JP2000188473A - スル―ホ―ルの新規の充填方法 - Google Patents

スル―ホ―ルの新規の充填方法

Info

Publication number
JP2000188473A
JP2000188473A JP11242104A JP24210499A JP2000188473A JP 2000188473 A JP2000188473 A JP 2000188473A JP 11242104 A JP11242104 A JP 11242104A JP 24210499 A JP24210499 A JP 24210499A JP 2000188473 A JP2000188473 A JP 2000188473A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
epoxy
bisphenol
molecular weight
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11242104A
Other languages
English (en)
Inventor
John M Lauffer
ジョン・エム・ラウファー
R Markovich Voya
ヴォヤ・アール・マルコヴィッチ
L Paromaki Cheriru
チェリル・エル・パロマキ
E Wilson William
ウィリアム・イー・ウィルソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JP2000188473A publication Critical patent/JP2000188473A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0094—Filling or covering plated through-holes or blind plated vias, e.g. for masking or for mechanical reinforcement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/523—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures by an interconnection through aligned holes in the boards or multilayer board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09536—Buried plated through-holes, i.e. plated through-holes formed in a core before lamination
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/0959—Plated through-holes or plated blind vias filled with insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0023—Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】スルーホール等の基板の開口を充填する方法。 【解決手段】開口１４を有する基板１２上に開口を覆う
エポキシ樹脂系の誘電体被膜１６を配置し、誘電体被膜
をリフローさせて、開口内に流入させ、誘電体被膜から
開口内に延在する連続した誘電体を形成する。充填後に
ビア１８を形成する場合は、誘電体被膜に光結像し、ピ
アをメタライズし、回路機構２４を形成する。誘電体被
膜は、０〜５０％の無機微粒子と５０〜１００％のエポ
キシ樹脂と、樹脂の総重量の０．１〜１５重量部の陽イ
オン光開始剤を含むことが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】プリント回路板の組立におい
て、ＳＬＣ回路層と従来のプリント回路板内の回路層
は、穿孔されメッキされたスルーホールによって相互接
続される。穿孔およびメッキ加工の制限のために、これ
らのメッキされたスルーホールはＳＬＣ配線に対して極
めて大きく、ＳＬＣ層から貴重な配線経路面積を奪う。
【０００２】
【従来の技術】孔を充填する１つの方法は、充填組成
物、一般的には銅で充填したエポキシ組成物をマスクを
介してプリント回路板の孔中に押し込むものである。し
かし、充填材はマスクの間に流出し、または充填済みの
スルーホールの表面に瘤（nub）を残すことがある。こ
の充填方法はさらに、表面から瘤や流出分を除去するた
めに、後で研磨段階を必要とする。研磨工程自体は完全
ではない。しばしば、研磨の後小さい瘤が残ったり、充
填材が孔から引き裂かれ、孔の中心に凹みを残すことが
ある。残留する瘤および凹みはどちらも、その後の回路
形成段階中に問題を生じるおそれがある。充填組成物を
マスクを介して押し込む技術はまた、高価なペーストを
必要とし、またマスクを穿孔する段階をも必要とする。
【０００３】孔を充填するためのその他の技術は、液体
エポキシ材を孔内にスクリーン印刷するか、または乾燥
被膜で孔を覆うものである。これらの技術はどちらも、
孔の中心に小さいエア・ポケットを捕獲する傾向があ
り、これは熱サイクル中に上の回路の線のクラックをも
たらすおそれがある。
【０００４】ビアの充填にも同様の問題が見られる。ス
クリーニングまたはテンティング工程は、熱サイクル中
にカプセル封じ材にクラックを生じるおそれがある。カ
プセル封じ材におけるこれらのクラックは、素子内への
湿気の浸透を可能にし、やはりカプセル封じ材全体に広
がってチップのクラックを引き起こすおそれがある。
【０００５】スルーホール内に空気を捕獲せず、流出を
引き起こさず、充填済みのスルーホールの表面に瘤また
は凹みを残さず、確実かつ完全に孔を充填するための安
価で効率的な技術を有することが望ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板の開
口、例えばスルーホールを充填する新規の方法を提供す
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この方法は、誘電体被
膜、好ましくは光結像可能な誘電体被膜を利用する。こ
れは、開口を埋め、かつ同時に基板の上に配置した誘電
体被膜の層を形成するために使用される。その結果、開
口の充填物は、基板上に配置した誘電体被膜と同一材料
であり、しかもそれと連続している。この方法は以下の
段階、すなわち、開口を含む基板を提供する段階と、基
板の上に配置した開口を覆う誘電体被膜を設ける段階
と、誘電体被膜のリフローにより開口内へ流入させると
共に基板に接着した誘電体被膜を形成して、誘電体被膜
から孔内へ延在する連続した誘電体を提供する段階とを
使用する。いくつかの実施形態では、基板の開口を充填
した後、誘電体被膜をパターン化する。例えば、光結像
またはレーザ・アブレーションによって、ビアなどの開
口を誘電体被膜内に画定することが好ましい。その後ビ
アをメタライズし、誘電体被膜の上に回路機構を形成す
ることが好ましい。
【０００８】誘電体被膜は、０〜約５０％の無機微粒子
および約５０％〜約１００％のエポキシ樹脂系を含む固
体を含むことが好ましい。前記エポキシ樹脂系は、分子
量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロルヒドリ
ンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェノキシポ
リオール樹脂約１０〜約８０％と、分子量約４，０００
〜約１０，０００のエポキシ化多官能性ビスフェノール
Ａ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２０〜９０％
と、分子量約６００〜約２，５００のビスフェノールＡ
のジグリシジルエーテル約３５％〜約５０％と、樹脂の
総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン光開始剤を含
む。
【０００９】本発明は、前記方法に従って製作される回
路付き構造にも関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、基板のスルーホールな
どの開口を充填する新規の方法を提供する。この方法
は、誘電体被膜、望ましくは光結像可能な誘電体被膜を
利用し、これを加熱してスルーホール内に流入させ、基
板上に配置した誘電体被膜を形成させる。その結果、組
成物、すなわちスルーホール内に配置された「被膜」
は、基板の上に配置した誘電体被膜の組成物と同一であ
り、しかもそれと連続している。充填の後、好ましくは
光結像によって、誘電体被膜にビアなど追加の開口を配
置する。開口はメタライズすることが好ましく、誘電体
被膜上に回路機構を形成する。
【００１１】誘電体被膜 誘電体被膜は有機被膜であり、好ましくはエポキシ材で
ある。光結像可能な誘電体を形成するための適切な光結
像可能な組成物は、１９９１年６月２５日にデイ（Da
y）らに発行された米国特許第５０２６６２４号、１９
９４年４月５日にカード（Card）らに発行された米国特
許第５３００４０２号、１９９３年１１月２３日にアレ
ン（Allen）らに発行された米国特許第５２６４３２５
号に開示されており、これらは参照によって特に本明細
書に組み込まれる。誘電体被膜の誘電率は約５未満であ
ることが好ましく、約４未満であることがさらに好まし
い。
【００１２】誘電体被膜を形成し、開口を充填するのに
適した他の誘電体材料は、エポキシ樹脂である。そのよ
うなエポキシ樹脂は市販されており、例えば大洋化学
（株）（Taiyo Chemicals Co., Ltd.）のＴａｉｙｏ
ＰＳＲ−４０００、Enthone-OMI, IncのＥｎｔｈｏｎｅ
ＤＳＲ３２４１、Dupont Vacrel、およびDupont Vial
ux乾燥被膜などのエポキシアクリレート液体誘電体組成
物がある。しかし、そのようなエポキシアクリレート
は、誘電体被膜にビアを光結像するのに特に適しておら
ず、あまり好ましくない。
【００１３】誘電体被膜は、固体と溶媒から構成され
る。好ましい実施形態の固体はエポキシ樹脂系で構成さ
れる。前記エポキシ樹脂系は、約４０，０００〜約１３
０，０００、好ましくは約６０，０００〜約９０，００
０、さらに好ましくは６０，０００を超える分子量を有
するエピクロロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成
物である約１０〜約８０％、好ましくは約２０〜約４０
％、さらに好ましくは約３０％を超えるフェノキシポリ
オール樹脂と、約４，０００〜約１０，０００、好まし
くは約５，０００〜約７，０００の分子量を有する約２
０〜約９０％、好ましくは約２５〜約３０％、最も好ま
しくは約２５％のエポキシ化多官能性ビスフェノールＡ
−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂と、約６００〜
２，５００、好ましくは約１，０００〜約１，７００の
分子量を有する０〜約５０％、好ましくは約３５〜約５
０％、さらに好ましくは約４０〜約４５％、最も好まし
くは約４５％のビスフェノールＡのジグリシジルエーテ
ルと、樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部、好ましく
は約５重量部の陽イオン光開始剤とを含む。誘電体被膜
の溶媒成分は、好ましくは酢酸プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルと約１０％未満のプロピレンカーボネ
ートから構成される。プロピレンカーボネートは、好ま
しい光開始剤の担体であることが望ましい。
【００１４】任意選択で、誘電体被膜は、例えば酸化ア
ルミナ、窒化アルミナ、および二酸化シリコンのような
電気絶縁無機微粒子を含む。無機微粒子は好ましくは１
０ミクロン未満、より好ましくは約５ミクロン未満の粒
径を有する。無機微粒子は任意選択的に、誘電体被膜内
に固体総重量の０〜約５０％、好ましくは約０．０１％
〜約５０％存在する。ここに記載する実施形態の場合、
無機微粒子は一般的に固体総重量の約０．５％〜約２５
％、より好ましくは約１％〜約１０％、最も好ましくは
約１．５〜約５％存在する。適用例によっては、無機微
粒子は固体総重量の約２０％〜約３０％、好ましくは約
２５％存在することがある。
【００１５】フェノキシポリオール樹脂は好ましくは約
０．０００１〜約０．３、さらに好ましくは約０．００
１〜約０．０３、最も好ましくは約０．００３のエポキ
シ価、約１０，０００〜約６０，０００、さらに好まし
くは約２０，０００〜約５０，０００、最も好ましくは
約３７，０００のエポキシ当量を有する。
【００１６】多官能性エポキシビスフェノールＡ−ホル
ムアルデヒド・ノボラック樹脂は、好ましくは約０．１
〜約１．０、さらに好ましくは約０．３〜約０．６、最
も好ましくは約０．４７のエポキシ価、約１８０〜約３
００、さらに好ましくは約１９０〜約２３０、最も好ま
しくは約２１５のエポキシ当量、および約６０°〜約１
５０°、さらに好ましくは約７０°〜約９０°、最も好
ましくは約８２℃の融点を有する。
【００１７】ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル
は好ましくはハロゲン化し、さらに好ましくは臭素化す
る。ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルは、好ま
しくは約０．０１〜約０．５、さらに好ましくは約０．
１〜約０．３、最も好ましくは約０．１５のエポキシ
価、約２００〜約１０００、より好ましくは約５００〜
約７５０、最も好ましくは約６７５のエポキシ当量、お
よび約７０°〜約１５０°、さらに好ましくは８０°〜
約１１０°、最も好ましくは約９７℃の融点を有する。
【００１８】適切なフェノキシポリオール樹脂は商品名
「ＰＫＨＣ」で市販され、以前はUnion Carbide Corpor
ationから入手できたが、現在はPhenoxy Resin Associa
tesから入手できる。以前は商品名Ｅｐｉｒｅｚ ＳＵ
−８でHigh Tek Polymersから市販されていた適切な八
官能性ビスフェノールＡは、現在はShell Chemical Com
panyから「Ｅｐｏｎ ＳＵ８」として市販されている。
ビスフェノールＡの適切なジグリシジルエーテルはテト
ラブロモビスフェノールＡであり、以前は商品名「Ｅｐ
ｉｒｅｚ ５１８３」でHigh Tek Polymersから市販さ
れていたが、現在はShell Chemical Companyから「Ｅｐ
ｏｎ １１８３］として市販されている。以前はGenera
l Electric Companyから商品名「ＵＶＥ １０１４」で
市販されていた適切な錯体ヘキサフルオロアンチモン酸
トリアリールスルホニウム光開始剤は、現在はUnion Ca
rbide CorporationからＵＶＩ６９７４として市販され
ている。
【００１９】誘電体被膜は、特に積層温度で熱的に安定
である。誘電体被膜は、少なくとも１２５℃まで１時間
安定であることが望ましい。
【００２０】誘電体被膜の形成 まずエポキシ樹脂および存在すれば光開始剤、ならびに
溶媒を組み合わせ、完全に混合することによって液体誘
電体を調製する。溶媒は、完全な混合を可能にするため
に使用する。あるいは、様々な成分をバッチ式で予備混
合する。シリカを使用する場合、シリカを均等に分散さ
せるために、液体誘電体は充分に混合しなければならな
い。適切な混合装置として、例えば真空高剪断分散混合
機がある。
【００２１】誘電体被膜は、液体誘電体を支持体、好ま
しくはポリエステルなどのポリマー支持体上に被覆する
ことによって調製する。フォトレジスト被膜に適したポ
リマー支持体として、例えばDuPontから商品名ＭＹＬＡ
Ｒ(R)で、またＩＣＩから商品名ＭＥＬＩＮＥＸで市販
されているポリエチレンテレフタレートがある。誘電体
被膜は、液体の形態またはペーストの形態で、例えばカ
ーテン・コーティング、スクリーン・コーティング、ロ
ーラ・コーティングまたはスプレー・コーティングなど
の従来の塗布法を使用して、ポリマー支持体に塗布す
る。
【００２２】方法 例えば非回路化電力コア、スチフナ、回路板、回路カー
ド、回路キャリア、有機および無機シングル・チップ・
モジュール、有機または無機マルチチップ・モジュー
ル、セラミック・キャリア、およびインタポーザ・カー
ドのような回路付き基板などの基板を提供する。
【００２３】誘電体被膜は、クラックの発生を防止する
と共に取扱い中に誘電体被膜に可塑性を与えるのに充分
な量の溶媒を含むことが好ましい。誘電体被膜の溶媒含
有量は、好ましくは約５重量％〜約３０重量％、さらに
好ましくは約９％〜約１５％の範囲とする。約１１％〜
約１３．５％の溶媒含有量を使用して、良好な結果が得
られた。誘電体被膜を被膜側を下にして配置し、好まし
くは真空またはホット・ロール積層法によって熱および
圧力を加えることにより、基板に接着する。被膜は基板
の片面または両面に塗布する。乾燥すると誘電体被膜に
なる液体誘電体材料は、スクリーン印刷によって塗布す
ることが好ましい。被膜を基板上に配置した後、裏当て
が存在すればそれを取り外し、誘電体被膜から溶媒を追
い出して、溶媒含有量を好ましくは約５％未満、さらに
好ましくは約１％未満にする。誘電体被膜は空気乾燥す
るか、または溶媒の除去を速めるために、加熱する。溶
媒を追い出すための適切な技術として、例えば傾斜加熱
法または段階加熱法がある。例えば、最初は約５０℃な
どの低温で加熱し、徐々に温度を約１２５℃まで上げる
ことによって、溶媒をゆっくりと追い出すか、または、
例えば約４０℃から約７０℃までの温度で乾燥し、次に
より高い温度で例えば約９０℃から約１４０℃まで、さ
らに好ましくは約９０℃から約１２５℃までの温度で乾
燥することによって溶媒を追い出す。
【００２４】好ましくは単一段階を使用してスルーホー
ルを誘電体被膜で充填し、かつスルーホール上に配置さ
れスルーホール内の誘電体被膜に接続された誘電体被膜
を形成する。好ましくは積層プレス、さらに好ましくは
真空積層プレスを使用して、誘電体被膜に圧力および温
度を付与して、誘電体被膜をスルーホール内に流入さ
せ、基板の最上部に水平で平坦な誘電体被膜を形成させ
る。基板の片面または両面に誘電体被膜を塗布する。真
空積層プレスを約５００ｐｓｉ、約１２５℃で約１時間
使用して、良好な結果が得られた。
【００２５】誘電体膜にビアなどの開口が望まれる場
合、そのような開口は、２通りの方法の１つを使用する
ことによって形成することが好ましい。１つの方法で
は、誘電体膜を通常の技術を用いて化学線で露光させ
る。所望のビアの位置に対応する領域を露光させるため
に、好ましくは誘電体被膜と接触した所望のアートワー
クを介して、誘電体膜を紫外光で露光させることが好ま
しい。次に誘電体被膜をベークして、化学線で露光され
た誘電体被膜を部分的に硬化する。次に、好ましくはプ
ロピレンカーボネートまたはブチロラクトンを使用して
誘電体被膜を現像すると、そこに設けられた開口、好ま
しくはビアを含む光結像された誘電体被膜が得られる。
ビアを誘電体で充填したメッキされたスルーホールに接
続したい所では、メッキされたスルーホールを取り囲む
ランドの銅周縁部と接触して終端するようにビアを画定
することができる。
【００２６】次に誘電体被膜を、好ましくは、最初に約
２５０〜約４００ｎｍの範囲の紫外光に露光し、続いて
熱硬化させる２段階工程で最終的に硬化させる。約１５
０℃〜約１８０℃の対流炉で３０〜９０分で、良好な熱
硬化が得られた。その後、通常の技術を使用して、望む
場合にはビアなどの開口をメタライズし、誘電体被膜の
上に回路機構を形成する。
【００２７】あるいは、リフロー段階中に金属箔、好ま
しくは銅箔を誘電体被膜に積層化することによって、誘
電体被膜にビアなどの孔を形成する。次に箔を約５ミク
ロンの厚さにエッチングすることが好ましく、箔の上に
通常のフォトレジストを塗布する。次に通常の技術を使
用してフォトレジストを光結像させて、所望のビア・パ
ターンを得る。その後、フォトレジストで覆われていな
い箔の領域をエッチングし、銅箔内にビア・パターンを
残す。次に、フォトレジストを除去し、箔内の「ビア」
の下にある誘電体被膜の部分を溶媒で溶解するか、また
はレーザ・アブレーションで除去することによって、ビ
アを形成する。適切な溶媒は、誘電体組成物を現像する
ために使用した溶媒である。プロピレンカーボネートを
使用して、適正な結果が得られた。次に、メッキなど通
常の技術を使用して、ビアをメタライズする。ビアと同
時に、またはその後に箔をメタライズする。箔は回路機
構のベースとして機能する。
【００２８】その結果得られる回路付き構造として、例
えば回路板、回路カード、回路キャリア、有機および無
機シングル・チップ・モジュール、有機または無機マル
チチップ・モジュール、セラミック・キャリア、および
インタポーザ・カードがある。
【００２９】本発明の方法の結果、回路付き構造が製作
される。図１に示すように、回路付き構造１０は、基板
１２と、基板１２に配置された回路形成スルーホールま
たはビア１４と、回路線２０と、光パターン化されたビ
ア１８を含む硬化した光結像された誘電体被膜１６と、
基板１２上に配置された回路機構２４で構成される。ス
ルーホールまたはビア１４は壁に沿って配置されたメッ
キ２２を有し、誘電体被膜１６の誘電体と連続した硬化
済み誘電体で充填される。誘電体被膜１６上の回路機構
２４は、光結像されたビア１８によって基板１２上のス
ルーホールまたはビア１４に電気的に接続される。
【００３０】
【実施例】以下の実施例は例示的なものであり、本発明
の範囲を限定するものではない。
【００３１】実施例１ 穿孔されメッキされたスルーホールを有する標準の部分
複合回路付きプリント回路板を提供した。パネルは、従
来のシプレー黒染（Shipley Black Oxide）法を用いて
亜塩素酸塩化（chlorited）した。
【００３２】約８６．５％〜約８９％の固体含有量を有
する光結像可能な誘電体組成物を提供した。この固体
は、フェノキシ樹脂ＰＫＨＣ約２７．４４％と、テトラ
ブロモビスフェノールＡのＥｐｉｒｅｚ ５１８３ ４
１．１６％と、八官能基エポキシビスフェノールＡ−ホ
ルムアルデヒド・ノボラック樹脂Ｅｐｉｒｅｚ ＳＵ−
８ ２２．８８％と、光開始剤ＵＶＥ １０１４ ４．
８５％と、エチルバイオレット染料０．０７％と、3M C
ompanyから市販されているフッ素化ポリエステル非イオ
ン表面活性剤ＦＣ４３０ ０．０３％と、Degussaから
市販されているアモルファス酸化シリコンＡｅｒｏｓｉ
ｌ ３８０ ３．８５％を含む。溶媒含有量は一般に約
２０％を超える。メチルエチルケトンと酢酸プロピレン
グリコールモノメチルエーテルの混合物を溶媒とした。
光結像可能な誘電体組成物を、デュポン社のポリエステ
ル・キャリアである「Ｍｙｌａｒ Ｄ」と呼ばれる厚さ
０．０３６ｍｍ（１．４２ミル）のポリエチレンテレフ
タレート上に被覆した。溶媒含有量を誘電体被膜の総重
量の約１１％〜約１３．５％とするために、光結像可能
な誘電体組成物を乾燥させて、ポリエチレンテレフタレ
ート・キャリア上に厚さ０．０７１ｍｍ（２．８ミル）
の光結像可能な誘電体被膜を形成した。
【００３３】誘電体被膜をパネルの両面に塗布し、１２
５℃で６０分間パネルを「ソフト・ベーク」して、乾燥
被膜から溶媒を実質的に除去した。溶媒含有量は約１％
未満に減少した。パネルのどちらの面でも誘電体被膜が
リリース・シートに隣接するように、パネルを積層プレ
スに配置した。パネルを１２５℃で６０分間積層化させ
て、誘電体被膜をリフローさせた。積層化の後、０．１
０ｍｍ（４ミル）のビア・パターンを有する被膜マスク
を介してパネルを紫外光で露光し、パネルを１２５℃で
１時間ベークし、誘電体被膜を現像してフォト・ビアを
形成した。次に、誘電体被膜に紫外線を当て、つまり４
ジュール／ｃｍ2の紫外光で露光し、その後１８０℃で
１時間ベークした。
【００３４】その結果得られた構造は、空隙を含まず完
全に充填されたスルーホールと、表面厚さが０．０３８
ｍｍ（１．５ミル）の非常に均一で平坦な誘電体被膜を
備えていた。その後、誘電体表面を従来の機械的または
化学的技術あるいはその両方によって粗面化し、次に従
来のメッキ技術を使用してビアをメタライズし、かつ誘
電体被膜の最上部に回路線を画定した。
【００３５】実施例２ 積層化中に誘電体表面に対して粗面の銅箔を配置するこ
とを除いて、実施例１と同じ工程を使用した。積層化の
後、銅箔をパネルからブランケット・エッチングにより
エッチングし、銅箔の複製表面を誘電体に残した。
【００３６】フォト・ビアを誘電体被膜内に画定した。
その後、通常のメッキ技術を使用してビアをメタライズ
し、誘電体被膜の上に回路線を画定した。メタライゼー
ションの前の誘電体の粗面化は行わなかった。
【００３７】その結果得られた構造は、空隙を含まず完
全に充填されメッキされたスルーホールと、厚さ０．０
３８ｍｍ（１．５ミル）の均一で平坦な粗い誘電体被膜
表面を有する。
【００３８】実施例３ 実施例２の場合と同様にして、誘電体被膜および銅箔を
積層化した。積層化の後、通常の塩化第二銅エッチング
法を使用して、銅箔を約５ミクロンの厚さにエッチング
した。次に、エッチングした銅箔の上に従来のアクリレ
ート乾燥被膜フォトレジストであるＨｅｒｃｕｌｅｓ
ＣＦＩ １．５を塗布し、ビア・パターンを光結像し
た。つまり、紫外光で露光し、この従来のフォトレジス
トで炭酸ナトリウムを使用して現像した。次に、銅箔に
ビア・パターンをエッチングし、水酸化ナトリウムを使
用してフォトレジストを剥離した。次に、エッチングし
た銅箔を現像マスクとして使用して、誘電体材料内にビ
アを現像した。つまり、現像用溶媒プロピレンカーボネ
ートで誘電体の一部分を除去することによって、エッチ
ングされた箔の開口部の下の誘電体内にビアを形成し
た。次に誘電体を１９０℃で２時間熱硬化した。次に、
エッチングした銅箔の上に銅回路をメッキし、基部の箔
をフラッシュ・エッチングすることにより、ビアをメタ
ライズし、回路を形成した。
【００３９】実施例１および２で形成された回路付き構
造の断面を、約１００倍および２５０倍の倍率で検査し
た。誘電体被膜および誘電体スルーホールの断面には、
ボイドがないことが分かった。フォト・ビアの断面分析
から、規則正しく真っ直ぐな壁が明らかになった。実施
例１および２に従って形成された回路付き構造は、回路
が連続しており、かつ誘電体被膜の上の回路機構がスル
ーホールと電気的に連絡していることを示した。
【００４０】本発明の方法は、充填されメッキされたス
ルーホールを非常に費用効果の高い形で実現する。本発
明の方法は、スルーホールを充填し、誘電体被膜を形成
するという２段階工程の必要性をなくし、両方を単段階
で実行する。本発明の方法は、スルーホール充填組成物
の必要性をなくし、瘤を除去する必要性をなくし、誘電
体被膜を平坦化する必要性をなくし、かつ平坦でない表
面や不完全な瘤の除去、瘤除去中の引裂きによるエッチ
ング上の問題など下流工程での処理問題による損失を軽
減することによって歩留まりを向上させる。本発明の別
の利点は、非常に平坦な表面が生成されることである。
表面の変動は、従来の技術による０．００５〜０．０１
８ｍｍ（０．０００２〜０．０００７インチ）の変動に
対して、０．００２５ｍｍ（０．０００１インチ）未満
である。非常に平坦な表面が生成されるので、配線密度
もずっと高くなる。配線間の間隔は一般に０．０７６ｍ
ｍ（０．００３インチ）未満であり、典型的には約０．
０５１〜０．０７６ｍｍ（０．００２〜０．００３イン
チ）である。従来の孔充填技術により生成される配線の
間隔は一般に、約０．１０ｍｍ（０．００４インチ）以
上であった。
【００４１】本発明の方法は、カプセル封じ材が孔内に
流入するのを防止するために開口を充填するのに有用で
ある。
【００４２】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００４３】（１）回路付き基板の開口を充填する方法
において、（ａ）開口と、基板上に配置された前記開口
を覆う誘電体被膜とを有する回路付き基板を提供する段
階と、（ｂ）前記誘電体被膜を基板の開口内にリフロー
させて、誘電体被膜を基板に接着させると共に、誘電体
被膜から開口内にまで延びる連続した誘電体を設ける段
階とを含む方法。 （２）前記段階（ｂ）の後に誘電体被膜内に開口を画定
するために、誘電体被膜をパターン形成する段階をさら
に含む、上記（１）に記載の方法。 （３）誘電体被膜の開口をメタライズする段階をさらに
含む、上記（２）に記載の方法。 （４）（ｃ）前記段階（ｂ）の途中または後で、誘電体
被膜に金属箔を積層化する段階と、（ｄ）次に金属箔に
開口パターンを形成する段階と、（ｅ）次に金属箔の開
口パターンに対応する開口を誘電体被膜に形成する段階
とをさらに含む、上記（１）に記載の方法。 （５）誘電体被膜の開口をメタライズする段階と、箔を
メタライズする段階とをさらに含む、上記（４）に記載
の方法。 （６）誘電体被膜が約５〜３０％の溶媒を含む、上記
（１）に記載の方法。 （７）前記基板の開口がスルーホールである、上記
（１）に記載の方法。 （８）前記誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
光開始剤と、無機微粒子０〜５０％とを含む約５０〜１
００％のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記（１）
に記載の方法。 （９）前記エポキシ樹脂系が、分子量約６０，０００〜
９０，０００のフェノキシポリオール樹脂２０〜４０％
と、分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多官
能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約２５〜３０％と、分子量約１，０００〜１，７０
０のビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５〜
５０％とを含み、前記固体が約０．０１％〜５０％の無
機微粒子を含む、上記（８）に記載の方法。 （１０）前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約０．００
３、エポキシ当量約３７，０００、ガラス遷移温度約９
８℃のフェノキシポリオール樹脂約３０％と、エポキシ
価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約８２℃の
八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約２５％と、エポキシ価約０．１５、
エポキシ当量約６７５、融点約９７℃のテトラブロモビ
スフェノールＡであるジグリシジルエーテル約４５％
と、樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、上記
（９）に記載の方法。 （１１）回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記（８）に記載の方法。 （１２）誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
光開始剤と、０〜５０％の無機微粒子とを含む約５０〜
１００％のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
（２）に記載の方法。 （１３）エポキシ樹脂系が、分子量約６０，０００〜９
０，０００のフェノキシポリオール樹脂２０〜４０％
と、分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多官
能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約２５〜３０％と、分子量約１，０００〜１，７０
０のビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５〜
５０％とを含み、前記固体が約０．０１％〜５０％の無
機微粒子を含む、上記（１２）に記載の方法。 （１４）前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約０．００
３、エポキシ当量約３７，０００、ガラス遷移温度約９
８℃のフェノキシポリオール樹脂約３０％と、エポキシ
価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約８２℃の
八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約２５％と、エポキシ価約０．１５、
エポキシ当量約６７５、融点約９７℃のテトラブロモビ
スフェノールＡであるジグリシジルエーテル約４５％
と、樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、上記
（１３）に記載の方法。 （１５）回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記（１２）に記載の方法。 （１６）誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
光開始剤と、０〜５０％の無機微粒子とを含む約５０〜
１００％のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
（３）に記載の方法。 （１７）前記エポキシ樹脂系が、分子量約６０，０００
〜９０，０００のフェノキシポリオール樹脂２０〜４０
％と、分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多
官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラッ
ク樹脂約２５〜３０％と、分子量約１，０００〜１，７
００のビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５
〜５０％とを含み、前記固体が約０．０１％〜５０％の
無機微粒子を含む、上記（１６）に記載の方法。 （１８）前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約０．００
３、エポキシ当量約３７，０００、ガラス遷移温度約９
８℃のフェノキシポリオール樹脂約３０％と、エポキシ
価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約８２℃の
八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約２５％と、エポキシ価約０．１５、
エポキシ当量約６７５、融点約９７℃のテトラブロモビ
スフェノールＡであるジグリシジルエーテル約４５％
と、樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、上記
（１７）に記載の方法。 （１９）回路化構造が、回路板、回路カード、回路キャ
リア、有機または無機シングル・チップ・モジュール、
有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミック
・キャリア、またはインタポーザ・カードである、上記
（１６）に記載の方法。 （２０）誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
光開始剤と、０〜５０％の無機微粒子とを含む約５０〜
１００％のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
（４）に記載の方法。 （２１）エポキシ樹脂系が、分子量約６０，０００〜９
０，０００のフェノキシポリオール樹脂２０〜４０％
と、分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多官
能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック
樹脂約２５〜３０％と、分子量約１，０００〜１，７０
０のビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５〜
５０％とを含み、前記固体が約０．０１％〜５０％の無
機微粒子を含む、上記（２０）に記載の方法。 （２２）前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約０．００
３、エポキシ当量約３７，０００、ガラス遷移温度約９
８℃のフェノキシポリオール樹脂約３０％と、エポキシ
価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約８２℃の
八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約２５％と、エポキシ価約０．１５、
エポキシ当量約６７５、融点約９７℃のテトラブロモビ
スフェノールＡであるジグリシジルエーテル約４５％
と、樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、上記
（２１）に記載の方法。 （２３）回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記（２０）に記載の方法。 （２４）誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
光開始剤と、無機微粒子０〜５０％とを含み、約５０〜
１００％のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
（５）に記載の方法。 （２５）前記エポキシ樹脂系が、分子量約６０，０００
〜９０，０００のフェノキシポリオール樹脂２０〜４０
％と、分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多
官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラッ
ク樹脂約２５〜３０％と、分子量約１，０００〜１，７
００のビスフェノールＡのジグリシジルエーテル約３５
〜５０％とを含み、前記固体が約０．０１％〜５０％の
無機微粒子を含む、上記（２４）に記載の方法。 （２６）前記エポキシ樹脂系が、エポキシ価約０．００
３、エポキシ当量約３７，０００、ガラス遷移温度約９
８℃のフェノキシポリオール樹脂約３０％と、エポキシ
価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約８２℃の
八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド
・ノボラック樹脂約２５％と、エポキシ価約０．１５、
エポキシ当量約６７５、融点約９７℃のテトラブロモビ
スフェノールＡであるジグリシジルエーテル約４５％
と、樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前
記固体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、上記
（２５）に記載の方法。 （２７）回路付き構造が、回路板、回路カード、回路キ
ャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュー
ル、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラミ
ック・キャリア、またはインタポーザ・カードである、
上記（２４）に記載の方法。 （２８）ａ．回路付き基板と、 ｂ．前記基板に配置されたメッキされた開口と、 ｃ．前記基板上にそれと接触して配置され、基板の開口
内に延在してこれを充填する硬化されたパターン化誘電
体被膜と、 ｄ．前記誘電体被膜に配置され、前記メッキ開口と電気
的に接触しているメタライズされたパターン化ビアと、 ｅ．前記誘電体被膜上にそれに接着して配置され、前記
ビアに電気的に接続され、前記ビアが回路機構と電気的
に接続されている回路機構とを含む回路付き構造。 （２９）前記基板の開口がメッキされたスルーホールで
ある、上記（２８）に記載の回路付き構造。 （３０）前記誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
ルＡのジグリシジルエーテル約０％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
光開始剤と、０〜５０％の無機微粒子とを含み、約５０
〜約１００％のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、上記
（２９）に記載の回路付き構造。 （３１）分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピ
クロロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物である
フェノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、分子量約
６０，０００〜９０，０００のフェノキシポリオール樹
脂２０〜４０％と、分子量約５，０００〜７，０００の
エポキシ化多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒ
ド・ノボラック樹脂約２５〜３０％と、分子量約１，０
００〜１，７００のビスフェノールＡのジグリシジルエ
ーテル約３５〜５０％とを含む、上記（２９）に記載の
回路付き構造。 （３２）エポキシ価約０．００３、エポキシ当量約３
７，０００、ガラス遷移温度約９８℃のフェノキシポリ
オール樹脂約３０％と、エポキシ価約０．４７、エポキ
シ当量約２１５、融点約８２℃の八官能性エポキシビス
フェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂約２
５％と、エポキシ価約０．１５、エポキシ当量約６７
５、融点約９７℃のテトラブロモビスフェノールＡであ
るジグリシジルエーテル約４５％と、樹脂重量の約５重
量部のヘキサフルオロアンチモン酸トリアリールスルホ
ニウム光開始剤錯体と、二酸化シリコンから成る約０．
１％〜約１０％の無機微粒子とを含む、上記（３１）に
記載の回路板。 （３３）前記回路付き構造が、回路板、回路カード、回
路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュ
ール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラ
ミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
る、上記（２８）に記載の回路付き構造。 （３４）前記回路付き構造がプリント回路板である、上
記（２８）に記載の回路付き構造。 （３５）前記誘電体被膜上に配置された回路機構が銅ベ
ースおよび前記銅ベース上に配置されたメッキされた銅
で構成される、上記（２８）に記載の回路付き構造。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路付き構造の断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 3/40 Ｈ０１Ｂ 3/40 Ｆ Ｇ Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｈ (72)発明者 ジョン・エム・ラウファー アメリカ合衆国14892 ニューヨーク州ウ ェイヴァリー リンカーン・ストリート・ エクステンション 213 (72)発明者 ヴォヤ・アール・マルコヴィッチ アメリカ合衆国13760 ニューヨーク州エ ンドウェル ジョエル・ドライブ 3611 (72)発明者 チェリル・エル・パロマキ アメリカ合衆国13760 ニューヨーク州エ ンディコット ロンドン・レーン 24 (72)発明者 ウィリアム・イー・ウィルソン アメリカ合衆国14892 ニューヨーク州ウ ェイヴァリー エイカーズ・アベニュー 410

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】回路付き基板の開口を充填する方法におい
    て、 （ａ）開口と、基板上に配置された前記開口を覆う誘電
    体被膜とを有する回路付き基板を提供する段階と、 （ｂ）前記誘電体被膜を基板の開口内にリフローさせ
    て、誘電体被膜を基板に接着させると共に、誘電体被膜
    から開口内にまで延びる連続した誘電体を設ける段階と
    を含む方法。
  2. 【請求項２】前記段階（ｂ）の後に誘電体被膜内に開口
    を画定するために、誘電体被膜をパターン形成する段階
    をさらに含む、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】誘電体被膜の開口をメタライズする段階を
    さらに含む、請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】（ｃ）前記段階（ｂ）の途中または後で、
    誘電体被膜に金属箔を積層化する段階と、 （ｄ）次に金属箔に開口パターンを形成する段階と、 （ｅ）次に金属箔の開口パターンに対応する開口を誘電
    体被膜に形成する段階とをさらに含む、請求項１に記載
    の方法。
  5. 【請求項５】誘電体被膜の開口をメタライズする段階
    と、箔をメタライズする段階とをさらに含む、請求項４
    に記載の方法。
  6. 【請求項６】誘電体被膜が約５〜３０％の溶媒を含む、
    請求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】前記基板の開口がスルーホールである、請
    求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】前記誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
    ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
    ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
    多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
    ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
    ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
    光開始剤と、 無機微粒子０〜５０％とを含む約５０〜１００％のエポ
    キシ樹脂系を含む固体を含む、請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】前記エポキシ樹脂系が、 分子量約６０，０００〜９０，０００のフェノキシポリ
    オール樹脂２０〜４０％と、 分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多官能性
    ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
    約２５〜３０％と、 分子量約１，０００〜１，７００のビスフェノールＡの
    ジグリシジルエーテル約３５〜５０％とを含み、前記固
    体が約０．０１％〜５０％の無機微粒子を含む、請求項
    ８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約０．００３、エポキシ当量約３７，００
    ０、ガラス遷移温度約９８℃のフェノキシポリオール樹
    脂約３０％と、 エポキシ価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約
    ８２℃の八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムア
    ルデヒド・ノボラック樹脂約２５％と、 エポキシ価約０．１５、エポキシ当量約６７５、融点約
    ９７℃のテトラブロモビスフェノールＡであるジグリシ
    ジルエーテル約４５％と、 樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
    リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
    体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、請求項９に
    記載の方法。
  11. 【請求項１１】回路付き構造が、回路板、回路カード、
    回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジ
    ュール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セ
    ラミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
    る、請求項８に記載の方法。
  12. 【請求項１２】誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
    ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
    ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
    多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
    ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
    ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
    光開始剤と、 ０〜５０％の無機微粒子とを含む約５０〜１００％のエ
    ポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項２に記載の方
    法。
  13. 【請求項１３】エポキシ樹脂系が、 分子量約６０，０００〜９０，０００のフェノキシポリ
    オール樹脂２０〜４０％と、 分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多官能性
    ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
    約２５〜３０％と、 分子量約１，０００〜１，７００のビスフェノールＡの
    ジグリシジルエーテル約３５〜５０％とを含み、前記固
    体が約０．０１％〜５０％の無機微粒子を含む、請求項
    １２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約０．００３、エポキシ当量約３７，００
    ０、ガラス遷移温度約９８℃のフェノキシポリオール樹
    脂約３０％と、 エポキシ価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約
    ８２℃の八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムア
    ルデヒド・ノボラック樹脂約２５％と、 エポキシ価約０．１５、エポキシ当量約６７５、融点約
    ９７℃のテトラブロモビスフェノールＡであるジグリシ
    ジルエーテル約４５％と、 樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
    リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
    体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、請求項１３
    に記載の方法。
  15. 【請求項１５】回路付き構造が、回路板、回路カード、
    回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジ
    ュール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セ
    ラミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
    る、請求項１２に記載の方法。
  16. 【請求項１６】誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
    ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
    ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
    多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
    ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
    ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
    光開始剤と、 ０〜５０％の無機微粒子とを含む約５０〜１００％のエ
    ポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項３に記載の方
    法。
  17. 【請求項１７】前記エポキシ樹脂系が、 分子量約６０，０００〜９０，０００のフェノキシポリ
    オール樹脂２０〜４０％と、 分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多官能性
    ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
    約２５〜３０％と、 分子量約１，０００〜１，７００のビスフェノールＡの
    ジグリシジルエーテル約３５〜５０％とを含み、前記固
    体が約０．０１％〜５０％の無機微粒子を含む、請求項
    １６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約０．００３、エポキシ当量約３７，００
    ０、ガラス遷移温度約９８℃のフェノキシポリオール樹
    脂約３０％と、 エポキシ価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約
    ８２℃の八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムア
    ルデヒド・ノボラック樹脂約２５％と、 エポキシ価約０．１５、エポキシ当量約６７５、融点約
    ９７℃のテトラブロモビスフェノールＡであるジグリシ
    ジルエーテル約４５％と、 樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
    リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
    体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、請求項１７
    に記載の方法。
  19. 【請求項１９】回路化構造が、回路板、回路カード、回
    路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジュ
    ール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セラ
    ミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
    る、請求項１６に記載の方法。
  20. 【請求項２０】誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
    ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
    ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
    多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
    ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
    ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
    光開始剤と、 ０〜５０％の無機微粒子とを含む約５０〜１００％のエ
    ポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項４に記載の方
    法。
  21. 【請求項２１】エポキシ樹脂系が、 分子量約６０，０００〜９０，０００のフェノキシポリ
    オール樹脂２０〜４０％と、 分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多官能性
    ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
    約２５〜３０％と、 分子量約１，０００〜１，７００のビスフェノールＡの
    ジグリシジルエーテル約３５〜５０％とを含み、前記固
    体が約０．０１％〜５０％の無機微粒子を含む、請求項
    ２０に記載の方法。
  22. 【請求項２２】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約０．００３、エポキシ当量約３７，００
    ０、ガラス遷移温度約９８℃のフェノキシポリオール樹
    脂約３０％と、 エポキシ価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約
    ８２℃の八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムア
    ルデヒド・ノボラック樹脂約２５％と、 エポキシ価約０．１５、エポキシ当量約６７５、融点約
    ９７℃のテトラブロモビスフェノールＡであるジグリシ
    ジルエーテル約４５％と、 樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
    リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
    体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、請求項２１
    に記載の方法。
  23. 【請求項２３】回路付き構造が、回路板、回路カード、
    回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジ
    ュール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セ
    ラミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
    る、請求項２０に記載の方法。
  24. 【請求項２４】誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
    ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
    ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
    多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
    ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
    ルＡのジグリシジルエーテル約３５％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
    光開始剤と、 無機微粒子０〜５０％とを含み、約５０〜１００％のエ
    ポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項５に記載の方
    法。
  25. 【請求項２５】前記エポキシ樹脂系が、 分子量約６０，０００〜９０，０００のフェノキシポリ
    オール樹脂２０〜４０％と、 分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多官能性
    ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
    約２５〜３０％と、 分子量約１，０００〜１，７００のビスフェノールＡの
    ジグリシジルエーテル約３５〜５０％とを含み、前記固
    体が約０．０１％〜５０％の無機微粒子を含む、請求項
    ２４に記載の方法。
  26. 【請求項２６】前記エポキシ樹脂系が、 エポキシ価約０．００３、エポキシ当量約３７，００
    ０、ガラス遷移温度約９８℃のフェノキシポリオール樹
    脂約３０％と、 エポキシ価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約
    ８２℃の八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムア
    ルデヒド・ノボラック樹脂約２５％と、 エポキシ価約０．１５、エポキシ当量約６７５、融点約
    ９７℃のテトラブロモビスフェノールＡであるジグリシ
    ジルエーテル約４５％と、 樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
    リアリールスルホニウム光開始剤錯体とを含み、前記固
    体が０．１％〜１０％の無機微粒子を含む、請求項２５
    に記載の方法。
  27. 【請求項２７】回路付き構造が、回路板、回路カード、
    回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・モジ
    ュール、有機または無機マルチチップ・モジュール、セ
    ラミック・キャリア、またはインタポーザ・カードであ
    る、請求項２４に記載の方法。
  28. 【請求項２８】ａ．回路付き基板と、 ｂ．前記基板に配置されたメッキされた開口と、 ｃ．前記基板上にそれと接触して配置され、基板の開口
    内に延在してこれを充填する硬化されたパターン化誘電
    体被膜と、 ｄ．前記誘電体被膜に配置され、前記メッキ開口と電気
    的に接触しているメタライズされたパターン化ビアと、 ｅ．前記誘電体被膜上にそれに接着して配置され、前記
    ビアに電気的に接続され、前記ビアが回路機構と電気的
    に接続されている回路機構とを含む回路付き構造。
  29. 【請求項２９】前記基板の開口がメッキされたスルーホ
    ールである、請求項２８に記載の回路付き構造。
  30. 【請求項３０】前記誘電体被膜が、 ｉ．分子量約４０，０００〜１３０，０００のエピクロ
    ロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物であるフェ
    ノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 ｉｉ．分子量約４，０００〜１０，０００のエポキシ化
    多官能性ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラ
    ック樹脂約２０〜９０％と、 ｉｉｉ．分子量約６００〜約２，５００のビスフェノー
    ルＡのジグリシジルエーテル約０％〜５０％と、 ｉｖ．樹脂の総重量の約０．１〜１５重量部の陽イオン
    光開始剤と、 ０〜５０％の無機微粒子とを含み、約５０〜約１００％
    のエポキシ樹脂系を含む固体を含む、請求項２９に記載
    の回路付き構造。
  31. 【請求項３１】分子量約４０，０００〜１３０，０００
    のエピクロロヒドリンとビスフェノールＡの縮合生成物
    であるフェノキシポリオール樹脂約１０〜８０％と、 分子量約６０，０００〜９０，０００のフェノキシポリ
    オール樹脂２０〜４０％と、 分子量約５，０００〜７，０００のエポキシ化多官能性
    ビスフェノールＡ−ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂
    約２５〜３０％と、 分子量約１，０００〜１，７００のビスフェノールＡの
    ジグリシジルエーテル約３５〜５０％とを含む、請求項
    ２９に記載の回路付き構造。
  32. 【請求項３２】エポキシ価約０．００３、エポキシ当量
    約３７，０００、ガラス遷移温度約９８℃のフェノキシ
    ポリオール樹脂約３０％と、 エポキシ価約０．４７、エポキシ当量約２１５、融点約
    ８２℃の八官能性エポキシビスフェノールＡ−ホルムア
    ルデヒド・ノボラック樹脂約２５％と、 エポキシ価約０．１５、エポキシ当量約６７５、融点約
    ９７℃のテトラブロモビスフェノールＡであるジグリシ
    ジルエーテル約４５％と、 樹脂重量の約５重量部のヘキサフルオロアンチモン酸ト
    リアリールスルホニウム光開始剤錯体と、 二酸化シリコンから成る約０．１％〜約１０％の無機微
    粒子とを含む、請求項３１に記載の回路板。
  33. 【請求項３３】前記回路付き構造が、回路板、回路カー
    ド、回路キャリア、有機または無機シングル・チップ・
    モジュール、有機または無機マルチチップ・モジュー
    ル、セラミック・キャリア、またはインタポーザ・カー
    ドである、請求項２８に記載の回路付き構造。
  34. 【請求項３４】前記回路付き構造がプリント回路板であ
    る、請求項２８に記載の回路付き構造。
  35. 【請求項３５】前記誘電体被膜上に配置された回路機構
    が銅ベースおよび前記銅ベース上に配置されたメッキさ
    れた銅で構成される、請求項２８に記載の回路付き構
    造。
JP11242104A 1998-09-24 1999-08-27 スル―ホ―ルの新規の充填方法 Pending JP2000188473A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/159938 1998-09-24
US09/159,938 US6204456B1 (en) 1998-09-24 1998-09-24 Filling open through holes in a multilayer board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000188473A true JP2000188473A (ja) 2000-07-04

Family

ID=22574754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11242104A Pending JP2000188473A (ja) 1998-09-24 1999-08-27 スル―ホ―ルの新規の充填方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6204456B1 (ja)
JP (1) JP2000188473A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009299006A (ja) * 2008-05-14 2009-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 樹脂組成物及びその塗布方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6195883B1 (en) * 1998-03-25 2001-03-06 International Business Machines Corporation Full additive process with filled plated through holes
US6066889A (en) * 1998-09-22 2000-05-23 International Business Machines Corporation Methods of selectively filling apertures
US6156221A (en) * 1998-10-02 2000-12-05 International Business Machines Corporation Copper etching compositions, processes and products derived therefrom
US6528218B1 (en) * 1998-12-15 2003-03-04 International Business Machines Corporation Method of fabricating circuitized structures
US6274937B1 (en) * 1999-02-01 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Silicon multi-chip module packaging with integrated passive components and method of making
US6492600B1 (en) * 1999-06-28 2002-12-10 International Business Machines Corporation Laminate having plated microvia interconnects and method for forming the same
US6361923B1 (en) * 1999-08-17 2002-03-26 International Business Machines Corporation Laser ablatable material and its use
KR100346400B1 (ko) * 1999-12-16 2002-08-01 엘지전자주식회사 다층 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US6497943B1 (en) * 2000-02-14 2002-12-24 International Business Machines Corporation Surface metal balancing to reduce chip carrier flexing
US6720502B1 (en) * 2000-05-15 2004-04-13 International Business Machine Corporation Integrated circuit structure
US6638622B2 (en) * 2001-01-11 2003-10-28 Hitachi Global Storage Technologies Perfluorinated polyethers with metal carboxylate end groups as anti-wetting and corrosion-protective agents
JP2003023248A (ja) * 2001-07-05 2003-01-24 Nitto Denko Corp 多層フレキシブル配線回路基板およびその製造方法
EP1280394A1 (fr) * 2001-07-26 2003-01-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Appareil comportant des contacts faits de pistes de carbone et procédé pour les réaliser
US6713686B2 (en) 2002-01-18 2004-03-30 International Business Machines Corporation Apparatus and method for repairing electronic packages
US6608757B1 (en) * 2002-03-18 2003-08-19 International Business Machines Corporation Method for making a printed wiring board
US6809269B2 (en) * 2002-12-19 2004-10-26 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate assembly and method of making same
KR101020164B1 (ko) 2003-07-17 2011-03-08 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 진보된 마이크로전자적 응용을 위한 평탄화 막, 및 이를제조하기 위한 장치 및 방법
US7189929B2 (en) * 2004-01-16 2007-03-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Flexible circuit with cover layer
US7449280B2 (en) * 2004-05-26 2008-11-11 Microchem Corp. Photoimageable coating composition and composite article thereof
US20060097113A1 (en) * 2004-10-18 2006-05-11 Aai Corporation Payload ejection system
US20060257785A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Johnson Donald W Method of forming a photoresist element
RU2534024C1 (ru) * 2013-05-29 2014-11-27 Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных системы" (ОАО "Российские космические системы") Способ изготовления многослойной печатной платы сверхплотного монтажа
US9822227B2 (en) 2014-09-16 2017-11-21 Isola Usa Corp. High Tg epoxy formulation with good thermal properties
RU2619913C2 (ru) * 2015-09-17 2017-05-19 Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") Способ получения заполненных переходных металлизированных сквозных отверстий печатной платы
US10340182B2 (en) 2015-11-30 2019-07-02 International Business Machines Corporation Enhanced via fill material and processing for dual damscene integration
CN111199888A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 奥特斯奥地利科技与***技术有限公司 包括pid的部件承载件以及制造部件承载件的方法
US11233342B2 (en) * 2019-08-05 2022-01-25 Ford Global Technologies, Llc Fastening flat conductor in an electrical assembly

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3471631A (en) * 1968-04-03 1969-10-07 Us Air Force Fabrication of microminiature multilayer circuit boards
US4058401A (en) 1974-05-02 1977-11-15 General Electric Company Photocurable compositions containing group via aromatic onium salts
US4175963A (en) 1974-05-02 1979-11-27 General Electric Company Method of exposing and curing an epoxy composition containing an aromatic onium salt
GB1512982A (en) 1974-05-02 1978-06-01 Gen Electric Salts
US3982045A (en) 1974-10-11 1976-09-21 Macdermid Incorporated Method of manufacture of additive printed circuitboards using permanent resist mask
US4081276A (en) 1976-10-18 1978-03-28 General Electric Company Photographic method
US4138255A (en) 1977-06-27 1979-02-06 General Electric Company Photo-curing method for epoxy resin using group VIa onium salt
US4169732A (en) 1978-01-09 1979-10-02 International Business Machines Corporation Photosensitive coating composition and use thereof
US4230814A (en) 1979-02-12 1980-10-28 General Electric Company Heat curable compositions
US4246147A (en) 1979-06-04 1981-01-20 International Business Machines Corporation Screenable and strippable solder mask and use thereof
US4376815A (en) 1979-10-22 1983-03-15 Oddi Michael J Method of applying photoresist by screening in the formation of printed circuits
US4378074A (en) 1981-05-18 1983-03-29 Minnesota Mining And Manufacturing Company Easy open closure system
US4358552A (en) 1981-09-10 1982-11-09 Morton-Norwich Products, Inc. Epoxy resinous molding compositions having low coefficient of thermal expansion and high thermal conductivity
DE3265242D1 (en) 1981-09-17 1985-09-12 Ciba Geigy Ag Light-sensitive coating agent and its use in protection purposes
US4442197A (en) 1982-01-11 1984-04-10 General Electric Company Photocurable compositions
EP0099856B1 (de) 1982-06-24 1987-11-11 Ciba-Geigy Ag Photopolymerisierbares Beschichtungsmittel, photopolymerisierbares Material und seine Verwendung
US4855333A (en) 1982-06-28 1989-08-08 International Business Machines Corp. Multiple wire photosensitive adhesive for wire embedment
US4451550A (en) 1982-07-29 1984-05-29 James River Graphics, Inc. Vesicular film and composition with phenoxy resin matrix
DE3231145A1 (de) 1982-08-21 1984-02-23 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Negativ arbeitendes verfahren zur herstellung von reliefbildern oder resistmustern
US4479983A (en) 1983-01-07 1984-10-30 International Business Machines Corporation Method and composition for applying coatings on printed circuit boards
ATE37889T1 (de) 1984-06-29 1988-10-15 Siemens Ag Thermostabiles, durch bestrahlung vernetzbares polymersystem auf der basis von bisphenolen und epichlorhydrin sowie verfahren zu seiner verwendung.
US4578425A (en) 1985-02-13 1986-03-25 Schenectady Chemicals, Inc. Phenolic resins, carboxylic resins and the elastomers containing adhesive
US5246817A (en) 1985-08-02 1993-09-21 Shipley Company, Inc. Method for manufacture of multilayer circuit board
US4882245A (en) 1985-10-28 1989-11-21 International Business Machines Corporation Photoresist composition and printed circuit boards and packages made therewith
US5208067A (en) 1986-04-14 1993-05-04 International Business Machines Corporation Surface modification of organic materials to improve adhesion
JPS62273226A (ja) 1986-05-20 1987-11-27 Nippon Soda Co Ltd 無電解メッキ用光硬化性レジスト樹脂組成物
US4701351A (en) 1986-06-16 1987-10-20 International Business Machines Corporation Seeding process for electroless metal deposition
EP0255989B1 (de) 1986-08-06 1990-11-22 Ciba-Geigy Ag Negativ-Photoresist auf Basis von Polyphenolen und Epoxidverbindungen oder Vinylethern
JPH0688430B2 (ja) 1986-11-18 1994-11-09 ブラザー工業株式会社 文書編集装置
US4994346A (en) 1987-07-28 1991-02-19 Ciba-Geigy Corporation Negative photoresist based on polyphenols and selected epoxy or vinyl ether compounds
US4867839A (en) 1987-09-04 1989-09-19 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Process for forming a circuit substrate
US4882454A (en) * 1988-02-12 1989-11-21 Texas Instruments Incorporated Thermal interface for a printed wiring board
US4885319A (en) 1988-02-29 1989-12-05 Gaf Corporation Solvent resistant irradiation curable coatings
JPH0234984A (ja) 1988-04-13 1990-02-05 Mitsubishi Electric Corp プリント回路基板の製造方法
US5439766A (en) 1988-12-30 1995-08-08 International Business Machines Corporation Composition for photo imaging
US5026624A (en) 1989-03-03 1991-06-25 International Business Machines Corporation Composition for photo imaging
US5300402A (en) 1988-12-30 1994-04-05 International Business Machines Corporation Composition for photo imaging
US5264325A (en) 1988-12-30 1993-11-23 International Business Machines Corporation Composition for photo imaging
US4940651A (en) 1988-12-30 1990-07-10 International Business Machines Corporation Method for patterning cationic curable photoresist
US5278010A (en) 1989-03-03 1994-01-11 International Business Machines Corporation Composition for photo imaging
US5304457A (en) 1989-03-03 1994-04-19 International Business Machines Corporation Composition for photo imaging
US4911786A (en) 1989-04-26 1990-03-27 International Business Machines Corporation Method of etching polyimides and resulting passivation structure
US5667934A (en) 1990-10-09 1997-09-16 International Business Machines Corporation Thermally stable photoimaging composition
US5315072A (en) * 1992-01-27 1994-05-24 Hitachi Seiko, Ltd. Printed wiring board having blind holes
US5397685A (en) 1992-02-03 1995-03-14 Shipley Company Inc. Light-sensitive composition and process
US5455459A (en) * 1992-03-27 1995-10-03 Martin Marietta Corporation Reconstructable interconnect structure for electronic circuits
US5473120A (en) * 1992-04-27 1995-12-05 Tokuyama Corporation Multilayer board and fabrication method thereof
DE4310814C2 (de) 1993-04-02 1997-11-27 Du Pont Deutschland Verfahren zur Beschichtung von Leiterplatten
JPH06334279A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Minolta Camera Co Ltd 多層フレキシブル電装基板
US5487218A (en) 1994-11-21 1996-01-30 International Business Machines Corporation Method for making printed circuit boards with selectivity filled plated through holes
US5545510A (en) 1995-03-28 1996-08-13 Mac Dermid, Inc. Photodefinable dielectric composition useful in the manufacture of printed circuits
JP3190251B2 (ja) 1995-06-06 2001-07-23 太陽インキ製造株式会社 アルカリ現像型のフレキシブルプリント配線板用光硬化性・熱硬化性樹脂組成物
US5884397A (en) * 1996-08-06 1999-03-23 International Business Machines Corporation Method for fabricating chip carriers and printed circuit boards
US5949030A (en) * 1997-11-14 1999-09-07 International Business Machines Corporation Vias and method for making the same in organic board and chip carriers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009299006A (ja) * 2008-05-14 2009-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 樹脂組成物及びその塗布方法
US8455058B2 (en) 2008-05-14 2013-06-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resin composition and coating method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US6204456B1 (en) 2001-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000188473A (ja) スル―ホ―ルの新規の充填方法
KR100295732B1 (ko) 인쇄배선기판홀충진방법
TWI224488B (en) Process for creating vias for circuit assemblies
US6376158B1 (en) Methods for selectively filling apertures
EP0144063B1 (en) Single exposure process for preparing printed circuits
KR100273933B1 (ko) 선택적으로 충진된 도금 스루 홀을 구비하는 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법
US4360570A (en) Use of photosensitive stratum to create through-hole connections in circuit boards
WO1991014015A1 (en) Method and materials for forming multi-layer circuits by an additive process
KR20010006436A (ko) 고밀도 다층 인터커넥트 인쇄회로기판의 제조
JPH0690074A (ja) 超小型電子回路パッケージの製造方法
US8288266B2 (en) Circuitized substrate assembly
JP3080366B2 (ja) 無電解金属めっき法及び回路化構造体
KR100417544B1 (ko) 인쇄 회로 보드, 인쇄 회로 보드 제조 방법, 및 유전 중합체 합성물
KR20010006494A (ko) 다층 인쇄배선기판에서의 마이크로비아의 대량 생산을 위한 양각 광한정가능 수지 코팅 금속
JP3178417B2 (ja) 半導体キャリアおよびその製造方法
JPH09232741A (ja) プリント配線板
JP2616572B2 (ja) 多層印刷配線板の製造方法
WO2002068525A1 (en) Positive photodefinable composition of polycarboxylic acid, phenolic and thermocurable resins
JP3189297B2 (ja) プリント配線板の製造装置とそれを用いたプリント配線板の製造方法
JP2896296B2 (ja) セラミックス配線基板の製造方法
JP2004240233A (ja) ソルダーレジスト組成物、回路基板及びその製造方法
JP3956408B2 (ja) 多層配線板の製造方法
JP3616657B2 (ja) プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP2660943B2 (ja) 回路基板の接着方法
JP2000059010A (ja) プリント配線板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040217