JP3068416B2 - 情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体

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JP3068416B2
JP3068416B2 JP6201807A JP20180794A JP3068416B2 JP 3068416 B2 JP3068416 B2 JP 3068416B2 JP 6201807 A JP6201807 A JP 6201807A JP 20180794 A JP20180794 A JP 20180794A JP 3068416 B2 JP3068416 B2 JP 3068416B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体に係り、
光，熱を用いて光学的に情報を記録・再生・消去するこ
とが可能な情報記録媒体、一回書き込み多数回再生が可
能な情報記録媒体、或いは再生のみが可能な情報記録媒
体等であって、濃淡ビット媒体としての情報記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクを高密度化にする技術の一つ
に、超解像ヘッド技術がある。これは、光源からの光を
平行光にした後、その光路中に遮へい板あるいはＶ字型
のプリズムを置くことで、光ディスク上には回折パター
ンが現れ、中央に現れるスポット径が光源の波長で決ま
るスポット径よりも２０％小さくなり、記録密度が１．
５倍となる技術である。この光学系を用いた媒体とし
て、従来より、光磁気ディスクやＭＵＳＥ方式レーザデ
ィスク用の光ディスクがある。
【０００３】これら超解像ヘッド技術に関する公知文献
としては、以下のものが一般に知られている。 公知例（１）：「Ｈigh Ｄensity Ｏptical Ｒecordi
ng by Ｓuperresolution（Ｉnternational Ｓymmpos
ium on Ｏptical Ｍemory １９８９）：Ｔechnical
Ｄigest ，27D −17，pp．99-100，Ｓept ．１９８９」
【０００４】公知例（２）：「超解像光ヘッドによる高
密度光磁気ディスクの再生Ｃ／Ｎ特性（第３９回応用物
理学関係連合講演会講演予稿集Ｎｏ．３）：31p-L-6 ，
p ，1002，１９９２年３月」
【０００５】公知例（３）：「Ｈigh Ｄensity Ｖideo
Ｄisc Ｕsing Ｓuperresolutionand Ｇreen Ｌaser
（Ｉnternational Ｓymmposiumm on Ｏptical Ｍem
ory and Ｏptical Ｄata Ｓtorage）：’９３，Ｔul．
４，Ｊuly １９９３」
【０００６】また、位相差を利用して再生を行う情報記
録媒体としては、ピット形成記録媒体として、 ．Ｐｂ−Ｔｅ−Ｓｅ膜（Ｍ．Ｔerao，et al．：Ｊ．
Ａppl ．Ｐhys ．，62（3 ），1029（１９８７）．）、 ．Ｔｅ−Ｔｉ−Ａｇ−Ｓｅ膜、 ．Ｔｅ−Ｃ膜（市原勝太郎、大川秀樹：エレクトロニ
ク・セラミックス，11月号，Ｐ．5 （１９８７）．Ｍ／
Ｍashita，Ｎ，Ｙasuda ：Ｐroc ．ＳＰＩＥ，329 ，Ｐ
190 （１９８２）．）、 ．ＣＳ2 −Ｔｅ膜（Ｈ．Ｙamazaki ，et al．：Ｒe
v．Ｅlectr ．Ｃommum ．Ｌab．32260 （１９８
４）．）が知られており、また、有機記録膜として、 ．特開昭−６２−１１９７５５号公報に開示された技
術が、既に商品化されている。
【０００７】ここで、上述した位相差を利用して再生信
号を得る媒体，即ち位相差ピット媒体について説明す
る。この位相差ピット媒体は、記録膜への熱光学的な記
録により、記録膜に凹凸の形状変化と光学定数変化を伴
うが、この結果、記録部と未記録部の光路差の違いによ
る位相差が生じることで、任意波長の光ビームを用いた
再生時に、記録部の反射光と未記録部の反射光の位相差
が約（２ｎ＋１）π（但し、ｎ＝０，１，２，３，・・
・）の違いにより、記録部の反射光と未記録部の反射光
が再生光学系で干渉をおこし、反射光が低下し再生信号
として検出できる媒体として知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た位相差を利用して再生信号を得る媒体（即ち、位相差
ピット媒体）においては、超解像光学系に於ける再生ビ
ームの回折パターン中心部のメインローブ成分と回折パ
ターン円周部のサイドローブ成分とが、ディスク面上の
ピット部（記録部）により位相変調を受けることで、メ
インローブ成分とサイドローブ成分とが干渉し合い、再
結像点でのビームプロファイルが変化してピンホールや
スリット通過後の再生信号に位相パターン依存性のある
エッジシフトがおこる。このため、再生信号に歪みが生
じ、ジッタ値が増加するという不都合が生じていた。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに再生時のサイドローブ成分のメインロ
ーブ成分への悪影響を大幅に減少させ且つ高密度記録を
可能とした情報記録媒体を提供することを、その目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
【００１１】請求項１では、透明基板上に、記録膜，反
射膜および紫外線硬化樹脂が順次積層された構造を有
し、情報面上に凹凸の形状変化を有する再生専用の情報
記録媒体であって、再生時に前記記録膜の凹凸の形状変
化によって生じた光路差に起因する凹部と凸部の反射率
の違いにより再生信号を得る情報記録媒体において、情
報面の焦点深度内に、少なくとも一層以上の光干渉膜を
配設する、という構成を採っている。
【００１２】請求項２では、前述した請求項１記載の情
報記録媒体において、情報面上の未記録部の反射率Ｒ
ｍ，吸収率Ａｍ，位相φｍと、前記情報面上の記録部の
反射率Ｒｐ，吸収率Ａｐ，位相φｐの関係を、「Ｒｍ＞
Ｒｐ，Ａｍ≦Ａｐ，ｃｏｓ（φｍ−φｐ）の絶対値＜
１」とする、という構成を採っている。
【００１３】請求項３では、前述した請求項１記載の情
報記録媒体において、情報面上の未記録部の反射率Ｒ
ｍ，吸収率Ａｍ，位相φｍと、情報面上の記録部の反射
率Ｒｐ，吸収率Ａｐ，位相φｐの関係を、「Ｒｍ＜Ｒ
ｐ，Ａｍ≧Ａｐ，ｃｏｓ（φｍ−φｐ）の絶対値＜１」
とする、という構成を採っている。
【００１４】（削除）
【００１５】請求項４では、前述した請求項１記載の情
報記録媒体において、入射ビーム方向に沿った未記録部
における基板の屈折率ｎｏ，光干渉膜の屈折率ｎｘ，記
録膜の屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率ｎｚのそれぞれの関
係を、「ｎｏ＜ｎｘ，ｎｘ＞ｎｙ，ｎｙ＞ｎｚ」とす
る。また、入射ビーム方向に沿った記録部における基板
の屈折率ｎｏ，光干渉膜の屈折率ｎｘ，反射膜の屈折率
ｎｚの関係を、「ｎｏ＜ｎｘ，ｎｘ＞ｎｚ」とする、と
いう構成を採っている。
【００１６】請求項５では、前述した請求項１記載の情
報記録媒体において、光干渉膜を、第一光干渉膜と第二
光干渉膜の積層構造とする。そして、入射ビーム方向に
沿った未記録部における基板の屈折率ｎｏ，第一光干渉
膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の屈折率ｎｘ２ ，記
録膜の屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、「ｎ
ｏ＜ｎｘ１ ，ｎｘ１ ＞ｎｘ２ ，ｎｙ＞ｎｚ」とす
る。また、入射ビーム方向に沿った記録部における基板
の屈折率ｎｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１，第二光干
渉膜の屈折率ｎｘ２ ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、
「ｎｏ＜ｎｘ１ ，ｎｘ１ ＞ｎｘ２ ＞ｎｚ」とする、
という構成を採っている。
【００１７】請求項６では、前述した請求項１記載の情
報記録媒体において、光干渉膜を、第一光干渉膜と第二
光干渉膜の積層構造とする。そして、入射ビーム方向に
沿った未記録部における基板の屈折率ｎｏ，第一光干渉
膜の屈折率ｎｘ1 ，第二光干渉膜の屈折率ｎｘ2 ，記録
膜の屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、「ｎｏ
＜ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎｘ2 ＞ｎｙ＞ｎｚ」とする。ま
た、入射ビーム方向に沿った記録部における基板の屈折
率ｎｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ1 ，第二光干渉膜の
屈折率ｎｘ2 ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、「ｎｏ＜
ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎｘ2 ＞ｎｚ」とする、という構成を
採っている。
【００１８】請求項７では、前述した請求項１記載の情
報記録媒体において、光干渉膜と記録膜との間に誘電体
膜を装備し、光干渉膜を，第一光干渉膜と第二光干渉膜
の積層構造とする。そして、入射ビーム方向に沿った未
記録部における基板の屈折率ｎｏ，第一光干渉膜の屈折
率ｎｘ1 ，第二光干渉膜の屈折率ｎｘ2 ，誘電体膜ｎ，
記録膜の屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、
「ｎｏ＜ｎｘ1 ＜ｎｘ2，ｎｘ2 ＞ｎ≧ｎｙ＞ｎｚ」又
は「ｎｏ＜ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎｘ2 ＞ｎ，ｎ＜ｎｙ，ｎ
ｙ＞ｎｚ」とする。また、入射ビーム方向に沿った記録
部における基板の屈折率ｎｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎ
ｘ1 ，第二光干渉膜の屈折率ｎｘ2 ，誘伝体膜ｎ，反射
膜の屈折率ｎｚの関係を、「ｎｏ＜ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎ
ｘ2 ＞ｎ＞ｎｚ」とする、という構成を採っている。
【００１９】請求項８では、前述した請求項１記載の情
報記録媒体において、光干渉膜を、第一光干渉膜と第二
光干渉膜の積層構造とする。そして、入射ビーム方向に
沿った未記録部における基板の屈折率ｎｏ，第一光干渉
膜の屈折率ｎｘ1 ，第二光干渉膜の屈折率ｎｘ2 ，記録
膜の屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、「ｎｏ
＞ｎｘ1 ，ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎｘ2 ＞ｎｙ＞ｎｚ」とす
る。また、入射ビーム方向に沿った記録部における基板
の屈折率ｎｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ1 ，第二光干
渉膜の屈折率ｎｘ2 ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、
「ｎｏ＞ｎｘ1 ，ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎｘ2 ＞ｎｚ」とす
る、という構成を採っている。
【００２０】請求項９では、前述した請求項１記載の情
報記録媒体において、光干渉膜と記録膜との間に誘電体
膜を装備すると共に、光干渉膜を，第一光干渉膜と第二
光干渉膜の積層構造とする。そして、入射ビーム方向に
沿った未記録部における基板の屈折率ｎｏ，第一光干渉
膜の屈折率ｎｘ1 ，第二光干渉膜の屈折率ｎｘ2 ，誘電
体膜の屈折率ｎ，記録膜の屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率
ｎｚの関係を、「ｎｏ＞ｎｘ1 ，ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎｘ
2 ＞ｎ≧ｎｙ＞ｎｚ」又は「ｎｏ＜ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎ
ｘ2 ＞ｎ，ｎ＜ｎｙ，ｎｙ＞ｎｚ」とする。また、入射
ビーム方向に沿った記録部における基板の屈折率ｎｏ，
第一光干渉膜の屈折率ｎｘ1 ，第二光干渉膜の屈折率ｎ
ｘ2 ，誘電体膜ｎ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、「ｎ
ｏ＞ｎｘ1 ，ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎｘ2 ＞ｎ＞ｎｚ」とす
る、という構成を採っている。
【００２１】請求項１０では、前述した請求項１，８又
は９記載の情報記録媒体において、光干渉膜の屈折率ｎ
を「ｎ＜１．５」とすると共に、当該光干渉膜媒体組織
を、『ＬｉＦ，ＮａＦ，ＫＦ，ＲｂＦ，ＣｓＦ，Ｃａ
Ｆ，ＲｂＣｌ，ＭｇＦ２ ，ＣａＦ２ ，ＳｒＦ２ ，Ｂ
ａＦ２ ，ＢａＭｇＦ４ ，ＬｉＹＦ４ ，Ｎａ２ ＳｂＦ
５ ，ＴｈＦ４ ，ＲｂＣｌＯ３ ，ＮＨ４ ＣｌＯ４ ，
ＬｉＣｌＯ４ ・３Ｈ２Ｏ，ＫＢ５ Ｏ８ ・４Ｈ２ Ｏ，
ＮＨ４ Ｂ５ Ｏ８ ・４Ｈ２ Ｏ，ＢｅＳＯ４ ・４Ｈ２
Ｏ，Ｌｉ２ ＳＯ４ ・Ｈ２ Ｏ，Ｌｉ２ ＳｅＯ４ ・Ｈ
２ Ｏ，ＬｉＫＳＯ４ ，ＬｉＮａＳＯ４ ，ＫＮａ（Ｃ
４ Ｈ４ Ｏ６ ）・４Ｈ２ Ｏ，［ＣＨ２・ＣＦ２ ］
ｎ』の内の少なくとも１組成以上で構成する、とした。
【００２２】請求項１１では、前述した請求項１，８又
は９記載の情報記録媒体において、光干渉膜の屈折率ｎ
を「１．５≦ｎ＜３．０」とする。そして、当該光干渉
膜の媒体組織を、『ダイヤモンドカーボン，ＴｈＦ4 ，
ＮｄＦ3 ,ＣｅＦ3 , ＰｂＦ3 ,
【００２３】ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ2 Ｏ3 ,
ＳｉＯ, ＴｈＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＴｅＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ,
Ｙ2 Ｏ3 , Ｌａ2 Ｏ3 , ＣｅＯ2 ， ＺｒＯ2 ，Ｔａ
2 Ｏ5 ，ＰｂＯ, Ｌａ2 Ｏ2 Ｓ，ＬｉＧａＯ2 ，ＢａＴ
ｉＯ3 , ＳｒＴｉＯ3 , ＰｂＴｉＯ3 , ＫＮｂＯ3 , Ｋ
（Ｔａ．Ｎｂ）Ｏ3 , ＬｉＮｂＯ3 , ＬｉＴａ
Ｏ3 , Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 , Ｐｂ（Ｍｇ
1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 , Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ,
（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ2 ， ＰｂＧｅ
Ｏ3 , Ｌｉ2 ＧｅＯ3 , ＹＡｌＯ3 , ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，
ＣｏＦｅ2 Ｏ4 ，Ｌａ2 Ｂｅ2 Ｏ5 ，（Ｓｒ，Ｂａ）Ｎ
ｂ2 Ｏ6 ，Ｌａ2 Ｔｉ2 Ｏ7 ， Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 ，
Ｂａ2 ＴｉＳｉ2 Ｏ8 ， Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11，Ｂｉ4
Ｇｅ3 Ｏ12，Ｂｉ4 Ｓｉ3 Ｏ12，Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12，
Ｙ3 Ｇａ5 Ｏ12，Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12，Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12，
（Ｇｄ，Ｂｉ）Ｆｅ5 Ｏ12，Ｂａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ12，Ｐ
ｂ2ＫＮｂ5 Ｏ12，Ｓｒ2 ＫＮｂ5 Ｏ15，Ｂａ2 ＬｉＮ
ｂ5 Ｏ12， Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ5 Ｏ15，Ｂａ3 ＴｉＮｂ4
Ｏ15，Ｂｉ12ＧｅＯ20，Ｂｉ12ＳｉＯ20，Ｂｉ12ＴｉＯ
20，Ｃａ12Ａｌ14Ｏ33,
【００２４】ＡｇＣｌ，ＴｌＣｌ，ＣｕＣｌ，ＬｉＢ
ｒ，ＮａＢｒ，ＫＢｒ，ＣｓＢｒ，ＡｇＢｒ，ＴｌＢ
ｒ，ＣｕＢｒ，ＮａＩ，ＫＩ，ＣｓＩ，ＡｇＩ，Ｔｌ
Ｉ，ＣｕＩ，Ｔｌ（Ｂｒ，Ｉ），Ｔｌ（ＣＬ，Ｂｒ）Ｐ
ｂＦ2 ，Ｈｇ2 Ｃｌ2 ，ＬａＦ3 ，ＣｓＰｂＣｌ3 ，Ｂ
ａＭｇＦ4 ，ＢａＺｎＦ4 ，ＬｉＹＦ4 ，Ａｇ2 ＨｇＩ
4 ，Ｎａ2 ＳｂＦ5 ，ＮａＣｌＯ3 ，ＮａＢｒＯ3 ，Ｎ
Ｈ4 ＣｌＯ4 ，ＣｄＨｇ（ＳＣＮ）4 ，
【００２５】ＺｎＳｉＰ2 ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳ
ｉＰ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＨｇＳ，ＨｇＳ
ｅ，ＰｂＳ，ＧａＳｅ，ＺｎＳｎＳｂ2 ，ＬｉＩｎ
Ｓ2 ，ＬｉＩｎＳｅ2 ，ＣｕＡｌＳ2 ， ＣｕＡｌＳｅ
2 ，ＣｕＡｌＴｅ2 ，ＣｕＩｎＳ2，ＣｕＩｎＳｅ2 ，
ＣｕＧａＳ2 ，ＣｕＧａＳｅ2 ，ＡｇＡｌＳ2 ，ＡｇＡ
ｌＳｅ2 ，ＡｇＡｌＴｅ2 ，ＡｇＩｎＳ2 ，ＡｇＩｎＳ
ｅ2 ， ＡｇＩｎＴｅ2 ，ＡｇＧａＳ2 ，ＡｇＧａＳｅ
2 ，ＡｇＧａＴｅ2 ，ＧｅＳ3 ，Ａｓ2 Ｓ3 ，Ａｓ2Ｓ
ｅ3 ，Ａｇ3 ＡｓＳ3 ，ＣｄＧａ2 Ｓ34, Ｔｌ3 ＴａＳ
4 ，Ｔｌ3 ＴａＳｅ4，Ｔｌ3 ＶＳ4 ，Ｔｌ3 ＡＳＳｅ4
，Ｔｌ3 ＰＳｅ4 ，
【００２６】ＧａＮ，ＣａＣＯ3 ，ＮａＮＯ3 ，Ｂａ
（ＮＯ3 ）2 ，Ｓｒ（ＮＯ3 ）2 ，Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 ，
ＮａＮＯ2 ，Ｓｒ（ＮＯ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ，ＬｉＩＯ3 ，
ＫＩＯ3 ，ＮＨ4 ＩＯ3 ， ＫＩＯ2 Ｆ2 ，ＫＩＯ
3 ・ＨＩＯ3 ，Ｋ2 Ｈ（ＩＯ3）2 Ｃｌ，ＬｉＢ
4 Ｏ7 ，
【００２７】Ｋ2 Ｍｎ2 （ＳＯ4 ）3 ，Ｒｂ2 Ｍｎ
2 （ＳＯ4 ）3 ，Ｔｌ2 Ｍｎ2 （ＳＯ4）3 ，（Ｎ
Ｈ4 ）2 Ｍｎ2 （ＳＯ4 ）3 ，（ＮＨ4 ）2 Ｃｄ2 （Ｓ
Ｏ4 ）3 ，ＬｉＨ3 （ＳｅＯ3 ）2 ，ＲｂＨ3 （ＳｅＯ
3 ）2 ，ＮＨ4 （ＳｅＯ3 ）2 ，Ｓｒ2 Ｓ2 Ｏ6 ・４Ｈ
2 Ｏ，ＫＨ2 ＰＯ4 ，ＫＤ2 ＰＯ4 ，ＮＨ4 Ｈ2 Ｐ
Ｏ4 ，ＮＤ4 Ｄ2 ＰＯ4 ，ＲｂＨ2 ＰＯ4 ，ＫＨ2 Ａｓ
Ｏ4 ，ＫＤ2 ＡｓＯ4 ，ＮＨ4ＡｓＯ4 ，Ｒｂ2 ＡｓＯ
4 ，ＲｂＤ2 ＡｓＯ4 ，ＣｓＨ2 ＡｓＯ4 ，ＣｓＤ2 Ａ
ｓＯ4 ，ＫＴｉＯＰＯ4 ，ＲｂＴｉＯＰＯ4 ，（Ｋ，Ｒ
ｂ）ＴｉＯＰＯ4 ，Ｃａ5 （ＰＯ4 ）3 Ｆ，Ｃａ4 Ｌａ
（ＰＯ4 ）3 Ｏ，ＬｉＮｄＰ4 Ｏ12，ＫＮｄＰ4 Ｏ12，
ＮｄＰ5 Ｏ14,
【００２８】ＣａＭｏＯ4 ，ＰｂＭｏＯ4 ，ＣａＷ
Ｏ4 ，ＺｎＷＯ4 ，Ｇｄ2 （ＭｏＯ4 ）3 ，Ｔｂ2 （Ｍ
ｏＯ4 ）3 ，Ｂｉ2 （ＭｏＯ4 ）3 ，Ｋ5 （Ｂｉ，Ｎ
ｄ）（ＭｏＯ4 ）4 ，Ｐｂ2 ＭｏＯ5 ，Ｂｉ2 ＷＯ6 ，
ＹＶＯ4，Ｃａ3 （ＶＯ4 ）2 ，Ｐｂ5 （ＧｅＯ4 ）
（ＶＯ4 ）2 ，
【００２９】Ｇｄ2 ＳｉＯ5 ，Ａｌ2 （ＳｉＯ4 ）Ｆ，
ＣａＹ4 （ＳｉＯ4 ）3 Ｏ，ＣａＬａ4 （ＳｉＯ4 ）3
Ｏ，ＳｒＬａ4 （ＳｉＯ4 ）3 Ｏ，（ＮａＣａ）Ｌｉ
（Ａ，ＦｅＭｎ）8 ，Ｂｅ3 Ｌａ2 Ｓｉ6 Ｏ18，
【００３０】Ｃ14Ｈ10 ,Ｃ24Ｈ18 ,ＣＯ（ＮＨ2 ）2 Ｌ
ｉ（ＣＯＯＨ）・Ｈ2 Ｏ，Ｂａ（ＣＯＯＨ）2 ，Ｐｂ2
Ｓｒ（ＣＨ3 ＣＨ2 ＣＯＯ）6 ， Ｃ4 Ｈ6 Ｏ6 ，
（ＮＨ4 ＣＨ2 ＣＯＯＨ）3 Ｈ2 ＳＯ3 ，Ｃ4 Ｈ3 Ｎ3
Ｏ4 ，（ＣＨ2 ）6 Ｎ4，（Ｃ6 Ｈ5 ＣＯ）2 ，Ｃ6 Ｈ
4 ＮＯ2 ＮＨ2 ，Ｃ6 Ｈ4 （ＯＨ）2 ，Ｃ6 Ｈ4 （ＮＨ
4 ）ＯＨ，Ｃ5 Ｈ3 ＮＯＣＨ3 ＮＯ2 ，Ｃ6 Ｈ4 （ＣＯ
2 ）2 ＨＣｓ，Ｃ6 Ｈ4 （ＣＯ2 ）2 ＨＲｂ，Ｃ6 Ｈ3
ＮＯ2 ＣＨ3 ＮＨ2 ，Ｃ6 Ｈ3 ＣＨ3 （ＮＨ2 ）2 ，Ｃ
6 Ｈ2 （ＮＯ2 ）3 ＯＨ，ＫＨ（Ｃ8 Ｈ4 Ｏ4 ），Ｃ10
Ｈ14Ｏ,Ｃ10Ｈ11Ｎ3 Ｏ6 ，Ｃ10Ｈ13Ｎ5 Ｏ4 ，Ｃ14Ｈ
17ＮＯ2 ，〔ＣＨ2 ・ＣＦ2 〕ｎ，〔ＣＨ2 ・ＣＨＦ〕
ｎ 』の内の少なくとも１組成以上で構成する、とし
た。
【００３１】請求項１２では、前述した請求項１，８又
は９記載の情報記録媒体において、光干渉膜の屈折率ｎ
を「ｎ≧３．０」とする。そして、当該光干渉膜媒体組
織を、『Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｅ，Ｔｅ，ＺｎＴｅ，ＰｂＴ
ｅ，ＩｎＳｅ，ＴＩＧａＳｅ2 ，ＡｇＳｂＳｅ3 ，ＴＩ
3 ＡｓＳｅ3 ，ＣｕＧａＴｅ2 ，ＣｕＩｎＴｅ2 ，Ｚｎ
ＳｉＡｓ2 ，ＺｎＧｅＰ2 ，ＺｎＧｅＡｓ2 ，ＺｎＳｎ
Ｐ2 ，ＺｎＳｎＡｓ2 ，ＣｄＳｉＡｓ2 ，ＣｄＧｅ
Ｐ2 ，ＣｄＧｅＡＳ2 ，ＣｄＳｎＰ2 ，ＣｄＳｎＡ
ｓ2 ，ＧａＰ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＧａＰ，ＩｎＰ，
ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ，Ｓｂ2 Ｓ3 ，（Ｇａ，ＡＩ）Ａ
ｓ，Ｇａ（Ａｓ，Ｐ），（Ｇａ，ＡＩ）Ｓｂ，（ＩｎＧ
ａ）（ＡｓＰ），ＣｄＧｅＡｓ2 ，Ｇｅ27Ｓｅ18Ｔ
ｅ55，Ｉｎ22Ｓｂ33Ｔｅ45，Ｉｎ22，Ｓｂ37Ｔｅ41，Ｉ
ｎ20Ｓｂ37Ｔｅ43，Ｉｎ32Ｓｂ40Ｔｅ28, Ｓｂ56Ｓｅ40
Ｚｎ4 ，Ｓｂ44Ｓｅ29Ｚｎ27，Ｓｂ34Ｓｅ58Ｓｎ8 ，Ｓ
ｅ52Ｇｅ27Ｓｎ21，Ｔｅ64Ｓｂ6 Ｓｎ30，Ｓｅ66Ｓｂ24
Ｇｅ10，Ｔｅ80Ｓｅ10Ｓｂ10，ＧｅＳｂ2 Ｔｅ4 ，Ｔｅ
Ｏｘ，ＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ2 』の内の少なくとも一組
成以上で構成する、とした。
【００３２】請求項１３では、前述した請求項１，８，
９又は１２記載の情報記録媒体において、光干渉膜を、
アモルファスＳｉの水素含有合金で且つ光熱調整機能を
備えた構成とする。そして、当該光干渉膜の膜厚方向の
平均組成を「Ｓｉ1-X ＨX 」で表した場合に、ｘを原子
パーセントで「（２８／４７）≦ｘ≦（２８／２９）」
の範囲に設定する、という構成を採っている。
【００３３】請求項１４では、前述した請求項１，８，
９又は１２記載の情報記録媒体において、光干渉膜を、
微結晶化Ｓｉの水素含有合金で構成する。そして、当該
光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「Ｓｉ1-X ＨX 」で表
した場合に、ｘを原子パーセントで「（２８／４７）≦
ｘ≦（２８／３７）」の範囲に設定する、という構成を
採っている。
【００３４】請求項１５では、前述した請求項１，８，
９又は１２記載の情報記録媒体において、光干渉膜を、
アモルファスＳｉＣの水素含有合金で構成する。そし
て、当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「（ＳｉＣ）
1-X ＨX 」で表した場合に、ｘを原子パーセントで
「（４０／４９）≦ｘ≦（４０／４１）」の範囲に設定
する、という構成を採っている。
【００３５】請求項１６では、前述した請求項１，８，
９又は１２記載の情報記録媒体において、光干渉膜を、
アモルファスＳｉＧｅの水素含有合金で構成する。そし
て、当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「（ＳｉＧ
ｅ）1-X ＨX 」で表した場合に、ｘを原子パーセントで
「（５０３／５９８）≦ｘ≦（５０３／５１８）」の範
囲に設定する、という構成を採っている。
【００３６】請求項１７では、前述した請求項１，８，
９，１１又は１２記載の情報記録媒体において、光干渉
膜を、アモルファスＳｉの窒化物で構成する。そして、
当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「Ｓｉ1-X ＮX 」
で表した場合に、ｘを原子パーセントで「０≦ｘ≦（４
／７）」の範囲に設定する、という構成を採っている。
【００３７】請求項１８では、前述した請求項１，８，
９，１１又は１２記載の情報記録媒体において、光干渉
膜を、アモルファスＳｉの酸化物で構成する。そして、
当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「Ｓｉ1-X ＯX 」
で表した場合に、ｘを原子パーセントで「０≦ｘ≦（２
／３）」の範囲に設定する、という構成を採っている。
【００３８】請求項１９では、前述した請求項１，４，
５，６，７，８又は９記載の情報記録媒体において、光
干渉膜を、屈折率ｎが「ｎ＜１．５」である光干渉膜用
の媒体と，屈折率ｎが「１．５≦ｎ＜３．０」光干渉膜
用の媒体，および屈折率ｎが「ｎ≧３．Ｏ」である光干
渉膜用の媒体の内の、少なくとも屈折率の異なる二種類
以上の媒体を混ぜ合わせるとによって形する、という構
成を採っている。
【００３９】請求項２０では、前述した請求項１，２，
３，４，５，６，７，８又は９記載の情報記録媒体にお
いて、光干渉膜を、少なくとも１種類以上の元素単体
と、一種類以上のカルコゲナイド化合物とにより形成す
る、という構成を採っている。
【００４０】請求項２１では、前述した請求項１，２，
３，４，５，６，７，８又は９記載の情報記録媒体にお
いて、光干渉膜を、少なくともアンモチン，亜鉛，錫，
鉛，銅，銀，金，インジウム，ゲルマニウムのいずれか
１種類の元素と、１種類以上のカルコゲナイド化合物と
により形成する、という構成を採っている。
【００４１】請求項２２では、前述した請求項１，２，
３，４，５，６，７，８又は９記載の情報記録媒体にお
いて、光干渉膜を、少なくともアンモチン，亜鉛，錫，
鉛，銅，銀，金，インジウム，ゲルマニウムのいずれか
１種類の元素と、この１種類以上の各元素とカルコゲナ
イド化合物との二元化合物とにより形成する、という構
成を採っている。
【００４２】請求項２３では、前述した請求項１，２，
３，４，５，６，７，８又は９記載の情報記録媒体にお
いて、光干渉膜を、インジウムとテルル間に生成する化
合物と、アンチモンとテルル間に生成する化合物とを素
材として形成する、という構成を採っている。
【００４３】請求項２４では、前述した請求項１，２，
３，４，５，６，７，８又は９記載の情報記録媒体にお
いて、光干渉膜を、少なくとも酸素，窒素，フッ素の内
のいずれか１種類の元素と１種類以上のカルコゲナイド
化合物とから成る素材をもって形成する、という構成を
採っている。これによって、前述した目的を達成しよう
とするものである。
【００４４】
【作 用】本発明の情報記録媒体は、上述したように、
透明基板上に凹凸の形状変化を有する記録膜と少なくと
も一層以上の光干渉膜が前述した情報面の焦点深度内に
位置するように形成されている。このため、記録部と未
記録部の反射率，吸収率，透過率および位相が調整さ
れ、これによって超解像ヘッドによる再生信号の特性が
向上する。
【００４５】光干渉膜が位相差ピット媒体の焦点深度内
に位置すると、レーザビームの進入光は情報面と光干渉
膜との間で光学干渉を起こし、反射光は再生光学系に戻
る前に反射率の変化を生じ、光路差の異なる記録部と未
記録部は反射率に違いが生じて濃淡ピット媒体となる。
【００４６】光干渉膜を有する情報記録媒体は、光学的
に平行平面の多層膜となり、凹凸形状変化を有する記録
膜のピット部（記録部）とミラー部（未記録部）は、各
々媒体構成の異なる多層膜と見なせる。この多層膜の構
成内容の異なる記録部と未記録部は、光干渉膜の膜厚，
種類，構成等を変化させることで、記録部では反射率が
小，未記録部では大、或いは対照的に記録部では反射率
が大，未記録部では小とすることが可能となる。
【００４７】
【００４８】光干渉膜の存在は、光学的な膜厚（ｎｄ：
屈折率ｎと膜厚ｄの積）が新たに加わることを意味し、
ピット部（記録部）とミラー部（未記録部）の位相差を
減少させることが可能となる。
【００４９】更に、本発明の光干渉膜を用いると、記録
膜の形状変化が浅くとも、つまり凹凸の割合が小さくと
も、光干渉膜の調整により十分な反射率差を得ることが
可能となる。また、逆に、ピット部（記録部）の形状を
良くするため、凹凸の深いピットを形成しても、光干渉
膜の調整により十分な反射率差を得ることが可能とな
る。
【００５０】本発明の情報記録媒体（濃淡ピット媒体）
を超解像光学系で再生した場合、位相ピット媒体に比べ
て次のような利点がある。濃淡ピット媒体はピット部
（記録部）或いはミラー部（未記録部）の反射率を低く
抑える事（例えば１０％以下）が可能である。このため
サイドローブ成分で検出される位相の異なり戻り光の反
射光量の絶対量が低くなり、再生光学系でメインローブ
成分の戻り光と干渉を起こす割合が相対的に低下する。
【００５１】また、濃淡ピット媒体はピット部（記録
部）或いはミラー部（未記録部）の位相差が小さくメイ
ンローブ成分の戻り光とサイドローブの戻り光の干渉作
用を抑えることが可能となる。
【００５２】超解像光学系を用いて濃淡ピット媒体の再
生を行うと、サイドローブ成分の位相の異なる戻り光の
反射光量の絶対量が低くなる効果とピット部（記録部）
或いはミラー部（未記録部）の位相差が小さくなる効果
により、メインローブ成分戻り光とサイドローブ成分の
戻り光が再生光学系で干渉作用を防止でき、再結像点で
のビームプロファイルが変形されるのを防ぎ、ピンホー
ルやスリット通過後の再生信号のエッジシフトが無くな
り、再生信号の歪が無くなりジッタ値が減少する。
【００５３】
【第１実施例】以下、本発明の第１実施例を図１乃至図
６に基づいて説明する。
【００５４】まず、図１に、光干渉膜を用いた情報記録
媒体の一例を示す。この図１に示す第１実施例において
は、光ビームが進入する図１の下方から、透明基板であ
るＳｉＯ2 製のガラス基板１上に、光干渉膜であるＳｉ
光干渉膜２，記録膜である凹凸の形状変化を有するレジ
スト記録膜３，反射膜であるアルミニウム製（Ａｌ）反
射膜４，および紫外線硬化樹脂５が、順次積層されてい
る。
【００５５】それぞれの厚さは、ガラス基板１が１．２
〔ｍｍ〕，Ｓｉ光干渉膜２が３０〔ｎｍ〕，レジスト記
録膜３が１００〔ｎｍ〕，Ａｌ反射膜４が６０〔ｎ
ｍ〕，紫外線硬化樹脂５が５０〔μｍ〕に設定されてい
る。また、図１において、符号４ａはピット部（記録
部）を示し、符号４ｂはミラー部（未記録部）を示す。
【００５６】そして、この図１に示す実施例において、
上記内容のもとに作製した試作ディスクによって再生評
価を行った。この結果、Ｓｉ光干渉膜２が無い場合に比
較して、Ｓｉ光干渉膜２が３０〔ｎｍ〕の場合、反射率
は、未記録部４ｂで７７．９１％（ディスク自体の反射
率を測定）、記録部４ａで３５．７１％（ガラスサンプ
ル上にＳｉ光干渉膜２を３０〔ｎｍ〕，Ａｌ反射膜４，
６０〔ｎｍ〕を成膜して、ガラス基板面より反射率を測
定）を得ることができた。
【００５７】また、Ｓｉ光干渉膜が９８０〔ｎｍ〕のと
き、反射率は、ミラー部（未記録部）４ｂで５２．６７
％、記録部４ａで８．７３％であった。更に、本実施例
における情報記録媒体は、再生信号に超解像光学系によ
る歪みが発生していないこと及び情報記録媒体が濃淡ピ
ット媒体と成っていることを確認することができた。
【００５８】図２は、上記図１に示した第１実施例にお
ける情報記録媒体の媒体構成において、Ｓｉ光干渉膜２
の膜厚変化に対する、ミラー部（未記録部）４ｂとピッ
ト部（記録部）４ａの反射率と位相差の変化を、１８０
〔ｎｍ〕の光ビームの波長に基づいて算定した光学計算
結果である。図中、実線はミラー部（未記録部）４ｂの
反射率、破線はピット部４ａの反射率、＋はミラー部４
ｂとピット部４ａの位相差を示す。
【００５９】この光学計算結果より、Ｓｉ光干渉膜２の
膜厚ｄ（Ｓｉ）範囲が、「３０〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦
４５〔ｎｍ〕，１２５〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦１３０
〔ｎｍ〕」のとき、十分な反射率差を検出し得ることが
明らかとなった。また、超解像光学系を用いた再生にお
いて、ピット部４ａの反射光量が最小で、且つミラー部
４ｂとピット部４ａの位相差が最小となるＳｉ光干渉膜
２の膜厚範囲は、「１２５〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦１３
０〔ｎｍ〕」であることが明らかとなった。
【００６０】そして、この図２より、Ｓｉ光干渉膜２の
膜厚範囲「８０〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦９５〔ｎｍ〕」
においては、ミラー部４ｂとピット部４ａの反射率を逆
転させることが可能となり、このため、ミラー部４ｂの
反射率が低下することで隣接ピット間のノイズが低下し
高密度化が可能となる。
【００６１】ここで、上記図１における濃淡ピット部媒
体のミラー部４ｂにおける反射率と位相差のレジスト記
録膜に対する膜厚依存性を検討してみた。図３にその光
学計算結果を示す。同時に、Ｓｉ光干渉膜２を設けない
場合の位相差ピット媒体のミラー部における、反射率と
位相差のレジスト記録膜に対する膜厚依存性を検討して
みた。
【００６２】図４にその光学計算結果を示す（位相差は
レジスト記録膜膜厚１００〔ｎｍ〕の時のミラー部の位
相差〈φ＝０〔ｄｅｇ〕〉を基準として示した）。図
中、実線はミラー部の反射率、＋はミラー部とピット部
の位相差を示す。
【００６３】この結果、Ｓｉ光干渉膜２を設けない場合
の位相差ピット媒体では反射率はレジスト記録膜の膜厚
によらず一定であるのに対し、濃淡ピット媒体では反射
率がレジスト記録膜の減少に従って低下しており、レジ
スト記録膜が０〔ｎｍ〕のピット部では、反射率が１０
％となり、十分な反射率差が得られることが明らかとな
った。
【００６４】また、Ｓｉ光干渉膜２を設けない場合の位
相差ピット媒体においては、位相差はレジスト記録膜膜
厚の減少に従ってリニアな増加を示しているのに対し、
濃淡ピット媒体ではＳｉ光干渉膜２により、位相差の増
加割合を低く抑えることが可能であることも明らかとな
った。
【００６５】図５は、上述した図３および図４に基づい
て、濃淡ピット媒体のピット断面の反射率依存性を示し
たもので、実線はピット断面形状、長破線は位相差ピッ
ト媒体の反射率、短破線は濃淡ピット媒体の反射率を示
す。ここで、ピット斜面の反射光は全て光の入射方向に
反射するものと仮定した。
【００６６】この結果、Ｓｉ光干渉膜２を設けない場合
の位相差ピット媒体においては、ピット形状によらず，
反射率が８４％でほぼ一定であるのに対し、濃淡ピット
媒体では一定の勾配を有するピット斜面にも拘らず反射
率は急激な減少を示すことが判明した。
【００６７】更に、図６では、上述した図３および図４
に基づいて、濃淡ピット媒体のピット断面の位相差依存
性を示すもので、実線はピット断面形状、長破線は位相
差ピット媒体の位相差、短破線は濃淡ピット媒体の位相
差を示す。ここで、ピット斜面の反射光は全て光の入射
方向に反射するものと仮定した。この結果、Ｓｉ光干渉
膜２を設けない場合の位相差ピット媒体に比べて、濃淡
ピット媒体は位相差が減少しており、ピット斜面での位
相差の変化が鋭いことが明らかとなった。
【００６８】そして、上述した検討の結果、図５および
図６より、Ｓｉ光干渉膜２を設けない場合の位相差ピッ
ト媒体は位相差の大きな反射光がそのまま反射される
が、濃淡ピットでは位相差の大きい領域で反射率が低
く、従って、超解像光学系による再生時にサイドローブ
成分の影響が少なくなることが判明した。
【００６９】
【第２実施例】次に、第２実施例を図７乃至図９に基づ
いて説明する。
【００７０】まず、図７においては、光ビームが進入す
る図７の下方から、透明基板であるＳｉＯ2 製のガラス
基板１１上に、第１の光干渉膜であるＳｉ光干渉膜１２
Ａ，第２の光干渉膜であるＳｉ3 Ｎ4 光干渉膜１２Ｂ，
記録膜である凹凸の形状変化を有するレジスト記録膜１
３，反射膜であるアルミニウム製（Ａｌ）反射膜１４，
および紫外線硬化樹脂１５が、順次積層されている。
【００７１】それぞれ厚さは、ガラス基板１１が１．２
〔ｍｍ〕、第一光干渉膜であるＳｉ光干渉膜１２Ａが３
０〔ｎｍ〕、第二光干渉膜であるＳｉ3 Ｎ4 光干渉膜１
２Ｂが９０〔ｎｍ〕、レジスト記録膜１３が１００〔ｎ
ｍ〕，Ａｌ反射膜１４が６０〔ｎｍ〕，紫外線硬化樹脂
１５が５０〔μｍ〕に設定されている。また、図１にお
いて、符号１４ａはピット部（記録部）を示し、符号１
４ｂはミラー部（未記録部）を示す。
【００７２】また、屈折率については、入射ビーム方向
から、ガラス基板１１の屈折率ｎｏ，第一光干渉膜１２
Ａの屈折率ｎｘ1 ，第二光干渉膜１２Ｂの屈折率ｎ
ｘ2 ，レジスト記録膜１３の屈折率ｎｙ，Ａｌ反射膜１
４の屈折率ｎｚとすると、その各関係は、ミラー部（未
記録部）１４ｂにおいては 「ｎｏ＜ｎｘ1 ，ｎｘ1 ＞
ｎｘ2 ＞ｎｙ＞ｎｚ」であり、ピット部（記録部）１４
ａにおいては「ｎｏ＜ｎｘ1 ，ｎｘ1 ＞ｎｘ2 ＞ｎｚ」
に設定されている。
【００７３】図８および図９は、図７に示す情報記録媒
体の媒体構成において、第一光干渉膜であるＳｉ光干渉
膜１２Ａの膜厚変化に対する、ミラー部１４ｂとピット
部１４ａの反射率と吸収率の変化を、６８０〔ｎｍ〕の
光ビームの波長において検討した光学計算結果を示す。
【００７４】ここで、図８はミラー部１４ｂの場合を示
し、図９はピット部１４ａの場合を示す。図中、□印は
反射率、■印は吸収率を示す。
【００７５】この結果、Ｓｉの膜厚ｄ（Ｓｉ）範囲が、
「３５〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦４５〔ｎｍ〕」，「１１
５〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦１３５〔ｎｍ〕」のときに、
ミラー部１４ｂの反射率Ｒｍとピット部１４ａの反射率
Ｒｐの関係が「Ｒｍ＜Ｒｐ」となるに十分な反射率差を
検出できることが判明した。
【００７６】
【第３実施例】次に、第３実施例を図１０乃至図１２に
基づいて説明する。
【００７７】まず、図１０においては、光ビームが進入
する図１０の下方から、透明基板であるＳｉＯ2 製のガ
ラス基板２１上に、第１の光干渉膜であるＴｉＯ2 光干
渉膜２２Ａ，第２の光干渉膜であるＳｉ光干渉膜２２
Ｂ，記録膜である凹凸の形状変化を有するレジスト記録
膜２３，反射膜であるアルミニウム製（Ａｌ）反射膜２
４，および紫外線硬化樹脂２５が、順次積層されてい
る。
【００７８】それぞれ厚さは、ガラス基板２１が１．２
〔ｍｍ〕，第一光干渉膜であるＴｉＯ2 光干渉膜２２Ａ
が５０〔ｎｍ〕，第二光干渉膜であるＳｉ光干渉膜２２
Ｂが８５〔ｎｍ〕，レジスト記録膜２３が１００〔ｎ
ｍ〕，Ａｌ反射膜２４が６０〔ｎｍ〕，紫外線硬化樹脂
２５が５０〔μｍ〕に設定されている。また、図１０に
おいて、符号２４ａはピット部（記録部）を示し、符号
２４ｂはミラー部（未記録部）を示す。
【００７９】また、屈折率については、入射ビーム方向
から、ガラス基板２１の屈折率ｎｏ，第一光干渉膜２２
Ａの屈折率ｎｘ1 ，第二光干渉膜２２Ｂの屈折率ｎ
ｘ2 ，レジスト記録膜２３の屈折率ｎｙ，Ａｌ反射膜２
４の屈折率ｎｚとすると、その各関係は、ミラー部（未
記録部）２４ｂにおいては 「ｎｏ＜ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，
ｎｘ2 ＞ｎｙ＞ｎｚ」であり、ピット部（記録部）２４
ａにおいては「ｎｏ＜ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎｘ2 ＞ｎｚ」
に設定されている。
【００８０】図１１および図１２は、図１０に示す情報
記録媒体の媒体構成において、第二光干渉膜であるＳｉ
光干渉膜２２Ｂの膜厚変化に対する、ミラー部２４ｂと
ピット部２４ａの反射率と吸収率の変化を、６８０〔ｎ
ｍ〕の光ビームの波長において検討した光学計算結果を
示す。
【００８１】ここで、図１１はミラー部２４ｂの場合を
示し、図１２はピット部２４ａの場合を示す。図中、□
印は反射率、■印は吸収率を示す。
【００８２】この結果、Ｓｉ光干渉膜２２Ｂの膜厚ｄ
（Ｓｉ）範囲が「８０〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦９０〔ｎ
ｍ〕」のとき、ミラー部２４ｂの反射率Ｒｍ、吸収率Ａ
ｍとピット部２４ａの反射率Ｒｐ、吸収率Ａｐの関係が
「Ｒｍ＞Ｒｐ，Ａｍ＝Ａｐ（ほぼ等しい）」となるに十
分な反射率差を検出できることが判明した。また、吸収
率差が等しくできるので、記録膜にオーバーライトが可
能な媒体構成に適している。
【００８３】
【第４実施例】次に、第４実施例を図１３乃至図１５に
基づいて説明する。
【００８４】まず、図１３においては、光ビームが進入
する図１３の下方から、透明基板であるＳｉＯ2 製のガ
ラス基板３１上に、第一光干渉膜であるＣａＦ光干渉膜
３２Ａ，第二光干渉膜であるＳｉ光干渉膜３２Ｂ，記録
膜である凹凸の形状変化を有するレジスト記録膜３３，
反射膜であるアルミニウム製（Ａｌ）反射膜３４，およ
び紫外線硬化樹脂３５が、順次積層されている。
【００８５】それぞれ厚さは、ガラス基板３１が１．２
〔ｍｍ〕、第一光干渉膜であるＣａＦ光干渉膜３２Ａが
１００〔ｎｍ〕、第二光干渉膜であるＳｉ光干渉膜３２
Ｂが８５〔ｎｍ〕、レジスト記録膜３３が１００〔ｎ
ｍ〕，Ａｌ反射膜３４が６０〔ｎｍ〕，紫外線硬化樹脂
３５が５０〔μｍ〕に設定されている。また、図１３に
おいて、符号３４ａはピット部（記録部）を示し、符号
３４ｂはミラー部（未記録部）を示す。
【００８６】また、屈折率については、入射ビーム方向
から、ガラス基板３１の屈折率ｎｏ，第一光干渉膜３２
Ａの屈折率ｎｘ1 ，第二光干渉膜３２Ｂの屈折率ｎ
ｘ2 ，レジスト記録膜３３の屈折率ｎｙ，Ａｌ反射膜３
４の屈折率ｎｚとすると、その各関係は、ミラー部（未
記録部）３４ｂにおいては「ｎｏ＞ｎｘ1 ＜ｎｘ2 ，ｎ
ｘ2 ＞ｎｙ＞ｎｚ」であり、ピット部（記録部）３４ａ
においては「ｎｏ＞ｎｘ1＜ｎｘ2 ，ｎｘ2 ＞ｎｚ」に
設定されている。
【００８７】図１４および図１５は、図１３に示す情報
記録媒体の媒体構成において、第二光干渉膜であるＳｉ
光干渉膜３２Ｂの膜厚変化に対する、ミラー部３４ｂと
ピット部３４ａの反射率と吸収率の変化を、６８０〔ｎ
ｍ〕の光ビームの波長において検討した光学計算結果を
示す。
【００８８】ここで、図１４はミラー部３４ｂの場合を
示し、図１５はピット部３４ａの場合を示す。図中、□
印は反射率、■印は吸収率を示す。
【００８９】この結果、Ｓｉ光干渉膜１２Ｂの膜厚ｄ
（Ｓｉ）範囲が「３５〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦４５〔ｎ
ｍ〕，１１５〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦１３０〔ｎｍ〕」
のとき、ミラー部３４ｂの反射率Ｒｍとピット部３４ａ
の反射率Ｒｐの関係が「Ｒｍ＞Ｒｐ」であり、且つピッ
ト部３４ａの反射率を１０％以下に低くすることが可能
となり、十分な反射率差を得ることが判明した。
【００９０】
【第５実施例】次に、第５実施例を図１６乃至図１８に
基づいて説明する。
【００９１】まず、図１６においては、光ビームが進入
する図１６の下方から、透明基板であるＳｉＯ2 製のガ
ラス基板４１上に、第一光干渉膜であるＳｉ光干渉膜４
２Ａ，第二光干渉膜であるＣａＦ光干渉膜４２Ｂ，記録
膜である凹凸の形状変化を有するレジスト記録膜４３，
反射膜であるアルミニウム製（Ａｌ）反射膜４４，およ
び紫外線硬化樹脂４５が、順次積層されている。
【００９２】それぞれ厚さは、ガラス基板４１が１．２
〔ｍｍ〕、第一光干渉膜であるＳｉ光干渉膜４２Ａが３
５〔ｎｍ〕、第二光干渉膜であるＣａＦ光干渉膜４２Ｂ
が１２０〔ｎｍ〕、レジスト記録膜４３が１００〔ｎ
ｍ〕，Ａｌ反射膜４４が６０〔ｎｍ〕，紫外線硬化樹脂
４５が５０〔μｍ〕に設定されている。また、図１６に
おいて、符号４４ａはピット部（記録部）を示し、符号
４４ｂはミラー部（未記録部）を示す。
【００９３】また、屈折率については、入射ビーム方向
から、ガラス基板４１の屈折率ｎｏ，第一光干渉膜４２
Ａの屈折率ｎｘ1 ，第二光干渉膜４２Ｂの屈折率ｎ
ｘ2 ，レジスト記録膜４３の屈折率ｎｙ，Ａｌ反射膜４
４の屈折率ｎｚとすると、その各関係は、ミラー部（未
記録部）４４ｂにおいては 「ｎｏ＜ｎｘ1 ，ｎｘ1 ＞
ｎｘ2 ＞ｎｙ＞ｎｚ」であり、ピット部（記録部）４４
ａにおいては「ｎｏ＜ｎｘ1 ，ｎｘ1 ＞ｎｘ2 ＞ｎｚ」
に設定されている。
【００９４】図１７および図１８は、図１６に示す情報
記録媒体の媒体構成において、第一光干渉膜であるＳｉ
光干渉膜４２Ａの膜厚変化に対する、ミラー部４４ｂと
ピット部４４ａの反射率と吸収率の変化を、６８０〔ｎ
ｍ〕の光ビームの波長において検討した光学計算結果を
示す。
【００９５】ここで、図１７はミラー部（未記録部）４
４ｂの場合を示し、図１８はピット部４４ａの場合を示
す。図中、□印は反射率，■印は吸収率を示す。
【００９６】この結果、Ｓｉ光干渉膜４２Ａの膜厚ｄ
（Ｓｉ）範囲が「４０〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦４５〔ｎ
ｍ〕，１２０〔ｎｍ〕≦ｄ（Ｓｉ）≦１３５〔ｎｍ〕」
のとき、ミラー部４４ｂの反射率Ｒｍとピット部４４ａ
の反射率Ｒｐの関係が「Ｒｍ＜Ｒｐ」であり、且つミラ
ー部４４ｂの反射率を１０％以下に低くすることが可能
となり、十分な反射率差を得ることが判明した。
【００９７】
【第６実施例】次に、第６実施例を図１９に基づいて説
明する。
【００９８】この図１９においては、光ビームが進入す
る図１９の下方から、透明基板であるＳｉＯ2 製のガラ
ス基板５１上に、光干渉膜であるＳｉ光干渉膜５２，第
一誘電体保護膜５３Ａ，記録膜である凹凸の形状変化を
有するレジスト記録膜５４，第二誘電体保護膜５３Ｂ，
反射膜であるアルミニウム製（Ａｌ）反射膜５５，およ
び紫外線硬化樹脂５６が、順次積層されている。
【００９９】それぞれ厚さは、ガラス基板５１が１．２
〔ｍｍ〕，Ｓｉ光干渉膜５２が３５〔ｎｍ〕，第一誘電
体保護膜５３Ａが１２０〔ｎｍ〕，レジスト記録膜５４
が１００〔ｎｍ〕，第二誘電体保護膜５３Ｂが６０〔ｎ
ｍ〕，Ａｌ反射膜５５が６０〔ｎｍ〕，紫外線硬化樹脂
５６が５０〔μｍ〕に設定されている。
【０１００】また、屈折率については、入射ビーム方向
から、ガラス基板５１の屈折率ｎｏ，光干渉膜５２の屈
折率ｎｘ，第一誘電体保護膜５３Ａの屈折率ｎ1 ，レジ
スト記録膜５４の屈折率ｎｙ，第二誘電体保護膜５３Ｂ
の屈折率ｎ2 ，Ａｌ反射膜５５の屈折率ｎｚとすると、
その各関係は、「ｎｏ＜ｎｘ，ｎｘ＞ｎ1 ，ｎ1 ＜ｎ
ｙ，ｎｙ＞ｎ2 ＞ｎｚ」に設定されている。
【０１０１】次に、上記各実施例の主要部をなす光干渉
膜の作用について説明する。
【０１０２】光干渉膜が位相差ピット媒体の焦点深度内
に位置すると、レーザビームの進入光は情報面と光干渉
膜との間で光学干渉を起こし、反射光は再生光学系に戻
る前に反射率の変化を生じ、光路差の異なる記録部と未
記録部は反射率に違いが生じ濃淡ピット媒体となる。
【０１０３】光干渉膜の作用は、薄膜光学の理論つまり
マクスウェルの電磁波理論を層状媒質を通過する光に適
用した理論に基づいている。つまり、電磁場の境界条件
を用いる方法により、多層膜の系全体のエネルギー反射
率Ｒ，エネルギー透過率Ｔ，ｊ層でのエネルギー吸収率
Ａ，および位相φは、基板面上にある単層膜の振幅反射
係数ｒ1-1 、振幅透過係数ｔ1-1 から出発して、順次ｒ
1-2 ，ｒ1-3 ・・・、ｔ1-2 ，ｔ1-3 ・・・を計算すれ
ば全てのｒj ，ｔj を求めることにより必然的に決まる
（ここで、添え字ｊは「ｊ＝１，２，・・・」の単層の
番号を示す）。
【０１０４】光干渉膜を有する情報記録媒体は、光学的
に平行平面の多層膜となり、凹凸形状変化を有する記録
膜の記録部と未記録部は、各々媒体構成の異なる多層膜
と見なせる。多層膜の構成内容の異なるピット部（記録
部）とミラー部（未記録部）は、光干渉膜の膜厚，種
類，構成を変化させることで、記録部では反射率が小，
未記録部では大、あるいは対照的に記録部では反射率が
大，未記録部では小、とすることが可能となる。
【０１０５】また、オーバーライトが可能な情報記録媒
体では、反射率差を小さくして吸収率を等しく，あるは
逆転させてオーバライトを行い易くすることも可能とな
る。記録部の膜構成と未記録部の膜構成が各々反射防止
膜あるいは反射増加膜として作用しているためである。
【０１０６】光干渉膜の存在は、光学的な膜厚（ｎｄ：
屈折率ｎと膜厚ｄの積）が新たに加わることを意味し、
これによって、ピット部（記録部）とミラー部（未記録
部）の位相差を減少させることが可能となる。
【０１０７】更に、本実施例の光干渉膜を用いると、記
録膜の形状変化が浅くとも、つまり凹凸の割合が小さく
ても、光干渉膜の調整によって十分な反射率差を得るこ
とが可能となる。また逆に、ピット部（記録部）の形状
を良くするため、凹凸の深いピットを形成しても、光干
渉膜の調整により十分な反射率差を得ることが可能とな
る。
【０１０８】更に、上記実施例にかかる濃淡ピット媒体
を超解像光学系で再生した場合、位相ピット媒体に比べ
て次のような利点がある。
【０１０９】即ち、濃淡ピット媒体は、記録部あるいは
未記録部の反射率を低く抑える事（例えば１０％以下）
が可能である。このため、サイドローブ成分で検出され
る位相の異なり戻り光の反射光量の絶対量が低くなり、
再生光学系でメインローブ成分の戻り光と干渉を起こす
割合が相対的低下する。
【０１１０】また、濃淡ピット媒体は、記録部と未記録
部の位相差が小さくメインローブ成分の戻り光とサイド
ローブの戻り光の干渉作用を抑える事が可能となる。超
解像光学系を用いて濃淡ピット媒体の再生を行うと、サ
イドローブ成分の位相の異なる戻り光の反射光量の絶対
量が低くなる効果と記録部と未記録部の位相差が小さく
なる効果により、メインローブ成分戻り光とサイドロー
ブ成分の戻り光の再生光学系での干渉作用を防止でき、
これによって再結像点でのビームプロファイルが変形さ
れるのを防ぎ、ピンホールやスリット通過後の再生信号
のエッジシフトが無くなり、再生信号の歪が無くなりジ
ッタ値の減少を確保することができる。
【０１１１】ここで、レジスト記録膜５４については、
Ｔｅ合金，ＴｅＴｉＡｇＳｅ，或いはＴｅ- Ｃ（アモル
ファス）で構成してもよい。また、光干渉膜５２につい
ても、異なった素材による二層構造の光干渉膜５２とし
てもよい。
【０１１２】また、上記各実施例において、透明基板と
してはＳｉＯ2 を用いたが、本発明ではＳｉＯ2 に限ら
ず、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカー
ボネート（ＰＣ）、非結晶質ポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）、エポキシ等の熱可逆性樹脂を用いても同様な結果
を得ることができる。
【０１１３】更に、上記各実施例においては、反射膜を
Ａｌとしたが、これは６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対し
て反射率が高いことによる。Ａｌの他にＡｇ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ
を少なくとも一種類以上用いるか、或いはＳｉ，Ｇｅ等
の半導体や透明誘電体と組み合わせることで、多層膜に
よる干渉によって、特定の波長の光について反射率を大
きくする方法を用いても良い。
【０１１４】また、上記各実施例において、光干渉膜に
ついては、以下に示す素材の一又は二以上の組み合わせ
を使用するようにしてもよい。
【０１１５】屈折率がｎ＜１．５である光干渉膜は、Ｌ
ｉＦ（1.39），ＮａＦ（1.46），ＫＦ（1.32），ＲｂＦ
(1.40)，ＣｓＦ（ 1.48 ），ＣａＦ（ 1.32 ），ＲｂＣ
ｌ（1.48），ＭｇＦ2 （1.38），ＣａＦ2 （1.43），Ｓ
ｒＦ2 （1.44），ＢａＦ2 （1.47），ＢａＭｇＦ4 （1.
47），ＬｉＹＦ4 （1.45），Ｎａ2 ＳｂＦ5 （1.47），
ＳｉＯ2 （1.46），ＲｂＣｌＯ3 （1.46），ＮＨ4 Ｃｌ
Ｏ4 （1.48），ＬｉＣｌＯ4 ・３Ｈ2 Ｏ，（1.48），Ｋ
Ｂ5 Ｏ8 ・４Ｈ2 Ｏ（1.49），ＮＨ4 Ｂ5 Ｏ8・４Ｈ2
Ｏ（1.42），ＢｅＳＯ4 ・４Ｈ2 Ｏ（1.47），Ｌｉ2 Ｓ
Ｏ4 ・Ｈ2 Ｏ（1.46），Ｌｉ2 ＳｅＯ4 ・Ｈ2 Ｏ（1.4
6），ＬｉＫＳＯ4 （1.46），ＬｉＮａＳＯ4 （1.4
7），（ＮＨ4 ＣＨ3 ）Ａｌ（ＳＯ2 ）・１２ＨＯ（1.4
6），ＫＮａ（Ｃ4 Ｈ4 Ｏ6 ）・４Ｈ2 Ｏ（1.49），
［ＣＨ2 ・ＣＦ2 ］ｎ（1.43） であることが望まし
い。特に望ましいものは、ＣａＦ，ＬｉＦ，ＮａＦ，Ｋ
Ｆ，ＭｇＦ2 ，ＳｉＯ2 である。（ ）内は屈折率を示
す。
【０１１６】屈折率が、「１．５≦ｎ＜３．０」の光干
渉膜は、ダイヤモンドカーボン（2.0 ），ＴｈＦ4 （1.
5 ），ＮｄＦ3 （1.61）, ＣｅＦ3 （1.63）, ＰｂＦ3
（1.77）,
【０１１７】ＭｇＯ（1.74），ＺｎＯ（1.99），ＢｅＯ
（1.72），Ｓｉ2 Ｏ3 （1.55）, ＳｉＯ（2.0 ）, Ｔｈ
Ｏ2 （1.86），ＴｉＯ2 （1.9 ），ＴｅＯ2 （2.27），
Ａｌ2 Ｏ3 （1.54）, Ｙ2 Ｏ3 （1.92）, Ｌａ2 Ｏ
3 （1.9 ）, ＣｅＯ2 （2.2 ），ＺｒＯ2 （1.97），Ｔ
ａ2 Ｏ5 （2.1 ），ＰｂＯ（2.6 ）, Ｌａ2 Ｏ2 Ｓ（2.
16），ＬｉＧａＯ2 （1.76），ＢａＴｉＯ3 （2.37）,
ＳｒＴｉＯ3 （2.4 ）, ＰｂＴｉＯ3 （2.67）, ＫＮｂ
Ｏ3 （2.33）,Ｋ（Ｔａ．Ｎｂ）Ｏ3 （2.29）, ＬｉＮ
ｂＯ3 （2.30）, ＬｉＴａＯ3 （2.175）, Ｐｂ（Ｍｇ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 （2.56）, Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｔ
ａ2/3 ）Ｏ3 （2.40），Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
（2.54）, （Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ2 （2.5
1），ＰｂＧｅＯ3 （2.02）, Ｌｉ2 ＧｅＯ3 （1.68）,
ＹＡｌＯ3（1.93）, ＭｇＡｌ2 Ｏ4 （1.73），ＢｅＡ
ｌ2 Ｏ4 （1.74），ＣｏＦｅ2 Ｏ4（2.37），Ｌａ2 Ｂ
ｅ2 Ｏ5 （1.96），（Ｓｒ，Ｂａ）Ｎｂ2 Ｏ6 （2.3
1），Ｌａ2 Ｔｉ2 Ｏ7 （2.25），Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ
7 （2.15），Ｂａ2 ＴｉＳｉ2 Ｏ8 ，Ｃａ2 Ｎｂ2 Ｏ7
（1.97），Ｂａ2 ＴｉＳｉ2 Ｏ8 （1.762 ），Ｐｂ5 Ｇ
ｅ3 Ｏ11（2.12），ＰｂＮｂ4 Ｏ11（2.41），Ｂｉ4 Ｔ
ｉ3 Ｏ12（2.70），Ｂｉ4 Ｇｅ3 Ｏ12（2.07），Ｂｉ4
Ｓｉ3 Ｏ12（2.02），Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12（1.83），Ｙ3 Ｇ
ａ5 Ｏ12（1.93），Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（2.22），Ｇｄ3 Ｇ
ａ5 Ｏ12（1.96），（ＧｄＦｅ5 Ｏ12）（2.20），（Ｇ
ｄ，Ｂｉ）Ｆｅ5 Ｏ12，Ｂａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ12（2.2
0），Ｂａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ12（2.26），Ｐｂ2 ＫＮｂ5
Ｏ12（2.46），Ｓｒ2 ＫＮｂ5 Ｏ15（2.25），Ｂａ2 Ｌ
ｉＮｂ5Ｏ15（2.32），Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ5 Ｏ15（2.2
1），Ｂａ3 ＴｉＮｂ4 Ｏ15（2.36），Ｂｉ12ＧｅＯ20
（2.55），Ｂｉ12ＳｉＯ20（2.54），Ｃａ12Ａｌ14Ｏ33
（1.61）,
【０１１８】ＡｇＣｌ（1.98），ＴｌＣｌ（2.19），Ｃ
ｕＣｌ（1.99），ＬｉＢｒ（1.78），ＮａＢｒ（1.6
4），ＫＢｒ（1.53），ＣｓＢｒ（1.66），ＡｇＢｒ
（2.25），ＴｌＢｒ（2.34），ＣｕＢｒ（2.16），Ｎａ
Ｉ（1.77），ＫＩ（1.64），ＣｓＩ（1.73），ＡｇＩ
（2.18），ＴｌＩ（2.78），ＣｕＩ（2.34），Ｔｌ（Ｂ
ｒ，Ｉ）（2.20），Ｔｌ（ＣＬ，Ｂｒ）（2.40），Ｐｂ
Ｆ2 （1.77），Ｈｇ2 Ｃｌ2 （2.62），ＬａＦ3 （1.8
2），ＣｓＰｂＣｌ3 （1,94），ＢａＭｇＦ4 （1.4
7），ＢａＺｎＦ4 （1.51），Ａｇ2 ＨｇＩ4 （2.4
），ＮａＣｌＯ3 （1.51），ＮａＢｒＯ3 （1.59），
ＣｄＨｇ（ＳＣＮ）4 （2.04），
【０１１９】ＺｎＳｉＰ2 （1.95），ＺｎＳ（2.37），
ＺｎＳｅ（2.61），ＣｄＳｉＰ2 （2.95），ＣｄＳ（2.
49），ＣｄＳｅ（2.64），ＣｄＴｅ（2.61），ＨｇＳ
（2.89），ＧａＳｅ（2.98），ＬｉＩｎＳ2 （2.23），
ＬｉＩｎＳｅ2 （2.45），ＣｕＡｌＳ2 （2.48），Ｃｕ
ＡｌＳｅ2 （2.64），ＣｕＡｌＴｅ2 （2.99），ＣｕＩ
ｎＳ2 （2.53），ＣｕＩｎＳｅ2 （2.70），ＣｕＧａＳ
2 （2.49），ＣｕＧａＳｅ2 （2.72），ＡｇＡｌＳ
2 （2.42），ＡｇＡｌＳｅ2 （2.59），ＡｇＡｌＴｅ2
（2.90），ＡｇＩｎＳ2 （2.46），ＡｇＩｎＳｅ2 （2.
64），ＡｇＩｎＴｅ2 （2.97），ＡｇＧａＳ2 （2.3
8），ＡｇＧａＳｅ2 （2.61），ＡｇＧａＴｅ2 （2.9
4），ＧｅＳ3 （2.11），Ａｓ2 Ｓ3 （2.61），Ａｓ2
Ｓｅ3 （2.89），Ａｇ3 ＡｓＳ3 （2.59），ＣｄＧａ2
Ｓ34（2.395 ）, Ｔｌ3 ＴａＳ4 （2.4 ），Ｔｌ3 Ｔａ
Ｓｅ4 （2.71），Ｔｌ3 ＶＳ4 （2.95），Ｔｌ3 ＡＳＳ
4 （2.65），Ｔｌ3 ＡＳＳｅ4 （2.93），Ｔｌ3 ＰＳｅ
4 （2.93），
【０１２０】ＧａＮ（1.55），Ｓｉ3 Ｎ4 （2.0 ），Ｃ
ａＣｏ3 （1.65），ＮａＮＯ3 （1.60），Ｂａ（Ｎ
Ｏ3 ）2 （1.57），Ｓｒ（ＮＯ3 ）2 （1.58），Ｐｂ
（ＮＯ3 ）2 （1.78），ＮａＮＯ2 （1.65），Ｓｒ（Ｎ
Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ（1.56），ＬｉＩＯ3 （1.89），ＫＩ
Ｏ3 （1.70），ＮＨ4 ＩＯ3 （1.78），ＫＩＯ2 Ｆ
2 （1.62），ＫＩＯ3 ・ＨＩＯ3 （1.98），Ｋ2 Ｈ（Ｉ
Ｏ3 ）2 Ｃｌ（1.88），ＬｉＢ4Ｏ7 （1.61），
【０１２１】Ｋ2 Ｍｎ2 （ＳＯ4 ）3 （1.57），Ｒｂ2
Ｍｎ2 （ＳＯ4 ）3 （1.60），Ｔｌ2 Ｍｎ2 （ＳＯ4 ）
3 （1.80），（ＮＨ4 ）2 Ｍｎ2 （ＳＯ4 ）3 （1.5
2），（ＮＨ4 ）2 Ｃｄ2 （ＳＯ4 ）3 （1.57），Ｌｉ
Ｈ3 （ＳｅＯ3 ）2 （1.74），ＲｂＨ3 （ＳｅＯ3 ）2
（1.67），ＮＨ4 Ｈ3 （ＳｅＯ3 ）2 （1.68），Ｓｒ2
Ｓ2 Ｏ6 ・４Ｈ2 Ｏ（1.53），ＫＨ2 ＰＯ4（1.51），
ＫＤ2 ＰＯ4 （1.51），ＮＨ4 Ｈ2 ＰＯ4 （1.52），Ｎ
Ｄ4 Ｄ2 ＰＯ4 （1.52），ＲｂＨ2 ＰＯ4 （1.51），Ｋ
Ｈ2 ＡｓＯ4 （1.57），ＫＤ2 ＡｓＯ4 （1.56），ＮＨ
4 Ｈ2 ＡｓＯ4 （1.58），ＲｂＨ2 ＡｓＯ4 （1.56），
ＲｂＤ2 ＡｓＯ4（1.57），ＣｓＨ2 ＡｓＯ4 （1.5
7），ＣｓＤ2 ＡｓＯ4 （1.55），ＫＴｉＯＰＯ4 （1.7
4），ＲｂＴｉＯＰＯ4 （1.75），（Ｋ，Ｒｂ）（1.7
5），Ｃａ5 （ＰＯ4 ）3 Ｆ（1.63），Ｃａ4 Ｌａ（Ｐ
Ｏ4 ）3 Ｏ（1.70），ＬｉＮｄＰ4 Ｏ12（1.60），ＫＮ
ｄＰ4 Ｏ12（1.56），ＮｄＰ5 Ｏ14（1.59）,
【０１２２】ＣａＭｏＯ4 （1.99），ＰｂＭｏＯ4 （2.
41），ＣａＷＯ4 （1.92），ＺｎＷＯ4 （2.14），Ｇｄ
2 （ＭｏＯ4 ）3 （1.843 ），Ｔｂ2 （ＭｏＯ4 ）
3 （1.848 ），Ｂｉ2 （ＭｏＯ4 ）3 （2.28），Ｋ
5 （Ｂｉ，Ｎｄ）（ＭｏＯ4 ）4 （1.97），Ｐｂ2 Ｍｏ
Ｏ5 （2.18），Ｂｉ2 ＷＯ6 （2.5 ），ＹＶＯ4 （2.0
0），Ｃａ3 （ＶＯ4 ）2 （1.86），Ｐｂ5 （Ｇｅ
Ｏ4 ）（ＶＯ4 ）2 （2.28），
【０１２３】Ｇｄ2 ＳｉＯ5 （1.9 ），Ａｌ2 （ＳｉＯ
4 ）Ｆ（1.63），ＣａＹ4 （ＳｉＯ4 ）3 Ｏ（1.83），
ＣａＬａ4 （ＳｉＯ4 ）3 Ｏ（1.86），ＳｒＬａ4 （Ｓ
ｉＯ4 ）3 Ｏ（1.79），（ＮａＣａ）Ｌｉ（Ａ，ＦｅＭ
ｎ）8 （1.65），Ｂｅ3 Ａｌ2 Ｓｉ6 Ｏ18（1.57），
【０１２４】Ｃ14Ｈ10（1.55） ,Ｃ24Ｈ18（1.52） ,Ｃ
Ｏ（ＮＨ2 ）2 （1.60），Ｂａ（ＣＯＯＨ）2 （1.5
7），Ｓｒ（ＣＯＯＨ）2 （1.55），Ｐｂ2 Ｓｒ（ＣＨ
3 ＣＨ2 ＣＯＯ）6 （1.49），Ｃ4 Ｈ6 Ｏ6 （1.49），
（ＮＨ4 ＣＨ2 ＣＯＯＨ）3 Ｈ2 ＳＯ4 （1.56），Ｃ4
Ｈ3 Ｎ3 Ｏ4 （1.52），（ＣＨ2 ）6 Ｎ4 （1.59），
（Ｃ6 Ｈ5 ＣＯ）2 （1.84），Ｃ6 Ｈ4 ＮＯ2 ＮＨ
2 （1.76），Ｃ6 Ｈ4 （ＯＨ）2 （1.59），Ｃ6 Ｈ
4 （ＮＨ4 ）ＯＨ（1.67），Ｃ5 Ｈ3 ＮＯＣＨ3 ＮＯ2
（1.71），Ｃ6 Ｈ4 （ＣＯ2 ）2 ＨＣｓ（1.67），Ｃ6
Ｈ4 （ＣＯ2 ）2 ＨＲｂ（1.66），Ｃ6 Ｈ3 ＮＯ2 ＣＨ
3 ＮＨ2 （1.70），Ｃ6 Ｈ3 ＣＨ3 （ＮＨ2 ）2 （1.6
2），Ｃ6 Ｈ2 （ＮＯ2 ）3 ＯＨ（1.68），ＫＨ（Ｃ8
Ｈ4 Ｏ4 ）（1.66），Ｃ10Ｈ14Ｏ（1.58）, Ｃ10Ｈ11Ｎ
3 Ｏ6 （1.56），Ｃ10Ｈ13Ｎ5 Ｏ4 （1.52），Ｃ14Ｈ17
ＮＯ2 （2.04）であることが望ましい。特に望ましいも
のは、ＴｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｎＳ，Ｙ
2 Ｏ3 ，ＺｎＳｅ，ＧａＳｅ，ＣｕＩｎＳｅ2 （2.7
0），ＣｕＧａＳ2 （2.49），ＣｕＧａＳｅ2 （2.7
2），ＡｇＡｌＳ2 （2.42），ＡｇＡｌＳｅ2 （2.5
9），ＡｇＡｌＴｅ2 （2.90），ＡｇＩｎＳ2 （2.4
6），ＡｇＩｎＳｅ2 （2.64），ＡｇＩｎＴｅ2 （2.9
7），ＡｇＧａＳ2 （2.38），ＡｇＧａＳｅ2 （2.6
1），ＡｇＧａＴｅ2 （2.94），ＧｅＳ3 （2.11）であ
る。（ ）内は屈折率を示す。
【０１２５】屈折率がｎ≧３．０である光干渉膜は、Ｇ
ｅ（4.01），Ｓｉ（3.82），Ｓｅ（5.56），Ｔｅ（4.8
5），ＺｎＴｅ（3.05），ＨｇＳｅ（3.75），ＰｂＳ
（3.5 ），ＰｂＴｅ（5.6 ），Ｉｎ57Ｓｅ43（3.8 ），
Ｉｎ3 Ｓｅ2 （3.8 ），ＩｎＳｅ（3.8 ），Ｉｎ2 Ｓｂ
3 （4.1 ），ＧａＳｂ（4.6 ），ＴｌＧａＳｅ2 （3.0
），Ａｇ3 ＳｂＡｇＳ3 （3.08），Ｔｌ3 ＡｓＳｅ3
（3.33），ＣｕＧａＴｅ2 （3.01），ＣｕＩｎＴｅ
2 （3.05），ＺｎＳｉＡｓ2 （3.22），ＺｎＧｅＰ
2 （3.14），ＺｎＧｅＡｓ2 （3.38），ＺｎＳｎＰ
2 （3.21），ＺｎＳｎＡｓ2 （3.53），ＣｄＳｉＡｓ2
（3.22），ＣｄＧｅＰ2 （3.20），ＣｄＧｅＡＳ2 （3.
56），ＣｄＳｎＰ2 （3.14），ＣｄＳｎＡｓ2 （3.4
6），ＧａＡｓ（3.42），ＧａＳｂ（3.9 ），ＧａＰ
（3.35），ＩｎＰ（3.37），ＩｎＡｓ（3.4 ），ＩｎＳ
ｂ（3.75），Ｓｂ2 Ｓ3 （3.0 ），Ｓｂ2 Ｔｅ3 （5.0
），（Ｇａ，Ａｌ）Ａｓ（3.21〜3.65），Ｇａ（Ａ
ｓ，Ｐ）（3.29〜3.36），（Ｇａ，Ａｌ）Ｓｂ（3.2 〜
3.92），（ＩｎＧａ）（ＡｓＰ）（3,21〜3.42），Ｃｄ
ＧｅＡｓ2 （3.60），Ｇｅ19Ｓｂ38Ｔｅ43（4.15） ，
Ｇｅ18Ｓｂ32Ｔｅ50（4.28），Ｇｅ27Ｓｅ18Ｔｅ55（3.
05），Ｉｎ22Ｓｂ33Ｔｅ45（4.295 ），Ｉｎ22Ｓｂ37Ｔ
ｅ41（4.968 ），Ｉｎ20Ｓｂ37Ｔｅ43（4.952 ），Ｉｎ
32Ｓｂ40Ｔｅ28（3.045 ）, Ｓｂ56Ｓｅ40Ｚｎ4 （4.23
4 ），Ｓｂ44Ｓｅ29Ｚｎ27（3.492 ），Ｓｂ34Ｓｅ58Ｓ
ｎ8 （5,068 ），Ｓｅ52Ｇｅ27Ｓｎ21（3.761 ），Ｔｅ
64Ｓｂ6 Ｓｎ30（3.147 ），Ｓｅ66Ｓｂ24Ｇｅ10（4.24
0 ），Ｔｅ80Ｓｅ10Ｓｂ10（4.0 ），ＧｅＳｂ2 Ｔｅ4
（4.7 ），ＴｅＯｘ（3.8 ），ＧｅＴｅ（4.4 ）、であ
ることが望ましい。特に望ましいものは、Ｇｅ，Ｓｉ，
ＩｎＳｅである。（ ）内は屈折率を示す。
【０１２６】ここで、例えばＳｉは、屈折率が３．５と
高く、また吸収率は０．１以下であり、光の透過性も良
く、光干渉膜としては最適な素材である。 また、上記
第１乃至第５の各実施例においては、以下に示すように
ピット部（記録部）とミラー部（未記録部）との関係を
規制してもよい。
【０１２７】．情報面上の未記録部の反射率Ｒｍ，吸
収率Ａｍ，位相φｍと、前記情報面上の記録部の反射率
Ｒｐ，吸収率Ａｐ，位相φｐの関係を、「Ｒｍ＞Ｒｐ，
Ａｍ≦Ａｐ，ｃｏｓ（φｍ−φｐ）の絶対値＜１」とす
る。
【０１２８】．情報面上のミラー部（未記録部）の反
射率Ｒｍ，吸収率Ａｍ，位相φｍと、情報面上の記録部
の反射率Ｒｐ，吸収率Ａｐ，位相φｐの関係を「Ｒｍ＜
Ｒｐ，Ａｍ≧Ａｐ，ｃｏｓ（φｍ−φｐ）の絶対値＜
１」とする。
【０１２９】更に、上記各実施例に於ける光干渉膜につ
いては、必要に応じて以下のものを選択使用してもよ
い。
【０１３０】(1) ．光干渉膜を、アモルファスＳｉの水
素含有合金で且つ光熱調整機能を備えた構成とする。そ
して、当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「Ｓｉ1-X
ＨX」で表した場合に、ｘを原子パーセントで「（２８
／４７）≦ｘ≦（２８／２９）」の範囲に設定する。こ
の場合、屈折率は４．０≦ｎｘ≦４．５となる。
【０１３１】(2) ．光干渉膜を、微結晶化Ｓｉの水素含
有合金で構成する。そして、当該光干渉膜の膜厚方向の
平均組成を「Ｓｉ1-X ＨX 」で表した場合に、ｘを原子
パーセントで「（２８／４７）≦ｘ≦（２８／３７）」
の範囲に設定する。この場合、屈折率は３．３≦ｎｘ≦
３．５となる。
【０１３２】(3) ．光干渉膜を、アモルファスＳｉＣの
水素含有合金で構成する。そして、当該光干渉膜の膜厚
方向の平均組成を「（ＳｉＣ）1-X ＨX 」で表した場合
に、ｘを原子パーセントで「（４０／４９）≦ｘ≦（４
０／４１）」の範囲に設定する。この場合、屈折率は
３．１≦ｎｘ≦４．１となる。
【０１３３】(4) ．光干渉膜を、アモルファスＳｉＧｅ
の水素含有合金で構成する。そして、当該光干渉膜の膜
厚方向の平均組成を「（ＳｉＧｅ）1-X ＨX 」で表した
場合に、ｘを原子パーセントで「（５０３／５９８）≦
ｘ≦（５０３／５１８）」の範囲に設定する。この場
合、屈折率は３．２≦ｎｘ≦３．８となる。
【０１３４】(5) ．光干渉膜を、アモルファスＳｉの窒
化物で構成する。そして、当該光干渉膜の膜厚方向の平
均組成を「Ｓｉ1-X ＮX 」で表した場合に、ｘを原子パ
ーセントで「０≦ｘ≦（４／７）」の範囲に設定する。
この場合、屈折率は２．０≦ｎｘ≦３．８２となる。
【０１３５】(6) ．光干渉膜を、アモルファスＳｉの酸
化物で構成する。そして、当該光干渉膜の膜厚方向の平
均組成を「Ｓｉ1-X ＯX 」で表した場合に、ｘを原子パ
ーセントで「０≦ｘ≦（２／３）」の範囲に設定する。
この場合、屈折率は１．４６≦ｎｘ≦３．８２である。
【０１３６】(7) ．光干渉膜を、屈折率ｎが「ｎ＜１．
５」の光干渉膜用の媒体と，屈折率ｎが「１．５≦ｎ＜
３．０」の光干渉膜用の媒体，および屈折率ｎが「ｎ≧
３．Ｏ」の光干渉膜用の媒体の内の、少なくとも屈折率
の異なる二種類以上の媒体を混ぜ合わせるとによって形
する。
【０１３７】(8) ．光干渉膜を、少なくとも１種類以上
の元素単体と、一種類以上のカルコゲナイド化合物とに
より形成する。
【０１３８】(9) ．光干渉膜を、少なくともアンモチ
ン，亜鉛，錫，鉛，銅，銀，金，インジウム，ゲルマニ
ウムのいずれか１種類の元素と、１種類以上のカルコゲ
ナイド化合物とにより形成する。
【０１３９】(10)．光干渉膜を、少なくともアンモチ
ン，亜鉛，錫，鉛，銅，銀，金，インジウム，ゲルマニ
ウムのいずれか１種類の元素と、この１種類以上の各元
素とカルコゲナイド化合物との二元化合物とにより形成
する。
【０１４０】(11)．光干渉膜を、インジウムとテルル間
に生成する化合物と、アンチモンとテルル間に生成する
化合物とを素材として形成する。
【０１４１】(12)．光干渉膜を、少なくとも酸素，窒
素，フッ素の内のいずれか１種類の元素と１種類以上の
カルコゲナイド化合物とから成る素材をもって形成す
る。
【０１４２】このように、上記各実施例にあっては、従
来の情報記録媒体が位相差を利用した再生方式のもので
あるのに対して、光路差の違いと多重干渉を利用して明
暗ピットとした再生方式のものである点に特徴を備えて
いる。
【０１４３】そして、光干渉膜を用いることで、ピット
の反射光を従来の８０％以上から８％以下にすることが
可能となり、サイドローブ成分の戻り光が従来の１／１
０以下に設定することができ、ジッタの劣化を防止し得
る。超解像光学系のジッタ低減により、高密度化が可能
となる。また、Ｓｉ（シリコン）を光干渉膜として用い
ると、レジストの露光時にＳｉの持つ高い熱伝導性よ
り，速やかな熱の拡散が可能となり、レジストの温度分
布による露光ムラを防止することができるという利点も
合わせて得ることができる。
【０１４４】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、従来の位相差ピット媒体に光干渉
膜を組み込むことにより濃淡ピット媒体とする事が可能
となるばかりでなくピット部（記録部）とミラー部（未
記録部）の十分な反射率差を得ることができ、またピッ
ト部（記録部）とミラー部（未記録部）の位相差の減少
により、超解像光学系による再生時のサイドローブ成分
のメインローブ成分への影響を大幅に減少させることが
でき、かかる点において記録密度の高密度化を図り得る
という従来にない優れた情報記録媒体を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す情報記録媒体の断面
構成図である。
【図２】図１に示す実施例の反射率と位相差に関するＳ
ｉ光干渉膜の膜厚依存性を示す線図である。
【図３】図１に示す実施例におけるミラー部（未記録
部）における反射率と位相差のレジスト記録膜に対する
膜厚依存性を示す線図である。
【図４】図１に示す実施例で光干渉膜が無い場合のミラ
ー部（未記録部）における反射率と位相差のレジスト記
録膜に対する膜厚依存性を示す線図である。
【図５】図１に示す実施例にかかるピット断面の反射率
依存性を示す線図である。
【図６】図１に示す実施例にかかるピット断面の位相差
依存性を示す線図である。
【図７】第２実施例を示す情報記録媒体の断面構成図で
ある。
【図８】図７に示す実施例の光干渉膜の膜厚変化に対す
るミラー部の反射率と吸収率の変化を示す線図である。
【図９】図７に示す実施例の光干渉膜の膜厚変化に対す
るピット部の反射率と吸収率の変化を示す線図である。
【図１０】第３実施例を示す情報記録媒体の断面構成図
である。
【図１１】図１０に示す実施例の光干渉膜の膜厚変化に
対するミラー部の反射率と吸収率の変化を示す線図であ
る。
【図１２】図１０に示す実施例の光干渉膜の膜厚変化に
対するピット部の反射率と吸収率の変化を示す線図であ
る。
【図１３】第４実施例を示す情報記録媒体の断面構成図
である。
【図１４】図１３に示す実施例に於ける光干渉膜の膜厚
変化に対するミラー部の反射率と吸収率の変化を示す線
図である。
【図１５】図１３に示す実施例に於ける光干渉膜の膜厚
変化に対するピット部の反射率と吸収率の変化を示す線
図である。
【図１６】第５実施例を示す情報記録媒体の断面構成図
である。
【図１７】図１６に示す実施例に於ける光干渉膜の膜厚
変化に対するミラー部の反射率と吸収率の変化を示す線
図である。
【図１８】図１６に示す実施例に於ける光干渉膜の膜厚
変化に対するピット部の反射率と吸収率の変化を示す線
図である。
【図１９】第６実施例を示す情報記録媒体の断面構成図
である。
【符号の説明】
１，１１，２１，３１，４１，５１ ガラス基板 １２Ａ，２２Ａ，３２Ａ，４２Ａ 第一光干渉膜 １２Ｂ，２２Ｂ，３２Ｂ，４２Ｂ 第二光干渉膜 ２，５２ 光干渉膜 ３，１３，２３，３３，４３ レジスト記録膜 ４，１４，２４，３４，４４，５５ 反射膜 ５，１５，２５，３５，４５，５６ 紫外線硬化樹脂層 ５３Ａ 第一誘電体保護膜 ５３Ｂ 第二誘電体保護膜 ５４ 記録膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−111369（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−266478（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−89521（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−273240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−39646（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−226446（ＪＰ，Ａ)

Claims (24)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板上に、記録膜，反射膜および紫
    外線硬化樹脂が順次積層された構造を有し、情報面上に
    凹凸の形状変化を有する再生専用の情報記録媒体であっ
    て、再生時に前記記録膜の凹凸の形状変化によって生じ
    た光路差に起因する凹部と凸部の反射率の違いにより再
    生信号を得る情報記録媒体において、 前記情報面の焦点深度内に、少なくとも一層以上の光干
    渉膜を配設したことを特徴とする情報記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記情報面上の未記録部の反射率Ｒｍ，
    吸収率Ａｍ，位相φｍと、前記情報面上の記録部の反射
    率Ｒｐ，吸収率Ａｐ，位相φｐの関係がＲｍ＞Ｒｐ，Ａ
    ｍ≦Ａｐ，ｃｏｓ（φｍ−φｐ）の絶対値＜１であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
  3. 【請求項３】 前記情報面上の未記録部の反射率Ｒｍ，
    吸収率Ａｍ，位相φｍと、前記情報面上の記録部の反射
    率Ｒｐ，吸収率Ａｐ，位相φｐの関係が、Ｒｍ＜Ｒｐ，
    Ａｍ≧Ａｐ，ｃｏｓ（φｍ−φｐ）の絶対値＜１である
    ことを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
  4. 【請求項４】 入射ビーム方向に沿った未記録部におけ
    る基板の屈折率ｎｏ，光干渉膜の屈折率ｎｘ，記録膜の
    屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、 ｎｏ＜ｎｘ，ｎｘ＞ｎｙ，ｎｙ＞ｎｚ とし、 入射ビーム方向に沿った記録部における基板の屈折率ｎ
    ｏ，光干渉膜の屈折率ｎｘ，反射膜の屈折率ｎｚの関係
    を、 ｎｏ＜ｎｘ，ｎｘ＞ｎｚ としたことを特徴とする請求
    項１記載の情報記録媒体。
  5. 【請求項５】 前記光干渉膜を、第一光干渉膜と第二光
    干渉膜の積層構造とすると共に、 入射ビーム方向に沿った未記録部における基板の屈折率
    ｎｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の
    屈折率ｎｘ２ ，記録膜の屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率
    ｎｚの関係を、 ｎｏ＜ｎｘ１ ，ｎｘ１ ＞ｎｘ２ ＞ｎｙ＞ｎｚ と
    し、 入射ビーム方向に沿った記録部における基板の屈折率ｎ
    ｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の屈
    折率ｎｘ２ ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、 ｎｏ＜ｎｘ１ ，ｎｘ１ ＞ｎｘ２ ＞ｎｚ としたこと
    を特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
  6. 【請求項６】 前記光干渉膜を、第一光干渉膜と第二光
    干渉膜の積層構造とすると共に、 入射ビーム方向に沿った未記録部における基板の屈折率
    ｎｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の
    屈折率ｎｘ２ ，記録膜の屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率
    ｎｚの関係を、 ｎｏ＜ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎｙ＞ｎｚとし、 入射ビーム方向に沿った記録部における基板の屈折率ｎ
    ｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の屈
    折率ｎｘ２ ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、 ｎｏ＜ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎｚ としたこと
    を特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
  7. 【請求項７】 前記請求項１記載の情報記録媒体におい
    て、 前記光干渉膜と記録膜との間に誘電体膜を装備すると共
    に、前記光干渉膜を，第一光干渉膜と第二光干渉膜の積
    層構造とし、 入射ビーム方向に沿った未記録部における基板の屈折率
    ｎｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の
    屈折率ｎｘ２ ，誘電体膜ｎ，記録膜の屈折率ｎｙ，反
    射膜の屈折率ｎｚの関係を、 ｎｏ＜ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎ≧ｎｙ＞ｎｚ 又は ｎｏ＜ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎ，ｎ＜ｎｙ，ｎ
    ｙ＞ｎｚとし、 入射ビーム方向に沿った記録部における基板の屈折率ｎ
    ｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の屈
    折率ｎｘ２ ，誘伝体膜ｎ，反射膜の屈折率ｎｚの関係
    を、 ｎｏ＜ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎ＞ｎｚ とした
    ことを特徴とする情報記録媒体。
  8. 【請求項８】 前記光干渉膜を、第一光干渉膜と第二光
    干渉膜の積層構造とすると共に、 入射ビーム方向に沿った未記録部における基板の屈折率
    ｎｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の
    屈折率ｎｘ２ ，記録膜の屈折率ｎｙ，反射膜の屈折率
    ｎｚの関係を、 ｎｏ＞ｎｘ１ ，ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎｙ＞ｎ
    ｚとし、 入射ビーム方向に沿った記録部における基板の屈折率ｎ
    ｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の屈
    折率ｎｘ２ ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、 ｎｏ＞ｎｘ１ ，ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎｚ と
    したことを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
  9. 【請求項９】 前記請求項１記載の情報記録媒体におい
    て、 前記光干渉膜と記録膜との間に誘電体膜を装備すると共
    に、前記光干渉膜を，第一光干渉膜と第二光干渉膜の積
    層構造とし、 入射ビーム方向に沿った未記録部における基板の屈折率
    ｎｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の
    屈折率ｎｘ２ ，誘電体膜の屈折率ｎ，記録膜の屈折率
    ｎｙ，反射膜の屈折率ｎｚの関係を、 ｎｏ＞ｎｘ１ ，ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎ≧ｎｙ
    ＞ｎｚ 又は ｎｏ＜ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎ，ｎ＜ｎｙ，ｎ
    ｙ＞ｎｚとし、 入射ビーム方向に沿った記録部における基板の屈折率ｎ
    ｏ，第一光干渉膜の屈折率ｎｘ１ ，第二光干渉膜の屈
    折率ｎｘ２ ，誘電体膜ｎ，反射膜の屈折率ｎｚの関係
    を、 ｎｏ＞ｎｘ１ ，ｎｘ１ ＜ｎｘ２ ，ｎｘ２ ＞ｎ＞ｎｚ
    としたことを特徴とする請求項１記載の情報記録媒
    体。
  10. 【請求項１０】 前記光干渉膜の屈折率ｎを「ｎ＜１．
    ５」とすると共に、当該光干渉膜媒体組織を、ＬｉＦ，
    ＮａＦ，ＫＦ，ＲｂＦ，ＣｓＦ，ＣａＦ，ＲｂＣｌ，Ｍ
    ｇＦ２ ，ＣａＦ２ ，ＳｒＦ２ ，ＢａＦ２ ，ＢａＭｇ
    Ｆ４，ＬｉＹＦ４ ，Ｎａ２ ＳｂＦ５ ，ＴｈＦ４ ，Ｒ
    ｂＣｌＯ３ ，ＮＨ４ ＣｌＯ４ ，ＬｉＣｌＯ４ ・３Ｈ
    ２ Ｏ，ＫＢ５ Ｏ８ ・４Ｈ２ Ｏ，ＮＨ４ Ｂ５ Ｏ８・
    ４Ｈ２ Ｏ，ＢｅＳＯ４ ・４Ｈ２ Ｏ，Ｌｉ２ ＳＯ４
    ・Ｈ２ Ｏ，Ｌｉ２ ＳｅＯ４ ・Ｈ２ Ｏ，ＬｉＫＳＯ４
    ，ＬｉＮａＳＯ４ ，ＫＮａ（Ｃ４ Ｈ４ Ｏ６）・４Ｈ
    ２ Ｏ，［ＣＨ２ ・ＣＦ２ ］ｎの内の少なくとも１組
    成以上で構成したことを特徴とする請求項１，８又は９
    記載の情報記録媒体。
  11. 【請求項１１】 前記光干渉膜の屈折率ｎを「１．５≦
    ｎ＜３．０」とすると共に、当該光干渉膜媒体組織を、 ダイヤモンドカーボン，ＴｈＦ４ ，ＮｄＦ３ ,ＣｅＦ
    ３ , ＰｂＦ３ ,ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＳｉＯ２ ，Ｓｉ２
    Ｏ３ , ＳｉＯ, ＴｈＯ２ ，ＴｉＯ２，ＴｅＯ２ ，Ａ
    ｌ２ Ｏ３ , Ｙ２ Ｏ３ , Ｌａ２ Ｏ３ , ＣｅＯ２ ，
    ＺｒＯ２ ，Ｔａ２ Ｏ５ ，ＰｂＯ, Ｌａ２ Ｏ２ Ｓ，
    ＬｉＧａＯ２ ，ＢａＴｉＯ３ , ＳｒＴｉＯ３ , Ｐｂ
    ＴｉＯ３ , ＫＮｂＯ３ , Ｋ（Ｔａ．Ｎｂ）Ｏ３ ,Ｌｉ
    ＮｂＯ３ , ＬｉＴａＯ３ ,Ｐｂ（Ｍｇ１／３ Ｎｂ２／
    ３ ）Ｏ３ , Ｐｂ（Ｍｇ１／３ Ｔａ２／３ ）Ｏ３,Ｐ
    ｂ（Ｚｎ１／３ Ｎｂ２／３ ）Ｏ３ , （Ｐｂ，Ｌａ）
    （Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ２ ，ＰｂＧｅＯ３ , Ｌｉ２ ＧｅＯ
    ３ , ＹＡｌＯ３ , ＭｇＡｌ２ Ｏ４ ，ＣｏＦｅ２ Ｏ
    ４ ，Ｌａ２ Ｂｅ２ Ｏ５ ，（Ｓｒ，Ｂａ）Ｎｂ２ Ｏ
    ６ ，Ｌａ２ Ｔｉ２Ｏ７ ，Ｎｄ２ Ｔｉ２ Ｏ７ ，Ｂａ
    ２ ＴｉＳｉ２ Ｏ８ ，Ｐｂ５ Ｇｅ３ Ｏ１１，Ｂｉ４
    Ｇｅ３ Ｏ１２，Ｂｉ４ Ｓｉ３ Ｏ１２，Ｙ３Ａｌ５ Ｏ
    １２，Ｙ３ Ｇａ５ Ｏ１２，Ｙ３ Ｆｅ５ Ｏ１２，Ｇｄ
    ３ Ｇａ５ Ｏ１２，（Ｇｄ，Ｂｉ）Ｆｅ５ Ｏ１２，Ｂ
    ａ２ ＮａＮｂ５ Ｏ１２，Ｐｂ２ ＫＮｂ５ Ｏ１２，Ｓ
    ｒ２ ＫＮｂ５ Ｏ１５，Ｂａ２ ＬｉＮｂ５Ｏ１２，Ｋ
    ３ Ｌｉ２ Ｎｂ５ Ｏ１５，Ｂａ３ ＴｉＮｂ４ Ｏ１
    ５，Ｂｉ１２ＧｅＯ２０，Ｂｉ１２ＳｉＯ２０，Ｂｉ１
    ２ＴｉＯ２０，Ｃａ１２Ａｌ１４Ｏ３３,ＡｇＣｌ，Ｔ
    ｌＣｌ，ＣｕＣｌ，ＬｉＢｒ，ＮａＢｒ，ＫＢｒ，Ｃｓ
    Ｂｒ，ＡｇＢｒ，ＴｌＢｒ，ＣｕＢｒ，ＮａＩ，ＫＩ，
    ＣｓＩ，ＡｇＩ，ＴｌＩ，ＣｕＩ，Ｔｌ（Ｂｒ，Ｉ），
    Ｔｌ（ＣＬ，Ｂｒ）ＰｂＦ２ ，Ｈｇ２ Ｃｌ２ ，Ｌａ
    Ｆ３ ，ＣｓＰｂＣｌ３ ，ＢａＭｇＦ４ ，ＢａＺｎＦ
    ４ ，ＬｉＹＦ４ ，Ａｇ２ ＨｇＩ４ ，Ｎａ２ ＳｂＦ
    ５ ，ＮａＣｌＯ３ ，ＮａＢｒＯ３ ，ＮＨ４ ＣｌＯ４
    ，ＣｄＨｇ（ＳＣＮ）４ ，ＺｎＳｉＰ２ ，ＺｎＳ，
    ＺｎＳｅ，ＣｄＳｉＰ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，
    ＨｇＳ，ＨｇＳｅ，ＰｂＳ，ＧａＳｅ，ＺｎＳｎＳｂ２
    ，ＬｉＩｎＳ２ ，ＬｉＩｎＳｅ２ ，ＣｕＡｌＳ２ ，
    ＣｕＡｌＳｅ２ ，ＣｕＡｌＴｅ２ ，ＣｕＩｎＳ２ ，
    ＣｕＩｎＳｅ２ ，ＣｕＧａＳ２ ，ＣｕＧａＳｅ２ ，
    ＡｇＡｌＳ２ ，ＡｇＡｌＳｅ２ ，ＡｇＡｌＴｅ２ ，
    ＡｇＩｎＳ２ ，ＡｇＩｎＳｅ２ ，ＡｇＩｎＴｅ２ ，
    ＡｇＧａＳ２ ，ＡｇＧａＳｅ２ ，ＡｇＧａＴｅ２ ，
    ＧｅＳ３ ，Ａｓ２ Ｓ３，Ａｓ２ Ｓｅ３ ，Ａｇ３ Ａ
    ｓＳ３ ，ＣｄＧａ２ Ｓ３４, Ｔｌ３ ＴａＳ４ ，Ｔｌ
    ３ ＴａＳｅ４ ，Ｔｌ３ ＶＳ４ ，Ｔｌ３ ＡＳＳｅ４
    ，Ｔｌ３ ＰＳｅ４，ＧａＮ，ＣａＣＯ３ ，ＮａＮＯ
    ３ ，Ｂａ（ＮＯ３ ）２ ，Ｓｒ（ＮＯ３ ）２ ，Ｐｂ
    （ＮＯ３ ）２ ，ＮａＮＯ２ ，Ｓｒ（ＮＯ２ ）２ ・
    Ｈ２ Ｏ，ＬｉＩＯ３，ＫＩＯ３ ，ＮＨ４ ＩＯ３ ，Ｋ
    ＩＯ２ Ｆ２ ，ＫＩＯ３ ・ＨＩＯ３ ，Ｋ２ Ｈ（ＩＯ
    ３ ）２ Ｃｌ，ＬｉＢ４ Ｏ７ ，Ｋ２ Ｍｎ２ （ＳＯ４
    ）３ ，Ｒｂ２ Ｍｎ２ （ＳＯ４ ）３ ，Ｔｌ２ Ｍｎ
    ２ （ＳＯ４ ）３ ，（ＮＨ４ ）２ Ｍｎ２ （ＳＯ４
    ）３ ，（ＮＨ４ ）２ Ｃｄ２ （ＳＯ４ ）３ ，Ｌｉ
    Ｈ３ （ＳｅＯ３ ）２ ，ＲｂＨ３ （ＳｅＯ３ ）２ ，
    ＮＨ４ （ＳｅＯ３）２ ，Ｓｒ２ Ｓ２ Ｏ６ ・４Ｈ２
    Ｏ，ＫＨ２ ＰＯ４ ，ＫＤ２ ＰＯ４ ，ＮＨ４ Ｈ２ Ｐ
    Ｏ４ ，ＮＤ４ Ｄ２ ＰＯ４ ，ＲｂＨ２ ＰＯ４ ，ＫＨ
    ２ ＡｓＯ４ ，ＫＤ２ ＡｓＯ４ ，ＮＨ４ ＡｓＯ４ ，
    Ｒｂ２ ＡｓＯ４ ，ＲｂＤ２ ＡｓＯ４ ，ＣｓＨ２ Ａ
    ｓＯ４ ，ＣｓＤ２ ＡｓＯ４ ，ＫＴｉＯＰＯ４ ，Ｒｂ
    ＴｉＯＰＯ４ ，（Ｋ，Ｒｂ）ＴｉＯＰＯ４ ，Ｃａ５
    （ＰＯ４ ）３ Ｆ，Ｃａ４ Ｌａ（ＰＯ４）３ Ｏ，Ｌｉ
    ＮｄＰ４ Ｏ１２，ＫＮｄＰ４ Ｏ１２，ＮｄＰ５ Ｏ１
    ４,ＣａＭｏＯ４ ，ＰｂＭｏＯ４ ，ＣａＷＯ４ ，Ｚｎ
    ＷＯ４ ，Ｇｄ２ （ＭｏＯ４ ）３ ，Ｔｂ２ （ＭｏＯ
    ４ ）３ ，Ｂｉ２ （ＭｏＯ４ ）３，Ｋ５ （Ｂｉ，Ｎ
    ｄ）（ＭｏＯ４ ）４ ，Ｐｂ２ ＭｏＯ５ ，Ｂｉ２ Ｗ
    Ｏ６ ，ＹＶＯ４ ，Ｃａ３ （ＶＯ４ ）２ ，Ｐｂ５
    （ＧｅＯ４ ）（ＶＯ４ ）２ ，Ｇｄ２ ＳｉＯ５ ，Ａ
    ｌ２ （ＳｉＯ４ ）Ｆ，ＣａＹ４ （ＳｉＯ４ ）３
    Ｏ，ＣａＬａ４ （ＳｉＯ４ ）３ Ｏ，ＳｒＬａ４ （Ｓ
    ｉＯ４ ）３ Ｏ，（ＮａＣａ）Ｌｉ（Ａ，ＦｅＭｎ）８
    ，Ｂｅ３ Ｌａ２ Ｓｉ６ Ｏ１８，Ｃ１４Ｈ１０ ,Ｃ２
    ４Ｈ１８ ,ＣＯ（ＮＨ２ ）２ Ｌｉ（ＣＯＯＨ）・Ｈ２
    Ｏ，Ｂａ（ＣＯＯＨ）２ ，Ｐｂ２ Ｓｒ（ＣＨ３ ＣＨ
    ２ ＣＯＯ）６ ，Ｃ４ Ｈ６Ｏ６ ，（ＮＨ４ ＣＨ２ Ｃ
    ＯＯＨ）３ Ｈ２ ＳＯ３ ，Ｃ４ Ｈ３ Ｎ３ Ｏ４ ，
    （ＣＨ２ ）６ Ｎ４ ，（Ｃ６ Ｈ５ ＣＯ）２ ，Ｃ６
    Ｈ４ ＮＯ２ ＮＨ２ ，Ｃ６ Ｈ４ （ＯＨ）２ ，Ｃ６
    Ｈ４ （ＮＨ４ ）ＯＨ，Ｃ５ Ｈ３ ＮＯＣＨ３ ＮＯ２
    ，Ｃ６ Ｈ４ （ＣＯ２ ）２ ＨＣｓ，Ｃ６ Ｈ４ （Ｃ
    Ｏ２ ）２ ＨＲｂ，Ｃ６ Ｈ３ ＮＯ２ ＣＨ３ ＮＨ２
    ，Ｃ６ Ｈ３ ＣＨ３ （ＮＨ２ ）２ ，Ｃ６ Ｈ２ （Ｎ
    Ｏ２ ）３ ＯＨ，ＫＨ（Ｃ８ Ｈ４ Ｏ４ ），Ｃ１０Ｈ
    １４Ｏ,Ｃ１０Ｈ１１Ｎ３ Ｏ６ ，Ｃ１０Ｈ１３Ｎ５ Ｏ
    ４ ，Ｃ１４Ｈ１７ＮＯ２ ，〔ＣＨ２ ・ＣＦ２ 〕ｎ，
    〔ＣＨ２ ・ＣＨＦ〕ｎの内の少なくとも１組成以上で
    構成したことを特徴とする請求項１，８又は９記載の情
    報記録媒体。
  12. 【請求項１２】 前記光干渉膜の屈折率ｎを「ｎ≧３．
    ０」とすると共に、当該光干渉膜媒体組織を、 Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｅ，Ｔｅ，ＺｎＴｅ，ＰｂＴｅ，ＩｎＳ
    ｅ，ＴＩＧａＳｅ２，ＡｇＳｂＳｅ３ ，ＴＩ３ ＡｓＳ
    ｅ３ ，ＣｕＧａＴｅＮ２ ，ＣｕＩｎＴｅ２，ＺｎＳｉ
    Ａｓ２ ，ＺｎＧｅＰ２ ，ＺｎＧｅＡｓ２ ，ＺｎＳｎ
    Ｐ２ ，ＺｎＳｎＡｓ２ ，ＣｄＳｉＡｓ２ ，ＣｄＧｅ
    Ｐ２ ，ＣｄＧｅＡＳ２ ，ＣｄＳｎＰ２ ，ＣｄＳｎＡ
    ｓ２ ，ＧａＰ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＧａＰ，Ｉｎ
    Ｐ，ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ，Ｓｂ２ Ｓ３ ，（Ｇａ，Ａ
    Ｉ）Ａｓ，Ｇａ（Ａｓ，Ｐ），（Ｇａ，ＡＩ）Ｓｂ，
    （ＩｎＧａ）（ＡｓＰ），ＣｄＧｅＡｓ２ ，Ｇｅ２７
    Ｓｅ１８Ｔｅ５５，Ｉｎ２２Ｓｂ３３Ｔｅ４５，Ｉｎ２
    ２，Ｓｂ３７Ｔｅ４１，Ｉｎ２０Ｓｂ３７Ｔｅ４３，Ｉ
    ｎ３２Ｓｂ４０Ｔｅ２８, Ｓｂ５６Ｓｅ４０Ｚｎ４ ，
    Ｓｂ４４Ｓｅ２９Ｚｎ２７，Ｓｂ３４Ｓｅ５８Ｓｎ８
    ，Ｓｅ５２Ｇｅ２７Ｓｎ２１，Ｔｅ６４Ｓｂ６ Ｓｎ３
    ０，Ｓｅ６６Ｓｂ２４Ｇｅ１０，Ｔｅ８０Ｓｅ１０Ｓｂ
    １０，ＧｅＳｂ２ Ｔｅ４ ，ＴｅＯｘ，ＧｅＴｅ，Ｓ
    ｂ２ Ｔｅ２の内の少なくとも一組成以上で構成したこ
    とを特徴とする請求項１，８又は９記載の情報記録媒
    体。
  13. 【請求項１３】 前記光干渉膜を、アモルファスＳｉの
    水素含有合金で且つ光熱調整機能を備えた構成とすると
    共に、 当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「Ｓｉ１−Ｘ Ｈ
    Ｘ 」で表した場合に、前記ｘを原子パーセントで
    「（２８／４７）≦ｘ≦（２８／２９）」の範囲に設定
    したことを特徴とする請求項１，８，９又は１２記載の
    情報記録媒体。
  14. 【請求項１４】 前記光干渉膜を、微結晶化Ｓｉの水素
    含有合金で構成すると共に、 当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「Ｓｉ１−Ｘ Ｈ
    Ｘ 」で表した場合に、前記ｘを原子パーセントで
    「（２８／４７）≦ｘ≦（２８／３７）」の範囲に設定
    したことを特徴とする請求項１，８，９又は１２記載の
    情報記録媒体。
  15. 【請求項１５】 前記光干渉膜を、アモルファスＳｉＣ
    の水素含有合金で構成すると共に、 当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「（ＳｉＣ）１−
    Ｘ ＨＸ 」で表した場合に、前記ｘを原子パーセントで
    「（４０／４９）≦ｘ≦（４０／４１）」の範囲に設定
    したことを特徴とする請求項１，８，９又は１２記載の
    情報記録媒体。
  16. 【請求項１６】 前記光干渉膜を、アモルファスＳｉＧ
    ｅの水素含有合金で構成すると共に、 当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「（ＳｉＧｅ）１
    −Ｘ ＨＸ 」で表した場合に、前記ｘを原子パーセント
    で「（５０３／５９８）≦ｘ≦（５０３／５１８）」の
    範囲に設定したことを特徴とする請求項１，８，９又は
    １２記載の情報記録媒体。
  17. 【請求項１７】 前記光干渉膜を、アモルファスＳｉの
    窒化物で構成すると共に、 当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「Ｓｉ１−Ｘ Ｎ
    Ｘ 」で表した場合に、前記ｘを原子パーセントで「０
    ≦ｘ≦（４／７）」の範囲に設定したことを特徴とする
    請求項１，８，９，１１又は１２記載の情報記録媒体。
  18. 【請求項１８】 前記光干渉膜を、アモルファスＳｉの
    酸化物で構成すると共に、 当該光干渉膜の膜厚方向の平均組成を「Ｓｉ１−Ｘ Ｏ
    Ｘ 」で表した場合に、前記ｘを原子パーセントで「０
    ≦ｘ≦（２／３）」の範囲に設定したことを特徴とする
    請求項１，８，９，１１又は１２記載の情報記録媒体。
  19. 【請求項１９】 前記光干渉膜は、屈折率ｎが「ｎ＜
    １．５」である光干渉膜用の媒体と，屈折率ｎが「１．
    ５≦ｎ＜３．０」光干渉膜用の媒体，および屈折率ｎが
    「ｎ≧３．Ｏ」である光干渉膜用の媒体の内の、少なく
    とも屈折率の異なる二種類以上の媒体を混ぜ合わせると
    によって均質な中間の屈折率の光干渉膜部材が形成され
    使用されていることを特徴とする請求項１，４，５，
    ６，７，８又は９記載の情報記録媒体。
  20. 【請求項２０】 前記光干渉膜が、少なくとも１種類以
    上の元素単体と一種類以上のカルコゲナイド化合物から
    成ることを特徴とした請求項１，２，３，４，５，６，
    ７，８又は９記載の情報記録媒体。
  21. 【請求項２１】 前記光干渉膜が、少なくともアンモチ
    ン，亜鉛，錫，鉛，銅，銀，金，インジウム，ゲルマニ
    ウムのいずれか１種類の元素と、１種類以上のカルコゲ
    ナイド化合物から成ることを特徴とした請求項１，２，
    ３，４，５，６，７，８又は９記載の情報記録媒体。
  22. 【請求項２２】 前記光干渉膜が、少なくともアンモチ
    ン，亜鉛，錫，鉛，銅，銀，金，インジウム，ゲルマニ
    ウムのいずれか１種類の元素と、当該１種類以上の前記
    各元素とカルコゲナイド化合物との二元化合物とから成
    ることを特徴とした請求項１，２，３，４，５，６，
    ７，８又は９記載の情報記録媒体。
  23. 【請求項２３】 前記光干渉膜が、インジウムとテルル
    間に生成する化合物，とアンチモンとテルル間に生成す
    る化合物とから成ることを特徴とした請求項１，２，
    ３，４，５，６，７，８又は９記載の情報記録媒体。
  24. 【請求項２４】 前記光干渉膜が、少なくとも酸素，窒
    素，フッ素の内のいずれか１種類の元素と１種類以上の
    カルコゲナイド化合物とから成ることを特徴とした請求
    項１，２，３，４，５，６，７，８又は９記載の情報記
    録媒体
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