JPH09185846A - 情報記録媒体および情報メモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光ディスクなどにおいて、多数回の書き換えま
たは超解像再生時にもＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）が低下
するのを防止する。 【解決手段】２層ある反射層の間に拡散防止層を設け、
反射層の間で層材料が拡散、または反応するのを防止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する利用分野】本発明はディジタル情報の記
録再生に用いる情報記録薄膜，媒体，装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情
報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜
材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニ
ングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用す
るものは、薄膜の変形を伴わないため、２枚のディスク
部材を直接張り合わせて両面ディスク構造の情報記録媒
体が得られるという長所を持つ。また、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系などの記録膜では情報の書き換えを行うことができ
る利点がある。

【０００３】この種の記録膜では、高密度化を行うため
のサンプルサーボ方式，マークエッジ記録などで１０⁴
回を越える多数回の書き換えを行うと、記録膜の流動に
より記録膜膜厚が変化し、再生信号波形に歪みが生じ
る。記録膜の流動は、記録時のレーザ照射により、保護
層や中間層の熱膨張による変形により、記録膜が少しず
つ押されて生じる。これを防ぐため、例えば、文献１
「第４１回応用物理学関係連合後援会予稿集ｐ９９６」
にＣｒ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜を用いることで記録
膜の流動を防止する方法が開示されている。また、さら
に文献２「第４２回応用物理学関係連合後援会予稿集ｐ
１０３３」にＳｉとＡｌ合金の２層の反射層を用いるこ
とにより、記録膜の流動を防止する方法が開示されてい
る。

【０００４】しかし、これだけでは１０⁵ 回を越える多
数回の書き換えを行った際、Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）
の低下が生じることがある。これは、多数回書き換え時
に２層の反射層の間で層材料が拡散、または反応し熱伝
導度や光学定数に変化が生じてＣ／Ｎが低下していたた
めと考えられる。

【０００５】一方、映像や音声などのアナログ信号をＦ
Ｍ変調したものや、たとえば電子計算機のデータや、フ
ァクシミリ信号やディジタルオーディオ信号などのディ
ジタル情報が凹凸により記録された光ディスクやレーザ
光，電子線などの記録用ビームによって信号やデータが
記録された光ディスク，信号やデータをリアルタイムで
記録することが可能な情報の記録用薄膜などを持つ光デ
ィスクにおいては、信号再生分解能は、ほとんど再生光
学系の光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決ま
り、記録マーク周期２ＮＡ／λが読み取り限界となる。
高密度化のため、相変化により反射率が変わる媒体を用
いて凹凸で記録されたデータを再生する方法が特開平3
−292632 号公報より、相変化記録膜に記録されたデー
タを高密度再生するための溶融マスク層を持つ媒体が特
開平5−73961号公報に述べられている。これらをはじめ
とする超解像再生可能な媒体構造は記録再生用の媒体と
基板以外の構成はほぼ同様であり、多数回の超解像再生
を行った場合、超解像読み出し用膜の流動が生じ、Ｃ／
Ｎ低下が生じるという同様の問題を抱えている。

【０００６】ただし、ここでは相変化には結晶−非晶質
間の相変化ばかりでなく、単なる融解（液層への変化）
も含むものとする。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の方法で
は、多数回の書き換えまたは超解像再生時にＣ／Ｎ（搬
送波対雑音比）が低下するという問題点がある。これ
は、２層の反射層の間で層材料が拡散、または反応し熱
伝導度や光学定数に変化が生じたためと考えられる。

【０００８】本発明の目的は多数回の書き換え、または
超解像再生を行った場合でもＣ／Ｎの低下を防止できる
ようにすることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】

（１）基板上に直接または下地層を介して形成された、
エネルギビームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜
を記録層または超解像読み出し用のマスク層として備
え、かつ保護層を備え、かつ複数層以上の反射層を備え
これら反射層間の界面のうち少なくとも１界面に拡散防
止層を備えた情報記録媒体であることを特徴とする。

【００１０】（２）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、複数層の反射層が読み出しレーザ波長における屈折
率または消衰係数の少なくとも一方が相互に異なる材料
よりなる第１反射層，第２反射層とその間の拡散防止層
からなる情報記録媒体であることを特徴とする。

【００１１】（３）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、上記各層が基板上に、光入射側から保護層，記録層
または超解像読み出し用のマスク層の順に積層され、そ
の次に直接または中間層を介して第１反射層，拡散防止
層，第２反射層の順に積層された構造を持つことを特徴
とする。

【００１２】（４）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、上記拡散防止層がＷ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｌ−Ｓ
ｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ，ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ−Ｎ、またはこれ
らを主成分とする合金，化合物，混合材料の少なくとも
一つ、またはこれに近い組成であることを特徴とする。

【００１３】（５）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、上記第１反射層の積層最終過程および／または積層
後に、第１反射層材料を弗化，窒化，酸化，炭化，硫
化，セレン化，弗化以外のハロゲン化処理を行うことに
より形成されたことを特徴とする。

【００１４】（６）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、上記第１反射層の積層最終過程および／または積層
後に、第１反射層形成時の雰囲気ガスに少なくとも１％
以上の窒素，酸素，塩素，弗素，硫化水素，四塩化炭
素，水素，沃素の少なくとも１種を混入した混合したガ
スを使用して第１反射層材料を積層することにより拡散
防止層を形成したことを特徴とする。

【００１５】（７）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、上記第２反射層の積層最初過程および／または積層
前に、第２反射層形成時の雰囲気ガスに少なくとも１％
以上の窒素，酸素，塩素，弗素，硫化水素，四塩化炭
素，水素，沃素の少なくとも１種を混入した混合したガ
スを使用して第２反射層材料を積層することにより拡散
防止層を形成したことを特徴とする。

【００１６】（８）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、上記第２反射層の積層最初過程および／または積層
前に、第２反射層材料を弗化，窒化，酸化，炭化，硫
化，セレン化，弗化以外のハロゲン化処理を行うことに
より形成されたことを特徴とする。

【００１７】（９）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、上記拡散防止層が第１反射層と第２反射層を積層す
る間の過程において、少なくともどちらか一つの層の界
面を反応防止処理または拡散防止処理の少なくともどち
らか一つの処理を行うことにより形成されたことを特徴
とする。

【００１８】（１０）（１）に記載の情報記録媒体にお
いて、上記記録膜上に上記第１反射層が直接積層された
ことを特徴とする。

【００１９】（１１）（１）に記載の情報記録媒体にお
いて、上記第１反射層がＳｉ，Ｓｉ−Ｇｅ混合材料，Ｓ
ｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ，Ｓｉ−Ａｕ、またはＳｉ−Ｉｎ混
合材料の少なくとも一つ、またはこれに近い組成である
か、あるいは上記第２反射層がＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａ
ｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−ＣｒなどＡｌ合金を主成分とす
るもの、Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａ
ｇ，Ａｇ合金，Ｍｏ，Ｍｏ合金，Ｔａ，Ｔａ合金，Ｗ，
Ｗ合金，Ｃｏ，Ｃｏ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金の少なくとも
一つ、またはこれに近い組成であることを特徴とする。

【００２０】（１２）（１）に記載の情報記録媒体にお
いて、上記第１反射層がＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ
−Ｃｕ，Ａｌ−ＣｒなどＡｌ合金を主成分とするもの、
Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合
金，Ｍｏ，Ｍｏ合金，Ｔａ，Ｔａ合金，Ｗ，Ｗ合金，Ｃ
ｏ，Ｃｏ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金の少なくとも一つ、また
はこれに近い組成であるか、あるいは上記第２反射層が
Ｓｉ，Ｓｉ−Ｇｅ混合材料、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ，Ｓ
ｉ−Ａｕ、またはＳｉ−Ｉｎ混合材料の少なくとも一
つ、またはこれに近い組成であることを特徴とする。

【００２１】（１３）（１）に記載の情報記録媒体にお
いて、上記記録層または超解像読み出し用のマスク層
と、上記第１反射層の間に中間層を備えることを特徴と
する。

【００２２】（１４）（１）に記載の情報記録媒体にお
いて、上記保護層の膜厚が７０ｎｍ以上，１３０ｎｍ以
下の範囲にあることを特徴とする。

【００２３】（１５）（１）に記載の情報記録媒体にお
いて、上記情報記録媒体において、上記記録層または超
解像読み出し用のマスク層の全原子数の９５％以上の組
成がＬを相変化成分，Ｈを高融点成分としたとき、 （Ｌ)_1-s(Ｈ)_s で表され、かつ０.０２≦ｓ≦０.２０を満たすことを特
徴とする。

【００２４】（１６）（１）に記載の情報記録媒体の記
録，再生または超解像再生波長の少なくとも一つに用い
るレーザを備え、かつ、光ヘッド制御回路，トラッキン
グ誤差検出手段，光ヘッド移動ドライバ，記録データ変
調手段，レーザドライバ，再生信号処理手段，再生デー
タ送出手段を備えたことを特徴とする情報メモリ装置。

【００２５】（１７）拡散防止層材料としては、Ｗ，Ｗ
を主成分とする合金，化合物が拡散・反応防止効果が大
きく好ましい。次にＭｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ、またはこれらを主
成分とする合金，化合物が拡散・反応防止効果が大きく
好ましい。

【００２６】それ以外に、ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ−Ｎ系材料，
Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ₂ ）、
または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。

【００２７】さらに、Ｂ，Ｃ，Ａｇ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏ
ｓ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｈｆ，Ａｃ，Ｙ，Ｚｒ，Ｓｃ，Ｂｅ，
Ｓｉ，Ｓｎ、これらを主成分とする合金，化合物でもよ
い。

【００２８】（ＺｎＳ)₈₀（ＳｉＯ₂)₂₀、これのＺｎＳ
とＳｉＯの混合比を換えたもの、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，
ＳｉＯ，Ｔａ₂Ｏ₅，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｃｅ
Ｏ,Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，Ｓ
ｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，ＷＯ₂，ＷＯ₅，Ｓ
ｃ₂Ｏ₃，ＺｒＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ₃
Ｎ₄系材料などの窒化物，ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，ＣｄＳ，
Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂
Ｓ₃などの硫化物，ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，ＣｄＳｅ，
ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ,ＧｅＳ
ｅ₂,ＳｎＳｅ₂，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅなどのセレン化
物，ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、あるい
はＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ、または、上記
の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これら
の混合材料の層やこれらの多重層でもよい。

【００２９】また、拡散防止層６材料にＷ，Ｂｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｚｎ，電解鉄，黄銅（Ｃ
ｕ₇₀Ｚｎ₃₀），ジュラルミン，ステンレススチール，溶
融石英または、強度が大きい材料を使用すると、記録時
の記録膜流動が起こりにくくなるため、書き換え可能回
数が大きくなるという利点がある。

【００３０】拡散防止層６の膜厚は平均膜厚で、１ｎｍ
以上が好ましい。拡散防止効果を大きくする点から３ｎ
ｍ以上，記録再生特性を良好にする点から１０ｎｍ以下
がより好ましい。

【００３１】（１８）拡散防止層はマグネトロン・スパ
ッタリング装置でスパッタガスに反応ガスを混入させて
反応性スパッタリング，スパッタリングにて形成しても
よい。この場合、拡散防止層専用ターゲットが不要とな
る点では好ましい。

【００３２】さらに、第１反射層を形成した後に第１反
射層の界面部を弗化，窒化，酸化，炭化，硫化，セレン
化，弗化以外のハロゲン化処理を行うことにより、形成
してもよい。

【００３３】また、第１反射層と第２反射層を積層する
間の過程において、少なくともどちらか一つの層の界面
を反応防止処理または拡散防止処理の少なくともどちら
かの処理を行うことにより形成してもよい。

【００３４】拡散防止層６は、第１反射層と第２反射層
を形成する過程において連続的に組成を変化させること
によって形成してもよい。

【００３５】（１９）第１反射層材料としてはＳｉ，Ｓ
ｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光吸収率を記録
マーク以外の部分の光吸収率より小さくできるので、光
吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書き換え可
能回数が低下しない。Ｇｅの含有量は１０原子％以上，
８０原子％以下が書き換え可能回数の低下が生じにく
い。

【００３６】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ，Ｓｉ−Ａ
ｕ、またはＳｉ−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材
料の２種以上の混合材料でも同様の結果が得られた。こ
れらの反射層材料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、
他の相変化膜を用いる場合の反射層材料として用いて
も、従来の反射層材料に比べて書き換え可能回数が低下
しない。Ｓｉに添加する元素の含有量は３原子％以上，
５０原子％以下が書き換え可能回数の低下が生じにく
い。

【００３７】さらに、上記以外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材
料，屈折率が大きくて消衰係数が小さい材料よりなる層
を用いてもよいし、それらの相よりなる多重層を用いて
もよいし、これらの酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。Ｇｅも使用可能である。その他、各
種窒化物，硫化物，セレン化物も使用可能である。

【００３８】また、読み出し波長における、第１反射層
材料の屈折率ｎと消衰係数ｋがｎ≧２となる材料がより
好ましく、ｎ≧２かつ２≧ｋとなる材料が特に好まし
い。

【００３９】また、それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらとＳｉＯ など酸化物などの他の物質
との複合層などを用いてもよい。この時の、第１反射層
と第２反射層の屈折率ｎの差は２以上が好ましい。

【００４０】（２０）第２反射層材料としては、Ａｌ−
Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−ＣｒなどＡｌ合
金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも使用可能であ
る。Ａｌ合金以外の材料も使用可能である。

【００４１】Ａｌ合金の場合、Ａｌの含有量は５０原子
％以上，９９.９ 原子％以下が熱伝導率を大きくでき、
書き換え可能回数の低下が生じにくい。

【００４２】また、Ｓｂ−Ｂｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，
Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ
の元素単体、またはこれらを主成分とする合金、あるい
はこれら同士の合金よりなる層を用いてもよいし、それ
らの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化
物などの他の物質との複合層などを用いてもよい。第１
反射層と屈折率および消衰係数が異なる材料であれば、
Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とする合金、あるいは
これらと上記元素同士の合金よりなる層を用いてもよい
し、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これ
らと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよ
い。

【００４３】この中で、Ｃｕ合金，Ａｌ合金などのよう
に、熱伝導率が大きいものは、ディスク構造が急冷構造
となり、多数回書き換えによる反射率変動が生じにく
い。また、Ｓｂ−Ｂｉ，Ｄｙなどのように熱伝導率が小
さいものは、保温されやすくなるため、記録感度がよく
なるという利点がある。

【００４４】第２反射層の膜厚は０ｎｍでもよいが、５
ｎｍ以上が好ましい。強度を大きくする点から３０ｎｍ
以上，作製時間を少なくする点から３００ｎｍ以下がよ
り好ましい。

【００４５】（２１）第１反射層と第２反射層の組み合
わせとしては、第１反射層がＳｉ，Ｓｉ−Ｇｅ混合材
料、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ，Ｓｉ−Ａｕ、またはＳｉ−
Ｉｎ混合材料の少なくとも一つ、またはこれに近い組成
であるか、第２反射層がＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ
−Ｃｕ，Ａｌ−ＣｒなどＡｌ合金を主成分とするもの、
Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合
金，Ｍｏ，Ｍｏ合金，Ｔａ，Ｔａ合金，Ｗ，Ｗ合金，Ｃ
ｏ，Ｃｏ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金の少なくとも一つ、また
はこれに近い組成であることが書き換え可能回数が大き
く、好ましい。 （２２）第１反射層と第２反射層の組み合わせとして
は、第１反射層が、消衰係数ｋが４以下である材料から
なり、かつ、上記第２反射層は消衰係数が第１反射層よ
り大きく、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・ｋ以上である材料
からなると、吸収率を適当に保つことができ、また記録
時の記録膜の温度を適当に保つことができるため好まし
い。

【００４６】（２３）第１反射層と第２反射層の組み合
わせを、次のように選ぶと、非晶質状態と結晶状態の吸
収率制御がしやすいため、好ましい。

【００４７】第１反射層材料としては、Ｍｏ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｓｂ，
Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、または
これらを主成分とする合金、あるいはこれら同士の合金
よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重
層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質と
の複合層などを用いてもよい。消衰係数が４以下である
材料を用いることにより、結晶状態の吸収率より非晶質
状態の吸収率が大きい場合に、吸収率差を小さくでき、
書き換え時の消え残りを小さくできた。

【００４８】この中で、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ合金，Ｗ
合金，Ｔａ合金などは反応性が低く、多数回のレーザ照
射によって、第２反射層材料と反応して特性が変化する
恐れがないため、書き換え特性がよいという利点があ
る。

【００４９】また、Ｃｒ₄Ｔｅ₅，Ｃｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓ
ｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｇ
ｅ，Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓ
ｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｗ−Ｔｅの組
み合わせよりなる化合物，混合物よりなる群より選ばれ
た少なくとも一つ、またはこれに近い組成の材料を用い
てもよい。これらの材料は高融点であり、第２反射層材
料と反応して特性が変化する恐れがないため、書き換え
特性がよいという利点がある。

【００５０】第１反射層と第２反射層の組み合わせとし
ては、上記第１反射層がＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ
−Ｃｕ，Ａｌ−ＣｒなどＡｌ合金を主成分とするもの、
Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合
金，Ｍｏ，Ｍｏ合金，Ｔａ，Ｔａ合金，Ｗ，Ｗ合金，Ｃ
ｏ，Ｃｏ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金の少なくとも一つ、また
はこれに近い組成であるか、あるいは上記第２反射層が
Ｓｉ，Ｓｉ−Ｇｅ混合材料，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ，Ｓ
ｉ−Ａｕ、またはＳｉ−Ｉｎ混合材料の少なくとも一
つ、またはこれに近い組成である材料からなると、吸収
率を適当に保つことができるため好ましい。

【００５１】第１反射層の膜厚は３０ｎｍ以下の範囲に
選ぶと、吸収率制御ができ、好ましい。さらに薄く、約
１５ｎｍ以下の範囲に膜厚を選ぶと、より好ましい。

【００５２】第２反射層としては、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，
Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ａｕ合金などのように、熱伝導率
が大きいものが、ディスク構造が急冷構造となり、多数
回書き換えによる反射率変動が生じにくいため、好まし
い。この場合の熱伝導率は１００Ｗ／ｍ・ｋ以上である
と、書き換え回数が大きくなるため好ましく、230Ｗ／
ｍ・ｋ以上にするとが書き換え回数が２倍になるため好
ましい。さらに、Ａｕ単体にくらべ、Ａｕ−Ａｇ，Ａｕ
−Ｃｏ，Ａｕ−ＡｌなどのＡｕ合金は接着力が大きくな
るという利点があり好ましい。

【００５３】この他、第１反射層より消衰係数が大きい
材料であれば、Ａｇ、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，
Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍ
ｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、または，Ａｇ合金，Ｃｕ合
金，Ａｌ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｎｉ合金，Ｍｎ合
金，Ｓｂ−Ｂｉ化合物などこれらを主成分とする合金、
あるいはこれら同士の合金よりなる層を用いてもよい
し、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これ
らと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよ
い。Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とする合金、ある
いはこれらと上記元素同士の合金よりなる層を用いても
よいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、
これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いて
もよい。

【００５４】第２反射層の膜厚は０ｎｍでもよいが、５
ｎｍ以上が好ましい。強度を大きくする点から３０ｎｍ
以上，作製時間を少なくする点から３００ｎｍ以下がよ
り好ましい。

【００５５】（２４）記録膜材料，超解像読み出し層の
材料としては、（Ｃｒ₄Ｔｅ₅)₇(Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₉₃，
Ｃｒ₄Ｔｅ₅とＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の混合比を換えたもの、
(Ｃｒ₄Ｔｅ₅)−(ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇),(Ｃｒ₄Ｔｅ₅)−(Ｇｅ
Ｓｂ₂Ｔe₄)など、Ｃｒ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系で組成比の
異なる材料が書き換え可能回数の低下が生じにくい。こ
れ以外の組成比Ｃｒ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系でもよい。

【００５６】次いで、Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｏ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｖ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、などでも同
様の結果が得られた。

【００５７】さらに、上記以外のＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅，Ｇ
ｅＳｂ₂Ｔｅ₄，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇， Ｉｎ₃ＳｂＴｅ₂，Ｉ
ｎ₃₅Ｓｂ₃₂Ｔｅ₃₃，Ｉｎ₃₁Ｓｂ₂₆Ｔｅ₄₃，ＧｅＴｅ，Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｐｔ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｓｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｕ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｆｅ−Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｔｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ、およびこれらに近い組成のうちの少なくと
も一つで置き換えても、Ｇｅの一部をＩｎに置き換えて
も、これに近い特性が得られる。

【００５８】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系に高融点成分を添加し
た記録膜が書き換え可能回数の低下が生じにくい。前記
情報記録媒体において、前記記録層の全原子数の９５％
以上の組成がＬを相変化成分，Ｈを高融点成分としたと
き、（Ｌ)_1-s(Ｈ)_s で表され、かつ０.０２≦ｓ≦０.２
０を満たすと、記録消去特性も良好でかつ書き換え可能
回数の低下が生じにくいため、より好ましい。

【００５９】（２５）保護層および中間層材料としては
（ＺｎＳ)₈₀(ＳｉＯ₂)₂₀，ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合比を
換えたもの、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｓ
ｉＯ₂，ＳｉＯ，Ｔａ₂Ｏ₅，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ
₂Ｏ₃，ＣｅＯ，Ｌａ₂Ｏ₃,Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，
ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，Ｗ
Ｏ₂，ＷＯ₅，Ｓｃ₂Ｏ₃，ＺｒＯなどの酸化物，ＴａＮ，
ＡｌＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄,Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌ
ＳｉＮ₂）などの窒化物，ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，ＣｄＳ，
Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂
Ｓ₃ などの硫化物，ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，ＣｄＳ
ｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃， ＧｅＳ
ｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳｅ₂，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ など
のセレン化物，ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化
物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂,Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ、ま
たは、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。ま
た、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。

【００６０】中間層の膜厚は６０ｎｍ以下または、１８
０ｎｍ以上，２４０ｎｍ以下が好ましい。０ｎｍの場
合、すなわち中間層を省略することもでき、この場合は
１層少なくなるため、情報記録媒体の作製が容易にな
る。１８０ｎｍ以上，２４０ｎｍ以下の範囲では、記録
感度がよくなる利点はあるが、記録膜流動はうすい場合
に比べて起こりやすくなる。記録膜の流動を抑えるため
には、６０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、２５
ｎｍ以下では、記録膜が温度上昇した際、より熱が反射
層側に逃げやすい構造となるため、記録膜の流動を抑え
やすいという利点があり、より好ましい。

【００６１】保護層の膜厚は５０ｎｍ以上，３００ｎｍ
以下が好ましい。７０ｎｍ以上，１３０ｎｍ以下の範囲
では、読み出しレーザ波長が短波長化した場合に良好な
読み出し特性が得られるため、より好ましい。

【００６２】（２６）基板材料としては、ポリカーボネ
ート，ポリオレフィン，エポキシ，アクリル樹脂，紫外
線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用
いてもよい。また、連続溝サーボフォーマットの基板だ
けでなく、サンプルサーボフォーマットの凹凸を形成し
た基板など、他のフォーマットによる基板でもよい。基
板サイズも１３cm以外に、１２cm，３.５インチ，２.５
インチ、それ以外のサイズを用いてもよい。

【００６３】構成は、まったく同様の方法により、二つ
のディスク部材を作製し、接着剤層を介して、第１およ
び第２のディスク部材の反射層５，５′同士を貼り合わ
せてもよいし、第２のディスク部材の代わりに別の構成
のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよ
い。

【００６４】また、超解像再生ディスクでは、表面に直
接、凹凸で情報が記録された基板、それ以外にポリオレ
フィン，エポキシ，アクリル樹脂，紫外線硬化樹脂層を
表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。

【００６５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例によって詳
細に説明する。

【００６６】［実施例１］ （構成・製法）図１は、本発明の第１実施例の情報記録
媒体の断面構造を示す。この媒体は次のようにして製作
された。

【００６７】まず、直径１３cm，厚さ１.２mm で表面に
連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ連続溝フ
ォーマットのポリカーボネート基板１を形成した。次
に、この基板１上に薄膜を順次形成するため、基板１を
マグネトロン・スパッタリング装置内に置いた。この装
置は複数のターゲットを持ち、積層膜を順次形成するこ
とができるものである。また、形成される膜の厚さの均
一性および再現性に優れている。基板１上にまず（Ｚｎ
Ｓ)₈₀(ＳｉＯ₂)₂₀膜よりなる保護層２を膜厚約１１０ｎ
ｍとなるように形成した。続いて、保護層２上に、（Ｃ
ｒ₄Ｔｅ₅)₇(Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₉₃ 記録膜３を膜厚約３５
ｎｍまで形成した。次に、記録膜３上に、（ＺｎＳ)
₈₀(ＳｉＯ₂)₂₀膜よりなる中間層４を約２０ｎｍの膜厚
まで形成した後、その上に同じスパッタリング装置内で
Ｓｉ膜よりなる第１反射層５を膜厚８８ｎｍ，続いてＷ
膜よりなる拡散防止層６を膜厚７ｎｍ，Ａｌ₉₇Ｔｉ₃ 膜
よりなる第２反射層７を膜厚２００ｎｍまで形成した。
こうして、第１のディスク部材を得た。

【００６８】第１のディスク部材と基板１と同様の材料
からなる直径１３cm，厚さ１.２mmの基板１′を第２反
射層７を接着剤層８を介して貼り合わせ、図１に示すデ
ィスク状情報記録媒体を得た。

【００６９】（初期結晶化）このようにして製作した媒
体の記録膜３，３′に、日立コンピュータ機器製高速初
期結晶化機を用い、初期結晶化を行った。なお、記録膜
３′についてもまったく同様であるから、以下の説明で
は記録膜３についてのみ述べることとする。

【００７０】この他にも、高速初期結晶化機を用いずに
図６にブロック図を示した記録再生装置を用いても初期
結晶化をすることができる。媒体を線速７ｍ／ｓで回転
させ、半導体レーザ（波長６８０ｎｍ）のレーザ光パワ
ーを記録が行われないレベル（約１ｍＷ）に保ち、その
レーザ光を記録ヘッド中の開口数(ＮＡ）が０.５５のレ
ンズで集光し、基板１を通して記録膜３に照射した。記
録膜３からの反射光を検出して、基板１のトラッキング
溝の中心にレーザ光スポットの中心が常に一致するよう
にトラッキングを行うと共に、記録膜３上にレーザ光の
焦点が来るように、自動焦点合わせを行いながら記録ヘ
ッドを駆動した。そして、初期結晶化のため、記録膜３
の同一記録トラック上に、パワー１４ｍＷの連続レーザ
光をそれぞれ１０回照射した。最後に、パワー７ｍＷの
連続（ＤＣ）レーザ光を１０回照射した。各回の照射時
間（光スポット通過時間）は、約０.１μsecである。

【００７１】このように、パワーの異なるレーザ光を照
射すると、初期結晶化を充分に行うことができる。

【００７２】これらのレーザ光照射は、半導体レーザ・
アレイを用いて行うか、ガスレーザからの光ビームを複
数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導体
レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方向
に長い長円形にしたものを用いて行えば、さらに好まし
い。こうすると、媒体を少数回転させるだけで初期結晶
化を完了することも可能となる。

【００７３】複数のレーザ光スポットを用いる場合、そ
れらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せ
ず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれ
ば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる，
消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。

【００７４】（記録・消去）次に、以上のようにして初
期結晶化が完了した記録膜３の記録領域に、前記と同様
にしてトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、記
録用レーザ光のパワーを中間パワーレベル（７ｍＷ）と
高パワーレベル（１４ｍＷ）との間で変化させて情報の
記録を行った。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ
光パワーを再生（読み出し）用レーザ光の低パワーレベ
ル（１ｍＷ）に下げるようにした。記録用レーザ光によ
り記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分
が、記録点となる。

【００７５】記録用レーザ光の高レベルと中間レベルと
のパワー比は１：０.３〜１：０.８の範囲が特に好まし
い。また、この他に、短時間ずつ他のパワーレベルにし
てもよい。

【００７６】このような記録方法では、既に情報が記録
されている部分に対して直接、新たな情報を記録すれ
ば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一の円
形光スポットによるオーバーライトが可能である。

【００７７】しかし、書き換え時の最初の１回転または
複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中
間パワーレベル（７ｍＷ）に近いパワー（例えば８ｍ
Ｗ）の連続光を照射して、記録されている情報をいった
ん消去し、その後、次の１回転で再生（読み出し）用レ
ーザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）と記録用レーザ光の
高パワーレベル（１４ｍＷ）の間で、または、記録用レ
ーザ光の中間パワーレベル（７ｍＷ）と高パワーレベル
（１４ｍＷ）の間で、情報信号に従ってパワー変調した
レーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このよ
うに、情報を消去してから記録するようにすれば、前に
書かれていた情報の消え残りが少なく、高い搬送波対雑
音比（Ｃ／Ｎ）が得られる。

【００７８】この方法は、この発明の記録膜ばかりでな
く他の記録膜にも有効である。

【００７９】なお、このディスクにおいて中間層４を省
略した場合、前記よりも１桁少ない回数の書き換えでＣ
／Ｎの低下が生じた。しかし、従来構造ディスクにおい
て中間層４を省略した場合に比べて、Ｃ／Ｎの低下は少
なかった。中間層を省略した場合、作製プロセスが１段
階減るため、作製時間の短縮につながる点で好ましい。

【００８０】（拡散防止層の効果）図２に従来構造ディ
スクの断面図を示した。このディスクは、Ｓｉ膜よりな
る第１反射層５と、Ａｌ₉₇Ｔｉ₃膜よりなる第２反射層
７が直接積層されている。通常の記録・消去および超解
像再生特性は図１の本実施例に示すディスクと同様に良
好である。

【００８１】しかし、両者をレーザ光のパワーを最適値
より１５％高くした厳しい条件で、記録・消去を１０⁵
回以上繰り返した時には、本実施例ディスクでは、表１
のように従来構造ディスクに比べてＣ／Ｎの低下を少な
くすることが可能であった。

【００８２】

【表１】

【００８３】これは、従来ディスクでは、多数回書き換
え時に第１反射層５と第２反射層の間で層材料が拡散、
または反応し熱伝導度や光学定数に変化が生じてＣ／Ｎ
が低下していたのを、本実施例ディスクでは、拡散防止
層を設けることにより防止できたためと考えられる。

【００８４】（拡散防止層材料：高融点無機化合物，合
金材料など）本実施例で拡散防止層６に用いたＷの代わ
りの材料としては、Ｗを主成分とする合金，化合物が拡
散・反応防止効果が大きく好ましい。次にＭｏ，Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ、またはこれらを主成分とする合金，化合物が拡散・
反応防止効果が大きく好ましい。

【００８５】それ以外に、ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ−Ｎ系材料，
Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ₂）、
または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。

【００８６】さらに、Ｂ，Ｃ，Ａｇ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏ
ｓ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｈｆ，Ａｃ，Ｙ，Ｚｒ，Ｓｃ，Ｂｅ，
Ｓｉ，Ｓｎ、これらを主成分とする合金，化合物でもよ
い。

【００８７】（ＺｎＳ)₈₀(ＳｉＯ₂)₂₀、これのＺｎＳと
ＳｉＯの混合比を換えたもの、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｓ
ｉＯ，Ｔａ₂Ｏ₅，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｃｅ
Ｏ，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，
ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃,ＴｅＯ₂，ＷＯ₂，ＷＯ₅，
Ｓｃ₂Ｏ₃，ＺｒＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ
₃Ｎ₄系材料などの窒化物，ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，ＣｄＳ，
Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂
Ｓ₃などの硫化物，ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃,ＣｄＳｅ，
ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ,ＧｅＳ
ｅ₂,ＳｎＳｅ₂，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅなどのセレン化
物，ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、あるい
はＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ、または、上記
の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これら
の混合材料の層やこれらの多重層でもよい。

【００８８】また、拡散防止層６材料にＷ，Ｂｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｚｎ，電解鉄，黄銅（Ｃ
ｕ₇₀Ｚｎ₃₀），ジュラルミン，ステンレススチール，溶
融石英または、強度が大きい材料を使用すると、記録時
の記録膜流動が起こりにくくなるため、書き換え可能回
数が大きくなるという利点がある。

【００８９】拡散防止層６の膜厚は平均膜厚で、１ｎｍ
以上が好ましい。拡散防止効果を大きくする点から３ｎ
ｍ以上，記録再生特性を良好にする点から１０ｎｍ以下
がより好ましい。

【００９０】（拡散防止層の製法−２）拡散防止層６は
前記拡散防止層材料組成のスパッタリングターゲットを
使用する方法の他の方法で形成してもよい。

【００９１】拡散防止層６はマグネトロン・スパッタリ
ング装置でスパッタガスに反応ガスを混入させて反応性
スパッタリング，スパッタリングにて形成してもよい。
Ａｒ，Ｘｅなど、希ガスを主成分とするスパッタ雰囲気
ガスに少なくとも１％以上の窒素，酸素，塩素，弗素，
硫化水素，四塩化炭素，水素，沃素の少なくとも１種を
混入した混合したガスを使用した。それぞれ、窒素を混
入した場合は窒化物，酸素を混入した場合は酸化物、と
いうように混入したガスの化合物が形成された。この製
法はガス成分を制御しなくてはならないが、拡散防止層
専用ターゲットが不要となる点で好ましい。

【００９２】これらの拡散防止層の形成は、前記第１反
射層の積層最終過程および／または積層後に行ってもよ
いし、前記第２反射層の積層最初過程および／または積
層前に行ってもよい。また、拡散防止層６は、第１反射
層と第２反射層を形成する過程において連続的に組成を
変化させることによって形成してもよい。

【００９３】（拡散防止層の製法−３）さらに、第１反
射層を形成した後に第１反射層の界面部を弗酸，硝酸，
過酸化水素水，炭酸，硫酸，塩酸などの溶液またはこれ
らの溶液の蒸気，セレン化水素に曝すことにより、弗
化，窒化，酸化，炭化，硫化，弗化以外のハロゲン化，
セレン化処理を行うことにより、形成してもよい。

【００９４】（拡散防止層の製法−４）また、第１反射
層と第２反射層を積層する間の過程において、少なくと
もどちらか一つの層の界面を反応防止処理または拡散防
止処理の少なくともどちらかの処理を行うことにより形
成してもよい。

【００９５】（拡散防止層の製法−５）前記第１反射層
の積層最終過程および／または積層後に、第１反射層と
弗化物，窒化物，酸化物，炭化物，硫化物，セレン化
物，弗化物以外のハロゲン化物，炭素，硫黄，セレンの
いずれが一つ以上のターゲットを原料とし２ターゲット
の同時スパッタリングにより膜形成することにより拡散
防止層を形成してもよい。前記第２反射層の積層最初過
程および／または積層前に、第２反射層と弗化物，窒化
物，酸化物，炭化物，硫化物，セレン化物，弗化物以外
のハロゲン化物，炭素，硫黄，セレンのいずれか一つ以
上のターゲットを原料とし２ターゲットの同時スパッタ
リングにより膜形成することにより拡散防止層を形成し
てもよい。

【００９６】（第１反射層材料）この実施例で第１反射
層５に用いたＳｉの代わりの、第１反射層の材料として
Ｓｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光吸収率を記
録マーク以外の部分の光吸収率より小さくできるので、
光吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書き換え
可能回数が低下しない。Ｇｅの含有量は１０原子％以
上，８０原子％以下が書き換え可能回数の低下が生じに
くい。

【００９７】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ，Ｓｉ−Ａ
ｕ、またはＳｉ−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材
料の２種以上の混合材料でも同様の結果が得られた。こ
れらの反射層材料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、
他の相変化膜を用いる場合の反射層材料として用いて
も、従来の反射層材料に比べて書き換え可能回数が低下
しない。Ｓｉに添加する元素の含有量は３原子％以上，
５０原子％以下が書き換え可能回数の低下が生じにく
い。

【００９８】さらに、上記以外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材
料，屈折率が大きくて消衰係数が小さい材料よりなる層
を用いてもよいし、それらの相よりなる多重層を用いて
もよいし、これらの酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。Ｇｅも使用可能である。その他、各
種窒化物，硫化物，セレン化物も使用可能である。

【００９９】また、読み出し波長における、第１反射層
材料の屈折率ｎと消衰係数ｋがｎ≧２となる材料がより
好ましく、ｎ≧２かつ２≧ｋとなる材料が特に好まし
い。

【０１００】また、それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらとＳｉＯなど酸化物などの他の物質と
の複合層などを用いてもよい。この時の、第１反射層と
第２反射層の屈折率ｎの差は２以上が好ましい。

【０１０１】（第２反射層材料）本実施例で第２反射層
６に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりの第２反射層の材料とし
ては、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃ
ｒなどＡｌ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも
使用可能である。Ａｌ合金以外の材料も使用可能であ
る。

【０１０２】Ａｌ合金の場合、Ａｌの含有量は５０原子
％以上，９９.９ 原子％以下が熱伝導率を大きくでき、
書き換え可能回数の低下が生じにくい。

【０１０３】また、Ｓｂ−Ｂｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，
Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ
の元素単体、またはこれらを主成分とする合金、あるい
はこれら同士の合金よりなる層を用いてもよいし、それ
らの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化
物などの他の物質との複合層などを用いてもよい。第１
反射層と屈折率および消衰係数が異なる材料であれば、
Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とする合金、あるいは
これらと上記元素同士の合金よりなる層を用いてもよい
し、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これ
らと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよ
い。

【０１０４】この中で、Ｃｕ合金，Ａｌ合金などのよう
に、熱伝導率が大きいものは、ディスク構造が急冷構造
となり、多数回書き換えによる反射率変動が生じにく
い。また、Ｓｂ−Ｂｉ，Ｄｙなどのように熱伝導率が小
さいものは、保温されやすくなるため、記録感度がよく
なるという利点がある。

【０１０５】第２反射層の膜厚は０ｎｍでもよいが、５
ｎｍ以上が好ましい。強度を大きくする点から３０ｎｍ
以上，作製時間を少なくする点から３００ｎｍ以下がよ
り好ましい。

【０１０６】（第１反射層と第２反射層の組み合わせ−
１）第１反射層と第２反射層の組み合わせとしては、第
１反射層がＳｉ，Ｓｉ−Ｇｅ混合材料，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ
−Ｓｎ，Ｓｉ−Ａｕ、またはＳｉ−Ｉｎ混合材料の少な
くとも一つ、またはこれに近い組成であるか、第２反射
層がＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ
などＡｌ合金を主成分とするもの、Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｕ合
金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金，Ｍｏ，Ｍｏ合
金，Ｔａ，Ｔａ合金，Ｗ，Ｗ合金，Ｃｏ，Ｃｏ合金，Ｐ
ｔ，Ｐｔ合金の少なくとも一つ、またはこれに近い組成
であることが書き換え可能回数が大きく、好ましい。こ
のように、第１反射層材料，第２反射層材料については
本実施例に述べた材料が使用できるが、これらの組み合
わせを選ぶことによって、書き換え特性が向上すること
がわかった。

【０１０７】（第１反射層と第２反射層の組み合わせ−
２）第１反射層と第２反射層の組み合わせとしては、第
１反射層が、消衰係数ｋが４以下である材料からなり、
かつ、前記第２反射層は消衰係数が第１反射層より大き
く、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・ｋ以上である材料からな
ると、吸収率を適当に保つことができ、また記録時の記
録膜の温度を適当に保つことができるため好ましい。

【０１０８】（第１反射層と第２反射層の組み合わせ−
３）第１反射層と第２反射層の組み合わせを、次のよう
に選ぶと、非晶質状態と結晶状態の吸収率制御がしやす
いため、好ましい。

【０１０９】第１反射層材料としては、Ｍｏ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｓｂ，
Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、または
これらを主成分とする合金、あるいはこれら同士の合金
よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重
層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質と
の複合層などを用いてもよい。消衰係数が４以下である
材料を用いることにより，結晶状態の吸収率より非晶質
状態の吸収率が大きい場合に、吸収率差を小さくでき、
書き換え時の消え残りを小さくできた。

【０１１０】この中で、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ合金，Ｗ
合金，Ｔａ合金などは反応性が低く、多数回のレーザ照
射によって、第２反射層材料と反応して特性が変化する
恐れがないため、書き換え特性がよいという利点があ
る。

【０１１１】また、Ｃｒ₄Ｔｅ₅，Ｃｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓ
ｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｇ
ｅ，Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓ
ｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｗ−Ｔｅの組
み合わせよりなる化合物，混合物よりなる群より選ばれ
た少なくとも一つ、またはこれに近い組成の材料を用い
てもよい。これらの材料は高融点であり、第２反射層材
料と反応して特性が変化する恐れがないため、書き換え
特性がよいという利点がある。

【０１１２】第１反射層と第２反射層の組み合わせとし
ては、前記第１反射層がＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ
−Ｃｕ，Ａｌ−ＣｒなどＡｌ合金を主成分とするもの、
Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合
金、Ｍｏ，Ｍｏ合金，Ｔａ，Ｔａ合金，Ｗ，Ｗ合金，Ｃ
ｏ，Ｃｏ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金の少なくとも一つ、また
はこれに近い組成であるか、あるいは前記第２反射層が
Ｓｉ，Ｓｉ−Ｇｅ混合材料，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ，Ｓ
ｉ−Ａｕ、またはＳｉ−Ｉｎ混合材料の少なくとも一
つ、またはこれに近い組成である材料からなると、吸収
率を適当に保つことができるため好ましい。

【０１１３】第１反射層の膜厚は３０ｎｍ以下の範囲に
選ぶと、吸収率制御ができ、好ましい。さらに薄く、約
１５ｎｍ以下の範囲に膜厚を選ぶと、より好ましい。

【０１１４】第２反射層としては、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，
Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ａｕ合金などのように、熱伝導率
が大きいものが、ディスク構造が急冷構造となり、多数
回書き換えによる反射率変動が生じにくいため、好まし
い。この場合の熱伝導率は１００Ｗ／ｍ・ｋ以上である
と、書き換え回数が大きくなるため好ましく、230Ｗ／
ｍ・ｋ以上にすると書き換え回数が２倍になるため好ま
しい。さらに、Ａｕ単体にくらべ、Ａｕ−Ａｇ，Ａｕ−
Ｃｏ，Ａｕ−ＡｌなどのＡｕ合金は接着力が大きくなる
という利点があり好ましい。

【０１１５】この他、第１反射層より消衰係数が大きい
材料であれば、Ａｇ、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，
Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍ
ｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、または、Ａｇ合金，Ｃｕ合
金，Ａｌ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｎｉ合金，Ｍｎ合
金，Ｓｂ−Ｂｉ化合物などこれらを主成分とする合金、
あるいはこれら同士の合金よりなる層を用いてもよい
し、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これ
らと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよ
い。Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とする合金、ある
いはこれらと上記元素同士の合金よりなる層を用いても
よいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、
これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いて
もよい。

【０１１６】第２反射層の膜厚は０ｎｍでもよいが、５
ｎｍ以上が好ましい。強度を大きくする点から３０ｎｍ
以上，作製時間を少なくする点から３００ｎｍ以下がよ
り好ましい。

【０１１７】（記録膜の材料）本実施例では、記録膜３
を（Ｃｒ₄Ｔｅ₅)₇(Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₉₃ により形成して
いるが、これに代えてＣｒ₄Ｔｅ₅とＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ の
混合比を換えたもの、（Ｃｒ₄Ｔｅ₅)−(ＧｅＳｂ₄Ｔ
ｅ₇），（Ｃｒ₄Ｔｅ₅)−(ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄）などＣｒ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系で組成比の異なる材料が書き換え可
能回数の低下が生じにくい。これ以外の組成比Ｃｒ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系でもよい。

【０１１８】次いで、Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｏ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｖ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅなどでも同様
の結果が得られた。

【０１１９】さらに、上記以外のＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅，Ｇ
ｅＳｂ₂Ｔｅ₄，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇， Ｉｎ₃ＳｂＴｅ₂，Ｉ
ｎ₃₅Ｓｂ₃₂Ｔｅ₃₃，Ｉｎ₃₁Ｓｂ₂₆Ｔｅ₄₃，ＧｅＴｅ，Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｐｔ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｓｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｕ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｆｅ−Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｔｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ、およびこれらに近い組成のうちの少なくと
も一つで置き換えても、Ｇｅの一部をＩｎに置き換えて
も、これに近い特性が得られる。

【０１２０】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系に高融点成分を添加し
た記録膜が書き換え可能回数の低下が生じにくい。前記
情報記録媒体において、前記記録層の全原子数の９５％
以上の組成がＬを相変化成分，Ｈを高融点成分としたと
き、 （Ｌ)_1-s(Ｈ)_s で表され、かつ０.０２≦ｓ≦０.２０を満たすと、記録
消去特性も良好でかつ書き換え可能回数の低下が生じに
くいため、より好ましい。

【０１２１】（保護層，中間層材料）本実施例では、保
護層２および中間層４を（ＺｎＳ)₈₀(ＳｉＯ₂)₂₀により
形成しているが、これに代えて、ＺｎＳとＳｉＯ₂ の混
合比を換えたもの、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材
料，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，Ｔａ₂Ｏ₅，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，
Ｙ₂Ｏ₃，ＣｅＯ，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ
₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，Ｗ
Ｏ₂，ＷＯ₅，Ｓｃ₂Ｏ₃，ＺｒＯなどの酸化物，ＴａＮ，
ＡｌＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌ
ＳｉＮ₂）などの窒化物，ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，ＣｄＳ，
Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ,ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂
Ｓ₃などの硫化物，ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，ＣｄＳｅ,
ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ
ｅ₂，ＳｎＳｅ₂，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ などのセレン化
物，ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂ どの弗化物、あるいは
Ｓｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ、または、上記の
材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの
混合材料の層やこれらの多重層でもよい。

【０１２２】中間層の膜厚は６０ｎｍ以下または、１８
０ｎｍ以上，２４０ｎｍ以下が好ましい。０ｎｍの場
合、すなわち中間層を省略することもでき、この場合は
１層少なくなるため、情報記録媒体の作製が容易にな
る。１８０ｎｍ以上，２４０ｎｍ以下の範囲では、記録
感度がよくなる利点はあるが、記録膜流動はうすい場合
に比べて起こりやすくなる。記録膜の流動を抑えるため
には、６０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、２５
ｎｍ以下では、記録膜が温度上昇した際、より熱が反射
層側に逃げやすい構造となるため、記録膜の流動を抑え
やすいという利点があり、より好ましい。

【０１２３】保護層の膜厚は５０ｎｍ以上，３００ｎｍ
以下が好ましい。７０ｎｍ以上，１３０ｎｍ以下の範囲
では、読み出しレーザ波長が短波長化した場合に良好な
読み出し特性が得られるため、より好ましい。

【０１２４】（基板材料，構造など）本実施例では、表
面に直接、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持
つ連続溝サーボフォーマットの基板１を用いているが、
その代わりに、ポリオレフィン，エポキシ，アクリル樹
脂，紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラス
などを用いてもよい。また、連続溝サーボフォーマット
の基板だけでなく、サンプルサーボフォーマットの凹凸
を形成したポリカーボネート基板など、他のフォーマッ
トによる基板でもよい。基板サイズも１３cm以外に、１
２cm，３.５ インチ，２.５ インチ、それ以外のサイズ
を用いてもよい。

【０１２５】本実施例では、まったく同様の方法によ
り、二つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、
前記第１および第２のディスク部材の反射層５，５′同
士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わり
に別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを
用いてもよい。

【０１２６】［実施例２］ （構成・製法）図３は、この発明の第２実施例の情報記
録媒体の断面構造を示す。この媒体は次のようにして製
作された。

【０１２７】まず、直径１３cm，厚さ１.２ mmで表面に
凹凸で情報が記録された、ポリカーボネート基板９を形
成した。次に、この基板上に薄膜を順次形成するため、
基板９をマグネトロン・スパッタリング装置内に置い
た。この装置は複数のターゲットを持ち、積層膜を順次
形成することができるものである。また、形成される膜
の厚さの均一性および再現性に優れている。基板９上に
まず（ＺｎＳ)₈₀(ＳｉＯ₂)₂₀膜よりなる保護層２を膜厚
約１１０ｎｍとなるように形成した。続いて、保護層２
上に、（Ｃｒ₄Ｔｅ₅)₇(Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₉₃ 超解像読み
出し層１０を膜厚約３５ｎｍまで形成した。次に、超解
像読み出し層１０上に、（ＺｎＳ)₈₀(ＳｉＯ₂)₂₀膜より
なる中間層４を約２０ｎｍの膜厚まで形成した後、その
上に同じスパッタリング装置内でＳｉ膜よりなる第１反
射層５を膜厚８８ｎｍ、続いてＷ膜よりなる拡散防止層
６を膜厚７ｎｍ，Ａｌ₉₇Ｔｉ₃ 膜よりなる第２反射層７
を膜厚２００ｎｍまで形成した。こうして、第１のディ
スク部材を得た。

【０１２８】第１のディスク部材と基板９と同様の材料
からなる直径１３cm，厚さ１.２ mmの基板１′を第２反
射層７，７′を接着剤層８を介して貼り合わせ、図３に
示すディスク状情報記録媒体を得た。

【０１２９】（初期結晶化）前記のようにして製作した
媒体の超解像読み出し層１０，１０′に、日立コンピュ
ータ機器製高速初期結晶化機を用い、初期結晶化を行っ
た。なお、超解像読み出し層１０′についてもまったく
同様であるから、以下の説明では超解像読み出し層１０
についてのみ述べることとする。

【０１３０】この他にも、高速初期結晶化機を用いずに
記録再生装置を用いても初期結晶化をすることができ
る。媒体を線速７ｍ／ｓで回転させ、半導体レーザ（波
長680ｎｍ）のレーザ光パワーを記録が行われないレベ
ル（約１ｍＷ）に保ち、そのレーザ光を記録ヘッド中の
開口数(ＮＡ）が０.５５のレンズで集光し、基板９を通
して超解像読み出し層１０に照射した。超解像読み出し
層１０からの反射光を検出して、基板９のトラッキング
溝の中心にレーザ光スポットの中心が常に一致するよう
にトラッキングを行うと共に、超解像読み出し層１０上
にレーザ光の焦点が来るように、自動焦点合わせを行い
ながら超解像再生ヘッドを駆動した。超解像再生ヘッド
は実施例１に示した記録ヘッドと同様である。そして、
初期結晶化のため、超解像読み出し層１０の同一記録ト
ラック上に、パワー１４ｍＷの連続レーザ光をそれぞれ
１０回照射した。最後に、パワー７ｍＷの連続（ＤＣ）
レーザ光を１０回照射した。各回の照射時間(光スポッ
ト通過時間)は、約０.１μsecである。

【０１３１】このように、パワーの異なるレーザ光を照
射すると、初期結晶化を充分に行うことができる。

【０１３２】これらのレーザ光照射は、半導体レーザ・
アレイを用いて行うか、ガスレーザからの光ビームを複
数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導体
レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方向
に長い長円形にしたものを用いて行えば、さらに好まし
い。こうすると、媒体を少数回転させるだけで初期結晶
化を完了することも可能となる。

【０１３３】複数のレーザ光スポットを用いる場合、そ
れらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せ
ず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれ
ば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる，
消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。

【０１３４】（超解像再生）次に、以上のようにして初
期結晶化が完了した超解像読み出し層１０の記録領域
に、前記と同様にしてトラッキングと自動焦点合わせを
行いながら、超解像再生用レーザ光を高パワーレベル
（１２ｍＷ）で照射して情報の超解像再生を行った。情
報が記録された部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを
トラッキング用レーザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）に
下げるようにした。超解像再生後は、記録領域は非晶質
または結晶またはそれらに近い部分が形成される。非晶
質またはそれに近い状態の場合は、次回の超解像再生の
前に初期結晶化を行う。この初期結晶化は必ずしも高速
初期結晶化機で行う必要はなく、レーザ光パワーを中間
パワーレベル（６ｍＷ）にして照射すればよい。

【０１３５】上記の高レベルと中間レベルとのパワー比
は１：０.３〜１：０.８の範囲が特に好ましい。また、
この他に、短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。

【０１３６】なお、このディスクにおいて中間層４を省
略した場合、中間層を省略しない場合よりも１桁少ない
回数の書き換えでＣ／Ｎの低下が生じた。しかし、従来
構造ディスクにおいて中間層４を省略した場合に比べ
て、Ｃ／Ｎの低下は少なかった。中間層を省略した場
合、作製プロセスのが１段階減るため、作製時間の短縮
につながる点で好ましい。

【０１３７】（拡散防止層の効果）図４に従来構造ディ
スクの断面図を示した。このディスクは、Ｓｉ膜よりな
る第１反射層５と、Ａｌ₉₇Ｔｉ₃ 膜よりなる第２反射層
７が直接積層されている。通常の超解像再生特性は図３
の本実施例に示すディスクと同様に良好である。

【０１３８】しかし、両者をレーザ光のパワーを最適値
より１５％高くした厳しい条件で、超解像再生を１０⁴
回以上繰り返した時には、本実施例ディスクでは、表２
のように従来構造ディスクに比べてＣ／Ｎの低下を少な
くすることが可能であった。

【０１３９】

【表２】

【０１４０】これは、従来ディスクでは、多数回の超解
像再生時に第１反射層５と第２反射層の間で層材料が拡
散、または反応し熱伝導度や光学定数に変化が生じてＣ
／Ｎが低下していたのを、本実施例ディスクでは、拡散
防止層を設けることにより防止できたためと考えられ
る。

【０１４１】（超解像読み出し層の材料）実施例１に記
載した記録膜材料と同様である。

【０１４２】（基板材料，構造など）本実施例では、表
面に直接、凹凸で情報が記録された基板９を用いている
が、その代わりに、ポリオレフィン，エポキシ，アクリ
ル樹脂，紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガ
ラスなどを用いてもよい。基板サイズも１３cm以外に、
１２cm，３.５インチ，２.５インチ、それ以外のサイズ
を用いてもよい。

【０１４３】本実施例では、まったく同様の方法によ
り、二つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、
前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，
７′同士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の
代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板
などを用いてもよい。

【０１４４】（書き換え可能，超解像再生型ディスク）
また、凹凸で情報が記録された基板９の代わりに、図５
に示したように、実施例１に記載した基板１と同様の連
続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ連続溝サー
ボフォーマットの基板１，保護層１１，記録膜１２を使
用したディスク構成としてもよい。この場合も、拡散防
止層６を設けない場合に比べ、超解像再生回数が向上し
ている。

【０１４５】本実施例に記載していない事項は実施例１
と同様である。

【０１４６】

【発明の効果】従来ディスクでは、多数回の超解像再生
時に第１反射層と第２反射層の間で層材料が拡散、また
は反応し熱伝導度や光学定数に変化が生じてＣ／Ｎが低
下していたのを、本発明のディスクでは、拡散防止層を
設けることにより防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の情報記録媒体の断面図。

【図２】従来の情報記録媒体の断面図。

【図３】本発明の第２実施例の情報記録媒体の断面図。

【図４】第２実施例と比較用の従来の情報記録媒体の断
面図。

【図５】本発明の第２実施例の情報記録媒体で書き換え
可能な超解像再生用ディスクの断面図。

【図６】本発明の装置のブロック図。

【符号の説明】

１，１′…ポリカーボネート基板、２，２′…保護層、
３，３′…記録膜、４，４′…中間層、５，５′…第１
反射層、６，６′…拡散防止層、７，７′…第２反射
層、８…接着剤層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 靖 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に直接または下地層を介して形成さ
   れた、エネルギビームの照射を受けて生じる原子配列変
   化によって情報を記録および／または再生する情報記録
   用薄膜を記録層または超解像読み出し用のマスク層とし
   て備え、かつ保護層を備え、複数層の反射層を備え、上
   記反射層間の界面のうち少なくとも１界面に拡散防止層
   を備えた情報記録媒体。
2. 【請求項２】複数層の上記反射層が読み出しレーザ波長
   における屈折率または消衰係数の少なくとも一方が相互
   に異なる材料よりなる第１反射層，第２反射層とその間
   の拡散防止層からなる請求項１に記載の情報記録媒体。
3. 【請求項３】上記各層が基板上に、光入射側から保護
   層，記録層または超解像読み出し用のマスク層の順に積
   層され、その次に直接または中間層を介して第１反射
   層，拡散防止層，第２反射層の順に積層された構造を持
   つ請求項１に記載の情報記録媒体。
4. 【請求項４】上記拡散防止層がＷ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，
   Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｌ
   −Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ，ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ−Ｎ、または
   これらを主成分とする合金，化合物，混合材料の少なく
   とも一つ、またはこれに近い組成である請求項１に記載
   の情報記録媒体。
5. 【請求項５】上記第１反射層の積層最終過程および／ま
   たは積層後に、第１反射層材料を弗化，窒化，酸化，炭
   化，硫化，セレン化，弗化以外のハロゲン化処理を行う
   ことにより形成された請求項１に記載の情報記録媒体。
6. 【請求項６】上記第１反射層の積層最終過程および／ま
   たは積層後に、第１反射層形成時の雰囲気ガスに少なく
   とも１％以上の窒素，酸素，塩素，弗素，硫化水素，四
   塩化炭素，水素，沃素の少なくとも１種を混入した混合
   したガスを使用して第１反射層材料を積層することによ
   り拡散防止層を形成した請求項１に記載の情報記録媒
   体。
7. 【請求項７】上記第２反射層の積層最初過程および／ま
   たは積層前に、第２反射層形成時の雰囲気ガスに少なく
   とも１％以上の窒素，酸素，塩素，弗素，硫化水素，四
   塩化炭素，水素，沃素の少なくとも１種を混入した混合
   したガスを使用して第２反射層材料を積層することによ
   り拡散防止層を形成した請求項１に記載の情報記録媒
   体。
8. 【請求項８】上記第２反射層の積層最初過程および／ま
   たは積層前に、第２反射層材料を弗化，窒化，酸化，炭
   化，硫化，セレン化，弗化以外のハロゲン化処理を行う
   ことにより形成された請求項１に記載の情報記録媒体。
9. 【請求項９】上記拡散防止層が第１反射層と第２反射層
   を積層する間の過程において、少なくともどちらか一つ
   の層の界面を反応防止処理または拡散防止処理の少なく
   ともどちらか一つの処理を行うことにより形成された請
   求項１に記載の情報記録媒体。
10. 【請求項１０】上記記録膜上に上記第１反射層が直接積
    層された請求項１に記載の情報記録媒体。
11. 【請求項１１】上記第１反射層がＳｉ，Ｓｉ−Ｇｅ混合
    材料，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ，Ｓｉ−Ａｕ、またはＳｉ
    −Ｉｎ混合材料の少なくとも一つ、またはこれに近い組
    成であるか、あるいは上記第２反射層がＡｌ−Ｔｉ，Ａ
    ｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−ＣｒなどＡｌ合金を主成
    分とするもの、Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ａｕ，Ａｕ合
    金，Ａｇ，Ａｇ合金，Ｍｏ，Ｍｏ合金，Ｔａ，Ｔａ合
    金，Ｗ，Ｗ合金，Ｃｏ，Ｃｏ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金の少
    なくとも一つ、またはこれに近い組成である請求項１に
    記載の情報記録媒体。
12. 【請求項１２】上記第１反射層がＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａ
    ｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−ＣｒなどＡｌ合金を主成分とす
    るもの、Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａ
    ｇ，Ａｇ合金，Ｍｏ，Ｍｏ合金，Ｔａ，Ｔａ合金，Ｗ，
    Ｗ合金，Ｃｏ，Ｃｏ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金の少なくとも
    一つ、またはこれに近い組成であるか、あるいは上記第
    ２反射層がＳｉ，Ｓｉ−Ｇｅ混合材料，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ
    −Ｓｎ，Ｓｉ−Ａｕ、またはＳｉ−Ｉｎ混合材料の少な
    くとも一つ、またはこれに近い組成である請求項１に記
    載の情報記録媒体。
13. 【請求項１３】上記記録層または超解像読み出し用のマ
    スク層と、上記第１反射層の間に中間層を備える請求項
    １に記載の情報記録媒体。
14. 【請求項１４】上記保護層の膜厚が７０ｎｍ以上，１３
    ０ｎｍ以下の範囲にある請求項１に記載の情報記録媒
    体。
15. 【請求項１５】上記情報記録媒体において、上記記録層
    または超解像読み出し用のマスク層の全原子数の９５％
    以上の組成がＬを相変化成分，Ｈを高融点成分としたと
    き、 （Ｌ)_1-s(Ｈ)_s で表され、かつ０.０２≦ｓ≦０.２０を満たす請求項１
    に記載の情報記録媒体。
16. 【請求項１６】請求項１に記載の情報記録媒体に対し、
    その媒体の記録，再生または超解像再生波長の少なくと
    も一つに用いるレーザを備え、かつ、光ヘッド制御回
    路，トラッキング誤差検出手段，光ヘッド移動ドライ
    バ，記録データ変調手段，レーザドライバ，再生信号処
    理手段，再生データ送出手段を備えた情報メモリ装置。