JP2977882B2 - 不活性ガス雰囲気下の気密基板コーティング法 - Google Patents

不活性ガス雰囲気下の気密基板コーティング法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非結晶珪素、珪素、炭化珪素、窒化珪素及
び炭化窒化珪素のような物質からなる表面セラミックコ
ーティングによる電子デバイスのような基板の保護に関
する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕
多様な環境条件下で電子デバイスを長持ちさせるに
は、湿分、熱及び摩耗等に耐えることが必要である。こ
れらのデバイスをできるだけ上記の状態にさらさないよ
うにして、デバイスの信頼性を増し寿命を延ばそうとす
る種々の保護手段に関して相当な努力が払われてきた。
しかし、大部分のこれらの手段は色々な欠点をもってい
る。
例えば、初期の方法は環境にさらさないようにするた
めに、電子デバイスを高分子樹脂とともにはめ込んでい
た。しかし、大部分の樹脂は環境湿分に対する透湿性が
あり、そのために通常余分な大きさと重さを要するの
で、これらの方法は限られた価値でしかなかった。次の
保護方法は、この電子デバイスをセラミックパッケージ
内に封入することである。この方法はデバイスの信頼性
を増す点で比較的効果があることがわかり、また最近は
精選した用途に使われている。しかし、この方法は大き
さ、重さそしてコストが余計にかかるので電子工業にお
ける広範な使用をさまたげている。
〔課題を解決するための手段、作用、及び発明の効果〕
本発明は、水素シルセスキオキサンレジン又は加水分
解したあるいは一部加水分解したRxSi（OR）4-x〔式
中、Ｒはアルキル、アリール及び不飽和炭化水素基から
独立に選んだ基；そしてｘは０〜２を表す〕からなる群
から選んだ物質を、不活性ガス雰囲気下において温度50
0〜1000℃でセラミック又はセラミック様コーティング
にすることができることを見出した。
本発明は、酸素のない状態で基板上にセラミック又は
セラミック様コーティングを形成する方法に関する。こ
の方法は、溶剤と、そして水素シルセスキオキサンレジ
ン（Ｈ−レジン）及び加水分解した又は一部加水分解し
たRxSi（OR）4-x、〔式中、Ｒはアルキル、アリール及
び不飽和炭化水素基からなる群から独立に選んだ基、そ
してｘは０〜２を表す〕からなる群から選んだ、１つ又
はそれ以上のプレセラミック材料とを含んでなる溶液を
基板に塗布することを含んでなる。この溶剤を蒸発しそ
してプレセラミックコーティングを基板上に析出させ
る。次いでコーティングした基板を不活性ガス雰囲気下
で温度約500〜1000℃に加熱してこのプレセラミックコ
ーティングをセラミック化すれば、基板上にセラミック
又はセラミック様コーティングができる。
本発明の方法は、セラミック化に必要な温度において
酸化してしまう基板の上に保護コーティングを形成する
のに有用である。この方法は、酸化されやすい銅又は他
の金属を含む電子デバイスを封入するのに特に有利であ
る。
本発明は、上記で形成したコーティング上へ更に追加
するセラミックコーティングの形成にも関する。二層系
では、２番目のパッシベーション層は珪素含有コーティ
ング、珪素・炭素含有コーティング、珪素・窒素含有コ
ーティング、珪素・炭素・窒素含有コーティング又は上
記で形成したコーティングの追加コーティングを含むこ
とができる。三層系では、２番目のパッシベーション層
は珪素・炭素含有コーティング、珪素・窒素含有コーテ
ィング、珪素・炭素・窒素含有コーティング又は上記で
形成したコーティングの追加コーティングを含むことが
でき、そして３番目のバリアコーティングは珪素コーテ
ィング、珪素・炭素コーティング、珪素・窒素コーティ
ング及び珪素・炭素・窒素コーティングを含むことがで
きる。
上述したコーティング層を、例えば化学気相蒸着、プ
ラズマ励起化学気相蒸着、金属補助化学気相蒸着及び
（又は）プレセラミックポリマーのセラミック化を含
む、ただしこれらに限定されないが、各種の技術を用い
て蒸着することができる。
本発明は、Ｈ−レジン及び加水分解したあるいは一部
加水分解したRxSi（OR）4-xを含む群から選んだ材料
を、不活性ガス雰囲気下における温度約500〜1000℃で
セラミック又はセラミック様コーティングに転化できる
という発見に基づいている。このようなプレセラミック
材料のッセラミック化は、以前空気又はアンモニアのよ
うな反応性雰囲気下の加熱によっておこなわれてきたの
で、セラミック又はセラミック様コーティングを不活性
雰囲気下において形成できるというこの発見は予期しな
いものであった。同様に、不活性雰囲気下において形成
したコーティングが電子デバイスの保護コーティングと
して有効であることも意外であった。
本発明は、不活性ガス又はアンモニア雰囲気下におい
て析出させる追加の珪素、珪素・窒素、珪素・炭素又は
珪素・炭素・窒素含有のパッシベーションコーティング
及びバリアコーティングをもって、本発明になる上記コ
ーティング上にオーバーコーティングできるという発見
に関する。
ここで述べる単層及び多層コーティングは、酸素含有
雰囲気下において高温にさらした場合に酸化を受けやす
い基板の保護コーティングとして特に有用である。しか
し本発明によってコーティングすべき基板やデバイス
は、本発明で使用する温度と雰囲気におけるその基板の
熱的、化学的安定性だけで選べばよい。その上、ここに
述べるコーティングは誘電層、トランジスタ様デバイス
となるドーピングした誘電層、多層デバイス、３−Ｄ三
次元デバイス、珪素被覆絶縁体デバイス、超格子デバイ
ス等として使うことができる。
本発明で用いる用語で、“セラミック様”とは残留炭
素及び（又は）水素が完全に無ではないがそれ以外はセ
ラミックとしての性質をもつ熱分解された材料；“プラ
ナリアコーティング”とはコーティングする前の表面よ
りも不整でない表面バリア層を与えるコーティング；
“電子デバイス”又は“電子回路”は珪素ベースのデバ
イス、砒化ガリウムベースのデバイス、集点面配列、オ
プトエレクトロニクスデバイス、光電池、及び光学デバ
イスを含むこれらに限定されず；そして“加水分解した
又は一部加水分解した”とは、シランでの加水分解でき
る置換基の全部又は一部を加水分解するために水性、塩
基性又は酸性条件で処理したシラン又はシラン混合物を
示すのに用いる。
本発明において、溶剤と、そしてＨ−レジン及び加水
分解した又は一部加水分解したRxSi（OR）4-x〔式中、
Ｒはアルキル、アリール、及び不飽和炭化水素基を含む
群から独立に選んだ基；そしてｘは０〜２を表す〕から
なる群から選んだ１つ又はそれ以上のプレセラミック材
料とを含んでなる溶液を基板に塗布することを含んでな
る方法で、最初のセラミック又はセラミック様の層を形
成することができる。基板上に析出したプレセラミック
コーティングをそのままにしてこの溶剤を蒸発させる。
次に被膜を形成するために、コーティングした基板を不
活性雰囲気下において温度約500〜1000℃に加熱する。
本発明で用いることができるプレセラミック材料は、
水素シルセスキオキサンレジン（Ｈ−レジン）、RXSi
（OR）4-X又はこれらの材料の組合せを含む〔式中、Ｒ
はメチル、エチル、プロピル基のような炭素原子１〜20
のアルキル基、フェニル基のようなアリール基、又はビ
ニルあるいはアリル基のような不飽和炭化水素；そして
ｘは０〜２を表す〕。Ｈ−レジンは、米国特許第3,615,
272号明細書にあるフリエ（Frye）他の方法で作ること
ができる。この材料は、基本構造が（HSiO3/2）ｎ〔式
中、ｎは一般に10〜1000を表す〕である。このレジンは
数平均分子量が約800〜2900で、重量平均分子量が約800
0〜28000である。セラミック化すれば、この材料は本質
的にSi−Ｈ結合がないセラミック又はセラミック様コー
ティングを生じる。
式RxSi（OR）4-xの化合物を２つの異なったタイプに
分けることができる。第１のタイプは珪素が水分解でき
る置換基以外の基で置換されている化合物、すなわちｘ
は１〜２を含む。これらの化合物は残留Ｒ基を含むセラ
ミック又はセラミック様コーティングを形成する。ｘが
２である化合物は、熱分解過程で生じる環状構造物とし
て一般に単独では用いられないが、これらの化合物のい
くつかは他のプレセラミック化合物と一緒に共加水分解
される。この第１のタイプの特定な化合物は、モノメチ
ルトリエトキシシラン、モノフェニルトリエトキシシラ
ン、ジエチルジエトキシシラン、モノメチルトリメトキ
シシラン、モノフェニルトリメトキシシラン及びモノビ
ニルトリメトキシシランを含む。
式RxSi（OR）4-xの化合物である第２のタイプは、珪
素が単独で水分解できる置換基と結合している（ｘ＝
０）。これらの化合物によって生じるコーティングは残
留有機基（Ｒ）を本質的に含まない。これらの化合物の
例は、式Si（OR）４の有機オルト珪酸塩を含むがこれら
に限定されない〔式中、Ｒは好ましくはメチル、エチ
ル、プロピル基のような炭素原子１〜４のアルキル基、
フェニル基のようなアリール基、あるいはビニル、アリ
ル基のような不飽和炭化水素基を表す〕。上記のタイプ
の特定な化合物は、テトラメトキシシラン、テトラエト
キシシラン、テトラプロポキシシラン及びテトラブトキ
シシランを含む。
上記の群には含まれないが、等価に機能することがで
きる別の材料は、式（RO）3SiOSi（OR）３の縮合エステ
ル、式（RO）xRy（OR）ｘのジシラン、炭素含有基が熱
条件下で加水分解できるSiOCのような化合物あるいは別
のSiOR源を含む。
本発明で使う溶剤は、生じたセラミックコーティング
の性質が変わらないものであればセラミック材料を溶解
する薬剤又は薬剤の混合物とすることができる。例え
ば、これらの溶剤は上記の材料を低い固体濃度で溶解す
るに十分な量である、エチル又はイソプロピルアルコー
ルのようなアルコール、ベンゼン又はトルエンのような
芳香族炭化水素、ｎ−ヘプタン又はドデカンのようなア
ルカン、ケトン、エステル又はグリコールエーテルを含
んでよい。例えば、上記溶剤の十分な量で0.1〜35wt％
溶液とすることができる。
Ｈ−レジンを用いた場合、セラミック化の速度と程度
を増すのに役立つ白金又はロジウム触媒を少量加えるこ
とで、この溶液は触媒される。この溶液に溶解すること
ができる白金又はロジウム化合物あるいは錯体であれば
使用できる。例えば、ダウコーニングコーポレーション
（Dow Corning Corporation）から提供される白金アセ
チルアセトネート又はロジウム触媒RhCl3（CH3CH2CH2CH
2S）３のような有機白金組成物はすべて本発明の範囲内
である。一般にこれらの触媒は、溶液中のレジン重量基
準で白金又はロジウム約15〜200ppmが溶液に加えられ
る。
プレセラミック材料及び溶剤を含む溶液を基板上に塗
布する。塗布の方法はスピンコーティング、浸漬コーテ
ィング、吹付塗、又は流し塗とすることができるが、こ
れらに限定されない。溶液中の溶剤を乾燥で蒸発してセ
ラミックコーティングを析出させることができる。スピ
ンコーティングを用いる場合、このスピニングは溶剤を
蒸発させやすいので一般に追加の乾燥期間は不要である
ことに注目すべきである。
コーティングしたデバイスを不活性ガス雰囲気下で50
0〜1000℃、好ましくは600〜800℃に加熱してプレセラ
ミックコーティングをセラミック化して気密コーティン
グとする。熱対流炉又は輻射あるいはマイクロ波熱源を
使うような加熱方法が一般に機能的である。その上、加
熱速度は一般に決定的ではないが、基板をできるだけ迅
速に加熱するのが最も実用的であり好ましい。
アルゴン又はヘリウムのような不活性ガス雰囲気が上
記のセラミック化工程に利用できる。しかし、わずかな
量の酸素が金属の結合性に影響するので空気を排除する
ことは本質的である。
代表的なセラミック化手順において、コーティングし
た基板を熱対流炉に据え、そして酸素を排除して不活性
ガスを連続して流してよい。次いで炉内温度を所望のレ
ベル（例えば約600℃）に上げて所望の時間（例えば約
0.5〜３時間）保持する。
上記の方法によって、薄い（２ミクロン未満）セラミ
ック又はセラミック様プラナリアコーティングを基板上
に作る。このコーティングは種々の基板の不整な表面を
平滑にしすぐれた密着性を与える。その上、この基板に
更に付加的な保護を与えるために、上述したコーティン
グの追加コーティング、珪素含有コーティング、珪素・
炭素含有コーティング、珪素・窒素含有コーティング、
及び（又は）珪素・窒素・炭素含有コーティングなどの
別なコーティングでこのコーティングを覆うことができ
る。
２層系では、２番目のパッシベーション層は、珪素含
有コーティング、珪素・炭素含有コーティング、珪素・
窒素含有コーティング、珪素・炭素・窒素含有コーティ
ング又は最初に形成したコーティングの追加コーティン
グを含むことができる。３層系では、２番目のパッシベ
ーション層は珪素・炭素含有コーティング、珪素・窒素
含有コーティング、珪素・炭素・窒素含有コーティン
グ、又は最初に形成したコーティングの追加コーティン
グを含むことができ、そして３番目のバリアコーティン
グは珪素コーティング、珪素・炭素含有コーティング、
珪素・窒素含有コーティング及び珪素・炭素・窒素含有
コーティングを含むことができる。
パッシベーションコーティングは、以下の方法によっ
ておこなうことができる。
（ｉ）最初のセラミック又はセラミック様層に、溶剤
と、そしてポリカルボシラン、ポリシラザン、オルガノ
ポリシラン、シルセスキアザン、炭素置換のポリシラザ
ンそしてポリシラシクロブタシラザンのようなプレセラ
ミックポリマー先駆物質とを含んでなる溶液を塗布し、 （ii）該溶液を蒸発してプレセラミックポリマー先駆物
質コーティングを該セラミック又はセラミック様コーテ
ィング上に析出させ、そして （iii）アンモニア又は不活性ガス雰囲気下で、プレセ
ラミックポリマー先駆物質コーティングを温度200〜900
℃に加熱してセラミック化する。
代わりに、パッシベーション及び（又は）バリアコー
ティングを次の方法でおこなうことができる。
珪素含有コーティングが、（ａ）シラン、ハロシラ
ン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
の、不活性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、（ｂ）
シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、
又はこれらの混合物の、不活性ガス雰囲気下におけるプ
ラズマ励起化学気相蒸着、そして（ｃ）シラン、ハロシ
ラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合
物の、不活性ガス雰囲気下における金属補助化学気相蒸
着、からなる群から選んだ方法であり、 珪素・炭素コーティングが、（１）シラン、アルキル
シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、
又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又は
アルキルシランのもとで不活性ガス雰囲気下における化
学気相蒸着、（２）アルキルシラン、ハロシラン、ハロ
ジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、炭素
原子１〜６のアルカン又はアルキルシランの存在のもと
で不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化学気相蒸
着、そして（３）シラシクロブタン又はジシラシクロブ
タンの、不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化学
気相蒸着からなる群から選んだ方法であり、 珪素・窒素含有コーティングが、（Ａ）シラン、ハロ
シラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混
合物の、アンモニア雰囲気下における化学気相蒸着、
（Ｂ）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシ
ラン又はこれらの混合物の、アンモニア雰囲気下におけ
るプラズマ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）プレセラミ
ックポリマー先駆物質の、アンモニア又は不活性ガス雰
囲気下におけるセラミック化からなる群から選んだ方法
であり、 珪素・炭素・窒素含有コーティングが、（ｉ）ヘキサ
メチルジシラザンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気
下における化学気相蒸着、（ii）ヘキサメチルジシラザ
ンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下におけるプラ
ズマ励起化学気相蒸着、（iii）シラン、アルキルシラ
ン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、又は
これらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアル
キルシランの存在のもとでそして更にアンモニアの存在
下における化学気相蒸着、そして（iv）シラン、アルキ
ルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン
又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又は
アルキルシランの存在のもとでそして更にアンモニアの
存在下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からなる群か
ら選んだ方法である これらの方法を用いてパッシベーションコーティング
又は（及び）バリアコーティグをおこなうことができ
る。
本発明で形成したコーティングは、欠陥が少ないの
で、保護コーティング、耐蝕性耐磨耗性コーティング、
耐熱防湿コーティング、誘電体層、そしてナトリウムや
塩素のようなイオン不純物に対する拡散バリアとして電
子デバイスに有用である。
本発明を以下の例によって更に詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
〔実施例〕
（実施例１） 米国特許第3,615,272号明細書にあるフリエ（Frye）
他の方法で作った水素シルセスキオキサンレジンを、白
金ペンタンジオナートとして白金60ppmを含むｎ−ヘプ
タン溶液中で10wt％に稀釈した。1 2/1インチ（38mm）
正方形銅厚膜多層回路板にこの溶液を塗布し、次いで30
00RPMで35秒間回転させた。このデバイスをアルゴン雰
囲気にある２インチ（51mm）リンドバーグ（Lindburg）
炉に据えて温度を600℃に上げ１時間保持して、水素シ
ルセスキオキサンをセラミック化した。厚さ約2000Åの
コーティングができた。FTIR（フーリエ変換赤外分光
法）スペクトルは本質的にSi−Ｈ結合が無いことを示し
た。
（実施例２） ここでは、実施例１のコーティングをした銅厚膜多層
回路板上に２番目のコーティングをおこなう。該コーテ
ィングした回路板に、ｎ−ヘプタンに溶かして10wt％に
稀釈したポリカルボシランの第２のプレセラミックポリ
マー溶液を塗布し、そして3000RPMで35秒間回転した。
次いでこのデバイスをアンモニア雰囲気にある２インチ
（51mm）リンドバーグ炉に据え、温度を600℃に上げ１
時間保持して、このコーティングした基板をセラミック
化した。厚さ約2300Åのセラミックコーティングが析出
した。
（実施例３） アキュグラス（Accuglas）305tm、エタノール中で10w
t％に稀釈したプレセラミックポリマー含有MeSi（OH）
ｘ（OEt）ｙを1 1/2インチ（38mm）正方形銅厚膜多層回
路板に塗布し、そしてこの回路板を3000RPMで35秒間回
転させた。このデバイスをアルゴン雰囲気にある２イン
チ（51mm）リンドバーグ炉に据え温度を700℃に上げて
１時間保持し、このアキュグラスをセラミック化した。
厚さ3296Åの緑色セラミックコーティングが析出した。
FTIRスペクトルはわずかなメチル基置換を示したが、本
質的にヒドロキシル基は無かった。
（実施例４） 4.5gのMeSi（OMe）３、4.0gのイソプロピルアルコー
ル（IPA）、酢酸0.4g及び水2.5gを混合し、この溶液を6
0〜70℃で30分間加熱してプレセラミック材料の溶液を
調製した。1 1/2インチ（38mm）正方形銅厚膜多層回路
板にこの溶液を塗布し、次いで3000RPMで35秒間回転さ
せた。次にこのデバイスをアルゴン雰囲気にある２イン
チ（51mm）リンドバーグ炉に据えて温度を700℃に上げ
１時間保持してプレセラミック材料をセラミック化し
た。厚さ2682Åのピンク・金色をセラミックコーティン
グが析出した。FTIRスペクトルはわずかなメチル基置換
を示したが、本質的にヒドロキシメチル基は無かった。
（実施例５） 5.04ccのSi（OEt）４、エタノール5.04cc、水9.92cc
及５％HCl 2滴を混合し、60〜70℃で30分間加熱し、そ
して固体分が3.3wt％となるようにこの溶液にエタノー
ルを更に加えて稀釈しプレセラミック材料を調製した。
1 1/2インチ（38mm）正方形銅厚膜多層回路板にこの溶
液を塗布し、次いで3000RPMで35秒間回転させた。次に
このデバイスをアルゴン雰囲気にある２インチ（51mm）
リンドバーグ炉に据えて温度を700℃に上げ１時間保持
した。厚さ3513Åの青・金色セラミックコーティングが
析出した。FTIRスペクトルは本質的にヒドロキシル置換
基を示さなかった。

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（Ａ）溶剤と、そして水素シルセスキオキ
    サンレジン及び加水分解した又は一部加水分解したRxSi
    （OR）4-x〔式中、Ｒはアルキル、アリール及び不飽和
    炭化水素基からなる群から独立に選んだ基；そしてｘは
    ０〜２を表す〕からなる群から選んだ、１つ又はそれ以
    上のプレセラミック材料とを含んでなる溶液を基板に塗
    布し、 （Ｂ）該溶剤を蒸発して該基板上にプレセラミックコー
    ティングを析出させ、そして （Ｃ）該コーティングした基板を、不活性ガス雰囲気下
    で温度約500〜1000℃に加熱することによって該プレセ
    ラミックコーティングをセラミック化して、セラミック
    又はセラミック様コーティングを該基板上に形成する、 工程を含んでなるセラミック又はセラミック様コーティ
    ングを基板上に形成する方法。
  2. 【請求項２】該基板が電子デバイスである請求項１記載
    の方法。
  3. 【請求項３】（ｉ）溶剤とプレセラミックポリマー先駆
    物質を含んでなる第２の溶液を該セラミック又はセラミ
    ック様コーティングに塗布し、 （ii）該溶剤を蒸発して、該セラミック又はセラミック
    様コーティング上にプレセラミックポリマー先駆物質コ
    ーティングを析出させ、そして （iii）該プレセラミックポリマー先駆物質コーティン
    グを、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下で温度200〜9
    00℃に加熱することによってセラミック化して、該セラ
    ミック又はセラミック様コーティング上にパッシベーシ
    ョンコーティングを形成する、 工程を用いて該セラミック又はセラミック様コーティン
    グ上に更にパッシベーションコーティングを加えること
    を含んでなる、２層セラミック又はセラミック様コーテ
    ィングを基板上に形成する請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】（ｉ）珪素コーティング、（ii）珪素・炭
    素含有コーティング、（iii）珪素・窒素含有コーティ
    ング、及び（iv）珪素・炭素・窒素含有コーティングか
    らなる群から選んだ珪素含有パッシベーションコーティ
    ングのうち、 珪素コーティングが、（ａ）シラン、ハロシラン、ハロ
    ジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、不活
    性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、（ｂ）シラン、
    ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれら
    の混合物の、不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起
    化学気相蒸着、そして（ｃ）シラン、ハロシラン、ハロ
    ジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、不活
    性雰囲気下における金属補助化学気相蒸着からなる群か
    ら選んだ方法であり、 珪素・炭素含有コーティングが、（１）シラン、アルキ
    ルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン
    又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又は
    アルキルシランの存在のもとで不活性ガス雰囲気下にお
    ける化学気相蒸着、（２）アルキルシラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
    の、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキルシランの存
    在のもとで不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化
    学気相蒸着、そして（３）シラシクロブタン又はジシラ
    シクロブタンの不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励
    起化学気相蒸着からなる群から選んだ方法であり、 珪素・窒素含有コーティングが、（Ａ）シラン、ハロシ
    ラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合
    物の、アンモニア雰囲気下における化学気相蒸着、
    （Ｂ）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシ
    ラン又はこれらの混合物の、アンモニア雰囲気下におけ
    るプラズマ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）珪素と窒素
    を含有するプレセラミックポリマー先駆物質を含んでな
    る第２の溶液からの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気
    下におけるセラミック化からなる群から選んだ析出方法
    であり、そして 珪素・炭素・窒素含有コーティングが、（ｉ）ヘキサメ
    チルジシラザンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下
    における化学気相蒸着、（ii）ヘキサメチルジシラザン
    の、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下におけるプラズ
    マ励起化学気相蒸着、（iii）シラン、アルキルシラ
    ン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこ
    れらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキ
    ルシランの存在のもとでそして更にアンモニア存在下に
    おける化学気相蒸着、そして（iv）シラン、アルキルシ
    ラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又は
    これらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアル
    キルシランの存在のもとでそして更にアンモニア存在下
    におけるプラズマ励起化学気相蒸着からなる群から選ん
    だ析出方法である、 これらの方法を用いて該珪素含有パッシベーションコー
    ティングを形成し、該セラミック又はセラミック様コー
    ティング上に更に該珪素含有パッシベーションコーティ
    ングを加えることを含んでなる、２層セラミック又はセ
    ラミック様コーティングを該基板上に形成する請求項１
    記載の方法。
  5. 【請求項５】（ｉ）珪素・炭素含有コーティング、（i
    i）珪素・窒素含有コーティング、そして（iii）珪素・
    炭素・窒素含有コーティングからなる群から選んだ珪素
    含有パッシベーションコーティングのうち、 珪素・炭素コーティングが、（１）シラン、アルキルシ
    ラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又は
    これらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアル
    キルシランの存在のもとで不活性ガス雰囲気下における
    化学気相蒸着、（２）アルキルシラン、ハロシラン、ハ
    ロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、炭
    素原子１〜６のアルカン又はアルキルシランの存在のも
    とで不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化学気相
    蒸着、そして（３）シラシクロブタン又はジシラシクロ
    ブタンの、不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化
    学気相蒸着からなる群から選んだ方法であり、 珪素・窒素含有コーティングが、（Ａ）シラン、ハロシ
    ラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合
    物の、アンモニア雰囲気下における化学気相蒸着、
    （Ｂ）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシ
    ラン又はこれらの混合物の、アンモニア雰囲気下におけ
    るプラズマ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）珪素と窒素
    を含有するプレセラミックポリマー先駆物質を含んでな
    る第２の溶液からの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気
    下におけるセラミック化からなる群から選んだ析出方法
    であり、 珪素・炭素・窒素含有コーティングが、（ｉ）ヘキサメ
    チルジシラザンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下
    における化学気相蒸着、（ii）ヘキサメチルジシラザン
    の、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下におけるプラズ
    マ励起化学気相蒸着、（iii）シラン、アルキルシラ
    ン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこ
    れらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキ
    ルシランの存在のもとでそして更にアンモニアの存在下
    における化学気相蒸着、そして（ｖ）シラン、アルキル
    シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又
    はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はア
    ルキルシランの存在のもとでそして更にアンモニア存在
    下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からなる群から選
    んだ析出方法である、 これらの方法を用いて珪素含有パッシベーションコーテ
    ィングを形成し、該セラミック又はセラミック様コーテ
    ィング上に該珪素含有パッシベーションコーティングを
    加えることを含んでなり、そして更に （ｉ）珪素コーティング、（ii）珪素・炭素含有コーテ
    ィング、（iii）珪素・窒素含有コーティング、そして
    （iv）珪素・炭素・窒素含有コーティングからなる群か
    ら選んだ珪素含有バリアコーティングのうち、 珪素コーティングが、（ａ）シラン、ハロシラン、ハロ
    ジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、不活
    性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、（ｂ）シラン、
    ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれら
    の混合物の、不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起
    化学気相蒸着、そして（ｃ）シラン、ハロシラン、ハロ
    ジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、不活
    性ガス雰囲気下における金属補助化学気相蒸着からなる
    群から選んだ方法であり、 珪素・炭素コーティングが、（１）シラン、アルキルシ
    ラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又は
    これらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアル
    キルシランの存在のもとで不活性ガス雰囲気下における
    化学気相蒸着、（２）アルキルシラン、ハロシラン、ハ
    ロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、炭
    素原子１〜６のアルカン又はアルキルシランの存在のも
    とで不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化学気相
    蒸着、そして（３）シラシクロブタン又はジシラシクロ
    ブタンの、不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化
    学気相蒸着からなる群から選んだ方法であり、 珪素・窒素含有コーティングが、（Ａ）シラン、ハロシ
    ラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合
    物の、アンモニア雰囲気下における化学気相蒸着、
    （Ｂ）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシ
    ラン又はこれらの混合物の、アンモニア雰囲気下におけ
    るプラズマ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）珪素と窒素
    を含有するプレセラミックポリマー先駆物質を含んでな
    る第３の溶液からの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気
    下におけるセラミック化からなる群から選んだ析出方法
    であり、そして 珪素・炭素・窒素含有コーティングが、（ｉ）ヘキサメ
    チルジシラザンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下
    における化学気相蒸着、（ii）ヘキサメチルジシラザン
    の、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下におけるプラズ
    マ励起化学気相蒸着、（iii）シラン、アルキルシラ
    ン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこ
    れらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキ
    ルシランの存在のもとでそして更にアンモニアの存在下
    における化学気相蒸着、そして（iv）シラン、アルキル
    シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又
    はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はア
    ルキルシランの存在のもとでそして更にアンモニアの存
    在下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からなる群から
    選んだ析出方法である、 これらの方法を用いて該珪素含有バリアコーティングを
    形成し、該パッシベーションコーティング上に更に該珪
    素含有バリアコーティングを加えることを含んでなる、
    多層セラミック又はセラミック様コーティングを該基板
    上に形成する請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】請求項１記載の方法で得られる製品。
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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5445894A (en) * 1991-04-22 1995-08-29 Dow Corning Corporation Ceramic coatings
EP0590780B1 (en) * 1992-08-28 1997-06-25 Dow Corning Corporation Method for producing an integrated circuit with hermetic protection based on a ceramic layer
CA2104340A1 (en) * 1992-08-31 1994-03-01 Grish Chandra Hermetic protection for integrated circuits
EP0586149A1 (en) * 1992-08-31 1994-03-09 Dow Corning Corporation Hermetic protection for integrated circuits, based on a ceramic layer
JP3174416B2 (ja) * 1992-12-10 2001-06-11 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 酸化ケイ素膜の形成方法
JP3174417B2 (ja) * 1992-12-11 2001-06-11 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 酸化ケイ素膜の形成方法
US5380555A (en) * 1993-02-09 1995-01-10 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Methods for the formation of a silicon oxide film
TW387924B (en) * 1993-07-19 2000-04-21 Dow Corning A method of forming a coating on optical fiber with hydrogen silsesquioxane resin
US5320868A (en) * 1993-09-13 1994-06-14 Dow Corning Corporation Method of forming SI-O containing coatings
US5441765A (en) * 1993-09-22 1995-08-15 Dow Corning Corporation Method of forming Si-O containing coatings
US5530293A (en) * 1994-11-28 1996-06-25 International Business Machines Corporation Carbon-free hydrogen silsesquioxane with dielectric constant less than 3.2 annealed in hydrogen for integrated circuits
US5656555A (en) * 1995-02-17 1997-08-12 Texas Instruments Incorporated Modified hydrogen silsesquioxane spin-on glass
FR2731442B1 (fr) * 1995-03-09 1997-04-11 Ugine Sa Procede pour realiser un revetement sur une tole en acier electrique et tole obtenue
JP3070450B2 (ja) * 1995-07-14 2000-07-31 ヤマハ株式会社 多層配線形成法
JP3149739B2 (ja) * 1995-07-14 2001-03-26 ヤマハ株式会社 多層配線形成法
US5858544A (en) * 1995-12-15 1999-01-12 Univ Michigan Spherosiloxane coatings
US5763010A (en) * 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Thermal post-deposition treatment of halogen-doped films to improve film stability and reduce halogen migration to interconnect layers
US5780163A (en) * 1996-06-05 1998-07-14 Dow Corning Corporation Multilayer coating for microelectronic devices
US6020410A (en) * 1996-10-29 2000-02-01 Alliedsignal Inc. Stable solution of a silsesquioxane or siloxane resin and a silicone solvent
JP3123449B2 (ja) * 1996-11-01 2001-01-09 ヤマハ株式会社 多層配線形成法
JP3082688B2 (ja) * 1996-11-05 2000-08-28 ヤマハ株式会社 配線形成法
JP3225872B2 (ja) 1996-12-24 2001-11-05 ヤマハ株式会社 酸化シリコン膜形成法
JPH10247686A (ja) * 1996-12-30 1998-09-14 Yamaha Corp 多層配線形成法
US6143855A (en) 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
US6015457A (en) * 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US5866197A (en) * 1997-06-06 1999-02-02 Dow Corning Corporation Method for producing thick crack-free coating from hydrogen silsequioxane resin
TW392288B (en) 1997-06-06 2000-06-01 Dow Corning Thermally stable dielectric coatings
US6018002A (en) * 1998-02-06 2000-01-25 Dow Corning Corporation Photoluminescent material from hydrogen silsesquioxane resin
US6177199B1 (en) 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US6218020B1 (en) 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6261365B1 (en) * 1998-03-20 2001-07-17 Tokyo Electron Limited Heat treatment method, heat treatment apparatus and treatment system
US6177143B1 (en) 1999-01-06 2001-01-23 Allied Signal Inc Electron beam treatment of siloxane resins
JP3543669B2 (ja) 1999-03-31 2004-07-14 信越化学工業株式会社 絶縁膜形成用塗布液及び絶縁膜の形成方法
DE19930782A1 (de) * 1999-07-03 2001-01-04 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum selektiven Beschichten keramischer Oberflächenbereiche
US6440550B1 (en) 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
US6472076B1 (en) * 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6558755B2 (en) 2000-03-20 2003-05-06 Dow Corning Corporation Plasma curing process for porous silica thin film
US6576300B1 (en) 2000-03-20 2003-06-10 Dow Corning Corporation High modulus, low dielectric constant coatings
US6368400B1 (en) 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
JP4758938B2 (ja) * 2001-08-30 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置
US6777349B2 (en) * 2002-03-13 2004-08-17 Novellus Systems, Inc. Hermetic silicon carbide
JP4240966B2 (ja) * 2002-09-06 2009-03-18 キヤノン株式会社 近接場光マスク、これを用いた近接場露光装置、これを用いたドットパターン作製方法
US20040166692A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Loboda Mark Jon Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
US20080206589A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Bruce Gardiner Aitken Low tempertature sintering using Sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device
US7829147B2 (en) * 2005-08-18 2010-11-09 Corning Incorporated Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device
US20070040501A1 (en) 2005-08-18 2007-02-22 Aitken Bruce G Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device
US7722929B2 (en) * 2005-08-18 2010-05-25 Corning Incorporated Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
DE102005048363A1 (de) * 2005-10-10 2007-04-12 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Verfahren zum Schutz empfindlicher Nanostrukturen
WO2007042521A2 (de) 2005-10-10 2007-04-19 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Herstellung von selbstorganisierten nadelartigen nano-strukturen und ihre recht umfangreichen anwendungen
DE102005048366A1 (de) 2005-10-10 2007-04-19 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Verfahren zur Herstellung von defektarmen selbstorganisierten nadelartigen Strukturen mit Nano-Dimensionen im Bereich unterhalb der üblichen Lichtwellenlängen mit großem Aspektverhältnis
US20080048178A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Bruce Gardiner Aitken Tin phosphate barrier film, method, and apparatus
US8115326B2 (en) 2006-11-30 2012-02-14 Corning Incorporated Flexible substrates having a thin-film barrier
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
DE102009049056A1 (de) * 2009-10-12 2011-04-14 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Beschichtung eines Silikat-Leuchtstoffs
US8950162B2 (en) * 2010-06-02 2015-02-10 Eversealed Windows, Inc. Multi-pane glass unit having seal with adhesive and hermetic coating layer
US9328512B2 (en) 2011-05-05 2016-05-03 Eversealed Windows, Inc. Method and apparatus for an insulating glazing unit and compliant seal for an insulating glazing unit
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
US9546513B2 (en) 2013-10-18 2017-01-17 Eversealed Windows, Inc. Edge seal assemblies for hermetic insulating glass units and vacuum insulating glass units
JP6803842B2 (ja) 2015-04-13 2020-12-23 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドＨｏｎｅｙｗｅｌｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃ． オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング
EP3322007A4 (en) * 2015-07-10 2019-01-23 JNC Corporation NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE SUBSTANCE FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4460639A (en) * 1983-04-06 1984-07-17 Dow Corning Corporation Fiber reinforced glass matrix composites
JPH0791509B2 (ja) * 1985-12-17 1995-10-04 住友化学工業株式会社 半導体用絶縁膜形成塗布液
US4756977A (en) * 1986-12-03 1988-07-12 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane
US4826733A (en) * 1986-12-03 1989-05-02 Dow Corning Corporation Sin-containing coatings for electronic devices
US4822697A (en) * 1986-12-03 1989-04-18 Dow Corning Corporation Platinum and rhodium catalysis of low temperature formation multilayer ceramics
US4753855A (en) * 1986-12-04 1988-06-28 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices
US4749631B1 (en) * 1986-12-04 1993-03-23 Multilayer ceramics from silicate esters
US4753856A (en) * 1987-01-02 1988-06-28 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from silicate esters and metal oxides
US4847162A (en) * 1987-12-28 1989-07-11 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsequioxane resin in the presence of ammonia
JPH07105461B2 (ja) * 1990-08-03 1995-11-13 三菱電機株式会社 半導体装置用絶縁基板の製造方法およびそのための金属パターン板
JP3174416B2 (ja) * 1992-12-10 2001-06-11 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 酸化ケイ素膜の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0427395A1 (en) 1991-05-15
EP0427395B1 (en) 1996-04-10
ES2088420T3 (es) 1996-08-16
DE69026469T2 (de) 1996-10-02
DE69026469D1 (de) 1996-05-15
JPH03183675A (ja) 1991-08-09
US5380567A (en) 1995-01-10
US6171703B1 (en) 2001-01-09
CA2027031A1 (en) 1991-04-19

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