled portion is hardly formed in a wiring pattern under a solder resist, and no whisker is generated.
Description
【０００１】[0001]
【発明の技術分野】本発明はＩＣあるいはＬＳＩなどの
電子部品を実装するフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(T
ape Automated Bonding)テープ、Ｔ-ＢＧＡ(Tape Ball
Grid Array)テープ、ＡＳＩＣ（Application Specific
Integrated Circuit）テープなど）およびこのテープを
製造する方法に関する。さらに詳しくは本発明は、スズ
メッキを行う際に、メッキ液によって銅箔が浸食される
ことがないフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(Tape Auto
mated Bonding)テープ、Ｔ-ＢＧＡ(Tape Ball Grid Arr
ay)テープ、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrat
ed Circuit）テープなど）およびこのテープを製造する
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film carrier tape (TAB (TB) for mounting electronic parts such as ICs or LSIs.
ape Automated Bonding) tape, T-BGA (Tape Ball
Grid Array (Tape), ASIC (Application Specific)
Integrated Circuit) tapes) and a method of manufacturing this tape. More specifically, the present invention provides a film carrier tape (TAB (Tape Auto
mated Bonding) tape, T-BGA (Tape Ball Grid Arr)
ay) Tape, ASIC (Application Specific Integrat)
ed Circuit) tapes, etc.) and a method of manufacturing this tape.
【０００２】[0002]
【発明の技術的背景】近年ノートパソコンなどの電子機
器がますます小型化、軽量化している。また、半導体Ｉ
Ｃの配線もさらに微細化している。このような電子機器
の小型化に伴いＴＡＢテープ、Ｔ-ＢＧＡテープおよび
ＡＳＩＣテープなどの電子部品実装用フィルムキャリア
テープが使用されている。この電子部品実装用フィルム
キャリアテープは次のようにして製造されている。例え
ば、ポリイミドフィルムなどの基材フィルムに銅箔を貼
着し、この銅箔表面にフォトレジストを塗布して、この
フォトレジストを形成しようとする配線パターン以外の
部分を露光し、露光されたフォトレジストを除去する。
次いで、フォトレジストが除去された部分の銅箔をエッ
チングにより除去し、さらにフォトレジストを除去する
ことにより配線パターンが形成される。こうして配線パ
ターンが形成された電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープに、インナーリードやハンダボール端子などの接続
部分を除いて回路の保護層となるソルダーレジストを塗
布する。このようにしてソルダーレジストを塗布した
後、露出する部分である接続端子部分にスズメッキ層を
形成する。BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, electronic devices such as notebook personal computers have become smaller and lighter. Semiconductor I
The wiring of C is further miniaturized. With such miniaturization of electronic devices, film carrier tapes for mounting electronic components such as TAB tapes, T-BGA tapes, and ASIC tapes have been used. This film carrier tape for mounting electronic components is manufactured as follows. For example, a copper foil is adhered to a base film such as a polyimide film, a photoresist is applied to the surface of the copper foil, and a portion other than a wiring pattern in which the photoresist is to be formed is exposed, and the exposed photo is exposed. The resist is removed.
Next, the copper foil at the portion where the photoresist has been removed is removed by etching, and the photoresist is removed to form a wiring pattern. On the film carrier tape for mounting electronic components on which the wiring pattern is formed, a solder resist to be a protective layer of a circuit is applied except for connecting parts such as inner leads and solder ball terminals. After the solder resist is applied in this manner, a tin plating layer is formed on the exposed connection terminal portions.
【０００３】しかしながら、このようにしてソルダーレ
ジストを塗布し、乾燥硬化させた後スズメッキを行うと
ソルダーレジストの端部から配線パターンに沿ってソル
ダーレジストの下面にメッキ液が浸入し、局部電池を形
成してこの部分の銅が溶出する。すなわち、図２に示す
ように、基材１０上に接着剤層１２を介して銅箔３０を
貼着して常法に従って配線パターン３０を形成した後、
ソルダーレジスト２０を塗布し、乾燥硬化させ、これに
スズメッキ層３１を形成する際にメッキ液がソルダーレ
ジスト２０の端部２１からソルダーレジスト２０の下面
に浸入しこの部分で局部電池が形成され、この部分の銅
箔が溝状にえぐれた孔蝕が形成されてしまう。図２には
このえぐれた部分（えぐれ部）は、３５で示されてい
る。こうしてえぐれ部３５が形成された電子部品実装用
フィルムキャリアテープに曲げ応力がかかると、えぐれ
部３５に応力が集中して、最悪の場合、リード破断に至
る。However, when the solder resist is applied in this manner, dried and cured, and then tin-plated, a plating solution penetrates into the lower surface of the solder resist from the end of the solder resist along the wiring pattern to form a local battery. Then, the copper in this portion elutes. That is, as shown in FIG. 2, after the copper foil 30 is adhered on the base material 10 via the adhesive layer 12 to form the wiring pattern 30 according to a conventional method,
The solder resist 20 is applied, dried and cured, and when a tin plating layer 31 is formed thereon, a plating solution penetrates from the end 21 of the solder resist 20 to the lower surface of the solder resist 20 to form a local battery in this portion. The pitting is formed in the copper foil in a part of the copper foil. In FIG. 2, the cut portion (cut portion) is indicated by 35. When bending stress is applied to the film carrier tape for mounting electronic components on which the cutout portion 35 is thus formed, the stress is concentrated on the cutout portion 35, and in the worst case, lead breakage occurs.
【０００４】このようなソルダーレジスト３０の端部か
らの液の浸入を防止することに関して、特開平６-３４
２９６９号公報には、「樹脂を基材とするフィルム上に
導電パターンを形成したフレキシブル回路基板におい
て、回路保護の目的で塗布されるソルダーレジストをパ
ターンにメッキした後に塗布した事を特徴とするフレキ
シブル回路基板、および、その製造方法。」が開示され
ている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-34 discloses a technique for preventing the infiltration of a liquid from the end of the solder resist 30.
Japanese Patent No. 2969 discloses a flexible circuit board in which a conductive pattern is formed on a resin-based film, and a solder resist applied for the purpose of protecting the circuit is applied after plating the pattern. Circuit board and manufacturing method thereof ".
【０００５】上記公報に記載の発明によれば、ソルダー
レジストをメッキ後に塗布し、加熱硬化させているの
で、メッキ液がソルダーレジストの下面に浸入するとい
ったことは生じ得ず、また、ソルダーレジストの硬化の
際の加熱によって、スズメッキ層も加熱処理されること
から、ウィスカーの発生を防止するための加熱工程を改
めて行う必要がなくなると記載されている。According to the invention described in the above-mentioned publication, since the solder resist is applied after plating and is cured by heating, it is not possible for the plating solution to penetrate into the lower surface of the solder resist. It is described that since the tin plating layer is also heat-treated by heating at the time of curing, there is no need to perform a heating step for preventing the generation of whiskers.
【０００６】ところが、実際の工程上では、メッキ工程
とソルダーレジストの加熱硬化工程とを連続して実施す
ることは困難であり、メッキ工程を経て得られたテープ
には、相当の時間を経た後、ソルダーレジストを塗布さ
れ、さらにソルダーレジストが加熱硬化される。ウィス
カーの成長を抑制するためには、メッキした直後にこの
メッキ層を加熱処理することが必要であり、時間の経過
と共にウィスカーが成長する。また、ソルダーレジスト
の加熱硬化の際の温度条件とウィスカーの成長を抑制す
る温度条件とは必ずしも一致するものではなく、いずれ
か一方の条件に合わせて加熱を行うと、他方の作用効果
が充分に得られないという問題がある。さらに、このよ
うな加熱処理によるウィスカーの成長の制御は、短期間
であれば有用性が高いが、長期間（例えば２〜３ヶ月）
にわたる場合には、そのウィスカー防止効果が減失す
る。However, in the actual process, it is difficult to carry out the plating process and the heat curing process of the solder resist in succession, and the tape obtained through the plating process requires a considerable time. Then, a solder resist is applied, and the solder resist is cured by heating. In order to suppress the growth of whiskers, it is necessary to heat-treat this plating layer immediately after plating, and the whiskers grow over time. Further, the temperature conditions during the heat curing of the solder resist and the temperature conditions for suppressing the growth of the whiskers are not necessarily the same, and when heating is performed in accordance with any one of the conditions, the effect of the other is sufficiently effected. There is a problem that it cannot be obtained. Further, the control of whisker growth by such a heat treatment is highly useful if it is for a short period of time, but is long-term (for example, 2 to 3 months).
If it does, the whisker prevention effect is diminished.
【０００７】ところで、ウィスカーの成長を抑制する方
法として、上記のように、スズメッキを行った後、スズ
メッキ層を加熱（アニール処理）してスズメッキ層中に
銅を拡散する方法は既に知られている。この方法によれ
ば、短期間であればウィスカーの発生をある程度防止す
ることができるが、この方法では、長期間（例えば２〜
３ヶ月）にわたって完全にウィスカーの成長を防止する
ことはできないという問題がある。As described above, as a method of suppressing the growth of whiskers, a method of diffusing copper into a tin plating layer by performing tin plating and then heating (annealing) the tin plating layer as described above is already known. . According to this method, the generation of whiskers can be prevented to some extent in a short period of time.
There is a problem that whisker growth cannot be completely prevented over 3 months).
【０００８】また、こうしたウィスカーの成長を制御す
る方法として、特開平５-３３１８７号公報には、「銅
又は銅合金の微細パターン上にスズメッキを施すに際
し、まず厚さ０.１５μｍ以上のスズメッキを施し、次
いで加熱処理して該純スズ層をすべて銅素地とのＣｕ−
Ｓｎ拡散層とし、その上にスズメッキを施し、純スズメ
ッキ厚を０.１５〜０.８μｍとすることを特徴とするス
ズメッキホイスカーの抑制方法。」が開示されている。
すなわち、この公報に記載の発明は、スズメッキ層を形
成し、このスズメッキ層を加熱処理してこのスズメッキ
層に銅を拡散させた後、再度メッキ（フラッシュメッ
キ）して、銅が拡散されたスズメッキ層表面に純スズメ
ッキ層を形成してウィスカーの形成を防止するものであ
る。As a method for controlling the growth of whiskers, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-33187 discloses "When tin plating is performed on a fine pattern of copper or copper alloy, first, tin plating having a thickness of 0.15 μm or more is applied. And then heat-treat the pure tin layer with Cu-base
A method for suppressing tin plating whiskers, which comprises forming an Sn diffusion layer, applying tin plating on the Sn diffusion layer, and setting a pure tin plating thickness to 0.15 to 0.8 μm. Is disclosed.
That is, the invention described in this publication is to form a tin plating layer, heat-treat the tin plating layer to diffuse copper into the tin plating layer, and then perform plating (flash plating) again to form a tin plating layer in which copper is diffused. A pure tin plating layer is formed on the surface of the layer to prevent the formation of whiskers.
【０００９】しかしながら、この公報では、配線パター
ン上にソルダーレジストを塗布して硬化させた後にスズ
メッキを行い、さらに加熱処理してこのスズメッキ層に
銅を拡散させた後、この銅が拡散されたスズメッキ層の
表面に再度スズメッキ層を形成している。従って、この
公報に記載の発明では、ウィスカーの形成は制御される
が、ソルダーレジストを塗布して硬化させた後メッキし
ていることから、従来のメッキと同様にソルダーレジス
トの下面にメッキ液が浸入してえぐれ部３５が形成され
るという問題は依然として存在する。However, in this publication, after applying and curing a solder resist on a wiring pattern, tin plating is performed, and further, heat treatment is performed to diffuse copper into the tin plating layer. A tin plating layer is formed again on the surface of the layer. Therefore, in the invention described in this publication, the formation of whiskers is controlled, but since plating is performed after applying and curing the solder resist, the plating solution is applied to the lower surface of the solder resist in the same manner as the conventional plating. There still exists a problem that the undercut 35 is formed by intrusion.
【００１０】[0010]
【発明の目的】本発明は、無電解メッキによっても配線
パターンにえぐれ部が形成されることがなく、しかも長
期間にわたってウィスカーの成長を抑制することができ
る電子部品実装用フィルムキャリアテープおよびこれを
製造する方法を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a film carrier tape for mounting electronic parts, which can prevent a whisker from growing over a long period of time without forming a digging portion in a wiring pattern even by electroless plating. It is intended to provide a method of manufacturing.
【００１１】[0011]
【発明の概要】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープは、絶縁フィルムに銅箔を積層し、該銅箔をエ
ッチングして所望の配線パターンが形成された電子部品
実装用フィルムキャリアテープであり、該配線パターン
のほぼ全体にスズメッキすることにより銅が拡散したス
ズメッキ層(a)（銅拡散スズメッキ層(a)）が形成されて
おり、該配線パターンの端子部分を除く所定の位置にソ
ルダーレジストの硬化体からなる保護層が形成されてお
り、該端子部分には、銅が拡散したスズメッキ層(a)
と、実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)（純スズ
メッキ層(b)）とが形成されており、該銅拡散スズメッ
キ層(a)表面から純スズメッキ層(b)の表面に向かって銅
拡散濃度が次第に低下する銅・スズ含有領域が純スズメ
ッキ層(b)と連続して形成されていることを特徴として
いる。SUMMARY OF THE INVENTION A film carrier tape for mounting electronic components according to the present invention is a film carrier tape for mounting electronic components on which an insulating film is laminated with copper foil, and the copper foil is etched to form a desired wiring pattern. A tin-plated layer (a) (copper-diffused tin-plated layer (a)) in which copper is diffused by tin-plating substantially the entire wiring pattern, and a solder resist is provided at a predetermined position except for a terminal portion of the wiring pattern. A protective layer made of a cured body of the above is formed, and the terminal portion has a tin plating layer (a) in which copper is diffused.
And a tin-plated layer (b) (pure tin-plated layer (b)) substantially containing no copper, and are formed from the surface of the copper-diffused tin-plated layer (a) toward the surface of the pure tin-plated layer (b). The copper-tin-containing region in which the copper diffusion concentration gradually decreases is characterized by being formed continuously with the pure tin plating layer (b).
【００１２】上記本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープは、絶縁フィルムに銅箔を積層し、該銅箔を
エッチングして所望の配線パターンを形成し、該形成さ
れたパターンのほぼ全体にスズメッキをし、該配線パタ
ーンの端子部分を除く所定の部分にソルダーレジストを
塗布して硬化させ、該ソルダーレジストが硬化した後、
配線パターンの端子部分に再びスズメッキを行う工程を
有する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方
法であって、該端子部分に、銅拡散スズメッキ層(a)
と、純スズメッキ層とを形成する共に、該銅拡散スズメ
ッキ層(a)表面から純スズメッキ層(b)の表面に向かって
銅拡散濃度が次第に低下する銅・スズ含有領域を純スズ
メッキ層(b)と連続するように形成することにより製造
することができる。The above film carrier tape for mounting electronic parts according to the present invention is characterized in that a copper foil is laminated on an insulating film, the copper foil is etched to form a desired wiring pattern, and tin plating is applied to almost the entire formed pattern. Then, a solder resist is applied to a predetermined portion of the wiring pattern except for a terminal portion and cured, and after the solder resist is cured,
A method for producing a film carrier tape for mounting electronic components, comprising a step of again tin-plating a terminal portion of a wiring pattern, wherein the terminal portion has a copper-diffused tin plating layer (a).
And a pure tin plating layer, and a copper / tin-containing region where the copper diffusion concentration gradually decreases from the surface of the copper diffusion tin plating layer (a) toward the surface of the pure tin plating layer (b). ) And can be manufactured by being formed continuously.
【００１３】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、ソルダーレジストが塗布される銅箔からなる
配線パターンの表面にスズメッキ層(a)が形成されてお
り、このスズメッキ層(a)は、加熱により、配線パター
ンからの銅が拡散し、銅拡散スズメッキ層となる。この
ようにして銅拡散スズメッキ層(a)を形成した後、この
銅拡散スズメッキ層(a)の表面に電極の接合部を除いて
所望の位置にソルダーレジストを塗布し、このソルダー
レジストを乾燥硬化させる。こうしてソルダーレジスト
を硬化させた後、再びスズメッキにより、銅拡散スズメ
ッキ層(a)の表面に純スズメッキ層(b)を形成すると共
に、この純スズメッキ層(b)に、銅拡散スズメッキ層(a)
あるいは配線パターンから銅を移行させて、銅・スズ含
有領域を、純スズメッキ層と連続するように形成する。In the film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention, a tin plating layer (a) is formed on the surface of a wiring pattern made of copper foil to which a solder resist is applied, and the tin plating layer (a) is heated. As a result, copper from the wiring pattern diffuses to form a copper diffusion tin plating layer. After forming the copper-diffused tin plating layer (a) in this way, a solder resist is applied to a desired position on the surface of the copper-diffused tin plating layer (a) except for the joints of the electrodes, and the solder resist is dried and cured. Let it. After curing the solder resist in this manner, tin plating is again performed to form a pure tin plating layer (b) on the surface of the copper diffusion tin plating layer (a), and the pure tin plating layer (b) has a copper diffusion tin plating layer (a).
Alternatively, copper is transferred from the wiring pattern to form a copper / tin-containing region so as to be continuous with the pure tin plating layer.
【００１４】このようにして形成されるキャリアテープ
は、１回目のスズメッキをする際には、ソルダーレジス
トは存在していないので、局部電池の形成によって銅に
えぐれ部が形成されることがなく、また、２回目のスズ
メッキの際には、ソルダーレジストの下面にメッキ液が
浸入したとしても、銅の表面は銅拡散スズメッキ層が形
成され、銅箔がメッキ液と接触することはないので、銅
を電極とする局部電池が形成されることはなく、従っ
て、図２に示すようなえぐれ部３５が形成されることが
ない。In the carrier tape formed in this manner, when the first tin plating is performed, no solder resist is present, so that the curled portion is not formed in the copper due to the formation of the local battery. Also, at the time of the second tin plating, even if the plating solution enters the lower surface of the solder resist, a copper diffusion tin plating layer is formed on the copper surface, and the copper foil does not come into contact with the plating solution. Thus, a local battery having no electrode as the electrode is not formed, and therefore, the scooping portion 35 as shown in FIG. 2 is not formed.
【００１５】さらに、１回目のスズメッキを行った後、
ソルダーレジストの硬化物からなる保護層を形成し、次
いで、２回目のスズメッキを行うことにより、ウィスカ
ーの成長を抑えウィスカーによる短絡を防止できる。図
２に示すようなえぐれ部３５が形成されるメカニズムに
ついてその全容が解明されているわけではないが、本発
明者は以下に記載するような局部電池の形成によってこ
のえぐれ部３５が形成されると考えている。図３は、局
部電池の形成によりえぐれ部３５が生ずるメカニズムを
模式的に示す図である。After the first tin plating,
By forming a protective layer made of a cured product of the solder resist and then performing the second tin plating, the growth of the whiskers can be suppressed, and the short circuit due to the whiskers can be prevented. Although the entire mechanism of the formation of the scoop 35 as shown in FIG. 2 has not been elucidated, the present inventor has formed the scoop 35 by forming a local battery as described below. I believe. FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a mechanism in which the scooping portion 35 is generated by forming a local battery.
【００１６】まず、メッキ液がソルダーレジスト端部か
らソルダーレジストの下面に浸入し始めると、ソルダー
レジストに残留する収縮力（内部応力）によって、レジ
ストが浮き上がり、メッキ液の液だまりが形成される。
このメッキ液には、スズが、ホウフッ化スズなどの形態
で含有されており、このスズと銅金属との間で電気化学
的な置換反応が進行し始め、置換した銅イオンが液だま
りに滞留する。First, when the plating solution starts to enter the lower surface of the solder resist from the edge of the solder resist, the resist rises due to contraction force (internal stress) remaining in the solder resist, and a pool of plating solution is formed.
This plating solution contains tin in the form of tin borofluoride, etc., and an electrochemical substitution reaction between the tin and the copper metal starts to proceed, and the substituted copper ions stay in the liquid pool. I do.
【００１７】この滞留した陽性の銅イオンを電気的に中
和するためにメッキ層中の陰イオン（例えばホウフッ化
イオン）が移動する。ソルダーレジスト端部では陰イオ
ンの移動により陽性のスズイオンが残り、銅イオンが溶
出部から電子を受け取って金属スズが析出する。銅イオ
ンの溶出、陰イオンの移動、電子の移動、スズの析出が
連鎖的に起こることにより、銅溶出部を陽極とし、スズ
析出部を陰極とする局部電池が形成される。In order to electrically neutralize the accumulated positive copper ions, anions (for example, borofluoride ions) in the plating layer move. At the end of the solder resist, positive tin ions remain due to the movement of anions, and copper ions receive electrons from the elution portion and metal tin is deposited. A local battery having a copper-eluted portion as an anode and a tin-deposited portion as a cathode is formed by a chain of copper ion elution, anion migration, electron migration, and tin deposition.
【００１８】上記のようなメカニズムによりソルダーレ
ジストの下面の銅箔からなる配線パターンが部分的に溶
出してえぐれ部を形成するものと考えられる。本発明の
電子部品実装用フィルムキャリアテープには、銅拡散ス
ズメッキ層(a)と、純スズメッキ層(b)との間に、該銅拡
散スズメッキ層(a)表面から純スズメッキ層(b)の表面向
かって銅拡散濃度が次第に低下する銅・スズ含有領域が
形成されている。It is considered that the wiring pattern made of copper foil on the lower surface of the solder resist is partially eluted to form a scoured portion by the mechanism described above. In the electronic component mounting film carrier tape of the present invention, between the copper diffusion tin plating layer (a) and the pure tin plating layer (b), the pure tin plating layer (b) is formed from the surface of the copper diffusion tin plating layer (a). A copper / tin-containing region where the copper diffusion concentration gradually decreases toward the surface is formed.
【００１９】このように銅拡散スズメッキ層(a)とから
純スズメッキ層(b)に向かって、銅濃度が連続的に低下
する銅・スズ含有領域を純スズメッキ層と連続して形成
することにより、上記のようなえぐれ部がより形成され
にくくなると共に、ホイスカーの形成を恒久的にほぼ完
全に防止することができる。As described above, by forming a copper / tin-containing region where the copper concentration is continuously reduced from the copper diffusion tin plating layer (a) to the pure tin plating layer (b), the copper / tin containing layer is formed continuously with the pure tin plating layer. In addition, it is possible to prevent the formation of the undercut as described above, and to completely prevent the formation of the whiskers permanently.
【００２０】[0020]
【発明の具体的説明】次に、本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープについて図面を参照しながらその
製造方法に沿って具体的に説明する。なお、以下に示す
図面において共通の部材には共通の付番を付してある。
図１は、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテー
プの断面を模式的に示す断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Next, the film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention will be described in detail with reference to the drawings along the method of manufacturing the same. In the drawings shown below, common members are assigned common numbers.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention.
【００２１】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープ１では、絶縁フィルム１０と、この表面に、例え
ば接着剤層１２により貼着された電解銅箔からなる配線
パターン３０がこの順序で積層されてなる。そして、こ
の配線パターン３０は、その表面を保護するようにソル
ダーレジスト２０からなる層（硬化物）が塗設されてい
る。In the film carrier tape 1 for mounting electronic parts of the present invention, an insulating film 10 and a wiring pattern 30 made of electrolytic copper foil adhered to the surface thereof by, for example, an adhesive layer 12 are laminated in this order. Become. The wiring pattern 30 is provided with a layer (hardened material) made of the solder resist 20 so as to protect the surface.
【００２２】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープを構成する絶縁フィルム１０は、可撓性樹脂フィ
ルムからなる。また、この絶縁フィルム１０は、エッチ
ングする際に酸などと接触することからこうした薬品に
侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の加
熱によっても変質しないような耐熱性を有している。こ
のような可撓性樹脂フィルムを形成する樹脂の例として
は、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステル、ポリ
アミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特
に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いること
が好ましい。The insulating film 10 constituting the electronic component mounting film carrier tape of the present invention is made of a flexible resin film. In addition, the insulating film 10 has chemical resistance that is not affected by such a chemical because it comes into contact with an acid or the like at the time of etching, and has heat resistance that does not deteriorate even by heating during bonding. Examples of the resin that forms such a flexible resin film include glass epoxy, BT resin, polyester, polyamide, and polyimide. Particularly, in the present invention, it is preferable to use a film made of polyimide.
【００２３】絶縁フィルム１０を構成するポリイミドフ
ィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族
ジアミンとから合成される全芳香族ポリアミド、ビフェ
ニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから
合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリアミド
を挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格
を有する全芳香族ポリアミド（例；商品名：ユーピレッ
クス、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。この
ような絶縁フィルム１０の厚さは、通常は２５〜１２５
μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にある。Examples of the polyimide film constituting the insulating film 10 include a wholly aromatic polyamide synthesized from pyromellitic dianhydride and an aromatic diamine, and a synthetic film formed from biphenyltetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine. And a wholly aromatic polyamide having a biphenyl skeleton. Particularly, in the present invention, a wholly aromatic polyamide having a biphenyl skeleton (eg, trade name: Upilex, manufactured by Ube Industries, Ltd.) is preferably used. The thickness of the insulating film 10 is usually 25 to 125.
μm, preferably in the range of 50 to 75 μm.
【００２４】このような絶縁フィルム１０には、デバイ
スホール、スプロケットホール、アウターリードの切断
穴などがパンチングにより形成されている。配線パター
ン３０は、上記のような所定の穴が形成された絶縁フィ
ルム１０に、絶縁性の接着剤を塗布して接着剤層１２を
形成し、この接着剤層１２で銅箔を接着し、この銅箔を
エッチングすることにより形成される。ここで銅箔とし
ては、電解銅箔、圧延銅箔のいずれをも使用することが
できるが、昨今のファインピッチ化に対応可能な電解銅
箔を使用することが好ましい。In such an insulating film 10, device holes, sprocket holes, cutting holes for outer leads, and the like are formed by punching. The wiring pattern 30 forms an adhesive layer 12 by applying an insulating adhesive to the insulating film 10 in which the predetermined holes are formed as described above, and a copper foil is adhered by the adhesive layer 12, It is formed by etching this copper foil. Here, as the copper foil, any of an electrolytic copper foil and a rolled copper foil can be used, but it is preferable to use an electrolytic copper foil capable of coping with recent fine pitch.
【００２５】また、上記のような絶縁フィルムに銅箔を
積層する際には、接着剤を用いることなく積層すること
もできるし、また接着剤を使用して貼着することもでき
る。ここで使用される接着剤は、耐熱性、耐薬品性、接
着力、可撓性等の特性を有しているものであることが好
ましい。このような特性を有する接着剤の例としては、
エポキシ系接着剤およびフェノール系接着剤を挙げるこ
とができる。このような接着剤は、ウレタン樹脂、メラ
ミン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂などで変性されて
いてもよく、またエポキシ樹脂自体がゴム変性されてい
てもよい。このような接着剤は加熱硬化性である。この
ような接着剤層の厚さは、通常は８〜２３μm、好まし
くは１０〜２１μmの範囲内にある。このような接着剤
からなる接着剤層１２は、絶縁フィルム１０の表面に塗
布して設けても良いし、また電解銅箔の表面に塗布して
設けても良い。ここで使用される電解銅箔としては電子
部品実装用フィルムキャリアテープの製造に通常使用さ
れている厚さの銅箔を使用することができるが、ファイ
ンピッチの電子部品実装用フィルムキャリアテープを製
造するためには、銅箔として通常は６〜２５μmの範囲
内、好ましくは９〜１８μｍの範囲内にある銅箔を使用
することが望ましい。このような薄い電解銅箔を使用す
ることにより、狭ピッチ幅のインナーリードを形成する
ことが容易になる。When laminating a copper foil on the above-mentioned insulating film, the copper foil can be laminated without using an adhesive or can be adhered using an adhesive. The adhesive used here preferably has properties such as heat resistance, chemical resistance, adhesive strength, and flexibility. Examples of adhesives having such properties include:
Epoxy adhesives and phenolic adhesives can be mentioned. Such an adhesive may be modified with a urethane resin, a melamine resin, a polyvinyl acetal resin, or the like, or the epoxy resin itself may be modified with a rubber. Such an adhesive is heat-curable. The thickness of such an adhesive layer is usually in the range of 8 to 23 μm, preferably 10 to 21 μm. The adhesive layer 12 made of such an adhesive may be applied on the surface of the insulating film 10 or provided on the surface of the electrolytic copper foil. As the electrolytic copper foil used here, a copper foil having a thickness generally used in the production of a film carrier tape for mounting electronic components can be used. In order to do so, it is desirable to use a copper foil which is usually in the range of 6 to 25 μm, preferably in the range of 9 to 18 μm. By using such a thin electrolytic copper foil, it becomes easy to form inner leads having a narrow pitch width.
【００２６】このように絶縁フィルムの表面に銅箔を貼
着した後、この銅箔の表面にフォトレジストを塗布し、
このフォトレジストに所望の配線パターンを焼き付け硬
化させ、硬化していない部分のフォトレジストを除去す
る。また逆に、露光することにより、特定媒体に溶解可
能となるフォトレジストを使用することもできる。こう
して硬化したフォトレジストによって所望の配線パター
ンが形成された絶縁フィルムと銅箔との積層体をエッチ
ングして、硬化したフォトレジストの存在しない部分の
銅箔を溶解除去して絶縁フィルムの表面に銅箔の配線パ
ターンを形成する。After the copper foil is adhered to the surface of the insulating film, a photoresist is applied to the surface of the copper foil,
A desired wiring pattern is baked and hardened on the photoresist, and the unhardened portion of the photoresist is removed. Conversely, a photoresist that can be dissolved in a specific medium by exposure to light can also be used. The laminated body of the insulating film and the copper foil on which the desired wiring pattern is formed by the photoresist thus cured is etched to dissolve and remove the copper foil in a portion where the cured photoresist does not exist, thereby forming copper on the surface of the insulating film. A foil wiring pattern is formed.
【００２７】こうしてエッチングにより配線パターンを
形成した後、硬化したフォトレジストを、例えばアルカ
リ溶液などで除去する。本発明では上記のようにして配
線パターンを形成した後、この配線パターンの形成され
た絶縁フィルムをメッキ槽に移して、配線パターンの表
面にスズメッキ層(a)３１を形成する。本発明におい
て、スズメッキ層は、無電解スズメッキや電気スズメッ
キ等の方法によって形成される。こうして形成された当
初のスズメッキ層(a)３１は、通常は実質的にスズから
形成されているが、このスズメッキ層(a)３１の特性を
損なわない範囲内で他の金属が含有されていても良い。After the wiring pattern is formed by etching in this manner, the hardened photoresist is removed with, for example, an alkaline solution. In the present invention, after the wiring pattern is formed as described above, the insulating film on which the wiring pattern is formed is transferred to a plating tank, and a tin plating layer (a) 31 is formed on the surface of the wiring pattern. In the present invention, the tin plating layer is formed by a method such as electroless tin plating or electric tin plating. The initial tin plating layer (a) 31 thus formed is usually substantially formed of tin, but contains other metals within a range that does not impair the properties of the tin plating layer (a) 31. Is also good.
【００２８】スズメッキ層(a)３１の厚さは、０.０１μ
ｍ以上、好ましくは０.１μｍ以上であれば、ソルダー
レジストを塗布した後のメッキ工程において、仮にソル
ダーレジストの下面からメッキ液が浸入した場合であっ
ても、銅箔からなる配線パターンに局部電池が形成され
ることがなく、銅箔からなる配線パターンを有効に保護
することができる。The thickness of the tin plating layer (a) 31 is 0.01 μm.
m or more, preferably 0.1 μm or more, in the plating step after the solder resist is applied, even if the plating solution infiltrates from the lower surface of the solder resist, the local battery can be applied to the wiring pattern made of copper foil. Is not formed, and the wiring pattern made of copper foil can be effectively protected.
【００２９】このスズメッキ層(a)３１は、接着剤１２
に接している配線パターン面を除き、配線パターンの全
面に形成される。スズメッキ層(a)３１の厚さが０.５μ
ｍより厚いと後に形成される純スズメッキ層(b)３３と
合計した厚さが０.６μｍを超え、こうした厚いスズメ
ッキ層では、インナーリードとチップとを接続する際に
メッキダレを生じ短絡を形成することがある。このこと
から、スズメッキ層(a)３１の厚さは、通常は０.０１μ
ｍ以上、好ましくは０.１μｍ以上、特に好ましくは０.
３μm以上であり、またこの層３１の厚さの上限は通常
は０.５μｍである。This tin plating layer (a) 31 is
Is formed on the entire surface of the wiring pattern except for the wiring pattern surface in contact with the wiring pattern. The thickness of the tin plating layer (a) 31 is 0.5μ
When the thickness is larger than m, the total thickness of the pure tin plating layer (b) 33 formed later exceeds 0.6 μm. With such a thick tin plating layer, when connecting the inner lead to the chip, plating sag occurs and a short circuit is formed. Sometimes. For this reason, the thickness of the tin plating layer (a) 31 is usually 0.01 μm.
m or more, preferably 0.1 μm or more, particularly preferably 0.1 μm.
The upper limit of the thickness of the layer 31 is usually 0.5 μm.
【００３０】このようにして形成されたスズメッキ層
(a)３１に銅を拡散させることにより、ウィスカーの形
成を防止できる。スズメッキ層(a)３１に銅を拡散させ
る方法としては、このスズメッキ(a)３１を配線パター
ンと共に加熱する方法を挙げることができる。この際、
加熱温度は、通常は７０〜２００℃、好ましくは１００
〜１５０℃であり、加熱時間はスズメッキの厚さにもよ
るが、通常は３０秒〜１２０分、好ましくは３０分〜６
０分である。このように加熱することにより、形成当初
はスズからなり実質的に他の金属を含有していなかった
スズメッキ層(a)３１に銅が拡散して、この層(a)が、銅
拡散スズメッキ層(a)となる。この銅拡散スズメッキ層
(a)において、銅濃度は、配線パターンから層(a)表面に
向かって次第に低下するが、この層(a)の表面まで銅が
拡散しており、表面においても銅濃度は０％とはならな
い。The tin plating layer thus formed
(a) By diffusing copper into 31, whisker formation can be prevented. As a method of diffusing copper into the tin plating layer (a) 31, a method of heating the tin plating (a) 31 together with the wiring pattern can be mentioned. On this occasion,
The heating temperature is usually 70 to 200 ° C, preferably 100 ° C.
To 150 ° C., and the heating time depends on the thickness of the tin plating, but is usually 30 seconds to 120 minutes, preferably 30 minutes to 6 minutes.
0 minutes. By heating in this way, copper diffuses into the tin plating layer (a) 31 which was initially formed of tin and substantially did not contain other metals, and this layer (a) became a copper diffusion tin plating layer. (a). This copper diffusion tin plating layer
In (a), the copper concentration gradually decreases from the wiring pattern toward the surface of the layer (a), but copper is diffused to the surface of this layer (a), and the copper concentration on the surface is 0%. No.
【００３１】なお、この銅拡散スズメッキ層(a)を形成
するための加熱は、必ずしもここで行うことは必要では
なく、次のソルダーレジストを塗布した後、ソルダーレ
ジスト２０の硬化のための加熱までの時間が短い場合に
は、ソルダーレジスト２０を硬化させる際に加熱しても
よい。この場合における加熱前のスズメッキ層(a)３１
は、銅が拡散し得るスズメッキ層(a)３１である。The heating for forming the copper-diffused tin plating layer (a) is not necessarily performed here. After the next solder resist is applied, the heating is performed until the solder resist 20 is cured. If the time is short, heating may be performed when the solder resist 20 is cured. In this case, the tin plating layer (a) 31 before heating
Is a tin plating layer (a) 31 through which copper can diffuse.
【００３２】このように銅拡散スズメッキ層(a)３１あ
るいは銅が拡散し得るスズメッキ層(a)３１の上にソル
ダーレジスト２０を塗布する。このソルダーレジスト２
０としては、高い耐熱性を有する熱硬化性樹脂を使用す
ることが好ましく、通常はエポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、ウレタン樹脂のような熱硬化性樹脂が使用される
が、紫外線感光型のソルダーレジストを使用することも
できる。このようなソルダーレジストは、上記形成した
銅拡散（あるいは拡散し得る）スズメッキ層(a)３１お
よび絶縁フィルム１０に対して良好な接着性を示す。こ
のようなソルダーレジストは、例えばスクリーン印刷技
術を利用して、銅拡散（あるいは拡散し得る）スズメッ
キ層(a)の表面に塗布される。ただし、配線パターン３
０の電気的接合部およびその近傍は、このようなソルダ
ーレジスト２０は塗布されない。このソルダーレジスト
２０の塗布厚さは、通常は５〜５０μｍ、好ましくは、
１０〜４０μｍの範囲内にある。このような厚さにソル
ダーレジストを塗布することにより、物理的に配線パタ
ーンを保護すると共に、配線パターン間の電気的な絶縁
性をより確実なものとすることができる。As described above, the solder resist 20 is applied on the copper diffusion tin plating layer (a) 31 or the tin plating layer (a) 31 through which copper can diffuse. This solder resist 2
As 0, it is preferable to use a thermosetting resin having high heat resistance, and usually, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, or a urethane resin is used, but an ultraviolet-sensitive solder resist is used. Can also be used. Such a solder resist exhibits good adhesiveness to the formed copper diffusion (or diffusion) tin plating layer (a) 31 and the insulating film 10. Such a solder resist is applied on the surface of the tin-plated layer (a) that is copper-diffused (or can be diffused) by using, for example, a screen printing technique. However, wiring pattern 3
The solder resist 20 is not applied to the 0 electrical junction and its vicinity. The coating thickness of the solder resist 20 is usually 5 to 50 μm, preferably,
It is in the range of 10 to 40 μm. By applying the solder resist to such a thickness, the wiring patterns can be physically protected and the electrical insulation between the wiring patterns can be further ensured.
【００３３】こうしてソルダーレジストを塗布した後、
加熱硬化性樹脂の場合、このソルダーレジストを加熱し
て硬化させる。このソルダーレジストの硬化のための加
熱温度は、用いるソルダーレジストの種類によっても異
なるが、通常は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜
１６０℃であり、また、加熱時間は通常は４０分〜１８
０分、好ましくは６０分〜１２０分である。また、ソル
ダーレジスト中のボイド防止等のために、加熱温度を段
階的に上昇させる加熱工程（ステップキュア）によって
加熱してもよい。また、こうした加熱の際には、真空乾
燥法、赤外線乾燥法等を採用することができる。上記の
ようにキュアの際の加熱により、ソルダーレジスト２０
が充分に硬化すると同時に、スズメッキ層(a)３１もま
た加熱され、銅の拡散がさらに進行する。After applying the solder resist in this way,
In the case of a thermosetting resin, this solder resist is cured by heating. The heating temperature for curing the solder resist varies depending on the type of the solder resist used, but is usually 100 to 180 ° C., preferably 130 to 180 ° C.
160 ° C., and the heating time is usually 40 minutes to 18 minutes.
0 minutes, preferably 60 minutes to 120 minutes. Further, in order to prevent voids in the solder resist and the like, heating may be performed by a heating step (step cure) in which the heating temperature is increased stepwise. In the case of such heating, a vacuum drying method, an infrared drying method, or the like can be employed. As described above, the solder resist 20 is heated by curing.
Is sufficiently cured, the tin plating layer (a) 31 is also heated, and the diffusion of copper further proceeds.
【００３４】そして、上記ソルダーレジストを塗布する
前に加熱処理を行わなかった場合には、このソルダーレ
ジストを硬化させる際の加熱条件を、ソルダーレジスト
を硬化させるのに好適な条件にしてソルダーレジストを
硬化させた後、さらに、銅の拡散を促進させるための加
熱処理も連続して行うこともできる。上記のようにして
ソルダーレジスト２０を塗布して硬化させた後、本発明
ではソルダーレジスト２０が塗布されていない部分の配
線パターン表面（即ち端子部分）に再びスズメッキを施
す。If the heat treatment is not performed before the solder resist is applied, the solder resist is cured by setting the heating conditions for curing the solder resist to conditions suitable for curing the solder resist. After the curing, a heat treatment for promoting the diffusion of copper can be continuously performed. After the solder resist 20 is applied and cured as described above, in the present invention, tin plating is applied again to the surface of the wiring pattern (that is, the terminal portion) where the solder resist 20 is not applied.
【００３５】このスズメッキ層(b)３３は実質的にスズ
以外の金属成分を含有しておらず、この点において上記
の銅拡散スズメッキ層(a)３１とは異なる。こうして形
成される純スズメッキ層(b)３３の厚さは、通常は０.０
１〜０.５μm、好ましくは０.１〜０.５μｍ、特に好ま
しくは０.１〜０.３μｍの範囲内にある。無電解メッキ
法によりこうした薄層の純スズメッキ層(b)３３を形成
することを本発明では特にフラッシュメッキと記載する
ことがある。この純スズメッキ層(b)３３の厚さを上記
範囲内にすることにより、確実なボンディングが可能と
なると共に、メッキダレを生ずることがなく、短絡が生
じにくい。The tin plating layer (b) 33 does not substantially contain a metal component other than tin, and differs from the copper diffusion tin plating layer (a) 31 in this point. The thickness of the pure tin plating layer (b) 33 thus formed is usually 0.0.
It is in the range from 1 to 0.5 μm, preferably from 0.1 to 0.5 μm, particularly preferably from 0.1 to 0.3 μm. In the present invention, formation of such a thin pure tin plating layer (b) 33 by an electroless plating method may be particularly described as flash plating. By setting the thickness of the pure tin plating layer (b) 33 within the above range, reliable bonding can be performed, plating sag does not occur, and a short circuit hardly occurs.
【００３６】なお、ソルダーレジストが、紫外線感光型
のフォトソルダーレジストである場合には、スクリーン
印刷技術を利用してスズメッキ層(a)の表面にソルダー
レジストを塗布した後、仮乾燥を行い、被覆する部分と
メッキする部分のパターンに露光して現像を行い、さら
にスズメッキ層(a)とフォトソルダーレジストとの密着
性を向上させるために加熱する。この際、加熱温度は、
通常は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜１６０℃
であり、加熱時間は通常４０分〜１２０分、好ましくは
６０〜９０分である。When the solder resist is an ultraviolet-sensitive photo solder resist, the solder resist is applied to the surface of the tin plating layer (a) by using a screen printing technique, and then is preliminarily dried and coated. Exposure is performed by exposing the pattern of the portion to be plated and the pattern of the portion to be plated, and further heating is performed to improve the adhesion between the tin plating layer (a) and the photo solder resist. At this time, the heating temperature is
Usually 100 to 180 ° C, preferably 130 to 160 ° C
The heating time is usually 40 minutes to 120 minutes, preferably 60 minutes to 90 minutes.
【００３７】純スズメッキ層(b)３３は、上記銅拡散ス
ズメッキ層(a)の表面であって、ソルダーレジスト２０
によって被覆されていない表面に形成される。すなわ
ち、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープに
おける配線パターンのソルダーレジストが塗布されてい
ない部分、殊にリード部分には、銅箔からなる配線パタ
ーン３０の表面に、銅拡散スズメッキ層(a)３１が形成
され、さらにこの銅拡散スズメッキ層(a)３１の表面に
は、実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)３３、即
ち純スズメッキ層(b)３３が形成されている。The pure tin plating layer (b) 33 is on the surface of the copper diffusion tin plating layer (a),
Formed on surfaces that are not covered by That is, in the electronic component mounting film carrier tape of the present invention, the portion of the wiring pattern where the solder resist is not applied, especially the lead portion, has a copper diffusion tin plating layer (a) on the surface of the wiring pattern 30 made of copper foil. On the surface of the copper-diffused tin plating layer (a) 31, a tin plating layer (b) 33 containing substantially no copper, that is, a pure tin plating layer (b) 33 is formed.
【００３８】上記銅からなる配線パターンの表面に形成
された銅拡散スズメッキ層(a)と実質的に銅を含有しな
い純スズメッキ層(b)との合計の厚さ[(a)+(b)]は、通常
は、０.０２〜０.６μｍの範囲、好ましくは０.２〜０.
６μｍの範囲内、特に好ましくは０.４〜０.５μｍの範
囲内にある。この純スズメッキ層(b)は形成直後は、他
の金属を含有していないほぼ純粋なスズメッキ層である
が、このスズメッキ層(b)の下層として存在するスズメ
ッキ層(a)が銅の拡散層であることから、加熱などによ
り、このスズメッキ層(b)の銅拡散スズメッキ層(a)に接
する面から銅の一部がスズメッキ層(b)に移行して銅・
スズ含有領域が形成される。この銅・スズ含有領域は、
表面に向かって銅の含有率が次第に低下して、やがて銅
の含有率がゼロになり、純スズメッキ層(b)に変化す
る。即ち、この銅・スズ含有領域について厚さ方向にお
ける銅濃度を測定すると、銅拡散スズメッキ層(a)の表
面と接合する部分における銅濃度が最も高く、銅拡散ス
ズメッキ層(a)から遠ざかるに従ってそのスズ濃度は低
くなり、やがて銅の含有率は０％となり、純スズメッキ
層(b)になる。The total thickness of the copper-diffused tin plating layer (a) formed on the surface of the wiring pattern made of copper and the pure tin plating layer (b) containing substantially no copper [(a) + (b) ] Is usually in the range of 0.02 to 0.6 μm, preferably 0.2 to 0.2 μm.
It is in the range of 6 μm, particularly preferably in the range of 0.4 to 0.5 μm. Immediately after formation, the pure tin plating layer (b) is an almost pure tin plating layer containing no other metal, but the tin plating layer (a) existing as a lower layer of the tin plating layer (b) is a copper diffusion layer. Therefore, by heating or the like, part of the copper migrates from the surface of the tin plating layer (b) in contact with the copper diffusion tin plating layer (a) to the tin plating layer (b),
A tin-containing region is formed. This copper / tin containing area
The copper content gradually decreases toward the surface, and eventually the copper content becomes zero and changes to a pure tin plating layer (b). That is, when the copper concentration in the thickness direction is measured for the copper / tin-containing region, the copper concentration in the portion bonded to the surface of the copper diffusion tin plating layer (a) is the highest, and the copper concentration increases as the distance from the copper diffusion tin plating layer (a) increases. The tin concentration decreases, and eventually the copper content becomes 0%, resulting in a pure tin plating layer (b).
【００３９】このように銅・スズ含有領域を形成するこ
とにより、端子にえぐれ部が著しく形成されにくくなる
と共に、ホイスカーの発生を抑制することができる。こ
の純スズメッキ層(b)の厚さは、通常は０.０１〜０.５
μm、好ましくは０.１〜０.５μｍ、特に好ましくは０.
１〜０.３μｍの範囲内にある。この純スズメッキ層(b)
の厚さを上記範囲内にすることにより、確実なボンディ
ングが可能となると共に、メッキダレを生ずることがな
く、ホイスカーの発生をほぼ完全に防止することがで
き、短絡が生じにくい。By forming the copper / tin-containing region in this manner, it is difficult to form a scorched portion in the terminal, and it is possible to suppress the generation of whiskers. The thickness of the pure tin plating layer (b) is usually 0.01 to 0.5.
μm, preferably 0.1 to 0.5 μm, particularly preferably 0.1 μm.
It is in the range of 1 to 0.3 μm. This pure tin plating layer (b)
By setting the thickness within the above range, reliable bonding can be performed, and plating sagging does not occur, whiskers can be almost completely prevented from occurring, and short circuits are unlikely to occur.
【００４０】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、上記のように、銅拡散スズメッキ層(a)、銅
・スズ含有領域および純スズメッキ層(b)を有してお
り、それぞれの層の厚さは、その作用効果を考慮して上
記範囲内で適宜設定することができる。銅拡散濃度が次
第に低下する銅・スズ含有領域の平均厚さが、通常は
０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０.１〜０.５μｍ、
特に好ましくは０.１〜０.３μｍの範囲内にあるまた、
このような本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープにおいて、銅拡散スズメッキ層(a)と、銅・スズ含
有領域と、純スズメッキ層(b)との合計の厚さは、通常
は０.０２〜０．６μｍの範囲内、好ましくは０.０３〜
０.６μｍの範囲内、特に好ましくは０.２〜０.６μｍ
の範囲内、更に好ましくは０.４〜０.５μｍの範囲内に
ある。このようにスズメッキ層を形成することにより、
ファインピッチの電子部品実装用フィルムキャリアテー
プにおいてもボンディングの信頼性が高く、しかもこう
したスズメッキ層を形成することによりリードの機械的
強度が向上すると共に、ホイスカーの発生を完全に防止
することができ、短絡の発生率が著しく低下する。As described above, the electronic component mounting film carrier tape of the present invention has a copper-diffused tin plating layer (a), a copper / tin-containing region and a pure tin plating layer (b). The thickness can be appropriately set within the above range in consideration of its operation and effect. The average thickness of the copper / tin-containing region where the copper diffusion concentration gradually decreases is usually 0.01 to 0.5 μm, preferably 0.1 to 0.5 μm,
Particularly preferably, it is in the range of 0.1 to 0.3 μm.
In such a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention, the total thickness of the copper diffusion tin plating layer (a), the copper / tin-containing region, and the pure tin plating layer (b) is usually 0.02. ~ 0.6 μm, preferably 0.03-
Within the range of 0.6 μm, particularly preferably 0.2 to 0.6 μm
, More preferably in the range of 0.4 to 0.5 μm. By forming the tin plating layer in this way,
The reliability of bonding is high even for fine-pitch electronic component mounting film carrier tapes, and the formation of such a tin plating layer improves the mechanical strength of the leads and completely prevents the generation of whiskers. The incidence of short circuits is significantly reduced.
【００４１】上記のようにフラッシュメッキにより薄層
の純スズメッキ層(b)３３を形成することにより、配線
パターンからのウィスカーの成長をほぼ完全に防止する
ことができる。また、この純スズメッキ層(b)３３は、
実質的にスズからなり、例えば金バンプ電極を有するデ
バイスを実装する際には、このスズと金とが共晶化合物
を形成してバンプ電極と配線パターン３０（リード）と
が、強固に、かつ確実に接合される。By forming the thin pure tin plating layer (b) 33 by flash plating as described above, the growth of whiskers from the wiring pattern can be almost completely prevented. Further, this pure tin plating layer (b) 33
When mounting a device substantially made of tin and having, for example, a gold bump electrode, the tin and gold form a eutectic compound so that the bump electrode and the wiring pattern 30 (lead) are firmly and Securely joined.
【００４２】しかも、このフラッシュメッキにより純ス
ズメッキ層(b)を形成する際に、ソルダーレジストは、
銅拡散スズメッキ層(a)と強固に接合しており、銅拡散
スズメッキ層(a)３１とソルダーレジスト２０とが強固
に接着しているので、ソルダーレジスト２０の下面と、
銅拡散スズメッキ層(a)の上面との間にメッキ液等が浸
入することがほとんどなく、また仮にこの間にメッキ液
が浸入したとしても、配線パターン３０の表面は、銅拡
散スズメッキ層(a)３１で被覆されており銅は露出して
いないので、浸入したメッキ液による局部電池が形成さ
れることはなく、従って、本発明によれば、従来の電子
部品実装用フィルムキャリアテープに、スズメッキの際
のえぐれ部（孔蝕）３５などが生ずることがなく、リー
ド破断などが生じにくい。Moreover, when forming the pure tin plating layer (b) by the flash plating, the solder resist
Since the copper diffusion tin plating layer (a) is firmly bonded and the copper diffusion tin plating layer (a) 31 and the solder resist 20 are firmly bonded, the lower surface of the solder resist 20
The plating solution hardly penetrates into the upper surface of the copper diffusion tin plating layer (a), and even if the plating solution penetrates in the meantime, the surface of the wiring pattern 30 remains on the copper diffusion tin plating layer (a). 31 and the copper is not exposed, so that a local battery is not formed by the infiltrating plating solution. Therefore, according to the present invention, the conventional film carrier tape for mounting electronic components is tin-plated. In this case, there is no occurrence of a digging portion (pitting corrosion) 35 or the like, so that lead breakage and the like hardly occur.
【００４３】また、このようにフラッシュメッキによっ
て純スズメッキ層(b)３３を形成することにより、スズ
ウィスカーの生成をほぼ恒久的に防止することが可能に
なる。なお、この純スズメッキ層(b)３３には、銅拡散
スズメッキ層(a)３１とは異なり、加熱処理する必要は
ない。また、配線パターンの上には、銅拡散スズメッキ
層(a)３１が形成され、この銅拡散スズメッキ層(a)３１
には配線パターンからの銅が拡散しているので、短期間
であれば、この銅拡散スズメッキ層(a)３１によりウィ
スカーの成長は制御され、その後のソルダーレジストの
塗布およびフラッシュメッキによる純スズメッキ層(b)
３３の形成までにある程度の時間があっても電子部品実
装用フィルムキャリアテープの性能が低下することがな
い。従って、本発明によれば、製造工程の管理が容易に
なる。Also, by forming the pure tin plating layer (b) 33 by flash plating as described above, it is possible to almost permanently prevent the formation of tin whiskers. The pure tin plating layer (b) 33 does not require a heat treatment unlike the copper diffusion tin plating layer (a) 31. Further, a copper diffusion tin plating layer (a) 31 is formed on the wiring pattern, and the copper diffusion tin plating layer (a) 31
Since the copper from the wiring pattern is diffused, the growth of the whiskers is controlled by the copper-diffused tin plating layer (a) 31 for a short period of time, and then the pure tin plating layer is formed by applying a solder resist and flash plating. (b)
Even if there is some time until the formation of 33, the performance of the film carrier tape for mounting electronic components does not deteriorate. Therefore, according to the present invention, management of the manufacturing process is facilitated.
【００４４】なお、この純スズメッキ層(b)３３は、通
常は１回のメッキ処理工程で製造されるがこの純スズメ
ッキ層(b)３３を形成するためにメッキ処理工程を複数
回に分けて行っても良い。従って、こうした場合には純
スズメッキ層(b)３３は複数のスズメッキ層の複合体と
なる。こうして本発明で採用されている銅拡散スズメッ
キ層(a)と純スズメッキ層(b)と銅拡散スズメッキ層(a)
から銅含有率が厚さ方向に向かって低下する銅・スズ含
有領域とを有するメッキ層と、従来のスズメッキ層と
は、Ｘ線回折法、ＡＥＳ分析法等を利用することにより
区別することができる。例えば、Ｘ線回折により、層中
におけるＣｕ３ＳｎとＣｕ６Ｓｎ５とのＸ線回折強度を
測定すると、本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープにおけるメッキ層では通常は１：０.３〜０.５で
あるのに対して、従来のメッキ層では１：１〜１.５の
範囲内にある。また、ＡＥＳ分析によれば、本発明にお
けるメッキ層の表面近傍では、純スズメッキ層であるの
に対して、従来のメッキ層では、銅が表面付近まで拡散
していることが確認することができる。The pure tin plating layer (b) 33 is usually manufactured in one plating step, but in order to form the pure tin plating layer (b) 33, the plating step is divided into a plurality of steps. You may go. Therefore, in such a case, the pure tin plating layer (b) 33 is a composite of a plurality of tin plating layers. Thus, the copper diffusion tin plating layer (a), the pure tin plating layer (b), and the copper diffusion tin plating layer (a) employed in the present invention.
The plating layer having a copper / tin-containing region in which the copper content decreases in the thickness direction from the conventional tin plating layer can be distinguished from each other by using an X-ray diffraction method, an AES analysis method, or the like. it can. For example, when the X-ray diffraction intensity of Cu3Sn and Cu6Sn5 in the layer is measured by X-ray diffraction, it is usually 1: 0.3 to 0.5 in the plating layer of the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention. On the other hand, in the case of the conventional plating layer, it is in the range of 1: 1 to 1.5. Also, according to the AES analysis, it can be confirmed that copper is diffused to the vicinity of the surface in the conventional plating layer, while the pure tin plating layer is in the vicinity of the surface of the plating layer in the present invention. .
【００４５】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、好適には上記の方法により形成されるもので
あり、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、この銅箔をエッチ
ングして所望の配線パターンが形成された電子部品実装
用フィルムキャリアテープであり、この配線パターンの
ほぼ全体にスズメッキすることにより銅拡散スズメッキ
層(a)が形成されており、この配線パターンの端子部分
を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体からなる
保護層が形成されていると共に、この端子部分には銅拡
散スズメッキ層(a)の表面に実質的に銅を含有しない純
スズメッキ層(b)が形成されており、さらに、銅拡散ス
ズメッキ層の表面から銅濃度が表面に向かって低下する
銅・スズ含有領域が形成されているが、さらに、その特
性を損なわない範囲内で種々改変することができる。The film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention is preferably formed by the above-mentioned method. A copper foil is attached to an insulating film, and the copper foil is etched to obtain a desired wiring pattern. Is a film carrier tape for mounting electronic components, a copper diffusion tin plating layer (a) is formed by tin-plating almost the entire wiring pattern, and at a predetermined position except for a terminal portion of the wiring pattern. A protective layer composed of a cured body of the solder resist is formed, and a pure tin plating layer (b) substantially containing no copper is formed on the surface of the copper diffusion tin plating layer (a) in this terminal portion, Furthermore, a copper / tin-containing region in which the copper concentration decreases from the surface of the copper diffusion tin plating layer toward the surface is formed, but further within a range that does not impair its characteristics. It is possible to 's modified.
【００４６】例えば、銅箔としては、銅箔だけでなく、
銅合金箔を用いることができるし、また、スズメッキ
は、純スズメッキであることが好ましいが、これらのス
ズメッキ層には、その特性を損なわない範囲内で他の金
属が含有されていてもよい。本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープには、上記のように配線パターン
のほぼ全面にわたって銅拡散スズメッキ層(a)とこの銅
拡散スズメッキ層(a)の端子部分の表面に純スズメッキ
層(b)が形成されており、さらに、端子部分に銅拡散ス
ズメッキ層(a)から純スズメッキ層(b)に向かって銅の含
有率が次第に低下する銅・スズ含有領域が形成されてい
る。For example, copper foil is not limited to copper foil.
A copper alloy foil can be used, and the tin plating is preferably pure tin plating. However, these tin plating layers may contain other metals as long as their properties are not impaired. As described above, the electronic component mounting film carrier tape of the present invention has a copper-diffused tin-plated layer (a) over substantially the entire surface of the wiring pattern and a pure tin-plated layer (b) on the surface of the terminal portion of the copper-diffused tin-plated layer (a). ) Is formed, and a copper / tin-containing region where the copper content gradually decreases from the copper diffusion tin plating layer (a) toward the pure tin plating layer (b) is formed in the terminal portion.
【００４７】この銅・スズ含有領域は、純スズメッキ層
(b)に向かって次第に銅濃度が低下するように、銅が含
有されている。この銅・スズ含有領域は、銅拡散スズメ
ッキ層(a)にメッキされた純スズメッキ層(b)に、この銅
拡散スズメッキ層(a)からの銅あるいは配線パターン中
の銅に移行することにより、純スズメッキ層(b)と連続
的に形成されている。この銅・スズメッキ領域における
銅は、銅拡散スズメッキ層(a)中の銅あるいは配線パタ
ーン中の銅が、主として銅拡散スズメッキ層(a)の銅が
移行したものであり、この銅・スズ領域における銅濃度
は、銅拡散スズメッキ層(a)における銅濃度よりも低い
のが一般的である。The copper / tin-containing region is a pure tin plating layer
Copper is contained so that the copper concentration gradually decreases toward (b). This copper / tin containing area is transferred to pure tin plating layer (b) plated on copper diffusion tin plating layer (a), copper from this copper diffusion tin plating layer (a) or copper in the wiring pattern, It is formed continuously with the pure tin plating layer (b). The copper in the copper / tin plating area is copper in the copper diffusion tin plating layer (a) or copper in the wiring pattern, and mainly copper in the copper diffusion tin plating layer (a) has migrated. The copper concentration is generally lower than the copper concentration in the copper diffusion tin plating layer (a).
【００４８】[0048]
【発明の効果】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープによれば、配線パターンからのウィスカーの成
長をほぼ完全に防止することができると共に、バンプ電
極と配線パターンとが、強固に、かつ確実に接合され
る。さらに、本発明によれば、ソルダーレジストの下面
と、スズメッキ層(a)のとの間にメッキ液等が浸入する
ことがほとんどなく、また仮にこの間にメッキ液が浸入
したとしても、配線パターンの表面は、スズメッキ層
(a)で被覆されており銅は露出していないので、従来の
ＴＡＢテープにおけるスズメッキの際のえぐれ部（孔
蝕）３５などが生ずることがなく、本発明の電子部品実
装用フィルムキャリアテープリードは破断などが生じに
くい。According to the film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention, the growth of whiskers from the wiring pattern can be almost completely prevented, and the bump electrode and the wiring pattern can be firmly and reliably formed. Joined to. Furthermore, according to the present invention, the plating solution or the like hardly infiltrates between the lower surface of the solder resist and the tin plating layer (a), and even if the plating solution infiltrates during this time, the wiring pattern The surface is a tin plating layer
Since the copper is covered with (a) and the copper is not exposed, there is no occurrence of a scorched portion (pitting corrosion) 35 at the time of tin plating in the conventional TAB tape, and the film carrier tape lead for mounting electronic components of the present invention. Is less likely to break.
【００４９】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープでは、ウィスカーが成長しにくい。特に銅
・スズ含有領域を形成した本発明の第２の電子部品実装
用フィルムキャリアテープはえぐれ部の発生をほぼ完全
に防止することができると共に、ホイスカーの発生もほ
ぼ恒久的に防止することができる。In the film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention, whiskers are unlikely to grow. In particular, the film carrier tape for mounting electronic components according to the second aspect of the present invention, in which the copper / tin-containing region is formed, can almost completely prevent the generation of the scouring portion, and can also almost completely prevent the generation of the whisker. it can.
【００５０】そして、本発明の製造方法によれば、製造
中にウィスカーが成長することがないので、製造工程の
管理が容易になる。According to the manufacturing method of the present invention, whiskers do not grow during the manufacturing, so that the manufacturing process can be easily managed.
【００５１】[0051]
【実施例】次に本発明の実施例を示して本発明をさらに
詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定される
ものではないEXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples of the present invention, but the present invention is not limited to these examples.
【００５２】[0052]
【実施例１】ポリイミドフィルム上に厚さ１８μｍの銅
箔からなる配線パターンを形成した。このキャリアテー
プの配線パターンの全面に厚さ０.０４μｍのスズメッ
キ層を形成し、次いで、この配線パターンのリード部分
を残してソルダーレジストを塗布し、８０℃で４５分間
加熱し、さらに８秒間露光し、４０秒間現像した後、１
５０℃で６０分間加熱してソルダーレジストを完全に硬
化させ、この感熱硬化の際に配線パターン中の銅がこの
スズメッキ層に拡散して銅拡散スズメッキ層(a)が形成
された。EXAMPLE 1 A wiring pattern made of a copper foil having a thickness of 18 μm was formed on a polyimide film. A tin plating layer having a thickness of 0.04 μm is formed on the entire surface of the wiring pattern of the carrier tape, and then a solder resist is applied while leaving a lead portion of the wiring pattern, heated at 80 ° C. for 45 minutes, and further exposed for 8 seconds. After developing for 40 seconds, 1
The solder resist was completely cured by heating at 50 ° C. for 60 minutes, and in this heat-sensitive curing, the copper in the wiring pattern diffused into the tin plating layer to form a copper diffusion tin plating layer (a).
【００５３】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、リード部分に０.４０μｍの厚さのスズメッキ層を
形成し、感熱することにより、銅拡散スズメッキ層(a)
中の銅の一部及び配線パターン中の銅がこの形成された
スズメッキ層に移行して厚さ０．１９μmの厚さで、銅
・スズ含有領域が形成された。従って、この電子部品実
装用フィルムキャリアテープにおける純スズメッキその
厚さは、０．２１μmである。After the solder resist is cured in this way, a tin plating layer having a thickness of 0.40 μm is formed on the lead portion, and the copper diffusion tin plating layer (a) is formed by heat-sensing.
A part of the copper in the inside and the copper in the wiring pattern migrated to the formed tin plating layer to form a copper / tin-containing region with a thickness of 0.19 μm. Therefore, the thickness of the pure tin plating in the electronic component mounting film carrier tape is 0.21 μm.
【００５４】この電子部品実装用フィルムキャリアテー
プにおける銅拡散スズメッキ層(a)、銅・スズ含有領域
および純スズメッキ層(b)の合計の厚さは０．４４μmで
ある。なお、本発明におけるスズメッキ層の合計の厚さ
は蛍光Ｘ銭膜厚測定装置を用いて測定した。The total thickness of the copper diffusion tin plating layer (a), the copper / tin containing region and the pure tin plating layer (b) in the electronic component mounting film carrier tape is 0.44 μm. In addition, the total thickness of the tin plating layer in the present invention was measured using a fluorescent X thickness measuring device.
【００５５】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。また、ソルダーレジ
ストの下面へのメッキ液の潜り込み現象も見られなかっ
た。さらに、こうして形成されたリード部からのウィス
カーの成長は見られなかった。When the obtained film carrier tape for mounting electronic components was observed by using an electron microscope, no curled portion was formed in the lead portion. In addition, the phenomenon of plating solution sneaking into the lower surface of the solder resist was not observed. Further, no whiskers grew from the lead portions thus formed.
【００５６】また、コクール膜厚測定装置を用いて測定
した純スズメッキ層の厚さは、０．２１μｍであり、蛍
光Ｘ線膜厚測定装置を用いて測定した銅拡散スズメッキ
層(a)、銅・スズ含有領域および純スズメッキ層(b)の合
計の厚さは、０．４４μｍであり、また上述のように銅
拡散スズメッキ層の厚さは０.０４μmであるから、銅・
スズ含有拡散領域の厚さは０．１９μｍである。The thickness of the pure tin plating layer measured using a cocour film thickness measuring device was 0.21 μm, and the copper diffusion tin plating layer (a) measured using a fluorescent X-ray film thickness measuring device, The total thickness of the tin-containing region and the pure tin plating layer (b) is 0.44 μm, and the thickness of the copper diffusion tin plating layer is 0.04 μm as described above.
The thickness of the tin-containing diffusion region is 0.19 μm.
【００５７】なお、このコクール膜厚測定装置は、スズ
メッキ層の所定面積に電解液を滴下して電解し、電位が
上昇した時点で電解を停止し、このときの単位面積あた
りの通電量からスズ量を算定し、測定した面積とスズの
比重から純スズメッキ層の厚さを算定する装置である。
上記のようにして得られた電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにはえぐれ部は発生しておらず、またこの電
子部品実装用フィルムキャリアテープにはホイスカーは
発生しかなった。The cocour film thickness measuring device is configured to perform electrolysis by dropping an electrolytic solution on a predetermined area of the tin plating layer, stop the electrolysis when the potential rises, and determine the amount of tin per unit area at this time. This device calculates the amount and calculates the thickness of the pure tin plating layer from the measured area and the specific gravity of tin.
The film carrier tape for mounting an electronic component obtained as described above did not have any scouring portions, and the film carrier tape for mounting an electronic component had only whiskers.
【図１】図１は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにおけるリード部分の断面の例を示す断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a cross section of a lead portion in a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention.
【図２】図２は、従来の電子部品実装用電子部品実装用
フィルムキャリアテープにおけるリード部分の断面の例
を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a cross section of a lead portion in a conventional electronic component mounting film carrier tape.
【図３】図３は、えぐれ部が形成されるメカニズムを説
明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a mechanism by which a scooping portion is formed;
１０・・・絶縁フィルム １２・・・接着剤層 ２０・・・ソルダーレジスト ３０・・・配線パターン（銅箔） ３１・・・銅が拡散したスズメッキ層(a)（銅拡散スズ
メッキ層(a)） ３３・・・実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)
（純スズメッキ層(b)）DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Insulating film 12 ... Adhesive layer 20 ... Solder resist 30 ... Wiring pattern (copper foil) 31 ... Tin plating layer (a) which copper diffused (copper diffusion tin plating layer (a)) 33) Tin plating layer containing substantially no copper (b)
(Pure tin plating layer (b))
Claims (11)
エッチングして所望の配線パターンが形成された電子部
品実装用フィルムキャリアテープであり、該配線パター
ンのほぼ全体にスズメッキすることにより銅が拡散した
スズメッキ層(a)が形成されており、該配線パターンの
端子部分を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体
からなる保護層が形成されており、該端子部分には、銅
が拡散したスズメッキ層(a)と、実質的に銅を含有しな
いスズメッキ層(b)とが形成されており、該銅が拡散し
たスズメッキ層(a)表面から実質的に銅を含有しないス
ズメッキ層(b)の表面向かって銅拡散濃度が次第に低下
する銅・スズ含有領域が実質的に銅を含有しないスズメ
ッキ層(b)と連続して形成されていることを特徴とする
電子部品実装用フィルムキャリアテープ。1. A film carrier tape for mounting an electronic component on which a copper foil is laminated on an insulating film, and the copper foil is etched to form a desired wiring pattern, and the entire wiring pattern is tin-plated. A tin plating layer (a) in which copper is diffused is formed, a protective layer made of a cured body of a solder resist is formed at a predetermined position except for a terminal portion of the wiring pattern, and the terminal portion has copper. A diffused tin plating layer (a) and a substantially copper-free tin plating layer (b) are formed, and the copper is diffused from the surface of the tin plating layer (a) to a substantially tin-free tin plating layer (a). A film carrier for electronic component mounting, characterized in that a copper / tin-containing region in which the copper diffusion concentration gradually decreases toward the surface of (b) is formed continuously with a tin-plated layer (b) substantially containing no copper tape.
均厚さが、０.０１〜０.５μｍの範囲内にあることを特
徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ。2. The electronic component mounting film according to claim 1, wherein the average thickness of the tin-plated layer (a) in which the copper is diffused is in a range of 0.01 to 0.5 μm. Carrier tape.
層(b)平均厚さが、０.０１〜０.５μｍの範囲内にある
ことを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープ。3. The electronic component mounting as claimed in claim 1, wherein the tin-plated layer (b) having substantially no copper content has an average thickness in a range of 0.01 to 0.5 μm. Film carrier tape.
成された銅が拡散したスズメッキ層(a)と、銅・スズ含
有領域と、実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)と
の合計の厚さが、０.０２〜０.６μｍの範囲内にあるこ
とを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィ
ルムキャリアテープ。4. A total of a tin plating layer (a) in which copper formed on the surface of the wiring pattern made of copper is diffused, a copper / tin containing region, and a tin plating layer (b) containing substantially no copper. 2. The film carrier tape for mounting electronic parts according to claim 1, wherein the thickness of the tape is in the range of 0.02 to 0.6 [mu] m.
エッチングして所望の配線パターンを形成し、該形成さ
れたパターンのほぼ全体にスズメッキをし、該配線パタ
ーンの端子部分を除く所定の部分にソルダーレジストを
塗布して硬化させ、該ソルダーレジストが硬化した後、
配線パターンの端子部分に再びスズメッキを行う工程を
有する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方
法であって、 該端子部分に、銅が拡散したスズメッキ層(a)と、実質
的に銅を含有しないスズメッキ層とを形成する共に、該
銅が拡散したスズメッキ層(a)表面から実質的に銅を含
有しないスズメッキ層(b)の表面に向かって銅拡散濃度
が次第に低下する銅・スズ含有領域を実質的に銅を含有
しないスズメッキ層(b)と連続するように形成すること
を特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープの
製造方法。5. Laminating a copper foil on an insulating film, etching the copper foil to form a desired wiring pattern, tin-plating almost the entire formed pattern, and excluding terminal portions of the wiring pattern. After applying a solder resist to a predetermined portion and curing it, and after the solder resist is cured,
A method for producing a film carrier tape for mounting electronic components, comprising a step of again tin-plating a terminal portion of a wiring pattern, wherein the terminal portion is substantially free of copper and a tin-plated layer (a) in which copper is diffused. While forming a tin plating layer, the copper / tin-containing region where the copper diffusion concentration gradually decreases from the surface of the tin plating layer (a) in which the copper is diffused to the surface of the tin plating layer (b) substantially containing no copper is formed. A method for producing a film carrier tape for mounting electronic components, characterized in that the film carrier tape is formed so as to be continuous with a tin plating layer (b) containing substantially no copper.
ズメッキ層(a)を、無電解スズメッキにより形成した
後、ソルダーレジストを塗布する前に、８０〜１５０℃
に配線パターンを加熱することを特徴とする請求項第５
項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造
方法。6. After forming a tin plating layer (a) in which copper diffuses into the entire wiring pattern by electroless tin plating, before applying a solder resist, the tin plating layer (a) is heated to 80 to 150 ° C.
6. The method according to claim 5, wherein the wiring pattern is heated.
The method for producing a film carrier tape for mounting electronic components according to the above item.
１〜０.５μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
第５項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの
製造方法。7. An average thickness of the tin plating layer (a) is 0.0.
6. The method according to claim 5, wherein the thickness is in the range of 1 to 0.5 [mu] m.
層(b)の平均厚さが、０．０１〜０．５μｍの範囲内に
あることを特徴とする請求項第５項記載の電子部品実装
用フィルムキャリアテープの製造方法。8. The electronic component according to claim 5, wherein the average thickness of the tin-plated layer (b) containing substantially no copper is in the range of 0.01 to 0.5 μm. Manufacturing method of film carrier tape for mounting.
ズ含有領域の平均厚さが、０．０１〜０．５μｍの範囲
内にあることを特徴とする請求項第５項記載の電子部品
実装用フィルムキャリアテープの製造方法。9. The electronic component according to claim 5, wherein the average thickness of the copper / tin-containing region where the copper diffusion concentration gradually decreases is in the range of 0.01 to 0.5 μm. Manufacturing method of film carrier tape for mounting.
形成された銅が拡散するスズメッキ層(a)と銅・スズ含
有領域と実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)との
合計の厚さが、０.０２〜０.６μｍの範囲内にあること
を特徴とする請求項第５項記載の電子部品実装用フィル
ムキャリアテープの製造方法。10. A total thickness of a tin plating layer (a) formed on the surface of the wiring pattern made of copper, in which copper diffuses, a copper / tin-containing region, and a tin plating layer (b) containing substantially no copper. The method for producing a film carrier tape for mounting electronic components according to claim 5, wherein the thickness is within a range of 0.02 to 0.6 µm.
スズ含有領域銅における平均銅濃度が、銅が拡散したス
ズメッキ層(a)における平均銅濃度よりも低いことを特
徴とする請求項第５項記載の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造方法。11. The method according to claim 1, wherein said copper diffusion concentration gradually decreases.
6. The method according to claim 5, wherein the average copper concentration in the tin-containing region copper is lower than the average copper concentration in the tin-plated layer (a) in which copper is diffused.
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| JP11321420A JP3076342B1 (en) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | Film carrier tape for mounting electronic components and method of manufacturing the same |
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