JP3019027B2 - リジッド・フレキシブル基板を用いたicパッケージの構造 - Google Patents

リジッド・フレキシブル基板を用いたicパッケージの構造

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置に関し、特にリジッド・フレキシブル基板を利用した
ICパッケージの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIの高集積化・高速化に伴い、LS
Iの多ピン化傾向は顕著である。この多ピン化に伴い、
従来のQFP(Quad Flat Package)
ではパッケージ外周部の端子数を増加するために、端子
ピッチを狭めなくてはならず、これ以上ピッチを狭める
ことはQFPリードの強度や半田付け性から不可能に近
く、多ピン化に対応できない。
【0003】そこで、基板底面からエリアアレイ状に入
出力端子を取るパッケージが開発され、特に近年注目を
集めているパッケージがBGA(Ball Grid
Array;ボールグリッドアレイ)である。BGAに
ついては刊行物(日経エレクトロニクス、1994.
2.14、601号、第61頁)等の記載が参照され
る。
【0004】BGAは、プリント基板にベアチップをワ
イヤボンディングで基板配線と接続し、スルーホールを
介して基板底面のエリアアレイ状に整列した入出力端子
である半田ボールに接続されるパッケージである。BG
Aは、他の表面実装型部品とまとめて半田付けできるた
め、スルーホール挿入タイプのPGA(Pin Gri
d Array)に比べ製造性で優れている。
【0005】図8(A)は、従来のプラスチックBGA
の構造を示す断面図である。図8(A)を参照して、小
さな両面プリント配線基板60にLSIのベアチップ6
1を搭載し、ワイヤボンディング62で基板配線と接続
してある。両面基板の上面には、配線が中央から端部に
向かって走り、それからスルーホール63を通じて基板
底面に移る。底面の端部から中央に向かって配線が走
り、端子(半田ボール)へ64到る。LSIチップ61
はモールド樹脂65で封止される。
【0006】また、プリント基板上に複数のベアチップ
を搭載してMCM(Multi Chip Modul
e;マルチチップモジュール)化し、このMCMの入出
力端子としてBGA構造を採用したパッケージも実用化
されている。例えば文献(回路実装学会誌Vol.1
1、No.5、AUG.、1996)の記載が参照され
る。図8(B)は、上記文献に記載のMCMの断面図を
示したものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、BGA
を採用したパッケージにおいては、BGAをマザーボー
ドに実装した後に接続確認が容易に行えない、という問
題点を有している。このため、接続確認を行うには、X
線検査装置など専用の検査装置が必要になる。
【0008】BGAを採用したパッケージの第2の問題
点としては、検査に際して、BGAのインサーキットテ
ストもしくはバーインテストが容易でない、ということ
である。
【0009】その理由は、BGAを用いたパッケージは
入出力端子が基板底面にあるため、テスタのプローブピ
ンで触れることができない、からである。このため、専
用のテスト用のソケットが必要になる。
【0010】したがって、本発明は、上記した問題点に
鑑みてなされたものであって、その目的は、従来のBG
Aに代表される底面に端子を設けたパッケージよりも製
造検査、電気検査性を向上し、多ピンのLSIパッケー
ジの製造検査と電気検査を容易に行うことを可能とした
LSIパッケージの構造を提供することにある。
【0011】また、本発明は、上記目的に加えて、複数
のチップを搭載することが可能としモジュール化を可能
として高集積化を図るマルチチップモジュールの構造を
提供することもその目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】 前記目的を達成するた
め、本発明のLSIパッケージの構造は、フレキシブル
基板と、該フレキシブル基板と一体形成される銅張積層
板よりなるリジッド基板とを有し、少なくとも内層に信
号層を一層以上有する、リジッド・フレキシブル基板に
おいて、前記銅張積層板はエポキシ系樹脂を含浸させた
ガラスクロスを用いて構成され、フレキシブル基板がリ
ジッド基板四辺の端面から出ている構造とされ、前記フ
レキシブル基板上に接続用のアウターリードが前記リジ
ッド基板から外へ向かう方向へ形成され、前記アウター
リードと直交するように前記フレキシブル基板に溝孔が
設けられ、前記溝孔を跨いだ前記アウターリードが矩形
の銅箔で終端されており、前記リジッド基板上に、一つ
のベアチップが実装される。
【0013】 また、本発明のマルチチップモジュール
の構造は、フレキシブル基板と、該フレキシブル基板と
一体に形成される銅張積層板よりなるリジッド基板とを
有し、少なくとも内層に信号層を一層以上有する、リジ
ッド・フレキシブル基板において、前記銅張積層板はエ
ポキシ系樹脂を含浸させたガラスクロスを用いて構成さ
れ、前記フレキシブル基板が前記リジッド基板四辺の端
面から出ている構造とされ、前記フレキシブル基板上に
接続用のアウターリードが、前記リジッド基板から外へ
向かう方向へ形成され、前記アウターリードと直交する
ように前記フレキシブル基板に溝孔が設けられ、前記溝
孔を跨いだアウターリードが矩形の銅箔で終端されてお
り、前記リジッド基板上に、少なくとも一つのベアチッ
プと1又は複数のLSIが実装されている。
【0014】[発明の概要]上記のように構成されてな
る本発明のリジッド・フレキシブル基板を使ったLSI
パッケージは、製造検査性、電気検査性を改善したもの
である。すなわち、本発明においては、フレキシブル基
板にアウターリードを形成し、プリント基板外周からそ
のアウターリードが出ており、フレキシブル基板にアウ
ターリードと直交するアウターリードホールを有し、ア
ウターリードが検査用パッドで終端されていることを特
徴としたものである。
【0015】パッケージの検査にはフレキシブル基板に
設けられたアウターリードを週端している検査用パッド
を用いる。
【0016】マザーボードに実装する場合は、アウター
リードホールで切断し、マザーボード上に実装し、アウ
ターリードとパッドを半田接続する。このため接続確認
の外観検査が容易である。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態につ
いて以下に図面を参照して説明する。図1(A)は、本
発明の実施の形態の構成を示す斜視図である。また図1
(B)は、本発明の実施の形態の構成を示す上面図であ
る。
【0018】図1を参照すると、本発明の実施の形態
は、配線層を内側に有し、フレキシブル基板2に形成し
たアウターリード4を基板外周から外方向へ出し、フレ
キシブル基板にアウターリード4と直交する向きに開口
したアウターリードホール6を設け、このホール6を跨
いだアウターリード2が検査用のパッド5で終端され、
リジッド基板3上に一つのベアチップが実装されてい
る。
【0019】また、このLSIパッケージはアウターリ
ード4を接続端子としてマザーボード上のパッドと半田
接続される。
【0020】また、上記リジッド・フレキシブル基板上
に少なくとも一つ以上のベアチップと複数の封止された
ICを実装し、マルチチップモジュールを構成する。
【0021】このマルチチップモジュールはアウターリ
ードを接続端子としてマザーボード上のパッドと半田接
続される。
【0022】
【実施例】上記した実施の形態について更に詳細に説明
すべく、本発明の実施例について図面を参照して以下に
説明する。
【0023】図1を参照すると、本発明の一実施例は、
少なくとも内層に配線層を有するフレキシブル・リジッ
ド基板1において、一つ又は複数のLSI7が実装さ
れ、基板外周から入出力端子としてフレキシブル基板2
に形成されたアウターリード4が外方向に並置され、ア
ウターリード4はフレキシブル基板2に設けられたアウ
ターリードホール6と直交し、検査用パッド5で終端さ
れている。
【0024】フレキシブル・リジッド基板1は、両面に
導体がラミネートされたフレキシブル基板2と、リジッ
ド基板3を構成する少なくとも一層以上の銅張積層板1
0とをプリプレグ11(図2参照)を介して積層したプ
リント基板である。
【0025】本実施例では、フレキシブル基板2は、厚
さ50μmのポリイミドフィルムを用いている。ここで
使用されるフィルムは、耐熱性があり、寸法安定性が良
好で、導体との密着が必要とされる。このため他の材料
としては、フッ素系フィルムやエポキシ系フィルムが適
用できる。
【0026】このフレキシブル基板2のサイズは、積層
時に40mm□のリジッド基板3の四辺からこのフィル
ムが均等に露出する大きさにする。本実施例ではフレキ
シブル基板2のサイズは60mm□としている。
【0027】このフレキシブル基板2の両面には、厚さ
35μmの銅箔9(図2参照)がラミネートされてい
る。
【0028】リジッド基板3を構成する銅張積層板10
との積層前に、このフレキシブル基板2に、あらかじめ
パターン形成しておき、1.5μmのスズメッキ仕上げ
をする。
【0029】複数の銅張積層板10を積層した後に、貫
通スルーホール12を介してリジッド基板3の導体パタ
ーンと電気的に接続される。
【0030】本実施例の銅張積層板は、エポキシ系の樹
脂を含浸させたガラスクロスを用いている。これはポリ
イミド樹脂でもよい。
【0031】基板四辺から外部端子として出すアウター
リード4は、フレキシブル基板2の導体9をパターニン
グして形成する。アウターリード4は500μm幅で
1.27mmピッチで並ぶ。このアウターリード4の終
端は、途中アウターリードホール6を跨いで検査用のパ
ッド5に接続される。
【0032】LSIチップ7は、この実施例では、14
×14mmの形状で、500の入出力端子を有し、フリ
ップチップ実装される。なお、LSIチップは半導体チ
ップの一例であり、ICチップの他、半導体デバイスで
あればよい。
【0033】次に本発明の実施例のパッケージの製造方
法並びに実装方法について図2及び図3を参照して詳細
に説明する。図2及び図3は、本発明の一実施例のリジ
ッド・フレキシブル基板の主要製造工程を工程順に示し
た断面図である。なお、図2及び図3は単に図面作成の
都合で分図されたものである。
【0034】フレキシブル基板2は、50μm厚のポリ
イミドフィルム8の両面に35μm厚の導体9がラミネ
ートされている(図2(A)参照)。
【0035】その銅箔9の全面にドライフィルムレジス
トをラミネートし、アウターリードホール6領域の銅箔
をドライフィルムを露光・現像で露出させ、塩化第2銅
で露出した銅箔を除去する。ドライフィルムレジストは
例えば旭化成のMVAシリーズが用いられる(図2
(B)参照)。
【0036】次に銅箔9をマスクとして、アウターリー
ドホール6領域のポリイミドフィルム8をプラズマガス
で除去する。この場合プラズマガスの成分はCF4とO2
の混合ガスである(図2(C)参照)。
【0037】図2(B)と同様に、湿式法によりパター
ン形成する。その後、リジッド基板3端面から出るアウ
ターリード4に選択的に1〜2μmのスズメッキを行う
(図2(D)参照)。
【0038】パターン形成したフレキシブル基板2の上
下にプリプレグ11を介して、同じく湿式法でパターン
形成した厚さ0.1mmの銅張積層板10を積層し、熱
プレスする。プリプレグ11は例えば熱硬化性半硬化樹
脂含浸ガラスクロスである。
【0039】積層熱プレスは、温度150〜300℃、
圧力10〜40kgf/cmの条件で行う(図3(E)
参照)。
【0040】積層後に所定の穴位置にドリル加工等で貫
通スルーホール12を形成する。スルーホール12の径
は0.35mmである(図3(F)参照)。
【0041】更にスルーホール12内に銅メッキを施
し、内層と外層の電気的な導通を得る。この時アウター
リード4に銅メッキがされないようにアウターリード6
にマスキングテープを施す必要がある(図3(G)参
照)。
【0042】図4は、本発明の一実施例をなすリジッド
・フレキシブル基板1への部品実装工程を説明する断面
図である。図4を参照して、リジッド・フレキシブル基
板1への部品実装工程を説明する。
【0043】図2及び図3に示した製造工程により得ら
れたリジッド・フレキシブル基板1のリジッド基板3上
の搭載パッドにクリーム状の共晶半田を印刷により供給
し、フラックス塗布後LSIチップ7を所定の位置に位
置合わせして実装する。
【0044】本実施例では、LSIチップ7の回路面に
エリアアレイ状の半田ボール13を供給し、リジッド基
板3上にフリップチップ実装し、リフローする。リフロ
ー温度は200〜250℃である。リフローした後フラ
ックスを洗浄除去する(図4(A)参照)。
【0045】次に接続が完全に行われているか、インサ
ーキットテストを行う。
【0046】本実施例では、プローブカード方式でプロ
ーブ15をフレキシブル基板周囲にある検査用パッド5
に接触させて行う(図4(B)参照)。
【0047】接合の確認をした後、チップ7とリジッド
基板3の間を有機樹脂16で封止して、チップ7とリジ
ッド基板3の熱膨張係数の差による応力を吸収する。本
実施例では、封止樹脂はエポキシを用いた(図4(C)
参照)。
【0048】図5乃至図7は、本発明の一実施例のマザ
ーボード基板への実装を説明するための図である。図5
乃至図7を参照して、マザーボードへの実装について以
下に説明する。
【0049】検査が終了し、完全良品と判定された、リ
ジッド・フレキシブル基板パッケージは、アウターリー
ドホール6端から所定の位置で切断し、同時にアウター
リード4の成型を行う(図5(A)参照)。
【0050】マザーボード18上の搭載パッド17にク
リーム状の半田供給を印刷等で行い、フラックス塗布の
後チップ7を実装したリジッド・フレキシブル基板1パ
ッケージを実装する。200℃から250℃の温度でリ
フローした後、洗浄する(図6(B)参照)。
【0051】半田の接続確認を目視で行い、問題なけれ
ばアウターリード4の保護のため有機樹脂19で封止す
る。本実施例では、有機樹脂19はエポキシ樹脂を用い
た(図6(C)参照)。図7(D)は、有機樹脂19で
アウターリード4を封止した状態の一例を示す断面図で
ある。
【0052】上記実施例では、フレキシブル基板の製造
工程でポリイミドフィルムの除去をプラズマガスで行っ
たが、CO2エキシマレーザーでも可能である。
【0053】上記実施例では、パッケージとマザーボー
ドの接続を共晶半田としたが、異方性導電シートによる
接着も可能である。
【0054】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下記記載の効果を奏する。
【0055】(1)本発明の第1の効果は、マザーボー
ドへの実装後の接続確認が容易に行える、ということで
ある。
【0056】その理由は、本発明においては、リジッド
・フレキシブル基板のフレキシブル基板にマザーボード
と接続する端子をパターンで設け、これにより、パッケ
ージの入出力端子が基板外周から取れるため、確認を行
いやすい、ためである。
【0057】(2)本発明の第2の効果は、専用の検査
用ソケットを用いずに多ピンのパッケージの検査が容易
に行える、ということである。
【0058】その理由は、本発明においては、リジッド
・フレキシブル基板のフレキシブル基板にマザーボード
と接続する端子をパターンで設け、これにより、フレキ
シブル基板に形成したアウターリードの延在した領域
に、検査用のパッドを設けることができるからである。
【0059】(3)本発明の第3の効果は、複数のLS
Iを搭載可能とし、高集積化が可能となる、ということ
である。
【0060】その理由は、本発明においては、リジッド
・フレキシブル基板のフレキシブル基板に、マザーボー
ドと接続する端子をパターンで設けたことによる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成を示す図であり、
(A)は、リジッド・フレキシブル基板の斜視図、
(B)は、リジッド・フレキシブル基板の上面図であ
る。
【図2】本発明の一実施例のリジッド・フレキシブル基
板の製造工程を工程順に示した断面図である。
【図3】本発明の一実施例のリジッド・フレキシブル基
板の製造工程を工程順に示した断面図である。
【図4】本発明の一実施例のリジッド・フレキシブル基
板へのLSI実装の様子を説明するための断面図であ
る。
【図5】本発明の一実施例のマザーボードへの実装を模
式的に示した斜視図である。
【図6】(B)、(C)は本発明の一実施例のマザーボ
ードへの実装を示した斜視図である。
【図7】(D)は本発明の一実施例のマザーボードへの
実装を示した部分断面図である。
【図8】従来技術を示す図であり、(A)は従来のBG
Aの断面を示す図、(B)はMCMを示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1 リジッド・フレキシブル基板 2 フレキシブル基板 3 リジッド基板 4 アウターリード 5 検査用パッド 6 アウターリードホール 7 LSI 8 ポリイミドフィルム 9 銅箔 10 銅張積層板 11 プリプレグ 12 貫通スルーホール 13 半田ボール 14 プローブカード 15 プローブ 16、19 封止樹脂 17 搭載パッド 18 マザーボード

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フレキシブル基板と一体形成される銅張
    積層板よりなるリジッド基板に半導体装置が搭載され、前記銅張積層板はエポキシ系樹脂を含浸させたガラスク
    ロスを用いて構成され、 前記リジッド基板の外周端から外側に前記フレキシブル
    基板が突設されており、 前記フレキシブル基板上には入出力端子であるアウター
    リードがパターン形成され、 前記アウターリードは検査パッドで終端されていること
    を特徴とする半導体パッケージの構造。
  2. 【請求項2】 フレキシブル基板と、該フレキシブル基
    板と一体形成される銅張積層板よりなるリジッド基板と
    を有し、少なくとも内層に信号層を一層以上有する、リ
    ジッド・フレキシブル基板において、前記銅張積層板はエポキシ系樹脂を含浸させたガラスク
    ロスを用いて構成され、 前記フレキシブル基板が前記リジッド基板四辺の端面か
    ら出ている構造とされ、 前記フレキシブル基板上に接続用のアウターリードが前
    記リジッド基板から外へ向かう方向へ形成され、 前記アウターリードと直交するように前記フレキシブル
    基板に溝孔が設けられ、 前記溝孔を跨いだ前記アウターリードが矩形の銅箔で終
    端されており、 前記リジッド基板上に一つのベアチップが実装されたこ
    とを特徴とするLSIパッケージの構造。
  3. 【請求項3】フレキシブル基板と、該フレキシブル基板
    と一体に形成される銅張積層板よりなるリジッド基板と
    を有し、少なくとも内層に信号層を一層以上有する、リ
    ジッド・フレキシブル基板において、前記銅張積層板はエポキシ系樹脂を含浸させたガラスク
    ロスを用いて構成され、 前記フレキシブル基板が前記リジッド基板四辺の端面か
    ら出ている構造とされ、 前記フレキシブル基板上に接続用のアウターリードが、
    前記リジッド基板から外へ向かう方向へ形成され、 前記アウターリードと直交するように前記フレキシブル
    基板に溝孔が設けられ、 前記溝孔を跨いだアウターリードが矩形の銅箔で終端さ
    れており、 前記リジッド基板上に、少なくとも一つのベアチップと
    1又は複数のLSIが実装されたことを特徴とするマル
    チチップモジュールの構造。
  4. 【請求項4】フレキシブル基板と、該フレキシブル基板
    と一体形成される銅張積層板よりなるリジッド基板とを
    有するリジッド・フレキシブル基板において、前記銅張積層板はエポキシ系樹脂を含浸させたガラスク
    ロスを用いて構成され、 前記フレキシブル基板が前記リジッド基板の外周に突設
    され、 前記突出したフレキシブル基板には、複数のアウターリ
    ードが前記リジッド基板の辺に直交する方向に延在して
    並置され、 前記アウターリードの長手方向と直交する方向に、前記
    突設したフレキシブル基板に溝孔が設けられ、 前記アウターリードは前記溝孔を跨いで前記突設したフ
    レキシブル基板の縁部に設けられた検査用パッドで終端
    し、 前記リジッド基板上に搭載した少なくとも一つの半導体
    装置のパッドと前記アウターリードとが電気的に接続さ
    れていることを特徴とする半導体パッケージの構造。
  5. 【請求項5】マザーボードへの実装時には、前記アウタ
    ーリード端部から所定の位置で、好ましくは前記溝孔部
    で切断され、且つ前記アウターリードが成型され、前記
    アウターリードの端部が前記マザーボードの搭載パッド
    と接合される、ことを特徴とする請求項4記載の半導体
    パッケージの構造。
  6. 【請求項6】請求項1乃至5のいずれか一に記載の半導
    体パッケージの構造において、前記リジッド基板が前記
    フレキシブル基板に熱プレスで一体に形成されてなる半
    導体パッケージの構造。
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