JP2749414B2 - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
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- JP2749414B2 JP2749414B2 JP2002101A JP210190A JP2749414B2 JP 2749414 B2 JP2749414 B2 JP 2749414B2 JP 2002101 A JP2002101 A JP 2002101A JP 210190 A JP210190 A JP 210190A JP 2749414 B2 JP2749414 B2 JP 2749414B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザ光を利用して信号の記録・消去及び信
号の再生を行う光記録媒体に関するものである。
号の再生を行う光記録媒体に関するものである。
近年高密度、大容量の不揮発性記憶装置が要求されて
おり、光記録媒体が注目されている。光記録媒体を用い
た光記録再生装置は光記録媒体の記録膜にレーザ光を照
射することによりレーザ光の照射部分の記録膜を温度上
昇による化学変化あるいは外部磁界の向きに磁化させる
ことによって記録及び消去を行っており、再生時には記
録によって誘起された媒体上の局部的な変化を記録時と
強度又は波長の異なる光ビームを照射し、その反射光や
透過光を検出することによって行っている。
おり、光記録媒体が注目されている。光記録媒体を用い
た光記録再生装置は光記録媒体の記録膜にレーザ光を照
射することによりレーザ光の照射部分の記録膜を温度上
昇による化学変化あるいは外部磁界の向きに磁化させる
ことによって記録及び消去を行っており、再生時には記
録によって誘起された媒体上の局部的な変化を記録時と
強度又は波長の異なる光ビームを照射し、その反射光や
透過光を検出することによって行っている。
そして光記録媒体の記録膜としてはテルル系合金膜，
希土類−遷移金属系合金膜のように酸化や腐食等で劣化
し易い材料が多く、記録膜の劣化防止のための保護膜を
選定することが重要である。又光の吸収効率を上げ記録
感度を向上させるために保護膜は高屈折率であることが
好ましい。そして一般に記録膜を保護するために保護膜
がその両面に挟まれて記録媒体が形成される。このよう
な光記録媒体の保護膜としてはSiN,AlN等の窒化膜やSi
O,SiO2等の酸化膜、ZnS,2MgO・SiO2等が考えられてい
る。
希土類−遷移金属系合金膜のように酸化や腐食等で劣化
し易い材料が多く、記録膜の劣化防止のための保護膜を
選定することが重要である。又光の吸収効率を上げ記録
感度を向上させるために保護膜は高屈折率であることが
好ましい。そして一般に記録膜を保護するために保護膜
がその両面に挟まれて記録媒体が形成される。このよう
な光記録媒体の保護膜としてはSiN,AlN等の窒化膜やSi
O,SiO2等の酸化膜、ZnS,2MgO・SiO2等が考えられてい
る。
しかしながら光記録媒体の基板としてプラスチックを
用いた場合には、その上に形成れさる保護膜である窒化
膜はひび割れを生じ易く、光記録媒体へのレーザ光の照
射を繰り返したり媒体を保管する環境温度の急変によっ
て、基板と窒化膜との熱膨張率の差や窒化膜の残留応力
等に起因して光記録媒体が破壊されることがあるという
欠点があった。
用いた場合には、その上に形成れさる保護膜である窒化
膜はひび割れを生じ易く、光記録媒体へのレーザ光の照
射を繰り返したり媒体を保管する環境温度の急変によっ
て、基板と窒化膜との熱膨張率の差や窒化膜の残留応力
等に起因して光記録媒体が破壊されることがあるという
欠点があった。
又SiO2膜は膜界面に遊離した酸素を持つため記録膜の
酸化劣化を促進し易いという欠点があった。特に記録膜
が希土類−遷移金属系合金の場合には第４図に示すよう
に60℃で90％RHの試験環境下において約100時間前後で
特性が劣化してしまうという欠点があった。更にSiO膜
を保護膜として用いた場合には、第５図に示すように、
ｔ時間時の記録に要するパワーをPr（ｔ）とすると記録
感度が時間と共に低下するという欠点があった。
酸化劣化を促進し易いという欠点があった。特に記録膜
が希土類−遷移金属系合金の場合には第４図に示すよう
に60℃で90％RHの試験環境下において約100時間前後で
特性が劣化してしまうという欠点があった。更にSiO膜
を保護膜として用いた場合には、第５図に示すように、
ｔ時間時の記録に要するパワーをPr（ｔ）とすると記録
感度が時間と共に低下するという欠点があった。
そして比較的屈折率が高いZnS（屈折率2.3）を用いた
場合には、100時間程度でディフエクトによるエラーレ
ートが上昇し、充分な信頼性を確保することができない
という欠点があった。更にこれらの誘電体膜をスパッタ
リング法で作成した場合には、成膜速度が比較的遅いと
いう欠点もあった。
場合には、100時間程度でディフエクトによるエラーレ
ートが上昇し、充分な信頼性を確保することができない
という欠点があった。更にこれらの誘電体膜をスパッタ
リング法で作成した場合には、成膜速度が比較的遅いと
いう欠点もあった。
本発明はこのような従来の光記録媒体の問題点に鑑み
てなされたものであって、信頼性が高く高感度で生産性
の高い光記録媒体及びその製造方法を提供することを技
術的課題とする。
てなされたものであって、信頼性が高く高感度で生産性
の高い光記録媒体及びその製造方法を提供することを技
術的課題とする。
本願の請求項１の発明は、基板と、基板上に設けられ
た記録膜と、記録膜の少なくとも一方の膜面に保護膜が
設けられた光記録媒体であって、保護膜のうち少なくと
も光入射側の保護膜はII-VI族化合物,III-V族化合物，A
s2Se3，As2S3,PbS,As-Seガラス，及びAs-S-Brガラスの
いずれか１種類以上と、SiO2，ZrO2，Al2O3，TiO2，及
びアルカリ金属の酸化物のいずれか１種類以上とを含有
する混合物とすると共に、保護膜中の酸化物を構成する
酸素と被酸化元素との結合エネルギーは、酸化物単独の
結合エネルギーに比べて1eV以上小さいことを特徴とす
るものである。
た記録膜と、記録膜の少なくとも一方の膜面に保護膜が
設けられた光記録媒体であって、保護膜のうち少なくと
も光入射側の保護膜はII-VI族化合物,III-V族化合物，A
s2Se3，As2S3,PbS,As-Seガラス，及びAs-S-Brガラスの
いずれか１種類以上と、SiO2，ZrO2，Al2O3，TiO2，及
びアルカリ金属の酸化物のいずれか１種類以上とを含有
する混合物とすると共に、保護膜中の酸化物を構成する
酸素と被酸化元素との結合エネルギーは、酸化物単独の
結合エネルギーに比べて1eV以上小さいことを特徴とす
るものである。
又本願の請求項５の発明は、基板と、基板上に設けら
れた記録膜と、記録膜の少なくとも一方の膜面に保護膜
が設けられた光記録媒体てあって、保護膜のうち少なく
とも光入射側の保護膜の形成はII-VI族化合物,III-V族
化合物，As2，Se3，As2S3,PbS,As-Seガラス，及びAs-S-
Brガラスのいずれか１種類以上を用いたターゲットと、
SiO2，SiO2，ZrO2，Al2O3，TiO2，及びアルカリ金属の
酸化物のいずれか１種類以上を用いたチップあるいはタ
ーゲットを用い、スパッタリングにより混合させながら
製造する方法であって、形成された保護膜中の酸化物を
構成する酸素と被酸化元素との結合エネルギーが、酸化
物単独で形成した場合の結合エネルギーに比べて1eV以
上小さいことを特徴とするものである。
れた記録膜と、記録膜の少なくとも一方の膜面に保護膜
が設けられた光記録媒体てあって、保護膜のうち少なく
とも光入射側の保護膜の形成はII-VI族化合物,III-V族
化合物，As2，Se3，As2S3,PbS,As-Seガラス，及びAs-S-
Brガラスのいずれか１種類以上を用いたターゲットと、
SiO2，SiO2，ZrO2，Al2O3，TiO2，及びアルカリ金属の
酸化物のいずれか１種類以上を用いたチップあるいはタ
ーゲットを用い、スパッタリングにより混合させながら
製造する方法であって、形成された保護膜中の酸化物を
構成する酸素と被酸化元素との結合エネルギーが、酸化
物単独で形成した場合の結合エネルギーに比べて1eV以
上小さいことを特徴とするものである。
このような特徴を有する本発明によれば、高い屈折率
の保護膜とすることができその干渉効果を利用して光記
録媒体の光吸収率が向上し記録感度も上昇する。又記録
膜が光磁気記録媒体である場合には、再生C/N比も向上
することとなる。又この保護膜は種々の記録膜に対して
混合比を変化させることによって任意の屈折率が選択で
きるため、容易に所望の反射率とすることができる。更
に保護膜の材料を酸化物の結合エネルギーが酸化物単独
で形成された場合に比べて1eV以上小さい結合エネルギ
ーとすることによって原子レベルでの結合状態が安定と
なる。従って耐水性に優れ残留応力を低減することがで
きるため、記録膜の劣化が防止されることとなる。更に
スパッタリング法による成膜速度は一般の酸化物，窒化
物に比べて２〜10倍程度大きく光ディスクの生産性を向
上させることができる。
の保護膜とすることができその干渉効果を利用して光記
録媒体の光吸収率が向上し記録感度も上昇する。又記録
膜が光磁気記録媒体である場合には、再生C/N比も向上
することとなる。又この保護膜は種々の記録膜に対して
混合比を変化させることによって任意の屈折率が選択で
きるため、容易に所望の反射率とすることができる。更
に保護膜の材料を酸化物の結合エネルギーが酸化物単独
で形成された場合に比べて1eV以上小さい結合エネルギ
ーとすることによって原子レベルでの結合状態が安定と
なる。従って耐水性に優れ残留応力を低減することがで
きるため、記録膜の劣化が防止されることとなる。更に
スパッタリング法による成膜速度は一般の酸化物，窒化
物に比べて２〜10倍程度大きく光ディスクの生産性を向
上させることができる。
第１図は本発明の一実施例による光記録媒体の構造を
示す図である。本図においてガラス上に紫外線硬化樹脂
によって図示しないトラック案内溝が形成された基板１
上に保護膜２を形成し、更にTbFeCo膜等により膜厚100n
mに形成される記録膜３を積層し、更にその上に保護膜
４を積層する。ここでは保護膜２及び４としてSiO2とZn
Seの混合物、SiO2とZnTeの混合物、ZrO2とZnSeの混合物
を夫々保護膜として異なった３枚の光記録媒体を形成し
た。この場合ターゲットにZnSe,ZnTeを用い、その上にS
iO2又はZrO2チップを置いてスパッタリング法によって
保護膜２を作成した。又膜厚は各保護膜の屈折率ｎに対
して干渉効果を利用するためλ/4n（λ：レーザ波長830
nm）となるように設定した。
示す図である。本図においてガラス上に紫外線硬化樹脂
によって図示しないトラック案内溝が形成された基板１
上に保護膜２を形成し、更にTbFeCo膜等により膜厚100n
mに形成される記録膜３を積層し、更にその上に保護膜
４を積層する。ここでは保護膜２及び４としてSiO2とZn
Seの混合物、SiO2とZnTeの混合物、ZrO2とZnSeの混合物
を夫々保護膜として異なった３枚の光記録媒体を形成し
た。この場合ターゲットにZnSe,ZnTeを用い、その上にS
iO2又はZrO2チップを置いてスパッタリング法によって
保護膜２を作成した。又膜厚は各保護膜の屈折率ｎに対
して干渉効果を利用するためλ/4n（λ：レーザ波長830
nm）となるように設定した。
さてこのように構成された本実施例による３枚の光記
録媒体に対して保護膜２の材質と屈折率，光記録媒体の
反射率,C/N比，記録再生可能な回転数，エラーレートを
測定した結果を第１表に示す。ここでC/N比はドメイン
長１μｍでの値、記録再生可能な回転数は光記録媒体に
照射されるパワー15mW時における値、エラーレートはス
タンパに起因するディフェクトにより発生するエラーで
あって、全ての光記録媒体上に対して一様に分布してい
るものとする。
録媒体に対して保護膜２の材質と屈折率，光記録媒体の
反射率,C/N比，記録再生可能な回転数，エラーレートを
測定した結果を第１表に示す。ここでC/N比はドメイン
長１μｍでの値、記録再生可能な回転数は光記録媒体に
照射されるパワー15mW時における値、エラーレートはス
タンパに起因するディフェクトにより発生するエラーで
あって、全ての光記録媒体上に対して一様に分布してい
るものとする。
さて第２図（ａ）〜（ｃ）は本実施例による光記録媒
体を60℃,90％RHの環境下で記録膜のC/N,記録感度，エ
ラーレートの経時変化を示したものである。このとき保
護膜ZnSe・SiO2の成膜条件は到達真空度５×10-7Torr,
スパッタリング圧力1.2×10-2Torrであり、Si2p（2p軌
道）の結合エネルギーをSiO2膜に比べて1.2eV小さくし
たものである。又第３図（ａ）〜（ｃ）は同じ組成の保
護膜であるZnSe・SiO2を到達真空度５×10-6Torr,スパ
ッタリング圧力4.5×10-3Torrで成膜した場合の経時変
化を示している。このときのSi2Pの結合エネルギーはSi
O2膜に比べて0.5eV小さくしてある。
体を60℃,90％RHの環境下で記録膜のC/N,記録感度，エ
ラーレートの経時変化を示したものである。このとき保
護膜ZnSe・SiO2の成膜条件は到達真空度５×10-7Torr,
スパッタリング圧力1.2×10-2Torrであり、Si2p（2p軌
道）の結合エネルギーをSiO2膜に比べて1.2eV小さくし
たものである。又第３図（ａ）〜（ｃ）は同じ組成の保
護膜であるZnSe・SiO2を到達真空度５×10-6Torr,スパ
ッタリング圧力4.5×10-3Torrで成膜した場合の経時変
化を示している。このときのSi2Pの結合エネルギーはSi
O2膜に比べて0.5eV小さくしてある。
第２図に示すように本実施例による保護膜を用いた場
合には1000時間以上の時間が経過してもC/N,記録感度，
エラーレートの劣化は認められなかった。これに対して
第３図に示すような成膜条件では、SiO2の結合状態は不
安定であるためZnの酸化が急速に進行し、保護膜の劣化
が生じることによりC/N,記録感度が低下しエラーが増加
して充分な信頼性を保てないことがわかった。このよう
な本実施例による保護膜は従来の保護膜に比べて記録感
度が向上し高C/N,低エラーレートを実現することができ
る。又記録再生可能回転数が従来例に比べて大きく、高
速で記録及び再生を行うことができる。又成膜条件によ
って安定な結合状態に形成することによって高信頼性を
実現することができる。更にスパッタリング法による成
膜速度は2MgO・SiO2に比べて約３倍の速度が得られ、生
産性に優れている。
合には1000時間以上の時間が経過してもC/N,記録感度，
エラーレートの劣化は認められなかった。これに対して
第３図に示すような成膜条件では、SiO2の結合状態は不
安定であるためZnの酸化が急速に進行し、保護膜の劣化
が生じることによりC/N,記録感度が低下しエラーが増加
して充分な信頼性を保てないことがわかった。このよう
な本実施例による保護膜は従来の保護膜に比べて記録感
度が向上し高C/N,低エラーレートを実現することができ
る。又記録再生可能回転数が従来例に比べて大きく、高
速で記録及び再生を行うことができる。又成膜条件によ
って安定な結合状態に形成することによって高信頼性を
実現することができる。更にスパッタリング法による成
膜速度は2MgO・SiO2に比べて約３倍の速度が得られ、生
産性に優れている。
尚本実施例ではガラス基板１上に紫外線硬化樹脂によ
ってトラック案内溝を設け、TbFeCo等の希土類−遷移金
属系合金を記録膜として用いたが、基板にはポリカーボ
ネイト，アクリル，エポキシ，その他のプラスチックを
用いることができ、又記録膜３にはテルル系合金や熱可
塑性樹脂等のいずれかを用いても同等又はそれ以上の効
果が得られる。
ってトラック案内溝を設け、TbFeCo等の希土類−遷移金
属系合金を記録膜として用いたが、基板にはポリカーボ
ネイト，アクリル，エポキシ，その他のプラスチックを
用いることができ、又記録膜３にはテルル系合金や熱可
塑性樹脂等のいずれかを用いても同等又はそれ以上の効
果が得られる。
又本実施例では記録膜３の両側に保護膜2,4を形成し
たが、記録膜３に対して光照射側の基板１と反対側の保
護膜４は記録膜の酸化劣化を防止できるような材料、例
えば2MgO・SiO2,SiN等の他の材料を用いてもよい。
たが、記録膜３に対して光照射側の基板１と反対側の保
護膜４は記録膜の酸化劣化を防止できるような材料、例
えば2MgO・SiO2,SiN等の他の材料を用いてもよい。
更に本実施例では保護膜2,4として(ZnSe)0.7(SiO2)
0.3，(ZnTe)0.7(SiO2)0.3，(ZnSe)0.5(ZrO2)0.5につい
て説明したが、第２表に示すII-VI族化合物，第３表に
示すIII-V族化合物，第４表に示すAs2Se3，As2S3,PbS,A
s-Seガラス,As-S-Brガラス等のいずれか１種以上と、Si
O2，ZrO2，Al2O3，TiO2，アルカリ金属の酸化物のいず
れか１種類以上とを含有する混合物であって、保護膜中
の酸化物を構成する酸素と被酸化元素との結合エネルギ
ーは、酸化物単独での結合エネルギーに比べて1eV以上
小さいことを特徴とする薄膜を用いることによって同様
の効果が得られる。
0.3，(ZnTe)0.7(SiO2)0.3，(ZnSe)0.5(ZrO2)0.5につい
て説明したが、第２表に示すII-VI族化合物，第３表に
示すIII-V族化合物，第４表に示すAs2Se3，As2S3,PbS,A
s-Seガラス,As-S-Brガラス等のいずれか１種以上と、Si
O2，ZrO2，Al2O3，TiO2，アルカリ金属の酸化物のいず
れか１種類以上とを含有する混合物であって、保護膜中
の酸化物を構成する酸素と被酸化元素との結合エネルギ
ーは、酸化物単独での結合エネルギーに比べて1eV以上
小さいことを特徴とする薄膜を用いることによって同様
の効果が得られる。
即ちII-VI族化合物,III-V族化合物は結晶質，As2S
e3，As2S3,As-Seガラス,As-S-Brガラス等はガラス質の
材料であり、SiO2，ZrO2，Al2O3，TiO2，アルカリ金属
の酸化物は非晶質又は結晶質の材料である。これらの材
料を用いてスパッタリング等で混合物の薄膜を作製した
場合、夫々の化合物の粒子を微細化して強制的に固溶さ
せたような構造となる。つまり結晶質材料であっても10
原子オーダー以下の微結晶となり、混合膜中に拡散した
構造となる。保護膜を構成するSiO2，ZrO2，Al2O3，TiO
2,BeO,MgO,BaO,CaO等の酸化物の結合エネルギーはSi,Z
r,Al,Ti,Be,Mg,Ba,Ca等の被酸化元素が酸化していない
場合よりも２〜5eV大きくなるが、本発明の実施例では
固溶させたII-VI族化合物,III-V族化合物等と保護膜を
構成する酸化物とを混合したときの相互作用によりSi
O2，ZrO2，Al2O3，TiO2,BeO,MgO,BaO,CaO等の酸化物単
独の場合の結合エネルギーに比べて1eV以上小さいエネ
ルギーの結合状態となる。このような保護膜を用いるこ
とによって前述した３種類の実施例と同様に信頼性，信
号品質，記録感度，生産性に優れた光記録媒体が実現で
きる。
e3，As2S3,As-Seガラス,As-S-Brガラス等はガラス質の
材料であり、SiO2，ZrO2，Al2O3，TiO2，アルカリ金属
の酸化物は非晶質又は結晶質の材料である。これらの材
料を用いてスパッタリング等で混合物の薄膜を作製した
場合、夫々の化合物の粒子を微細化して強制的に固溶さ
せたような構造となる。つまり結晶質材料であっても10
原子オーダー以下の微結晶となり、混合膜中に拡散した
構造となる。保護膜を構成するSiO2，ZrO2，Al2O3，TiO
2,BeO,MgO,BaO,CaO等の酸化物の結合エネルギーはSi,Z
r,Al,Ti,Be,Mg,Ba,Ca等の被酸化元素が酸化していない
場合よりも２〜5eV大きくなるが、本発明の実施例では
固溶させたII-VI族化合物,III-V族化合物等と保護膜を
構成する酸化物とを混合したときの相互作用によりSi
O2，ZrO2，Al2O3，TiO2,BeO,MgO,BaO,CaO等の酸化物単
独の場合の結合エネルギーに比べて1eV以上小さいエネ
ルギーの結合状態となる。このような保護膜を用いるこ
とによって前述した３種類の実施例と同様に信頼性，信
号品質，記録感度，生産性に優れた光記録媒体が実現で
きる。
又本実施例の光記録媒体の製造方法では、保護膜の形
成にはZnSe,ZnTeのターゲットを用い、SiO2，ZrO2のチ
ップとを組合せ、スパッタリング圧力が１×10-2Torr以
上である保護膜の製造方法について説明してきたが、少
なくとも光入射側の保護膜の形成には、II-VI族化合物,
III-V族化合物，As2Se3，As2S3,PbS,As-Seガラス、及び
As-S-Brガラスのいずれか１種類以上を用いたターゲッ
トと、SiO2，ZrO2，Al2O3，TiO2、及びアルカリ金属の
酸化物のいずれか１種類以上を用いたチップあるいはタ
ーゲットを用い、スパッタリングにより混合させながら
形成する製造方法であって、保護膜形成時のスパッタリ
ング圧力が１×10-2Torr以上であれば、同様あるいはそ
れ以上の効果が得られるものである。
成にはZnSe,ZnTeのターゲットを用い、SiO2，ZrO2のチ
ップとを組合せ、スパッタリング圧力が１×10-2Torr以
上である保護膜の製造方法について説明してきたが、少
なくとも光入射側の保護膜の形成には、II-VI族化合物,
III-V族化合物，As2Se3，As2S3,PbS,As-Seガラス、及び
As-S-Brガラスのいずれか１種類以上を用いたターゲッ
トと、SiO2，ZrO2，Al2O3，TiO2、及びアルカリ金属の
酸化物のいずれか１種類以上を用いたチップあるいはタ
ーゲットを用い、スパッタリングにより混合させながら
形成する製造方法であって、保護膜形成時のスパッタリ
ング圧力が１×10-2Torr以上であれば、同様あるいはそ
れ以上の効果が得られるものである。
以上詳細に説明したように本発明によれば、保護膜の
材質を前述したものとすることにより低反射率を実現で
きることができ、その結果高C/Nと高記録感度とを達成
することができる。又前述の光記録媒体の保護膜及びそ
の製造方法により、記録膜の劣化を防止でき、保護効果
に優れており生産性が高いという、優れた効果が実現で
きるものである。
材質を前述したものとすることにより低反射率を実現で
きることができ、その結果高C/Nと高記録感度とを達成
することができる。又前述の光記録媒体の保護膜及びそ
の製造方法により、記録膜の劣化を防止でき、保護効果
に優れており生産性が高いという、優れた効果が実現で
きるものである。
第１図は本発明の一実施例における光記録媒体の構造を
示す図、第２図（ａ）〜第２図（ｃ）は夫々本実施例に
よる保護膜を用いた第１図の構造の記録媒体について60
℃,90％RHの環境下で光記録媒体のC/N,記録感度，エラ
ーレートの経時変化を示した特性図、第３図（ａ）〜第
３図（ｃ）は不安定な結合状態の(ZnSe)0.7(SiO2)0.3膜
を保護膜として用いた場合の光記録媒体のC/N,記録感
度，エラーレートの経時変化を示す特性図、第４図はSi
O2を保護膜に用いた場合の光記録媒体のC/Nの経時変化
を示した特性図、第５図はSiO膜を保護膜に用いた場合
の光記録媒体の記録感度の経時変化を示した特性図であ
る。 １……基板、2,4……保護膜、３……記録膜
示す図、第２図（ａ）〜第２図（ｃ）は夫々本実施例に
よる保護膜を用いた第１図の構造の記録媒体について60
℃,90％RHの環境下で光記録媒体のC/N,記録感度，エラ
ーレートの経時変化を示した特性図、第３図（ａ）〜第
３図（ｃ）は不安定な結合状態の(ZnSe)0.7(SiO2)0.3膜
を保護膜として用いた場合の光記録媒体のC/N,記録感
度，エラーレートの経時変化を示す特性図、第４図はSi
O2を保護膜に用いた場合の光記録媒体のC/Nの経時変化
を示した特性図、第５図はSiO膜を保護膜に用いた場合
の光記録媒体の記録感度の経時変化を示した特性図であ
る。 １……基板、2,4……保護膜、３……記録膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川端 秀次 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−292435（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−149844（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−224048（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−151032（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】基板と、前記基板上に設けられた記録膜
と、前記記録膜の少なくとも一方の膜面に保護膜が設け
られた光記録媒体であって、 前記保護膜のうち少なくとも光入射側の保護膜はII-VI
族化合物,III-V族化合物，As2Se3，As2S3,PbS,As-Seガ
ラス，及びAs-S-Brガラスのいずれか１種類以上と、SiO
2，ZrO2，Al2O3，TiO2，及びアルカリ金属の酸化物のい
ずれか１種類以上とを含有する混合物とすると共に、前
記保護膜中の前記酸化物を構成する酸素と被酸化元素と
の結合エネルギーは、前記酸化物単独の前記結合エネル
ギーに比べて1eV以上小さいことを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項２】保護膜に用いられるII-VI族化合物として
は、ZnSe,CdSe,ZnTe,CdTe,CdSのうちのいずれか１種類
以上を用いることを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。 - 【請求項３】保護膜に用いられるIII-V族化合物として
は、InAs,GaAs,InP,GaPのうちのいずれか１種類以上を
用いることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】保護膜に用いられるアルカリ金属の酸化物
としては、Be,Mg,Ba,Caのうちのいずれか１種類以上を
含有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】基板と、前記基板上に設けられた記録膜
と、前記記録膜の少なくとも一方の膜面に保護膜が設け
られた光記録媒体であって、前記保護膜のうち少なくと
も光入射側の保護膜の形成はII-VI族化合物,III-V族化
合物，As2Se3，As2S3,PbS,As-Seガラス，及びAs-S-Brガ
ラスのいずれか１種類以上を用いたターゲットと、Si
O2，ZrO2，Al2O3，TiO2，及びアルカリ金属の酸化物の
いずれか１種類以上を用いたチップあるいはターゲット
を用い、スパッタリングにより混合させながら製造する
方法であって、形成された前記保護膜中の酸化物を構成
する酸素と被酸化元素との結合エネルギーが、前記酸化
物単独で形成した場合の結合エネルギーに比べて1eV以
上小さいことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】保護膜に用いられるII-VI族化合物のター
ゲットとしては、ZnSe,CdSe,ZnTe,CdTe,CdSのうちのい
ずれか１種類以上を用いることを特徴とする請求項５記
載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】保護膜に用いられるIII-V族化合物のター
ゲットとしては、InAs,GaAs,InP,GaPのうちのいずれか
１種類以上を用いることを特徴とする請求項５記載の光
記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】保護膜に用いられるアルカリ金属の酸化物
のチップあるいはターゲットとしては、Be,Mg,Ba,Caの
うちのいずれか１種類以上を含有する酸化物であること
を特徴とする請求項５記載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101A JP2749414B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101A JP2749414B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03207034A JPH03207034A (ja) | 1991-09-10 |
| JP2749414B2 true JP2749414B2 (ja) | 1998-05-13 |
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ID=11519954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002101A Expired - Fee Related JP2749414B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2749414B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP2002101A patent/JP2749414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03207034A (ja) | 1991-09-10 |
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