JP2971496B2 - 低速電子線励起蛍光体の製造方法 - Google Patents
低速電子線励起蛍光体の製造方法Info
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- JP2971496B2 JP2971496B2 JP2030433A JP3043390A JP2971496B2 JP 2971496 B2 JP2971496 B2 JP 2971496B2 JP 2030433 A JP2030433 A JP 2030433A JP 3043390 A JP3043390 A JP 3043390A JP 2971496 B2 JP2971496 B2 JP 2971496B2
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- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は低速電子線により励起され蛍光を発する低速
電子線励起蛍光体の製造方法に関する。
電子線励起蛍光体の製造方法に関する。
［従来の技術とその問題点］ 低速電子線励起蛍光表示管（以下、蛍光表示管と略記
する。）は片面に蛍光膜を有する陽極プレートとその蛍
光膜に対向した陰極とを容器内に封入し真空にした構造
を有し、陰極から放射される1KV以下の低速電子線によ
って陽極プレートの蛍光膜を発光せしめるものである。
する。）は片面に蛍光膜を有する陽極プレートとその蛍
光膜に対向した陰極とを容器内に封入し真空にした構造
を有し、陰極から放射される1KV以下の低速電子線によ
って陽極プレートの蛍光膜を発光せしめるものである。
前記蛍光膜を構成する低速電子線励起蛍光体（以下低
速蛍光体と略記する。）に求められる最も重要な特性
は、蛍光体が導電性を有しているということである。そ
の導電性が悪いと陰極から放射される電子線によって、
陽極の蛍光膜表面が負に帯電しまい発光不能を生じる。
従って蛍光膜に塗布された蛍光体に導電性を付与しチャ
ージアップした負電荷を逃がすために従来数々の技術が
開示されている。例えば特公昭52−23911号公報におい
てはZnS:Ag、Y2SiO5:Ce等の青色発光蛍光体に10〜90重
量％のIn2O3が乾式混合された低速青色発光蛍光体が開
示されている。また特公昭62−53554号公報ではZnS:A
g、Zn（SSe）:Ag、Al、SrGa2S4:Ce、・・・等の青色発
光蛍光体に粒径の規定されたIn2O3、SnO2等が乾式混合
された低速青色蛍光体が開示されている。即ち従来の技
術はそのほとんどが、母体である蛍光体の導電性が悪い
ために低速電子線励起において微弱にしか発光しない蛍
光体に対し、In2O3、SnO2等の導電性金属酸化物（以下
導電性物質と略記する。）を乾式混合することによって
蛍光体及び蛍光膜に導電性を付与して輝度を高めるとい
う技術である。
速蛍光体と略記する。）に求められる最も重要な特性
は、蛍光体が導電性を有しているということである。そ
の導電性が悪いと陰極から放射される電子線によって、
陽極の蛍光膜表面が負に帯電しまい発光不能を生じる。
従って蛍光膜に塗布された蛍光体に導電性を付与しチャ
ージアップした負電荷を逃がすために従来数々の技術が
開示されている。例えば特公昭52−23911号公報におい
てはZnS:Ag、Y2SiO5:Ce等の青色発光蛍光体に10〜90重
量％のIn2O3が乾式混合された低速青色発光蛍光体が開
示されている。また特公昭62−53554号公報ではZnS:A
g、Zn（SSe）:Ag、Al、SrGa2S4:Ce、・・・等の青色発
光蛍光体に粒径の規定されたIn2O3、SnO2等が乾式混合
された低速青色蛍光体が開示されている。即ち従来の技
術はそのほとんどが、母体である蛍光体の導電性が悪い
ために低速電子線励起において微弱にしか発光しない蛍
光体に対し、In2O3、SnO2等の導電性金属酸化物（以下
導電性物質と略記する。）を乾式混合することによって
蛍光体及び蛍光膜に導電性を付与して輝度を高めるとい
う技術である。
しかし上記In2O3、SnO2等の導電性物質は非発光物質
であり、しかも黄色若しくは褐色の体色を有している。
従ってそれらを蛍光体と混合するという技術は、前記導
電性物質が蛍光体自体の発光を阻害、吸収してしまうた
め、蛍光体及び蛍光表示管の輝度低下を招くという欠点
があった。
であり、しかも黄色若しくは褐色の体色を有している。
従ってそれらを蛍光体と混合するという技術は、前記導
電性物質が蛍光体自体の発光を阻害、吸収してしまうた
め、蛍光体及び蛍光表示管の輝度低下を招くという欠点
があった。
以上のように蛍光表示管にとって、導電性物質は不可
欠なものであるため、通常はその導電性物質の混合量の
最適化により輝度低下の対策を試みているが、最近急速
な表示デバイスの発達に伴い、より以上の蛍光表示管の
輝度向上が望まれている。
欠なものであるため、通常はその導電性物質の混合量の
最適化により輝度低下の対策を試みているが、最近急速
な表示デバイスの発達に伴い、より以上の蛍光表示管の
輝度向上が望まれている。
［発明が解決しようとする問題点］ そこで本発明は上記事情を鑑みて成されたものであ
り、蛍光体に対する導電性物質を改良することによっ
て、加速電圧が1KV以下、特に100V以下の低速電子線励
起の元で優れた導電性と輝度を有する低速蛍光体及びそ
れを利用した主として蛍光表示管用の蛍光膜を提供する
ことを目的とするものである。
り、蛍光体に対する導電性物質を改良することによっ
て、加速電圧が1KV以下、特に100V以下の低速電子線励
起の元で優れた導電性と輝度を有する低速蛍光体及びそ
れを利用した主として蛍光表示管用の蛍光膜を提供する
ことを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明者らは低速蛍光体及び蛍光表示管の輝度を向上
するため、数々の導電性物質の種類及び蛍光体に対する
添加方法等について鋭意研究を重ねた結果、導電性物質
を蛍光体の少なくとも表面全体に均質膜状又は半均質膜
状に被覆することによって低加速電圧において、低速蛍
光体及び蛍光表示管の輝度が飛躍的に向上することを新
たに見いだし本発明を成すに至った。
するため、数々の導電性物質の種類及び蛍光体に対する
添加方法等について鋭意研究を重ねた結果、導電性物質
を蛍光体の少なくとも表面全体に均質膜状又は半均質膜
状に被覆することによって低加速電圧において、低速蛍
光体及び蛍光表示管の輝度が飛躍的に向上することを新
たに見いだし本発明を成すに至った。
本発明の蛍光体は、一般式ZnS:M1,M2（但しM1はAg、Z
n、Cu、Auの群から選ばれた少なくとも一種の元素であ
り、M2はAl、Ｆ、Cl、Br、Ｉの群から選ばれた少なくと
も一種の元素である。）又は一般式（ZnCd）S:M1,M2で
表される蛍光体のうちから選ばれた少なくとも一種の蛍
光体の少なくとも表面全体を、均質膜状又は半均質膜状
の導電性金属酸化物が被覆して成ることを特徴とする低
速蛍光体である。
n、Cu、Auの群から選ばれた少なくとも一種の元素であ
り、M2はAl、Ｆ、Cl、Br、Ｉの群から選ばれた少なくと
も一種の元素である。）又は一般式（ZnCd）S:M1,M2で
表される蛍光体のうちから選ばれた少なくとも一種の蛍
光体の少なくとも表面全体を、均質膜状又は半均質膜状
の導電性金属酸化物が被覆して成ることを特徴とする低
速蛍光体である。
なお均質膜状又は半均質膜状の導電性物質が蛍光体を
被覆している状態とは、導電性物質を混合した従来の低
速蛍光体のように蛍光体と導電性物質が点で接触してい
る状態とは異なり、導電性物質と蛍光体とが面でつなが
っている状態を指す。従って一部塊状の付着物を含んだ
り、むらになって付着している場合もある。
被覆している状態とは、導電性物質を混合した従来の低
速蛍光体のように蛍光体と導電性物質が点で接触してい
る状態とは異なり、導電性物質と蛍光体とが面でつなが
っている状態を指す。従って一部塊状の付着物を含んだ
り、むらになって付着している場合もある。
本発明の低速蛍光体に用いられる蛍光体は通常陰極線
管で用いられている蛍光体又は導電性物質と混合されて
従来の低速蛍光体となる公知の蛍光体である。そしてそ
の蛍光体の発光色は上記一般式においてM1、M2の種類、
量及びCdの量を任意に変える事によって自由に変えるこ
とができる。例えば青色発光蛍光体においては（ZnS:A
g,Al）、（ZnS:Zn,Cl）、｛（ZnCd）S:Ag,Cl｝等が知ら
れており、緑色発光蛍光体においては（ZnS:Cu,Cl）、
（ZnS:Cu,Au,Al）、｛（ZnCd）S:Ag,Al｝等、黄色発光
蛍光体では、（ZnS:Au,Al）、（ZnS:Cu,Au,Al）、｛（Z
nCd）S:Ag,Cl｝等、白色発光蛍光体では｛ZnS:Zn,Clと
（ZnCd）S:Cu,Alの混合物｝、｛ZnS:Ag,AlとZnS:Au,Al
の混合物｝、｛（ZnCd）S:Ag,Au,Al｝等、橙色発光蛍光
体では｛（ZnCd）S:Cu,Cl｝、｛（ZnCd）S:Au,Al｝、
｛（ZnCd）S:Ag,Cl｝等、赤色発光蛍光体では｛（ZnC
d）S:Cu,Al｝、｛（ZnCd）S:Au,Al｝、｛（ZnCd）S:Ag,
Al｝等が良く知られている。
管で用いられている蛍光体又は導電性物質と混合されて
従来の低速蛍光体となる公知の蛍光体である。そしてそ
の蛍光体の発光色は上記一般式においてM1、M2の種類、
量及びCdの量を任意に変える事によって自由に変えるこ
とができる。例えば青色発光蛍光体においては（ZnS:A
g,Al）、（ZnS:Zn,Cl）、｛（ZnCd）S:Ag,Cl｝等が知ら
れており、緑色発光蛍光体においては（ZnS:Cu,Cl）、
（ZnS:Cu,Au,Al）、｛（ZnCd）S:Ag,Al｝等、黄色発光
蛍光体では、（ZnS:Au,Al）、（ZnS:Cu,Au,Al）、｛（Z
nCd）S:Ag,Cl｝等、白色発光蛍光体では｛ZnS:Zn,Clと
（ZnCd）S:Cu,Alの混合物｝、｛ZnS:Ag,AlとZnS:Au,Al
の混合物｝、｛（ZnCd）S:Ag,Au,Al｝等、橙色発光蛍光
体では｛（ZnCd）S:Cu,Cl｝、｛（ZnCd）S:Au,Al｝、
｛（ZnCd）S:Ag,Cl｝等、赤色発光蛍光体では｛（ZnC
d）S:Cu,Al｝、｛（ZnCd）S:Au,Al｝、｛（ZnCd）S:Ag,
Al｝等が良く知られている。
また本発明の蛍光体において表面に被覆される導電性
物質は、In2O3、SnO2、ZnO、TiO2、WO3、Nb2O5等がある
が特に好ましくはIn2O3、SnO2内の少なくとも一種であ
る。
物質は、In2O3、SnO2、ZnO、TiO2、WO3、Nb2O5等がある
が特に好ましくはIn2O3、SnO2内の少なくとも一種であ
る。
ところで本発明の蛍光体の特徴である、表面に均質膜
状又は半均質膜状に前記導電性物質を被覆するには以下
に述べる方法によって達成できる。
状又は半均質膜状に前記導電性物質を被覆するには以下
に述べる方法によって達成できる。
すなわち、In、Sn、Ti、Ｗ等加熱酸化によって、容易
に導電性物質となり得る金属の有機化合物、例えばトリ
メチルインジウム（III）トリス（シクロペンタジエニ
ル）インジウム、トリフェニルインジウム、ジエチルス
ズ、ジプロピルスズ、ジフェニルスズ、トリクロロメチ
ルメタン、テトラベンジルチタン、ヘキサメチルタング
ステン、ジクロロトリメチルニオブ等を有機溶媒に溶解
した溶液、又は前記金属のキレート化合物若しくはイオ
ン会合体として有機溶媒に溶解、抽出した溶液、即ち有
機溶媒可溶性の有機金属化合物を用いる方法である。具
体的に述べると、蛍光体を前記金属を含む有機溶媒中に
懸濁させた後、加温して有機溶媒のみを揮散させる。そ
れによって前記金属の有機化合物が蛍光体粒子に均一に
付着した状態となる。その蛍光体を空気雰囲気中若しく
は弱還元雰囲気中で450℃以上の温度で焼成することに
よって有機物は分解し、前記金属の酸化物は均質膜状又
は半均質膜状となって、蛍光体表面を被覆する。
に導電性物質となり得る金属の有機化合物、例えばトリ
メチルインジウム（III）トリス（シクロペンタジエニ
ル）インジウム、トリフェニルインジウム、ジエチルス
ズ、ジプロピルスズ、ジフェニルスズ、トリクロロメチ
ルメタン、テトラベンジルチタン、ヘキサメチルタング
ステン、ジクロロトリメチルニオブ等を有機溶媒に溶解
した溶液、又は前記金属のキレート化合物若しくはイオ
ン会合体として有機溶媒に溶解、抽出した溶液、即ち有
機溶媒可溶性の有機金属化合物を用いる方法である。具
体的に述べると、蛍光体を前記金属を含む有機溶媒中に
懸濁させた後、加温して有機溶媒のみを揮散させる。そ
れによって前記金属の有機化合物が蛍光体粒子に均一に
付着した状態となる。その蛍光体を空気雰囲気中若しく
は弱還元雰囲気中で450℃以上の温度で焼成することに
よって有機物は分解し、前記金属の酸化物は均質膜状又
は半均質膜状となって、蛍光体表面を被覆する。
また後に蛍光表示管の蛍光膜を作成する際、蛍光膜を
450℃以上で焼成する工程があるため、上記方法におい
て450℃以上で焼成せずとも有機溶媒を揮散させただけ
の蛍光体でも良い。
450℃以上で焼成する工程があるため、上記方法におい
て450℃以上で焼成せずとも有機溶媒を揮散させただけ
の蛍光体でも良い。
さらに被覆する導電性物質の量は、蛍光体が青色発光
蛍光体の場合はその蛍光体に対し0.1重量％以上10.0重
量％未満の範囲に、緑色発光蛍光体若しくは白色発光蛍
光体の場合は同じく蛍光体に対し0.08重量％以上9.0重
量％以下の範囲に、蛍光体が黄色発光蛍光体の場合は同
じく0.06重量％以上8.0重量％以下の範囲に、蛍光体が
橙色発光蛍光体若しくは赤色発光蛍光体の場合は同じく
0.05重量％以上7.0重量％以下の範囲に調整する。なぜ
ならその量が上記最小値以下であると十分な導電性が蛍
光体に付与できず、特性は元の蛍光体に近いものとなる
ため、特に100V以下の低速電子線励起下では十分な輝度
が得られない。逆に上記最大値以上であると、導電性物
質の被覆厚が大きくなることによって、電子線が蛍光体
まで到達しにくくなり同じく十分な輝度が得られない。
また発光の導電性物質による吸収も大きくなってしま
う。そのためより好ましい被覆量は青色発光蛍光体にお
いては、1.0〜5.0重量％、緑色若しくは白色発光蛍光体
においては0.5〜3.0重量％、黄色発光蛍光体においては
0.3〜2.0重量％、橙色若しくは赤色発光蛍光体において
は0.2〜2.0重量％の範囲に調整する。
蛍光体の場合はその蛍光体に対し0.1重量％以上10.0重
量％未満の範囲に、緑色発光蛍光体若しくは白色発光蛍
光体の場合は同じく蛍光体に対し0.08重量％以上9.0重
量％以下の範囲に、蛍光体が黄色発光蛍光体の場合は同
じく0.06重量％以上8.0重量％以下の範囲に、蛍光体が
橙色発光蛍光体若しくは赤色発光蛍光体の場合は同じく
0.05重量％以上7.0重量％以下の範囲に調整する。なぜ
ならその量が上記最小値以下であると十分な導電性が蛍
光体に付与できず、特性は元の蛍光体に近いものとなる
ため、特に100V以下の低速電子線励起下では十分な輝度
が得られない。逆に上記最大値以上であると、導電性物
質の被覆厚が大きくなることによって、電子線が蛍光体
まで到達しにくくなり同じく十分な輝度が得られない。
また発光の導電性物質による吸収も大きくなってしま
う。そのためより好ましい被覆量は青色発光蛍光体にお
いては、1.0〜5.0重量％、緑色若しくは白色発光蛍光体
においては0.5〜3.0重量％、黄色発光蛍光体においては
0.3〜2.0重量％、橙色若しくは赤色発光蛍光体において
は0.2〜2.0重量％の範囲に調整する。
次に本発明の蛍光膜は、上記方法によって表面に導電
性物質が均質膜状又は半均質膜状に被覆された低速蛍光
体が発光成分として陽極プレートに塗布されて成ること
を特徴とする蛍光膜である。
性物質が均質膜状又は半均質膜状に被覆された低速蛍光
体が発光成分として陽極プレートに塗布されて成ること
を特徴とする蛍光膜である。
その陽極プレートに本発明の蛍光体を用いて蛍光膜を
形成するには、スクリーン塗布法、電着塗布法、沈澱塗
布法等従来知られている塗布法を用いて、通常５〜30mg
/cm2の範囲で陽極プレートに塗布する。その後、そのプ
レートを乾燥し450℃以上で焼成することによって本発
明の蛍光膜を形成できるが、また以下に述べる方法によ
って形成することもできる。
形成するには、スクリーン塗布法、電着塗布法、沈澱塗
布法等従来知られている塗布法を用いて、通常５〜30mg
/cm2の範囲で陽極プレートに塗布する。その後、そのプ
レートを乾燥し450℃以上で焼成することによって本発
明の蛍光膜を形成できるが、また以下に述べる方法によ
って形成することもできる。
まず、主として蛍光体とバインダーが練り合わされた
蛍光体ペーストを作成し、このペーストに上記加熱酸化
によって容易に導電性物質となり得る有機金属化合物が
溶解された有機溶媒を添加して再び混練してペースト状
とする。次にこのペーストを陽極プレートに塗布した
後、同じく450℃以上で焼成することによって蛍光膜を
作成する方法である。その様にして得られた蛍光膜を構
成する蛍光体も、本発明の蛍光体と同様に、表面は微粒
子状または均質膜状の前記導電性物質で被覆された構造
を有する低速蛍光体である。従って被覆する導電性物質
の量も上記範囲になるよう、上記導電性物質となり得る
金属化合物の添加量を調整する必要がある。
蛍光体ペーストを作成し、このペーストに上記加熱酸化
によって容易に導電性物質となり得る有機金属化合物が
溶解された有機溶媒を添加して再び混練してペースト状
とする。次にこのペーストを陽極プレートに塗布した
後、同じく450℃以上で焼成することによって蛍光膜を
作成する方法である。その様にして得られた蛍光膜を構
成する蛍光体も、本発明の蛍光体と同様に、表面は微粒
子状または均質膜状の前記導電性物質で被覆された構造
を有する低速蛍光体である。従って被覆する導電性物質
の量も上記範囲になるよう、上記導電性物質となり得る
金属化合物の添加量を調整する必要がある。
［作用］ 本発明の低速蛍光体における導電性物質の被覆量の適
正値は各発光色によって異なっている。これは各発光色
蛍光体の発光開始電圧の違いによるものであり、通常
青、緑、白、黄、橙、赤の順に発光開始電圧は低くな
る。従って発光開始電圧の高い青色発光蛍光体には多量
の導電性物質の被覆が必要となるが、逆に発光開始電圧
の低い赤色発光蛍光体では少量の導電性物質の被覆では
十分な導電性が蛍光体に付与できる。
正値は各発光色によって異なっている。これは各発光色
蛍光体の発光開始電圧の違いによるものであり、通常
青、緑、白、黄、橙、赤の順に発光開始電圧は低くな
る。従って発光開始電圧の高い青色発光蛍光体には多量
の導電性物質の被覆が必要となるが、逆に発光開始電圧
の低い赤色発光蛍光体では少量の導電性物質の被覆では
十分な導電性が蛍光体に付与できる。
また本発明の蛍光体は、導電性物質の混合された従来
の低速蛍光体に比べ、導電性物質の蛍光体に対する付着
構造が全く異なることによって蛍光体全体の導電性が向
上している。従ってそれを塗布した蛍光膜は電気抵抗値
が下がり、その蛍光膜における電圧降下が減少すること
によって駆動電圧の損失が少なくなる。そのため蛍光体
励起に必要な電子が効率よく十分に加速される。また非
発光及び光吸収体である導電性物質の量を著しく低減し
たため蛍光体の発光が阻害されることが少なくなる。そ
れらの相乗効果によって本発明の蛍光体及び蛍光膜を有
した蛍光表示管の輝度は著しく向上した。
の低速蛍光体に比べ、導電性物質の蛍光体に対する付着
構造が全く異なることによって蛍光体全体の導電性が向
上している。従ってそれを塗布した蛍光膜は電気抵抗値
が下がり、その蛍光膜における電圧降下が減少すること
によって駆動電圧の損失が少なくなる。そのため蛍光体
励起に必要な電子が効率よく十分に加速される。また非
発光及び光吸収体である導電性物質の量を著しく低減し
たため蛍光体の発光が阻害されることが少なくなる。そ
れらの相乗効果によって本発明の蛍光体及び蛍光膜を有
した蛍光表示管の輝度は著しく向上した。
［実施例］ 以下実施例で本発明を詳説する。
（実施例１） 加熱酸化により導電性物質となり得る有機溶媒可溶性
金属化合物として、In2O3換算で５重量％、SnO2換算で
0.5重量％を含むアトロンNIn（日本曹達製商品名）を用
いた。
金属化合物として、In2O3換算で５重量％、SnO2換算で
0.5重量％を含むアトロンNIn（日本曹達製商品名）を用
いた。
このアトロンNIn20gをエタノール100mlに溶解し、こ
のエタノール溶液中に黄色発光蛍光体｛（ZnCd）S:Ag,A
l｝100gを添加し、十分懸濁させた後、60℃に加温して
エタノールを揮散させた。
のエタノール溶液中に黄色発光蛍光体｛（ZnCd）S:Ag,A
l｝100gを添加し、十分懸濁させた後、60℃に加温して
エタノールを揮散させた。
この蛍光体を取り出し、空気中中性雰囲気で500℃に
て１時間焼成を行った後、黄色発光蛍光体に対しIn2O3
が1.0重量％、SnO2が0.1重量％含まれる導電性物質の均
質膜によって被覆された本発明の低速黄色発光蛍光体を
得た。
て１時間焼成を行った後、黄色発光蛍光体に対しIn2O3
が1.0重量％、SnO2が0.1重量％含まれる導電性物質の均
質膜によって被覆された本発明の低速黄色発光蛍光体を
得た。
また比較例として同一の黄色発光蛍光体に対し10.0重
量％のIn2O3を混合した従来の低速黄色発光蛍光体も作
成した。
量％のIn2O3を混合した従来の低速黄色発光蛍光体も作
成した。
これら低速黄色発光蛍光体50gを用いて実施例１と同
様にして蛍光表示管を作成し、実施例１と同一の条件で
発光させたところ本発明の低速黄色発光蛍光体を実装し
た蛍光表示管は145％の輝度を得た。
様にして蛍光表示管を作成し、実施例１と同一の条件で
発光させたところ本発明の低速黄色発光蛍光体を実装し
た蛍光表示管は145％の輝度を得た。
（実施例２） 青色発光蛍光体である（ZnS:Ag,Al）と黄色発光蛍光
体である（ZnS:Al,Al）とを重量比で1:2で混合した白色
発光蛍光体100gを用意し、実施例３と同様にアトロンNI
nを用い、白色発光蛍光体に対しIn2O3が1.0重量％、SnO
2が0.1重量％被覆した本発明の低速白色発光蛍光体を得
た。
体である（ZnS:Al,Al）とを重量比で1:2で混合した白色
発光蛍光体100gを用意し、実施例３と同様にアトロンNI
nを用い、白色発光蛍光体に対しIn2O3が1.0重量％、SnO
2が0.1重量％被覆した本発明の低速白色発光蛍光体を得
た。
また比較例として同一の白色発光蛍光体に対し10.0重
量％のIn2O3を混合した従来の低速白色発光蛍光体も作
成した。
量％のIn2O3を混合した従来の低速白色発光蛍光体も作
成した。
これら低速白色発光蛍光体50gを用いて実施例１と同
様にして蛍光表示管を作成し、実施例１と同一の条件で
発光させたところ本発明の低速白色発光蛍光体を実装し
た蛍光表示管は140％の輝度を得た。
様にして蛍光表示管を作成し、実施例１と同一の条件で
発光させたところ本発明の低速白色発光蛍光体を実装し
た蛍光表示管は140％の輝度を得た。
［発明の効果］ 本発明の低速蛍光体及び蛍光膜において、蛍光体表面
で均質膜状又は半均質膜状となっている導電性物質の効
果は非常に大きく従来の低速蛍光体に比べて輝度が格段
に向上した。また輝度だけでなく、陽極プレートへの塗
布特性、蛍光体の劣化等についても従来の低速蛍光体と
同等若しくはそれ以上であった。
で均質膜状又は半均質膜状となっている導電性物質の効
果は非常に大きく従来の低速蛍光体に比べて輝度が格段
に向上した。また輝度だけでなく、陽極プレートへの塗
布特性、蛍光体の劣化等についても従来の低速蛍光体と
同等若しくはそれ以上であった。
また本発明の蛍光体とIn2O3等の導電性物質を乾式混
合しても良好な結果が得られることは言うまでもない。
合しても良好な結果が得られることは言うまでもない。
本発明の均質膜状又は半均質膜状の導電性物質を被覆
させる蛍光体としては硫化亜鉛系蛍光体、硫化亜鉛カド
ミウム系蛍光体に限らず、低速蛍光体として適用し得る
他の蛍光体全てに適用できる。
させる蛍光体としては硫化亜鉛系蛍光体、硫化亜鉛カド
ミウム系蛍光体に限らず、低速蛍光体として適用し得る
他の蛍光体全てに適用できる。
さらに本発明の蛍光体は薄型陰極線管の蛍光面を形成
するための蛍光体としても用いることができる。
するための蛍光体としても用いることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−140284（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−131083（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−56593（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−15878（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−22587（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−112704（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09K 11/00 - 11/89
Claims (1)
- 【請求項１】一般式ZnS:M1,M2（但しM1はAg、Zn、Cu、A
uの群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、M2はA
l、Ｆ、Cl、Br、Ｉの群から選ばれた少なくとも一種の
元素である。）又は一般式（ZnCd）S:M1,M2で表される
蛍光体のうちから選ばれた少なくとも一種の蛍光体の表
面に、加熱酸化により酸化インジウム及び酸化錫からな
る導電性金属酸化物となり得る有機金属化合物を有機溶
媒に溶解させた溶液中に前記蛍光体を懸濁後、加温して
有機溶媒を揮散させ前記有機金属化合物を前記蛍光体に
付着させた後加熱酸化することにより、前記導電性金属
酸化物を均質膜状又は半均質膜状に被覆することを特徴
とする低速電子線励起蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030433A JP2971496B2 (ja) | 1990-02-10 | 1990-02-10 | 低速電子線励起蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030433A JP2971496B2 (ja) | 1990-02-10 | 1990-02-10 | 低速電子線励起蛍光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03234789A JPH03234789A (ja) | 1991-10-18 |
| JP2971496B2 true JP2971496B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=12303813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2030433A Expired - Lifetime JP2971496B2 (ja) | 1990-02-10 | 1990-02-10 | 低速電子線励起蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971496B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2006051601A1 (ja) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 表示装置用蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた電界放射型表示装置 |
| US20090212686A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Inorganic el blue-light emitting body, method for manufacturing the same, and light emitting device |
| JP4978846B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2012-07-18 | 昭栄化学工業株式会社 | 発光装置 |
| WO2010110452A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | 国立大学法人静岡大学 | 蛍光薄膜、蛍光薄膜の製造方法、微小光源励起装置、及び光学顕微鏡 |
-
1990
- 1990-02-10 JP JP2030433A patent/JP2971496B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03234789A (ja) | 1991-10-18 |
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