JPH10140150A - 蛍光体及び蛍光体の製造方法 - Google Patents
蛍光体及び蛍光体の製造方法Info
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- JPH10140150A JPH10140150A JP29393496A JP29393496A JPH10140150A JP H10140150 A JPH10140150 A JP H10140150A JP 29393496 A JP29393496 A JP 29393496A JP 29393496 A JP29393496 A JP 29393496A JP H10140150 A JPH10140150 A JP H10140150A
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- low
- electron beam
- speed electron
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Abstract
(57)【要約】
【課題】硫化物系以外の高抵抗の蛍光体を導電物質を添
加することなく低抵抗とし、低速電子線用として使用可
能とする。 【解決手段】Y20338.5g, Al2O318.3g, Ga2O322.5g,Tb4O
73.3g をそれぞれ秤量し、エタノール中で分散後乾燥
し、BaF2を0.3mol/YAG1mol添加して混合した。窒素雰囲
気下、1500℃で２時間焼成する。蛍光体Y3(Al0.6Ga0.4)
5O12:Tb を得る。Tbの濃度は5mol％/Y1molである。同様
にGaの固溶比を変えて種々の蛍光体を合成する。これら
蛍光体を用いた蛍光表示管の発光輝度を評価する。Gaの
固溶比を40％〜80％とすれば、酸素原子の一部が抜けて
酸素欠陥が生じた蛍光体であるY3(Al1 -xGax )
5O12(1-y):Tb （但し、x=0.4 〜0.8 、y=5 ×10-7〜3
×10-5) を得る。この蛍光体は抵抗が小さく、低速電子
線用蛍光体として実用的な発光輝度を示す。
加することなく低抵抗とし、低速電子線用として使用可
能とする。 【解決手段】Y20338.5g, Al2O318.3g, Ga2O322.5g,Tb4O
73.3g をそれぞれ秤量し、エタノール中で分散後乾燥
し、BaF2を0.3mol/YAG1mol添加して混合した。窒素雰囲
気下、1500℃で２時間焼成する。蛍光体Y3(Al0.6Ga0.4)
5O12:Tb を得る。Tbの濃度は5mol％/Y1molである。同様
にGaの固溶比を変えて種々の蛍光体を合成する。これら
蛍光体を用いた蛍光表示管の発光輝度を評価する。Gaの
固溶比を40％〜80％とすれば、酸素原子の一部が抜けて
酸素欠陥が生じた蛍光体であるY3(Al1 -xGax )
5O12(1-y):Tb （但し、x=0.4 〜0.8 、y=5 ×10-7〜3
×10-5) を得る。この蛍光体は抵抗が小さく、低速電子
線用蛍光体として実用的な発光輝度を示す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子の加速電圧が
１ｋＶ以下である低速電子線用蛍光体の改良に関するも
のである。
１ｋＶ以下である低速電子線用蛍光体の改良に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】電界で加速した電子を射突させて発光さ
せる蛍光体においては、電子の加速電圧が１ｋＶ以下の
ものは、通常低速電子線用蛍光体と呼ばれる。低速電子
線用蛍光体では、蛍光体の表面に電子がチャージしない
ように蛍光体自体の抵抗が低いことが求められる。現
在、このような条件を満たす蛍光体としては、ＺｎＳ：
Ａｇ等の硫化物蛍光体が知られている。しかしながら、
この硫化物蛍光体は電子線の照射によって分解・飛散
し、この蛍光体を利用した発光素子内にあるカソードの
劣化を引き起し、その結果として該発光素子の寿命を低
下させるなど信頼性の点で問題を抱えている。
せる蛍光体においては、電子の加速電圧が１ｋＶ以下の
ものは、通常低速電子線用蛍光体と呼ばれる。低速電子
線用蛍光体では、蛍光体の表面に電子がチャージしない
ように蛍光体自体の抵抗が低いことが求められる。現
在、このような条件を満たす蛍光体としては、ＺｎＳ：
Ａｇ等の硫化物蛍光体が知られている。しかしながら、
この硫化物蛍光体は電子線の照射によって分解・飛散
し、この蛍光体を利用した発光素子内にあるカソードの
劣化を引き起し、その結果として該発光素子の寿命を低
下させるなど信頼性の点で問題を抱えている。
【０００３】このような問題を解決するためには、電子
線が射突しても分解しにくい組成の蛍光体が必要である
が、このような材料は絶縁物であることが多く、抵抗が
低いという低速電子線用蛍光体の条件に合わない場合が
多い。
線が射突しても分解しにくい組成の蛍光体が必要である
が、このような材料は絶縁物であることが多く、抵抗が
低いという低速電子線用蛍光体の条件に合わない場合が
多い。
【０００４】しかしながら最近では、抵抗が低くて、し
かも電子の射突によって分解しにくい蛍光体が開発され
ており、例えばＺｎＧａ2 Ｏ4 ：ＭｎやＺｎＧａ2 Ｏ4
などが提案されている。また、絶縁性の蛍光体にＩｎ2
Ｏ3 などの導電物質を添加して蛍光体膜の抵抗を下げる
という手段も提案されている。
かも電子の射突によって分解しにくい蛍光体が開発され
ており、例えばＺｎＧａ2 Ｏ4 ：ＭｎやＺｎＧａ2 Ｏ4
などが提案されている。また、絶縁性の蛍光体にＩｎ2
Ｏ3 などの導電物質を添加して蛍光体膜の抵抗を下げる
という手段も提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】抵抗が低くて、しかも
電子の射突によって分解しにくい蛍光体、例えば前述し
たＺｎＧａ2 Ｏ4 ：ＭｎやＺｎＧａ2 Ｏ4 などは、発光
輝度が低く、実用化するにはさらに改良が必要である。
電子の射突によって分解しにくい蛍光体、例えば前述し
たＺｎＧａ2 Ｏ4 ：ＭｎやＺｎＧａ2 Ｏ4 などは、発光
輝度が低く、実用化するにはさらに改良が必要である。
【０００６】また、絶縁性の蛍光体に導電物質を添加す
る方法では、導電物質による無効電流が増え、これによ
る発熱などが信頼性低下の原因になってしまう。
る方法では、導電物質による無効電流が増え、これによ
る発熱などが信頼性低下の原因になってしまう。
【０００７】硫化物系以外の高抵抗の蛍光体を、導電物
質を添加することなく何らかの手段によって低抵抗とす
ることができれば、低速電子線用として使用することが
可能である。本発明は、このように低速電子線用として
使用可能な蛍光体を提供することを目的としている。
質を添加することなく何らかの手段によって低抵抗とす
ることができれば、低速電子線用として使用することが
可能である。本発明は、このように低速電子線用として
使用可能な蛍光体を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された蛍
光体は、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12(1-y) ：Ｒｅ
（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅ
ｕ，Ｔｍ、ｘ＝０．４〜０．８、ｙ＝５×１０-7〜３×
１０-5）で表される。
光体は、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12(1-y) ：Ｒｅ
（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅ
ｕ，Ｔｍ、ｘ＝０．４〜０．８、ｙ＝５×１０-7〜３×
１０-5）で表される。
【０００９】請求項２に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、１ｍｏｌの前記Ｌｎに対する前
記Ｒｅのｍｏｌ％が、０．５〜４．５の範囲にあること
を特徴としている。
記載の蛍光体において、１ｍｏｌの前記Ｌｎに対する前
記Ｒｅのｍｏｌ％が、０．５〜４．５の範囲にあること
を特徴としている。
【００１０】請求項３に記載された蛍光体の製造方法
は、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ（但し、Ｌ
ｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ）
で表される蛍光体を、中性又は還元性雰囲気でｘ＝０．
４〜０．８となるように合成することにより、Ｌｎ
3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12(1-y) ：Ｒｅ（但し、Ｌｎ
＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ
＝０．４〜０．８、ｙ＝５×１０-7〜３×１０-5）で表
される酸素欠陥を有する蛍光体を製造することを特徴と
している。
は、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ（但し、Ｌ
ｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ）
で表される蛍光体を、中性又は還元性雰囲気でｘ＝０．
４〜０．８となるように合成することにより、Ｌｎ
3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12(1-y) ：Ｒｅ（但し、Ｌｎ
＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ
＝０．４〜０．８、ｙ＝５×１０-7〜３×１０-5）で表
される酸素欠陥を有する蛍光体を製造することを特徴と
している。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明によれば、実施例で具体的
に示すように、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5Ｏ12：Ｒｅ
（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅ
ｕ，Ｔｍ）蛍光体の原料物質であるＬｎ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｒｅの各化合物を適量使用し、これらを中性又は還元性
雰囲気で焼成することにより、Ｇａの固溶量の比が４０
％〜８０％であり、酸素原子の一部が抜けて酸素欠陥が
生じた蛍光体であるＬｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ
12(1-y) ：Ｒｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝
Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ＝０．４〜０．８、ｙ＝５
×１０-7〜３×１０-5）を得ることができる。この蛍光
体は抵抗が小さく、低速電子線用蛍光体として実用的な
発光輝度を示す。
に示すように、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5Ｏ12：Ｒｅ
（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅ
ｕ，Ｔｍ）蛍光体の原料物質であるＬｎ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｒｅの各化合物を適量使用し、これらを中性又は還元性
雰囲気で焼成することにより、Ｇａの固溶量の比が４０
％〜８０％であり、酸素原子の一部が抜けて酸素欠陥が
生じた蛍光体であるＬｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ
12(1-y) ：Ｒｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝
Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ＝０．４〜０．８、ｙ＝５
×１０-7〜３×１０-5）を得ることができる。この蛍光
体は抵抗が小さく、低速電子線用蛍光体として実用的な
発光輝度を示す。
【００１２】酸素欠陥のないＬｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）
5 Ｏ12：Ｒｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔ
ｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ）蛍光体は、高電圧、高電流密度
で高効率を示すが、蛍光体自体の抵抗が高く、低速電子
線ではチャージアップを生じて満足な明るさを得ること
ができない。しかしながら、本発明の酸素欠陥を有する
前記蛍光体によれば、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）
5 Ｏ12：Ｒｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔ
ｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ）蛍光体の発光効率を損なうこと
なく導電性を付与して抵抗を下げ、低速電子線によって
実用的な発光が得られるようになった。
5 Ｏ12：Ｒｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔ
ｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ）蛍光体は、高電圧、高電流密度
で高効率を示すが、蛍光体自体の抵抗が高く、低速電子
線ではチャージアップを生じて満足な明るさを得ること
ができない。しかしながら、本発明の酸素欠陥を有する
前記蛍光体によれば、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）
5 Ｏ12：Ｒｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔ
ｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ）蛍光体の発光効率を損なうこと
なく導電性を付与して抵抗を下げ、低速電子線によって
実用的な発光が得られるようになった。
【００１３】このような抵抗の減少は、通常の３価以外
に１価を有するＧａの固溶量を上述のように設定するこ
とにより蛍光体に酸素欠陥が生じやすくなり、発生した
不対電子が導電性を向上させるためと考えられる。
に１価を有するＧａの固溶量を上述のように設定するこ
とにより蛍光体に酸素欠陥が生じやすくなり、発生した
不対電子が導電性を向上させるためと考えられる。
【００１４】
（１）第１実施例 Ｙ2 Ｏ3 ３８．５ｇ，Ａｌ2 Ｏ3 １８．３ｇ，Ｇａ2 Ｏ
3 ２２．５ｇ，Ｔｂ4Ｏ7 ３．３ｇをそれぞれ秤量し、
エタノール中で分散後乾燥し、さらにこれにＢａＦ2 を
０．３ｍｏｌ／ＹＡＧ１ｍｏｌ（Ｙ，Ａｌ，Ｇａの合計
１ｍｏｌに対するモル数）添加してよく混合した。これ
をアルミナルツボに充填し、１５００℃で２時間焼成す
ると、組成式Ｙ3 （Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）5 Ｏ12：Ｔｂで
表される蛍光体が作製できた。但しＴｂの濃度は５ｍｏ
ｌ％／Ｙ１ｍｏｌであった。
3 ２２．５ｇ，Ｔｂ4Ｏ7 ３．３ｇをそれぞれ秤量し、
エタノール中で分散後乾燥し、さらにこれにＢａＦ2 を
０．３ｍｏｌ／ＹＡＧ１ｍｏｌ（Ｙ，Ａｌ，Ｇａの合計
１ｍｏｌに対するモル数）添加してよく混合した。これ
をアルミナルツボに充填し、１５００℃で２時間焼成す
ると、組成式Ｙ3 （Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）5 Ｏ12：Ｔｂで
表される蛍光体が作製できた。但しＴｂの濃度は５ｍｏ
ｌ％／Ｙ１ｍｏｌであった。
【００１５】上記の要領で、図１〜図３に示すように上
記式においてＸ＝０から１までの種々の組成の蛍光体を
作製し、図４に示すように種々のＴｂの濃度の蛍光体を
作成した。この時、焼成は窒素中の中性雰囲気で行っ
た。
記式においてＸ＝０から１までの種々の組成の蛍光体を
作製し、図４に示すように種々のＴｂの濃度の蛍光体を
作成した。この時、焼成は窒素中の中性雰囲気で行っ
た。
【００１６】このようにして得た蛍光体を硝酸で洗浄
後、分球乾燥した後、さらにエチルセルロースバインダ
ーをふくむビークルを加えてペーストにし、ＩＴＯ電極
からなるアノード基板上にスクリーン印刷法で塗布し、
５００℃大気中で焼成してバインダーを除去し、蛍光体
塗布アノード基板を作製した。このアノード基板の上に
フィラメントおよびグリッドを実装し、アノード基板の
上に箱形の容器部を封着して外囲器を構成し、蛍光表示
管とした。この蛍光表示管の陽極における蛍光体の発光
を観察し、評価した。
後、分球乾燥した後、さらにエチルセルロースバインダ
ーをふくむビークルを加えてペーストにし、ＩＴＯ電極
からなるアノード基板上にスクリーン印刷法で塗布し、
５００℃大気中で焼成してバインダーを除去し、蛍光体
塗布アノード基板を作製した。このアノード基板の上に
フィラメントおよびグリッドを実装し、アノード基板の
上に箱形の容器部を封着して外囲器を構成し、蛍光表示
管とした。この蛍光表示管の陽極における蛍光体の発光
を観察し、評価した。
【００１７】図１はアノード電圧４００Ｖの時のＡｌ／
Ｇａ比と輝度の関係を示したものである。図２は同様に
Ａｌ／Ｇａ比と発光開始電圧との関係を示したものであ
る。図２において発光開始電圧が低くなるということ
は、蛍光体表面でのチャージアップが低い電圧で解消さ
れる事を意味し、すなわち蛍光体自体の抵抗値が小さく
なっていることを示す。
Ｇａ比と輝度の関係を示したものである。図２は同様に
Ａｌ／Ｇａ比と発光開始電圧との関係を示したものであ
る。図２において発光開始電圧が低くなるということ
は、蛍光体表面でのチャージアップが低い電圧で解消さ
れる事を意味し、すなわち蛍光体自体の抵抗値が小さく
なっていることを示す。
【００１８】また、この蛍光体の酸素量を調べたところ
図３の様にＧａ量と共に酸素量の減少がみとめられ、図
２と相関が認められる。これは、Ｇａは通常の３価以外
に１価を持つため、Ｇａの固溶により酸素欠陥ができや
すくなるため、これが導電性に関与しているものと考え
られる。
図３の様にＧａ量と共に酸素量の減少がみとめられ、図
２と相関が認められる。これは、Ｇａは通常の３価以外
に１価を持つため、Ｇａの固溶により酸素欠陥ができや
すくなるため、これが導電性に関与しているものと考え
られる。
【００１９】以上の結果から、Ｙ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）
5 Ｏ12：Ｔｂ蛍光体の各原料物質を適量使用するととも
に、これらを窒素雰囲気で焼成することにより、Ｇａの
固溶量の比を４０％〜８０％とすれば、酸素原子の一部
が抜けて酸素欠陥が生じた蛍光体であるＹ3 （Ａｌ1-x
Ｇａx ）5 Ｏ12(1-y) ：Ｔｂ（但し、ｘ＝０．４〜０．
８、ｙ＝５×１０-7〜３×１０-5）を得ることができ
た。この蛍光体は抵抗が小さく、低速電子線用蛍光体と
して実用的な発光輝度を示す。
5 Ｏ12：Ｔｂ蛍光体の各原料物質を適量使用するととも
に、これらを窒素雰囲気で焼成することにより、Ｇａの
固溶量の比を４０％〜８０％とすれば、酸素原子の一部
が抜けて酸素欠陥が生じた蛍光体であるＹ3 （Ａｌ1-x
Ｇａx ）5 Ｏ12(1-y) ：Ｔｂ（但し、ｘ＝０．４〜０．
８、ｙ＝５×１０-7〜３×１０-5）を得ることができ
た。この蛍光体は抵抗が小さく、低速電子線用蛍光体と
して実用的な発光輝度を示す。
【００２０】（２）第２実施例 同様にしてＹ2 Ｏ3 の変わりにＧｄ2 Ｏ3 を用い、Ｇａ
の固溶量がＸ＝０の試料であるＧｄ3 Ａｌ15Ｏ12：Ｔｂ
（比較品）と、Ｘ＝０．４５の試料であるＧｄ 3 （Ａｌ
0.55Ｇａ0.45）5 Ｏ12：Ｔｂ（本実施例）を作製し、そ
れぞれ同様に蛍光表示管にして蛍光体の発光を評価し
た。結果は比較品の輝度１００に対し、本実施例は１８
０の輝度が得られ、発光開始電圧も比較品の２００Ｖに
対し９０Ｖであった。
の固溶量がＸ＝０の試料であるＧｄ3 Ａｌ15Ｏ12：Ｔｂ
（比較品）と、Ｘ＝０．４５の試料であるＧｄ 3 （Ａｌ
0.55Ｇａ0.45）5 Ｏ12：Ｔｂ（本実施例）を作製し、そ
れぞれ同様に蛍光表示管にして蛍光体の発光を評価し
た。結果は比較品の輝度１００に対し、本実施例は１８
０の輝度が得られ、発光開始電圧も比較品の２００Ｖに
対し９０Ｖであった。
【００２１】（３）第３実施例 発光中心をＥｕとするためＥｕ2 Ｏ3 を用い、Ｇａの固
溶量がＸ＝０の試料であるＹ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｅｕ（比較
品）と、Ｘ＝０．４５の試料であるＹ3 （Ａｌ 0.55Ｇａ
0.45）5 Ｏ12：Ｅｕ（本実施例）を作製し、それぞれ同
様に蛍光表示管にして蛍光体の発光を評価した。なお、
Ｅｕの濃度は３ｍｏｌ％／Ｙとした。結果は比較品の輝
度１００に対して本実施例は１７０の赤色の輝度が得ら
れ、発光開始電圧も比較品の２００Ｖに対し１００Ｖで
あった。
溶量がＸ＝０の試料であるＹ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｅｕ（比較
品）と、Ｘ＝０．４５の試料であるＹ3 （Ａｌ 0.55Ｇａ
0.45）5 Ｏ12：Ｅｕ（本実施例）を作製し、それぞれ同
様に蛍光表示管にして蛍光体の発光を評価した。なお、
Ｅｕの濃度は３ｍｏｌ％／Ｙとした。結果は比較品の輝
度１００に対して本実施例は１７０の赤色の輝度が得ら
れ、発光開始電圧も比較品の２００Ｖに対し１００Ｖで
あった。
【００２２】本発明の各実施例ではフラックスにＢａＦ
2 を用いたが、本実施例ではＳｒＦ 2 を使用することも
できる。また、低速電子線で使用する場合は、蛍光体の
粒子の最大粒径が６μｍ以下が好ましく、このための合
成条件としては、昇温レートは１０℃／ｍｉｎから２０
℃／ｍｉｎ、ピークホールド時間は２時間以下が好まし
い。
2 を用いたが、本実施例ではＳｒＦ 2 を使用することも
できる。また、低速電子線で使用する場合は、蛍光体の
粒子の最大粒径が６μｍ以下が好ましく、このための合
成条件としては、昇温レートは１０℃／ｍｉｎから２０
℃／ｍｉｎ、ピークホールド時間は２時間以下が好まし
い。
【００２３】（４）第４実施例 図４に示すように、第１実施例における組成のＴｂ濃度
を０．２ｍｏｌ％／Ｙから１０ｍｏｌ％／Ｙの範囲でか
えた複数種類の試料を作製した。同様にして評価したと
ころ、図４に示すようにＴｂ濃度の最適値が存在するこ
とがわかった。各試料の中の最大輝度を１００とした場
合、輝度８０以上となるＴｂの濃度を最適値と考えれ
ば、Ｔｂの最適濃度は０．５〜４．５ｍｏｌ％／Ｙであ
る。この値は通常言われている高速電子線用の場合に比
べて低い濃度範囲である。これは低速電子線の場合は励
起電流密度が高く、高速の１００倍以上（数ｍＡ／ｃｍ
2 以上）になるため、Ｔｂ濃度が高いと高電流密度化励
起下では発光中心間でのエネルギーの散逸が大きくなる
ためと考えられる。
を０．２ｍｏｌ％／Ｙから１０ｍｏｌ％／Ｙの範囲でか
えた複数種類の試料を作製した。同様にして評価したと
ころ、図４に示すようにＴｂ濃度の最適値が存在するこ
とがわかった。各試料の中の最大輝度を１００とした場
合、輝度８０以上となるＴｂの濃度を最適値と考えれ
ば、Ｔｂの最適濃度は０．５〜４．５ｍｏｌ％／Ｙであ
る。この値は通常言われている高速電子線用の場合に比
べて低い濃度範囲である。これは低速電子線の場合は励
起電流密度が高く、高速の１００倍以上（数ｍＡ／ｃｍ
2 以上）になるため、Ｔｂ濃度が高いと高電流密度化励
起下では発光中心間でのエネルギーの散逸が大きくなる
ためと考えられる。
【００２４】（５）その他の実施例 Ｙ2 Ｏ3 又はＧｄ2 Ｏ3 の代わりにＬａ2 Ｏ3 を使用
し、発光中心としてＴｂやＥｕの代わりにＣｅ又はＴｍ
を用い、上述した各実施例と実質的に同様の手順を行っ
た。その結果、前記実施例と実質的に同様の効果を備え
た酸素欠陥を有する低抵抗の蛍光体を合成することがで
きた。このような効果を有する蛍光体のＧａ量Ｘは、前
記実施例と同様に０．４から０．８であり、その時のｙ
は同様にｙ＝５×１０-7〜３×１０-5となった。また、
以上説明した各物質を適宜組み合わせて蛍光体を合成し
た場合にも、Ｘ，Ｙが同様の条件である場合において、
前記実施例と同様の効果を備えた蛍光体が得られた。
し、発光中心としてＴｂやＥｕの代わりにＣｅ又はＴｍ
を用い、上述した各実施例と実質的に同様の手順を行っ
た。その結果、前記実施例と実質的に同様の効果を備え
た酸素欠陥を有する低抵抗の蛍光体を合成することがで
きた。このような効果を有する蛍光体のＧａ量Ｘは、前
記実施例と同様に０．４から０．８であり、その時のｙ
は同様にｙ＝５×１０-7〜３×１０-5となった。また、
以上説明した各物質を適宜組み合わせて蛍光体を合成し
た場合にも、Ｘ，Ｙが同様の条件である場合において、
前記実施例と同様の効果を備えた蛍光体が得られた。
【００２５】また、前記各実施例においては、原料物質
の焼成をＮ2 の中性雰囲気で行ったが、還元性雰囲気で
行ってもよい。還元性雰囲気を得るには、Ｎ2 にＨ2 を
１％混合する方法や、原料物質中にカーボンを１％程度
混合しておく等の方法がある。いずれの方法でも、中性
雰囲気の場合と同様の結果が得られることが実験の結果
判明した。
の焼成をＮ2 の中性雰囲気で行ったが、還元性雰囲気で
行ってもよい。還元性雰囲気を得るには、Ｎ2 にＨ2 を
１％混合する方法や、原料物質中にカーボンを１％程度
混合しておく等の方法がある。いずれの方法でも、中性
雰囲気の場合と同様の結果が得られることが実験の結果
判明した。
【００２６】以上説明した（１）〜（５）の実施例か
ら、一般にＬｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ） 5 Ｏ12(1-y) ：Ｒ
ｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，
Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ＝０．４〜０．８、ｙ＝５×１０-7〜３
×１０-5）で表される蛍光体によれば、抵抗が低いため
に低速電子線の射突によって高い輝度が得られることが
実証された。
ら、一般にＬｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ） 5 Ｏ12(1-y) ：Ｒ
ｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，
Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ＝０．４〜０．８、ｙ＝５×１０-7〜３
×１０-5）で表される蛍光体によれば、抵抗が低いため
に低速電子線の射突によって高い輝度が得られることが
実証された。
【００２７】
【発明の効果】本発明の蛍光体Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇ
ａx ）5 Ｏ12(1-y) ：Ｒｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇ
ｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ＝０．４〜０．
８、ｙ＝５×１０-7〜３×１０-5）によれば、抵抗が低
く、低速電子線によって良好な輝度特性で発光するとい
う効果が得られる。
ａx ）5 Ｏ12(1-y) ：Ｒｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇ
ｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ＝０．４〜０．
８、ｙ＝５×１０-7〜３×１０-5）によれば、抵抗が低
く、低速電子線によって良好な輝度特性で発光するとい
う効果が得られる。
【図１】本発明の実施例におけるＡｌ／Ｇａ比と輝度の
関係を示した図である。
関係を示した図である。
【図２】本発明の実施例におけるＡｌ／Ｇａ比と発光開
始電圧の関係を示した図である。
始電圧の関係を示した図である。
【図３】本発明の実施例におけるＡｌ／Ｇａ比と酸素量
の減少の関係を示した図である。
の減少の関係を示した図である。
【図４】本発明の実施例において、Ｙ１ｍｏｌに対して
Ｔｂが何ｍｏｌ置換しているかを示す値と、当該蛍光体
の相対発光輝度との関係を示した図である。
Ｔｂが何ｍｏｌ置換しているかを示す値と、当該蛍光体
の相対発光輝度との関係を示した図である。
フロントページの続き (72)発明者 山元 明 東京都杉並区永福３−23−３ (72)発明者 須田 順子 東京都府中市分梅町５−14−16
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）
5 Ｏ12(1-y) ：Ｒｅ（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒ
ｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ＝０．４〜０．８、ｙ
＝５×１０-7〜３×１０-5）で表される蛍光体。 - 【請求項２】 １ｍｏｌの前記Ｌｎに対する前記Ｒｅの
ｍｏｌ％が、０．５〜４．５の範囲にあることを特徴と
する請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項３】 Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ
（但し、Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅ
ｕ）で表される蛍光体を、中性又は還元性雰囲気でｘ＝
０．４〜０．８となるように合成することにより、Ｌｎ
3 （Ａｌ1-xＧａx ）5 Ｏ12(1-y) ：Ｒｅ（但し、Ｌｎ
＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｔｍ、ｘ
＝０．４〜０．８、ｙ＝５×１０-7〜３×１０-5）で表
される酸素欠陥を有する蛍光体を製造する蛍光体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29393496A JPH10140150A (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 蛍光体及び蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29393496A JPH10140150A (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 蛍光体及び蛍光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10140150A true JPH10140150A (ja) | 1998-05-26 |
Family
ID=17801066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29393496A Pending JPH10140150A (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 蛍光体及び蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10140150A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6249328B1 (en) * | 1997-09-10 | 2001-06-19 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display device having red, green, and blue fluorescent lamps having a particular phosphor composition or a double tube lamp |
| US6762551B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-07-13 | Hitachi, Ltd. | White light source and display apparatus using the same |
| US7005197B2 (en) | 2001-07-17 | 2006-02-28 | Hitachi, Ltd. | Light source and display using the same |
-
1996
- 1996-11-06 JP JP29393496A patent/JPH10140150A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6249328B1 (en) * | 1997-09-10 | 2001-06-19 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display device having red, green, and blue fluorescent lamps having a particular phosphor composition or a double tube lamp |
| US7005197B2 (en) | 2001-07-17 | 2006-02-28 | Hitachi, Ltd. | Light source and display using the same |
| US6762551B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-07-13 | Hitachi, Ltd. | White light source and display apparatus using the same |
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