JPS6338697B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6338697B2 JPS6338697B2 JP18097881A JP18097881A JPS6338697B2 JP S6338697 B2 JPS6338697 B2 JP S6338697B2 JP 18097881 A JP18097881 A JP 18097881A JP 18097881 A JP18097881 A JP 18097881A JP S6338697 B2 JPS6338697 B2 JP S6338697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- vernier
- pattern
- image
- distortion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 201000003373 familial cold autoinflammatory syndrome 3 Diseases 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、IC投影露光装置などの投影光学系
の歪曲、倍率誤差等の光学特性、所謂デイストー
シヨンを検査する方法に関し、特に露光装置の投
影光学系の光学特性を、マスク上のマークを感光
基板上に焼き付けて検査する方法関する。
の歪曲、倍率誤差等の光学特性、所謂デイストー
シヨンを検査する方法に関し、特に露光装置の投
影光学系の光学特性を、マスク上のマークを感光
基板上に焼き付けて検査する方法関する。
従来のこの種の検査用マスク基板(以下、単に
レテイクルという)について説明する。第1図a
は従来レテイクルの図であり、レテイクル1上に
は上下、左右の縁の中央部に、それぞれ、マーク
2,3,4,5が配置されている。各マーク2〜
5は、第1図bに示すような格子縞パターンを有
し、主尺としてのマーク2,5と、副尺としての
マーク3,4とでバーニアを構成する。主尺と副
尺のパターンを、例えばウエハ上に重ね合わせて
焼き付けることによりバーニアが形成され、その
ずれ量を測定することによつて投影光学系の光学
特性が検査される。
レテイクルという)について説明する。第1図a
は従来レテイクルの図であり、レテイクル1上に
は上下、左右の縁の中央部に、それぞれ、マーク
2,3,4,5が配置されている。各マーク2〜
5は、第1図bに示すような格子縞パターンを有
し、主尺としてのマーク2,5と、副尺としての
マーク3,4とでバーニアを構成する。主尺と副
尺のパターンを、例えばウエハ上に重ね合わせて
焼き付けることによりバーニアが形成され、その
ずれ量を測定することによつて投影光学系の光学
特性が検査される。
この模様を第1図cを用いて説明する。尚、第
1図aにおいてレテイクル1上の上と下に配置さ
れたパターン2,3はy方向のずれ量、左と右に
配置されたパターン4,5はx方向のずれ量を測
定するものであり、今これらのパターン2と3,
4と5の間隔を例えば80mmとする。また、これら
のレテイクル1上のパターン2〜5を1/10縮小投
影露光装置でウエハ上に焼き付けて、1/10縮小投
影レンズ系の光学特性を測定するものとする。
1図aにおいてレテイクル1上の上と下に配置さ
れたパターン2,3はy方向のずれ量、左と右に
配置されたパターン4,5はx方向のずれ量を測
定するものであり、今これらのパターン2と3,
4と5の間隔を例えば80mmとする。また、これら
のレテイクル1上のパターン2〜5を1/10縮小投
影露光装置でウエハ上に焼き付けて、1/10縮小投
影レンズ系の光学特性を測定するものとする。
ウエハ載置台上のウエハに先ずパターン・チツ
プ6を焼き付け、ここでウエハ載置台に備えられ
た4/100μm程度以下の精度で測長可能なレーザ
ー干渉計測長器などの測定値に基づいて、ウエハ
載置台(ステージ)を駆動し、ウエハをx方向、
y方向にそれぞれ8mm正確に移動させる。そして
再びそれぞれレテイクル1上のパターン2,3,
4,5をウエハ上に焼き付けると、第1図cのよ
うにチツプ6の主尺パターン5の主バーニアとチ
ツプ7の副尺パターン4の副バーニアが重なつて
バーニア8を形成し、チツプ6の副尺パターン3
の副バーニアとチツプ9の主尺パターン2の主バ
ーニアが重なつてバーニア10を形成する。この
とき、もし投影レンズ系に歪曲、倍率誤差などが
全くない場合、各バーニア8,10の主バーニア
と副バーニアのずれ量は共にゼロとなる。しか
し、投影レンズ系に歪曲、倍率誤差などがある場
合は、バーニア8または10の格子縞(いわゆる
目盛)にずれを生じる。このずれ量を測定するこ
とによつて、投影レンズ系により作られる第1図
aのレテイクル上のパターン2〜5のバーニアの
存在する位置(すなわちパターン2〜5に対応す
るウエハ上のレテイクル像の位置)における投影
レンズ系の歪量や倍率誤差を測つている。
プ6を焼き付け、ここでウエハ載置台に備えられ
た4/100μm程度以下の精度で測長可能なレーザ
ー干渉計測長器などの測定値に基づいて、ウエハ
載置台(ステージ)を駆動し、ウエハをx方向、
y方向にそれぞれ8mm正確に移動させる。そして
再びそれぞれレテイクル1上のパターン2,3,
4,5をウエハ上に焼き付けると、第1図cのよ
うにチツプ6の主尺パターン5の主バーニアとチ
ツプ7の副尺パターン4の副バーニアが重なつて
バーニア8を形成し、チツプ6の副尺パターン3
の副バーニアとチツプ9の主尺パターン2の主バ
ーニアが重なつてバーニア10を形成する。この
とき、もし投影レンズ系に歪曲、倍率誤差などが
全くない場合、各バーニア8,10の主バーニア
と副バーニアのずれ量は共にゼロとなる。しか
し、投影レンズ系に歪曲、倍率誤差などがある場
合は、バーニア8または10の格子縞(いわゆる
目盛)にずれを生じる。このずれ量を測定するこ
とによつて、投影レンズ系により作られる第1図
aのレテイクル上のパターン2〜5のバーニアの
存在する位置(すなわちパターン2〜5に対応す
るウエハ上のレテイクル像の位置)における投影
レンズ系の歪量や倍率誤差を測つている。
しかし、以上の従来のものにおいては、投影レ
ンズ系の歪曲、倍率誤差などの相対量しかわから
ないという欠点がある。このことを第2図を用い
て説明する。第2図は、投影レンズ系の歪曲、倍
率誤差などが理想的に零のとき、ウエハ上に投影
される領域11と、投影レンズ系による歪曲等に
よつて変形したウエハ上の投影像の領域12とを
表わし、更に本図において投影像の中心13は投
影光学系の光軸に一致している。この図示例にお
いて領域12のx方向の右側が左側よりも大きく
変形しているが、従来の方法では左右の変形量の
違いを検出できず、x方向の長さが領域11のそ
れよりも短かい(または長い)ことがわかるだけ
である。すなわち、上記の従来のものにおいて
は、例えば領域12のx方向左右側が共に内側に
変形している場合、レテイクル1上のパターン
4,5に対応した投影像中のパターンの距離l
は、本来の距離よりも短かくなつてしまう。この
ため、第1図cで示したバーニア8で投影像のx
方向のずれ量を測つても、それは単に領域12の
x方向が領域11のそれよりも短かいことがわか
るだけである。さらに、領域12の左右側が例え
ば右側が外側に、左側が内側に同程度に変形して
いると、バーニア8の格子縞のずれは相殺され
て、歪曲等がないものとして測定されてしまう。
従つて中心13からの絶対的な歪み量は求めるこ
とができない。
ンズ系の歪曲、倍率誤差などの相対量しかわから
ないという欠点がある。このことを第2図を用い
て説明する。第2図は、投影レンズ系の歪曲、倍
率誤差などが理想的に零のとき、ウエハ上に投影
される領域11と、投影レンズ系による歪曲等に
よつて変形したウエハ上の投影像の領域12とを
表わし、更に本図において投影像の中心13は投
影光学系の光軸に一致している。この図示例にお
いて領域12のx方向の右側が左側よりも大きく
変形しているが、従来の方法では左右の変形量の
違いを検出できず、x方向の長さが領域11のそ
れよりも短かい(または長い)ことがわかるだけ
である。すなわち、上記の従来のものにおいて
は、例えば領域12のx方向左右側が共に内側に
変形している場合、レテイクル1上のパターン
4,5に対応した投影像中のパターンの距離l
は、本来の距離よりも短かくなつてしまう。この
ため、第1図cで示したバーニア8で投影像のx
方向のずれ量を測つても、それは単に領域12の
x方向が領域11のそれよりも短かいことがわか
るだけである。さらに、領域12の左右側が例え
ば右側が外側に、左側が内側に同程度に変形して
いると、バーニア8の格子縞のずれは相殺され
て、歪曲等がないものとして測定されてしまう。
従つて中心13からの絶対的な歪み量は求めるこ
とができない。
本発明はこの欠点を解決して、投影光学系の光
学特性(デイストーシヨン)を正確に検査するた
めの方法を得ることを目的とするものである。
学特性(デイストーシヨン)を正確に検査するた
めの方法を得ることを目的とするものである。
以下、第3図以降の図面を用いて本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
第3図aに図示の第1実施例では、レテイクル
14の中央部、すなわちレテイクル14を露光装
置にセツトした際、投影レンズ系の光軸が通る部
分に主尺パターン15が設けられ、このパターン
15からy方向に例えば±40mm離れた位置に副尺
パターン16a,16b、そしてx方向に例えば
±40mm離れた位置に副尺パターン16c,16d
が配されている。
14の中央部、すなわちレテイクル14を露光装
置にセツトした際、投影レンズ系の光軸が通る部
分に主尺パターン15が設けられ、このパターン
15からy方向に例えば±40mm離れた位置に副尺
パターン16a,16b、そしてx方向に例えば
±40mm離れた位置に副尺パターン16c,16d
が配されている。
本実施例を用いて、例えば1/10縮小投影レンズ
系の光学特性を検査するためには、第3図bに示
すように、先ず主尺パターン15の部分にレンズ
系の光軸が通るようにレテイクル14を露光装置
にセツトし、最初に点線のようにレテイクル14
の像をウエハ等のフオトレジストを塗布した転写
対象物(感光基板)に焼き付ける。
系の光学特性を検査するためには、第3図bに示
すように、先ず主尺パターン15の部分にレンズ
系の光軸が通るようにレテイクル14を露光装置
にセツトし、最初に点線のようにレテイクル14
の像をウエハ等のフオトレジストを塗布した転写
対象物(感光基板)に焼き付ける。
次に、レーザー干渉計測長器等の測定値に基づ
いて、ウエハステージをy方向に−4mm送りレテ
イクル14の像を焼き付けると、焼付像21がで
き、このとき最初に焼き付けた副尺パターン16
aの像である副バーニアと2回目に焼き付けた主
尺パターン15の像である主バーニアが重なつた
バーニアAが形成される。
いて、ウエハステージをy方向に−4mm送りレテ
イクル14の像を焼き付けると、焼付像21がで
き、このとき最初に焼き付けた副尺パターン16
aの像である副バーニアと2回目に焼き付けた主
尺パターン15の像である主バーニアが重なつた
バーニアAが形成される。
次いで1回目の焼き付け位置からウエハステー
ジをx方向に−4mm送りレテイクル14の像を焼
き付けると、今度は焼付像22ができそれにより
1回目の焼付けによる副尺パターン16cの副バ
ーニアと3回目の焼付けによる主尺パターン15
の主バーニアが重なつたバーニアBが形成され
る。
ジをx方向に−4mm送りレテイクル14の像を焼
き付けると、今度は焼付像22ができそれにより
1回目の焼付けによる副尺パターン16cの副バ
ーニアと3回目の焼付けによる主尺パターン15
の主バーニアが重なつたバーニアBが形成され
る。
以下同様な操作で焼付像23,24を転写し、
主尺パターン15による主バーニアと副尺パター
ン16bによる副バーニアの重なつたバーニア
C、および主尺パターン15による主バーニアと
副尺パターン16dによる副バーニアの重なつた
バーニアDを形成する。
主尺パターン15による主バーニアと副尺パター
ン16bによる副バーニアの重なつたバーニア
C、および主尺パターン15による主バーニアと
副尺パターン16dによる副バーニアの重なつた
バーニアDを形成する。
こうして形成されたバーニアA〜Dを顕微鏡等
で観察する。このとき、投影レンズ系の光軸の通
る主尺パターン15の像である主バーニアは焼付
像の中心にあるため、一般に歪曲、倍率誤差など
を測る際の基準となる。そのため投影レンズ系の
光軸を基準として、各バーニアA〜Dの格子縞の
ずれ量を読み取るだけでx、y方向の絶対的な歪
曲などが求まる。即ち、従来例では投影像の両縁
の相互の相対的な位置しか測定できなかつたが
(換言すれば歪曲があつても絶対的な量として測
定できなかつた)、本実施例では、光軸を通るよ
うに基準となる主尺パターン15を設けたので、
各バーニアの目盛を直読するだけで光軸を基準と
した投影レンズ系の絶対的な歪量、倍率誤差等が
測定できる。尚、バーニアの目盛としての格子縞
およびその読み方について詳しくは後述する。
で観察する。このとき、投影レンズ系の光軸の通
る主尺パターン15の像である主バーニアは焼付
像の中心にあるため、一般に歪曲、倍率誤差など
を測る際の基準となる。そのため投影レンズ系の
光軸を基準として、各バーニアA〜Dの格子縞の
ずれ量を読み取るだけでx、y方向の絶対的な歪
曲などが求まる。即ち、従来例では投影像の両縁
の相互の相対的な位置しか測定できなかつたが
(換言すれば歪曲があつても絶対的な量として測
定できなかつた)、本実施例では、光軸を通るよ
うに基準となる主尺パターン15を設けたので、
各バーニアの目盛を直読するだけで光軸を基準と
した投影レンズ系の絶対的な歪量、倍率誤差等が
測定できる。尚、バーニアの目盛としての格子縞
およびその読み方について詳しくは後述する。
次に、第4図に第2実施例を示す。本実施例で
は副尺パターン16a〜16dがレテイクル14
の4隅に設けられていて、各副尺パターン16a
〜16dは主尺パターン15から例えば等距離に
ある。1回目の焼付像が点線で示され、以下1回
目の焼き付け位置からウエハステージをx方向に
4mm、y方向に−4mm送つて焼付像25、x方向
に−4mm、y方向に−4mm送つて焼付像26、x
方向に−4mm、y方向に4mm送つて焼付像27、
x方向に4mm、y方向に4mm送つて焼付像28が
形成されている。そして、主尺パターン15によ
る主バーニアと副尺パターン16aによる副バー
ニア、副尺パターン16bによる副バーニア、副
尺パターン16cによる副バーニア、副尺パター
ン16cによる副バーニア、副尺パターン16d
による副バーニアとでそれぞれバーニアA,B,
C,Dを形成している。
は副尺パターン16a〜16dがレテイクル14
の4隅に設けられていて、各副尺パターン16a
〜16dは主尺パターン15から例えば等距離に
ある。1回目の焼付像が点線で示され、以下1回
目の焼き付け位置からウエハステージをx方向に
4mm、y方向に−4mm送つて焼付像25、x方向
に−4mm、y方向に−4mm送つて焼付像26、x
方向に−4mm、y方向に4mm送つて焼付像27、
x方向に4mm、y方向に4mm送つて焼付像28が
形成されている。そして、主尺パターン15によ
る主バーニアと副尺パターン16aによる副バー
ニア、副尺パターン16bによる副バーニア、副
尺パターン16cによる副バーニア、副尺パター
ン16cによる副バーニア、副尺パターン16d
による副バーニアとでそれぞれバーニアA,B,
C,Dを形成している。
第1実施例では投影像の中心から4mmの上下左
右の位置での歪曲などを測定したが、第2実施例
では投影像の4隅での歪曲などを測定しうる。即
ち、第1及び第2実施例によれば副尺パターンは
主尺パターンに対する配置が予めわかつている限
り、レテイクルの任意の位置に配置でき、それに
より投影像のどの位置においても絶対的な歪曲、
倍率誤差なども測定しうる。
右の位置での歪曲などを測定したが、第2実施例
では投影像の4隅での歪曲などを測定しうる。即
ち、第1及び第2実施例によれば副尺パターンは
主尺パターンに対する配置が予めわかつている限
り、レテイクルの任意の位置に配置でき、それに
より投影像のどの位置においても絶対的な歪曲、
倍率誤差なども測定しうる。
ところで第3図、第4図で主、副尺パターンは
逆T字形をしているが、これはx方向とy方向に
伸びる2つの格子縞パターンを互いに直交させて
設けてあるからである。第5図にこの主尺パター
ンの一例を拡大して示し、第6図にこの副尺パタ
ーンの一例を拡大して示す。
逆T字形をしているが、これはx方向とy方向に
伸びる2つの格子縞パターンを互いに直交させて
設けてあるからである。第5図にこの主尺パター
ンの一例を拡大して示し、第6図にこの副尺パタ
ーンの一例を拡大して示す。
第5図において、格子縞パターン120aはレ
テイクル14上にx方向に一定ピツチで設けら
れ、格子縞パターン120bはパターン120a
と同様にy方向に沿つて設けられる。各格子縞パ
ターン120a,120bには、パターンの中央
を0とし正と負の方向に2,4,6,8と目安と
なる数字が打たれている。格子縞パターン50
a,50bは格子縞パターン120a,120b
の補助として設けられたもので、荒いバーニアと
して働く。
テイクル14上にx方向に一定ピツチで設けら
れ、格子縞パターン120bはパターン120a
と同様にy方向に沿つて設けられる。各格子縞パ
ターン120a,120bには、パターンの中央
を0とし正と負の方向に2,4,6,8と目安と
なる数字が打たれている。格子縞パターン50
a,50bは格子縞パターン120a,120b
の補助として設けられたもので、荒いバーニアと
して働く。
第6図の副尺パターンにおいて、これは主尺パ
ターンの格子縞パターン120a,120bのピ
ツチよりもわずかに大きい(または小さい)ピツ
チで設けられた格子縞パターン130a,130
bを有し、パターン130a,130bの各格子
はそれぞれ格子縞パターン120a,120bの
格子間にはさまるように形状決めされている。荒
いバーニアとして働く格子縞パターン51a,5
1bについても同様に、主尺パターンの格子縞パ
ターン50a,50bのピツチよりもわずかに大
きい(または小さい)ピツチで設けられ、パター
ン51a,51bの各格子はそれぞれパターン5
0a,50bの格子間にはさまるように形状決め
されている。
ターンの格子縞パターン120a,120bのピ
ツチよりもわずかに大きい(または小さい)ピツ
チで設けられた格子縞パターン130a,130
bを有し、パターン130a,130bの各格子
はそれぞれ格子縞パターン120a,120bの
格子間にはさまるように形状決めされている。荒
いバーニアとして働く格子縞パターン51a,5
1bについても同様に、主尺パターンの格子縞パ
ターン50a,50bのピツチよりもわずかに大
きい(または小さい)ピツチで設けられ、パター
ン51a,51bの各格子はそれぞれパターン5
0a,50bの格子間にはさまるように形状決め
されている。
主バーニアと副バーニアを重ねて焼き付けたと
き、格子縞パターン120aの0の所に対応する
主バーニアの部分にパターン130aの中央部の
格子x0に対応する主バーニアの格子像がはさま
れ、格子縞パターン120bの0の所に対応する
主バーニアの部分にパターン130bの中央部の
格子y0に対応する副バーニアの格子像がはさまれ
ると、このとき焼付像はその重ね合わせた位置に
おいてx、y方向との歪曲、倍率誤差が零とな
る。
き、格子縞パターン120aの0の所に対応する
主バーニアの部分にパターン130aの中央部の
格子x0に対応する主バーニアの格子像がはさま
れ、格子縞パターン120bの0の所に対応する
主バーニアの部分にパターン130bの中央部の
格子y0に対応する副バーニアの格子像がはさまれ
ると、このとき焼付像はその重ね合わせた位置に
おいてx、y方向との歪曲、倍率誤差が零とな
る。
第7図は第5図と第6図の格子縞パターン12
0a,130aの格子の一例の更に詳しい拡大図
であり、第7図aはパターン120aの方の格子
を、第7図bはパターン130aの方の格子を示
す。
0a,130aの格子の一例の更に詳しい拡大図
であり、第7図aはパターン120aの方の格子
を、第7図bはパターン130aの方の格子を示
す。
第7図aに示す如く、主尺パターン側の格子縞
パターン120aの各格子には段階部100とテ
ーパ部101が中心軸lに対して対称に設けら
れ、格子間のピツチPMは例えば10.0μmに定めら
れている。また第7図bに示す如く、副尺パター
ンの方の各格子は幅を主尺パターンの格子間間隔
dと等しくし、ピツチPsを例えば10.1μmとして
いる。主尺パターンのこれら格子の段階部とテー
パ部は、バーニアを読み取り易くするためのもの
で、従つて主尺パターン、副尺パターンのいずれ
かの側の格子に設ければよい。
パターン120aの各格子には段階部100とテ
ーパ部101が中心軸lに対して対称に設けら
れ、格子間のピツチPMは例えば10.0μmに定めら
れている。また第7図bに示す如く、副尺パター
ンの方の各格子は幅を主尺パターンの格子間間隔
dと等しくし、ピツチPsを例えば10.1μmとして
いる。主尺パターンのこれら格子の段階部とテー
パ部は、バーニアを読み取り易くするためのもの
で、従つて主尺パターン、副尺パターンのいずれ
かの側の格子に設ければよい。
第8図は、第7図a,bの格子縞パターンを1/
10に縮小して重ね焼きしたときの様子を示し、副
バーニアの或る格子S1が主バーニアの格子間に完
全に挾み込まれている。この判定は格子S1に接す
る上下の階段部とテーパ部を見ることにより容易
に行われる。この格子S1に着目すれば、格子S1、
1つ上方の格子S2、2つ上方の格子S3の各位置
E1,E2,E3において、ずれが例えばそれぞれ0、
+0.1μm、+0.2μmと判定でき、0.1μm以上の精度
で重なり重合(ずれ量)を測定できる。
10に縮小して重ね焼きしたときの様子を示し、副
バーニアの或る格子S1が主バーニアの格子間に完
全に挾み込まれている。この判定は格子S1に接す
る上下の階段部とテーパ部を見ることにより容易
に行われる。この格子S1に着目すれば、格子S1、
1つ上方の格子S2、2つ上方の格子S3の各位置
E1,E2,E3において、ずれが例えばそれぞれ0、
+0.1μm、+0.2μmと判定でき、0.1μm以上の精度
で重なり重合(ずれ量)を測定できる。
実際には第5図、第6図の主、副バーニアを重
ね焼きしたとき、格子縞パターン120a,12
0bの像の中のどこが位置E1になつているかを
数字でもとめる。例えば、格子縞パターン120
aの正側の6の像のところで格子縞パターン13
0aの1つの格子像が安全にはさみ込まれている
とするなら、x方向の歪み量は+0.6μmと求ま
る。このとき同時に格子縞パターン120bの負
側の2の像のところで格子縞パターン130bの
1つの格子像が完全にはさみ込まれているなら、
y方向の歪み量は−0.2μmと求まる。
ね焼きしたとき、格子縞パターン120a,12
0bの像の中のどこが位置E1になつているかを
数字でもとめる。例えば、格子縞パターン120
aの正側の6の像のところで格子縞パターン13
0aの1つの格子像が安全にはさみ込まれている
とするなら、x方向の歪み量は+0.6μmと求ま
る。このとき同時に格子縞パターン120bの負
側の2の像のところで格子縞パターン130bの
1つの格子像が完全にはさみ込まれているなら、
y方向の歪み量は−0.2μmと求まる。
以上により、ウエハ上の主と副バーニアを重ね
合わせた位置における投影レンズの歪み量はx方
向で+0.6μm、y方向で−0.2μmの成分をもつベ
クトル量として測定される。
合わせた位置における投影レンズの歪み量はx方
向で+0.6μm、y方向で−0.2μmの成分をもつベ
クトル量として測定される。
ところで以上において主バーニアと副バーニア
等における主と副の用い方は全く相対的なもの
で、いずれを主あるいは副と名付けてもよい。
等における主と副の用い方は全く相対的なもの
で、いずれを主あるいは副と名付けてもよい。
また、上記実施例ではバーニアを用いてずれ量
を測定したが、バーニアではなく、例えば長さ等
が異なる2種類の矩形パターン等を用意してお
き、その一方の種類の矩形パターンをレテイクル
の中心に、他の種類の矩形パターンをレテイクル
上の測定したい位置とに配置してこれらをウエハ
上に重ね焼き付けしてずれ量を測定してもよい。
を測定したが、バーニアではなく、例えば長さ等
が異なる2種類の矩形パターン等を用意してお
き、その一方の種類の矩形パターンをレテイクル
の中心に、他の種類の矩形パターンをレテイクル
上の測定したい位置とに配置してこれらをウエハ
上に重ね焼き付けしてずれ量を測定してもよい。
以上の如く本発明によれば、マスク基板上の複
数のマークのうち1つの投影光学系の光軸が通る
位置に設けたので、焼付像の任意の位置の絶対的
なずれ量が測定できて投影光学系の光学特性を正
確に測りうる。
数のマークのうち1つの投影光学系の光軸が通る
位置に設けたので、焼付像の任意の位置の絶対的
なずれ量が測定できて投影光学系の光学特性を正
確に測りうる。
第1図は従来例を説明するための図、第2図は
焼付像のずれから投影光学系の光学特性を測定す
ることを説明するための図、第3図は本発明の第
1実施例を説明するための図、第4図は第2実施
例を説明するための図、第5図は主尺パターンの
一例を示す拡大図、第6図は副尺パターンの一例
を示す拡大図、第7図は主尺および副尺パターン
の各格子の形状の一例を示す拡大図、第8図は第
7図に示す格子を重ね焼き付けしたときの様子を
示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕、マスク基板……1
4、マーク……15,16a〜16d,50a,
50b,51a,51b,120a,120b,
130a,130b、段階部……100、テーパ
部……101。
焼付像のずれから投影光学系の光学特性を測定す
ることを説明するための図、第3図は本発明の第
1実施例を説明するための図、第4図は第2実施
例を説明するための図、第5図は主尺パターンの
一例を示す拡大図、第6図は副尺パターンの一例
を示す拡大図、第7図は主尺および副尺パターン
の各格子の形状の一例を示す拡大図、第8図は第
7図に示す格子を重ね焼き付けしたときの様子を
示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕、マスク基板……1
4、マーク……15,16a〜16d,50a,
50b,51a,51b,120a,120b,
130a,130b、段階部……100、テーパ
部……101。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マスク基板に形成されたパターンを感光基板
に投影露光するための投影光学系のデイストーシ
ヨンを検査する方法において、 ほぼ中央に第1マークを有し、該第1マークか
ら所定間隔だけ離れた複数の位置に第2マークを
有する基準マスクを、前記第1マークが前記投影
光学系の光軸とほぼ一致するように配置し; 所定の第1位置に前記感光基板を配置して前記
基準マスクのマーク像を前記感光基板に投影露光
する第1工程と; 前記第1マークの投影像と前記第2マークの投
影像との設計上の間隔だけ前記第1マークと第2
マークとを結ぶ方向にずれた第2位置に前記感光
基板を移動させる工程と; 前記第1工程で露光された前記感光基板に前記
基準マスクのマーク像を再度投影露光する第2工
程と; 該感光基板上に露光された前記第1マークの像
と前記第2マークの像との位置ずれ量を検出し、
前記第2マークの位置におけるデイストーシヨン
量を求める工程とを含むことを特徴とするデイス
トーシヨン検査方法。 2 前記第1マークと第2マークの夫々は、互い
に直交する方向に規則的に格子を配列した2つの
格子縞パターンとして形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 前記第1マークと第2マークのいずれか一方
を構成する前記格子縞パターンの各格子に段階部
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の方法。 4 前記第1マークと第2マークのいずれか一方
を構成する前記格子縞パターンの各格子にテーパ
部を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第2
項記載の方法。 5 前記第1マークの格子縞パターンのピツチと
前記第2マークの格子縞パターンのピツチとをわ
ずかに異ならせてバーニアの関係に定めておくこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56180978A JPS5883853A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56180978A JPS5883853A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5883853A JPS5883853A (ja) | 1983-05-19 |
JPS6338697B2 true JPS6338697B2 (ja) | 1988-08-01 |
Family
ID=16092600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56180978A Granted JPS5883853A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 投影光学系のディストーシヨン検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5883853A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10176974A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系の収差測定方法 |
US6947119B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Distortion measurement method and exposure apparatus |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6095435A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光用マスク |
JP2611760B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
JPS63151948A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-24 | Nec Corp | 露光用マスク |
US4742233A (en) * | 1986-12-22 | 1988-05-03 | American Telephone And Telgraph Company | Method and apparatus for automated reading of vernier patterns |
JPS63281439A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 焼き付けずれチェック方法 |
JPS647043A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Nec Corp | Photomask |
JP2666859B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置 |
JP6037876B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2016-12-07 | 東芝情報システム株式会社 | 半導体装置、積層ズレ測定装置及び積層ズレ測定方法 |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56180978A patent/JPS5883853A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10176974A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系の収差測定方法 |
US6947119B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Distortion measurement method and exposure apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5883853A (ja) | 1983-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2539163B2 (ja) | 光学焦点テストマスクと監視システム及び方法 | |
US6118517A (en) | Mask pattern for alignment | |
JP4528464B2 (ja) | アライメント方法、重ね合わせ検査方法及びフォトマスク | |
JPH08250391A (ja) | 位置検出用マーク及び位置検出方法 | |
KR20120092662A (ko) | 광학 특성 계측 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
US6124922A (en) | Exposure device and method for producing a mask for use in the device | |
GB2287328A (en) | Method for fabricating a photomask | |
JPS6338697B2 (ja) | ||
JP2000133576A (ja) | 位置ずれ計測マーク及び位置ずれ計測方法 | |
JPWO2005004211A1 (ja) | フォーカステストマスク、フォーカス測定方法、及び露光装置 | |
US6344896B1 (en) | Method and apparatus for measuring positional shift/distortion by aberration | |
JP2009270988A (ja) | 重ね合わせずれ量算出方法及び半導体装置の製造方法 | |
JPH11102061A (ja) | 投影露光用フォトマスクパターン、投影露光用フォトマスク、焦点位置検出方法、焦点位置制御方法および半導体装置の製造方法 | |
KR20000071810A (ko) | 수차에 기인한 위치상의 이동과 위치 어긋남의 측정 장치및 방법 | |
US20070002293A1 (en) | Method measuring distortion using exposure equipment | |
JP3336357B2 (ja) | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法 | |
JP2830784B2 (ja) | 位置誤差計測方法および半導体装置の製造方法 | |
JP3427113B2 (ja) | ステージ精度評価方法 | |
JP2696962B2 (ja) | 線幅測定方法及び該方法を用いた露光装置の検査方法 | |
JP3259190B2 (ja) | 投影光学系のディストーション検査方法 | |
JP2010147109A (ja) | 評価方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2003178968A (ja) | 収差計測方法及び投影露光装置 | |
JPH04209518A (ja) | 位置ずれ計測方法、及び露光装置の精度確認方法 | |
KR960002287B1 (ko) | 정렬/노광장치의 스텝핑 정밀도 측정방법 | |
JPH06120115A (ja) | 露光位置精度の検査方法 |