JP2958818B2 - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JP2958818B2 JP2958818B2 JP3183578A JP18357891A JP2958818B2 JP 2958818 B2 JP2958818 B2 JP 2958818B2 JP 3183578 A JP3183578 A JP 3183578A JP 18357891 A JP18357891 A JP 18357891A JP 2958818 B2 JP2958818 B2 JP 2958818B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の誘電体磁器材料は、中性または還
元性の低酸素分圧下で焼成すると、還元され、半導体化
を起こすという性質を有していた。そのため、内部電極
材料としては、誘電体磁器材料の焼結する温度で溶融せ
ず、かつ誘電体磁器材料を半導体化させない高い酸素分
圧下で焼成しても酸化されない、たとえばＰｄ，Ｐｔな
どの貴金属を用いなければならなかった。これは、製造
される積層コンデンサの低コスト化の大きな妨げとなっ
ていた。
元性の低酸素分圧下で焼成すると、還元され、半導体化
を起こすという性質を有していた。そのため、内部電極
材料としては、誘電体磁器材料の焼結する温度で溶融せ
ず、かつ誘電体磁器材料を半導体化させない高い酸素分
圧下で焼成しても酸化されない、たとえばＰｄ，Ｐｔな
どの貴金属を用いなければならなかった。これは、製造
される積層コンデンサの低コスト化の大きな妨げとなっ
ていた。
【０００３】そこで、上述の問題点を解決するために、
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用して、従来の条件で焼成する
と、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能を果
たさない。そのため、このような卑金属を内部電極の材
料として使用するためには、酸素分圧の低い中性または
還元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コン
デンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘
電特性とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
これらの条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば
特開昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ3 −ＣａＺｒ
Ｏ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成や、特公昭６１−１４６
１１号のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用して、従来の条件で焼成する
と、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能を果
たさない。そのため、このような卑金属を内部電極の材
料として使用するためには、酸素分圧の低い中性または
還元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コン
デンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘
電特性とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
これらの条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば
特開昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ3 −ＣａＺｒ
Ｏ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成や、特公昭６１−１４６
１１号のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６２−２５６４２２号に開示されている非還元性誘電体
磁器組成物では、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣ
ａＴｉＯ3 が、Ｍｎなどとともに二次相を生成しやすい
ため、高温における信頼性の低下につながる危険性があ
った。また、この組成物は、容量の経時変化（エージン
グ率，％／ｄｅｃ）が、大きく実用的でないという問題
点もあった。
６２−２５６４２２号に開示されている非還元性誘電体
磁器組成物では、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣ
ａＴｉＯ3 が、Ｍｎなどとともに二次相を生成しやすい
ため、高温における信頼性の低下につながる危険性があ
った。また、この組成物は、容量の経時変化（エージン
グ率，％／ｄｅｃ）が、大きく実用的でないという問題
点もあった。
【０００５】また、特公昭６１−１４６１１号に開示さ
れている組成物は、得られる誘電体の誘電率が２０００
〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用している従
来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５００
と比較すると劣っていた。したがって、この組成物をコ
ストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換える
のは、コンデンサの小型大容量化という点で不利であ
り、問題が残されていた。
れている組成物は、得られる誘電体の誘電率が２０００
〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用している従
来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５００
と比較すると劣っていた。したがって、この組成物をコ
ストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換える
のは、コンデンサの小型大容量化という点で不利であ
り、問題が残されていた。
【０００６】さらに、この組成物の誘電率の温度変化率
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であるが、＋８５
℃を超える高温では、１０％を大きく超えてしまい、Ｅ
ＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてし
まうという欠点があった。
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であるが、＋８５
℃を超える高温では、１０％を大きく超えてしまい、Ｅ
ＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてし
まうという欠点があった。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、低
酸素分圧下であっても、組織が半導体化せず焼成可能で
あり、かつ誘電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩ
Ｒで１１．０以上であり、さらに誘電率の温度特性が、
２５℃の容量値を基準として、−５５℃〜１２５℃の広
い範囲にわたって±１５％の範囲内にあることを満足す
る、非還元性誘電体磁器組成物を提供することである。
酸素分圧下であっても、組織が半導体化せず焼成可能で
あり、かつ誘電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩ
Ｒで１１．０以上であり、さらに誘電率の温度特性が、
２５℃の容量値を基準として、−５５℃〜１２５℃の広
い範囲にわたって±１５％の範囲内にあることを満足す
る、非還元性誘電体磁器組成物を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％と、
Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3
０．３〜４．０モル％との範囲内にある主成分１００モ
ル％に対し、副成分として、ＢａＯ ０．２〜４．０モ
ル％と、ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％と、ＳｉＯ
2 ０．２〜３．０モル％と、ＭｇＯ ０．５〜５．０モ
ル％とを含有する、非還元性誘電体磁器組成物である。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％と、
Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3
０．３〜４．０モル％との範囲内にある主成分１００モ
ル％に対し、副成分として、ＢａＯ ０．２〜４．０モ
ル％と、ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％と、ＳｉＯ
2 ０．２〜３．０モル％と、ＭｇＯ ０．５〜５．０モ
ル％とを含有する、非還元性誘電体磁器組成物である。
【０００９】
【発明の効果】この発明にかかる非還元性誘電体磁器組
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物は、ｌｏｇＩＲで１１．０以上の高い絶縁抵抗値
を示すとともに、３０００以上の高誘電率を示し、容量
温度変化率もＥＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性を満足
する。
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物は、ｌｏｇＩＲで１１．０以上の高い絶縁抵抗値
を示すとともに、３０００以上の高誘電率を示し、容量
温度変化率もＥＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性を満足
する。
【００１０】したがって、この発明にかかる非還元性誘
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いれば、内部電極材料としてＮｉなどで代表
される卑金属材料を用いることができる。そのため、従
来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性を落
とすことなく、大幅なコストダウンを行うことが可能と
なる。
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いれば、内部電極材料としてＮｉなどで代表
される卑金属材料を用いることができる。そのため、従
来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性を落
とすことなく、大幅なコストダウンを行うことが可能と
なる。
【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１２】
【実施例】出発原料として、不純物として含まれるアル
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，Ｂａ／
Ｔｉモル比補正のためのＢａＣＯ3 ，希土類酸化物，Ｃ
ｏ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯを準備した。これ
らの原料を表１に示す組成割合となるように秤量して、
秤量物を得た。なお、試料番号１〜２９については、ア
ルカリ金属酸化物の含有量が０．０３重量％のＢａＴｉ
Ｏ3 を使用し、試料番号３０については、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０５重量％のＢａＴｉＯ3 を使用
し、試料番号３１については、アルカリ金属酸化物の含
有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ3 を使用した。
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，Ｂａ／
Ｔｉモル比補正のためのＢａＣＯ3 ，希土類酸化物，Ｃ
ｏ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯを準備した。これ
らの原料を表１に示す組成割合となるように秤量して、
秤量物を得た。なお、試料番号１〜２９については、ア
ルカリ金属酸化物の含有量が０．０３重量％のＢａＴｉ
Ｏ3 を使用し、試料番号３０については、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０５重量％のＢａＴｉＯ3 を使用
し、試料番号３１については、アルカリ金属酸化物の含
有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ3 を使用した。
【００１３】
【表１】
【００１４】得られた秤量物に酢酸ビニル系バインダを
５重量％添加した後、ＰＳＺボールを用いたボールミル
で十分に湿式混合した。次に、この混合物中の分散媒を
蒸発、乾燥した後、整粒の工程を経て粉末を得た。得ら
れた粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で、直径１０ｍｍ、
厚さ１ｍｍの円板状にプレス成形して、成形体を得た。
５重量％添加した後、ＰＳＺボールを用いたボールミル
で十分に湿式混合した。次に、この混合物中の分散媒を
蒸発、乾燥した後、整粒の工程を経て粉末を得た。得ら
れた粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で、直径１０ｍｍ、
厚さ１ｍｍの円板状にプレス成形して、成形体を得た。
【００１５】次いで、このようにして得られた成形体
を、空気中において４００℃で３時間保持の条件で脱バ
インダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００
の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２
時間焼成し、磁器を得た。
を、空気中において４００℃で３時間保持の条件で脱バ
インダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００
の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２
時間焼成し、磁器を得た。
【００１６】
【表２】
【００１７】得られた磁器の両面に、銀ペーストを塗布
して、焼き付けることにより、銀電極を形成してコンデ
ンサとした。そして、このコンデンサの室温における誘
電率ε，誘電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ）
および容量の温度変化率（ＴＣＣ）を測定した。その結
果を表２に示す。
して、焼き付けることにより、銀電極を形成してコンデ
ンサとした。そして、このコンデンサの室温における誘
電率ε，誘電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ）
および容量の温度変化率（ＴＣＣ）を測定した。その結
果を表２に示す。
【００１８】なお、誘電率ε，誘電損失ｔａｎδについ
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧５００Ｖを２分間印加して測定し、
その結果を対数値（ｌｏｇＩＲ）で示す。さらに、温度
変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準と
した時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ-55
／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２５℃
の間において、容量温度変化率が最大である値の絶対
値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）につい
て示す。
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧５００Ｖを２分間印加して測定し、
その結果を対数値（ｌｏｇＩＲ）で示す。さらに、温度
変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準と
した時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ-55
／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２５℃
の間において、容量温度変化率が最大である値の絶対
値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）につい
て示す。
【００１９】表２から明らかなように、この発明にかか
る非還元性誘電体磁器組成物は、優れた特性を示す。
る非還元性誘電体磁器組成物は、優れた特性を示す。
【００２０】この発明において主成分および副成分の範
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
【００２１】まず、主成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２２】主成分であるＢａＴｉＯ3 の構成比率を９
２．０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が９２．
０モル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3
の構成比率が多くなるため、試料番号４に示すように、
絶縁抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。ま
た、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える
場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果が
なく、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好まし
くない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物
含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超え
ると、試料番号３０および３１に示すように、誘電率の
低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
２．０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が９２．
０モル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3
の構成比率が多くなるため、試料番号４に示すように、
絶縁抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。ま
た、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える
場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果が
なく、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好まし
くない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物
含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超え
ると、試料番号３０および３１に示すように、誘電率の
低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
【００２３】次に、副成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２４】ＢａＯ添加量を０．２〜４．０モル％とす
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号９に示すように、雰囲気焼成中に組織が半導体化し、
絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。ま
た、添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号
１２に示すように、焼結性が低下するので好ましくな
い。
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号９に示すように、雰囲気焼成中に組織が半導体化し、
絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。ま
た、添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号
１２に示すように、焼結性が低下するので好ましくな
い。
【００２５】また、ＭｎＯ添加量を０．２〜３．０モル
％とするのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、
試料番号１７に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１５に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
％とするのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、
試料番号１７に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１５に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
【００２６】ＳｉＯ2 添加量を０．２〜５．０モル％と
するのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料
番号２３に示すように、焼結温度の低下に効果がなく好
ましくない。また、添加量が５．０モル％を超える場合
には、試料番号２０に示すように、誘電率εの低下が生
じるので好ましくない。
するのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料
番号２３に示すように、焼結温度の低下に効果がなく好
ましくない。また、添加量が５．０モル％を超える場合
には、試料番号２０に示すように、誘電率εの低下が生
じるので好ましくない。
【００２７】最後に、ＭｇＯ添加量を０．５〜５．０モ
ル％とするのは、添加量が０．５モル％未満の場合に
は、試料番号２４に示すように、容量温度変化率をフラ
ットにする効果がなく、特に低温側で（−）側にはずれ
る傾向があるとともに、絶縁抵抗値向上の効果もなくな
るので好ましくない。また、添加量が５．０モル％を超
える場合には、試料番号２９に示すように、誘電率εお
よび絶縁抵抗値の低下が生じるので好ましくない。
ル％とするのは、添加量が０．５モル％未満の場合に
は、試料番号２４に示すように、容量温度変化率をフラ
ットにする効果がなく、特に低温側で（−）側にはずれ
る傾向があるとともに、絶縁抵抗値向上の効果もなくな
るので好ましくない。また、添加量が５．０モル％を超
える場合には、試料番号２９に示すように、誘電率εお
よび絶縁抵抗値の低下が生じるので好ましくない。
【００２８】なお、表２に示す特性データは、単板コン
デンサにおいて得られたデータであるが、同じ組成物を
シート成形し、チップ加工を行った積層コンデンサにお
いても、今回のデータとほぼ同等の結果が得られる。
デンサにおいて得られたデータであるが、同じ組成物を
シート成形し、チップ加工を行った積層コンデンサにお
いても、今回のデータとほぼ同等の結果が得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化
物の含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔ
ｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中か
ら選ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ
3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配合比が、 ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％、 Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、および Ｃｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％ の範囲内にある主成分１００モル％に対し、 副成分として、 ＢａＯ ０．２〜４．０モル％、 ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％、 ＳｉＯ2 ０．２〜３．０モル％、および ＭｇＯ ０．５〜５．０モル％ を含有する、非還元性誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183578A JP2958818B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| DE4220681A DE4220681C2 (de) | 1991-06-27 | 1992-06-24 | Nichtreduzierende, dielektrische, keramische Zusammensetzung |
| US07/904,398 US5268342A (en) | 1991-06-27 | 1992-06-25 | Nonreducing dielectric ceramic composition |
| FR9207823A FR2679227B1 (fr) | 1991-06-27 | 1992-06-25 | Composition ceramique dielectrique non-reductrice. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183578A JP2958818B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH059067A JPH059067A (ja) | 1993-01-19 |
| JP2958818B2 true JP2958818B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=16138271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183578A Expired - Lifetime JP2958818B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2958818B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4392821B2 (ja) | 2000-10-24 | 2010-01-06 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
| JP2002164247A (ja) | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ |
| JP3705141B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2005-10-12 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック、その製造方法およびその評価方法ならびに積層セラミック電子部品 |
| US6829136B2 (en) | 2002-11-29 | 2004-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic, method for making the same, and monolithic ceramic capacitor |
| JP4100173B2 (ja) | 2003-01-08 | 2008-06-11 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP3882054B2 (ja) * | 2003-07-07 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| WO2006003753A1 (ja) | 2004-07-05 | 2006-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3183578A patent/JP2958818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH059067A (ja) | 1993-01-19 |
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