JP2000188473A - スル―ホ―ルの新規の充填方法 - Google Patents
スル―ホ―ルの新規の充填方法Info
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】スルーホール等の基板の開口を充填する方法。
【解決手段】開口14を有する基板12上に開口を覆う
エポキシ樹脂系の誘電体被膜16を配置し、誘電体被膜
をリフローさせて、開口内に流入させ、誘電体被膜から
開口内に延在する連続した誘電体を形成する。充填後に
ビア18を形成する場合は、誘電体被膜に光結像し、ピ
アをメタライズし、回路機構24を形成する。誘電体被
膜は、0〜50%の無機微粒子と50〜100%のエポ
キシ樹脂と、樹脂の総重量の0.1〜15重量部の陽イ
オン光開始剤を含むことが好ましい。
エポキシ樹脂系の誘電体被膜16を配置し、誘電体被膜
をリフローさせて、開口内に流入させ、誘電体被膜から
開口内に延在する連続した誘電体を形成する。充填後に
ビア18を形成する場合は、誘電体被膜に光結像し、ピ
アをメタライズし、回路機構24を形成する。誘電体被
膜は、0〜50%の無機微粒子と50〜100%のエポ
キシ樹脂と、樹脂の総重量の0.1〜15重量部の陽イ
オン光開始剤を含むことが好ましい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】プリント回路板の組立におい
て、SLC回路層と従来のプリント回路板内の回路層
は、穿孔されメッキされたスルーホールによって相互接
続される。穿孔およびメッキ加工の制限のために、これ
らのメッキされたスルーホールはSLC配線に対して極
めて大きく、SLC層から貴重な配線経路面積を奪う。
て、SLC回路層と従来のプリント回路板内の回路層
は、穿孔されメッキされたスルーホールによって相互接
続される。穿孔およびメッキ加工の制限のために、これ
らのメッキされたスルーホールはSLC配線に対して極
めて大きく、SLC層から貴重な配線経路面積を奪う。
【0002】
【従来の技術】孔を充填する1つの方法は、充填組成
物、一般的には銅で充填したエポキシ組成物をマスクを
介してプリント回路板の孔中に押し込むものである。し
かし、充填材はマスクの間に流出し、または充填済みの
スルーホールの表面に瘤(nub)を残すことがある。こ
の充填方法はさらに、表面から瘤や流出分を除去するた
めに、後で研磨段階を必要とする。研磨工程自体は完全
ではない。しばしば、研磨の後小さい瘤が残ったり、充
填材が孔から引き裂かれ、孔の中心に凹みを残すことが
ある。残留する瘤および凹みはどちらも、その後の回路
形成段階中に問題を生じるおそれがある。充填組成物を
マスクを介して押し込む技術はまた、高価なペーストを
必要とし、またマスクを穿孔する段階をも必要とする。
物、一般的には銅で充填したエポキシ組成物をマスクを
介してプリント回路板の孔中に押し込むものである。し
かし、充填材はマスクの間に流出し、または充填済みの
スルーホールの表面に瘤(nub)を残すことがある。こ
の充填方法はさらに、表面から瘤や流出分を除去するた
めに、後で研磨段階を必要とする。研磨工程自体は完全
ではない。しばしば、研磨の後小さい瘤が残ったり、充
填材が孔から引き裂かれ、孔の中心に凹みを残すことが
ある。残留する瘤および凹みはどちらも、その後の回路
形成段階中に問題を生じるおそれがある。充填組成物を
マスクを介して押し込む技術はまた、高価なペーストを
必要とし、またマスクを穿孔する段階をも必要とする。
【0003】孔を充填するためのその他の技術は、液体
エポキシ材を孔内にスクリーン印刷するか、または乾燥
被膜で孔を覆うものである。これらの技術はどちらも、
孔の中心に小さいエア・ポケットを捕獲する傾向があ
り、これは熱サイクル中に上の回路の線のクラックをも
たらすおそれがある。
エポキシ材を孔内にスクリーン印刷するか、または乾燥
被膜で孔を覆うものである。これらの技術はどちらも、
孔の中心に小さいエア・ポケットを捕獲する傾向があ
り、これは熱サイクル中に上の回路の線のクラックをも
たらすおそれがある。
【0004】ビアの充填にも同様の問題が見られる。ス
クリーニングまたはテンティング工程は、熱サイクル中
にカプセル封じ材にクラックを生じるおそれがある。カ
プセル封じ材におけるこれらのクラックは、素子内への
湿気の浸透を可能にし、やはりカプセル封じ材全体に広
がってチップのクラックを引き起こすおそれがある。
クリーニングまたはテンティング工程は、熱サイクル中
にカプセル封じ材にクラックを生じるおそれがある。カ
プセル封じ材におけるこれらのクラックは、素子内への
湿気の浸透を可能にし、やはりカプセル封じ材全体に広
がってチップのクラックを引き起こすおそれがある。
【0005】スルーホール内に空気を捕獲せず、流出を
引き起こさず、充填済みのスルーホールの表面に瘤また
は凹みを残さず、確実かつ完全に孔を充填するための安
価で効率的な技術を有することが望ましい。
引き起こさず、充填済みのスルーホールの表面に瘤また
は凹みを残さず、確実かつ完全に孔を充填するための安
価で効率的な技術を有することが望ましい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板の開
口、例えばスルーホールを充填する新規の方法を提供す
る。
口、例えばスルーホールを充填する新規の方法を提供す
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】この方法は、誘電体被
膜、好ましくは光結像可能な誘電体被膜を利用する。こ
れは、開口を埋め、かつ同時に基板の上に配置した誘電
体被膜の層を形成するために使用される。その結果、開
口の充填物は、基板上に配置した誘電体被膜と同一材料
であり、しかもそれと連続している。この方法は以下の
段階、すなわち、開口を含む基板を提供する段階と、基
板の上に配置した開口を覆う誘電体被膜を設ける段階
と、誘電体被膜のリフローにより開口内へ流入させると
共に基板に接着した誘電体被膜を形成して、誘電体被膜
から孔内へ延在する連続した誘電体を提供する段階とを
使用する。いくつかの実施形態では、基板の開口を充填
した後、誘電体被膜をパターン化する。例えば、光結像
またはレーザ・アブレーションによって、ビアなどの開
口を誘電体被膜内に画定することが好ましい。その後ビ
アをメタライズし、誘電体被膜の上に回路機構を形成す
ることが好ましい。
膜、好ましくは光結像可能な誘電体被膜を利用する。こ
れは、開口を埋め、かつ同時に基板の上に配置した誘電
体被膜の層を形成するために使用される。その結果、開
口の充填物は、基板上に配置した誘電体被膜と同一材料
であり、しかもそれと連続している。この方法は以下の
段階、すなわち、開口を含む基板を提供する段階と、基
板の上に配置した開口を覆う誘電体被膜を設ける段階
と、誘電体被膜のリフローにより開口内へ流入させると
共に基板に接着した誘電体被膜を形成して、誘電体被膜
から孔内へ延在する連続した誘電体を提供する段階とを
使用する。いくつかの実施形態では、基板の開口を充填
した後、誘電体被膜をパターン化する。例えば、光結像
またはレーザ・アブレーションによって、ビアなどの開
口を誘電体被膜内に画定することが好ましい。その後ビ
アをメタライズし、誘電体被膜の上に回路機構を形成す
ることが好ましい。
【0008】誘電体被膜は、0〜約50%の無機微粒子
および約50%〜約100%のエポキシ樹脂系を含む固
体を含むことが好ましい。前記エポキシ樹脂系は、分子
量約40,000〜130,000のエピクロルヒドリ
ンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェノキシポ
リオール樹脂約10〜約80%と、分子量約4,000
〜約10,000のエポキシ化多官能性ビスフェノール
A−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約20〜90%
と、分子量約600〜約2,500のビスフェノールA
のジグリシジルエーテル約35%〜約50%と、樹脂の
総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン光開始剤を含
む。
および約50%〜約100%のエポキシ樹脂系を含む固
体を含むことが好ましい。前記エポキシ樹脂系は、分子
量約40,000〜130,000のエピクロルヒドリ
ンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェノキシポ
リオール樹脂約10〜約80%と、分子量約4,000
〜約10,000のエポキシ化多官能性ビスフェノール
A−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約20〜90%
と、分子量約600〜約2,500のビスフェノールA
のジグリシジルエーテル約35%〜約50%と、樹脂の
総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン光開始剤を含
む。
【0009】本発明は、前記方法に従って製作される回
路付き構造にも関する。
路付き構造にも関する。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明は、基板のスルーホールな
どの開口を充填する新規の方法を提供する。この方法
は、誘電体被膜、望ましくは光結像可能な誘電体被膜を
利用し、これを加熱してスルーホール内に流入させ、基
板上に配置した誘電体被膜を形成させる。その結果、組
成物、すなわちスルーホール内に配置された「被膜」
は、基板の上に配置した誘電体被膜の組成物と同一であ
り、しかもそれと連続している。充填の後、好ましくは
光結像によって、誘電体被膜にビアなど追加の開口を配
置する。開口はメタライズすることが好ましく、誘電体
被膜上に回路機構を形成する。
どの開口を充填する新規の方法を提供する。この方法
は、誘電体被膜、望ましくは光結像可能な誘電体被膜を
利用し、これを加熱してスルーホール内に流入させ、基
板上に配置した誘電体被膜を形成させる。その結果、組
成物、すなわちスルーホール内に配置された「被膜」
は、基板の上に配置した誘電体被膜の組成物と同一であ
り、しかもそれと連続している。充填の後、好ましくは
光結像によって、誘電体被膜にビアなど追加の開口を配
置する。開口はメタライズすることが好ましく、誘電体
被膜上に回路機構を形成する。
【0011】誘電体被膜 誘電体被膜は有機被膜であり、好ましくはエポキシ材で
ある。光結像可能な誘電体を形成するための適切な光結
像可能な組成物は、1991年6月25日にデイ(Da
y)らに発行された米国特許第5026624号、19
94年4月5日にカード(Card)らに発行された米国特
許第5300402号、1993年11月23日にアレ
ン(Allen)らに発行された米国特許第5264325
号に開示されており、これらは参照によって特に本明細
書に組み込まれる。誘電体被膜の誘電率は約5未満であ
ることが好ましく、約4未満であることがさらに好まし
い。
ある。光結像可能な誘電体を形成するための適切な光結
像可能な組成物は、1991年6月25日にデイ(Da
y)らに発行された米国特許第5026624号、19
94年4月5日にカード(Card)らに発行された米国特
許第5300402号、1993年11月23日にアレ
ン(Allen)らに発行された米国特許第5264325
号に開示されており、これらは参照によって特に本明細
書に組み込まれる。誘電体被膜の誘電率は約5未満であ
ることが好ましく、約4未満であることがさらに好まし
い。
【0012】誘電体被膜を形成し、開口を充填するのに
適した他の誘電体材料は、エポキシ樹脂である。そのよ
うなエポキシ樹脂は市販されており、例えば大洋化学
(株)(Taiyo Chemicals Co., Ltd.)のTaiyo
PSR−4000、Enthone-OMI, IncのEnthone
DSR3241、Dupont Vacrel、およびDupont Vial
ux乾燥被膜などのエポキシアクリレート液体誘電体組成
物がある。しかし、そのようなエポキシアクリレート
は、誘電体被膜にビアを光結像するのに特に適しておら
ず、あまり好ましくない。
適した他の誘電体材料は、エポキシ樹脂である。そのよ
うなエポキシ樹脂は市販されており、例えば大洋化学
(株)(Taiyo Chemicals Co., Ltd.)のTaiyo
PSR−4000、Enthone-OMI, IncのEnthone
DSR3241、Dupont Vacrel、およびDupont Vial
ux乾燥被膜などのエポキシアクリレート液体誘電体組成
物がある。しかし、そのようなエポキシアクリレート
は、誘電体被膜にビアを光結像するのに特に適しておら
ず、あまり好ましくない。
【0013】誘電体被膜は、固体と溶媒から構成され
る。好ましい実施形態の固体はエポキシ樹脂系で構成さ
れる。前記エポキシ樹脂系は、約40,000〜約13
0,000、好ましくは約60,000〜約90,00
0、さらに好ましくは60,000を超える分子量を有
するエピクロロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成
物である約10〜約80%、好ましくは約20〜約40
%、さらに好ましくは約30%を超えるフェノキシポリ
オール樹脂と、約4,000〜約10,000、好まし
くは約5,000〜約7,000の分子量を有する約2
0〜約90%、好ましくは約25〜約30%、最も好ま
しくは約25%のエポキシ化多官能性ビスフェノールA
−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂と、約600〜
2,500、好ましくは約1,000〜約1,700の
分子量を有する0〜約50%、好ましくは約35〜約5
0%、さらに好ましくは約40〜約45%、最も好まし
くは約45%のビスフェノールAのジグリシジルエーテ
ルと、樹脂の総重量の約0.1〜15重量部、好ましく
は約5重量部の陽イオン光開始剤とを含む。誘電体被膜
の溶媒成分は、好ましくは酢酸プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルと約10%未満のプロピレンカーボネ
ートから構成される。プロピレンカーボネートは、好ま
しい光開始剤の担体であることが望ましい。
る。好ましい実施形態の固体はエポキシ樹脂系で構成さ
れる。前記エポキシ樹脂系は、約40,000〜約13
0,000、好ましくは約60,000〜約90,00
0、さらに好ましくは60,000を超える分子量を有
するエピクロロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成
物である約10〜約80%、好ましくは約20〜約40
%、さらに好ましくは約30%を超えるフェノキシポリ
オール樹脂と、約4,000〜約10,000、好まし
くは約5,000〜約7,000の分子量を有する約2
0〜約90%、好ましくは約25〜約30%、最も好ま
しくは約25%のエポキシ化多官能性ビスフェノールA
−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂と、約600〜
2,500、好ましくは約1,000〜約1,700の
分子量を有する0〜約50%、好ましくは約35〜約5
0%、さらに好ましくは約40〜約45%、最も好まし
くは約45%のビスフェノールAのジグリシジルエーテ
ルと、樹脂の総重量の約0.1〜15重量部、好ましく
は約5重量部の陽イオン光開始剤とを含む。誘電体被膜
の溶媒成分は、好ましくは酢酸プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルと約10%未満のプロピレンカーボネ
ートから構成される。プロピレンカーボネートは、好ま
しい光開始剤の担体であることが望ましい。
【0014】任意選択で、誘電体被膜は、例えば酸化ア
ルミナ、窒化アルミナ、および二酸化シリコンのような
電気絶縁無機微粒子を含む。無機微粒子は好ましくは1
0ミクロン未満、より好ましくは約5ミクロン未満の粒
径を有する。無機微粒子は任意選択的に、誘電体被膜内
に固体総重量の0〜約50%、好ましくは約0.01%
〜約50%存在する。ここに記載する実施形態の場合、
無機微粒子は一般的に固体総重量の約0.5%〜約25
%、より好ましくは約1%〜約10%、最も好ましくは
約1.5〜約5%存在する。適用例によっては、無機微
粒子は固体総重量の約20%〜約30%、好ましくは約
25%存在することがある。
ルミナ、窒化アルミナ、および二酸化シリコンのような
電気絶縁無機微粒子を含む。無機微粒子は好ましくは1
0ミクロン未満、より好ましくは約5ミクロン未満の粒
径を有する。無機微粒子は任意選択的に、誘電体被膜内
に固体総重量の0〜約50%、好ましくは約0.01%
〜約50%存在する。ここに記載する実施形態の場合、
無機微粒子は一般的に固体総重量の約0.5%〜約25
%、より好ましくは約1%〜約10%、最も好ましくは
約1.5〜約5%存在する。適用例によっては、無機微
粒子は固体総重量の約20%〜約30%、好ましくは約
25%存在することがある。
【0015】フェノキシポリオール樹脂は好ましくは約
0.0001〜約0.3、さらに好ましくは約0.00
1〜約0.03、最も好ましくは約0.003のエポキ
シ価、約10,000〜約60,000、さらに好まし
くは約20,000〜約50,000、最も好ましくは
約37,000のエポキシ当量を有する。
0.0001〜約0.3、さらに好ましくは約0.00
1〜約0.03、最も好ましくは約0.003のエポキ
シ価、約10,000〜約60,000、さらに好まし
くは約20,000〜約50,000、最も好ましくは
約37,000のエポキシ当量を有する。
【0016】多官能性エポキシビスフェノールA−ホル
ムアルデヒド・ノボラック樹脂は、好ましくは約0.1
〜約1.0、さらに好ましくは約0.3〜約0.6、最
も好ましくは約0.47のエポキシ価、約180〜約3
00、さらに好ましくは約190〜約230、最も好ま
しくは約215のエポキシ当量、および約60°〜約1
50°、さらに好ましくは約70°〜約90°、最も好
ましくは約82℃の融点を有する。
ムアルデヒド・ノボラック樹脂は、好ましくは約0.1
〜約1.0、さらに好ましくは約0.3〜約0.6、最
も好ましくは約0.47のエポキシ価、約180〜約3
00、さらに好ましくは約190〜約230、最も好ま
しくは約215のエポキシ当量、および約60°〜約1
50°、さらに好ましくは約70°〜約90°、最も好
ましくは約82℃の融点を有する。
【0017】ビスフェノールAのジグリシジルエーテル
は好ましくはハロゲン化し、さらに好ましくは臭素化す
る。ビスフェノールAのジグリシジルエーテルは、好ま
しくは約0.01〜約0.5、さらに好ましくは約0.
1〜約0.3、最も好ましくは約0.15のエポキシ
価、約200〜約1000、より好ましくは約500〜
約750、最も好ましくは約675のエポキシ当量、お
よび約70°〜約150°、さらに好ましくは80°〜
約110°、最も好ましくは約97℃の融点を有する。
は好ましくはハロゲン化し、さらに好ましくは臭素化す
る。ビスフェノールAのジグリシジルエーテルは、好ま
しくは約0.01〜約0.5、さらに好ましくは約0.
1〜約0.3、最も好ましくは約0.15のエポキシ
価、約200〜約1000、より好ましくは約500〜
約750、最も好ましくは約675のエポキシ当量、お
よび約70°〜約150°、さらに好ましくは80°〜
約110°、最も好ましくは約97℃の融点を有する。
【0018】適切なフェノキシポリオール樹脂は商品名
「PKHC」で市販され、以前はUnion Carbide Corpor
ationから入手できたが、現在はPhenoxy Resin Associa
tesから入手できる。以前は商品名Epirez SU
−8でHigh Tek Polymersから市販されていた適切な八
官能性ビスフェノールAは、現在はShell Chemical Com
panyから「Epon SU8」として市販されている。
ビスフェノールAの適切なジグリシジルエーテルはテト
ラブロモビスフェノールAであり、以前は商品名「Ep
irez 5183」でHigh Tek Polymersから市販さ
れていたが、現在はShell Chemical Companyから「Ep
on 1183]として市販されている。以前はGenera
l Electric Companyから商品名「UVE 1014」で
市販されていた適切な錯体ヘキサフルオロアンチモン酸
トリアリールスルホニウム光開始剤は、現在はUnion Ca
rbide CorporationからUVI6974として市販され
ている。
「PKHC」で市販され、以前はUnion Carbide Corpor
ationから入手できたが、現在はPhenoxy Resin Associa
tesから入手できる。以前は商品名Epirez SU
−8でHigh Tek Polymersから市販されていた適切な八
官能性ビスフェノールAは、現在はShell Chemical Com
panyから「Epon SU8」として市販されている。
ビスフェノールAの適切なジグリシジルエーテルはテト
ラブロモビスフェノールAであり、以前は商品名「Ep
irez 5183」でHigh Tek Polymersから市販さ
れていたが、現在はShell Chemical Companyから「Ep
on 1183]として市販されている。以前はGenera
l Electric Companyから商品名「UVE 1014」で
市販されていた適切な錯体ヘキサフルオロアンチモン酸
トリアリールスルホニウム光開始剤は、現在はUnion Ca
rbide CorporationからUVI6974として市販され
ている。
【0019】誘電体被膜は、特に積層温度で熱的に安定
である。誘電体被膜は、少なくとも125℃まで1時間
安定であることが望ましい。
である。誘電体被膜は、少なくとも125℃まで1時間
安定であることが望ましい。
【0020】誘電体被膜の形成 まずエポキシ樹脂および存在すれば光開始剤、ならびに
溶媒を組み合わせ、完全に混合することによって液体誘
電体を調製する。溶媒は、完全な混合を可能にするため
に使用する。あるいは、様々な成分をバッチ式で予備混
合する。シリカを使用する場合、シリカを均等に分散さ
せるために、液体誘電体は充分に混合しなければならな
い。適切な混合装置として、例えば真空高剪断分散混合
機がある。
溶媒を組み合わせ、完全に混合することによって液体誘
電体を調製する。溶媒は、完全な混合を可能にするため
に使用する。あるいは、様々な成分をバッチ式で予備混
合する。シリカを使用する場合、シリカを均等に分散さ
せるために、液体誘電体は充分に混合しなければならな
い。適切な混合装置として、例えば真空高剪断分散混合
機がある。
【0021】誘電体被膜は、液体誘電体を支持体、好ま
しくはポリエステルなどのポリマー支持体上に被覆する
ことによって調製する。フォトレジスト被膜に適したポ
リマー支持体として、例えばDuPontから商品名MYLA
R(R)で、またICIから商品名MELINEXで市販
されているポリエチレンテレフタレートがある。誘電体
被膜は、液体の形態またはペーストの形態で、例えばカ
ーテン・コーティング、スクリーン・コーティング、ロ
ーラ・コーティングまたはスプレー・コーティングなど
の従来の塗布法を使用して、ポリマー支持体に塗布す
る。
しくはポリエステルなどのポリマー支持体上に被覆する
ことによって調製する。フォトレジスト被膜に適したポ
リマー支持体として、例えばDuPontから商品名MYLA
R(R)で、またICIから商品名MELINEXで市販
されているポリエチレンテレフタレートがある。誘電体
被膜は、液体の形態またはペーストの形態で、例えばカ
ーテン・コーティング、スクリーン・コーティング、ロ
ーラ・コーティングまたはスプレー・コーティングなど
の従来の塗布法を使用して、ポリマー支持体に塗布す
る。
【0022】方法 例えば非回路化電力コア、スチフナ、回路板、回路カー
ド、回路キャリア、有機および無機シングル・チップ・
モジュール、有機または無機マルチチップ・モジュー
ル、セラミック・キャリア、およびインタポーザ・カー
ドのような回路付き基板などの基板を提供する。
ド、回路キャリア、有機および無機シングル・チップ・
モジュール、有機または無機マルチチップ・モジュー
ル、セラミック・キャリア、およびインタポーザ・カー
ドのような回路付き基板などの基板を提供する。
【0023】誘電体被膜は、クラックの発生を防止する
と共に取扱い中に誘電体被膜に可塑性を与えるのに充分
な量の溶媒を含むことが好ましい。誘電体被膜の溶媒含
有量は、好ましくは約5重量%〜約30重量%、さらに
好ましくは約9%〜約15%の範囲とする。約11%〜
約13.5%の溶媒含有量を使用して、良好な結果が得
られた。誘電体被膜を被膜側を下にして配置し、好まし
くは真空またはホット・ロール積層法によって熱および
圧力を加えることにより、基板に接着する。被膜は基板
の片面または両面に塗布する。乾燥すると誘電体被膜に
なる液体誘電体材料は、スクリーン印刷によって塗布す
ることが好ましい。被膜を基板上に配置した後、裏当て
が存在すればそれを取り外し、誘電体被膜から溶媒を追
い出して、溶媒含有量を好ましくは約5%未満、さらに
好ましくは約1%未満にする。誘電体被膜は空気乾燥す
るか、または溶媒の除去を速めるために、加熱する。溶
媒を追い出すための適切な技術として、例えば傾斜加熱
法または段階加熱法がある。例えば、最初は約50℃な
どの低温で加熱し、徐々に温度を約125℃まで上げる
ことによって、溶媒をゆっくりと追い出すか、または、
例えば約40℃から約70℃までの温度で乾燥し、次に
より高い温度で例えば約90℃から約140℃まで、さ
らに好ましくは約90℃から約125℃までの温度で乾
燥することによって溶媒を追い出す。
と共に取扱い中に誘電体被膜に可塑性を与えるのに充分
な量の溶媒を含むことが好ましい。誘電体被膜の溶媒含
有量は、好ましくは約5重量%〜約30重量%、さらに
好ましくは約9%〜約15%の範囲とする。約11%〜
約13.5%の溶媒含有量を使用して、良好な結果が得
られた。誘電体被膜を被膜側を下にして配置し、好まし
くは真空またはホット・ロール積層法によって熱および
圧力を加えることにより、基板に接着する。被膜は基板
の片面または両面に塗布する。乾燥すると誘電体被膜に
なる液体誘電体材料は、スクリーン印刷によって塗布す
ることが好ましい。被膜を基板上に配置した後、裏当て
が存在すればそれを取り外し、誘電体被膜から溶媒を追
い出して、溶媒含有量を好ましくは約5%未満、さらに
好ましくは約1%未満にする。誘電体被膜は空気乾燥す
るか、または溶媒の除去を速めるために、加熱する。溶
媒を追い出すための適切な技術として、例えば傾斜加熱
法または段階加熱法がある。例えば、最初は約50℃な
どの低温で加熱し、徐々に温度を約125℃まで上げる
ことによって、溶媒をゆっくりと追い出すか、または、
例えば約40℃から約70℃までの温度で乾燥し、次に
より高い温度で例えば約90℃から約140℃まで、さ
らに好ましくは約90℃から約125℃までの温度で乾
燥することによって溶媒を追い出す。
【0024】好ましくは単一段階を使用してスルーホー
ルを誘電体被膜で充填し、かつスルーホール上に配置さ
れスルーホール内の誘電体被膜に接続された誘電体被膜
を形成する。好ましくは積層プレス、さらに好ましくは
真空積層プレスを使用して、誘電体被膜に圧力および温
度を付与して、誘電体被膜をスルーホール内に流入さ
せ、基板の最上部に水平で平坦な誘電体被膜を形成させ
る。基板の片面または両面に誘電体被膜を塗布する。真
空積層プレスを約500psi、約125℃で約1時間
使用して、良好な結果が得られた。
ルを誘電体被膜で充填し、かつスルーホール上に配置さ
れスルーホール内の誘電体被膜に接続された誘電体被膜
を形成する。好ましくは積層プレス、さらに好ましくは
真空積層プレスを使用して、誘電体被膜に圧力および温
度を付与して、誘電体被膜をスルーホール内に流入さ
せ、基板の最上部に水平で平坦な誘電体被膜を形成させ
る。基板の片面または両面に誘電体被膜を塗布する。真
空積層プレスを約500psi、約125℃で約1時間
使用して、良好な結果が得られた。
【0025】誘電体膜にビアなどの開口が望まれる場
合、そのような開口は、2通りの方法の1つを使用する
ことによって形成することが好ましい。1つの方法で
は、誘電体膜を通常の技術を用いて化学線で露光させ
る。所望のビアの位置に対応する領域を露光させるため
に、好ましくは誘電体被膜と接触した所望のアートワー
クを介して、誘電体膜を紫外光で露光させることが好ま
しい。次に誘電体被膜をベークして、化学線で露光され
た誘電体被膜を部分的に硬化する。次に、好ましくはプ
ロピレンカーボネートまたはブチロラクトンを使用して
誘電体被膜を現像すると、そこに設けられた開口、好ま
しくはビアを含む光結像された誘電体被膜が得られる。
ビアを誘電体で充填したメッキされたスルーホールに接
続したい所では、メッキされたスルーホールを取り囲む
ランドの銅周縁部と接触して終端するようにビアを画定
することができる。
合、そのような開口は、2通りの方法の1つを使用する
ことによって形成することが好ましい。1つの方法で
は、誘電体膜を通常の技術を用いて化学線で露光させ
る。所望のビアの位置に対応する領域を露光させるため
に、好ましくは誘電体被膜と接触した所望のアートワー
クを介して、誘電体膜を紫外光で露光させることが好ま
しい。次に誘電体被膜をベークして、化学線で露光され
た誘電体被膜を部分的に硬化する。次に、好ましくはプ
ロピレンカーボネートまたはブチロラクトンを使用して
誘電体被膜を現像すると、そこに設けられた開口、好ま
しくはビアを含む光結像された誘電体被膜が得られる。
ビアを誘電体で充填したメッキされたスルーホールに接
続したい所では、メッキされたスルーホールを取り囲む
ランドの銅周縁部と接触して終端するようにビアを画定
することができる。
【0026】次に誘電体被膜を、好ましくは、最初に約
250〜約400nmの範囲の紫外光に露光し、続いて
熱硬化させる2段階工程で最終的に硬化させる。約15
0℃〜約180℃の対流炉で30〜90分で、良好な熱
硬化が得られた。その後、通常の技術を使用して、望む
場合にはビアなどの開口をメタライズし、誘電体被膜の
上に回路機構を形成する。
250〜約400nmの範囲の紫外光に露光し、続いて
熱硬化させる2段階工程で最終的に硬化させる。約15
0℃〜約180℃の対流炉で30〜90分で、良好な熱
硬化が得られた。その後、通常の技術を使用して、望む
場合にはビアなどの開口をメタライズし、誘電体被膜の
上に回路機構を形成する。
【0027】あるいは、リフロー段階中に金属箔、好ま
しくは銅箔を誘電体被膜に積層化することによって、誘
電体被膜にビアなどの孔を形成する。次に箔を約5ミク
ロンの厚さにエッチングすることが好ましく、箔の上に
通常のフォトレジストを塗布する。次に通常の技術を使
用してフォトレジストを光結像させて、所望のビア・パ
ターンを得る。その後、フォトレジストで覆われていな
い箔の領域をエッチングし、銅箔内にビア・パターンを
残す。次に、フォトレジストを除去し、箔内の「ビア」
の下にある誘電体被膜の部分を溶媒で溶解するか、また
はレーザ・アブレーションで除去することによって、ビ
アを形成する。適切な溶媒は、誘電体組成物を現像する
ために使用した溶媒である。プロピレンカーボネートを
使用して、適正な結果が得られた。次に、メッキなど通
常の技術を使用して、ビアをメタライズする。ビアと同
時に、またはその後に箔をメタライズする。箔は回路機
構のベースとして機能する。
しくは銅箔を誘電体被膜に積層化することによって、誘
電体被膜にビアなどの孔を形成する。次に箔を約5ミク
ロンの厚さにエッチングすることが好ましく、箔の上に
通常のフォトレジストを塗布する。次に通常の技術を使
用してフォトレジストを光結像させて、所望のビア・パ
ターンを得る。その後、フォトレジストで覆われていな
い箔の領域をエッチングし、銅箔内にビア・パターンを
残す。次に、フォトレジストを除去し、箔内の「ビア」
の下にある誘電体被膜の部分を溶媒で溶解するか、また
はレーザ・アブレーションで除去することによって、ビ
アを形成する。適切な溶媒は、誘電体組成物を現像する
ために使用した溶媒である。プロピレンカーボネートを
使用して、適正な結果が得られた。次に、メッキなど通
常の技術を使用して、ビアをメタライズする。ビアと同
時に、またはその後に箔をメタライズする。箔は回路機
構のベースとして機能する。
【0028】その結果得られる回路付き構造として、例
えば回路板、回路カード、回路キャリア、有機および無
機シングル・チップ・モジュール、有機または無機マル
チチップ・モジュール、セラミック・キャリア、および
インタポーザ・カードがある。
えば回路板、回路カード、回路キャリア、有機および無
機シングル・チップ・モジュール、有機または無機マル
チチップ・モジュール、セラミック・キャリア、および
インタポーザ・カードがある。
【0029】本発明の方法の結果、回路付き構造が製作
される。図1に示すように、回路付き構造10は、基板
12と、基板12に配置された回路形成スルーホールま
たはビア14と、回路線20と、光パターン化されたビ
ア18を含む硬化した光結像された誘電体被膜16と、
基板12上に配置された回路機構24で構成される。ス
ルーホールまたはビア14は壁に沿って配置されたメッ
キ22を有し、誘電体被膜16の誘電体と連続した硬化
済み誘電体で充填される。誘電体被膜16上の回路機構
24は、光結像されたビア18によって基板12上のス
ルーホールまたはビア14に電気的に接続される。
される。図1に示すように、回路付き構造10は、基板
12と、基板12に配置された回路形成スルーホールま
たはビア14と、回路線20と、光パターン化されたビ
ア18を含む硬化した光結像された誘電体被膜16と、
基板12上に配置された回路機構24で構成される。ス
ルーホールまたはビア14は壁に沿って配置されたメッ
キ22を有し、誘電体被膜16の誘電体と連続した硬化
済み誘電体で充填される。誘電体被膜16上の回路機構
24は、光結像されたビア18によって基板12上のス
ルーホールまたはビア14に電気的に接続される。
【0030】
【実施例】以下の実施例は例示的なものであり、本発明
の範囲を限定するものではない。
の範囲を限定するものではない。
【0031】実施例1 穿孔されメッキされたスルーホールを有する標準の部分
複合回路付きプリント回路板を提供した。パネルは、従
来のシプレー黒染(Shipley Black Oxide)法を用いて
亜塩素酸塩化(chlorited)した。
複合回路付きプリント回路板を提供した。パネルは、従
来のシプレー黒染(Shipley Black Oxide)法を用いて
亜塩素酸塩化(chlorited)した。
【0032】約86.5%〜約89%の固体含有量を有
する光結像可能な誘電体組成物を提供した。この固体
は、フェノキシ樹脂PKHC約27.44%と、テトラ
ブロモビスフェノールAのEpirez 5183 4
1.16%と、八官能基エポキシビスフェノールA−ホ
ルムアルデヒド・ノボラック樹脂Epirez SU−
8 22.88%と、光開始剤UVE 1014 4.
85%と、エチルバイオレット染料0.07%と、3M C
ompanyから市販されているフッ素化ポリエステル非イオ
ン表面活性剤FC430 0.03%と、Degussaから
市販されているアモルファス酸化シリコンAerosi
l 380 3.85%を含む。溶媒含有量は一般に約
20%を超える。メチルエチルケトンと酢酸プロピレン
グリコールモノメチルエーテルの混合物を溶媒とした。
光結像可能な誘電体組成物を、デュポン社のポリエステ
ル・キャリアである「Mylar D」と呼ばれる厚さ
0.036mm(1.42ミル)のポリエチレンテレフ
タレート上に被覆した。溶媒含有量を誘電体被膜の総重
量の約11%〜約13.5%とするために、光結像可能
な誘電体組成物を乾燥させて、ポリエチレンテレフタレ
ート・キャリア上に厚さ0.071mm(2.8ミル)
の光結像可能な誘電体被膜を形成した。
する光結像可能な誘電体組成物を提供した。この固体
は、フェノキシ樹脂PKHC約27.44%と、テトラ
ブロモビスフェノールAのEpirez 5183 4
1.16%と、八官能基エポキシビスフェノールA−ホ
ルムアルデヒド・ノボラック樹脂Epirez SU−
8 22.88%と、光開始剤UVE 1014 4.
85%と、エチルバイオレット染料0.07%と、3M C
ompanyから市販されているフッ素化ポリエステル非イオ
ン表面活性剤FC430 0.03%と、Degussaから
市販されているアモルファス酸化シリコンAerosi
l 380 3.85%を含む。溶媒含有量は一般に約
20%を超える。メチルエチルケトンと酢酸プロピレン
グリコールモノメチルエーテルの混合物を溶媒とした。
光結像可能な誘電体組成物を、デュポン社のポリエステ
ル・キャリアである「Mylar D」と呼ばれる厚さ
0.036mm(1.42ミル)のポリエチレンテレフ
タレート上に被覆した。溶媒含有量を誘電体被膜の総重
量の約11%〜約13.5%とするために、光結像可能
な誘電体組成物を乾燥させて、ポリエチレンテレフタレ
ート・キャリア上に厚さ0.071mm(2.8ミル)
の光結像可能な誘電体被膜を形成した。
【0033】誘電体被膜をパネルの両面に塗布し、12
5℃で60分間パネルを「ソフト・ベーク」して、乾燥
被膜から溶媒を実質的に除去した。溶媒含有量は約1%
未満に減少した。パネルのどちらの面でも誘電体被膜が
リリース・シートに隣接するように、パネルを積層プレ
スに配置した。パネルを125℃で60分間積層化させ
て、誘電体被膜をリフローさせた。積層化の後、0.1
0mm(4ミル)のビア・パターンを有する被膜マスク
を介してパネルを紫外光で露光し、パネルを125℃で
1時間ベークし、誘電体被膜を現像してフォト・ビアを
形成した。次に、誘電体被膜に紫外線を当て、つまり4
ジュール/cm2の紫外光で露光し、その後180℃で
1時間ベークした。
5℃で60分間パネルを「ソフト・ベーク」して、乾燥
被膜から溶媒を実質的に除去した。溶媒含有量は約1%
未満に減少した。パネルのどちらの面でも誘電体被膜が
リリース・シートに隣接するように、パネルを積層プレ
スに配置した。パネルを125℃で60分間積層化させ
て、誘電体被膜をリフローさせた。積層化の後、0.1
0mm(4ミル)のビア・パターンを有する被膜マスク
を介してパネルを紫外光で露光し、パネルを125℃で
1時間ベークし、誘電体被膜を現像してフォト・ビアを
形成した。次に、誘電体被膜に紫外線を当て、つまり4
ジュール/cm2の紫外光で露光し、その後180℃で
1時間ベークした。
【0034】その結果得られた構造は、空隙を含まず完
全に充填されたスルーホールと、表面厚さが0.038
mm(1.5ミル)の非常に均一で平坦な誘電体被膜を
備えていた。その後、誘電体表面を従来の機械的または
化学的技術あるいはその両方によって粗面化し、次に従
来のメッキ技術を使用してビアをメタライズし、かつ誘
電体被膜の最上部に回路線を画定した。
全に充填されたスルーホールと、表面厚さが0.038
mm(1.5ミル)の非常に均一で平坦な誘電体被膜を
備えていた。その後、誘電体表面を従来の機械的または
化学的技術あるいはその両方によって粗面化し、次に従
来のメッキ技術を使用してビアをメタライズし、かつ誘
電体被膜の最上部に回路線を画定した。
【0035】実施例2 積層化中に誘電体表面に対して粗面の銅箔を配置するこ
とを除いて、実施例1と同じ工程を使用した。積層化の
後、銅箔をパネルからブランケット・エッチングにより
エッチングし、銅箔の複製表面を誘電体に残した。
とを除いて、実施例1と同じ工程を使用した。積層化の
後、銅箔をパネルからブランケット・エッチングにより
エッチングし、銅箔の複製表面を誘電体に残した。
【0036】フォト・ビアを誘電体被膜内に画定した。
その後、通常のメッキ技術を使用してビアをメタライズ
し、誘電体被膜の上に回路線を画定した。メタライゼー
ションの前の誘電体の粗面化は行わなかった。
その後、通常のメッキ技術を使用してビアをメタライズ
し、誘電体被膜の上に回路線を画定した。メタライゼー
ションの前の誘電体の粗面化は行わなかった。
【0037】その結果得られた構造は、空隙を含まず完
全に充填されメッキされたスルーホールと、厚さ0.0
38mm(1.5ミル)の均一で平坦な粗い誘電体被膜
表面を有する。
全に充填されメッキされたスルーホールと、厚さ0.0
38mm(1.5ミル)の均一で平坦な粗い誘電体被膜
表面を有する。
【0038】実施例3 実施例2の場合と同様にして、誘電体被膜および銅箔を
積層化した。積層化の後、通常の塩化第二銅エッチング
法を使用して、銅箔を約5ミクロンの厚さにエッチング
した。次に、エッチングした銅箔の上に従来のアクリレ
ート乾燥被膜フォトレジストであるHercules
CFI 1.5を塗布し、ビア・パターンを光結像し
た。つまり、紫外光で露光し、この従来のフォトレジス
トで炭酸ナトリウムを使用して現像した。次に、銅箔に
ビア・パターンをエッチングし、水酸化ナトリウムを使
用してフォトレジストを剥離した。次に、エッチングし
た銅箔を現像マスクとして使用して、誘電体材料内にビ
アを現像した。つまり、現像用溶媒プロピレンカーボネ
ートで誘電体の一部分を除去することによって、エッチ
ングされた箔の開口部の下の誘電体内にビアを形成し
た。次に誘電体を190℃で2時間熱硬化した。次に、
エッチングした銅箔の上に銅回路をメッキし、基部の箔
をフラッシュ・エッチングすることにより、ビアをメタ
ライズし、回路を形成した。
積層化した。積層化の後、通常の塩化第二銅エッチング
法を使用して、銅箔を約5ミクロンの厚さにエッチング
した。次に、エッチングした銅箔の上に従来のアクリレ
ート乾燥被膜フォトレジストであるHercules
CFI 1.5を塗布し、ビア・パターンを光結像し
た。つまり、紫外光で露光し、この従来のフォトレジス
トで炭酸ナトリウムを使用して現像した。次に、銅箔に
ビア・パターンをエッチングし、水酸化ナトリウムを使
用してフォトレジストを剥離した。次に、エッチングし
た銅箔を現像マスクとして使用して、誘電体材料内にビ
アを現像した。つまり、現像用溶媒プロピレンカーボネ
ートで誘電体の一部分を除去することによって、エッチ
ングされた箔の開口部の下の誘電体内にビアを形成し
た。次に誘電体を190℃で2時間熱硬化した。次に、
エッチングした銅箔の上に銅回路をメッキし、基部の箔
をフラッシュ・エッチングすることにより、ビアをメタ
ライズし、回路を形成した。
【0039】実施例1および2で形成された回路付き構
造の断面を、約100倍および250倍の倍率で検査し
た。誘電体被膜および誘電体スルーホールの断面には、
ボイドがないことが分かった。フォト・ビアの断面分析
から、規則正しく真っ直ぐな壁が明らかになった。実施
例1および2に従って形成された回路付き構造は、回路
が連続しており、かつ誘電体被膜の上の回路機構がスル
ーホールと電気的に連絡していることを示した。
造の断面を、約100倍および250倍の倍率で検査し
た。誘電体被膜および誘電体スルーホールの断面には、
ボイドがないことが分かった。フォト・ビアの断面分析
から、規則正しく真っ直ぐな壁が明らかになった。実施
例1および2に従って形成された回路付き構造は、回路
が連続しており、かつ誘電体被膜の上の回路機構がスル
ーホールと電気的に連絡していることを示した。
【0040】本発明の方法は、充填されメッキされたス
ルーホールを非常に費用効果の高い形で実現する。本発
明の方法は、スルーホールを充填し、誘電体被膜を形成
するという2段階工程の必要性をなくし、両方を単段階
で実行する。本発明の方法は、スルーホール充填組成物
の必要性をなくし、瘤を除去する必要性をなくし、誘電
体被膜を平坦化する必要性をなくし、かつ平坦でない表
面や不完全な瘤の除去、瘤除去中の引裂きによるエッチ
ング上の問題など下流工程での処理問題による損失を軽
減することによって歩留まりを向上させる。本発明の別
の利点は、非常に平坦な表面が生成されることである。
表面の変動は、従来の技術による0.005〜0.01
8mm(0.0002〜0.0007インチ)の変動に
対して、0.0025mm(0.0001インチ)未満
である。非常に平坦な表面が生成されるので、配線密度
もずっと高くなる。配線間の間隔は一般に0.076m
m(0.003インチ)未満であり、典型的には約0.
051〜0.076mm(0.002〜0.003イン
チ)である。従来の孔充填技術により生成される配線の
間隔は一般に、約0.10mm(0.004インチ)以
上であった。
ルーホールを非常に費用効果の高い形で実現する。本発
明の方法は、スルーホールを充填し、誘電体被膜を形成
するという2段階工程の必要性をなくし、両方を単段階
で実行する。本発明の方法は、スルーホール充填組成物
の必要性をなくし、瘤を除去する必要性をなくし、誘電
体被膜を平坦化する必要性をなくし、かつ平坦でない表
面や不完全な瘤の除去、瘤除去中の引裂きによるエッチ
ング上の問題など下流工程での処理問題による損失を軽
減することによって歩留まりを向上させる。本発明の別
の利点は、非常に平坦な表面が生成されることである。
表面の変動は、従来の技術による0.005〜0.01
8mm(0.0002〜0.0007インチ)の変動に
対して、0.0025mm(0.0001インチ)未満
である。非常に平坦な表面が生成されるので、配線密度
もずっと高くなる。配線間の間隔は一般に0.076m
m(0.003インチ)未満であり、典型的には約0.
051〜0.076mm(0.002〜0.003イン
チ)である。従来の孔充填技術により生成される配線の
間隔は一般に、約0.10mm(0.004インチ)以
上であった。
【0041】本発明の方法は、カプセル封じ材が孔内に
流入するのを防止するために開口を充填するのに有用で
ある。
流入するのを防止するために開口を充填するのに有用で
ある。
【0042】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【0043】(1)回路付き基板の開口を充填する方法
において、(a)開口と、基板上に配置された前記開口
を覆う誘電体被膜とを有する回路付き基板を提供する段
階と、(b)前記誘電体被膜を基板の開口内にリフロー
させて、誘電体被膜を基板に接着させると共に、誘電体
被膜から開口内にまで延びる連続した誘電体を設ける段
階とを含む方法。 (2)前記段階(b)の後に誘電体被膜内に開口を画定
するために、誘電体被膜をパターン形成する段階をさら
に含む、上記(1)に記載の方法。 (3)誘電体被膜の開口をメタライズする段階をさらに
含む、上記(2)に記載の方法。 (4)(c)前記段階(b)の途中または後で、誘電体
被膜に金属箔を積層化する段階と、(d)次に金属箔に
開口パターンを形成する段階と、(e)次に金属箔の開
口パターンに対応する開口を誘電体被膜に形成する段階
とをさらに含む、上記(1)に記載の方法。 (5)誘電体被膜の開口をメタライズする段階と、箔を
メタライズする段階とをさらに含む、上記(4)に記載
の方法。 (6)誘電体被膜が約5〜30%の溶媒を含む、上記
(1)に記載の方法。 (7)前記基板の開口がスルーホールである、上記
(1)に記載の方法。 (8)前記誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、無機微粒子0〜50%とを含む約50〜1
00%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記(1)
に記載の方法。 (9)前記エポキシ樹脂系が、分子量約60,000〜
90,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40%
と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官
能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,70
0のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35〜
50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の無
機微粒子を含む、上記(8)に記載の方法。 (10)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(9)に記載の方法。 (11)回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記(8)に記載の方法。 (12)誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、0〜50%の無機微粒子とを含む約50〜
100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(2)に記載の方法。 (13)エポキシ樹脂系が、分子量約60,000〜9
0,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40%
と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官
能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,70
0のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35〜
50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の無
機微粒子を含む、上記(12)に記載の方法。 (14)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(13)に記載の方法。 (15)回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記(12)に記載の方法。 (16)誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、0〜50%の無機微粒子とを含む約50〜
100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(3)に記載の方法。 (17)前記エポキシ樹脂系が、分子量約60,000
〜90,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40
%と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多
官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラッ
ク樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,7
00のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35
〜50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の
無機微粒子を含む、上記(16)に記載の方法。 (18)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(17)に記載の方法。 (19)回路化構造が、回路板、回路カード、回路キャ
リア、有機または無機シングル・チップ・モジュール、
有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミック
・キャリア、またはインタポーザ・カードである、上記
(16)に記載の方法。 (20)誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、0〜50%の無機微粒子とを含む約50〜
100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(4)に記載の方法。 (21)エポキシ樹脂系が、分子量約60,000〜9
0,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40%
と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官
能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,70
0のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35〜
50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の無
機微粒子を含む、上記(20)に記載の方法。 (22)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(21)に記載の方法。 (23)回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記(20)に記載の方法。 (24)誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、無機微粒子0〜50%とを含み、約50〜
100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(5)に記載の方法。 (25)前記エポキシ樹脂系が、分子量約60,000
〜90,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40
%と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多
官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラッ
ク樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,7
00のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35
〜50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の
無機微粒子を含む、上記(24)に記載の方法。 (26)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(25)に記載の方法。 (27)回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記(24)に記載の方法。 (28)a.回路付き基板と、 b.前記基板に配置されたメッキされた開口と、 c.前記基板上にそれと接触して配置され、基板の開口
内に延在してこれを充填する硬化されたパターン化誘電
体被膜と、 d.前記誘電体被膜に配置され、前記メッキ開口と電気
的に接触しているメタライズされたパターン化ビアと、 e.前記誘電体被膜上にそれに接着して配置され、前記
ビアに電気的に接続され、前記ビアが回路機構と電気的
に接続されている回路機構とを含む回路付き構造。 (29)前記基板の開口がメッキされたスルーホールで
ある、上記(28)に記載の回路付き構造。 (30)前記誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約0%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、0〜50%の無機微粒子とを含み、約50
〜約100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(29)に記載の回路付き構造。 (31)分子量約40,000〜130,000のエピ
クロロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物である
フェノキシポリオール樹脂約10〜80%と、分子量約
60,000〜90,000のフェノキシポリオール樹
脂20〜40%と、分子量約5,000〜7,000の
エポキシ化多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒ
ド・ノボラック樹脂約25〜30%と、分子量約1,0
00〜1,700のビスフェノールAのジグリシジルエ
ーテル約35〜50%とを含む、上記(29)に記載の
回路付き構造。 (32)エポキシ価約0.003、エポキシ当量約3
7,000、ガラス遷移温度約98℃のフェノキシポリ
オール樹脂約30%と、エポキシ価約0.47、エポキ
シ当量約215、融点約82℃の八官能性エポキシビス
フェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約2
5%と、エポキシ価約0.15、エポキシ当量約67
5、融点約97℃のテトラブロモビスフェノールAであ
るジグリシジルエーテル約45%と、樹脂重量の約5重
量部のヘキサフルオロアンチモン酸トリアリールスルホ
ニウム光開始剤錯体と、二酸化シリコンから成る約0.
1%〜約10%の無機微粒子とを含む、上記(31)に
記載の回路板。 (33)前記回路付き構造が、回路板、回路カード、回
路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュ
ール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラ
ミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
る、上記(28)に記載の回路付き構造。 (34)前記回路付き構造がプリント回路板である、上
記(28)に記載の回路付き構造。 (35)前記誘電体被膜上に配置された回路機構が銅ベ
ースおよび前記銅ベース上に配置されたメッキされた銅
で構成される、上記(28)に記載の回路付き構造。
において、(a)開口と、基板上に配置された前記開口
を覆う誘電体被膜とを有する回路付き基板を提供する段
階と、(b)前記誘電体被膜を基板の開口内にリフロー
させて、誘電体被膜を基板に接着させると共に、誘電体
被膜から開口内にまで延びる連続した誘電体を設ける段
階とを含む方法。 (2)前記段階(b)の後に誘電体被膜内に開口を画定
するために、誘電体被膜をパターン形成する段階をさら
に含む、上記(1)に記載の方法。 (3)誘電体被膜の開口をメタライズする段階をさらに
含む、上記(2)に記載の方法。 (4)(c)前記段階(b)の途中または後で、誘電体
被膜に金属箔を積層化する段階と、(d)次に金属箔に
開口パターンを形成する段階と、(e)次に金属箔の開
口パターンに対応する開口を誘電体被膜に形成する段階
とをさらに含む、上記(1)に記載の方法。 (5)誘電体被膜の開口をメタライズする段階と、箔を
メタライズする段階とをさらに含む、上記(4)に記載
の方法。 (6)誘電体被膜が約5〜30%の溶媒を含む、上記
(1)に記載の方法。 (7)前記基板の開口がスルーホールである、上記
(1)に記載の方法。 (8)前記誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、無機微粒子0〜50%とを含む約50〜1
00%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記(1)
に記載の方法。 (9)前記エポキシ樹脂系が、分子量約60,000〜
90,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40%
と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官
能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,70
0のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35〜
50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の無
機微粒子を含む、上記(8)に記載の方法。 (10)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(9)に記載の方法。 (11)回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記(8)に記載の方法。 (12)誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、0〜50%の無機微粒子とを含む約50〜
100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(2)に記載の方法。 (13)エポキシ樹脂系が、分子量約60,000〜9
0,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40%
と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官
能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,70
0のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35〜
50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の無
機微粒子を含む、上記(12)に記載の方法。 (14)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(13)に記載の方法。 (15)回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記(12)に記載の方法。 (16)誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、0〜50%の無機微粒子とを含む約50〜
100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(3)に記載の方法。 (17)前記エポキシ樹脂系が、分子量約60,000
〜90,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40
%と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多
官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラッ
ク樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,7
00のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35
〜50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の
無機微粒子を含む、上記(16)に記載の方法。 (18)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(17)に記載の方法。 (19)回路化構造が、回路板、回路カード、回路キャ
リア、有機または無機シングル・チップ・モジュール、
有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミック
・キャリア、またはインタポーザ・カードである、上記
(16)に記載の方法。 (20)誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、0〜50%の無機微粒子とを含む約50〜
100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(4)に記載の方法。 (21)エポキシ樹脂系が、分子量約60,000〜9
0,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40%
と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官
能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,70
0のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35〜
50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の無
機微粒子を含む、上記(20)に記載の方法。 (22)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(21)に記載の方法。 (23)回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記(20)に記載の方法。 (24)誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、無機微粒子0〜50%とを含み、約50〜
100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(5)に記載の方法。 (25)前記エポキシ樹脂系が、分子量約60,000
〜90,000のフェノキシポリオール樹脂20〜40
%と、分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多
官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラッ
ク樹脂約25〜30%と、分子量約1,000〜1,7
00のビスフェノールAのジグリシジルエーテル約35
〜50%とを含み、前記固体が約0.01%〜50%の
無機微粒子を含む、上記(24)に記載の方法。 (26)前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約0.00
3、エポキシ当量約37,000、ガラス遷移温度約9
8℃のフェノキシポリオール樹脂約30%と、エポキシ
価約0.47、エポキシ当量約215、融点約82℃の
八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約25%と、エポキシ価約0.15、
エポキシ当量約675、融点約97℃のテトラブロモビ
スフェノールAであるジグリシジルエーテル約45%
と、樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、上記
(25)に記載の方法。 (27)回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記(24)に記載の方法。 (28)a.回路付き基板と、 b.前記基板に配置されたメッキされた開口と、 c.前記基板上にそれと接触して配置され、基板の開口
内に延在してこれを充填する硬化されたパターン化誘電
体被膜と、 d.前記誘電体被膜に配置され、前記メッキ開口と電気
的に接触しているメタライズされたパターン化ビアと、 e.前記誘電体被膜上にそれに接着して配置され、前記
ビアに電気的に接続され、前記ビアが回路機構と電気的
に接続されている回路機構とを含む回路付き構造。 (29)前記基板の開口がメッキされたスルーホールで
ある、上記(28)に記載の回路付き構造。 (30)前記誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約0%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、0〜50%の無機微粒子とを含み、約50
〜約100%のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
(29)に記載の回路付き構造。 (31)分子量約40,000〜130,000のエピ
クロロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物である
フェノキシポリオール樹脂約10〜80%と、分子量約
60,000〜90,000のフェノキシポリオール樹
脂20〜40%と、分子量約5,000〜7,000の
エポキシ化多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒ
ド・ノボラック樹脂約25〜30%と、分子量約1,0
00〜1,700のビスフェノールAのジグリシジルエ
ーテル約35〜50%とを含む、上記(29)に記載の
回路付き構造。 (32)エポキシ価約0.003、エポキシ当量約3
7,000、ガラス遷移温度約98℃のフェノキシポリ
オール樹脂約30%と、エポキシ価約0.47、エポキ
シ当量約215、融点約82℃の八官能性エポキシビス
フェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約2
5%と、エポキシ価約0.15、エポキシ当量約67
5、融点約97℃のテトラブロモビスフェノールAであ
るジグリシジルエーテル約45%と、樹脂重量の約5重
量部のヘキサフルオロアンチモン酸トリアリールスルホ
ニウム光開始剤錯体と、二酸化シリコンから成る約0.
1%〜約10%の無機微粒子とを含む、上記(31)に
記載の回路板。 (33)前記回路付き構造が、回路板、回路カード、回
路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュ
ール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラ
ミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
る、上記(28)に記載の回路付き構造。 (34)前記回路付き構造がプリント回路板である、上
記(28)に記載の回路付き構造。 (35)前記誘電体被膜上に配置された回路機構が銅ベ
ースおよび前記銅ベース上に配置されたメッキされた銅
で構成される、上記(28)に記載の回路付き構造。
【図1】本発明の回路付き構造の断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01B 3/40 H01B 3/40 F G H05K 1/11 H05K 1/11 H (72)発明者 ジョン・エム・ラウファー アメリカ合衆国14892 ニューヨーク州ウ ェイヴァリー リンカーン・ストリート・ エクステンション 213 (72)発明者 ヴォヤ・アール・マルコヴィッチ アメリカ合衆国13760 ニューヨーク州エ ンドウェル ジョエル・ドライブ 3611 (72)発明者 チェリル・エル・パロマキ アメリカ合衆国13760 ニューヨーク州エ ンディコット ロンドン・レーン 24 (72)発明者 ウィリアム・イー・ウィルソン アメリカ合衆国14892 ニューヨーク州ウ ェイヴァリー エイカーズ・アベニュー 410
Claims (35)
- 【請求項1】回路付き基板の開口を充填する方法におい
て、 (a)開口と、基板上に配置された前記開口を覆う誘電
体被膜とを有する回路付き基板を提供する段階と、 (b)前記誘電体被膜を基板の開口内にリフローさせ
て、誘電体被膜を基板に接着させると共に、誘電体被膜
から開口内にまで延びる連続した誘電体を設ける段階と
を含む方法。 - 【請求項2】前記段階(b)の後に誘電体被膜内に開口
を画定するために、誘電体被膜をパターン形成する段階
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】誘電体被膜の開口をメタライズする段階を
さらに含む、請求項2に記載の方法。 - 【請求項4】(c)前記段階(b)の途中または後で、
誘電体被膜に金属箔を積層化する段階と、 (d)次に金属箔に開口パターンを形成する段階と、 (e)次に金属箔の開口パターンに対応する開口を誘電
体被膜に形成する段階とをさらに含む、請求項1に記載
の方法。 - 【請求項5】誘電体被膜の開口をメタライズする段階
と、箔をメタライズする段階とをさらに含む、請求項4
に記載の方法。 - 【請求項6】誘電体被膜が約5〜30%の溶媒を含む、
請求項1に記載の方法。 - 【請求項7】前記基板の開口がスルーホールである、請
求項1に記載の方法。 - 【請求項8】前記誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、 無機微粒子0〜50%とを含む約50〜100%のエポ
キシ樹脂系を含む固体を含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項9】前記エポキシ樹脂系が、 分子量約60,000〜90,000のフェノキシポリ
オール樹脂20〜40%と、 分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官能性
ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
約25〜30%と、 分子量約1,000〜1,700のビスフェノールAの
ジグリシジルエーテル約35〜50%とを含み、前記固
体が約0.01%〜50%の無機微粒子を含む、請求項
8に記載の方法。 - 【請求項10】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約0.003、エポキシ当量約37,00
0、ガラス遷移温度約98℃のフェノキシポリオール樹
脂約30%と、 エポキシ価約0.47、エポキシ当量約215、融点約
82℃の八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムア
ルデヒド・ノボラック樹脂約25%と、 エポキシ価約0.15、エポキシ当量約675、融点約
97℃のテトラブロモビスフェノールAであるジグリシ
ジルエーテル約45%と、 樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、請求項9に
記載の方法。 - 【請求項11】回路付き構造が、回路板、回路カード、
回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジ
ュール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セ
ラミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
る、請求項8に記載の方法。 - 【請求項12】誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、 0〜50%の無機微粒子とを含む約50〜100%のエ
ポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項2に記載の方
法。 - 【請求項13】エポキシ樹脂系が、 分子量約60,000〜90,000のフェノキシポリ
オール樹脂20〜40%と、 分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官能性
ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
約25〜30%と、 分子量約1,000〜1,700のビスフェノールAの
ジグリシジルエーテル約35〜50%とを含み、前記固
体が約0.01%〜50%の無機微粒子を含む、請求項
12に記載の方法。 - 【請求項14】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約0.003、エポキシ当量約37,00
0、ガラス遷移温度約98℃のフェノキシポリオール樹
脂約30%と、 エポキシ価約0.47、エポキシ当量約215、融点約
82℃の八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムア
ルデヒド・ノボラック樹脂約25%と、 エポキシ価約0.15、エポキシ当量約675、融点約
97℃のテトラブロモビスフェノールAであるジグリシ
ジルエーテル約45%と、 樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、請求項13
に記載の方法。 - 【請求項15】回路付き構造が、回路板、回路カード、
回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジ
ュール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セ
ラミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
る、請求項12に記載の方法。 - 【請求項16】誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、 0〜50%の無機微粒子とを含む約50〜100%のエ
ポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項3に記載の方
法。 - 【請求項17】前記エポキシ樹脂系が、 分子量約60,000〜90,000のフェノキシポリ
オール樹脂20〜40%と、 分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官能性
ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
約25〜30%と、 分子量約1,000〜1,700のビスフェノールAの
ジグリシジルエーテル約35〜50%とを含み、前記固
体が約0.01%〜50%の無機微粒子を含む、請求項
16に記載の方法。 - 【請求項18】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約0.003、エポキシ当量約37,00
0、ガラス遷移温度約98℃のフェノキシポリオール樹
脂約30%と、 エポキシ価約0.47、エポキシ当量約215、融点約
82℃の八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムア
ルデヒド・ノボラック樹脂約25%と、 エポキシ価約0.15、エポキシ当量約675、融点約
97℃のテトラブロモビスフェノールAであるジグリシ
ジルエーテル約45%と、 樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、請求項17
に記載の方法。 - 【請求項19】回路化構造が、回路板、回路カード、回
路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュ
ール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラ
ミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
る、請求項16に記載の方法。 - 【請求項20】誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、 0〜50%の無機微粒子とを含む約50〜100%のエ
ポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項4に記載の方
法。 - 【請求項21】エポキシ樹脂系が、 分子量約60,000〜90,000のフェノキシポリ
オール樹脂20〜40%と、 分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官能性
ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
約25〜30%と、 分子量約1,000〜1,700のビスフェノールAの
ジグリシジルエーテル約35〜50%とを含み、前記固
体が約0.01%〜50%の無機微粒子を含む、請求項
20に記載の方法。 - 【請求項22】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約0.003、エポキシ当量約37,00
0、ガラス遷移温度約98℃のフェノキシポリオール樹
脂約30%と、 エポキシ価約0.47、エポキシ当量約215、融点約
82℃の八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムア
ルデヒド・ノボラック樹脂約25%と、 エポキシ価約0.15、エポキシ当量約675、融点約
97℃のテトラブロモビスフェノールAであるジグリシ
ジルエーテル約45%と、 樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、請求項21
に記載の方法。 - 【請求項23】回路付き構造が、回路板、回路カード、
回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジ
ュール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セ
ラミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
る、請求項20に記載の方法。 - 【請求項24】誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約35%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、 無機微粒子0〜50%とを含み、約50〜100%のエ
ポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項5に記載の方
法。 - 【請求項25】前記エポキシ樹脂系が、 分子量約60,000〜90,000のフェノキシポリ
オール樹脂20〜40%と、 分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官能性
ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
約25〜30%と、 分子量約1,000〜1,700のビスフェノールAの
ジグリシジルエーテル約35〜50%とを含み、前記固
体が約0.01%〜50%の無機微粒子を含む、請求項
24に記載の方法。 - 【請求項26】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約0.003、エポキシ当量約37,00
0、ガラス遷移温度約98℃のフェノキシポリオール樹
脂約30%と、 エポキシ価約0.47、エポキシ当量約215、融点約
82℃の八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムア
ルデヒド・ノボラック樹脂約25%と、 エポキシ価約0.15、エポキシ当量約675、融点約
97℃のテトラブロモビスフェノールAであるジグリシ
ジルエーテル約45%と、 樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
体が0.1%〜10%の無機微粒子を含む、請求項25
に記載の方法。 - 【請求項27】回路付き構造が、回路板、回路カード、
回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジ
ュール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セ
ラミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
る、請求項24に記載の方法。 - 【請求項28】a.回路付き基板と、 b.前記基板に配置されたメッキされた開口と、 c.前記基板上にそれと接触して配置され、基板の開口
内に延在してこれを充填する硬化されたパターン化誘電
体被膜と、 d.前記誘電体被膜に配置され、前記メッキ開口と電気
的に接触しているメタライズされたパターン化ビアと、 e.前記誘電体被膜上にそれに接着して配置され、前記
ビアに電気的に接続され、前記ビアが回路機構と電気的
に接続されている回路機構とを含む回路付き構造。 - 【請求項29】前記基板の開口がメッキされたスルーホ
ールである、請求項28に記載の回路付き構造。 - 【請求項30】前記誘電体被膜が、 i.分子量約40,000〜130,000のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 ii.分子量約4,000〜10,000のエポキシ化
多官能性ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約20〜90%と、 iii.分子量約600〜約2,500のビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル約0%〜50%と、 iv.樹脂の総重量の約0.1〜15重量部の陽イオン
光開始剤と、 0〜50%の無機微粒子とを含み、約50〜約100%
のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項29に記載
の回路付き構造。 - 【請求項31】分子量約40,000〜130,000
のエピクロロヒドリンとビスフェノールAの縮合生成物
であるフェノキシポリオール樹脂約10〜80%と、 分子量約60,000〜90,000のフェノキシポリ
オール樹脂20〜40%と、 分子量約5,000〜7,000のエポキシ化多官能性
ビスフェノールA−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
約25〜30%と、 分子量約1,000〜1,700のビスフェノールAの
ジグリシジルエーテル約35〜50%とを含む、請求項
29に記載の回路付き構造。 - 【請求項32】エポキシ価約0.003、エポキシ当量
約37,000、ガラス遷移温度約98℃のフェノキシ
ポリオール樹脂約30%と、 エポキシ価約0.47、エポキシ当量約215、融点約
82℃の八官能性エポキシビスフェノールA−ホルムア
ルデヒド・ノボラック樹脂約25%と、 エポキシ価約0.15、エポキシ当量約675、融点約
97℃のテトラブロモビスフェノールAであるジグリシ
ジルエーテル約45%と、 樹脂重量の約5重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
リアリールスルホニウム光開始剤錯体と、 二酸化シリコンから成る約0.1%〜約10%の無機微
粒子とを含む、請求項31に記載の回路板。 - 【請求項33】前記回路付き構造が、回路板、回路カー
ド、回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・
モジュール、有機または無機マルチチップ・モジュー
ル、セラミック・キャリア、またはインタポーザ・カー
ドである、請求項28に記載の回路付き構造。 - 【請求項34】前記回路付き構造がプリント回路板であ
る、請求項28に記載の回路付き構造。 - 【請求項35】前記誘電体被膜上に配置された回路機構
が銅ベースおよび前記銅ベース上に配置されたメッキさ
れた銅で構成される、請求項28に記載の回路付き構
造。
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