JP3050345B2 - 集積回路素子の接続方法 - Google Patents
集積回路素子の接続方法Info
- Publication number
- JP3050345B2 JP3050345B2 JP4196255A JP19625592A JP3050345B2 JP 3050345 B2 JP3050345 B2 JP 3050345B2 JP 4196255 A JP4196255 A JP 4196255A JP 19625592 A JP19625592 A JP 19625592A JP 3050345 B2 JP3050345 B2 JP 3050345B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active energy
- energy ray
- electrode
- integrated circuit
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細な電極
パッドと実装基板上に設けた電極端子を接続する集積回
路素子の接続方法に関するものである。
パッドと実装基板上に設けた電極端子を接続する集積回
路素子の接続方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の接続には表面に導電性粒
子を含む電気接続用異方性導電材料を適用し、これを１
８０〜２００℃、２０〜３０ｋｇ／ｃｍ2程度で熱圧着
する方法が採用されている。
子を含む電気接続用異方性導電材料を適用し、これを１
８０〜２００℃、２０〜３０ｋｇ／ｃｍ2程度で熱圧着
する方法が採用されている。
【０００３】すなわち、図４（ａ）に示すように、電極
パッド２上に金属バンプ５１が形成されたＬＳＩチップ
１と、この電極パッド２に対応して形成された電極端子
４を有する基板３とを導電性粒子１１を含む電気接続用
異方性導電材料を含有してなる熱接着樹脂１０を介して
向き合わせる。次に、図４（ｂ）に示すように、ＬＳＩ
チップ１を基板３に押し付け、加熱することにより、熱
接着樹脂１０を軟化させ、電極パッド２と電極端子４と
を導電性粒子１１により、接続することによって行われ
る。また、この接続には金属バンプ５１を用いずに、電
極パッド２と電極端子４の間のみで、導電性粒子１１を
介して行われる場合もある。
パッド２上に金属バンプ５１が形成されたＬＳＩチップ
１と、この電極パッド２に対応して形成された電極端子
４を有する基板３とを導電性粒子１１を含む電気接続用
異方性導電材料を含有してなる熱接着樹脂１０を介して
向き合わせる。次に、図４（ｂ）に示すように、ＬＳＩ
チップ１を基板３に押し付け、加熱することにより、熱
接着樹脂１０を軟化させ、電極パッド２と電極端子４と
を導電性粒子１１により、接続することによって行われ
る。また、この接続には金属バンプ５１を用いずに、電
極パッド２と電極端子４の間のみで、導電性粒子１１を
介して行われる場合もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の接続実
装方法では、電極パッド２と電極端子４間を電気的に接
続している導電性粒子１１の数量が多くなると隣合う電
極パッド、あるいは電極端子間でショートあるいは電流
リークが発生する。これを避けるために導電性粒子１１
の数量を少なくすると、接続抵抗が増大すると共にばら
つくと言う問題も発生していた。また甚だしい場合には
電気的にオープンになる接続箇所が発生していた。さら
に、最近の接続寸法の高精細化に伴って、この傾向はま
すます著しくなっている。また、ＬＳＩチップが基板に
厳密に平行なまま押し付けられることは極めて難しく、
各々の電極端子間のギャップにばらつきが発生し、各電
極端子間の導電粒子の数量にばらつきが生じ、結果とし
て接続が不安定になると言う問題があった。これらの現
象は、デバイスの動作不良を引き起こす重大な欠点とな
っている。
装方法では、電極パッド２と電極端子４間を電気的に接
続している導電性粒子１１の数量が多くなると隣合う電
極パッド、あるいは電極端子間でショートあるいは電流
リークが発生する。これを避けるために導電性粒子１１
の数量を少なくすると、接続抵抗が増大すると共にばら
つくと言う問題も発生していた。また甚だしい場合には
電気的にオープンになる接続箇所が発生していた。さら
に、最近の接続寸法の高精細化に伴って、この傾向はま
すます著しくなっている。また、ＬＳＩチップが基板に
厳密に平行なまま押し付けられることは極めて難しく、
各々の電極端子間のギャップにばらつきが発生し、各電
極端子間の導電粒子の数量にばらつきが生じ、結果とし
て接続が不安定になると言う問題があった。これらの現
象は、デバイスの動作不良を引き起こす重大な欠点とな
っている。
【０００５】本発明の目的は、再現性が良く、安定で、
しかも高精細化が可能な集積回路素子の接続方法を提供
することにある。
しかも高精細化が可能な集積回路素子の接続方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、鋭意研究を重ねた結果、活性エネルギー線硬化性樹
脂を使用することにより上記問題点を解決し得ることを
見い出し、本発明を完成するに至った。
め、鋭意研究を重ねた結果、活性エネルギー線硬化性樹
脂を使用することにより上記問題点を解決し得ることを
見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち本発明は集積回路素子の接続方法
において、集積回路素子に形成された電極パッドと該電
極パッドに対応して基板に形成された電極端子とを金属
バンプを介して接続する集積回路素子の接続方法であっ
て、1)電極パッド又は電極端子の少なくとも一方の表面
に金属バンプを形成する工程、2)集積回路素子側又は基
板側表面の少なくとも一方に活性エネルギー線硬化性樹
脂を被覆する工程、3)活性エネルギー線硬化性樹脂をリ
ソグラフィー法によりパターニングして電極パッド又は
電極端子上の活性エネルギー線硬化性樹脂を選択的に除
去する工程、4)電極パッドと電極端子とを向き合わせ、
金属バンプと対向する電極パッド又は電極端子を当接さ
せた後、熱圧着することにより、活性エネルギー線硬化
性樹脂と集積回路素子又は基板とを密着させるととも
に、電極パッドと電極端子とを金属バンプを介して接続
する工程、及び5)加熱処理及び／又は活性エネルギー線
の照射処理を施す工程とから成ることを特徴とする集積
回路素子の接続方法、を提供するものである。
において、集積回路素子に形成された電極パッドと該電
極パッドに対応して基板に形成された電極端子とを金属
バンプを介して接続する集積回路素子の接続方法であっ
て、1)電極パッド又は電極端子の少なくとも一方の表面
に金属バンプを形成する工程、2)集積回路素子側又は基
板側表面の少なくとも一方に活性エネルギー線硬化性樹
脂を被覆する工程、3)活性エネルギー線硬化性樹脂をリ
ソグラフィー法によりパターニングして電極パッド又は
電極端子上の活性エネルギー線硬化性樹脂を選択的に除
去する工程、4)電極パッドと電極端子とを向き合わせ、
金属バンプと対向する電極パッド又は電極端子を当接さ
せた後、熱圧着することにより、活性エネルギー線硬化
性樹脂と集積回路素子又は基板とを密着させるととも
に、電極パッドと電極端子とを金属バンプを介して接続
する工程、及び5)加熱処理及び／又は活性エネルギー線
の照射処理を施す工程とから成ることを特徴とする集積
回路素子の接続方法、を提供するものである。
【０００８】次に本発明をさらに詳しく説明する。図１
中に示すごとく、あらかじめ電極素子が設けられた基板
又は電極パッドが設けられた集積回路素子上に蒸着法等
によりインジウムなどの金属バンプ層を積層し、得られ
た金属バンプ層上にフォトレジストを塗布、乾燥した
後、マスクパターンを介して露光後、不要レジスト部分
を除去しプラズマエッチング、エッチャント浸漬等によ
り電極パッド又は電極端子上に金属バンプを形成する。
中に示すごとく、あらかじめ電極素子が設けられた基板
又は電極パッドが設けられた集積回路素子上に蒸着法等
によりインジウムなどの金属バンプ層を積層し、得られ
た金属バンプ層上にフォトレジストを塗布、乾燥した
後、マスクパターンを介して露光後、不要レジスト部分
を除去しプラズマエッチング、エッチャント浸漬等によ
り電極パッド又は電極端子上に金属バンプを形成する。
【０００９】金属バンプを所望の位置に設けた後、集積
回路素子または基板側表面の少なくとも一方に活性エネ
ルギー線硬化性樹脂を設け、リソグラフィー法によりパ
ターニングして電極パッド又は電極端子上の活性エネル
ギー線硬化性樹脂を選択的に除去する。
回路素子または基板側表面の少なくとも一方に活性エネ
ルギー線硬化性樹脂を設け、リソグラフィー法によりパ
ターニングして電極パッド又は電極端子上の活性エネル
ギー線硬化性樹脂を選択的に除去する。
【００１０】ここで、本発明方法に使用する金属バンプ
としては、ハンダ、金、アルミニウム、インジウム、Ｉ
ＴＯ等の導電体を用いることができるが、比較的低温度
で融着できるインジウムが特に好ましく用いられる。
としては、ハンダ、金、アルミニウム、インジウム、Ｉ
ＴＯ等の導電体を用いることができるが、比較的低温度
で融着できるインジウムが特に好ましく用いられる。
【００１１】本発明の方法に使用する活性エネルギー線
硬化性樹脂としては、活性エネルギー線反応性樹脂、活
性エネルギー線重合開始剤を含有してなる樹脂組成物を
用いることができる。
硬化性樹脂としては、活性エネルギー線反応性樹脂、活
性エネルギー線重合開始剤を含有してなる樹脂組成物を
用いることができる。
【００１２】活性エネルギー線反応性樹脂としては紫外
線、電子線、Ｘ線等の活性エネルギー線の照射により硬
化し、その硬化物が加熱処理により接着性を示すもので
あればよく、具体的には活性エネルギー線の照射による
硬化性を呈するフェノールノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミ
ン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂及びそれ
らの臭化物にアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、
マレイン酸、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノプ
ロピル、マレイン酸モノブチル、ソルビン酸等の不飽和
塩基酸を上記樹脂のエポキシ基と反応させエステル化し
たものが好適に用いられるが、特にアクリル酸が好まし
く、この不飽和塩基酸は酸当量／エポキシ当量比で０．
５〜１．５の範囲で反応させることが好ましい。
線、電子線、Ｘ線等の活性エネルギー線の照射により硬
化し、その硬化物が加熱処理により接着性を示すもので
あればよく、具体的には活性エネルギー線の照射による
硬化性を呈するフェノールノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミ
ン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂及びそれ
らの臭化物にアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、
マレイン酸、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノプ
ロピル、マレイン酸モノブチル、ソルビン酸等の不飽和
塩基酸を上記樹脂のエポキシ基と反応させエステル化し
たものが好適に用いられるが、特にアクリル酸が好まし
く、この不飽和塩基酸は酸当量／エポキシ当量比で０．
５〜１．５の範囲で反応させることが好ましい。
【００１３】このようにして得られた活性エネルギー線
反応性樹脂はアルカリ現像可能とするために、さらに上
記樹脂にフタル酸、無水フタル酸、マレイン酸、無水マ
レイン酸、シュウ酸、アジピン酸、クエン酸等の多塩基
酸を反応させるとよい。この場合、得られる樹脂の酸価
を５０〜１５０とすることが好ましい。
反応性樹脂はアルカリ現像可能とするために、さらに上
記樹脂にフタル酸、無水フタル酸、マレイン酸、無水マ
レイン酸、シュウ酸、アジピン酸、クエン酸等の多塩基
酸を反応させるとよい。この場合、得られる樹脂の酸価
を５０〜１５０とすることが好ましい。
【００１４】上記樹脂成分は紫外線等の活性エネルギー
線の照射により硬化し、その硬化物が加熱処理により接
着性を示さなければならないが、この場合の加熱処理温
度は５０〜１２０℃、好ましくは６０〜９０℃の範囲で
ある。この温度が５０℃未満では良好な接着性を与える
ことができず、逆に１２０℃を超えると良好な形状のパ
ターンを得ることができず好ましくない。
線の照射により硬化し、その硬化物が加熱処理により接
着性を示さなければならないが、この場合の加熱処理温
度は５０〜１２０℃、好ましくは６０〜９０℃の範囲で
ある。この温度が５０℃未満では良好な接着性を与える
ことができず、逆に１２０℃を超えると良好な形状のパ
ターンを得ることができず好ましくない。
【００１５】活性エネルギー線重合開始剤は活性エネル
ギー線の照射によりラジカルを発生するものであり、水
素引き抜き反応、ラジカル開裂反応などの開始剤自身の
物性により活性エネルギー線反応性樹脂の重合を促進さ
せることができる。水素引き抜き型の代表物質は、ベン
ゾフェノン類である。ラジカル開裂型の例として、ベン
ジルジメチルケタール類が挙げられる。更に、チオキサ
ントン系の化合物も用いられる。具体的にはベンゾフェ
ノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，
４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、２−エチルアン
トラキノン、ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテ
ル、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノ
ン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−クロロチ
オキサントン、ジエチルチオキサントン、２−ヒドロキ
シ−２−メチルプロピオフェノン、４−イソプロピル−
２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノンなどがあ
り、これらのうちの一種または２種以上を前記活性エネ
ルギー線反応性樹脂に対し２〜１０重量％の割合で配合
するのが好ましい。
ギー線の照射によりラジカルを発生するものであり、水
素引き抜き反応、ラジカル開裂反応などの開始剤自身の
物性により活性エネルギー線反応性樹脂の重合を促進さ
せることができる。水素引き抜き型の代表物質は、ベン
ゾフェノン類である。ラジカル開裂型の例として、ベン
ジルジメチルケタール類が挙げられる。更に、チオキサ
ントン系の化合物も用いられる。具体的にはベンゾフェ
ノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，
４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、２−エチルアン
トラキノン、ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテ
ル、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノ
ン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−クロロチ
オキサントン、ジエチルチオキサントン、２−ヒドロキ
シ−２−メチルプロピオフェノン、４−イソプロピル−
２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノンなどがあ
り、これらのうちの一種または２種以上を前記活性エネ
ルギー線反応性樹脂に対し２〜１０重量％の割合で配合
するのが好ましい。
【００１６】この活性エネルギー線硬化性樹脂は通常有
機溶剤に溶解させた塗布液の形で用いるのが実用的であ
り、このような溶剤としてはエチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、
エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、１，１，１−トリク
ロロエタン、トリクロロエチレンなどの１種または２種
以上を混合して用いることができる。
機溶剤に溶解させた塗布液の形で用いるのが実用的であ
り、このような溶剤としてはエチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、
エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、１，１，１−トリク
ロロエタン、トリクロロエチレンなどの１種または２種
以上を混合して用いることができる。
【００１７】本発明の接続方法で用いる活性エネルギー
線硬化性樹脂は上記組成で使用可能であるが、熱圧着の
際、樹脂に柔軟性をもたせてクラック等の発生を防ぐた
めの柔軟剤、接着性を持たせる温度をコントロールする
ための接着性向上剤を加えることができる。
線硬化性樹脂は上記組成で使用可能であるが、熱圧着の
際、樹脂に柔軟性をもたせてクラック等の発生を防ぐた
めの柔軟剤、接着性を持たせる温度をコントロールする
ための接着性向上剤を加えることができる。
【００１８】このような柔軟剤としてはアクリレート
系、メタクリレート系ウレタン系、スチレン系等の各種
モノマー、オリゴマーが使用される。
系、メタクリレート系ウレタン系、スチレン系等の各種
モノマー、オリゴマーが使用される。
【００１９】また接着性向上剤としてはフェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好適に用い
られる。この接着性向上剤は活性エネルギー線硬化性樹
脂固形分に対し５〜４０重量％、好ましくは１０〜２０
重量％の割合で配合することができる。
ラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好適に用い
られる。この接着性向上剤は活性エネルギー線硬化性樹
脂固形分に対し５〜４０重量％、好ましくは１０〜２０
重量％の割合で配合することができる。
【００２０】この接着性向上剤は上記範囲の中で任意に
配合割合を変化させることによって、接着性の現れる温
度を自由にコントロールすることができるが接着性の現
れる温度は５０〜１２０℃が好ましい。接着性向上剤は
１２０℃以上ではエポキシ環が開くことによって硬化
し、活性エネルギー線硬化性樹脂の強度を上げることが
できる。
配合割合を変化させることによって、接着性の現れる温
度を自由にコントロールすることができるが接着性の現
れる温度は５０〜１２０℃が好ましい。接着性向上剤は
１２０℃以上ではエポキシ環が開くことによって硬化
し、活性エネルギー線硬化性樹脂の強度を上げることが
できる。
【００２１】この他に、ガラス等の可視光に対して透明
な基板を用いた場合には、集積回路素子の光による誤作
動を防ぐために、カーボンブラック、チタンブラック、
鉄黒、鉛白、二酸化チタン、チタニウムイエロー、群青
等の無機顔料、アゾ系、フタロシアニン系、イソインヒ
ドリン系、ジオキサン系等の有機顔料の一種または数種
を遮光性材料を加えることができる。遮光性材料は全成
分中で５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％の
割合で添加することができ、接着、硬化させた後の該樹
脂被膜の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過率
が５％未満であるように適宜選択して添加される。
な基板を用いた場合には、集積回路素子の光による誤作
動を防ぐために、カーボンブラック、チタンブラック、
鉄黒、鉛白、二酸化チタン、チタニウムイエロー、群青
等の無機顔料、アゾ系、フタロシアニン系、イソインヒ
ドリン系、ジオキサン系等の有機顔料の一種または数種
を遮光性材料を加えることができる。遮光性材料は全成
分中で５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％の
割合で添加することができ、接着、硬化させた後の該樹
脂被膜の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過率
が５％未満であるように適宜選択して添加される。
【００２２】更に活性エネルギー線硬化性樹脂には必要
に応じて慣用されている染料、顔料、重合禁止剤消泡剤
等を加えることができる。
に応じて慣用されている染料、顔料、重合禁止剤消泡剤
等を加えることができる。
【００２３】以上に述べた活性エネルギー線硬化性樹脂
を溶剤に溶解した液は図２中（ａ）に示すごとく、ロー
ルコーター、カーテンフローコーター、スクリーン印
刷、スプレーコーター、スピンコーターなどにより塗布
し、乾燥する。乾燥後、図２中（ｂ）に示すように電極
部分が遮光されたマスクを用いて選択的に紫外線等の活
性エネルギー線を照射し又はガラス基板などの活性エネ
ルギー線に対して透明な基板を用いた場合には基板裏面
から活性エネルギー線を照射し図２中（ｃ）に示すよう
に未照射部分を現像液を用いて除去することによって電
極間にのみ活性エネルギー線硬化性樹脂を残余させる。
露光の際に照射する活性エネルギー線の量は遮光剤が含
有されていない場合には０．０５〜０．１５Ｊ／ｃｍ2
程度、含有されている場合には０．３〜２．５Ｊ／ｃｍ
2 の強度で照射される。照射強度がこれよりも少ない場
合には照射部分に十分な硬化性を与えることができず、
多い場合には樹脂中のエネルギー線硬化成分が完全に硬
化してしまい接着性を得ることが難しくなり以後の工程
に差し支えるため好ましくない。
を溶剤に溶解した液は図２中（ａ）に示すごとく、ロー
ルコーター、カーテンフローコーター、スクリーン印
刷、スプレーコーター、スピンコーターなどにより塗布
し、乾燥する。乾燥後、図２中（ｂ）に示すように電極
部分が遮光されたマスクを用いて選択的に紫外線等の活
性エネルギー線を照射し又はガラス基板などの活性エネ
ルギー線に対して透明な基板を用いた場合には基板裏面
から活性エネルギー線を照射し図２中（ｃ）に示すよう
に未照射部分を現像液を用いて除去することによって電
極間にのみ活性エネルギー線硬化性樹脂を残余させる。
露光の際に照射する活性エネルギー線の量は遮光剤が含
有されていない場合には０．０５〜０．１５Ｊ／ｃｍ2
程度、含有されている場合には０．３〜２．５Ｊ／ｃｍ
2 の強度で照射される。照射強度がこれよりも少ない場
合には照射部分に十分な硬化性を与えることができず、
多い場合には樹脂中のエネルギー線硬化成分が完全に硬
化してしまい接着性を得ることが難しくなり以後の工程
に差し支えるため好ましくない。
【００２４】このパターニングされた活性エネルギー線
硬化性樹脂は加熱処理を施すことによって接着性を付与
させ図２中（ｄ）に示すごとく前記電極パッドと電極端
子とを金属バンプを介して重ね合わせ、温度５０〜１２
０℃、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲で熱圧着するこ
とにより、前記活性エネルギー線硬化性樹脂と基板又は
素子とを接着させるとともに、該電極パッドと電極端子
とを金属バンプを介して接続する。該電極パッドまたは
電極端子と金属バンプをより確実に接続するために、さ
らに温度１２０〜１８０℃に上げて数分間熱圧着を続け
てもよい。
硬化性樹脂は加熱処理を施すことによって接着性を付与
させ図２中（ｄ）に示すごとく前記電極パッドと電極端
子とを金属バンプを介して重ね合わせ、温度５０〜１２
０℃、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲で熱圧着するこ
とにより、前記活性エネルギー線硬化性樹脂と基板又は
素子とを接着させるとともに、該電極パッドと電極端子
とを金属バンプを介して接続する。該電極パッドまたは
電極端子と金属バンプをより確実に接続するために、さ
らに温度１２０〜１８０℃に上げて数分間熱圧着を続け
てもよい。
【００２５】その後、全体を温度１２０℃〜２００℃の
範囲で加熱するか、図２中（ｅ）に示すように１〜５Ｊ
／ｃｍ2 の範囲で紫外線等の活性エネルギー線の照射処
理をし、樹脂を完全硬化して接着させる。これによって
金属バンプを介した電極端子と電極パッド間及び、基板
と活性エネルギー線硬化性樹脂間の両方で接着又は接続
されるため、強固な接着性が得られ、かつ微細な回路を
有する電極間においても短絡などの生じない接続が行わ
れる。
範囲で加熱するか、図２中（ｅ）に示すように１〜５Ｊ
／ｃｍ2 の範囲で紫外線等の活性エネルギー線の照射処
理をし、樹脂を完全硬化して接着させる。これによって
金属バンプを介した電極端子と電極パッド間及び、基板
と活性エネルギー線硬化性樹脂間の両方で接着又は接続
されるため、強固な接着性が得られ、かつ微細な回路を
有する電極間においても短絡などの生じない接続が行わ
れる。
【００２６】樹脂を硬化させる際に、活性エネルギー線
又は熱単独でも充分な硬化性が得られるが併用すること
により硬化時間の短縮を図ることが出来る。加熱硬化温
度が１２０℃以下では硬化が始まらず２００℃以上では
樹脂に熱ダレが起こり好ましいパターン形状が得られな
くなると共に、基板や電極に悪影響を及ぼすため好まし
くない。
又は熱単独でも充分な硬化性が得られるが併用すること
により硬化時間の短縮を図ることが出来る。加熱硬化温
度が１２０℃以下では硬化が始まらず２００℃以上では
樹脂に熱ダレが起こり好ましいパターン形状が得られな
くなると共に、基板や電極に悪影響を及ぼすため好まし
くない。
【００２７】これらにより、再現性が良く、安定で、接
続信頼性が高く、しかも高精細化が可能なＬＳＩチップ
の接続方法を提供するものである。
続信頼性が高く、しかも高精細化が可能なＬＳＩチップ
の接続方法を提供するものである。
【００２８】
【作用】電極パッドと、電極端子とを金属バンプを介し
て接続し、活性エネルギー線硬化性樹脂を用いて集積回
路素子と基板とを接着させるため、接続が確実となり、
接続抵抗の変動分は小さくすることができる。さらに、
基板が可視光に対して透明である場合には、活性エネル
ギー線硬化性樹脂の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおけ
る光透過率が５％未満とすることによって、ＬＳＩ自体
の遮光を施さなくても、ＬＳＩの光による誤動作を防止
することが可能である。
て接続し、活性エネルギー線硬化性樹脂を用いて集積回
路素子と基板とを接着させるため、接続が確実となり、
接続抵抗の変動分は小さくすることができる。さらに、
基板が可視光に対して透明である場合には、活性エネル
ギー線硬化性樹脂の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおけ
る光透過率が５％未満とすることによって、ＬＳＩ自体
の遮光を施さなくても、ＬＳＩの光による誤動作を防止
することが可能である。
【００２９】
【実施例】実施例１ 以下、本発明について、図面を参照して説明する。図
１、図２は、本発明の一実施例としてＬＳＩチップの接
続方法を工程順に示す断面図である。図１は、工程の前
段、図２は工程の後段を示している。まず図１（ａ）に
ついて、集積回路素子１（以下、ＬＳＩチップという）
の表面には、例えば、Ａｕ／Ｃｒ／Ａｌの３層金属膜
（それぞれの膜厚は、１．０μｍ、０．０５μｍ、０．
５μｍ）、あるいは、Ａｕ／ＴｉＮ／Ａｌの３層金属膜
（それぞれの膜厚は、０．８μｍ、０．０８μｍ、０．
２μｍ）で構成された電極パッド２が形成され、一方基
板３には、電極パッド２に対応して電極端子４が形成さ
れている。本発明においては、電極パッド２上に金属バ
ンプ５を一体的に形成する。この金属バンプの成分とし
ては、Ｉｎ（インジウム）金属を用いるが、溶融温度を
コントロールする必要がある場合には、インジウムと鉛
等との合金を用いてもよい。
１、図２は、本発明の一実施例としてＬＳＩチップの接
続方法を工程順に示す断面図である。図１は、工程の前
段、図２は工程の後段を示している。まず図１（ａ）に
ついて、集積回路素子１（以下、ＬＳＩチップという）
の表面には、例えば、Ａｕ／Ｃｒ／Ａｌの３層金属膜
（それぞれの膜厚は、１．０μｍ、０．０５μｍ、０．
５μｍ）、あるいは、Ａｕ／ＴｉＮ／Ａｌの３層金属膜
（それぞれの膜厚は、０．８μｍ、０．０８μｍ、０．
２μｍ）で構成された電極パッド２が形成され、一方基
板３には、電極パッド２に対応して電極端子４が形成さ
れている。本発明においては、電極パッド２上に金属バ
ンプ５を一体的に形成する。この金属バンプの成分とし
ては、Ｉｎ（インジウム）金属を用いるが、溶融温度を
コントロールする必要がある場合には、インジウムと鉛
等との合金を用いてもよい。
【００３０】次に図２（ａ）に示すように、基板３上
に、テトラヒドロ無水フタル酸を付加した フェノールノボラック型エポキシアクリレート樹脂 ９．０ｇ テトラヒドロ無水フタル酸を付加した クレゾールノボラック型エポキシアクリレート樹脂 １４．０ｇ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂 １２．９ｇ ウレタンオリゴマー ６．５ｇ 2-メチル-[-4（メチルチオ）フェニル]-2-モルフォリノ-1- プロパン ６．４ｇ ジエチルチオキサントン ３．２ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ３４．０ｇ を混合溶解して調製した活性エネルギー線硬化性樹脂溶
液をスピンナー等で均一に塗布後、乾燥する。
に、テトラヒドロ無水フタル酸を付加した フェノールノボラック型エポキシアクリレート樹脂 ９．０ｇ テトラヒドロ無水フタル酸を付加した クレゾールノボラック型エポキシアクリレート樹脂 １４．０ｇ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂 １２．９ｇ ウレタンオリゴマー ６．５ｇ 2-メチル-[-4（メチルチオ）フェニル]-2-モルフォリノ-1- プロパン ６．４ｇ ジエチルチオキサントン ３．２ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ３４．０ｇ を混合溶解して調製した活性エネルギー線硬化性樹脂溶
液をスピンナー等で均一に塗布後、乾燥する。
【００３１】次に、図２（ｂ）に示すように、フォトマ
スクを通して活性エネルギー線である紫外線８を照射す
る。
スクを通して活性エネルギー線である紫外線８を照射す
る。
【００３２】次に、図２（ｃ）に示すように、５％トリ
エタノールアミン水溶液からなる現像液９にて現像を行
い、電極端子４上の樹脂層を除去しマスクパターンを作
成する。
エタノールアミン水溶液からなる現像液９にて現像を行
い、電極端子４上の樹脂層を除去しマスクパターンを作
成する。
【００３３】次に、図２（ｄ）に示すように、金属バン
プ５と電極端子４とを向き合わせ、ＬＳＩチップ１をあ
らかじめ８０℃に加熱した基板３上に乗せ、金属バンプ
５と電極端子４とを当接させ、５ｋｇ／ｃｍ2の荷重を
加えて活性エネルギー線硬化性樹脂と基板とを接着する
とともにＬＳＩチップ１と電極端子４とを金属バンプ５
を介して圧着した。さらに接続を強固にするために５ｋ
ｇ／ｃｍ2の荷重を加えながら１５０℃で２分加熱す
る。これによって、金属バンプ５を溶融させ、金属バン
プ５と電極端子４を固着させた。
プ５と電極端子４とを向き合わせ、ＬＳＩチップ１をあ
らかじめ８０℃に加熱した基板３上に乗せ、金属バンプ
５と電極端子４とを当接させ、５ｋｇ／ｃｍ2の荷重を
加えて活性エネルギー線硬化性樹脂と基板とを接着する
とともにＬＳＩチップ１と電極端子４とを金属バンプ５
を介して圧着した。さらに接続を強固にするために５ｋ
ｇ／ｃｍ2の荷重を加えながら１５０℃で２分加熱す
る。これによって、金属バンプ５を溶融させ、金属バン
プ５と電極端子４を固着させた。
【００３４】そして、図２（ｅ）に示すように、紫外線
を３Ｊ／ｃｍ2 で全面照射し、活性エネルギー線硬化性
樹脂を硬化させ、ＬＳＩチップ１と基板３とを接着固定
すると共に金属バンプ接合部分の固定を行い、図示の素
子を完成した。ＬＳＩチップと基板との接続不良や短絡
などもみられず、良好な素子が得られた。
を３Ｊ／ｃｍ2 で全面照射し、活性エネルギー線硬化性
樹脂を硬化させ、ＬＳＩチップ１と基板３とを接着固定
すると共に金属バンプ接合部分の固定を行い、図示の素
子を完成した。ＬＳＩチップと基板との接続不良や短絡
などもみられず、良好な素子が得られた。
【００３５】実施例２ 上記実施例１において、光熱硬化性を有する樹脂を、Ｌ
ＳＩチップ１側に塗布し、以下、工程順に従って接続を
行ったが実施例１と同様に良好な素子が得られた。
ＳＩチップ１側に塗布し、以下、工程順に従って接続を
行ったが実施例１と同様に良好な素子が得られた。
【００３６】実施例３ 上記実施例１において、活性エネルギー線硬化性樹脂を
硬化させるために行った紫外線の全面照射処理に代え
て、オーブン中で１５０℃で１５分間の加熱処理にした
以外は実施例１と同様の操作により素子を得た。この素
子の電極同士も接続不良や短絡などもみられず、良好に
接続していることが確認された。
硬化させるために行った紫外線の全面照射処理に代え
て、オーブン中で１５０℃で１５分間の加熱処理にした
以外は実施例１と同様の操作により素子を得た。この素
子の電極同士も接続不良や短絡などもみられず、良好に
接続していることが確認された。
【００３７】実施例４ 上記実施例１において、活性エネルギー線硬化性樹脂を
硬化させるために行った紫外線の全面照射処理を１５０
℃のホットプレート上で１Ｊ／ｃｍ2 全面照射したが実
施例１と同様に良好な素子が得られた。
硬化させるために行った紫外線の全面照射処理を１５０
℃のホットプレート上で１Ｊ／ｃｍ2 全面照射したが実
施例１と同様に良好な素子が得られた。
【００３８】実施例５ 上記実施例１においてガラス基板を用いた際、活性エネ
ルギー線硬化性樹脂成分中に更に以下の遮光剤成分 ＣＦブラック（顔料／御国色素（株）製）
１４．０ｇを加えたものを実施例１の工程
順に従って接続を行ったがＬＳＩチップと基板との接続
不良や短絡などはみられなかった。また得られた素子
を、電子機器に組み込んで使用中、該素子全面にわたり
白色蛍光灯の光を当て続けたが光電効果等による誤作動
は一切発生しなかった。
ルギー線硬化性樹脂成分中に更に以下の遮光剤成分 ＣＦブラック（顔料／御国色素（株）製）
１４．０ｇを加えたものを実施例１の工程
順に従って接続を行ったがＬＳＩチップと基板との接続
不良や短絡などはみられなかった。また得られた素子
を、電子機器に組み込んで使用中、該素子全面にわたり
白色蛍光灯の光を当て続けたが光電効果等による誤作動
は一切発生しなかった。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＬＳＩチ
ップの接続方法によれば、従来のように接着剤樹脂中に
導電粒子を分散した方法ではないので、高精細化接続が
確実に、容易に信頼性よく実施できるという極めて顕著
な効果が得られる。また、金属バンプをＬＳＩチップの
電極パッドあるいは基板の電極端子に直接設けるため、
接続が確実に行なわれると同時に、その接続抵抗の変動
分を小さくすることもできる。さらに、基板が可視光に
対して透明である場合、活性エネルギー線硬化性樹脂に
遮光性材料を用いると、ＬＳＩ自体の遮光を施さなくて
も、ＬＳＩの光による誤動作を防止することが可能であ
る。
ップの接続方法によれば、従来のように接着剤樹脂中に
導電粒子を分散した方法ではないので、高精細化接続が
確実に、容易に信頼性よく実施できるという極めて顕著
な効果が得られる。また、金属バンプをＬＳＩチップの
電極パッドあるいは基板の電極端子に直接設けるため、
接続が確実に行なわれると同時に、その接続抵抗の変動
分を小さくすることもできる。さらに、基板が可視光に
対して透明である場合、活性エネルギー線硬化性樹脂に
遮光性材料を用いると、ＬＳＩ自体の遮光を施さなくて
も、ＬＳＩの光による誤動作を防止することが可能であ
る。
【図１】本発明に係るＬＳＩの接続方法の前段工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明に係るＬＳＩの接続方法の後段工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】本発明方法によって得られた素子の断面図であ
る。
る。
【図４】従来のＬＳＩチップの接続方法を工程順に示す
断面図である。
断面図である。
１…ＬＳＩチップ、２…電極パッド、３…基板、４…電
極端子、５…低融点金属バンプ、６…活性エネルギー線
硬化性樹脂、７…フォトマスク、８…紫外線、９…現像
液、１０…熱接着樹脂、１１…導電性粒子、５１…金属
バンプ。
極端子、５…低融点金属バンプ、６…活性エネルギー線
硬化性樹脂、７…フォトマスク、８…紫外線、９…現像
液、１０…熱接着樹脂、１１…導電性粒子、５１…金属
バンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内海 和明 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 小川 栄一 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 駒野 博司 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 青山 俊身 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 合議体 審判長 池田 正人 審判官 富永 正史 審判官 酒井 正己 (56)参考文献 特開 平３−225934（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 集積回路素子に形成された電極パッドと
該電極パッドに対応して基板に形成された電極端子とを
金属バンプを介して接続する集積回路素子の接続方法で
あって、 1)電極パッド又は電極端子の少なくとも一方の表面に金
属バンプを形成する工程、 2)集積回路素子側又は基板側表面の少なくとも一方に活
性エネルギー線硬化性樹脂を被覆する工程、 3)活性エネルギー線硬化性樹脂をリソグラフィー法によ
りパターニングして電極パッド又は電極端子上の活性エ
ネルギー線硬化性樹脂を選択的に除去する工程、 4)電極パッドと電極端子とを向き合わせ、金属バンプと
対向する電極パッド又は電極端子を当接させた後、熱圧
着することにより、活性エネルギー線硬化性樹脂と集積
回路素子又は基板とを密着させるとともに、電極パッド
と電極端子とを金属バンプを介して接続する工程、及び 5)加熱処理及び／又は活性エネルギー線の照射処理を施
す工程とから成ることを特徴とする集積回路素子の接続
方法。 - 【請求項２】 金属バンプがインジウムであることを特
徴とする請求項１に記載の集積回路素子の接続方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の基板が可視光線に対し
て透明である場合、選択的に除去された活性エネルギー
線硬化性樹脂の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光
透過率が５％未満であることを特徴とする請求項１又は
２記載の集積回路素子の接続方法。 - 【請求項４】 電極パッドと電極端子とを向き合わせて
当接させた後、熱圧着する際、温度５０〜１２０℃の範
囲で活性エネルギー線硬化性樹脂と集積回路素子又は基
板とを接着させた後、温度を１２０〜１８０℃の範囲で
該金属バンプと対向する電極パッド又は電極端子とを接
続することを特徴とする請求項１又は２記載の集積回路
素子の接続方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196255A JP3050345B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 集積回路素子の接続方法 |
| US07/978,720 US5318651A (en) | 1991-11-27 | 1992-11-19 | Method of bonding circuit boards |
| EP92120208A EP0544294B1 (en) | 1991-11-27 | 1992-11-26 | Method of bonding circuit boards |
| SG1996004470A SG44626A1 (en) | 1991-11-27 | 1992-11-26 | Method of bonding circuir boards |
| DE69208601T DE69208601T2 (de) | 1991-11-27 | 1992-11-26 | Verfahren zur Verbindung von Leiterplatten |
| US08/217,973 US5545281A (en) | 1991-11-27 | 1994-03-25 | Method of bonding circuit boards |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196255A JP3050345B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 集積回路素子の接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621149A JPH0621149A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3050345B2 true JP3050345B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=16354772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4196255A Expired - Fee Related JP3050345B2 (ja) | 1991-11-27 | 1992-06-29 | 集積回路素子の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3050345B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000002243A1 (fr) | 1998-07-01 | 2000-01-13 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur, procede de fabrication associe, carte imprimee et dispositif electronique |
| JP3451987B2 (ja) | 1998-07-01 | 2003-09-29 | 日本電気株式会社 | 機能素子及び機能素子搭載用基板並びにそれらの接続方法 |
| JP2004134646A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Seiko Epson Corp | バンプ付き半導体素子の実装構造、バンプ付き半導体素子の実装方法、及び電気光学装置、並びに電子機器 |
| JP4131864B2 (ja) | 2003-11-25 | 2008-08-13 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法 |
| JP6205955B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-10-04 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法及びその製造方法によって得られる半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03225934A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Nec Corp | 半導体集積回路素子の接続方法 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP4196255A patent/JP3050345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621149A (ja) | 1994-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5318651A (en) | Method of bonding circuit boards | |
| JP2940269B2 (ja) | 集積回路素子の接続方法 | |
| JP3094948B2 (ja) | 半導体素子搭載用回路基板とその半導体素子との接続方法 | |
| US6376158B1 (en) | Methods for selectively filling apertures | |
| JPH04156402A (ja) | カラーフィルター | |
| JP2000188473A (ja) | スル―ホ―ルの新規の充填方法 | |
| US5378298A (en) | Radiation sensitive adhesive composition and method of photoimagingsame | |
| JPH02302053A (ja) | ポリイミド基板の選択的エツチング方法 | |
| JP3050345B2 (ja) | 集積回路素子の接続方法 | |
| JP6604847B2 (ja) | はんだバンプの形成方法 | |
| JP3083845B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2660943B2 (ja) | 回路基板の接着方法 | |
| JPH10207046A (ja) | 無機物質含有高感度感光性レジストおよび高感度ドライフィルムレジスト | |
| JP2661382B2 (ja) | Ｌｓｉチップの接続方法 | |
| US20040076744A1 (en) | Method for forming solder-resist film | |
| JP2868984B2 (ja) | 回路用基板 | |
| JPH05191020A (ja) | ソルダーレジスト被膜を形成したプリント配線板 | |
| US5306602A (en) | Method of producing longitudinally fine striped type heat seal connector member | |
| JPH02151045A (ja) | 電子部品の接続構造体および電子部品の接続形成方法 | |
| JP3071894B2 (ja) | 回路形成法 | |
| JP2000200960A (ja) | ソルダ―レジストおよびその形成方法 | |
| JP2003069204A (ja) | 感光性フラックス、並びに、これを用いた半田接合部、フリップチップ、半導体パッケージ、及び、プリント配線板、並びに、半導体装置の製造方法 | |
| JP2006113402A (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、永久保護膜の形成方法及びプリント配線板 | |
| JPH0458542A (ja) | 集積回路素子の接続方法 | |
| JPS63151031A (ja) | 半導体装置の接続方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980623 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080331 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090331 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100331 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |