JP2978802B2 - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
- Publication number
- JP2978802B2 JP2978802B2 JP8338486A JP33848696A JP2978802B2 JP 2978802 B2 JP2978802 B2 JP 2978802B2 JP 8338486 A JP8338486 A JP 8338486A JP 33848696 A JP33848696 A JP 33848696A JP 2978802 B2 JP2978802 B2 JP 2978802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- holder
- wafer
- pseudo wafer
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板である
ウェハに金属膜と同一金属の窒化膜を交互にスパッタリ
ングするスパッタ装置に関する。
ウェハに金属膜と同一金属の窒化膜を交互にスパッタリ
ングするスパッタ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば、同一金属膜であるTi膜
及びTiN膜を成膜するプロセスにおいては、一つのス
パッタチャンバ内でTi膜の成膜とTiN膜の成膜を交
互に行なうことがある。このことは、異なる二台のスパ
ッタ装置で行なえば、処理時間が短縮されるが、Ti膜
およびTiN膜と異なる金属膜を形成していたスパッタ
装置では成膜すると、スパッタチャンバに堆積する異質
の金属膜が剥れその金属のパーテイクルがTi膜あるい
はTiN膜を汚染するという品質上の問題が起きること
が多々あった。
及びTiN膜を成膜するプロセスにおいては、一つのス
パッタチャンバ内でTi膜の成膜とTiN膜の成膜を交
互に行なうことがある。このことは、異なる二台のスパ
ッタ装置で行なえば、処理時間が短縮されるが、Ti膜
およびTiN膜と異なる金属膜を形成していたスパッタ
装置では成膜すると、スパッタチャンバに堆積する異質
の金属膜が剥れその金属のパーテイクルがTi膜あるい
はTiN膜を汚染するという品質上の問題が起きること
が多々あった。
【0003】そこで、同一の金属の窒化膜を形成する場
合は、同一のスパッタ装置を使用して、例えば、Ti膜
からTiN膜へあるいはTiN膜からTi膜へ条件を切
換えることにより行なっていた。しかしながら、切換え
直後のスパッタリングは、装置のドリフトなどにより不
安定であるため、スパッタリングを安定させる意味で、
空飛ばしと呼ばれる製品となるウェハ以外の物に仮にス
パッタリングすることが必要であった。
合は、同一のスパッタ装置を使用して、例えば、Ti膜
からTiN膜へあるいはTiN膜からTi膜へ条件を切
換えることにより行なっていた。しかしながら、切換え
直後のスパッタリングは、装置のドリフトなどにより不
安定であるため、スパッタリングを安定させる意味で、
空飛ばしと呼ばれる製品となるウェハ以外の物に仮にス
パッタリングすることが必要であった。
【0004】図2(a)および(b)は従来の一例のス
パッタ装置の模式横断面図および模式縦断面図である。
従来、この種のスパッタ装置は、図2に示すように、チ
ャンバ15内に設けられるとともにシャフト16の回転
によりチャンバ21内に水平に旋回するシャッタ14を
備えていた。また、このシャッタ14は、スパッタ物が
ホルダ17に付着しないように、ホルダ17の全面を覆
うのに十分な大きさをもっている。
パッタ装置の模式横断面図および模式縦断面図である。
従来、この種のスパッタ装置は、図2に示すように、チ
ャンバ15内に設けられるとともにシャフト16の回転
によりチャンバ21内に水平に旋回するシャッタ14を
備えていた。また、このシャッタ14は、スパッタ物が
ホルダ17に付着しないように、ホルダ17の全面を覆
うのに十分な大きさをもっている。
【0005】さらに、このシャッタ14は旋回され2つ
の位置に位置決めされるようになっており、試しに行な
う空飛ばしのときは、シャッタ14の位置は閉位置とな
り、それ以外のウェハにスパッタリングするときは開位
置となっている。言い換えれば、シャッタ14の閉位置
にして、高周波および直流電圧が印加されたカソード1
8およびターゲット19からTiあるいはTiNをスパ
ッタリングさせシャッタ14上にTi膜あるいはTiN
膜をデポジットしていた。
の位置に位置決めされるようになっており、試しに行な
う空飛ばしのときは、シャッタ14の位置は閉位置とな
り、それ以外のウェハにスパッタリングするときは開位
置となっている。言い換えれば、シャッタ14の閉位置
にして、高周波および直流電圧が印加されたカソード1
8およびターゲット19からTiあるいはTiNをスパ
ッタリングさせシャッタ14上にTi膜あるいはTiN
膜をデポジットしていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のスパッ
タ装置では、空飛ばし毎にシャッタ上にTi膜やTiN
膜が堆積し、やがては膜が剥離しパーティクル状異物と
なり、この異物がホルダに載置されたウェハに付着し品
質に重大な欠陥をもたらすことがある。そこで、従来
は、これを避けるため何回か空飛ばしを行なった後、シ
ャッタを交換していた。
タ装置では、空飛ばし毎にシャッタ上にTi膜やTiN
膜が堆積し、やがては膜が剥離しパーティクル状異物と
なり、この異物がホルダに載置されたウェハに付着し品
質に重大な欠陥をもたらすことがある。そこで、従来
は、これを避けるため何回か空飛ばしを行なった後、シ
ャッタを交換していた。
【0007】しかしながら、チャンバを大気にしてシャ
ッタの交換し、再びチャンバを真空にして復帰するのに
多大な時間を浪費するという問題がある。
ッタの交換し、再びチャンバを真空にして復帰するのに
多大な時間を浪費するという問題がある。
【0008】従って、本発明の目的は、チャンバを大気
にすることなく空飛ばし用部材を交換できるとともに空
飛ばし用部材のデポジット膜が剥れ落ちないスパッタ装
置を提供することである。
にすることなく空飛ばし用部材を交換できるとともに空
飛ばし用部材のデポジット膜が剥れ落ちないスパッタ装
置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、円形状
の半導体基板であるウェハを載置するホルダと、このホ
ルダを収納し該ホルダと対向して配置されるターゲット
を具備するスパッタ装置において、前記ホルダの全面を
覆う程度の大きさであるとともに円形状の疑似ウェハを
載置するシャッタと、前記ホルダの全面を覆う位置と前
記ホルダの全面を露呈する位置とに前記シャッタを移動
させ位置決めする機構と、前記ホルダを露呈する位置に
おける前記シャッタの前記疑似ウェハの真上に対応する
前記チャンバ壁に形成され前記疑似ウェハが入り得る程
度の円形穴と該円形穴と直径が同程度の内径をもつとと
もにゲートバルブを介して前記チャンバに気密に取り付
けられる開閉蓋付き円筒部材と、この円筒部材に挿入さ
れる前記疑似ウェハを該円筒部材内に停留させる載置部
材と、この載置部材の該疑似ウェハの停留を解除する手
段と、前記ホルダから退避した前記シャッタの前記疑似
ウェハの載置面を貫通して前記円筒部材内に挿入し停留
が解除される前記疑似ウェハを乗せるとともに下降し前
記シャッタの前記載置面に前記疑似ウェハを移載する手
段とを備えるスパッタ装置である。
の半導体基板であるウェハを載置するホルダと、このホ
ルダを収納し該ホルダと対向して配置されるターゲット
を具備するスパッタ装置において、前記ホルダの全面を
覆う程度の大きさであるとともに円形状の疑似ウェハを
載置するシャッタと、前記ホルダの全面を覆う位置と前
記ホルダの全面を露呈する位置とに前記シャッタを移動
させ位置決めする機構と、前記ホルダを露呈する位置に
おける前記シャッタの前記疑似ウェハの真上に対応する
前記チャンバ壁に形成され前記疑似ウェハが入り得る程
度の円形穴と該円形穴と直径が同程度の内径をもつとと
もにゲートバルブを介して前記チャンバに気密に取り付
けられる開閉蓋付き円筒部材と、この円筒部材に挿入さ
れる前記疑似ウェハを該円筒部材内に停留させる載置部
材と、この載置部材の該疑似ウェハの停留を解除する手
段と、前記ホルダから退避した前記シャッタの前記疑似
ウェハの載置面を貫通して前記円筒部材内に挿入し停留
が解除される前記疑似ウェハを乗せるとともに下降し前
記シャッタの前記載置面に前記疑似ウェハを移載する手
段とを備えるスパッタ装置である。
【0010】また、前記円筒部材内を真空排気する真空
ポンプを備えることが望ましい。さらに、前記シャッタ
の前記疑似ウェハの載置面に該疑似ウェハを周囲を囲み
取付け取外し可能な皿状部材を備えることが望ましい。
ポンプを備えることが望ましい。さらに、前記シャッタ
の前記疑似ウェハの載置面に該疑似ウェハを周囲を囲み
取付け取外し可能な皿状部材を備えることが望ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0012】図1(a)および(b)は本発明の一実施
の形態におけるスパッタ装置を示す上面図および断面図
である。このスパッタ装置は、図1に示すように、チャ
ンバ12の真空を破らずに空飛ばし用の円形状のダミー
ウェハ20をチャンバ12内のAの位置にあるシャッタ
9に乗せたりあるいはシャッタ9に乗せられたダミーウ
ェハ20をチャンバ12から取り出したりすることがで
きるダミーウェハの取入れ取出し機構1を設けたことで
ある。
の形態におけるスパッタ装置を示す上面図および断面図
である。このスパッタ装置は、図1に示すように、チャ
ンバ12の真空を破らずに空飛ばし用の円形状のダミー
ウェハ20をチャンバ12内のAの位置にあるシャッタ
9に乗せたりあるいはシャッタ9に乗せられたダミーウ
ェハ20をチャンバ12から取り出したりすることがで
きるダミーウェハの取入れ取出し機構1を設けたことで
ある。
【0013】また、この取入れ取出し機構1は、ホルダ
17の全面を露呈する位置Aにおけるシャッタ9のダミ
ーウェハ20の真上に対応するチャンバ12の壁に形成
されダミーウェハ20が入り得る程度の円形状の穴12
aとこの穴12aと直径が同程度の内径をもつとともに
ゲートバルブ3を介してチャンバ12に気密に取り付け
られる開閉し得る蓋2付き円筒状の小室1aと、この小
室1aに挿入されるダミーウェハ20を小室1a内に停
留させるシュー5と、このシュー5を引込ませダミーウ
ェハの停留を解除するソレノイド4と、ホルダ17から
退避したシャッタ9のダミーウェハ20の載置面9bを
貫通して小室1a内に挿入し停留が解除されたダミーウ
ェハ20を乗せるとともに下降してシャッタ9の載置面
9bにダミーウェハ20を移載する突き上げロッド6と
で構成されている。
17の全面を露呈する位置Aにおけるシャッタ9のダミ
ーウェハ20の真上に対応するチャンバ12の壁に形成
されダミーウェハ20が入り得る程度の円形状の穴12
aとこの穴12aと直径が同程度の内径をもつとともに
ゲートバルブ3を介してチャンバ12に気密に取り付け
られる開閉し得る蓋2付き円筒状の小室1aと、この小
室1aに挿入されるダミーウェハ20を小室1a内に停
留させるシュー5と、このシュー5を引込ませダミーウ
ェハの停留を解除するソレノイド4と、ホルダ17から
退避したシャッタ9のダミーウェハ20の載置面9bを
貫通して小室1a内に挿入し停留が解除されたダミーウ
ェハ20を乗せるとともに下降してシャッタ9の載置面
9bにダミーウェハ20を移載する突き上げロッド6と
で構成されている。
【0014】なお、シャッタ9の旋回角度はチャンバ1
2の容積が大きくならないように、シャッタ9がダミー
ウェハを移載する位置をホルダ17が露呈する程度にす
ることが望ましい。そして、チャンバ12の内壁もシャ
ッタ9が当らない程度にシャッタ9の外形に倣うように
製作することが望ましい。また、シャッタ9のダミーウ
ェハ20の載置面9b周辺にダミーウェハ20を囲むよ
うに皿状部材9aを設け、ダミーウェハ20およびその
周囲に付着する膜が剥れてもチャンバ12内に落ち込ま
ないようにする。なお、この皿状部材9aは、交換でき
るように、シャッタ9から取付け取外すことができるよ
うにすることが望ましい。
2の容積が大きくならないように、シャッタ9がダミー
ウェハを移載する位置をホルダ17が露呈する程度にす
ることが望ましい。そして、チャンバ12の内壁もシャ
ッタ9が当らない程度にシャッタ9の外形に倣うように
製作することが望ましい。また、シャッタ9のダミーウ
ェハ20の載置面9b周辺にダミーウェハ20を囲むよ
うに皿状部材9aを設け、ダミーウェハ20およびその
周囲に付着する膜が剥れてもチャンバ12内に落ち込ま
ないようにする。なお、この皿状部材9aは、交換でき
るように、シャッタ9から取付け取外すことができるよ
うにすることが望ましい。
【0015】一方、取入れ取出し機構1の小室1aはチ
ャンバ12の容積に比べ小さいものの、チャンバ12の
真空排気時間をより早くするために、小室1aのリーク
弁7の後段の配管13には開閉弁8と機械的真空ポンプ
であるロータリーポンプを接続することが望ましい。
ャンバ12の容積に比べ小さいものの、チャンバ12の
真空排気時間をより早くするために、小室1aのリーク
弁7の後段の配管13には開閉弁8と機械的真空ポンプ
であるロータリーポンプを接続することが望ましい。
【0016】次に、Ti膜形成からTiN膜形成に切替
えることを想定しこのスパッタ装置の動作を説明する。
まず、図示していない図面の左側のロードロック室に未
処理のウェハの複数枚を収納したウェハカセットをエレ
ベータ台に乗せる。この操作と平行して小室1aの蓋2
を開けダミーウェハ20を突出したシュー5の上に乗せ
る。次に、ロードロック室とチャンバ12および小室1
aを真空排気する。このとき小室1aのリーク弁7を閉
じ開閉弁8を開きロータリーポンプで真空排気する。
えることを想定しこのスパッタ装置の動作を説明する。
まず、図示していない図面の左側のロードロック室に未
処理のウェハの複数枚を収納したウェハカセットをエレ
ベータ台に乗せる。この操作と平行して小室1aの蓋2
を開けダミーウェハ20を突出したシュー5の上に乗せ
る。次に、ロードロック室とチャンバ12および小室1
aを真空排気する。このとき小室1aのリーク弁7を閉
じ開閉弁8を開きロータリーポンプで真空排気する。
【0017】次に、チャンバ12と小室1aの真空度が
同程度になったら、ゲートバルブ3で穴12aを開け、
突き上げロッド6を上昇させダミーウェハ20に当接さ
せダミーウェハ20をシュー5より浮かせ、ソレノイド
4を動作させシュー5を引込める。そして、突き上げロ
ッド6を下降させダミーウェハ20をシャッタ9の載置
面9bに移載する。そして、ゲートバルブ3により穴1
2aを閉じ、不要なガスが小室1aに入らないようにす
る。また、開閉弁8を閉じリーク弁7を開き小室1aを
大気にしても良い。次に、ダミーウェハが移載されたシ
ャッタ9はロータリーソレノイド11による旋回軸10
の回転とともに旋回され、Aの位置からBの位置に移動
する。
同程度になったら、ゲートバルブ3で穴12aを開け、
突き上げロッド6を上昇させダミーウェハ20に当接さ
せダミーウェハ20をシュー5より浮かせ、ソレノイド
4を動作させシュー5を引込める。そして、突き上げロ
ッド6を下降させダミーウェハ20をシャッタ9の載置
面9bに移載する。そして、ゲートバルブ3により穴1
2aを閉じ、不要なガスが小室1aに入らないようにす
る。また、開閉弁8を閉じリーク弁7を開き小室1aを
大気にしても良い。次に、ダミーウェハが移載されたシ
ャッタ9はロータリーソレノイド11による旋回軸10
の回転とともに旋回され、Aの位置からBの位置に移動
する。
【0018】次に、チャンバ12が所定の真空度に達し
たら、シャッタ9をBの位置にし、窒素ガスを含むエッ
チングガスをチャンバ12に導入し空飛ばしのスパッタ
を行ないターゲットの真下にあるダミーウェハ20をデ
ポジットする。そして、シャッタ9を旋回させBからA
の位置に退避させる。次に、ウェハカセットからエレベ
ータの上下動とロボットアームの移動動作により順次ウ
ェハをホルダ17に移載しスパッタリングを行なう。
たら、シャッタ9をBの位置にし、窒素ガスを含むエッ
チングガスをチャンバ12に導入し空飛ばしのスパッタ
を行ないターゲットの真下にあるダミーウェハ20をデ
ポジットする。そして、シャッタ9を旋回させBからA
の位置に退避させる。次に、ウェハカセットからエレベ
ータの上下動とロボットアームの移動動作により順次ウ
ェハをホルダ17に移載しスパッタリングを行なう。
【0019】また、逆に、TiN膜形成からTi膜形成
に切替えるときも、前述と同じように、退避していたシ
ャッタ9を旋回させBの位置にし初期の空飛ばしを行な
ってから、シャッタ9をAの位置に退避させ未処理のウ
ェハをスパッタリングする。
に切替えるときも、前述と同じように、退避していたシ
ャッタ9を旋回させBの位置にし初期の空飛ばしを行な
ってから、シャッタ9をAの位置に退避させ未処理のウ
ェハをスパッタリングする。
【0020】次に、ダミーウェハ20のデポジット膜が
厚く堆積し剥離しそうになりダミーウェハを交換しなけ
ればならない場合の動作を説明する。
厚く堆積し剥離しそうになりダミーウェハを交換しなけ
ればならない場合の動作を説明する。
【0021】チャンバ12が真空中であるときに交換す
る場合は、まず、シャッタ9をAの位置にし、ゲートバ
ルブ3を開け、突き上げロッド6を上昇させダミーウェ
ハ20を先端に乗せ小室1aに入れ、ソレノイド4によ
りシュー5を突出させてから、突き上げロッド6を下降
させシュー5にダミーウェハ20を移載する。そして、
突き上げロッドを下降させ小室1aから脱出してから、
ゲートバルブ3を閉じ、リーク弁7を開き小室1aを大
気にし、蓋2を開けダミーウェハ20を取り出し、新な
ダミーウェハと交換する。
る場合は、まず、シャッタ9をAの位置にし、ゲートバ
ルブ3を開け、突き上げロッド6を上昇させダミーウェ
ハ20を先端に乗せ小室1aに入れ、ソレノイド4によ
りシュー5を突出させてから、突き上げロッド6を下降
させシュー5にダミーウェハ20を移載する。そして、
突き上げロッドを下降させ小室1aから脱出してから、
ゲートバルブ3を閉じ、リーク弁7を開き小室1aを大
気にし、蓋2を開けダミーウェハ20を取り出し、新な
ダミーウェハと交換する。
【0022】また、チャンバ12が大気の場合は、開閉
弁8を閉じリーク弁7を開き小室1aを大気にしてか
ら、ゲートバルブ3を開き、ダミーウェハ20を小室1
aを入れるように突き上げロッド6を上昇させ、蓋2を
開けて小室1aよりダミーウェハ20を取り出し、新し
いダミーウェハを突き上げロッド6の戦端に乗せ、突き
上げロッド6を下降させホルダ17から退避しているシ
ャッタ9の載置面9bにダミーウェハ20を移載する。
弁8を閉じリーク弁7を開き小室1aを大気にしてか
ら、ゲートバルブ3を開き、ダミーウェハ20を小室1
aを入れるように突き上げロッド6を上昇させ、蓋2を
開けて小室1aよりダミーウェハ20を取り出し、新し
いダミーウェハを突き上げロッド6の戦端に乗せ、突き
上げロッド6を下降させホルダ17から退避しているシ
ャッタ9の載置面9bにダミーウェハ20を移載する。
【0023】このように、チャンバ12が真空中でも大
気中でも空飛ばし用部材であるダミーウェハを交換でき
る。なお、ダミーウェハの材質は何でも良く、要は処理
されるウェハと同じ円形状であれば良い。
気中でも空飛ばし用部材であるダミーウェハを交換でき
る。なお、ダミーウェハの材質は何でも良く、要は処理
されるウェハと同じ円形状であれば良い。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、空飛ばし
用のダミーウェハを載置するとともに処理すべきウェハ
を載置するホルダを覆う程度の大きさのシャッタと、こ
のシャッタをホルダの上とホルダを露呈する位置に移動
位置決めする機構と、シャッタがホルダから退避する位
置の真上のチャンバにゲートバルブを介してダミーウェ
ハが出し入れできる小室とを設けることによって、チャ
ンバの真空を開放することやシャッタの交換が無くな
り、その分装置の停止が少なく装置の稼働率が向上する
という効果がある。
用のダミーウェハを載置するとともに処理すべきウェハ
を載置するホルダを覆う程度の大きさのシャッタと、こ
のシャッタをホルダの上とホルダを露呈する位置に移動
位置決めする機構と、シャッタがホルダから退避する位
置の真上のチャンバにゲートバルブを介してダミーウェ
ハが出し入れできる小室とを設けることによって、チャ
ンバの真空を開放することやシャッタの交換が無くな
り、その分装置の停止が少なく装置の稼働率が向上する
という効果がある。
【0025】また、シャッタに載置されたダミーウェハ
の周囲に皿状部材を設けることによって、デポジット膜
の剥れ物質がチャンバ内に落ち込むことが無くなり、従
来、起きていた品質の欠陥が皆無となった。
の周囲に皿状部材を設けることによって、デポジット膜
の剥れ物質がチャンバ内に落ち込むことが無くなり、従
来、起きていた品質の欠陥が皆無となった。
【図1】本発明の一実施の形態におけるスパッタ装置を
示す上面図および断面図である。
示す上面図および断面図である。
【図2】従来の一例のスパッタ装置の模式横断面図およ
び模式縦断面図である。
び模式縦断面図である。
1 取入れ取出し機構 1a 小室 2 蓋 3 ゲートバルブ 4 ソレノイド 5 シュー 6 突き上げロッド 7 リーク弁 8 開閉弁 9,14 シャッタ 9a 皿状部材 9b 載置面 10 旋回軸 11 ロータリーソレノイド 12,15 チャンバ 12a 穴 13 配管 16 シャフト 17 ホルダ 18 カソード 19 ターゲット 20 ダミーウェハ
Claims (3)
- 【請求項1】 円形状の半導体基板であるウェハを載置
するホルダと、このホルダを収納し該ホルダと対向して
配置されるターゲットを具備するスパッタ装置におい
て、前記ホルダの全面を覆う程度の大きさであるととも
に円形状の疑似ウェハを載置するシャッタと、前記ホル
ダの全面を覆う位置と前記ホルダの全面を露呈する位置
とに前記シャッタを移動させ位置決めする機構と、前記
ホルダを露呈する位置における前記シャッタの前記疑似
ウェハの真上に対応する前記チャンバ壁に形成され前記
疑似ウェハが入り得る程度の円形穴と該円形穴と直径が
同程度の内径をもつとともにゲートバルブを介して前記
チャンバに気密に取り付けられる開閉蓋付き円筒部材
と、この円筒部材に挿入される前記疑似ウェハを該円筒
部材内に停留させる載置部材と、この載置部材の該疑似
ウェハの停留を解除する手段と、前記ホルダから退避し
た前記シャッタの前記疑似ウェハの載置面を貫通して前
記円筒部材内に挿入し停留が解除される前記疑似ウェハ
を乗せるとともに下降し前記シャッタの前記載置面に前
記疑似ウェハを移載する手段とを備えることを特徴とす
るスパッタ装置。 - 【請求項2】 前記円筒部材内を真空排気する真空ポン
プを備えることを特徴とする請求項1記載のスパッタ装
置。 - 【請求項3】 前記シャッタの前記疑似ウェハの載置面
に該疑似ウェハを周囲を囲み取付け取外し可能な皿状部
材を備えることを特徴とする請求項1および請求項2記
載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8338486A JP2978802B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8338486A JP2978802B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | スパッタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10176268A JPH10176268A (ja) | 1998-06-30 |
JP2978802B2 true JP2978802B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=18318615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8338486A Expired - Lifetime JP2978802B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2978802B2 (ja) |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP8338486A patent/JP2978802B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10176268A (ja) | 1998-06-30 |
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---|---|---|---|
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