JPH0589521A

JPH0589521A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH0589521A
Application number: JP3249456A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Taki; 和也滝
Original assignee: Brother Industries Ltd
Current assignee: Brother Industries Ltd
Priority date: 1991-09-27
Filing date: 1991-09-27
Publication date: 1993-04-09

Abstract

(57)【要約】【目的】カー効果エンハンスメントが大きく、優れた
Ｃ／Ｎを示すとともに、トラッキング用プッシュプル信
号の低下を防ぎ、同時にトラックピッチを狭くしても、
クロストークが増大せず、生産性の高い光記録媒体を提
供する。【構成】透明な基板１２上に、第１の誘電体層１４と
案内層１６と第２の誘電体層１８と、記録層２０が積層
され、トラッキング用案内膜と、干渉層と、記録層を備
え、案内層の一部が除去されている。第１および第２の
誘電体層１４、１８の屈折率は基板１２より高く、そこ
を往復した光に生じる位相変化が略πあるいはそれに略
２πの整数倍を加えた値になると同時に、案内層１６の
除去されている部分からの反射光と、前記案内層１６の
除去されていない部分からの反射光の位相差が略πある
いはそれに略πの整数倍を加えた値にはならないように
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光により情報の
記録・再生を行なう光ディスクメモリに用いられる光記
録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光記録媒体７０は図７に示すよう
に、射出成形によりトラッキング用案内溝７１の設けら
れたポリカーボネート等の透明基板７２上にＳｉＡｌＯ
Ｎ、ＡｌＮ等の干渉層７４、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ
ｏ等の光磁気記録層７６、ＳｉＡｌＯＮ、ＡｌＮ等の保
護層７８、Ａｌ等の反射層８０が順次積層されている。
このような光磁気記録媒体７０に於いて、情報の記録
は、光磁気記録層７６にレーザ光を照射し、キュリー温
度或は補償温度以上に加熱すると同時に外部から磁界を
印加し、磁化を反転させることにより行なわれる。また
再生は光磁気記録層７６に直線偏光のレーザ光を照射し
たとき、反射光の偏光面の回転が磁化の方向により反転
するというカー効果を利用して行なわれる。更に、カー
効果エンハンスメントにより見かけ上の回転角を増大さ
せ、Ｃ／Ｎを向上させるため、基板７２、光磁気記録層
７６および反射層８０に挟まれた干渉層７４および保護
層７８に於ける多重反射による干渉効果を利用してい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光磁気ディスクでは、干渉層７４、光磁気記録層７６、
保護層７８、反射層８０に於ける干渉効果によるカーエ
ンハンスメントを大きくするため、干渉層７４の屈折率
をｎ₂としたときに干渉層７４の膜厚を略λ／４ｎ₂と
し、光磁気記録層７６の膜厚も反射率が略最小となるよ
うにしているため、トラッキングに必要な溝７１に於け
る反射率も非常に小さくなる。これによりトラッキング
サーボが不安定になり、安定した再生出力が得られない
という問題があった。また、トラックピッチを狭くする
とクロストークが増大したり、溝７１が狭くなることに
よる成形不良が増大し、生産効率が落ちるという問題が
あった。

【０００４】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、その目的とするところは、透明
基板上に第１の誘電体層と、案内層と、第２の誘電体層
と、記録層とを積層し、前記案内層の一部を除去し、さ
らに、誘電体層の屈折率を基板よりも高くすることによ
りカー効果エンハンスメントが大きく、優れたＣ／Ｎを
示すと共に、トラッキングに必要なプッシュプル信号の
減少を防ぎ、安定したトラッキング特性を持つ高品位な
光記録媒体を提供するとともに、トラックピッチを狭く
しても、クロストークが増大せず、また、生産性の高い
光記録媒体を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の光記録媒体では、透明な基板上に積層された
第１の誘電体層と、案内層と、第２の誘電体層と、記録
層とを有し、前記案内層の一部が渦巻状、同心円状、直
線状等に沿って連続あるいは不連続に除去されている。
そして、除去された部分の幅と、その両側の除去されて
いない部分の幅の和が、前記記録層上におけるレーザス
ポット径と等しいかそれよりも広くなっている。第１お
よび第２の誘電体層の屈折率は基板より高く、第１およ
び第２の誘電体層を往復した光に生じる位相変化が略π
あるいはそれに略２πの整数倍を加えた値になるよう
に、第１および第２の誘電体層の膜厚が定められてい
る。さらに、案内層の除去されている部分からの反射光
と、案内層の除去されていない部分からの反射光の位相
差が略πあるいはそれに略πの整数倍を加えた値とはな
らず、望ましくは、略π／２あるいはそれに略πの整数
倍を加えた値となるように各層の膜厚が定められてい
る。

【０００６】また、第１および第２の誘電体層を往復し
た光に生じる位相変化が略πあるいはそれに略２πの整
数倍を加えた値になり、第２の誘電体層の屈折率をそれ
ぞれｎ₂、真空中での光の波長をλ、ｍを整数としたと
きに、第２の誘電体層の膜厚が略［（λ／（４ｎ₂）±λ／（１２ｎ₂）］＋ｍλ／４となるように、第１および第２の誘電体層の膜厚が定め
られていてもよい。

【０００７】さらに、第１の誘電体層のみを往復した光
に生じる位相変化と、前記第１および第２の誘電体層を
往復した光に生じる位相変化の差が略π／２あるいはそ
れに略πの整数倍を加えた値となり、かつ、前記第１お
よび第２の誘電体層を往復した光に生じる位相変化が略
πあるいはそれに略２πの整数倍を加えた値になるよう
に、第１および第２の誘電体層の膜厚が定められていて
もよい。

【０００８】

【作用】上記の構成を有する光記録媒体では、第１およ
び第２の誘電体層、記録層、案内層はよく知られている
薄膜形成手段およびフォトリソグラフィーにより作製す
ることができ、射出成形を用いる必要が無いため、トラ
ックピッチを狭くしても容易に作製することができる。
また、トラックピッチを狭くしても、案内層の除去され
た部分、すなわち、記録領域の幅と、その両側の除去さ
れていない部分の幅の和が、前記記録層上におけるレー
ザスポット径と等しいかそれよりも広くなっているた
め、照射されたレーザ光が隣の記録領域には達せず、ク
ロストークは増大しない。

【０００９】第１および第２の誘電体層は基板より屈折
率が高いため、案内層の除去された部分における基板と
記録層との間にある第１および第２の誘電体層において
再生光の多重反射が生じる。ここで本発明の光記録媒体
の第１および第２の誘電体層の膜厚は、第１および第２
の誘電体層を往復した再生光に生じる位相変化量がπと
なるように設定されているため、多重反射によるカー効
果エンハンスメントが増大しＣ／Ｎが向上する。またト
ラッキング用のプッシュプル信号は、本発明の構造にお
いては、案内層の除去されている部分からの反射光と、
案内層の除去されていない部分からの反射光の位相差
が、略π／２のとき最大となる。このとき、案内層の除
去されていない部分の反射率は、記録領域の反射率ほど
は低下しないため、トラッキング信号の低下を防ぎ安定
したトラッキングサーボが可能となる。

【００１０】案内層が比較的厚い場合は、案内層で反射
され、第１の誘電体層のみを往復した光に生じる位相変
化と、記録層で反射され、前記第１および第２の誘電体
層を往復した光に生じる位相変化の差が略π／２あるい
はそれに略πの整数倍を加えた値となるように、第１お
よび第２の誘電体層の膜厚が定められていていればよ
い。さらに、第１および第２の誘電体層の屈折率を等し
くすることにより、第１および第２の誘電体層の境界に
おける不用な反射が生じないためＣ／Ｎおよびトラッキ
ング特性が向上する。

【００１１】また、第１および第２の誘電体層を往復し
た光に生じる位相変化が略πあるいはそれに略２πの整
数倍を加えた値になり、第２の誘電体層の屈折率をそれ
ぞれｎ₂、真空中での光の波長をλ、ｍを整数としたと
きに、第２の誘電体層の膜厚が略［（λ／（４ｎ₂）±λ／（１２ｎ₂）］＋ｍλ／４となるように、第１および第２の誘電体層の膜厚を定め
ることにより、プッシュプル信号は幾分小さくなるが、
案内層を所定の信号パターンで不連続的に除去した部分
からのプリフォーマット信号強度が大きくなるため、プ
リフォーマットディスクとしても使用することができ
る。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面を
参照して説明する。

【００１３】図１は、本発明の一実施例である光記録媒
体の１０の要部断面図であり、この光記録媒体１０は、
ガラス等の透明な基板１２上に第１の誘電体層１４、案
内層１６、第２の誘電体層１８、記録層２０、保護層２
２を順次積層することにより構成されている。

【００１４】案内層１６は、Ａｌ、Ｔａ等の金属等で作
製されており、渦巻き状、同心円あるいは直線状に、基
板１２側からみた平面図である図２のように連続あるい
は不連続的に除去されている。一定の長さだけ、連続し
て除去された部分は情報を記録するために用いられ、記
録領域３０となる。また、不連続的に除去された部分は
そのままピット３２を構成する。このため、セクターマ
ーク等の信号をピット３２によってあらかじめ記録して
おくことができ、プリフォーマットを行うことができ
る。

【００１５】第１および第２の誘電体層１４、１８は、
基板１２よりも屈折率の高い、例えばＳｉＯ、ＳｉＡｌ
ＯＮ、ＴｉＯ₂、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＳｉＮ、ＡｌＮ等か
ら成る。このとき、第１および第２の誘電体層１４、１
８を同一材料で構成することにより、案内層１６の除去
部分である記録領域３０における第１および第２の誘電
体層１４、１８の境界において、不用な反射が生じな
い。

【００１６】記録層２０には例えば希土類と遷移金属と
を主成分とするアモルファス合金である光磁気材料、即
ちＴｂＦｅＣｏ（テルビウム鉄コバルト合金）等が用い
られる。また、保護層２２は、記録層２０を化学変化か
ら保護するためのものでＳｉＡｌＯＮ、ＡｌＮ等から成
る。

【００１７】基板１２から入射した光は主に案内層１
６、および記録層２０によって反射される。従って、案
内層１６および記録層２０によって生じる回折効果を利
用してよく知られたプッシュプル法によりトラッキング
を行うことができる。

【００１８】また、図３に示すように入射した光４０の
一部は案内層１６に遮られるため、記録層２０に記録さ
れるピットあるいは磁区の幅は案内層１６の除去された
記録領域３０の幅に制限される。従って、記録領域３０
の幅をｗ、トラックピッチをＰ、照射光４０の記録層２
０上におけるスポット径をｄとすると、記録領域３０と
その両側の案内層１６の除去されていない部分のを合わ
せた幅ＷはＷ＝Ｐ＋（Ｐ−ｗ）＝２Ｐ−ｗ（１）となる。従って、Ｗがスポット径ｄよりも大きければ、
照射光４０が隣の記録領域には達しないため、クロスト
ークは増大しない。すなわち、ｄ＝２Ｐ−ｗ（２）とすることにより、クロストークを増大させずトラック
ピッチをスポット径よりも小さくでき、狭トラックピッ
チ化による高密度化が可能となる。

【００１９】本発明の光記録媒体は、よく知られている
薄膜形成手段およびフォトリソグラフィーにより作製さ
れる。即ち、基板１２上に、ＳｉＡｌＯＮ等の透明誘電
体層１４を所定の厚さだけ、例えばスパッタリング等に
より形成する。その上に、Ａｌ、Ｔａ等の金属膜を真空
蒸着、或はスパッタリング等の手段で形成し、その上に
フォトレジストをスピンコート法等で塗布する。次に、
レーザ露光法等によりフォトレジストを渦巻き状もしく
は同心円状に連続あるいは不連続的に取り除く。不連続
的に取り除く場合は、露光時にレーザをセクターマーク
等の信号で変調し、フォトレジストに照射すればよい。
さらに、酸、アルカリ溶液等を用いたエッチング、或
は、プラズマエッチング等により金属膜のフォトレジス
トが取り除かれた部分をエッチングする。その後、レジ
ストを有機溶剤等で除去することにより案内層１６が形
成される。さらに、その上に、第２の誘電体層１８、記
録層２０、保護層２２をスパッタリング等のよく知られ
ている薄膜形成手段により積層することにより光記録媒
体１０が作成される。

【００２０】このように、本発明の光記録媒体１０は、
基板に案内溝を必要としないため、射出成形による溝部
の成形不良は生じなく、容易にトラックピッチの狭い光
記録媒体を製造することができる。

【００２１】そしてかかる光記録媒体１０は、その基板
１２を通してレーザ光が記録層２０に照射されると、磁
気光学効果により記録層２０における局部磁化方向に関
連して反射光のカー回転角が変化させられ、この反射光
のカー回転角に基づいて、情報が読み出される。また、
情報の書き込みに際しては、レーザ光の照射により記録
層２０をキュリー点あるいは補償温度まで局部加熱し、
この局部の冷却時に外部磁界の方向を所望する方向へ制
御することにより磁化方向に対応した情報を記録する。

【００２２】上記の構成を有する光記録媒体１０では、
第１および第２の誘電体層１４、１８は屈折率の高い透
光性材料であり、記録領域３０において基板１２と記録
層２０との間で多重反射が生じる。ここで、第１および
第２の誘電体層１４、１８を往復する光に生じる位相変
化量をＡ、第１および第２の誘電体層の膜厚をそれぞれ
ｄ₁、ｄ₂、屈折率をそれぞれｎ₁、ｎ₂とすると、（３）
式が成り立つ。

【００２３】Ａ＝２（２π／λ）（ｎ₁ｄ₁＋ｎ₂ｄ₂）（３）さらに、第１および第２の誘電体層１４、１８に同一材
料を用い、その屈折率をｎ_Iとすると（３）式は（４）
式のように表される。

【００２４】Ａ＝２ｎ_I（２π／λ）（ｄ₁＋ｄ₂）（４）ここで、よく知られているようにＡ＝π＋２ｍπ（ｍは整数）（５）のとき、記録層におけるカー効果エンハンスメントが最
大となり見かけのカー回転角が増大するためＣ／Ｎが向
上する。このとき、（４）、（５）式よりｄ₁＋ｄ₂＝λ／（４ｎ_I）＋ｍλ／（２ｎ_I）（６）となる。すなわち、第１および第２の誘電体層１４、１
８の膜厚の和が再生光の第１および第２の誘電体層１
４、１８中での波長の約１／４、或はそれに半波長の整
数倍を加えたものに設定されている本発明の光記録媒体
では、記録層２０におけるカー効果エンハンスメントが
増大しＣ／Ｎが向上する。

【００２５】またトラッキング用のプッシュプル信号
は、本発明の構造においては、案内層１６によって反射
され、第１の誘電体層１４のみを往復した光に生じる位
相変化と、記録層２０によって反射され第１および第２
の誘電体層１４、１８を往復した光に生じる位相変化の
差が略π／２あるいはそれに略πの整数倍を加えた値と
なるときに最大となり、π＋ｍπのときにゼロとなる。
第１の誘電体層１４のみを往復する光に生じる位相変化
量をＢとすると、ＢはＢ＝２ｎ_I（π／λ）ｄ₁ （７）で表わされ、前記位相差はＡ−Ｂとなる。ここでカー効
果エンハンスメントが最大となる（５）式を満足し、且
つプッシュプル信号が最大となるＡ−Ｂ＝π／２＋ｌπ（ｌは整数）（８）を満足するとき、第１および第２の誘電体層１４、１８
の膜厚ｄ₁、ｄ₂はｄ₁＝λ／（８ｎ_I）＋ｌλ／（４ｎ_I）（９）ｄ₂＝λ／（８ｎ_I）＋（２ｍ−ｌ）λ／（４ｎ_I）（１０）となる。なお、このとき、記録領域３０における反射率
はほぼ最小となるが、案内層１６の除去されていない部
分の反射率は最小とならず、従来の溝付ディスクと比べ
てプッシュプル信号の低下を防ぐことができる。

【００２６】なお、プッシュプル信号がゼロとなり、光
記録媒体の記録、再生ができなくなる条件、即ちＡ−Ｂ＝π＋ｌπ （１１）となる場合、ｄ₁によらずｄ₂＝λ／（４ｎ_I）＋ｌλ／（４ｎ_I）（１２）となる。従って本発明の光記録媒体では、第２の誘電体
層１８の膜厚が（１２）式を満足するような条件以外で
あれば、プッシュプル信号が得られ、記録再生が可能と
なる。そして、第１の誘電体層の膜厚を適当に選ぶこと
で、カー効果エンハンスメントによりＣ／Ｎの向上を実
現することができる。

【００２７】例えば、案内層１６の一部を不連続的に除
去することにより形成されたピット３２を再生する場
合、再生信号が最大になるときの第２の誘電体層の膜厚
は（１２）式になるが、トラッキングに必要なプッシュ
プル信号が得られないため、（１２）式から膜厚をずら
し、ｄ₂＝［（λ／（４ｎ_I）＋λ／（１２ｎ_I）］＋ｌλ／（４ｎ_I）（１３）若しくはｄ₂＝［（λ／（４ｎ_I）−λ／（１２ｎ_I）］＋ｌλ／（４ｎ_I）（１３′）となるように、第２の誘電体層の膜厚を定めてもよい。
このとき、カー効果エンハンスメントが最大になるよう
に（５）式を満たすように第１の誘電体層１４の膜厚を
定めると、ｄ₁＝（２ｍ−ｌ）λ／（４ｎ_I）−λ／（１２ｎ_I）（１４）若しくはｄ₁＝（２ｍ−ｌ）λ／（４ｎ_I）＋λ／（１２ｎ_I）（１４′）となる。この場合プッシュプル信号および、ピットから
の信号がそれぞれ十分な強度で得られるので、プリグル
ーブディスクに対して良好に記録再生を行うことができ
る。

【００２８】以上、本発明の一実施例を図１からおよび
図３に基づいて詳細に説明したが、本発明は他の様態で
実施することができる。

【００２９】すなわち、記録層２０および案内層１６の
膜厚については特に限定されない。例えば図４に示すよ
うに記録層２０を薄くし、保護層２２の上にＡｌ、Ａ
ｕ、Ｃｕ等から成る反射層２４を設けてもよい。即ち、
基板１２側から入射した光は、磁性薄膜を透過した後、
反射層によって反射され、再び磁性薄膜を透過する。こ
れにより、カー効果だけでなく、ファラデー効果も加わ
るため、さらに大きなカー効果エンハンスメントが生じ
る。この場合も案内層１６の反射率低下を防ぎ、安定し
たトラッキング特性が得られる。案内層１６が薄い場合
は、記録層２０に生じる凹凸も小さくなるため、記録層
２０の段差部分からの劣化の抑制効果が大きくなる。こ
のとき、基板１２側から入射した光の一部は案内層１６
を透過し、第２の誘電体層１８を透過し、記録層２０で
反射される。このとき、記録層２０と案内層１６の間で
も多重反射による干渉が生じ、基板１２側に出射する光
に生じる位相変化は複雑になる。

【００３０】このように、案内層１６や記録層２０が薄
い場合は案内層１６の除去されている部分からの反射光
と、案内層１６の除去されていない部分からの反射光の
位相変化は複雑となるがその差が略π／２あるいはそれ
に略πの整数倍を加えた値であれば最適のプッシュプル
信号が得られる。なお、位相差はトラッキングが可能で
あればこの値からずれていてもよく、プッシュプル信号
がゼロとなる位相差である略πおよびその整数倍を加え
た値にならないように各層の膜厚が設定されていればよ
い。

【００３１】各層の材料についても特に限定されず、基
板材料としてガラスの代わりに、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネイト樹脂、アモルファスポリオレフィン樹脂等を
用いてもよい。

【００３２】また、記録層２０も光磁気材料だけでな
く、Ｔｅ、Ｂｉ等の穴開け型や、ＧｅＳｂＴｅ、ＴｅＯ
_x等の相変化形材料、色素等の有機材料等等を用いるこ
とができる。光磁気材料以外の材料を用いた場合も、第
１および第２の誘電体層１４、１８を往復した光に生じ
る位相変化が略πあるいはそれに略２πの整数倍を加え
た値になるように、その膜厚が定められていれば記録感
度が向上する。

【００３３】また、案内層の除去パターンについても特
に限定されず、渦巻状あるいは同心円状に連続して除去
してもよい。このとき、プリフォーマット信号は記録層
に記録すればよい。

【００３４】また、第１および第２の誘電体層１４、１
８の材料は特に限定されず、また、同一である必要はな
く、異なった材料で構成してもよい。例えば、図５のよ
うに第１の誘電体層１４にＳｉＡｌＯＮ等を用い、第２
の誘電体層５０としてスピンコーティングおよび熱処理
により作製したＴｉＯ₂、ＰＬＺＴ等を用い、記録層２
０を略平坦にしてもよい。さらに、図６のように第２の
誘電体層１４としてスピンコーティングで作製したＴｉ
Ｏ₂、ＰＬＺＴ等の平坦化層５０とその上にスパッタリ
ング等で作製したＳｉＡｌＯＮ等から成る誘電体膜５２
を設けてもよい。すなわち、第１および第２の誘電体層
１４、１８はそれぞれ単一の材料で構成されている必要
はなく、それぞれ複数の材料を用いた多層膜で構成され
ていてもよい。

【００３５】更に、トラッキング法はプシュプル法に限
定されず、３ビーム法によっても同様に良好に行なうこ
とができる。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したことから明かなように、本
発明の光記録媒体では、照射光の一部が案内層に遮ら
れ、隣の記録領域に達しないため、トラックピッチを狭
くしてもクロストークが増大せず、また、製造に射出成
形を用いないため、生産性が高くなる。また、第１およ
び第２の誘電体層が基板よりも屈折率の高い透光性の材
料で形成されており、カー効果エンハンスメントによる
記録層の見かけのカー回転角の増大によりＣ／Ｎが向上
すると同時にトラッキングに必要なプッシュプル信号の
低下を防ぎ安定したトラッキング特性を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である光記録媒体の要部断面
図である。

【図２】本発明の一実施例である光記録媒体の基板側か
らみた要部平面図である。

【図３】本発明の一実施例である光記録媒体の要部断面
図である。

【図４】本発明の他の実施例である光記録媒体の要部断
面図である。

【図５】本発明の他の実施例である光記録媒体の要部断
面図である。

【図６】本発明の他の実施例である光記録媒体の要部断
面図である。

【図７】従来の光磁気記録媒体の一例を示す要部断面図
である。

【符号の説明】

１０光記録媒体１２ガラス基板１４第１の誘電体層１６案内層１８第２の誘電体層２０記録層３０記録領域（案内層の除去された部分）３２ピット（案内層の除去された部分）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な基板と、前記基板上に積層された
第１の誘電体層と、案内層と、第２の誘電体層と、記録
層とを有し、前記案内層の一部が除去されていることを
特徴とする光記録媒体。
【請求項２】請求項１記載の光記録媒体において、前
記案内層が渦巻状、同心円状、直線状等に沿って連続あ
るいは不連続に除去されており、除去された部分の幅
と、その両側の除去されていない部分の幅の和が、前記
記録層上におけるレーザスポット径と等しいかそれより
も広いことを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】請求項１記載の光記録媒体において、前
記第１および第２の誘電体層の一方あるいは両方の屈折
率が基板より高いことを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】請求項１記載の光記録媒体において、前
記第１および第２の誘電体層の屈折率が互いに等しいこ
とを特徴とする光記録媒体。
【請求項５】請求項１記載の光記録媒体において、前
記第１および第２の誘電体層を往復した光に生じる位相
変化が略πあるいはそれに略２πの整数倍を加えた値に
なるように、前記第１および第２の誘電体層の膜厚が定
められていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項６】請求項１記載の光記録媒体において、前
記案内層の除去されている部分からの反射光と、前記案
内層の除去されていない部分からの反射光の位相差が略
πあるいはそれに略πの整数倍を加えた値ではないこと
を特徴とする光記録媒体。
【請求項７】請求項１記載の光記録媒体において、前
記案内層の除去されている部分からの反射光と、前記案
内層の除去されていない部分からの反射光の位相差が略
π／２あるいはそれに略πの整数倍を加えた値であるこ
とを特徴とする光記録媒体。
【請求項８】請求項１記載の光記録媒体において、前
記第２の誘電体層の屈折率をそれぞれｎ₂、真空中での
光の波長をλ、ｍを整数としたときに、前記第２の誘電
体層の膜厚が略［（λ／（４ｎ₂）±λ／（１２ｎ₂）］＋ｍλ／（４ｎ₂）となるように、前記第１および第２の誘電体層の膜厚が
定められていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項９】請求項１記載の光記録媒体において、前
記第１の誘電体層のみを往復した光に生じる位相変化
と、前記第１および第２の誘電体層を往復した光に生じ
る位相変化の差が略π／２あるいはそれに略πの整数倍
を加えた値となり、かつ、前記第１および第２の誘電体
層を往復した光に生じる位相変化が略πあるいはそれに
略２πの整数倍を加えた値になるように、前記第１およ
び第２の誘電体層の膜厚が定められていることを特徴と
する光記録媒体。