JP3000177B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
置、特にアクティブ型液晶表示装置に関するもので、そ
れぞれの画素に相補型にPチャネル型およびNチャネル
型の2つの薄膜型絶縁ゲイト電界効果トランジスタ(以
下TFTという) を設けてピクセルを構成した表示装置
に関するものである。
FTを用いたアクティブ型の液晶表示装置が知られてい
る。この場合、TFTにはアモルファスまたは多結晶構
造の半導体を用い、1つの画素にPまたはN型のいずれ
か一方の導電型のみのTFTを用いたものである。即
ち、一般にはNチャネル型TFT(NTFTという) を
画素に直列に連結している。その代表例を図6に示す。
装置は480×640、または1260×960と非常
に多くの画素を有している。図6ではこれらと同じ意味
を示すもので、説明を簡単にするために2×2のマトリ
クス配列で示している。複数のゲイト線G1,G2 と複数
の信号線D1,D2 とを直交して配置し、そのマトリクス
状の交差部に画素表示素子を設けている。この画素表示
素子は液晶部102とTFT部101で構成されてい
る。それぞれの画素に対して周辺回路106、107か
ら信号を加えて所定の画素を選択的にオンまたはオフし
て表示を行う。
製して表示をさせた場合、TFTの出力、即ち液晶にと
っての入力(液晶電位という) の電圧VLC100は、し
ばしば“1”(High)となるべき時に“1”(High)になら
ず、また、逆に“0”(Low)となるべき時に“0”(Low)
にならない。これは、画素に信号を加えるスィッチン
グ素子、つまりTFTの特性に対称性がないために発生
する。すなわち、画素電極への充電の様子と放電の様子
に電気特性上のかたよりがあるためである。そして、液
晶102はその動作において本来絶縁性であり、また、
TFTがオフの時に液晶電位(VLC) は浮いた状態にな
る。この液晶102は等価的にキャパシタであるため、
そこに蓄積された電荷によりVLCが決められる。この電
荷は液晶がRLCで比較的小さい抵抗となったり、ゴミや
イオン性不純物の存在によりリ−クしたり、またTFT
のゲイト絶縁膜のピンホ−ルによりRGS105が生じた
場合にはそこから電荷がもれ、VLCは中途半端な状態に
なってしまう。このため1つのパネル中に20万〜50
0万個の画素を有する液晶表示装置においては、高い歩
留まりを成就することができないという問題があった。
ネマティック) 液晶が用いられる。その液晶の配向のた
めにそれぞれの電極上にラビングした配向膜を設ける。
このラビング工程のため発生する静電気により弱い絶縁
破壊が起こり、隣の画素との間または隣の導線との間で
リ−クしたり、またゲイト絶縁膜が弱く、リ−クをした
りしてしまう。
示装置においては、液晶電位を1フレ−ムの間はたえず
初期値と同じ値として所定のレベルを保つことがきわめ
て重要である。しかし実際はアクティブ素子の動作不良
が多く、必ずしも液晶電位を1フレ−ムの間はたえず初
期値と同じ値として所定のレベルを保てないのが実情で
ある。
し、X方向に一対の第1及び第2の信号線が、Y方向に
第3の信号線がマトリクス配線されており、前記信号線
の交差部分に相補型構成の薄膜トランジスタと画素電極
が設けられた表示装置であって、画素に接続されたNチ
ャネル薄膜トランジスタ2のソース(ドレイン)部をX
方向の一対の信号線のうちの第1の信号線35に接続
し、画素に接続されたPチャネル薄膜トランジスタ1の
ソース(ドレイン)部をX方向の一対の信号線のうちの
第2の信号線38に接続し、前記Pチャネル型薄膜トラ
ンジスタとNチャネル型薄膜トランジスタのゲート部を
第三の信号線33に接続したことを特徴とする表示装置
が提案されている。
し、より電流マ−ジンを大とする、即ち応答速度を大と
する。また各ピクセルにおける画素の電位、即ち液晶電
位VLCが“1”, “0”に充分安定して固定され、1フ
レ−ム中にそのレベルがドリフトしないようになってい
るのである。
あたり3本の信号線を必要とするために、液晶表示装置
の表示品質を決定する要因の一つである『開口率』の低
下を招いているために、問題となっていた。
に複数の画素が設けられた液晶表示装置において、一方
の基板上に設けられた画素電極の各々に第一のPチャネ
ル型薄膜トランジスタと第一のNチャネル型薄膜トラン
ジスタとを相補型に構成した相補型薄膜トランジスタの
入出力端の一方を前記画素電極接続し、他方をそれぞれ
第二のPチャネル型薄膜トランジスタの入出力端と第二
のNチャネル型薄膜トランジスタの入出力端に接続し、
前記第二のPチャネル型薄膜トランジスタの他方の入出
力端を基板のX軸方向の第一の信号線に接続し、前記第
二のNチャネル型薄膜トランジスタの他方の入出力端を
X軸方向の第二の信号線に接続し、前記第一のPチャネ
ル型薄膜トランジスタおよび第一のNチャネル型薄膜ト
ランジスタのゲイト電極を共通に接続して、基板のY軸
方向の第三の信号線に接続し、前記第二のPチャネル型
薄膜トランジスタのゲイト電極を前記第二の信号線に接
続し、前記第二のNチャネル型薄膜トランジスタのゲイ
ト電極を前記第一の信号線に接続し、前記第二の信号線
を前記第二の信号線を挟んで隣合っている他の画素電極
に接続されている複数の薄膜トランジスタの第一の信号
線として設けたことを特徴とする表示装置である。
ジスタ回路は、表示手段に接した画素電極電位を制御す
るNチャネル型薄膜トランジスタとPチャネル型薄膜ト
ランジスタとこれら相補型回路の動作を制御するPチャ
ネル型薄膜トランジスタとNチャネル型薄膜トランジス
タを一つの群として構成される。
する画素に接続する信号線は、X軸方向の信号線を挟ん
で隣合った画素に対応する薄膜トランジスタ群で、共通
化でき、単位画素当たり2本の信号線ですむことになっ
た。これによって、開口率を向上することができた。
は、1つの画素に2つまたはそれ以上の薄膜トランジス
タ群を接続して1つのピクセルを構成せしめてもよい。
さらに1つのピクセルを2つまたはそれ以上に分割し、
それぞれに薄膜トランジスタ群を1つまたは複数個連結
してもよい。
れたC/TFTを実際に駆動する際にPTFTとNTF
Tがとなりあっており、かつその入力の信号が印加され
た場合、最大2倍のVDD(VSS)の電圧が信号線間に加
わることになり、この信号線間でリークが発生すること
がなく、となりあった信号線は同じ機能(NTFTへの
信号線同士あるいはPTFTへの信号線同士)を持つた
め最大VDD(VSS)程度の電圧しか信号線間に加わらな
い、従ってこの部分でのリークが少ないという特徴を持
つものであります。
例を図1、図5、図8に回路図として示す。まず、本発
明の説明のために図1の回路図に従って説明を行う、ま
た、図1の実際のパタ−ンレイアウト(配置図)の例を
図2に示す。説明を簡単にするため、ここでは2×2の
マトリクス構成を例としている。図1の2×2のマトリ
クスの例において第一のPTFT1と第一のNTFT2
とのゲイト3、4を互いに連結し、さらにY軸方向の第
3の信号線VG1に連結し、またC/TFTの共通出力端
6を液晶7に連結している。第一のPTFT1の入力端
8を第二のPTFT20の出力端9に、第二のPTFT
の入力端10をX軸方向の信号線VD1に連結し、さらに
第二のPTFTのゲート12をX軸方向の信号線VD2に
連結している。
二のNTFT17の入力端15に、第二のNTFTの出
力端16をX軸方向の信号線VD2に連結している。さら
に、第二のNTFTのゲート18をX軸方向の信号線V
D1に連結して構成されている。
るように一対の第1の信号線VD1と第2の信号線VD2間
に選択(オン)信号波形が印加されている期間に第3の
信号線VG1に対し表示(オン)信号波形を印加した時、
A点の液晶電位(VLC)19はPTFT20とNTFT
17の各ゲート電極12、18が、順バイアスされPT
FT20とNTFT17は導通状態となるため、PTF
T1、NTFT2の動作により制御される様になる。こ
のPTFT1、NTFT2の動作は各TFTのゲート電
極3、4の接続された信号線VG1により制御され信号線
VG1の電圧(VG )と信号線VD1の電圧(VD1)、信号
線VD2の電圧(VD2)、液晶電位19(VCL)で動作を
示した場合、VG <VD2+VTH(NTFT2)の時、V
CL19≒VD111、またVG >VD1−VTH(PTFT
2)の時、VCL19≒VD213の値に制御される。
印加されている場合)において、第一の信号線VD1、第
二の信号線VD2が非選択(オフ信号となる値)、VD1≒
VD2、VD1<VD2の場合PTFT20およびNTFT1
7は逆バイアスされPTFT20とNTFT17は絶縁
状態となるためPTFT1およびNTFT2の動作を示
した前記条件が成立し、PTFT1またはNTFT2が
導通状態となっても液晶電位19(VCL)は他電位と絶
縁状態となる。よって液晶電位19(VCL)は第三の信
号線VG1に対し非選択状態となり現在の液晶電位を保持
しつずける。
信号線と隣接した別画素の第一の信号線に相当する第二
の信号線に印加する電圧に従ってあたえられるものであ
りこの信号線に加える信号の電圧を可変することにより
液晶に加える電位差を任意に可変することが出来る。
OFFSET)が印加されており、実際に液晶15に加わる電
圧はVD1+VOFFSET、あるいはVD2+VOFFSETとなる。
本発明の駆動方法では対抗電極に加えるオフセット電圧
VOFFSETを可変して、液晶駆動のオンとオフを任意に変
更することができる。また、液晶を実際に駆動する際の
しきい値が液晶材料よって異なっているため、その液晶
の持つ値に合わせ為にこのオフセット電圧VOFFSETを可
変するだけで、任意のしきい値合わせることができる。
晶表示装置を用いて説明を行う。この回路構成に対応す
る実際の電極等の配置構成を図2に示している。これら
は説明を簡単にする為2×2に相当する部分のみ記載さ
れている。
作製方法を図3を使用して説明する。図3(A)におい
て、石英ガラス等の高価でない700℃以下、例えば約
600℃の熱処理に耐え得るガラス150上にマグネト
ロンRF(高周波) スパッタ法を用いてブロッキング層
151としての酸化珪素膜を1000〜3000Åの厚
さに作製する。プロセス条件は酸素100%雰囲気、成
膜温度15℃、出力400〜800W、圧力0.5Pa
とした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用い
た成膜速度は30〜100Å/分であった。
相法、スパッタ法またはプラズマCVD法により形成し
た。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも10
0〜200℃低い450〜550℃、例えば530℃で
ジシラン(Si2H6) またはトリシラン(Si3H8) をCVD装
置に供給して成膜した。反応炉内圧力は30〜300P
aとした。成膜速度は50〜250Å/ 分であった。N
TFTとPTFTとのスレッシュホ−ルド電圧(Vthに
概略同一に制御するため、ホウ素をジボランを用いて1
×1015〜1×1018cm-3の濃度として成膜中に添加しても
よい。
を1×10-5Pa以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲット
として、アルゴンに水素を20〜80%混入した雰囲気
で行った。例えばアルゴン20%、水素80%とした。
成膜温度は150℃、周波数は13.56MHz、スパ
ッタ出力は400〜800W、圧力は0.5Paであっ
た。
場合、温度は例えば300℃とし、モノシラン(SiH4)ま
たはジシラン(Si2H6) を用いた。これらをPCVD装置
内に導入し、13.56MHzの高周波電力を加えて成
膜した。
酸素が5×1021cm-3以下であることが好ましい。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を
高くまたは熱アニ−ル時間を長くしなければならない。
また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−
ク電流が増加してしまう。そのため4×1019〜4×1021
cm-3の範囲とした。水素は4×1020cm-3であり、珪素4
×1022cm-3として比較すると1原子%であった。また、
ソ−ス、ドレインに対してより結晶化を助長させるた
め、酸素濃度を7×1019cm-3以下、好ましくは1×1019
cm-3以下とし、ピクセル構成するTFTのチャネル形成
領域のみに酸素をイオン注入法により5×1020〜5×10
21cm-3となるように添加してもよい。その時周辺回路を
構成するTFTには光照射がなされないため、この酸素
の混入をより少なくし、より大きいキャリア移動度を有
せしめることは、高周波動作をさせるためる有効であ
る。
〜5000Å、例えば1500Åの厚さに作製の後、4
50〜700℃の温度にて12〜70時間非酸化物雰囲
気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて600
℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルフ
ァス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処
理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニ−ルさ
れる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水
素は単に混入しているのみである。
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク522
cm-1より低周波側にシフトしたピ−クが観察される。そ
れの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、50〜5
00Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実
際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を
有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合(アンカリ
ング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させ
ることができた。
ンダリ(以下GBという)がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの
明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度と
なる。即ちホ−ル移動度(μh=10〜200cm2 /V
Sec)、電子移動度(μe =15〜300cm2 /VS
ec)が得られる。
く、900〜1200℃の高温アニ−ルにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、GBには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、GBでのバリ
ア(障壁を作ってそこでのキャリアの移動を阻害してし
まう。結果として10cm2/Vsec以上の移動度がなかなか
得られないのが実情である。即ち、本実施例ではかくの
如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリスタ
ル構造を有するシリコン半導体を用いている。
トマスクにてフォトエッチングを施し、PTFT用の
領域122(チャネル巾20μm)を図面の右側に、NT
FT用の領域113を左側に作製した。
500〜2000Å例えば1000Åの厚さに形成し
た。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と
同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナト
リウムイオンの固定化をさせてもよい。
-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とそ
の上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi2 または
WSi2との多層膜を形成した。これを第2のフォトマスク
にてパタ−ニングして図13(B)を得た。PTFT
用のゲイト電極121、NTFT用のゲイト電極109
を形成した。例えばチャネル長10μm、ゲイト電極と
してリンド−プ珪素を0.2μm、その上にモリブデン
を0.3μmの厚さに形成した。図3(C)において、
フォトレジスト157をフォトマスクを用いて形成
し、PTFT用のソ−ス118ドレイン120に対し、
ホウ素を1〜5×1015cm-2のド−ズ量でイオン注入法
により添加した。次に図3(D)の如く、フォトレジス
ト161をフォトマスクを用いて形成した。NTFT
用のソ−ス110、ドレイン112としてリンを1〜5
×1015cm-2のドーズ量でイオン注入法により添加し
た。
た。しかし図3(B)において、ゲイト電極121、1
09をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、
その後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入して
もよい。
熱アニ−ルを行った。PTFTのソ−ス118、ドレイ
ン120、NTFTのソ−ス110、ドレイン112を
不純物を活性化してP+ 、N+ として作製した。またゲ
イト電極121、109下にはチャネル形成領域11
9、111がセミアモルファス半導体として形成されて
いる。
がらも、700℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくC/TFTを作ることができる。そのため、基
板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。
(D)で2回行った。しかし図3(A)のアニ−ルは求
める特性により省略し、双方を図3(D)のアニ−ルに
より兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図3(E)に
おいて、層間絶縁物165を前記したスパッタ法により
酸化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成
はLPCVD法、光CVD法、常圧CVD法を用いても
よい。例えば0.2〜0.6μmの厚さに形成し、その
後、フォトマスクを用いて電極用の窓166を形成し
た。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法に
より形成し、リ−ド171、172およびコンタクト1
67、168をフォトマスクを用いて作製した後、表
面を平坦化用有機樹脂169例えば透光性ポリイミド樹
脂を塗布形成し、再度の電極穴あけをフォトマスクに
て行った。
型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の
電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法
によりITO(インジュ−ム・スズ酸化膜)を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチングし、電極1
17を構成させた。このITOは室温〜150℃で成膜
し、200〜400℃の酸素または大気中のアニ−ルに
より成就した。かくの如くにしてPTFT122とNT
FT113と透明導電膜の電極117とを同一ガラス基
板150上に作製した。得られたTFTの電気的な特性
はPTFTで移動度は20〔cm2/Vs〕、Vthは−5.9
〔V〕で、NTFTで移動度は40〔cm2/Vs、Vth〕は
5.0〔V〕であった。
置用の一方の基板と他方ガラス基板上に全面に透明電極
を設け、これら基板を張り合わせて液晶セルを形成し、
この中にTNの液晶材料を注入した。
図2に示している。PTFT1、20を第1の信号線V
D1と第3の信号線VG1との交差部に設けられている。一
方NTFT2、17は第2の信号線VD2と第3の信号線
VG1との交差部に設けられている。このようなC/TF
Tを用いたマトリクス構成を有せしめた。
コンタクトを介し第1の信号線VD1に連結され、ゲイト
12は多層配線形成がなされた信号線VD2に配線22を
介して連結されている。ソ−ス9の出力端はPTFT1
のドレイン8に拡散層を通じて連結し、また該TFTの
ソース23はコンタクトを介して画素の電極6に連結し
ている。また、該TFTのゲート3は第3の電極5に連
結されている。
力端のコンタクトを介し第2の信号線VD2に連結され、
ゲイト18は多層配線形成がなされた信号線VD1に配線
21を介して連結されている。ソ−ス15の出力端はN
TFT2のドレイン15に拡散層を通じて連結し、また
該TFTのソース24はコンタクトを介して画素の電極
6に連結している。また、該TFTのゲート3は第3の
電極5に連結されている。
より、2×2のマトリクスをそれを拡大した640×4
80、1280×960といった大画素の液晶表示装置
とすることができる。
を作成した。また、これはラップトップ型のみならず、
投射型の表示装置、ビデオカメラのビューファインダ
ー、投射型表示装置等にもほぼ同様の工程、構造となっ
ている。
て、一群の薄膜トランジスタを設けた例を示したが特に
この構成に限定されることはなく、一つの画素を複数の
画素電極で構成し、その各々に一群の薄膜トランジスタ
を設けた構成や一つの画素に対して複数群の薄膜トラン
ジスタを設けた構成としても本発明の範囲に含まれる。
この場合、一部のTFTに不良動作がみられても、その
働きを他の部分で補ったり、面積的なグレースケールを
達成することができる。
り、液晶電位をフロ−ティングとしないため、安定した
表示を行うことができる。また、アクティブ素子として
のC/TFTの駆動能力が高いため、動作マ−ジンを拡
大でき、さらに周辺の駆動回路をより簡単にすることが
可能で表示装置の小型化、製造コストの低減に効果があ
る。また、3本の信号線と対抗電極に非常に単純な信号
で高い駆動能力を発揮することができる。
るためその補償をある程度行うことができる。
る信号線間に高い電位差が印加されない為、リークしな
い。また、となりあった画素と信号線を共通に使用でき
るために、単位画素当りの実質の信号線数は2本とな
り、表示装置の開口率を向上させることができた。
の液晶表示装置または反射型の液晶表示装置として用い
得る。また使用可能な液晶材料としては前術のTN液
晶、FLC液晶、分散型液晶、ポリマ型液晶を用い得
る。 またゲストホスト型、誘電異方性型のネマチック
液晶にイオン性ド−パントを添加して電界を印加するこ
とによってネマチック液晶としコレステリック液晶との
混合体に電界を印加して、ネマチック相とコレステリッ
ク相との間で相変化を生じさせ、透明ないし白濁の表示
を実現する相転移液晶を用いることもできる。また液晶
以外では、例えば染料で着色した有機溶媒中にこれと色
の異なる顔料粒子を分散させたいわゆる電気泳動表示用
分散系を用いることもできることを付記する。
Claims (3)
- 【請求項1】 マトリクス状に複数の画素が設けられた
表示装置において、一方の基板上に設けられた画素電極
の各々に第一のPチャネル型薄膜トランジスタと第一の
Nチャネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成した相
補型薄膜トランジスタの共通出力端を接続し、前記第一
のPチャネル型薄膜トランジスタの入力端を第二のPチ
ャネル型薄膜トランジスタの出力端に接続し、前記第一
のNチャネル型薄膜トランジスタの出力端を第二のNチ
ャネル型薄膜トランジスタの入力端に接続し、前記第二
のPチャネル型薄膜トランジスタの入力端をX軸方向の
第一の信号線に接続し、前記第二のNチャネル型薄膜ト
ランジスタの出力端をX軸方向の第二の信号線に接続
し、前記第一のPチャネル型薄膜トランジスタのゲイト
電極と前記第一のNチャネル型薄膜トランジスタのゲイ
ト電極とを互いに接続しかつY軸方向の第三の信号線に
接続し、前記第二のPチャネル型薄膜トランジスタのゲ
イト電極を前記X軸方向の第二の信号線に接続し、前記
第二のNチャネル型トランジスタのゲイト電極を前記X
軸方向の第一の信号線に接続し、前記X軸方向の第一の
信号線は、前記X軸方向の第一の信号線側に隣接する画
素におけるX軸方向の第二の信号線に相等し、かつ前記
X軸方向の第二の信号線は、前記X軸方向の第二の信号
線側に隣接する画素におけるX軸方向の第一の信号線に
相等することを特徴とする表示装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の前記画素は複数の画素電
極により構成されており、前記画素電極の各々に対応し
て第一のNチャネル型薄膜トランジスタ、第一のPチャ
ネル型薄膜トランジスタ、第二のNチャネル型薄膜トラ
ンジスタおよび第二のPチャネル型薄膜トランジスタが
設けられていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の前記画素電極の各々に対
応して第一のNチャネル型薄膜トランジスタ、第一のP
チャネル型薄膜トランジスタ、第二のNチャネル型薄膜
トランジスタおよび第二のPチャネル型薄膜トランジス
タを一群として、複数群が設けられていることを特徴と
する表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7731991A JP3000177B2 (ja) | 1991-02-16 | 1991-02-16 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7731991A JP3000177B2 (ja) | 1991-02-16 | 1991-02-16 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0643484A JPH0643484A (ja) | 1994-02-18 |
JP3000177B2 true JP3000177B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=13630618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7731991A Expired - Lifetime JP3000177B2 (ja) | 1991-02-16 | 1991-02-16 | 表示装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP3000177B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3468986B2 (ja) | 1996-04-16 | 2003-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス回路および表示装置 |
-
1991
- 1991-02-16 JP JP7731991A patent/JP3000177B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0643484A (ja) | 1994-02-18 |
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