JP3185333B2 - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JP3185333B2 JP3185333B2 JP07516192A JP7516192A JP3185333B2 JP 3185333 B2 JP3185333 B2 JP 3185333B2 JP 07516192 A JP07516192 A JP 07516192A JP 7516192 A JP7516192 A JP 7516192A JP 3185333 B2 JP3185333 B2 JP 3185333B2
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- Japan
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢａＴｉＯ3 系の誘電体磁器材料は、優
れた誘電特性を有していることから、積層コンデンサを
はじめ種々の用途に幅広く用いられている。
れた誘電特性を有していることから、積層コンデンサを
はじめ種々の用途に幅広く用いられている。
【０００３】従来のＢａＴｉＯ3 系の誘電体磁器材料
は、中性または還元性の低酸素分圧下で焼成すると、還
元され、半導体化を起こすという性質を有していた。そ
のため、積層コンデンサの内部電極材料としては、誘電
体磁器材料の焼結する温度で溶融せず、かつ誘電体磁器
材料を半導体化させない高い酸素分圧下で焼成しても酸
化されない、たとえばＰｄ，Ｐｔなどの貴金属を用いな
ければならなかった。これは、製造される積層コンデン
サの低コスト化の大きな妨げとなっていた。
は、中性または還元性の低酸素分圧下で焼成すると、還
元され、半導体化を起こすという性質を有していた。そ
のため、積層コンデンサの内部電極材料としては、誘電
体磁器材料の焼結する温度で溶融せず、かつ誘電体磁器
材料を半導体化させない高い酸素分圧下で焼成しても酸
化されない、たとえばＰｄ，Ｐｔなどの貴金属を用いな
ければならなかった。これは、製造される積層コンデン
サの低コスト化の大きな妨げとなっていた。
【０００４】そこで、上述の問題点を解決するために、
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用して、従来の条件で焼成する
と、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能を果
たさない。そのため、このような卑金属を内部電極の材
料として使用するためには、中性または還元性の低酸素
分圧下において焼成しても半導体化せず、コンデンサ用
の誘電体材料として、必要な高い比抵抗と優れた誘電特
性とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。これ
らの条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば特開
昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ3−ＣａＺｒＯ3
−ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成や、特公昭６１−１４６１１
号のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用して、従来の条件で焼成する
と、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能を果
たさない。そのため、このような卑金属を内部電極の材
料として使用するためには、中性または還元性の低酸素
分圧下において焼成しても半導体化せず、コンデンサ用
の誘電体材料として、必要な高い比抵抗と優れた誘電特
性とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。これ
らの条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば特開
昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ3−ＣａＺｒＯ3
−ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成や、特公昭６１−１４６１１
号のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６２−２５６４２２号に開示されているＢａＴｉＯ3 −
ＣａＺｒＯ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の非還元性誘電体磁器
組成物では、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣａＴ
ｉＯ3 が、Ｍｎなどとともに二次相を生成しやすいた
め、高温における信頼性の低下につながる危険性があっ
た。
６２−２５６４２２号に開示されているＢａＴｉＯ3 −
ＣａＺｒＯ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の非還元性誘電体磁器
組成物では、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣａＴ
ｉＯ3 が、Ｍｎなどとともに二次相を生成しやすいた
め、高温における信頼性の低下につながる危険性があっ
た。
【０００６】また、特公昭６１−１４６１１号に開示さ
れているＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の非還元性誘電体磁器組成物
は、得られる誘電体の誘電率が２０００〜２８００であ
り、Ｐｄなどの貴金属を使用している従来からの磁器組
成物の誘電率である３０００〜３５００と比較すると劣
っていた。したがって、この組成物をコストダウンのた
めに、そのまま従来の材料と置き換えるのは、コンデン
サの小型大容量化という点で不利であり、問題が残され
ていた。
れているＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の非還元性誘電体磁器組成物
は、得られる誘電体の誘電率が２０００〜２８００であ
り、Ｐｄなどの貴金属を使用している従来からの磁器組
成物の誘電率である３０００〜３５００と比較すると劣
っていた。したがって、この組成物をコストダウンのた
めに、そのまま従来の材料と置き換えるのは、コンデン
サの小型大容量化という点で不利であり、問題が残され
ていた。
【０００７】さらに、この組成物の誘電率の温度変化率
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であるが、＋８５
℃を超える高温では、１０％を大きく超えてしまい、Ｅ
ＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてし
まうという欠点があった。
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であるが、＋８５
℃を超える高温では、１０％を大きく超えてしまい、Ｅ
ＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてし
まうという欠点があった。
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、低
酸素分圧下であっても、組織が半導体化せず焼成可能で
あり、かつ誘電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩ
Ｒで１１．０以上であり、さらに誘電率の温度特性が、
２５℃の容量値を基準として、−５５℃〜１２５℃の広
い範囲にわたって±１５％の範囲内にあることを満足す
る、非還元性誘電体磁器組成物を提供することである。
酸素分圧下であっても、組織が半導体化せず焼成可能で
あり、かつ誘電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩ
Ｒで１１．０以上であり、さらに誘電率の温度特性が、
２５℃の容量値を基準として、−５５℃〜１２５℃の広
い範囲にわたって±１５％の範囲内にあることを満足す
る、非還元性誘電体磁器組成物を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、ＳｎＯ2 と、ＮｉＯとの配合
比が、ＢａＴｉＯ3 ８８．０〜９９．０モル％と、Ｓｎ
Ｏ2 ０．５〜６．０モル％と、ＮｉＯ０．５〜６．０モ
ル％との範囲内にある主成分１００モル％に対し、副成
分として、ＢａＯ０．２〜４．０モル％と、ＭｎＯ０．
３〜３．０モル％と、ＭｇＯ０．５〜５．０モル％とを
含有し、さらに上記成分を１００重量部として、ＢａＯ
−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガ
ラスを０．５〜２．５重量部含有する、非還元性誘電体
磁器組成物である。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、ＳｎＯ2 と、ＮｉＯとの配合
比が、ＢａＴｉＯ3 ８８．０〜９９．０モル％と、Ｓｎ
Ｏ2 ０．５〜６．０モル％と、ＮｉＯ０．５〜６．０モ
ル％との範囲内にある主成分１００モル％に対し、副成
分として、ＢａＯ０．２〜４．０モル％と、ＭｎＯ０．
３〜３．０モル％と、ＭｇＯ０．５〜５．０モル％とを
含有し、さらに上記成分を１００重量部として、ＢａＯ
−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガ
ラスを０．５〜２．５重量部含有する、非還元性誘電体
磁器組成物である。
【００１０】
【発明の効果】この発明にかかる非還元性誘電体磁器組
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物は、ｌｏｇＩＲで１１．０以上の高い絶縁抵抗値
を示すとともに、３０００以上の高誘電率を示し、容量
温度変化率もＥＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性を満足
する。
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物は、ｌｏｇＩＲで１１．０以上の高い絶縁抵抗値
を示すとともに、３０００以上の高誘電率を示し、容量
温度変化率もＥＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性を満足
する。
【００１１】したがって、この発明にかかる非還元性誘
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いれば、内部電極材料としてＮｉなどで代表
される卑金属材料を用いることができる。そのため、従
来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性の劣
化を生じることなく、大幅なコストダウンを行うことが
可能となる。
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いれば、内部電極材料としてＮｉなどで代表
される卑金属材料を用いることができる。そのため、従
来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性の劣
化を生じることなく、大幅なコストダウンを行うことが
可能となる。
【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１３】
【実施例】出発原料として、不純物として含まれるアル
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，ＢａＣ
Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＮｉＯ，ＭｎＯ，ＭｇＯ，酸化物ガラ
スを準備した。これらの原料を表１に示す組成割合とな
るように秤量して、秤量物を得た。なお、試料番号１〜
２７については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０
３重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２８につい
ては、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０５重量％の
ＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２９については、アル
カリ金属酸化物の含有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ
3 を使用した。
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，ＢａＣ
Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＮｉＯ，ＭｎＯ，ＭｇＯ，酸化物ガラ
スを準備した。これらの原料を表１に示す組成割合とな
るように秤量して、秤量物を得た。なお、試料番号１〜
２７については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０
３重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２８につい
ては、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０５重量％の
ＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２９については、アル
カリ金属酸化物の含有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ
3 を使用した。
【００１４】
【表１】
【００１５】得られた秤量物に酢酸ビニル系バインダを
５重量％添加した後、ＰＳＺボールを用いたボールミル
で十分に湿式混合した。次に、この混合物中の分散媒を
蒸発、乾燥した後、整粒の工程を経て粉末を得た。得ら
れた粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で、直径１０ｍｍ、
厚さ１ｍｍの円板状にプレス成形して、成形体を得た。
５重量％添加した後、ＰＳＺボールを用いたボールミル
で十分に湿式混合した。次に、この混合物中の分散媒を
蒸発、乾燥した後、整粒の工程を経て粉末を得た。得ら
れた粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力で、直径１０ｍｍ、
厚さ１ｍｍの円板状にプレス成形して、成形体を得た。
【００１６】次いで、このようにして得られた成形体
を、空気中において４００℃で３時間保持の条件で脱バ
インダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００
の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２
時間焼成し、磁器を得た。
を、空気中において４００℃で３時間保持の条件で脱バ
インダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００
の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２
時間焼成し、磁器を得た。
【００１７】
【表２】
【００１８】得られた磁器の両面に、銀ペーストを塗布
して、焼き付けることにより、銀電極を形成してコンデ
ンサとした。そして、このコンデンサの室温における誘
電率ε，誘電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ）
および容量の温度変化率（ＴＣＣ）について測定を行っ
た。その結果を表２にまとめて示す。
して、焼き付けることにより、銀電極を形成してコンデ
ンサとした。そして、このコンデンサの室温における誘
電率ε，誘電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ）
および容量の温度変化率（ＴＣＣ）について測定を行っ
た。その結果を表２にまとめて示す。
【００１９】なお、誘電率ε，誘電損失ｔａｎδについ
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧５００Ｖを２分間予備印加した後の
結果を対数値（ｌｏｇＩＲ）で示す。さらに、温度変化
率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準とした
時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ-55 ／Ｃ
25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２５℃の間
において、容量温度変化率が最大である値の絶対値、い
わゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）について示
す。
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧５００Ｖを２分間予備印加した後の
結果を対数値（ｌｏｇＩＲ）で示す。さらに、温度変化
率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準とした
時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ-55 ／Ｃ
25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２５℃の間
において、容量温度変化率が最大である値の絶対値、い
わゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）について示
す。
【００２０】表２から明らかなように、この発明にかか
る非還元性誘電体磁器組成物は、優れた特性を示す。
る非還元性誘電体磁器組成物は、優れた特性を示す。
【００２１】この発明において主成分および副成分の範
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
【００２２】まず、主成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２３】主成分であるＢａＴｉＯ3 の構成比率を８
８．０〜９９．０モル％とするのは、構成比率が８８．
０モル％未満の場合には、ＳｎＯ2 およびＮｉＯの構成
比率が多くなるため、試料番号５に示すように、絶縁抵
抗および誘電率の低下が生じ好ましくない。また、Ｂａ
ＴｉＯ3 の構成比率が９９．０モル％を超える場合に
は、ＳｎＯ2 およびＮｉＯの添加の効果がなく、試料番
号３に示すように、キュリー点付近の高温における容量
温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好ましくない。さ
らに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物含有量を
０．０４％以下とするのは、０．０４％を超えると、試
料番号２８および２９に示すように、誘電率の低下が生
じ、実用的でなくなり好ましくない。
８．０〜９９．０モル％とするのは、構成比率が８８．
０モル％未満の場合には、ＳｎＯ2 およびＮｉＯの構成
比率が多くなるため、試料番号５に示すように、絶縁抵
抗および誘電率の低下が生じ好ましくない。また、Ｂａ
ＴｉＯ3 の構成比率が９９．０モル％を超える場合に
は、ＳｎＯ2 およびＮｉＯの添加の効果がなく、試料番
号３に示すように、キュリー点付近の高温における容量
温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好ましくない。さ
らに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物含有量を
０．０４％以下とするのは、０．０４％を超えると、試
料番号２８および２９に示すように、誘電率の低下が生
じ、実用的でなくなり好ましくない。
【００２４】また、ＳｎＯ2 含有量を０．５〜６．０モ
ル％とするのは、含有量が０．５モル％未満の場合に
は、試料番号３に示すように、誘電率が低下するととも
に、低温部での容量温度変化率が（−）側にはずれ好ま
しくない。また、含有量が６．０モル％を超える場合に
は、試料番号５および６に示すように、高温での容量温
度変化率が（＋）側にはずれ好ましくない。
ル％とするのは、含有量が０．５モル％未満の場合に
は、試料番号３に示すように、誘電率が低下するととも
に、低温部での容量温度変化率が（−）側にはずれ好ま
しくない。また、含有量が６．０モル％を超える場合に
は、試料番号５および６に示すように、高温での容量温
度変化率が（＋）側にはずれ好ましくない。
【００２５】ＮｉＯ含有量を０．５〜６．０モル％とす
るのは、含有量が０．５モル％未満の場合には、試料番
号３に示すように、高温での容量温度変化率が（＋）側
にはずれ好ましくない。また、含有量が６．０モル％を
超える場合には、試料番号５および７に示すように、誘
電率の低下が生じるとともに、低温部での容量温度変化
率が（−）側にはずれ好ましくない。
るのは、含有量が０．５モル％未満の場合には、試料番
号３に示すように、高温での容量温度変化率が（＋）側
にはずれ好ましくない。また、含有量が６．０モル％を
超える場合には、試料番号５および７に示すように、誘
電率の低下が生じるとともに、低温部での容量温度変化
率が（−）側にはずれ好ましくない。
【００２６】次に、副成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２７】ＢａＯ添加量を０．２〜４．０モル％とす
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号１０に示すように、焼成中に組織が半導体化し、絶縁
抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。また、
添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号１３
に示すように、焼結性が低下するので好ましくない。
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号１０に示すように、焼成中に組織が半導体化し、絶縁
抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。また、
添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号１３
に示すように、焼結性が低下するので好ましくない。
【００２８】また、ＭｎＯ添加量を０．３〜３．０モル
％とするのは、添加量が０．３モル％未満の場合には、
試料番号１８に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１６に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
％とするのは、添加量が０．３モル％未満の場合には、
試料番号１８に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１６に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
【００２９】ＭｇＯ添加量を０．５〜５．０モル％とす
るのは、添加量が０．５モル％未満の場合には、試料番
号２０に示すように、容量温度変化率の曲線をフラット
にする効果がなく、特に低温側で（−）側にはずれる傾
向があるとともに、絶縁抵抗値向上の効果もなくなるの
で好ましくない。また、添加量が５．０モル％を超える
場合には、試料番号２３に示すように、誘電率εおよび
絶縁抵抗値の低下が生じるので好ましくない。
るのは、添加量が０．５モル％未満の場合には、試料番
号２０に示すように、容量温度変化率の曲線をフラット
にする効果がなく、特に低温側で（−）側にはずれる傾
向があるとともに、絶縁抵抗値向上の効果もなくなるの
で好ましくない。また、添加量が５．０モル％を超える
場合には、試料番号２３に示すように、誘電率εおよび
絶縁抵抗値の低下が生じるので好ましくない。
【００３０】最後に、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 を主成分とする酸化物ガラスの添加量を０．５〜
２．５重量％とするのは、添加量が０．５重量％未満の
場合には、試料番号２５に示すように、焼結温度を低下
させる効果、および耐還元性向上の効果がなくなるので
好ましくない。また、添加量が２．５重量％を超える場
合には、試料番号２７に示すように、誘電率εの低下が
生じるので好ましくない。
Ｏ2 を主成分とする酸化物ガラスの添加量を０．５〜
２．５重量％とするのは、添加量が０．５重量％未満の
場合には、試料番号２５に示すように、焼結温度を低下
させる効果、および耐還元性向上の効果がなくなるので
好ましくない。また、添加量が２．５重量％を超える場
合には、試料番号２７に示すように、誘電率εの低下が
生じるので好ましくない。
【００３１】なお、表２に示す特性データは、単板コン
デンサにおいて得られたデータであるが、同じ組成物を
シート成形し、チップ加工を行った積層コンデンサにお
いても、今回のデータとほぼ同等の結果が得られる。
デンサにおいて得られたデータであるが、同じ組成物を
シート成形し、チップ加工を行った積層コンデンサにお
いても、今回のデータとほぼ同等の結果が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−9066（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−17212（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−43314（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−43315（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−70221（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−89724（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−144319（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−221716（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/49 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化
物の含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｓ
ｎＯ2 と、ＮｉＯとの配合比が、 ＢａＴｉＯ3 ８８．０〜９９．０モル％、 ＳｎＯ2 ０．５〜６．０モル％、および ＮｉＯ ０．５〜６．０モル％ の範囲内にある主成分１００モル％に対し、副成分とし
て、 ＢａＯ ０．２〜４．０モル％、 ＭｎＯ ０．３〜３．０モル％、および ＭｇＯ ０．５〜５．０モル％ を含有し、さらに上記成分を１００重量部として、Ｂａ
Ｏ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物
ガラスを０．５〜２．５重量部含有する、非還元性誘電
体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07516192A JP3185333B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07516192A JP3185333B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05238820A JPH05238820A (ja) | 1993-09-17 |
| JP3185333B2 true JP3185333B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=13568208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07516192A Expired - Lifetime JP3185333B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3185333B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017109904A (ja) | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 株式会社村田製作所 | ペロブスカイト型磁器組成物、ペロブスカイト型磁器組成物を含む配合組成物、ペロブスカイト型磁器組成物の製造方法、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP07516192A patent/JP3185333B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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