JPH0215632B2

JPH0215632B2 -

Info

Publication number: JPH0215632B2
Application number: JP58145089A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Takahashi; Hiroyoshi Murota
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1983-08-10
Filing date: 1983-08-10
Publication date: 1990-04-12
Also published as: JPS6039162A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は基板上に薄膜を形成するか或いは基板
上の薄膜をエツチングする薄膜処理装置に関する
ものである。

本発明の具体的応用分野の一例はシリコンのモ
ノリシツク集積回路製造工程における薄膜作製過
程である。そこでは例えば直径約120mm厚み約0.5
mm程度の大量のシリコンウエハー（基体）の上に
厚み１ミクロン程度の金属薄膜や絶縁物薄膜を形
成することが必要とされる。作製すべき薄膜に必
要とされる電気的・機械的・物理的諸特性は一般
的に真空容器内の不純物ガス分圧が低いほどすぐ
れたものが得られるので、スパツタリングを行う
べき真空容器は可能な限り大気にさらす時間を短
かくするのが好ましい。また大量にシリコンウエ
ハーを処理するためにスパツタ装置の稼動に際し
てはウエハーの装置への挿入・脱離と真空排気た
めの時間の全体に占める割合を小さくすることが
好ましく、従つてシリコンウエハーを保持する部
分（ホルダ）の容積を小さくすることが望まし
い。更に大量の処理を早くするためにはウエハー
の装置への挿入・脱離を複数箇所で行なうことが
好ましく、更にまた処理すべきウエハーの上に塵
埃が付着したりあるいは膜の付着しないピンホー
ル等が生じることさえ嫌らわれ、そのために仮に
真空室内に塵埃が発生してもウエハーの表面に付
着しないようにすることが好ましい。特にこの塵
埃やピンホールは品質に関するものであつて、少
なくともこれは絶体に避ける必要がある。

従来のこの種のスパツタリング装置は、コーチ
ングステーシヨンがふつう数個またはそれ以上直
線状に又は環状に配置されている。このような構
成において、前述の問題点を避けるため、あとに
改めて説明するが、前記の環を垂直に立てたよう
にコーチングステーシヨンを配置して各ウエハー
が常に垂直に配置したものがある。これにより相
当の改善は得られているが、塵埃が装置中に生じ
ると垂直であるにも拘らず若干の付着があり、そ
の付着やピンホールの回避は充分ではなく、また
ウエハーの装置への挿入が脱離を複数箇所で行な
うことは困難であつた。

したがつて本発明の目的は塵埃の付着とピンホ
ールの形成を極小にした薄膜処理真空装置を得よ
うとするものである。

本発明の他の目的は上記に加えて基板ホルダへ
のウエハーの挿入脱離を複数箇所で行なうことを
可能とした薄膜処理真空装置を得ようとするもの
である。

本発明は上記の目的を達成するために塵埃の主
たる発生源がウエハーの上部に来ないようにする
と共に環を垂直に立てることを避けるようにした
ものである。

すなわち本発明によれば、真空容器中回転可能
に設けられ、薄膜処理すべき基板を複数個同心状
に保持し得る基板ホルダーと、未処理の基板を大
気側から前記真空容器内に挿入して前記基板ホル
ダーに装着し、この基板ホルダーの回転により所
定位置で薄膜処理された基板を、該基板ホルダか
ら脱離し該真空室内から大気側に取り出す基板移
動手段とを有する薄膜処理装置において、前記基
板ホルダーが鉛直な回転軸を持つ多面体構造をし
ていて、各面に前記基板を鉛直に近い姿勢で外方
に向けて同じ高さに装着できるように構成してあ
り、前記基板移動手段が、前記真空容器の側面に
設けられ、容器外方に対しては該容器の側面に平
行な扉の開閉で、容器内方に対しては該側面に沿
つた方向に向けて設けたロードロツクバルブの開
閉で、前記基板の通過および気密封止を可能とす
る比較的小さな容量を持つロードロツク室と、前
記ロードロツクバルブを通過する基体を一時的に
保持する基体装着機構収納部と、この基体装着機
構収納部と前記基板ホルダーの間で前記基板を移
動させる容器内移動手段とを備え、しかして前記
ロードロツク室には独立した排気ポンプが付設さ
れていることを特徴とする薄膜処理真空装置が得
られる。

また上記の装置において、更に前記基板移動手
段が実質的に同じ高さに２組設けられ、而してこ
の２組の基板移動手段は同時に挿入装着と脱離取
出しを行なうことが出来るように構成してあるこ
とを特徴とする薄膜処理真空装置が得られる。

次に図面を参照して詳細に説明する。

第１図は従来の薄膜処理装置の構成の一例を主
部分を示した図である。第１図において、基板ホ
ルダ１は垂直になつていて、等角度に５つのコー
チングステーシヨン２，２′，２″…を有してい
る。そしてコーチングステーシヨン２″の位置に
スパツタ電極５が配置してある。ウエハーの挿入
にあたつては、まずコーチングステーシヨン２を
図の左側の６の位置に開く。一方カセツトガイド
７にはカセツト８が移動可能に保持されていて、
その中にはウエハー９が多数垂直に収納されてい
る。そこでこのウエハー９の端の１枚を上述の開
いたコーチングステーシヨン６に装着し、次いで
２の位置に戻す。これからあとはふつうの方法で
２′，２″の順に送られ、２″においてスパツタ処
理が行なわれる。

本装置においては、コーチングステーシヨン
２，２′…に装着されたウエハーはすべて垂直に
なつているので塵埃の付着は確かに少ない。しか
し基板ホルダ１が回転移動すると、その振動によ
り該ホルダから塵埃が落下するので、下方にある
基板には僅かであつても付着物が生じる。この付
着物は極めて微量でも先に述べたように問題にな
るのである。また第１図から分るように、基板ホ
ルダ１は相当大きく而も上下に寸法が延びている
ので、別の基板挿入脱離位置を上方に設けようと
すれば取扱いが極めて困難になる。更に基体ホル
ダー自体も形状が大きくなり大きな排気装置を必
要とする。

第２図は本発明の一実施例の真空容器および基
体装置機構部を斜めから見た外観図である。

第３図は第２図の実施例における真空容器内構
成およびスパツター部の構成の断面を示した図で
ある。

以下第２図および第３図を併用して本実施例の
構成および動作を説明する。なおいうまでもない
ことであるが、各構成要素の参照数字は両図で共
用している。真空容器１０は外側に６個の四角な
面〜を持つ立体で構成されている。面には
比較的小さな容器を持つ第１のロードロツク室２
０および基体挿着機構収納室３０が取り付けら
れ、２つの部屋の間にはロードロツクバルブ２５
が設けられている。面にはスパツタ電極５０が
取付けられ、その真空側の面にターゲツト５１が
設けられている。面には比較的小さな容量をも
つ第２のロードロツク室４０、基体脱離機構収納
室３０′が取付けられ、２つの部屋の間にはロー
ドロツクバルブ２６が設けられている。なお面
に取付けられた第１のロードロツク室２０、ロー
ドロツクバルブ２５および基体挿着機構収納室３
０と、面に取付けられた第２のロードロツク室
４０、ロードロツクバルブ２６および基体脱離機
構収納室３０′とは夫々真空容器の中心軸６１に
軸対称な位置にある。面に対向する面には第
２のスパツタ電極５０′が取付けられている。真
空容器１０の上部面Ｖからは真空容器内の基板ホ
ルダー６０を駆動する軸６２が導入され、ここに
は図示されていない駆動源により真空容器６０内
で軸６１のまわりに断続的な回転運動を行わせ
る。図示されていない真空容器の底面（）には
排気口が設けられており、そこに接続されたポン
プにより真空容器内を排気して真空にすることが
できる。また絶体必要という訳ではないが、第１
のロードロツク室２０、第２のロードロツク室４
０にもそれぞれ独立したポンプを設けて排気でき
ることが真空容器内の不純物ガス分圧を低く維持
するためには望ましい。真空容器１０には図示さ
れてはないガス導入系により通常はアルゴンガス
が導入され、その流量とポンプの排気速度を均衡
させることによりグロー放電を行い、スパツタリ
ングを行うのに適切な圧力の平衡状態を作ること
ができる。なお真空容器の各面に取付けられる各
構造物は絶縁スペーサー５３，５３′を用いて真
空容器の真空を維持できるようなシール機構を有
している。

次にウエハーの移送順序について説明する。は
じめに主として第２図を参照すると、作業者は薄
膜をその上に作製すべきウエハー９１を複数個鉛
直な状態で収容したカセツト８１をカセツトガイ
ド７０に取付ける。次ぎにロードロツクバルブ２
５を閉じ第１のロードロツク室２０が大気状態に
され、図示されてない扉開閉機構により自動的に
その扉が開いて２点鎖線２１で示す位置に移動さ
れ、その状態で図示されていないウエハー上下機
構により矢印ａで示す軌跡に沿つて９２の位置に
移送され固定される。次いで扉開閉機構により扉
は閉じることによりウエハーは矢印ｂで示す軌跡
に沿つて一点鎖線９３の位置に移行する。次いで
第１のロードロツク室を排気した後にロードロツ
クバルブ２５を開いてウエハー９１を矢印ｃで示
す軌跡に沿つて基体挿着機構収納室３０に収納さ
れた図示されていない基体挿着機構にまで移送
し、一点鎖線９４の位置に固定する。次いでウエ
ハーは基体挿着機構により矢印ｄで示す軌跡に沿
つて基板ホルダーに挿着される。薄膜作製が行わ
れたウエハーの真空容器から大気側への搬送は、
ここで第３図を参照すると、基体脱離機構・基体
脱離機構収納室３０′、ロードロツクバルブ２６、
第２のロードロツク室４０を経由して今迄述べた
のとはちようど逆の順序に従つて行われ、処理済
みのウエハーは別のカセツト８２′へ収納される。

前述のウエハーの移送は１枚づつ次々に行わ
れ、カセツト８１はそこからウエハーが送り出さ
れる毎にカセツトガイド７０に沿つて矢印αの方
向に所定の間隔で自動的に移動され、すべてのウ
エハーが送り出されたカセツト８２は矢印βの方
向に送られて作業者が装置から取り除く。他方別
のカセツトガイド７０′には作業者があらかじめ
空のカセツトを用意しておくと、これに処理され
たウエハーが１枚づつ収納され、１枚収納が終了
するたびに矢印β′の方向に沿つて自動的に所定の
間隔で移動され、処理されたウエハーで一杯とな
つたカセツト８２′を作業者が装置から受け取る
ことができる。なお第１及び第２のロードロツク
室の容積は可能な限り小さいことが望ましい。特
に前記の説明とは異つてロードロツク室の排気を
行わずにロードロツクバルブを開いてウエハーを
移送する場合には、ロードロツク室内の大気圧成
分が真空容器内に流入しスパツタリング最中の不
純物ガス分圧を高めることになるので、このこと
は極めて重要である。

次に特に第３図を参照して真空容器内のウエハ
ーの搬送を更に詳細に説明する。真空容器内に導
入されたウエハー９１は図示されていない基体挿
着機構により矢印ｄで示す軌跡に沿つて移動さ
れ、４枚のウエハー取付面をもつ基板ホルダー６
０の１つの面に取付けられて９１Ａに示す位置に
固定される。次いで基板ホルダー６０は回転軸６
１のまわりに矢印ｊで示す方向に約90゜回転して
停止する。この結果前述のウエハーは位置９１Ｂ
に移動しスパツタリングが起こるターゲツト面５
１に対向する。ターゲツト５１は絶縁スペーサー
５３を介して真空容器壁面に取付けられたスパツ
タ電極５０に組込まれ、スパツタ電源１００から
給電線１０１を介して電力を供給される。スパツ
タ電源１００はDCスパツタリングを行う場合に
は一般にアース電位にある真空容器金属壁に対し
て負の高電圧を電極５０に印加する。なお高周波
スパツタリングの場合はスパツタ電源１００とし
て高周波電圧が供給される。かくして既に述べた
ように、真空容器内は放電を行うのに適した圧力
に保持することができ、その状態で電力を供給す
るとターゲツト５１から放出されるスパツタ原子
が基体９１の表面に付着し薄膜を形成する。所定
の電力で所定の時間放電を行うことにより所期の
厚みの薄膜を得ることができる。次いで基板ホル
ダー６０は軸６１のまわりに矢印ｊで示す方向に
約９０゜回転して停止し、この結果ウエハーは位
置９１ｃに移動する。そして図示されていない基
体脱離機構により矢印ｅで示す軌跡に沿つて移動
され、基体脱離機構収納室３０′・ロードロツク
バルブ２６・第２のロードロツク室４０を順次経
由して大気側に送りだされ、カセツトに収容され
てから矢印β′で示す方向に移行する。

上記において、４つの基板は基板ホルダーの同
じ高さに鉛直に外方に向けて取り付けられるの
で、塵埃の付着は回避できる。

なお真空容器１０には必要に応じて更にもう一
つのスパツタ電極５０′を組込むことができる。
そして基板ホルダーの回転方向を前述の場合とは
逆に矢印j′で示すように選らべば、位置９１Ｄに
おいてターゲツト５１′よりスパツタする原子を
堆積して薄膜を形成することができる。２個のス
パツタ電極５０，５０′に相異る材質のターゲツ
ト５１，５１′を取付けて回転方向を矢印ｊかあ
るいは矢印j′かの一方に選らぶことと、スパツタ
リングをすべき電極５０あるいは５０′のいずれ
か一方を選らび、また電力を供給すべきスパツタ
電源１００あるいは１００′かのいづれか一方を
選らぶことにより、同じ装置を用いて２種類の相
異る薄膜を作製することができる。また図示はし
てないが、スパツタ電極５０，５０′には電力が
供給され熱が発生するために電極組立５２，５
２′には通常冷却水を流してある。

第４図は本発明の第２の実施例の構成をあらわ
した図であり、第１の実施例の変形である。第１
の実施例と異る点は第２図の真空容器の面に相
当する面に基体脱離機構収納室３０′、ロードロ
ツクバルブ２６、第２のロードロツク室４０が設
けられ、更に第２図の真空容器の面に相当する
面にスパツタ電極５０が取付けられていることで
ある。この結果基板ホルダー６０の上に挿着され
たウエハーは軸６１のまわりの矢印ｊの方向の約
90゜毎の断続回転により、位置９１Ｂでターゲツ
ト５１′と対向して第１の薄膜が形成せられ、次
いで位置９１Ｃでターゲツト５１と対向して第２
の薄膜が形成せられ、更に位置９１Ｄにおいて基
板ホルダーから脱離せしめられ矢印ｅに示す軌跡
に沿つて移送される。ターゲツト５１と５１′が
同材質の場合には通常位置９１Ｂと位置９１Ｃで
作製した膜の境界の区別はつかないが、異る材質
の場合とはウエハーの上に材質の異る２層の薄膜
を形成することができる。

このような構成の装置では、薄膜を作製すべき
ウエハーを収容したカセツトは矢印αの方向に進
み、すべてのウエハーを真空容器に送り込んでか
らになつた状態で矢印βの方向にすすみ装置から
取り除かれる。また薄膜が形成されたウエハーを
収容すべきカセツトは装置に取付けられα′の方向
に移動しながらウエハーを順次収容し、β′の方向
に装置から取り除かれる。従つてウエハーの入つ
たカセツトは本装置によつて薄膜作製の処料を行
うことにより約90゜進行方向を変えるようになる。

第５図は本発明の第３の実施例である。ここに
おいて真空容器内の基板ホルダーへの基体の挿着
と基板ホルダーからの基体の脱離は同一構造物の
基体着脱機構によつて行われる。その結果第１の
実施例、第２の実施例で述べた基体挿着機構収納
室と基体脱離機構収納室は別々の場所に設けず、
図に示すように真空容器の面に基体着脱機構収
納室３０が設けられ、更にその両側にロードロツ
クバルブ２５を介して第１のロードロツク室２０
とロードロツクバルブ２６を介して第２のロード
ロツク室４０が設けられている。そして真空容器
の面、面、及び面には必要に応じて最高３
個までのスパツタ電極を取付けることができる。
ウエハーの搬送が矢印ａ，ｂ，ｃ，ｄに示す軌跡
に沿つて基板ホルダーに取付けられる迄は既に述
べた実施例と同じであるが、薄膜形成後に基板ホ
ルダーから取りはずされ矢印ｅに示す軌跡に沿つ
て再び基体着脱機構収納室３０に戻る。次いでロ
ードロツクバルブ２６を開き矢印ｆに示す軌跡に
沿つてウエハーを第２のロードロツク室４０の内
部の一点鎖線９５に示す位置に移送され固定され
る。次いでロードロツクバルブ２６を閉じてロー
ドロツク室が大気にされ図示されていない扉開閉
機構によりその扉が自動的に開いて２点鎖線４１
で示す位置まで動かされ、それに従いウエハーは
矢印ｇに沿つて一点鎖線９６の位置にまで移行さ
れる。更にウエハーは図示されていないウエハー
上下機構により矢印ｈに沿つて開いた扉４１の下
部にあるカセツト８２内に収容される。扉からカ
セツトへウエハーが移送された後扉は再び閉じら
れ、望ましくは第２のロードロツク室専用のポン
プに排気され次の処理されたウエハーが送り込ま
れてくるのに待期する。

本実施例においては薄膜作製をすべきウエハー
９１を収容したカセツト８１はカセツトガイド７
０に沿つてαの方向に移動するが、未処理のウエ
ハーを送り出したあとはそのまま移動して次に処
理済みのウエハー９９を収容するカセツト８２と
して使用することができる。処理済みのウエハー
を収容したカセツト８２は矢印βの方向に移動で
きる。なお第１のロードロツク室の扉と第２のロ
ードロツク室の扉の開閉運動の回転方向を本図の
如く同じ方向にすることにより、未処理ウエハー
収容カセツト８１内のウエハー９１の薄膜を作製
すべき面と処理済みウエハー収容８２の内のウエ
ハー９９の薄膜が形成された面とは共にカセツト
の進向方向α及びβに対して同じ向きにすること
ができる。

第６図は第５図の第３の実施例におけるウエハ
ーの搬送と真空容器内部の関係を更に詳細に説明
するものである。図において各部の番号は第５図
と共通になつている。真空容器内に導入されたウ
エハー９１は基体着脱機構により矢印ｄに沿つて
移動し先ず位置９１Ａにおいて基板ホルダー６０
の１つの面に挿着される。次いで基板ホルダーは
軸６１のまわりを矢印ｊの方向に約90゜回転し、
ウエハーは位置９１Ｂに停止ここでターゲツト５
１に対向する。電源１００から給電線１０１を経
てスパツタ電極５０に電力を供給することにより
位置９１Ｂにおいて薄膜形成される。次に再び基
板ホルダーは約90゜回転し、ウエハーは位置９１
Ｃに移り必要に応じて設けられたスパツタ電極５
０′でスパツタリングを行う。基板ホルダーの約
90゜の断続回転を行うことにより最初のウエハー
はまた位置９１Ａに戻り基体着脱機構により矢印
ｅに沿つて基体着脱機構収容室３０に戻り、ロー
ドロツクバルブ２６を経由して第２のロードロツ
ク室４０へ移送される。

基板ホルダー６０は４個のウエハー挿着面を持
つている。従つて位置９１Ａにおけるウエハーの
挿着と脱離の時間を位置９１Ｂ，９１Ｃ，９１Ｄ
におけるウエハーへの薄膜形成の時間とあわせる
ことにより、この４個所における作業を同時に進
行させることができる。この第６図には３個のス
パツタ電極が同一真空容器内に組込まれている場
合が示されているが、この場合異るターゲツトを
用いて３層の異る材質の薄膜をウエハー上に作製
することができる。また一部のスパツタ電極のか
わりにウエハーを加熱するための赤外線照射ラン
プを設けたり、ウエハーを電子衝撃するための電
子シヤワー源、あるいはイオン衝撃するためのイ
オンシヤワー源を設けたりすることにより、スパ
ツタ膜の作成の前段階あるいは後段階で同一真空
中でウエハーの加熱、表面清浄化および薄膜エツ
チング処理を行うことも可能である。

第７図は本発明の第４の実施例の構成を示す図
であり、第３の実施例の変形である。真空容器の
面、、は第３の実施例と同様の構成となつ
ている。しかし面は面と鏡面対称となるよう
に第１のロードロツク室２０′、ロツクバルブ２
５′、基体着脱機構収納室３０′、ロードロツク２
６′及び第２のロードロツク室４０′が設けられて
いる。そして装置には図示してはないがこれら２
つの面に沿つてカセツトガイドが合計２個設けら
れている。未処理のウエハー９１を収容したカセ
ツトが矢印αに沿つて装置に組込まれ、一方別の
未処理ウエハー９１′を収容したカセツトが矢印
αに沿つて装置に組込まれる。ウエハー９１は第
１のロードロツク室２０、ロツクバルブ２５、基
体着脱機構収容室３０を経由して矢印ｄに沿つて
位置９１Ａで基板ホルダー６０に挿着され、次い
で基板ホルダー６０の軸６１のまわりの回転によ
り移動して位置９１Ｂにて薄膜を形成されて後に
更に回転移動し、位置９１Ｃにおいて基板ホルダ
ーから脱離され矢印e′に沿つてもう一方の基体着
脱機構収容室３０′、ロードロツクバルブ２６′、
第２のロードロツク室４０′を経て真空容器外に
送りだされる。一方別のカセツトに入つている未
処理のウエハー９１′は他方の第１のロードロツ
ク室２０′、ロツクバルブ２５′、基体着脱機構収
容室３０′を経由して矢印d′に沿つて位置９１Ｃ
で基板ホルダー６０に挿着され、次いで基板ホル
ダー６０の軸６１のまわりの回転により移動して
位置９１Ｄにて薄膜を形成されて後に更に回転移
動し位置９１Ａにおいて脱離され、矢印ｅに沿つ
て、基体着脱機構収容室３０、ロードロツクバル
ブ２６、第２のロードロツク室４０を経て大気側
に送り出される。基板ホルダー６０は４枚のウエ
ハーを挿着できる面を持つているので、位置９１
Ａにおけるウエハー９１の挿差とウエハー９１′
の脱離の時間、位置９１Ｃにおけるウエハー９
１′の挿着とウエハー９１の脱離の時間、位置９
１Ｂにおける薄膜形成の時間及び位置９１Ｄにお
ける薄膜形成の時間の計４つの時間をあわせるこ
とにより、この４箇所における作業を同時に進行
することができる。この第４の実施例は特に薄膜
作製のための必要時間は充分短かく装置の生産性
はウエハーの搬送に要する時間で決まる場合に、
前述迄の実施例よりも大きな生産性が得られる効
果がある。

以上ウエハーへ薄膜を作製するためのスパツタ
装置の場合について本発明の具体的実施例を述べ
たが、本発明の応用できる基体材質は半導体のシ
リコンウエハーに限定されるものではなく、金
属、ガラス及びセラミツク等の無機絶縁物、有機
プラスチツク等にも適用できる。また形状につい
てもシリコンウエハーのような円形のものだけで
はなく、矩形はじめ各種板状の基体にも使用でき
る。更に本発明の具体的応用例ではスパツタリン
グによるウエハー上への薄膜形成について説明を
行つたが、各種の変形が可能である。基板ホルダ
ーに電圧を印加した状態で基体上に薄膜を形成す
るバイアススパツタリング及びアルゴン以外の活
性ガスを添加して放電を行い薄膜を形成するリア
クテイブスパツタリング等の技術にも適用でき
る。更に又、本発明の要旨はスパツタリングによ
る薄膜作製のみに限定されるものではない。例え
ばプラズマCVD、プラズマ重合等の薄膜作製も
具体的実施例における装置の構成を殆んど変える
ことなく達成することができる。なおまた第３の
実施例の説明において一部のスパツタ電極のかわ
りにイオンシヤワー源を設けることについて説明
したが、その代りに全部をイオンシヤワー源に置
換えて外部で形成した薄膜をエツチング加工する
装置としても使用することができる。また全部を
イオンシヤワー源として種々のエツチングを行な
うことができる。

以上のの説明から分かるように、本発明の薄膜
処理真空装置においては、基板は基板ホルダーに
鉛直に近い姿勢で取り付けられしかも上下に重な
らないように取り付けられているので塵埃の付着
が防止でき、ロードロツク室が１枚の基板を出し
入れさせるの適した比較的小さい形をしていてロ
ードロツクバルブを開いても真空室内の真空度に
影響を与えることが少なく、しかも独立した排気
ポンプを取り付ければ、室内の排気は極めて迅速
に行われて真空容器内の不純物ガス分圧を極めて
低く維持することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の薄膜処理装置の構成の一部を斜
めから見た図、第２図は本発明の第１の実施例に
よるウエハーに薄膜を形成するためのスパツタ装
置の一部を斜めからみた図、第３図は本発明の第
１の実施例におけるウエハー搬送部およびスパツ
タ部の断面概略図、第４図は本発明の第２の実施
例の断面概略図、第５図は本発明の第３の実施例
で、未処理ウエハー収容カセツトを処理ウエハー
収容カセツトとして使う機構の斜視図、第６図は
本発明の第３の実施例におけるウエハー搬送機構
の断面概略図、第７図は本発明の第４の実施例の
構成の断面概略図である。記号の説明：１０は真空容器、２０及び２０′
は第１のロードロツク室、２５および２６はロー
ドロツクバルブ、３０および３０′は基体挿着機
構収納室、４０及び４０′は第２のロードロツク
室、５０はスパツタ電極、６０は基板ホルダー、
７０及び７０′はカセツトガイド、８１と８２は
カセツト、９１及び９１′はウエハー（基体）を
それぞれあらわしている。

Claims

【特許請求の範囲】１真空容器中に回転可能に設けられ、薄膜処理
すべき基板を複数個同心状に保持し得る基板ホル
ダーと、未処理の基板を大気側から前記真空容器
中に挿入して前記基板ホルダーに装着し、この基
板ホルダーの回転により所定位置で薄膜処理され
た基板を、該基板ホルダーから脱離し該真空室内
から大気側に取り出す基板移動手段とを有する薄
膜処理装置において、前記基板ホルダーが鉛直な回転軸を持つ多面体
構造をしていて、各面に前記基板を鉛直に近い姿
勢で外方に向けて同じ高さに装着できるように構
成してあり、前記基板移動手段が、前記真空容器
の側面に設けられ、容器外方に対しては該容器の
側面に平行な扉の開閉で、容器内方に対しては該
側面に沿つた方向に向けて設けたロードロツクバ
ルブの開閉で、前記基板の通過および気密封止を
可能とする比較的小さな容量を持つロードロツク
室と、前記ロードロツクバルブを通過する基板を
一時的に保持する基体装着機構収納部と、この基
体装着機構収納部と前記基板ホルダーの間で前記
基板を移動させる容器内移動手段とを備え、しか
して前記ロードロツク室には独立した排気ポンプ
が付設されていることを特徴とする薄膜処理真空
装置。２真空容器中に回転可能に設けられ、薄膜処理
すべき基板を複数個同心状に保持し得る基板ホル
ダーと、未処理の基板を大気側から前記真空容器
中に挿入して前記基板ホルダーに装着し、この基
板ホルダーの回転により所定位置で薄膜処理され
た基板を、該基板ホルダーから脱離し該真空室内
から大気側に取り出す基板移動手段とを有する薄
膜処理装置において、前記基板ホルダーが鉛直な回転軸を持つ多面体
構造をしていて、各面に前記基板を鉛直に近い姿
勢で外方に向けて同じ高さに装着できるように構
成してあり、前記基板移動手段が、前記真空容器
の側面に設けられ、容器外方に対しては該容器の
側面に平行な扉の開閉で、容器内方に対しては該
側面に沿つた方向に向けて設けたロードロツクバ
ルブの開閉で、前記基板の通過および気密封止を
可能とする比較的小さな容量を持つロードロツク
室と、前記ロードロツクバルブを通過する基板を
一時的に保持する基体装着機構収納部と、この基
体装着機構収納部と前記基板ホルダーの間で前記
基板を移動させる容器内移動手段とを備え、而し
て前記ロードロツク室には独立した排気ポンプが
付設されており、且つ前記基板移動手段が実質的
に同じ高さに２組設けられ、而してこの２組の基
板移動手段は同時に挿入装着と脱離取り出しを行
うことが出来るように構成してあることを特徴と
する薄膜処理真空装置。