JP2001250856A - ウエハ処理装置及びこれにアクセスする方法 - Google Patents

ウエハ処理装置及びこれにアクセスする方法

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JP2001250856A JP2000380353A JP2000380353A JP2001250856A JP 2001250856 A JP2001250856 A JP 2001250856A JP 2000380353 A JP2000380353 A JP 2000380353A JP 2000380353 A JP2000380353 A JP 2000380353A JP 2001250856 A JP2001250856 A JP 2001250856A
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Peter L Kellerman
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Ernest E Allen Jr
イー．アレン ジュニア アーネスト
Roger B Fish
ビー．フィッシュ ロジャー
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Abstract

(57)【要約】 【課題】処理室汚染を減少させてウエハ処理能力を増加
させるウエハ処理装置及びこれにアクセスする方法を提
供すること。 【解決手段】ウエハ処理装置200は、上部部分と下部部
分を有する処理室202と、これらの両部分の一方に係合
される環状のリングバルブ210を備える。リングバルブ2
10は、第１位置において、処理室202を閉鎖して処理を
行ない、第２位置において、処理室202を開放してアク
セスできるように操作可能であり、第１位置のリングバ
ルブは、閉鎖した処理室の内周辺部に均一な表面を形成
して処理室内の処理状態を均一化する。そのためのアク
セス方法は、リングバルブ202が処理室のアクセスポー
トを閉鎖してアクセスできない第１位置からアクセスポ
ートを開く第２位置に処理室内のリングバルブ202を移
動するステップを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に半導体処
理システムに関するものであり、特に、ウエハの移送あ
るいは処理装置に他の平板状基板を移送するためのシス
テムあるいは方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路および他形式の素子の製造は、
一般的に一連の製造工程を使用し、半導体ウエハあるい
は他形式の基板を種々の処理システム内で処理する。例
えば、半導体ウエハは、フォトレジスト、他の薄膜蒸
着、パターン工程、イオン注入、及び拡散型処理等が用
いられる。様々の処理工程が、異なる処理システム、例
えば、フォトレジストアッシングシステム、ドライエッ
チシステム、イオン注入システム、化学蒸着システム等
で実行される。このような素子のコスト効率の良い、信
頼性のある製造にとって、上記処理システムのそれぞれ
に対する汚染の制御が、避けられない。さらに、集積回
路の設計規準は、限界寸法の機能サイズをたえず減少さ
せることを要求するので、そのようなシステム内での微
粒子汚染を越える改善された制御を提供することが必要
である。
【０００３】集積回路処理での微粒子汚染の主たる発生
源のいくつかは、人、装置および化学製品である。人に
よって発生した、あるいは”放出される”微粒子は、処
理環境を介して運ばれ、装置の欠陥として望ましくない
結果を生じることがある。装置内およびそれと関連する
化学製品内の微粒子は、しばしば工程欠陥（プロセスデ
ィフェクト）と呼ばれ、また、装置内の表面間での摩擦
接触および供給ガスあるいは化学製品内の不純物に起因
するものである。そのような工程欠陥の重要な一つの発
生源は、ある処理工程から他の工程への保管されている
ウエハの移送と関連する汚染である。上記処理装置にお
ける保管、移送およびウエハの処理において、ウエハを
微粒子から隔離する種々の機構が開発されてきた。例え
ば、スタンダード メカニカル インターフェース（SM
IF）システムは、微粒子汚染を減少させるために創り出
された。
【０００４】典型的なSMIFシステムにおいて、ボックス
あるいはキャリアが処理装置のインターフェースポート
に配置され、ラッチがボックスドアやポートドアを同時
に開放する。キャリア上の両ドアは、処理装置のインタ
ーフェースポート上のドアとかみ合っており、かつ外部
ドア表面上にあるかも知れない微粒子をこれらのドア間
で捕獲し、かつ処理室を汚染しないように、両ドアが同
時に開放される。
【０００５】工程欠陥を最小にするために種々の試みが
なされたにもかかわらず、汚染の問題は依然として残さ
れている。そのような汚染と関係する工程欠陥を減少さ
せる他の方法は、ウエハがある所からある所へ移動され
るとき、常時、処理室を排気し、再加圧することであ
る。そのような汚染減少を達成するための方法は、図１
に示されており、全体的に参照数字１０によって示され
る。典型的には、多くのウエハカセットが周囲環境で処
理室の特定の場所に配置され、一方、処理室内のウエハ
は実質的には減圧下で、例えばステップ１２で約１ミリ
トールで処理される。処理が達成された後で、そのウエ
ハは、ステップ１４において、処理室を開放することに
より取り除かれ，処理されたウエハをマルチウエハカセ
ットへ移送することができる。
【０００６】ウエハの除去に続いて、処理室は処理圧力
よりもかなり低い圧力で、例えばステップ１０６で約１
マイクロトール(microtorr)に減圧され、これにより、
処理室は、処理室のドアを開放することによって入り込
んだかも知れない如何なる汚染も排除する。ロードロッ
クバルブ（load lock valve）は、その時、開放され、
新しいウエハがステップ１８で処理室中に搬入される。
それから、ロードロックバルブは閉鎖され、ステップ２
０で、処理室は再び所望の圧力にされる。上記方法１０
は、一般的に合理的なレベルにまで汚染を最小化するの
に効率的ではあるが、処理能力を影響を与える処理室内
への各ウエハの搬入搬出間での”送気と排気”のサイク
ルを含んでいる。当業者に知られているように、処理装
置はかなりの資本投下を意味するので、装置の低い処理
能力は大変、望ましくないことである。
【０００７】半導体処理装置のあるタイプと関連する他
の問題は、処理室への出入口あるいはアクセスポートに
関連する。一般的には、ウエハ移送エンドステーション
は、処理室の矩形状あるいは箱状の出入口あるいはアク
セスポートとかみ合っている。処理室は、アクセスポー
トと関連するスロットバルブを操作することによって、
処理中、処理室の内側部分を外側環境から隔離する。し
かしながら、スロットバルブーアクセスポートインター
フェースは、処理室内に歪みを生じさせ、その結果、あ
る処理において、例えばプラズマ侵入型イオン注入は、
温度変化、プラズマ密度の非均一性、及び処理工程内の
他形式の非均一性を生じさせる。このような非均一性
は、処理制御等にネガティブな影響を与える。
【０００８】処理室汚染を最小にし、ウエハの処理能力
を増加させ、さらに半導体処理制御を改善する半導体処
理システムと方法に対する技術への要望がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、処理室汚染を減少させ、ウエハ処理能力を増加さ
せ、また、処理制御を改善する方法で、ウエハ処理室に
対するウエハの搬入搬出を効率良く扱うウエハ処理装置
及びこれにアクセスする方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は各請求項に記載の構成を有する。本発明の
ウエハ処理装置およびその関連する方法は、各ウエハの
移送毎に処理室の排気を必要とすることなく、ウエハ処
理室に対するウエハの搬入搬出を効率的に扱うことを開
示している。本発明のウエハ処理装置は、上部部分と下
部部分を有する処理室と、前記両部分の一方に係合する
環状のリングバルブとを備え、このリングバルブは、そ
の第１位置において処理室を閉鎖して処理を行ない、第
２位置において処理室を開放してアクセスできるように
操作可能であり、第１位置のリングバルブは、処理室内
の処理状態を均一化するために、閉鎖した前記処理室の
内周辺部に均一な表面を有することを特徴としている。
【００１１】本システムは、ロードロック室、処理室、
及びそれらの間の移送室を含む。ロードロック室の一部
は、ウエハが移送室および処理室に移送されるとき、こ
れらの室から密閉され、もしくは隔離される。それから
ロードロック室の一部は、排気されるかまたは送気さ
れ、ロードロック室の一部と、このロードロック室の残
余の部分、移送室および処理室との間で、圧力が実質的
に等しくなるようにする。この圧力均衡下で、ウエハを
含むロードロック室の一部は、移送室及び処理室と流体
で連通するようになり、ウエハは移送室を介して処理室
内へ移送される。本発明によれば、１つまたは複数のロ
ードロック室を用いて、排気を必要とすることなく、ウ
エハを処理室に移動できるようにする。これによって、
処理室の汚染を最小とし、また、ウエハの処理能力を増
加させる。
【００１２】本発明の他の構成によれば、リングバルブ
およびこれに関連する方法が開示される。リングバルブ
は、処理室内にあるか、あるいは処理室と連結されてお
り、ウエハ処理装置の残りの部分から処理室を選択的に
密閉するために、開位置と閉位置との間で移動可能であ
る。リングバルブの開位置において、処理室の内側に
は、上部部分と下部部分とを形成して、それらの間に環
状空間を作る。この開位置において、リングバルブは環
状空間の部分で処理室のアクセスポートを露出させ、そ
こに移送室が結合され、処理室にアクセスできる。リン
グバルブの閉位置において、リングバルブは、上部と下
部の内側の室部分が一緒に結合され、それによって処理
室が移送室及びロードロック室から密閉される。加え
て、リングバルブは実質的に均一な内側周辺表面を有
し、それは処理室内の周辺均一性を与え、それによって
均一な処理条件を促進する。
【００１３】さらに本発明の他の構成によれば、単軸動
作ウエハ移送アームと、それに関係するウエハ移送方法
が開示されている。移送アームは、従来型の多軸多関節
のロボット形アームを避けることにより、微粒子発生と
関連する汚染を減少させている。移送アームは、伸長部
材を含み、この部材は、ロードロック室と処理室との間
で移送アームの回転運動ができるように、軸回りに回転
可能に移送室の部分に連結されている。好ましくは、上
記アームはその中間点で移送室に回転可能に結合され、
処理室とロードロック室との間で、効率的なやり方でウ
エハを同時に移送するために各端部にエンドエフェクタ
を含んでいる。
【００１４】好ましくは、本発明の移送アームは、二重
のロードロック室を有する処理装置の配置とともに使用
される。このような場合、２個の移送アームが設けら
れ、２つの別個のロードロック室から処理室へのウエハ
の搬入搬出のために、離れた各軸回りに回転する。即
ち、１つの移送軸は第１の軸回りに回転し、一方、他の
移送軸は、第２の軸回りに回転する。上記方法におい
て、第１のロードロック室は外部でウエハを搬入して送
気と排気のサイクルを受け、一方、第２のロードロック
室は処理室へウエハを移送し、ウエハを受け取る。上記
やり方で、ウエハは、それに関連した汚染なしで効率的
な方法において、処理室に対する搬入排出がなされ、そ
れによって、処理量と生産量を改善する。
【００１５】上記実行及び関連する目的に対して、本発
明は以下に全て記述されかつ特許請求の範囲に特に指摘
されている特徴を含む。以下の記載及び添付された図面
は、本発明のある実施形態を説明している。これらの実
施形態が示されているが、本発明の原理が使用される多
くのやり方の一部を示しているにすぎない。本発明の他
の目的、効果及び新しい特徴は、図面と関連させて考慮
すれば、本発明の以下の詳細な説明から明らかであろ
う。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明は、図面に基づいて記載さ
れ、参照符号が要素全てを引用するために使用される。
本発明は、ウエハ処理室、ウエハハンドリング装置、ウ
エハ処理装置、およびいくつかの新規な特徴を備える方
法を含み、ウエハ処理装置の処理能力を改善し、ウエハ
のハンドリングと移送に関連する汚染を減少し、そこで
のプロセス制御を改善する。
【００１７】本発明は、処理室と連結しているリングバ
ルブを含んでいる。リングバルブは、処理室の部分の周
辺全体に伸びており、開位置と閉位置との間で動くよう
に操作可能である。そして、開位置においてアクセスポ
ートが露出し、あるいは処理室へのウエハの出し入れが
できるようになっている。閉位置において、リングバル
ブは、効果的にアクセスポートを閉じ、処理室の内側周
辺部分のまわりを実質的に均一な表面とし、それによっ
て、処理室内の処理条件を均一にすることを容易にし、
プロセス制御を改善する。加えて、本発明は、ジョイン
トのない形式のウエハ移動アームによって、ロードロッ
ク室と処理室との間の単軸ウエハ移動を与えている。好
ましくは、移送アームは移送室内で軸ポイントにおいて
回転可能に結合されている伸長部材を備えている。
【００１８】伸長部材は、エンドエフェクタ(end effec
tors)あるいは他形式の、一般的に各先端部にウエハコ
ンタクトマニピュレータを備え、それは、移送室のニュ
ートラル位置と、ロードロックおよび処理室におけるウ
エハ係合位置（移送位置）との間のウエハ移送面上にお
いて、それらの間でウエハを処理室へ移送するために回
転する。伸長部材は、その中心点で軸に結合され、かつ
先端部側にエンドエフェクタを有しており、移送アーム
が移送位置にあるとき、一方のエンドエフェクタがロー
ドロック室内にあり、他方のエンドエフェクタが処理室
内にある。また、移送アームは、複数の位置間で回転可
能であり、第１位置では、移送アームがロードロック室
と処理室の少なくとも一方にあり、第２位置では、前記
移送アームが移送室内にある。本発明の単軸回転、非接
合の移送アームは、実質的に多くの、互いに摩擦結合す
る可動部分を減らして、これに関連する微粒子汚染を減
少させ、移送室内における処理ガスを処理室と同一の圧
力に維持するシステムを可能とする。
【００１９】したがって、本発明はさらに、ロードロッ
ク室と処理室に関連する移送室を備え、処理室はロード
ロック室と処理室間で選択的な流体分離を可能とする。
その結果として、各ウエハの移送に対して処理室への送
気と排気を行うことなしに、ウエハは移送アームによっ
て処理室へ移送され、それによって、関連する汚染を減
少させ、システムの処理能力を増加させる。
【００２０】本発明の種々の特徴は、実施形態としての
プラズマ侵入型イオン注入システムと関連して以下に記
載されている。しかしながら、本発明は、また、他形式
の半導体あるいは基板処理システム（例えば、フォトレ
ジストアッシングシステム、ドライエッチシステム、イ
オン注入システム、化学蒸着システム等）と関連して使
用することができ、また、そのようなシステムは本発明
の範囲内のものとして考えることができる。
【００２１】図２を参照すると、従来のプラズマ侵入型
イオン注入装置が開示されており、この注入装置は、全
体として参照数字１００で示される。装置１００は、排
気される処理室１０５を備え、この処理室は、絶縁体１
１５上に取り付けられた電気的に作動するウエハサポー
トプラテン１１０、これに関連する壁１２５を有する電
気的に接地された室ハウジング１２０、及び水晶窓１３
０によって形成される。処理室１０５内に発生するプラ
ズマは、半導体基板に注入される所望のドーパント種
（例えば、砒素）のイオンを含み、このドーパント種
は、負電圧がプラテン１１０に加えられる時、そこに位
置する半導体ウエハＷ等の基板に注入される。図２に示
されるようにウエハＷは、ピンアセンブリ１４０によっ
て操作されるピン１３５によりプラテンから持ち上げら
れる。この方法では、ウエハは、ウエハ移送面に対して
垂直に位置決められ、供給ポート１４５及びロードロッ
クアセンブリ（図示せず）を介してプラズマ室に導入さ
れ、またプラズマ室から取り去られる。
【００２２】プラズマは、以下のように処理室１０５内
に発生する。イオン化可能なドーパントガスは、入口１
５０と、処理室１０５の上部周辺の周囲に孔の空いた環
状通路１５５とによって処理室１０５中に導入される。
無線周波数（RF）発生装置１６０は、マッチングネット
ワーク１６５に結合される無線周波数信号（１３．５メ
ガヘルツ程度）を発生する。
【００２３】このマッチングネットワークは、一般的に
平面アンテナ１７５（リード線１８０及び１８５によっ
て、内側及び外側円形コイルを有する）へRF信号を容量
的に結合するキャパシタ１７０を備える。RF発生装置１
６０のインピーダンスを負荷インピーダンスにマッチン
グさせることにより、RF信号が発生装置に帰還するのを
最小にすることによってアンテナ１７５の最大出力を保
障する。このようなマッチングネットワーク１６５の１
つは、“反転Ｌ型”ネットワークとして知られており、
そこでのキャパシタ１７０の容量は、操作条件に基づい
て、サーボモータによって変化する。
【００２４】アンテナ１７５内で発生したＲＦ電流は、
水晶窓１３０を介して処理室１０５を貫く磁界を発生す
る。磁力線は、アンテナコイルを介して電流の流れ方向
に基づいて矢印Ｂに示す方向へ向けられる。水晶窓１３
０を介して処理室１０５を貫通する磁界は、処理室内へ
に電界を導く。この電界は、ドーパントガスをイオン化
する電子を加速し、ドーパントガスは環状通路１５５を
介して処理室内へ導入されてプラズマを発生する。プラ
ズマは、所望のドーパントガスの正に荷電されたイオン
を含み、このイオンは、適切な逆電圧がモジュレータ１
９０によってプラテン１１０に加えられる時、ウエハＷ
に注入され得る。注入工程は真空中で起こるので、従来
からの処理室１０５は、ポンプマニフォールド１９５を
介して、ポンプ（図示されない）によって排気される。
【００２５】電磁コイル１９６，１９７，１９８及び１
９９は、処理室１０５の外側に配置される。このコイル
の目的は、プラズマ拡散率を変化させるように処理室１
０５内の磁界を変えるためであり、この拡散率は、ウエ
ハの表面を横切るプラズマ密度の径方向分布を変えて、
ウエハＷの表面を横切るイオンの均一な注入を保障す
る。図２の電磁コイルは、上下に配置される２個の、そ
れぞれより大きな主コイル１９６，１９９と、処理室１
０５により近く接近している２個の、より小さなコイル
１９７，１９８を備えている。加えて、ウエハプラテン
１１０は、プラズマ電流密度を測定するために用いら
れ、それによって注入濃度の指標を示す、複数のファラ
デー電流収集器あるいはファラデーカップのような線量
計検出器を備える。
【００２６】図２の処理室１０５は、室内が非均一とな
りやすく、処理状態の均一性を保てつことが難しい。特
に、処理のためにウエハを受け取る供給ポート（外部ア
クセスポート）１４５は、ＯＥＭスロットバルブを備
え、このバルブは、処理室１０５内で箱状のアクセスポ
ート開口２５５に取り付けられる略矩形状の開口を有す
るバルブである。スロットバルブ内の開口は、処理室１
０５の内側周辺部における円筒形状を乱し、そこに導か
れる処理において非均一性を生じる可能性がある。例え
ば、プラズマ侵入型イオン注入処理室１０５において、
その乱れ（非均一性）が処理室内のプラズマ密度の均一
性を崩壊し、それによってウエハを横切るイオン注入の
位置的変動を生じる。
【００２７】本発明は、ウエハ処理室内に環状リングバ
ルブを使用することによって、上述した従来技術のスロ
ットバルブに関連する欠点を克服するものである。典型
的なリングバルブとこれに関連するウエハ処理装置は、
図３および図４Ａ、４Ｂに説明されている。図３におい
て、ウエハ処理装置は、処理室２０２、ウエハ移送室２
０４およびロードロック室２０６をそれぞれ備える。処
理室２０２は多くの点で、図２の処理室１０５と似てい
るが、矩形状のスロットバルブは、参照符号２１０で示
される環状リングバルブで置き換えられ、このバルブは
処理室２０２の中央内側部分を全体的に取り囲んでい
る。
【００２８】リングバルブ２１０は、第１位置の開位置
（後退位置）と、第２位置の閉位置（伸長位置）との間
で移動することによって、処理室２０２を効率良く開閉
できる。図４Ａに示されるように、第１位置である開位
置２１２において、リングバルブ２１０は、後退位置に
あり、処理室２０２の環状リップ内にある。それによっ
て処理室のアクセスポート２１４を開口し、処理室の内
部領域２１６を、移送室２０４と流体が連通するように
配置する。開口位置２１２において、ウエハは多くのや
り方の１つにより、処理室２０２への出入りが可能であ
る。例えば、ウエハは、処理室２０２に対する搬入搬出
のために、多軸多関節移送アームを使用することによっ
て、処理室２０２へ出入することができる。これに対し
て、ウエハ移送は、より詳細には下記で述べるように処
理室２０２に対する搬入搬出を単軸ウエハの移動を行う
移送アームを用いて達成することができる。
【００２９】第２の、閉鎖したリングバルブ位置は、図
４Ｂの参照符号２１７で説明され、リングバルブ２１０
は、その周辺部分で処理室２０２の上部部分２１８に係
合して密閉される。同時に閉位置の時、リングバルブの
下側部分は、処理室の下部部分２２５に係合する。好ま
しくは、リングバルブ２１０が作動すると、作動部材２
２０を介してリングバルブ２１０が開位置と閉位置との
間で移動し、望まれるように、リングバルブ２１０の下
側部分２２０に選択的に力を作用させる。
【００３０】本発明の典型的な実施形態によれば、作動
部材２２０は内部にネジ溝/穴が設けられ、ネジ穴内の
内ネジ部の回転により、処理室２０２内にあるリングバ
ルブ２１０の垂直位置に変化が起こる。作動部材の代り
に、例えば、ベロー型液体アクチュエータを用いること
もできる。リングバルブ２１０の作動方法、またはリン
グバルブの垂直位置を操作するやり方が使用され、ま
た、そのような作動装置あるいはシステムが、本発明の
範囲内に含まれるものとして考えられる。
【００３１】第２の閉位置２１７において、図４Ｂに説
明されるようにリングバルブ２１０は、密閉されるか、
または処理室２０２を隔離して移送室２０４から流体が
流入しないようにする。このような方法で、リングバル
ブ２１０は、プラズマ（あるいは他形式の処理環境）
が、堆積物を生じさせ、または、ウエハ処理装置をウエ
ハ移送室２１０と連結させることを防止する。リングバ
ルブ２１０は、一般的に環状形であり、好ましくは実質
的に均一な内側周辺表面２２４を備える。したがって、
閉位置２１７にあるとき、処理室２０２と連結するアク
セスポート２１４は閉じられており、実質的に均一な周
辺はその内部にあり、それによって処理室２０２内での
均一な処理状態を容易にする。特に、プラズマ侵入型イ
オン注入装置に関して、リングバルブ２１０の実質的に
均一な内側周辺表面２２４は、処理室２０２中での均一
なプラズマ密度を容易にする。それによって、ウエハＷ
の表面を横断する均一なイオン注入を与える。
【００３２】本発明の好ましい実施形態によれば、処理
室の上部部分２１８と下部部分２２５の間にアクセスポ
ート２１４が形成され、リングバルブ２１０は、その中
央部分において処理室２０２の上部部分２１８に係合し
て処理室を密閉する。処理室の両部分の間に環状隙間が
形成され、また、処理室２０２にアクセルできるように
アクセスポートが環状隙間の一部と接続し、さらに、リ
ングバルブ２１０は、第２位置（閉位置）において、環
状隙間を閉鎖し、これにより、上記両部分が密閉状態で
係合されることにより、上部部分と下部部分を連結す
る。
【００３３】好ましくは、リングバルブ２１０は、図３
〜図４Ｂに示すように処理室２０２の下部部分に形成さ
れる環状リップと第１位置で係合する。つまり、リング
バルブ２１０を操作する作動部材２２０は、処理室２０
２の下部と組み合わされる。しかしながら、この代わり
に、本発明は、処理室の上部部分と組み合わされるリン
グバルブ２１０に適用することもできる。例えば、その
ような実施形態では、作動部材２２０は、リングバルブ
２１０に取り付けられ、そして開位置（第１位置）か
ら、処理室２０２の下部部分２２５を密閉する閉位置
（第２位置）へ、吊下げられたリングバルブ２１０を効
果的に下方に降ろすように操作することもできる。
【００３４】加えて、リングバルブ２１０は、好ましく
は処理室の成分と同一かあるいは類似の材料から構成さ
れる。その結果、リングバルブ２１０は、好ましくは、
処理室２０２の熱膨張係数と近似する熱膨張係数を示
し、それにより、リングバルブ２１０が複数の処理温度
に対して閉位置にあるとき、処理室に対する効率的な密
閉操作を維持する。
【００３５】本発明の他の構成によれば、図３のウエハ
処理装置(システム）２００は、ロードロック室２０６
と処理室２０２に接続される移送室２０４を備えてい
る。処理室２０２は、処理室の汚染を減少することによ
りシステムの動作を改善する。汚染の改善は、従来のシ
ステムのように、各ウエハの移送に対して処理室の排気
と通気のサイクルを必要としないでウエハを移送する処
理室によってもたらされる。それゆえ、ウエハ処理装置
２００は、処理室２０２が家は移送中いつでも所定の処
理環境圧力に維持できるようにする。このような特徴
は、処理室圧力がウエハ移送中維持されるので、ウエハ
の処理において有利であり、商業的に都合が良い。
【００３６】図３の処理システム２００は、ロードロッ
クカバー（隔離部材）２５０を有するロードロック室２
０６を含み、このカバーは、第１，第２位置（隔離位置
と非隔離位置）間の２つの位置を移動できるように操作
される。第１位置は、ロードロックカバー２５０が浅い
Ｔ形状の凹部２５２に降下して密閉状態に係合する閉鎖
位置であり、それにより、移送室２０４からロードロッ
ク室２０６の一部（凹部２５２に相当する）を分離す
る。第２位置は、図３において示すように開放位置であ
り、これは、ロードロックカバー２５０を、持ち上げる
か、あるいは、凹部２５２から離れるように移動して、
ロードロック室２０６の凹部２５２が移送室２０４と流
体によって連通できるようにする。
【００３７】ロードロック室２０６は、さらに、ロード
ロックカバー２５０に結合して作動し、開放位置および
閉鎖位置にそれぞれ前記カバーを移動できるアクチュエ
ータ２５４を含む。本発明にはどのような作動機構を利
用することができる。さらに、ロードロック室２０６
は、ウエハＷをウエハ移送面２６０に垂直に配置するた
めにピンアセンブリ２５８によって作動する複数のピン
２５６を備えている。最後に、ロードロック室２０６
は、ウエハＷを処理室２０２に移送する前に凹部２５２
を処理圧力（約１ミリトル）に減圧するために排気され
るポンプ（図示略）を含む。
【００３８】システム２００は、次の方法により動作す
る。ロードロックカバー２５０は、始め閉鎖位置(第１
位置）にあり、このとき、カバー２５０は、アクチュエ
ータ２５４を介して浅いＴ形状凹部（ロードロック室の
一部）２５２を密閉状態に係合している。この凹部２５
２は、移送室２０４からの流体が流入しないように分離
されている。ウエハＷが、側部アクセスポート２６２を
介して凹部２５２内に挿入される。ポート２６２が閉じ
られると、ポンプ(図示略)は、ロードロック室の凹部２
５２に連結され、ロードロックカバーが前記第１位置に
あるとき、この内部の圧力を減圧して（例えば、凹部領
域を排気する）所定の処理環境圧力にする。所定の圧力
に達すると、ロードロックカバー２５０は、アクチュエ
ータ２５４を介して持ち上げられ、開放位置(第２位
置）となる。これにより、凹部２５２は、移送室２０４
と流体を介して連通し、凹部の圧力と移送室および処理
室の圧力とが一致する。そして、ロードロック室と処理
室との間で移送アームを介してウエハが移送される。
【００３９】ピンアセンブリ２５８を介してピン２５６
を作動させることにより、動作が続行される。それは、
ピン２５６がウエハＷの下部に接触し、そして、ウエハ
がウエハ移送面に持ち上げられる。ウエハ移送アセンブ
リ（図３では示されていない）がウエハＷをロードロッ
ク室２０６から受取り、そして、ウエハＷを処理室２０
２に移送する（処理室に関係したリングバルブ２１０の
開放後に）。ウエハＷが処理室２０２内に入り、そし
て、ウエハ移送アセンブリが処理室２０２内にあると、
リングバルブ２１０は、閉鎖位置に移動し、これによ
り、移送室２０４から処理室内部を流体から分離する。
移送室２０４がこの全体の処理の間、処理圧力に留まる
ので、送気および排気のサイクルなしで直ちに処理を開
始することができる。これにより、処理室内の汚染を減
少させ、処理能力を改善する。
【００４０】上記特徴は、単一のロードロック室２０６
に関連して記載してきた。しかし、本発明は、多数のロ
ードロック室、好ましくは２つのロードロック室に対し
てもこのような作動を行なうことができると考える。こ
のような場合、ウエハが１つのロードロック室から処理
するための処理室に移送される間、第２のロードロック
室が現在ウエハを含み、そして、処理圧力に排気され
る。続いて、ウエハが処理室２０２から取り除かれると
すぐに、別のウエハが第２ロードロック室から直ちに移
送される。このため、両方のロードロック室に関連した
送気及び排気サイクルにより、ウエハの処理および移送
サイクル時間に影響を与えることがないので、処理室の
汚染を最小にしながら、システムの処理能力を増加させ
ることができる。
【００４１】本発明の他の構成は、ロードロック室から
処理室へウエハを効果的にかつ信頼性のある方法で移送
するためのウエハ移送装置に関係する。以下で説明する
理由により明らかになるが、本発明のウエハ移送装置
は、移動工程、従来システムに機能的に関連する構成要
素の数を少なくし、これにより、関連する微粒子汚染を
減少させる。さらに、設計が簡単になるので、システム
のコストを下げかつシステムの信頼性を向上させる。
【００４２】本発明の種々の利点はを理解してもらうた
めに、従来のウエハ移送装置の簡単な説明が与えられて
いる。図５及び図６は、多軸多関節のウエハアーム３０
０の斜視図であり、このアーム３００は、伸長位置(図
５）と後退位置(図６）の間を移動できる。さらに、図
７Ａ〜図７Ｄは、伸長位置と後退位置の間を連続的に移
動する手順を示す。図５および図６に示すように、移送
アーム３００は、プラットフォーム３０２上の軸回りに
回転でき、ロードロック室と処理室の各開口を整合させ
るためのエンドエフェクタ３０４を移動する。
【００４３】従来の移送アーム３００は、基準平面にお
いて、基準軸３０７ａのまわりに回転可能な伸長した基
準アーム３０６を含む。前アーム３０８は、基準アーム
３０６の他端側で連結され、この前アームの軸３０７ｂ
まわりに回転可能である。また、前アーム３０８は、リ
スト部材３１０に連結され、このリスト部材の軸３０７
ｃの回りに回転可能である。図５ないし図７Ｄに見られ
るように、従来の移送アーム３００複数の軸３０７ａ〜
３０７ｃの回りに回転する複数のアーム部材を含んでい
る。
【００４４】このようなアーム３００は、緻密な動きを
することができるが、複数の連結部および回転アーム部
材により、互いにアーム部材が機能的に連結し、軸回り
に回転することによる微粒子汚染を生じる。これに対比
して、本発明のウエハ移送装置は、ロードロック室２０
６と処理室２０２の間でウエハを移動するのに、単一の
軸で使用可能になる１または複数の伸長した移送アーム
を利用することによって、部粒子汚染を減少させ、コス
トを低下させ、さらに従来技術に対してシステムの信頼
性を改善する。
【００４５】図８Ａは、図３のシステム２００に類似す
るウエハ処理装置４００の平面図である。このシステム
４００は、処理室４０２、移送室４０４、およびロード
ロック室４０６を取り囲むシステムハウジング４０１を
含んでいる。処理室４０４は、プラズマ侵入イオン注入
システムの場合におけるドーパント種等の処理ガスを導
くために、処理室に関連したガスマニホルド４０８を含
む。さらに、ロードロック室４０６は、外部アクセスポ
ート４１０を含み、これにより、ウエハＷが、外部ウエ
ハカセット(図示略)からウエハ処理装置に入ることがで
きる。
【００４６】好ましくは、移送室４０４内に、ウエハ移
送軸４１２があり、この軸回りに単一軸のウエハ移動用
移送アーム４１４が回転する。ウエハ移送アーム４１４
は、そのアーム先端部に、略Ｕ字形状のエンドエフェク
タ４１８を有する伸長した移送部材４１６を備えてい
る。この移送アーム４１４は、その軸回りに少なくとも
１８０°回転し、また所望であれば、完全に３６０°回
転させることもできる。１８０°の回転において、移送
アーム４１４は、ほぼ同一距離にある２つの移送位置間
を移動するように作動することが可能である（図８Ａに
示すように）。各移送位置は、それぞれ、ロードロック
室４０６および処理室４０２内のエンドエフェクタ４１
８に一致する。
【００４７】以下に詳細に説明するように、移送位置
は、ウエハＷが処理室４０２とロードロック室４０６と
の間で搬入及び搬出される方法ステップに対応する。一
例として、ロードロック室４０６と処理室４０２の間の
内部アクセスポートは、移送室４０４と処理室４０２の
間のアクセスポート（例えば、図３〜図４Ｂのリングバ
ルブ２１０）と同様に開いている。それゆえ、図８Ａに
示す例では、ロードロック室４０６と処理室４０２は、
移送室４０４を介して互いに流体連通している。
【００４８】移送アーム４１４は、また図８Ｂに示すよ
うに、９０°回転してニュートラル位置に操作すること
ができ、移送アーム４１４は、完全に移送室４０４内に
位置する。ニュートラル位置では、ロードロック室４０
６と処理室４０２に対して内部アクセスポートは、一般
的に閉鎖されており、例えば、ウエハＷは、処理室内で
処理される。また、既に処理されたウエハは、未処理の
ウエハと交換されるために、ロードロック室４０６から
取り出され、そして、処理環境圧力に減圧される。その
後、処理室４０２内での処理が完了し、かつロードロッ
ク室４０６内の送気と排気サイクルが終了すると、各室
から移送室４０４への内部アクセスポートが再び開き、
そして、移送アーム４１４は、再び９０°回転して移送
位置になり、各室４０２，４０６内のウエハをエンドエ
フェクタ４１８を介して取り上げ、そして、移送アーム
をさらに１８０°回転させてその間でウエハを交換す
る。
【００４９】本発明の移送な構造であることに注目して
ほしい。その代わりとして、本発明の移送アーム４１４
は、単一で伸長した部材であり、ウエハの移送中、軸４
１２の回りに回転してウエハを移動させる。このような
単純なウエハ移動は、多軸動作、およびその装置に固有
の多数の可動部材の機能的なかみ合いを避けることによ
って微粒子汚染を減少する。
【００５０】図８Ａ及び図８Ｂのウエハ処理装置におい
て、ハウジング４０１は、ウエハ移送アーム４１４の円
形移動を可能にする略円形状である。本発明の他の構成
によれば、システムがよりコンパクトなハウジング構造
を必要とする場合、ほぼ楕円形のハウジング４５２を使
用するシステム４５０が、図９Ａ、Ｂおよび図１０Ａ、
Ｂに示されている。これらの図において、ウエハ移送ア
ーム４５４は、軸４１２の回りに回転する。移送アーム
４５４は、図８Ａおよび図８Ｂの移送アームとわずかに
異なり、各先端部にエンドエフェクタを含み、端部の軸
４５８の回りに制御された方法で回転する（例えば、中
心軸４１２の回りにアーム４５４の回転位置に関連し
て）。
【００５１】図９Ａ、Ｂおよび図１０Ａ、Ｂは、移送シ
ステム４５０が減少したハウジング形状を有することを
説明的に示すための４つの異なる回転位置における移送
アーム４５４を示している。システム４５０は、さら
に、図示しないコントローラを含み、このコントローラ
は、各端部軸４５８の回りでエンドエフェクタ４５６が
回転するように制御する。好ましくは、コントローラ
は、中心軸４１２の回りで回転する基準アーム４５４の
回転位置を検出し、その感知された回転位置を用いて、
エンドエフェクタがその端部軸４５８の回りに回転する
ように制御する。図９Ａに示すように、移送アーム４５
４がほぼ水平にあるとき、エンドエフェクタ４５６はそ
の伸長方向に回転する。一方、図１０Ａにおいて、移送
アーム４５４がほぼ垂直に向いているとき、エンドエフ
ェクタ４５６は、後退方向に回転する。それゆえ、図９
Ａ、Ｂおよび図１０Ａ、Ｂに示すように、エンドエフェ
クタ４５６（それゆえ、ウエハＷ）は、ロードロック室
４０６と処理室４０２の間でほぼ楕円形の移送経路に移
動する。
【００５２】図８Ａ〜図１０Ｄのウエハ移送アームは、
処理室４０２と単一のロードロック室４０６の間のウエ
ハ移送を示している。本発明の他の実施形態によれば、
ウエハ移送装置は、多数のロードロック室（好ましくは
２つの室が好ましい）を使用することができ、従来のシ
ステムを越える処理能力を達成される。
【００５３】いくつかの処理作業において、処理サイク
ル時間は、ロードロック室内の処理環境圧力を達成する
送気および排気サイクルをより少なくする。このような
一例において、処理室内のウエハの処理が完了すると、
システムは、ロードロック室の圧力が処理室の圧力に等
しくなるまで待たなければならず、その結果、ウエハ処
理が起こらない処理室内でデッドタイムが生じる。
【００５４】本発明の他の実施形態によれば、処理室
は、この室内でウエハの処理をほぼ一定に維持すること
によって処理効率を最大にし、そのため、新しい、未処
理のウエハを処理されたウエハと交換するのに必要な時
間をなくして処理することができる。互いにほぼ平行配
置された多数のロードロック室を用いて、他方のロード
ロック室で処理室とウエハの交換が行なわれている間
に、一方のロードロック室で送気および排気することが
できる。その結果、処理が完了するとすぐに、ロードロ
ック室は、新しい未処理のウエハを交換のために用意す
ることができる。
【００５５】上記機能を効果的にするための例示的なウ
エハ処理装置が、参照番号５００で表されて、図１１Ａ
および図１１Ｂに示されている。このシステム５００
は、処理室４０２と移送室４０４を図８Ａおよび図８Ｂ
と同様に包含するハウジング５０１を含んでいる。シス
テム５００は、さらに、２つのロードロック室４０６
ａ、４０６ｂを含み、それぞれの室には関連する外部ア
クセスポート４１０ａ，４１０ｂを備えている。ロード
ロック室４０６ａ、４０６ｂは、その中に置かれたウエ
ハを処理環境温度にするために送気及び排気の作業がで
き、ウエハを処理室４０２に対して搬入および搬出する
ために移動する。この移動は、２つの単一軸を介して移
送アームを動かし、移送室４０４内で離れた軸５１２
ａ，５１２ｂにアームが連結されかつその軸の回りに回
転するようになっている。図１１Ａに示すように、一方
の移送アーム５１２ｂが移送位置にあるとき（すなわ
ち、室４０６ｂ及び４０２の間でウエハを交換する）、
他方の移送アーム５１２ａ（想像線で示す）は、ニュー
トラル位置にあり、これにより、他方のロードロック室
４０６ａを処理環境圧力に減圧することが可能になる。
【００５６】図１１Ａおよび図１１Ｂに示す２つの移送
アーム５１２ａ，５１２ｂは、好ましくは、それぞれの
ロードロック室と処理室４０２の間のウエハ移送面にお
いて、ウエハを交換する。移送アーム５１２ａ，５１２
ｂが互いに干渉するのを避けるために、各アーム４１４
は、ウエハ移送面内にほぼ配置されるが、理解できるよ
うに、わずかに異なる垂直位置に配置されている。
【００５７】図１１Ａおよび図１１Ｂには、システムハ
ウジング５０１が示され、このハウジングは、各軸５１
２ａ、５１２ｂの回りに回転する移送アーム４１４のほ
ぼ円形の移送経路に適応する略円形状になっている。こ
の代わりに、より小さなシステムハウジング構造が必要
とする場合、図１２Ａ〜図１３Ｂにおいて、参照番号５
５０で示すシステムが設けられている。このシステム５
５０は、ほぼ矩形状のシステムハウジング５５２を有
し、このハウジングは、略矩形状の移送室５５４、処理
室４０２および２つのロードロック室を含む。システム
５５０は、図９Ａ〜図１０Ｂおよび図１１Ａ，１１Ｂと
関連して上述した作動原理で作動する。即ち、移送室５
５４内の２つの移送アーム５６０ａ，５６０ｂは、処理
室の利用効率を最大にするように互いに関連して作動す
る。さらに、各移送アームは、図９Ａ〜図１０Ｂの移送
アーム４５４と同様であり、それゆえ、ほぼ楕円形状の
移送経路をたどる。
【００５８】図３および図８Ａ〜図１０Ｂのシステム４
００，４５０は、ウエハを処理室へ連続的に搬入及び搬
出する方法に基づいて使用することができる。１つの例
示的な方法が、図１４において示され、かつ参照番号６
００で表示されている。ステップ６０２において、シス
テムの初期化が開始され、ここで、移送アーム４１４
は、ニュートラル位置に回転し、ロードロック室２０
６，４０６に関連したロードロックカバー２５０は閉鎖
位置に作動され、また、処理室２０２，４０２に関連し
たリングバルブ２１０は閉鎖される。ステップ６０４で
は、ウエハＷがロードロック室２０６，４０６のアクセ
スポート２６２，４１０を介して凹部２５２に載置され
る。そして、ステップ６０６において、凹部２５２は、
送気され、あるいはロードロック室２０６，４０６の凹
部２５２と移送室２０４、４０４／処理室２０２，４０
２の間の圧力を等しくするために脱気される。
【００５９】圧力が等しくなると、ロードロックカバー
２５０は、アクチュエータ２５４を介して持ち上げら
れ、そして、ステップ６０８において、リングバルブ２
１０が、開くように移動する。即ち、アクチュエータ２
２０を介して後退位置２１２に移動する。これにより、
ロードロック室２０６，４０６の凹部２５２が処理室２
０２，４０２と流体連通するようになる。ロードロック
室２０６，４０６内のウエハＷは、ステップ６１０にお
いて、ピンアセンブリ２５６を介してウエハ移送面２６
０へ持ち上げられ、そして、ステップ６１２において、
移送アーム４１４が図８Ｂのニュートラル位置から図８
ａの移送位置に回転する。ステップ６１４では、ウエハ
Ｗが、ピンアセンブリ２５６を介して移送アーム４１４
のエンドエフェクタ４１８上に降下する。さらに、ステ
ップ６１６において、移送アーム４１４１８０°回転
し、ウエハＷをロードロック室２０６，４０６から処理
室２０２，４０２へ効率的でかつ単一軸によるウエハ移
動で移送する。
【００６０】図１４の方法６００は、続いてステップ６
１８において、処理室２０２，４０２内のピンアセンブ
リがウエハＷを持ち上げて移送アーム４１４上に降ろ
す。ステップ６２０において、移送アーム４１４は、９
０°回転して図８Ｂに示すようにニュートラル位置にす
る。続いて、ステップ６２２で、ロードロックカバー２
５０とリングバルブ２１０を閉鎖する。そして、ウエハ
を処理し、さらに、ステップ６２４において、別の未処
理のウエハをロードロック室の凹部２５２に移送して初
期の状態に戻る。この方法６００では、ステップ６０６
に戻り、そして、ロードロック室２０６，４０６の凹部
２５２が処理環境圧力に減圧される。そして、種々の方
法ステップが繰り返される。
【００６１】この次の場合では、ウエハは、ロードロッ
ク室２０６，４０６と処理室２０２，４０２の両方に存
在する。その結果、ステップ６１０では、両方のウエハ
がウエハ移送面に持ち上げられ、そして、ステップ６１
４において、両方のウエハは、移送アームの両端部にそ
れぞれ配置される。最後に、ステップ６１８で、両方の
ウエハが取り出されることになる。
【００６２】図１４の方法６００は、有利なことに、ロ
ード工程の全体にわたって処理環境圧力に処理室が維持
されることにより、微粒子汚染を減少させることがで
き、また、従来システムよりも処理能力が向上する。こ
うして、処理室２０２，４０２は、ウエハが移送される
ときに送気および排気のサイクルを避けることができ
る。方法６００は、従来のシステムに対していくつかの
利点があるが、処理能力は、多数のロードロック室を用
いることにより、図１１Ａ、Ｂ〜図１２Ａ、Ｂに示すよ
うにさらに改善することができる。処理システムにおい
て、ウエハを移送しかつ処理を行なう方法７００が、図
１５〜図１７に示されている。
【００６３】図１５のステップ７０２では、システム５
００，５５０が初期化される。即ち、両方の移送アーム
４１４がニュートラル位置にある。両方のロードロック
カバー２５０は閉鎖され、また、リングバルブも閉鎖さ
れている。従って、ロードロック室４０６ａ，４０６ｂ
内の凹部２５２は、システムの他の部分との流体の連通
が阻止されている。その時、ステップ７０４において、
未処理のウエハＷが、一方のロードロック室４１０ａに
外部アクセスポートを介して挿入される。また、ステッ
プ７０６において、ロードロック室４１０ａの凹部２５
２は、処理室圧力に減圧される。ステップ７０８におい
て、一旦減圧(pumping)が完了し、そして、ステップ７
１０（この時点では処理室２０２，４０２にはウエハが
ないので、関連はしないが）において、処理が完了する
と、２つのロードロック室があるので、２つの異なるス
テップ７１２，７１４が平行して同時に起こる。
【００６４】ステップ７１２の組では、ステップ７２０
でアクチュエータ２５８を介してロードロックカバー２
５０を持ち上げかつピンアセンブリ２５６を作動させる
ことにより、ロードロック室４１０ａ内の未処理のウエ
ハＷをウエハ移送面２６０に移動するステップを含む。
リングバルブ２１０は、ステップ７２２において、開放
され、ステップ７２４，７２６，７２８において、第１
軸５１２ａに関連した移送アーム４１４がウエハＷをロ
ードロック室４１０ａから処理室２０２，４０２に移動
する（図１５および図１６を参照）。最初、ウエハが処
理室２０２，４０２内にないことに注目してほしい。し
かし、続いて、ステップ７２４〜７２８におけるウエハ
移送では、２つのウエハを含んでいる（すなわち、ウエ
ハの交換）。
【００６５】ウエハＷは、ステップ７３０でピンアセン
ブリを介して処理室２０２，４０２（その後両方の室内
に）内に配置される。軸５１２ａに関連した移送アーム
４１４は、ステップ７３２において、ニュートラル位置
に回転する。ニュートラル位置になると、軸５１２ａに
関連した移送アーム４１４は、ロードロック室４０６ａ
の邪魔にならない。ロードロック室４０６ａのためのロ
ードロックカバー２５０と処理室２０２，４０２のリン
グバルブ２１０は、ステップ７３４において閉鎖され
る。このとき、未処理のウエハが交換され、ステップ７
３６において、第１のロードロック室４０６ａでウエハ
の移動が生じない。しかし、後述の処理方法７００で
は、このような交換が発生する。
【００６６】ステップ７１２の組に平行して、第２のロ
ードロック室４０６ｂに関連した別の組のステップ７１
４がある。第１のロードロック室４０６ａが、処理室２
０２，４０２のウエハを交換している間、ステップ７５
０において、別の未処理のウエハＷが第２のロードロッ
ク室４０６ｂに外部アクセスポート４１０ｂを介して挿
入される。ステップ７５２において、この外部アクセス
ポート４１０ｂは閉鎖され、またロードロック室４０６
ｂは減圧される。ステップ７５４において減圧が完了
し、またステップ７５６において（第１ロードロック室
４０６ａから最初に移送されたウエハに対応する）処理
が完了すると、第２ロードロック室４０６ｂ内のウエハ
Ｗは、ステップ７５８で（図１７）移送面２８０に移動
される。このとき、カバー２５０がステップ７６０でア
クチュエータ２５４を介して持ち上げられており、ま
た、第２軸５１２ｂに関連した移送アーム４１４が、ス
テップ７６２〜７６８を介して、第２ロードロック室４
０６ｂから未処理ウエハを処理済みウエハと交換する。
第２軸５１２ｂに関連した移送アーム４１４は、その
時、ステップ７７０でニュートラル位置に移動し、ステ
ップ７７２において、ドアが閉じられ、処理が開始され
る。
【００６７】第１の未処理ウエハＷは、第１ロードロッ
ク室４０６ａおよび第１軸５１２ａに関連した移送アー
ム４１を介して処理室２０２，４０２内に入るが、処理
中のウエハが処理室２０２，４０２に存在しており、そ
のため第２軸５１２ｂに関連した移送アーム４１４を介
して第２ロードロック室４０６ｂに移送されることに注
目してほしい。
【００６８】それゆえ、本発明の例示的な方法７００に
よれば、ウエハ、異なるロードロック室に搬入および搬
出される。こうして、リングバルブ２１０は、図１７の
ステップ７７２において閉鎖される。第２ロードロック
室４０６ｂからの未処理ウエハＷは処理され、そして、
処理されたウエハは、ステップ７７４において、第２ロ
ードロック室から取り除かれる。この方法７００は、ス
テップ７５０に続く。
【００６９】上述したように、本発明の方法７００は、
ウエハ処理が完了するとすぐに、新しい未処理ウエハを
直ちに交換するので、処理室の有効利用が高められる。
両方のロードロック室４０６ａ，４０６ｂがほぼ平行に
作動するので、一方で、処理室２０２，４０２とのウエ
ハの交換を行ない、他方で、新しい未処理のウエハを与
えて、処理室における処理環境に影響を与えることなく
送気および排気サイクルを開始する。
【００７０】本発明は、ある好ましい実施形態について
記載しかつ説明してきたが、本明細書および図面により
当業者が理解する内容において、等価な変更および修正
が可能であることは明らかである。特に詳述した、構成
要素（アセンブリ、装置、回路等）によって生じる種々
の機能に関して、このような要素を記載するために、手
段等を含む用語が用いられており、これは、本発明の例
示的な実施形態で説明した機能を実行するものである。
さらに、本発明の特徴は、複数の実施形態の１つにおい
て記載されているが、他の実施形態においても組合せる
ことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ウエハを処理室へ移送し、処理室に移送される
各ウエハ毎に送気と排気のサイクルを実行する従来技術
の方法を説明するフローチャート図である。
【図２】典型的なプラズマ侵入型イオン注入装置の断面
図である。
【図３】本発明に従って処理室の送気と排気のサイクル
を省略する、多室処理システム及びリングバルブを説明
する、システムレベルでの断面図である。
【図４】図４Ａは、リングバルブが開いた後退位置にあ
る場合の、図３の処理室における部分断面図であり、図
４Ｂは、処理室を密閉するためのリングバルブが閉じた
位置にある場合の、図３の処理室の部分断面図である。
【図５】従来技術の多軸多関節のロボットアームを示
し、そのアームが伸長位置にある場合の部分斜視図であ
る。
【図６】従来技術の多軸多関節のロボットアームを示
し、そのアームが後退位置にある
【図７】図７Ａは、後退位置、図７Ｂおよび図７Ｃは中
間位置、図７Ｄは伸長位置を例示する、図５及び図６の
従来技術におけるロボットアームの、複数の位置を示す
上面図である。
【図８】図８Ａは、本発明に係る移送位置での、単軸ウ
エハ移送アームを使用するウエハ処理装置の上面図であ
り、図８Ｂは、本発明による中立位置での、単軸ウエハ
移送アームを説明するウエハ処理装置の上面図である。
【図９】図９Ａないし図９Ｂは、本発明による多くの異
なったウエハ移送位置での、一般的に長円形のウエハ移
送通路を横断するウエハ横断アームを使用するウエハ処
理装置の上面図である。
【図１０】図１０Ａないし図１０Ｂは、図９における本
発明による他の異なったウエハ移送位置での、ウエハ横
断アームを使用するウエハ処理装置の上面図である。
【図１１】図１１Ａは、一方は移送位置、他方は中立位
置にある場合の、多連ロードロック室と、２個の単軸ウ
エハ移送アームを使用する本発明に係るウエハ処理装置
の上面図である。図１１Ｂは、図１１Ａとは異なった位
置での、単軸ウエハ移送アームを説明するウエハ処理装
置の上面図である。
【図１２】図１２Ａおよび図１２Ｂは、本発明による多
くの異なったウエハ移送位置での、一般的に長円形のウ
エハ移送通路を横断する２個のウエハ横断アームを使用
し、２連ロードロック室を有するウエハ処理装置の上面
図である。
【図１３】図１３Ａおよび図１３Ｂは、図１２の他の異
なったウエハ移送位置での、２連ロードロック室を有す
るウエハ処理装置の上面図である。
【図１４】本発明による各ウエハの移送に対して、処理
室の送気と排気のサイクルのない、処理室に対するウエ
ハ搬入搬出を行なう方法を説明するフローチャート図で
ある。
【図１５】本発明による各ウエハの移送に対して、処理
室の送気と排気のサイクルのない、多連ロック室を介し
て、処理室に対するウエハ搬入搬出を移送する他の方法
を説明するフローチャート図である。
【図１６】本発明に係る図１５に続くフローチャート図
である。
【図１７】本発明に係る図１６に続くフローチャート図
である。
【符号の説明】
１００ イオン注入装置 １０５ 処理室 １４０ ピンアセンブリ １４５ 供給ポート １６０ ＲＦ発生装置 ２００ ウエハ処理装置 ２０２，４０２ 処理室 ２０６，４０６ ロードロック室 ２０４，４０４ 移送面 ２１０ リングバルブ ２１４ アクセスポート ２１８ 上部部分 ２２０ 作動部材 ２２５ 下部部分 ２５０ ロードロックカバー ２５２ 凹部 ２５４ アクチュエータ ２６０ 移送面 ３００，４１４ 移送アーム ４００，５００ システム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/302 Ｂ (72)発明者 ピーター エル．ケラーマン アメリカ合衆国 マサチューセッツ 01929 エセックス ジョン ワイズ ア ベニュー 94 (72)発明者 フランク シンクレア アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02170 クインシー ロイヤル ストリー ト 14 (72)発明者 アーネスト イー．アレン ジュニア アメリカ合衆国 マサチューセッツ 01966 ロックポート サウス ストリー ト 181 (72)発明者 ロジャー ビー．フィッシュ アメリカ合衆国 マサチューセッツ 01730 ベッドフォード ページ ロード 66

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上部部分と下部部分を有する処理室と、 前記両部分の一方に係合する環状のリングバルブとを備
    え、 このリングバルブは、その第１位置において、前記処理
    室を閉鎖して処理を行ない、第２位置において、前記処
    理室を開放してアクセスできるように操作可能であり、
    前記第１位置にある前記リングバルブは、処理室内の処
    理状態を均一化するために、閉鎖した前記処理室の内周
    辺部に均一な表面を有することを特徴とするウエハ処理
    装置。
  2. 【請求項２】第１位置のリングバルブは、前記処理室の
    上部部分と下部部分の一方から伸びて前記上部部分と下
    部部分の他方に接触して前記両方の室部分を連結し、か
    つ外部の状態から前記処理室を遮蔽することを特徴とす
    る請求項１記載のウエハ処理装置。
  3. 【請求項３】第２位置のリングバルブは、前記処理室の
    上部部分と下部部分の他方に対して引っ込んでおり、こ
    れにより、ウエハを処理室へ搬入または処理室から搬出
    のために、アクセスポートに相当する、前記上部部分と
    下部部分の少なくとも一部を分離することを特徴とする
    請求項１記載のウエハ処理装置。
  4. 【請求項４】リングバルブに連結して作動する作動部材
    をさらに含み、この作動部材は、前記リングバルブを第
    １位置および第２位置に選択的に位置決めるように操作
    可能であることを特徴とする請求項１記載のウエハ処理
    装置。
  5. 【請求項５】リングバルブは、前記処理室の上部部分と
    下部部分とほぼ同一の材料から構成され、これにより、
    処理室内部の処理状態における変動に対して前記処理室
    まわりに均一な内表面が形成されることを特徴とする請
    求項１記載のウエハ処理装置。
  6. 【請求項６】処理室は、アクセスポートとウエハ処理装
    置を含み、さらに、前記アクセスポートを介して前記処
    理室に連結される移送室と、前記移送室に連結され、２
    つの位置間を移動可能なロードロックカバーを含むロー
    ドロック室とを備えており、 前記ロードロック室の一部を第１位置において前記移送
    室から分離して、外部環境の周囲圧力にあるロードロッ
    ク室から、前記ロードロック室の前記分離した部分にウ
    エハを移送する間、前記ロードロック室の一部の圧力が
    前記移送室における圧力と異なる圧力になるようにする
    ことを特徴とする請求項１記載のウエハ処理装置。
  7. 【請求項７】ロードロック室の前記一部と連結するポン
    プをさらに含み、このポンプは、ロードロックカバーが
    第１位置にあるとき、前記ロードロック室の一部の圧力
    を減圧させて、前記ロードロック室の一部の圧力を前記
    移送室および処理室内の圧力に一致させることを特徴と
    する請求項６記載のウエハ処理装置。
  8. 【請求項８】処理室は、イオン注入用の処理室であるこ
    とを特徴とする請求項１記載のウエハ処理装置。
  9. 【請求項９】処理室は、プラズマを侵入させるイオン注
    入処理室であることを特徴とする請求項８記載のウエハ
    処理装置。
  10. 【請求項１０】ウエハを搬入させ、そこからウエハを搬
    出するためのアクセスポートを有する処理室と、この処
    理室内に設けられたリングバルブとを含み、 前記リングバルブは、２つの位置間で移動可能であり、
    かつリングバルブの第１位置では、前記処理室にアクセ
    スするためにアクセスポートを開き、第２位置では、前
    記アクセスポートを閉鎖することを特徴とするウエハ処
    理装置。
  11. 【請求項１１】リングバルブは、均一な内周辺の表面を
    有する環状形状であることを特徴とする請求項１０記載
    のウエハ処理装置。
  12. 【請求項１２】第２位置におけるリングバルブは、処理
    室内に密封状態に係合するように配置され、これによ
    り、アクセスポートを閉鎖して、ウエハを処理する処理
    室内の環境が汚染されないようにし、また、前記リング
    バルブは、均一な処理状態を与えるために処理室に対し
    て均一な内周辺表面を形成することを特徴とする請求項
    １１記載のウエハ処理装置。
  13. 【請求項１３】リングバルブと処理室の組成は、同一で
    あることを特徴とする請求項１０記載のウエハ処理装
    置。
  14. 【請求項１４】処理室は、環状に分離した上部部分と下
    部部分を含み、これにより、両部分間に環状隙間を形成
    し、また、前記処理室にアクセルできるようにアクセス
    ポートが前記環状隙間の一部と接続し、さらに、リング
    バルブは、第２位置において、前記環状隙間を閉鎖し、
    これにより、前記両部分が密閉状態で係合されることに
    より、前記上部部分と下部部分を結合することを特徴と
    する請求項１０記載のウエハ処理装置。
  15. 【請求項１５】処理室の下部部分は、処理室の内周辺の
    まわりに環状リップを有し、リングバルブは、第１位置
    で環状リップと係合することを特徴とする請求項１４記
    載のウエハ処理装置。
  16. 【請求項１６】さらに、リングバルブに結合して作動す
    るアクチュエータを含み、前記リングバルブを第１位置
    と第２位置の間で移動可能であることを特徴とする請求
    項１０記載のウエハ処理装置。
  17. 【請求項１７】アクチュエータは、１つまたは複数のギ
    アおよびネジアセンブリを含み、前記ギアは、リングバ
    ルブの下部部分に係合する前記ネジアセンブリを回転さ
    せ、前記ネジアセンブリは、処理室内のリングバルブの
    垂直位置を調整することを特徴とする請求項１６記載の
    ウエハ処理装置。
  18. 【請求項１８】アクセスポートを介して処理室に連結さ
    れた移送室と、この移送室に連結したロードロック室と
    を含み、 前記ロードロック室は、ウエハを受入れる供給ポート
    と、前記ロードロック室内で、隔離位置と非隔離位置と
    に選択的に配置可能な隔離部材とを含み、 前記隔離部材は、前記隔離位置において、前記供給ポー
    トと連結した前記ロードロック室の一部と密閉状態で係
    合し、これにより、前記移送室と前記処理室内の処理状
    態に影響を与えることなく前記ロードロック室に対する
    ウエハの搬入および搬出を可能にし、一方、前記非隔離
    位置において、前記ロードロック室の一部は、前記移送
    室と流体連通することを特徴とする請求項１０記載のウ
    エハ処理装置。
  19. 【請求項１９】隔離部材に連結して作動するアクチュエ
    ータをさらに含み、このアクチュエータは、隔離位置と
    非隔離位置において、隔離部材を選択的に位置決めるよ
    うに操作可能であることを特徴とする請求項１８記載の
    ウエハ処理装置。
  20. 【請求項２０】環状リングバルブが処理室のアクセスポ
    ートを閉鎖してアクセスできない第１位置から前記アク
    セスポートを開く第２位置に、前記処理室内の環状リン
    グバルブを移動するステップを含み、 これにより、処理室へのアクセスを可能にし、前記環状
    リングバルブが均一な内周辺表面を有し、これにより、
    前記第１位置において、前記処理室内の処理状態を均一
    化することを特徴とするウエハ処理装置へのアクセス方
    法。
  21. 【請求項２１】環状リングバルブを移動するステップ
    は、アクチュエータが環状リングバルブに力を作用させ
    て、前記リングバルブを第１位置から第２位置に移動す
    ることを特徴とする請求項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】アクチュエータの作動は、1つまたは複
    数のネジに連結した１つまたは複数のギアを各々回転す
    ることを含んでおり、これにより前記ネジを回転させ、
    前記ネジはリングバルブに連結し、かつ前記ネジの回転
    が、処理室内のネジの垂直位置を変更し、その結果、前
    記処理室内のリングバルブの垂直位置を変更することを
    特徴とする請求項２１記載の方法。
  23. 【請求項２３】ロードロック室から移送室を介して処理
    室にウエハを移送するステップをさらに含むことを特徴
    とする請求項２０記載の方法。
  24. 【請求項２４】ウエハを含むロードロック室の少なくと
    も一部が、流体によって移送室から分離されている前記
    ロードロック室にウエハを移送し、 前記ロードロック室の一部の圧力を前記移送室の圧力と
    等しくなるように変更し、 前記ロードロック室の一部を前記移送室と流体により連
    通させ、 前記ウエハを前記ロードロック室から前記移送室を介し
    て処理室に移送する、各ステップをさらに含むことを特
    徴とする請求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】ウエハを含むロードロック室の一部を覆
    うロードロックカバーを下降させ、移送室から前記ロー
    ドロック室の一部へ流体が流入しないようにするステッ
    プさらに含むことを特徴とする請求項２４記載の方法。
  26. 【請求項２６】ロードロック室の一部における圧力を変
    更することは、ロードロック室の一部の圧力が移送室内
    の圧力にほぼ等しくなるまで、ポンプを用いて前記ロー
    ドロック室から周囲大気を排気することを含んでいる請
    求項２４記載の方法。
  27. 【請求項２７】ロードロック室と処理室を含むウエハ処
    理装置にウエハを移送する方法であって、 前記ロードロック室の一部を前記処理室の流体から分離
    し、 外部ウエハ位置から前記ロードロック室の一部にウエハ
    を挿入し、 前記ロードロック室の一部と前記処理室の間の圧力を等
    しくし、 前記ロードロック室の一部と前記処理室とを流体によっ
    て連通させ、 前記ロードロック室から前記処理室へウエハを移送し、 前記ロードロック室からの流体が入らないように前記処
    理室を密閉する、各ステップを含むことを特徴する方
    法。
  28. 【請求項２８】前記ロードロック室の一部を前記処理室
    から流体により分離するステップは、開放位置から閉鎖
    位置にロードロックカバーを移動し、前記ロードロック
    カバーが、閉鎖位置において、前記ロードロック室の一
    部と密封状態で係合することを特徴とする請求項２７記
    載の方法。
  29. 【請求項２９】前記ロードロック室の一部と前記処理室
    とを流体によって連通させるステップは、閉鎖位置から
    開放位置にロードロックカバーを移動することを含んで
    いる請求項２８記載の方法。
  30. 【請求項３０】前記ロードロック室からの流体が入らな
    いように前記処理室を密閉するステップは、第１位置か
    ら第２位置に前記処理室内に環状リングバルブを移動す
    ることを含み、このバルブの第１位置は、処理室の上部
    部分と下部部分の間に環状隙間を形成し、前記バルブの
    第２位置は、前記処理室の両部分を一緒に結合すること
    を特徴とする請求項２７記載の方法。
  31. 【請求項３１】環状リングバルブは、均一な内周辺表面
    を有し、これにより、処理室内の処理状態を均一にする
    ことを特徴とする請求項３０記載の方法。
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TW (1) TW471017B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008510317A (ja) * 2004-08-17 2008-04-03 マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド 高度な低コスト・高スループット処理プラットフォーム

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1012004C2 (nl) * 1999-05-07 2000-11-13 Asm Int Werkwijze voor het verplaatsen van wafers alsmede ring.
US6347919B1 (en) * 1999-12-17 2002-02-19 Eaton Corporation Wafer processing chamber having separable upper and lower halves
US7104578B2 (en) * 2002-03-15 2006-09-12 Asm International N.V. Two level end effector
US6835039B2 (en) * 2002-03-15 2004-12-28 Asm International N.V. Method and apparatus for batch processing of wafers in a furnace
US20030194673A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-16 Yoo Woo Sik Batch furnace isolation gate
EP1649076B1 (en) * 2003-06-27 2010-05-19 Sundew Technologies, LLC Apparatus and method for chemical source vapor pressure control
US20100129548A1 (en) * 2003-06-27 2010-05-27 Sundew Technologies, Llc Ald apparatus and method
WO2005004967A2 (en) * 2003-07-02 2005-01-20 Cook Incorporated Small gauge needle catheterization apparatus
US7682454B2 (en) 2003-08-07 2010-03-23 Sundew Technologies, Llc Perimeter partition-valve with protected seals and associated small size process chambers and multiple chamber systems
US7181132B2 (en) 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
US7784164B2 (en) 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
US7422653B2 (en) * 2004-07-13 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Single-sided inflatable vertical slit valve
US7469715B2 (en) * 2005-07-01 2008-12-30 Applied Materials, Inc. Chamber isolation valve RF grounding
WO2008147379A1 (en) * 2006-09-14 2008-12-04 Brooks Automation Inc. Carrier gas system and coupling substrate carrier to a loadport
US20100098518A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Applied Materials, Inc. In/out door for a vacuum chamber
US20100127201A1 (en) * 2008-11-21 2010-05-27 Applied Materials, Inc. Interlocking valve chamber and lid
EP2659507B1 (en) * 2010-12-29 2022-09-14 Evatec AG Vacuum treatment apparatus
IT1404528B1 (it) * 2011-02-24 2013-11-22 Comau Spa Polso di robot articolato.
IT1404527B1 (it) * 2011-02-24 2013-11-22 Comau Spa Polso di robot articolato.
US10553411B2 (en) 2015-09-10 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ion collector for use in plasma systems

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3750734T2 (de) * 1986-04-04 1995-03-09 Materials Research Corp Verfahren und Vorrichtung zur Handhabung und Behandlung von scheibenartigen Materialien.
DE3717724A1 (de) * 1987-05-26 1988-12-08 Schertler Siegfried Ventilschieber mit einem schiebergehaeuse
JPH0478377A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd トグル式ゲート
US5571560A (en) * 1994-01-12 1996-11-05 Lin; Burn J. Proximity-dispensing high-throughput low-consumption resist coating device
KR960002534A (ko) * 1994-06-07 1996-01-26 이노우에 아키라 감압·상압 처리장치
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US5609459A (en) 1995-07-06 1997-03-11 Brooks Automation, Inc. Door drive mechanisms for substrate carrier and load lock
US5607276A (en) 1995-07-06 1997-03-04 Brooks Automation, Inc. Batchloader for substrate carrier on load lock
US5664925A (en) 1995-07-06 1997-09-09 Brooks Automation, Inc. Batchloader for load lock
US5613821A (en) 1995-07-06 1997-03-25 Brooks Automation, Inc. Cluster tool batchloader of substrate carrier
US5667592A (en) * 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
US5863170A (en) * 1996-04-16 1999-01-26 Gasonics International Modular process system
US5855465A (en) * 1996-04-16 1999-01-05 Gasonics International Semiconductor wafer processing carousel
US5765983A (en) 1996-05-30 1998-06-16 Brooks Automation, Inc. Robot handling apparatus
US6048154A (en) * 1996-10-02 2000-04-11 Applied Materials, Inc. High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock
US5961269A (en) * 1996-11-18 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Three chamber load lock apparatus
JP4275769B2 (ja) * 1998-06-19 2009-06-10 株式会社渡辺商行 基体の移載装置
US6347919B1 (en) * 1999-12-17 2002-02-19 Eaton Corporation Wafer processing chamber having separable upper and lower halves

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008510317A (ja) * 2004-08-17 2008-04-03 マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド 高度な低コスト・高スループット処理プラットフォーム

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