JPH0373937B2 - - Google Patents
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- JPH0373937B2 JPH0373937B2 JP57124626A JP12462682A JPH0373937B2 JP H0373937 B2 JPH0373937 B2 JP H0373937B2 JP 57124626 A JP57124626 A JP 57124626A JP 12462682 A JP12462682 A JP 12462682A JP H0373937 B2 JPH0373937 B2 JP H0373937B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は光学的な記録媒体に関するものであ
り、レーザ光等の光及び熱エネルギーを用いて情
報を高密度に記録し、且つ再生可能な記録媒体に
関する。
り、レーザ光等の光及び熱エネルギーを用いて情
報を高密度に記録し、且つ再生可能な記録媒体に
関する。
レーザ光線を利用して高密度な情報の記録・再
生を行う装置及び技術は公知である。そして光学
的記録材については、レーザ光の照射により、ビ
ツト（凹部）を形成するものと、照射部の光学的
特性（例えば、反射率、吸収係数、屈折率）を変
化させるものとがある。
生を行う装置及び技術は公知である。そして光学
的記録材については、レーザ光の照射により、ビ
ツト（凹部）を形成するものと、照射部の光学的
特性（例えば、反射率、吸収係数、屈折率）を変
化させるものとがある。
前者は、レーザ光等のエネルギービームを照射
して、基板上の金属等の薄膜を溶解あるいは蒸発
させビツトを形成するものである。この方式の記
録材料の代表例としては、低融点金属であるBi、
Se、Te、Ge、In等の単体金属及び合金である。
後者は、レーザ光照射により、基板上の薄膜の光
学的な性質の変化を生ぜしめるものである。即
ち、物質の相転移あるいは原子間の結合状態を替
えて、反射率、透過率あるいは屈折率等の光学的
性質の変化を行うものである。本発明は、斯かる
後者の方式に関する。
して、基板上の金属等の薄膜を溶解あるいは蒸発
させビツトを形成するものである。この方式の記
録材料の代表例としては、低融点金属であるBi、
Se、Te、Ge、In等の単体金属及び合金である。
後者は、レーザ光照射により、基板上の薄膜の光
学的な性質の変化を生ぜしめるものである。即
ち、物質の相転移あるいは原子間の結合状態を替
えて、反射率、透過率あるいは屈折率等の光学的
性質の変化を行うものである。本発明は、斯かる
後者の方式に関する。
前記光学的性質の変化を利用する記録材料の代
表例としてカルコゲン化物が知られている。即
ち、酸素を除く周期率表の第六族の元素Ｓ、Se、
Te等の金属あるいは半金属の化合物薄膜である。
例えば、特公昭54−3725号にテルル低酸化物
TeOx（Ｏ＜ｘ＜2.0）を主成分とする材料につい
て報告されている。
表例としてカルコゲン化物が知られている。即
ち、酸素を除く周期率表の第六族の元素Ｓ、Se、
Te等の金属あるいは半金属の化合物薄膜である。
例えば、特公昭54−3725号にテルル低酸化物
TeOx（Ｏ＜ｘ＜2.0）を主成分とする材料につい
て報告されている。
これは、非晶質状態から結晶状態あるいは他の
非晶質状態への相転移による光学的特性への変化
によるものである。テルル低酸化物はレーザ光照
射による加熱昇温により黒化する。熱黒化転移温
度はTe成分の量により異なり、Te成分が多いと
転移温度が低く、反対にTe成分が少ないと転移
温度は高い。ｘ＝0.3〜1.2の間で、熱黒化転移温
度は80℃〜150℃である。TeOx、ｘ＝1.1の薄膜
（厚み1200Å）について、半導体レーザ波長で透
過率が15％から５％へと減少し、反射率が15％か
ら30％へと増加する。
非晶質状態への相転移による光学的特性への変化
によるものである。テルル低酸化物はレーザ光照
射による加熱昇温により黒化する。熱黒化転移温
度はTe成分の量により異なり、Te成分が多いと
転移温度が低く、反対にTe成分が少ないと転移
温度は高い。ｘ＝0.3〜1.2の間で、熱黒化転移温
度は80℃〜150℃である。TeOx、ｘ＝1.1の薄膜
（厚み1200Å）について、半導体レーザ波長で透
過率が15％から５％へと減少し、反射率が15％か
ら30％へと増加する。
ところで、信号を記録再生する場合、Ｓ／Ｎ比
の点から光学的特性変化が大きいことが望まし
い。従来の記録材料では、光学的特性変化が未だ
不充分である。
の点から光学的特性変化が大きいことが望まし
い。従来の記録材料では、光学的特性変化が未だ
不充分である。
光学的特性変化特に透過率の変化が大きい記録
媒体を提供することを目的とする。そして、記録
媒体の透過率の変化を利用しながら、読出し（再
生）形式を反射型（再生用レーザ照射手段と読出
し手段がデイスクの同一側にある型式）とするこ
とを可能とするものである。
媒体を提供することを目的とする。そして、記録
媒体の透過率の変化を利用しながら、読出し（再
生）形式を反射型（再生用レーザ照射手段と読出
し手段がデイスクの同一側にある型式）とするこ
とを可能とするものである。
カルコゲン元素Teと他の酸化物により、効果
的に非晶質状態を得て、カルコゲン元素の特徴
（光学的変化）を用いるものである。酸化物を用
いる理由は、一般に酸化物は透明のものが多く、
初期光学的濃度を小さく出来るからである。そし
て、この非晶質薄膜に対して、反射層を設けるこ
とにより、反射型続出しを可能とする。
的に非晶質状態を得て、カルコゲン元素の特徴
（光学的変化）を用いるものである。酸化物を用
いる理由は、一般に酸化物は透明のものが多く、
初期光学的濃度を小さく出来るからである。そし
て、この非晶質薄膜に対して、反射層を設けるこ
とにより、反射型続出しを可能とする。
さらに、非晶質薄膜と反射層との間に介在され
る熱絶縁層を設けることにより、熱定数を調整す
る、すなわち熱拡散を防止する。また、非晶質薄
膜の入射光表面の光反射を防止する反射防止膜を
設けることにより、記録または再生時の照射ビー
ムの散乱を防止する。
る熱絶縁層を設けることにより、熱定数を調整す
る、すなわち熱拡散を防止する。また、非晶質薄
膜の入射光表面の光反射を防止する反射防止膜を
設けることにより、記録または再生時の照射ビー
ムの散乱を防止する。
本発明に係る記録媒体はテルル（Te）、シリコ
ン（Si）及び酸素（Ｏ）からなる。即ち、透過率
の高い酸化シリコンSiOx（０＜Ｘ≦２）とテルル
（Te）とからなる非晶質薄膜を用いる。薄膜の組
成は TeYSiOx100-Y （Ｙはモル％、０＜Y100、０＜ｘ≦２） である。Ｙ＝45、Ｘ＝２、膜厚1500Åなる場合、
第１図に示すような熱転移による反射率及び透過
率の変化をした。熱転移温度は約130℃である。
この熱転移により半導体レーザ波長（8000Å）に
於いて透過率は56％から20％へと減少し、また反
射率は20％から40％へと増加した。
ン（Si）及び酸素（Ｏ）からなる。即ち、透過率
の高い酸化シリコンSiOx（０＜Ｘ≦２）とテルル
（Te）とからなる非晶質薄膜を用いる。薄膜の組
成は TeYSiOx100-Y （Ｙはモル％、０＜Y100、０＜ｘ≦２） である。Ｙ＝45、Ｘ＝２、膜厚1500Åなる場合、
第１図に示すような熱転移による反射率及び透過
率の変化をした。熱転移温度は約130℃である。
この熱転移により半導体レーザ波長（8000Å）に
於いて透過率は56％から20％へと減少し、また反
射率は20％から40％へと増加した。
一酸化シリコン（SiO）とテルル（Te）との
非晶質状態に於いても殆んど同様の効果が得られ
た。即ち、SiO2がSiOx（０＜ｘ≦２）となつて
も、形成される非晶質状態薄膜の転移温度及び光
学的特性変化に大きな差がないことを示してい
る。
非晶質状態に於いても殆んど同様の効果が得られ
た。即ち、SiO2がSiOx（０＜ｘ≦２）となつて
も、形成される非晶質状態薄膜の転移温度及び光
学的特性変化に大きな差がないことを示してい
る。
次に第２図を参照して、上記材料を利用した記
録媒体について説明する。基板１としては、ガラ
ス板若しくはポリメチルメタクレート樹脂、ポリ
塩化ビニール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エチルテレフタレート樹脂等の合成樹脂シート若
しくはフイルムを用いる。この基板１上に反射層
２を設ける。この反射層としてはAg、Al、Au等
再生レーザ光波長（8000Å）に於いて反射率の高
いものを用いる。厚みは300〜2000Å程度する。
この上に熱定数等を調整する為に熱絶縁層３を設
ける。これは、テルル・酸化シリコン薄膜の熱黒
化転移を低パワーのレーザ光にて生ぜしめる為の
ものである。この熱絶縁層として、酸化シリコ
ン、プラズマ重合膜、合成樹脂等が効果的であ
る。この上に、テルル・酸化シリコンの非晶質薄
膜４を形成する。その組成は上述した通りであ
る。更にこの上に、非晶質薄膜４の反射防止膜５
を設ける。例えば、酸化シリンコンを用いると、
好都合である。この第２図に示す実施例の場合に
は、上方（基板側でない方）より再生レーザ光を
照射し、非晶質薄膜４を通過し、反射層２にて反
射されたレーザ光を、同じく上方に配置された読
出し手段（図示せず）で受けることにより、情報
を再生することができる。
録媒体について説明する。基板１としては、ガラ
ス板若しくはポリメチルメタクレート樹脂、ポリ
塩化ビニール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エチルテレフタレート樹脂等の合成樹脂シート若
しくはフイルムを用いる。この基板１上に反射層
２を設ける。この反射層としてはAg、Al、Au等
再生レーザ光波長（8000Å）に於いて反射率の高
いものを用いる。厚みは300〜2000Å程度する。
この上に熱定数等を調整する為に熱絶縁層３を設
ける。これは、テルル・酸化シリコン薄膜の熱黒
化転移を低パワーのレーザ光にて生ぜしめる為の
ものである。この熱絶縁層として、酸化シリコ
ン、プラズマ重合膜、合成樹脂等が効果的であ
る。この上に、テルル・酸化シリコンの非晶質薄
膜４を形成する。その組成は上述した通りであ
る。更にこの上に、非晶質薄膜４の反射防止膜５
を設ける。例えば、酸化シリンコンを用いると、
好都合である。この第２図に示す実施例の場合に
は、上方（基板側でない方）より再生レーザ光を
照射し、非晶質薄膜４を通過し、反射層２にて反
射されたレーザ光を、同じく上方に配置された読
出し手段（図示せず）で受けることにより、情報
を再生することができる。
第３図は他の実施例を示すものであり、基板１
上に、反射防止膜５、非晶質薄膜４、熱絶縁層
３、反射層２をこの順序にて積層したものであ
る。この場合には、再生レーザ光源及び読出し手
段は共に、基板側に配置される。
上に、反射防止膜５、非晶質薄膜４、熱絶縁層
３、反射層２をこの順序にて積層したものであ
る。この場合には、再生レーザ光源及び読出し手
段は共に、基板側に配置される。
カルコゲン元素特有の光学的特性変化を示すテ
ルル・酸化シリコンからなる非晶質薄膜を用いた
ので、従来に比例して大きな光学的特性変化（特
に透過率の変化）が得られた。そして、反射層を
設けたので、透過率の変化を利用しながら、反射
型の読出し形式が可能である。
ルル・酸化シリコンからなる非晶質薄膜を用いた
ので、従来に比例して大きな光学的特性変化（特
に透過率の変化）が得られた。そして、反射層を
設けたので、透過率の変化を利用しながら、反射
型の読出し形式が可能である。
また、非晶質薄膜と反射層との間に介在される
熱絶縁層を設けたため、記録時の熱拡散を防ぎ、
記録効率を高めることができる。また、非晶質薄
膜の入射光表面の光反射を防止する反射防止膜を
設けることにより、記録または再生時の照射ビー
ムを散乱させることなく媒体内に導くことがで
き、記録及び再生時の照射ビームの利用効率を高
めることができる。
熱絶縁層を設けたため、記録時の熱拡散を防ぎ、
記録効率を高めることができる。また、非晶質薄
膜の入射光表面の光反射を防止する反射防止膜を
設けることにより、記録または再生時の照射ビー
ムを散乱させることなく媒体内に導くことがで
き、記録及び再生時の照射ビームの利用効率を高
めることができる。
第１図は本発明に係る記録媒体の特性を示す
図、第２図は本発明に係る記録媒体の一実施例の
構成を示す図、第３図は他の実施例を示す図であ
る。 １……基板、２……反射層、４……非晶質薄
膜。
図、第２図は本発明に係る記録媒体の一実施例の
構成を示す図、第３図は他の実施例を示す図であ
る。 １……基板、２……反射層、４……非晶質薄
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光学的あるいは熱的なエネルギー照射により
光学特性変化を得る光学記録媒体であつて、テル
ル（Te）と酸化シリコン（SiOx）を主成分とす
る非晶質薄膜と、この薄膜を透過した光を反射す
る反射層と、前記非晶質薄膜と反射層との間に介
在され熱定数を調整する熱絶縁層と、前記非晶質
薄膜の入射光表面の光反射を防止する反射防止膜
とを有することを特徴とする光学記録媒体。 ２ 前記非晶質薄膜が、TeYSiOx100-Y（但し、０
＜ｘ≦２、０＜Ｙ＜100、Ｙはモル％）を主成分
とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124626A JPS5916154A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124626A JPS5916154A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916154A JPS5916154A (ja) | 1984-01-27 |
| JPH0373937B2 true JPH0373937B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=14890068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124626A Granted JPS5916154A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916154A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078297A1 (ja) | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Ntn Corporation | シェル型針状ころ軸受、コンプレッサ主軸の支持構造およびピストンポンプ駆動部の支持構造 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH066393B2 (ja) * | 1984-03-07 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録・消去方法 |
| JPS6144690A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | Res Dev Corp Of Japan | 光による記録材料 |
| US4653024A (en) * | 1984-11-21 | 1987-03-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device including a phase changeable material |
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| JPS57208648A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-21 | Rca Corp | Recording medium |
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| JPS58222891A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57124626A patent/JPS5916154A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS58222891A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078297A1 (ja) | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Ntn Corporation | シェル型針状ころ軸受、コンプレッサ主軸の支持構造およびピストンポンプ駆動部の支持構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5916154A (ja) | 1984-01-27 |
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