JP2963952B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
チップ上リード配線型パッケージの半導体装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のチップ上リード配線型パッケージ
(LOCパッケージ)の半導体装置は、図3(a)及び
(b)にそれぞれ縦断面図と横断面図を示すように半導
体チップ1と、半導体チップ1上を通るリード配線2
と、半導体チップ1とリード配線2を接着する接着フィ
ルム3を有している。リード配線2を接着フィルム3を
用いて半導体チップ1上に接着し、半導体チップ1のボ
ンディングパッド1aとリード配線2をボンディングワ
イヤ4により接続し、モールド樹脂5で封止を行う。こ
れにより、リードフレーム上に半導体チップを搭載し、
この半導体チップの周辺部に設けたリードにボンディン
グワイヤを用いて電気接続を行う構成の半導体装置より
も、同一のパッケージサイズでより大きな半導体チップ
が搭載可能となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来のチップ上リ
ード配線型パッケージの半導体装置は、リード配線2が
半導体チップ1上を通るため、半導体チップの周辺にリ
ードフレームを設けた半導体装置よりもリード配線2が
長くなる。このため、各リード配線2に寄生する容量が
大きくなり、半導体装置の動作速度の低下等種々の問題
が生じる。この寄生容量を小さくするため、リード配線
を細くしたり薄くしたりすることが考えられるが、リー
ド配線の強度が低下されるという問題がある。本発明の
目的は、リード配線における寄生容量の低減を図ったチ
ップ上リード配線型パッケージの半導体装置を提供する
ことにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
上に、絶縁フィルム表面に細い配線を一体に形成した配
線フィルムを配設し、前記半導体チップと前記配線フィ
ルム、及び前記配線フィルムと前記リード配線とをそれ
ぞれボンディングワイヤによって電気的に接続した構成
とする。
【0005】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1(a)及び(b)は本発明の第1実施例の半導
体装置の縦断面図及び横断面図である。図において、半
導体チップ1には多数個のボンディングパッド1aが配
列形成される。この半導体チップ1の表面上の周辺部に
はリード配線2の一部が延設され、接着フィルム3によ
り半導体チップ1の表面に接着する。また、前記リード
配線2で挟まれる領域の半導体チップ1の表面上には配
線フィルム6を接着してある。この配線フィルム6は、
絶縁性のフィルム6aの表面に印刷技術等によって薄膜
でかつ細幅の配線6bを一体的に形成したものである。
そして、この配線フィルム6を介して前記リード配線2
とボンディングパッド1aとをボンディングワイヤ4に
より相互に電気接続し、更に全体をモールド樹脂5で封
止を行っている。
【0006】したがって、この構成の半導体装置では、
半導体チップ1の表面に延在されるリード配線の一部と
して配線フィルム6を用いており、この種の配線フィル
ムは配線6bの幅を細くしても絶縁性フィルムによって
その強度が充分高いものとすることができる。したがっ
て、配線フィルム6によって寄生容量を低減することが
できる一方で、配線の強度を高め、信頼性を向上するこ
とができる。特にこの実施例では、ボンディングパッド
1aが半導体チップ1の長辺方向の片側に配置されてお
り、この場合ボンディングパッドが存在しない側のリー
ド配線が長くなるが、配線フィルム6を用いることで寄
生容量を小さくしている。
【0007】図2は本発明の第2実施例を示しており、
同図(a)及び(b)はその縦断面図及び横断面図であ
る。なお、図1の実施例と等価な部分には同一符号を付
してある。この実施例ではボンディングパッド1aが半
導体チップ1の短辺方向の中央部に配置されたチップの
例である。この場合、半導体チップ1のコーナー部にお
けるリード配線2が長くなるため、ボンディングパッド
1aを挟むように半導体チップ1の表面に2枚の配線フ
ィルム6を接着し、この配線フィルム6を利用してボン
ディングパッド1aとリード配線2との電気接続を行っ
ている。
【0008】この実施例においても、配線フィルムを用
いることで、配線6bを細く薄くして寄生容量を小さく
し、かつ一方で充分な強度を確保して信頼性を向上する
ことができる。なお、配線フィルムは前記各実施例の形
状,構造に関わらず種々のものが利用できることは言う
までもない。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップ上リード配線型パッケージの半導体装置において、
リード配線の一部を配線フィルムで構成し、前記半導体
チップと前記配線フィルム、及び前記配線フィルムと前
記リード配線とをそれぞれボンディングワイヤによって
電気的に接続しているので、配線幅を細く薄くして寄生
容量を低減することができるとともに、配線強度を高め
て信頼性を向上することができるという効果を有する。
また、半導体装置チップと配線フィルムの相対位置、及
び配線フィルムとリード配線の相対位置が一定しない場
合においても、ボンディングワイヤにおいて相互間を好
適に電気接続することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の縦断面図及び横断面図で
ある。
【図2】本発明の第2実施例の縦断面図及び横断面図で
ある。
【図3】従来のチップ状リード配線型パッケージの半導
体装置の一例の縦断面図及び横断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 1a ボンディングパッド 2 リード配線 3 接着フィルム 4 ボンディングワイヤ 5 モールド樹脂 6 配線フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/50

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップ上にリード配線の一部が延
    在されるパッケージ構造の半導体装置において、前記半
    導体チップ上には絶縁フィルム表面に細い配線を一体に
    形成した配線フィルムを配設し、前記半導体チップと前
    記配線フィルム、及び前記配線フィルムと前記リード配
    線とをそれぞれボンディングワイヤによって電気的に
    続したことを特徴とする半導体装置。
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