JP2947658B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JP2947658B2 JP2947658B2 JP1038592A JP1038592A JP2947658B2 JP 2947658 B2 JP2947658 B2 JP 2947658B2 JP 1038592 A JP1038592 A JP 1038592A JP 1038592 A JP1038592 A JP 1038592A JP 2947658 B2 JP2947658 B2 JP 2947658B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メタルインギャップ
（ＭＩＧ）型の磁気ヘッドに関する。
（ＭＩＧ）型の磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、記録密度を
高めるために磁気テープ等記録媒体の高保磁力化が推進
されているが、それに対応する磁気ヘッドの磁気コアの
材料として、飽和磁束密度（Ｂｓ）が高いものが要求さ
れている。
高めるために磁気テープ等記録媒体の高保磁力化が推進
されているが、それに対応する磁気ヘッドの磁気コアの
材料として、飽和磁束密度（Ｂｓ）が高いものが要求さ
れている。
【０００３】しかし、従来の磁気ヘッド端飽和磁束密度
が、約５０００Ｇ（ガウス）程度と低いため、高密度化
の要求に対しては不十分である。
が、約５０００Ｇ（ガウス）程度と低いため、高密度化
の要求に対しては不十分である。
【０００４】このため、磁気ヘッドとして、図４に示す
ような構造のいわゆるメタルインギャップ型の磁気ヘッ
ドが知られている。これは、フェライトからなる一対の
磁気コア半体１ａ、１ｂの各々の対向端面に、例えばＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金（センダスト）、パーマロイ、ア
モルファス金属等の磁性合金からなる金属磁性層２ａ、
２ｂを設けるとともに、この金属磁性層２ａ、２ｂを設
けた磁気コア半体１ａ、１ｂの対向端面の間に、ＳｉＯ
2等の非磁性体からなるギャップ層３ａ、３ｂを設ける
ことにより磁気ギャップを形成し、磁気コア半体１ａ、
１ｂをコア接合用ガラス６、６により接合したものであ
る。このようなメタルインギャップ型の磁気ヘッドは、
磁気コア半体１ａ、１ｂの対向端面に金属磁性層を設け
ていない磁気ヘッドに比較して、強くしかも鋭い記録磁
界を得られるという利点がある。
ような構造のいわゆるメタルインギャップ型の磁気ヘッ
ドが知られている。これは、フェライトからなる一対の
磁気コア半体１ａ、１ｂの各々の対向端面に、例えばＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金（センダスト）、パーマロイ、ア
モルファス金属等の磁性合金からなる金属磁性層２ａ、
２ｂを設けるとともに、この金属磁性層２ａ、２ｂを設
けた磁気コア半体１ａ、１ｂの対向端面の間に、ＳｉＯ
2等の非磁性体からなるギャップ層３ａ、３ｂを設ける
ことにより磁気ギャップを形成し、磁気コア半体１ａ、
１ｂをコア接合用ガラス６、６により接合したものであ
る。このようなメタルインギャップ型の磁気ヘッドは、
磁気コア半体１ａ、１ｂの対向端面に金属磁性層を設け
ていない磁気ヘッドに比較して、強くしかも鋭い記録磁
界を得られるという利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなメタルインギャップ型の磁気ヘッドでは、磁気コ
ア半体１ａ、１ｂをコア接合用ガラス６、６により接合
する際、通常６００℃以上に加熱する必要があり、磁気
コア半体１ａ、１ｂと強磁性金属層２ａ、２ｂとの界面
には反応が起こり、変質層が形成される。そして、この
ような変質層が形成されると、前記界面での磁気抵抗が
増大し、磁気ヘッド全体の記録再生出力が低下する。ま
た、高温にさらされるほど、磁気コア半体１ａ、１ｂと
強磁性合金層２ａ、２ｂとの熱膨張係数の差が大きくな
るため、前記磁気コア半体１ａ、１ｂを高温でガラス接
合する際、強磁性金属層２ａ、２ｂ内に応力が発生し、
そのためヒビや剥離が生じ、磁気記録特性が劣化する。
ようなメタルインギャップ型の磁気ヘッドでは、磁気コ
ア半体１ａ、１ｂをコア接合用ガラス６、６により接合
する際、通常６００℃以上に加熱する必要があり、磁気
コア半体１ａ、１ｂと強磁性金属層２ａ、２ｂとの界面
には反応が起こり、変質層が形成される。そして、この
ような変質層が形成されると、前記界面での磁気抵抗が
増大し、磁気ヘッド全体の記録再生出力が低下する。ま
た、高温にさらされるほど、磁気コア半体１ａ、１ｂと
強磁性合金層２ａ、２ｂとの熱膨張係数の差が大きくな
るため、前記磁気コア半体１ａ、１ｂを高温でガラス接
合する際、強磁性金属層２ａ、２ｂ内に応力が発生し、
そのためヒビや剥離が生じ、磁気記録特性が劣化する。
【０００６】つまり、従来のメタルインギャップ型の磁
気ヘッドでは、ギャップ部の硬度が小さく、ガラス接合
硬化後の切断等の加工により、ギャップ部近傍にヒビや
クラックが生じ易く、歩留まりが低下するという問題を
有していた。
気ヘッドでは、ギャップ部の硬度が小さく、ガラス接合
硬化後の切断等の加工により、ギャップ部近傍にヒビや
クラックが生じ易く、歩留まりが低下するという問題を
有していた。
【０００７】また、一般に真空薄膜形成技術によって形
成される金属磁性層２ａ、２ｂが隣接膜の影響を受ける
ことは周知の事実である。この隣接膜の影響としては、
隣接膜の結晶構造や隣接膜にごく薄く下地として形成さ
れている下地膜の影響があるが、さらに前記隣接膜の幾
何学的形状や均一性も重要な要素である。つまり、強磁
性金属からなる金属磁性層２ａ、２ｂの透磁率や異方性
（容易磁化方向）はその層構造によって、その特性が敏
感に左右されるため、特に記録再生用の磁気ヘッドを構
成する金属磁性層２ａ、２ｂは構造的に均一なものであ
ることが望ましい。
成される金属磁性層２ａ、２ｂが隣接膜の影響を受ける
ことは周知の事実である。この隣接膜の影響としては、
隣接膜の結晶構造や隣接膜にごく薄く下地として形成さ
れている下地膜の影響があるが、さらに前記隣接膜の幾
何学的形状や均一性も重要な要素である。つまり、強磁
性金属からなる金属磁性層２ａ、２ｂの透磁率や異方性
（容易磁化方向）はその層構造によって、その特性が敏
感に左右されるため、特に記録再生用の磁気ヘッドを構
成する金属磁性層２ａ、２ｂは構造的に均一なものであ
ることが望ましい。
【０００８】つまり、隣接膜を設けることなく、前記金
属磁性層２ａ、２ｂとギャップ層３ａ、３ｂが直接接触
し、ギャップ層３ａ、３ｂの層構造の均一性が損なわれ
ている場合には、金属磁性膜２ａ、２ｂのある部分では
異方性により好適な磁気特性を示しているにもかかわら
ず、他の部分では劣った磁気特性を示すといった問題が
生じる。
属磁性層２ａ、２ｂとギャップ層３ａ、３ｂが直接接触
し、ギャップ層３ａ、３ｂの層構造の均一性が損なわれ
ている場合には、金属磁性膜２ａ、２ｂのある部分では
異方性により好適な磁気特性を示しているにもかかわら
ず、他の部分では劣った磁気特性を示すといった問題が
生じる。
【０００９】従って、本発明の磁気ヘッドは、上記課題
に鑑みてなされたものであり、メタルインギャップ型の
磁気ヘッドにおいて、ギャップ層をＣｒ又はＣｒ化合物
及びＡｌ又はＡｌ化合物の２層構造からなるギャップ膜
が設けられることで、前記金属磁性層と磁気コア半体に
おける変質層を防ぎ、前記金属磁性層とギャップ膜にお
ける膜付着力を向上させ、膜はがれを回避し、前記ギャ
ップ膜からなるギャップ部の抗折強度を向上させるとと
もに、磁気記録特性を向上させ得る磁気ヘッドの提供を
目的とする。
に鑑みてなされたものであり、メタルインギャップ型の
磁気ヘッドにおいて、ギャップ層をＣｒ又はＣｒ化合物
及びＡｌ又はＡｌ化合物の２層構造からなるギャップ膜
が設けられることで、前記金属磁性層と磁気コア半体に
おける変質層を防ぎ、前記金属磁性層とギャップ膜にお
ける膜付着力を向上させ、膜はがれを回避し、前記ギャ
ップ膜からなるギャップ部の抗折強度を向上させるとと
もに、磁気記録特性を向上させ得る磁気ヘッドの提供を
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は上記課
題を解決するためになされたもので、一対の磁気コア半
体と、それらの間に設けられた磁気ギャップ層と、前記
磁気コア半体とギャップ層の間に設けられた金属磁性層
とを具備してなるメタルインギャップ型の磁気ヘッドに
おいて、２層構造からなるギャップ膜が設けられ、ギャ
ップ層側の第一ギャップ膜はＣｒ化合物から構成され、
金属磁性層側の第二ギャップ膜はＡｌ化合物から構成さ
れてなることを特徴とするものである。
題を解決するためになされたもので、一対の磁気コア半
体と、それらの間に設けられた磁気ギャップ層と、前記
磁気コア半体とギャップ層の間に設けられた金属磁性層
とを具備してなるメタルインギャップ型の磁気ヘッドに
おいて、２層構造からなるギャップ膜が設けられ、ギャ
ップ層側の第一ギャップ膜はＣｒ化合物から構成され、
金属磁性層側の第二ギャップ膜はＡｌ化合物から構成さ
れてなることを特徴とするものである。
【００１１】請求項２の発明は上記課題を解決するため
になされたもので、一対の磁気コア半体と、それらの間
に設けられた磁気ギャップ層と、前記磁気コア半体とギ
ャップ層の間に設けられた金属磁性層とを具備してなる
メタルインギャップ型の磁気ヘッドにおいて、２層構造
からなるギャップ膜が設けられ、ギャップ層側の第一ギ
ャップ膜はＣｒ化合物から構成され、金属磁性層側の第
二磁気ギャップ膜は、Ａｌ単体から構成されてなること
を特徴とするものである。
になされたもので、一対の磁気コア半体と、それらの間
に設けられた磁気ギャップ層と、前記磁気コア半体とギ
ャップ層の間に設けられた金属磁性層とを具備してなる
メタルインギャップ型の磁気ヘッドにおいて、２層構造
からなるギャップ膜が設けられ、ギャップ層側の第一ギ
ャップ膜はＣｒ化合物から構成され、金属磁性層側の第
二磁気ギャップ膜は、Ａｌ単体から構成されてなること
を特徴とするものである。
【００１２】
【００１３】請求項３の発明は上記課題を解決するため
になされたもので、一対の磁気コア半体と、それらの間
に設けられた磁気ギャップ層と、前記磁気コア半体とギ
ャップ層の間に設けられた金属磁性層とを具備してなる
メタルインギャップ型の磁気ヘッドにおいて、２層構造
からなるギャップ膜が設けられ、ギャップ層側の第一ギ
ャップ膜はＣｒ単体から構成され、金属磁性層側の第二
ギャップ膜はＡｌ単体から構成されてなることを特徴と
するものである。
になされたもので、一対の磁気コア半体と、それらの間
に設けられた磁気ギャップ層と、前記磁気コア半体とギ
ャップ層の間に設けられた金属磁性層とを具備してなる
メタルインギャップ型の磁気ヘッドにおいて、２層構造
からなるギャップ膜が設けられ、ギャップ層側の第一ギ
ャップ膜はＣｒ単体から構成され、金属磁性層側の第二
ギャップ膜はＡｌ単体から構成されてなることを特徴と
するものである。
【００１４】
【作用】従って、本発明の磁気ヘッドでは、一対の磁気
コア半体と、それらの間に設けられた磁気ギャップ層
と、前記磁気コア半体とギャップ層の間に設けられた金
属磁性層とを具備してなるメタルインギャップ型の磁気
ヘッドにおいて、前記ギャップ層としてＣｒ単体又はＣ
ｒ化合物からなる第一ギャップ膜及びＡｌ単体またはＡ
ｌ化合物からなる第二ギャップ膜の２層構造よりなるギ
ャップ膜を設けることによって、前記金属磁性層と磁気
コア半体における変質層を防ぐとともに、前記金属磁性
層とギャップ層における膜付着力を向上させ、膜はがれ
を回避し、前記ギャップ層及びギャップ膜からなるギャ
ップ部の抗折強度を向上させることができる。従って、
本発明の磁気ヘッドは、ギャップ層及び金属磁性層の層
間の密着性を改善し、歩留まりの向上を図ることができ
る。
コア半体と、それらの間に設けられた磁気ギャップ層
と、前記磁気コア半体とギャップ層の間に設けられた金
属磁性層とを具備してなるメタルインギャップ型の磁気
ヘッドにおいて、前記ギャップ層としてＣｒ単体又はＣ
ｒ化合物からなる第一ギャップ膜及びＡｌ単体またはＡ
ｌ化合物からなる第二ギャップ膜の２層構造よりなるギ
ャップ膜を設けることによって、前記金属磁性層と磁気
コア半体における変質層を防ぐとともに、前記金属磁性
層とギャップ層における膜付着力を向上させ、膜はがれ
を回避し、前記ギャップ層及びギャップ膜からなるギャ
ップ部の抗折強度を向上させることができる。従って、
本発明の磁気ヘッドは、ギャップ層及び金属磁性層の層
間の密着性を改善し、歩留まりの向上を図ることができ
る。
【００１５】また、前記金属磁性層とギャップ層を前記
２層構造とすることにより、前記金属磁性膜の膜構成、
すなわち柱状晶の成長方向はギャップ部近傍に沿って一
方向に平行に揃った均一なものとなる。このため、本発
明による磁気ヘッドは、磁路に沿った方向で、前記金属
磁性層の全体が高い透磁率を示すようになり、高い記録
再生出力が得られる。
２層構造とすることにより、前記金属磁性膜の膜構成、
すなわち柱状晶の成長方向はギャップ部近傍に沿って一
方向に平行に揃った均一なものとなる。このため、本発
明による磁気ヘッドは、磁路に沿った方向で、前記金属
磁性層の全体が高い透磁率を示すようになり、高い記録
再生出力が得られる。
【００１６】そして、前記金属磁性層側には、Ａｌ又は
Ａｌ化合物を使用した第二ギャップ膜が設けられている
ことから、ギャップ層近傍のほうが、磁気コア半体に近
い位置より飽和磁束密度が高くなるため、従来、磁気コ
アの飽和磁束密度の低さに起因して起こっていた記録磁
界、磁界勾配の飽和という現象を避け、また、第一ギャ
ップ膜、第二ギャップ膜及び金属磁性層等の複数の薄膜
層の存在によって、これらの薄膜層の有する飽和磁束密
度の高さを有効に利用して、記録磁界勾配の改善を図る
ことが可能である。そして、単一の層を単に厚くした場
合において顕著に生じる渦電流損失の増大や膜応力の増
大が、薄膜の積層によって抑制され、記録特性の向上を
図ることが可能である。
Ａｌ化合物を使用した第二ギャップ膜が設けられている
ことから、ギャップ層近傍のほうが、磁気コア半体に近
い位置より飽和磁束密度が高くなるため、従来、磁気コ
アの飽和磁束密度の低さに起因して起こっていた記録磁
界、磁界勾配の飽和という現象を避け、また、第一ギャ
ップ膜、第二ギャップ膜及び金属磁性層等の複数の薄膜
層の存在によって、これらの薄膜層の有する飽和磁束密
度の高さを有効に利用して、記録磁界勾配の改善を図る
ことが可能である。そして、単一の層を単に厚くした場
合において顕著に生じる渦電流損失の増大や膜応力の増
大が、薄膜の積層によって抑制され、記録特性の向上を
図ることが可能である。
【００１７】
【実施例】以下に、本発明による実施例について図１を
参照しながら説明する。なお、以下の実施例の説明にお
いて、前記従来例と同一の構成要素については同一の符
号を付し、その説明を省略する。
参照しながら説明する。なお、以下の実施例の説明にお
いて、前記従来例と同一の構成要素については同一の符
号を付し、その説明を省略する。
【００１８】本発明の磁気ヘッドと前記従来の磁気ヘッ
ドとの構造上の相違点は、その金属磁性層２ａ、２ｂと
Ｃｒ単体又はＣｒ化合物からなる第一ギャップ膜４ａ、
４ｂ及び、Ａｌ単体又はＡｌ化合物からなる第二ギャツ
プ膜３ａ、３ｂの２層構造からなるギャップ膜が設けら
れているところである。
ドとの構造上の相違点は、その金属磁性層２ａ、２ｂと
Ｃｒ単体又はＣｒ化合物からなる第一ギャップ膜４ａ、
４ｂ及び、Ａｌ単体又はＡｌ化合物からなる第二ギャツ
プ膜３ａ、３ｂの２層構造からなるギャップ膜が設けら
れているところである。
【００１９】図１に示す本発明の磁気ヘッドは、フェラ
イトなどからなる一対の磁気コア半体１ａ、１ｂと、そ
れらの間に設けられた２層構造を有する第一ギャップ膜
４ａ、４ｂ及び第二ギャップ膜３ａ、３ｂとＦｅ76Ｔａ
10Ｃ14などの組成の薄膜からなる金属磁性膜２ａ、２ｂ
が設けられている。そして、前記ギャップ膜は、ギャッ
プ突き合わせ面側のギャップ膜にＣｒ70（ＳｉＯ2）30
などの組成の薄膜からなる第一ギャップ膜４ａ、４ｂを
配し、金属磁性層２ａ、２ｂ側のギャップ膜には、Ａｌ
2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂを配している。
第一構成例の磁気ヘッドにおける諸元を以下に示す。 金属磁性層の厚さ ： ６μm トラック幅 ： ２０μm ギャップ深さ ： ２０μm ギャップ長 ： ０．１８μm 第一ギャップ膜の厚さ ： ６００Å 第二ギャップ膜の厚さ ： ３００Å
イトなどからなる一対の磁気コア半体１ａ、１ｂと、そ
れらの間に設けられた２層構造を有する第一ギャップ膜
４ａ、４ｂ及び第二ギャップ膜３ａ、３ｂとＦｅ76Ｔａ
10Ｃ14などの組成の薄膜からなる金属磁性膜２ａ、２ｂ
が設けられている。そして、前記ギャップ膜は、ギャッ
プ突き合わせ面側のギャップ膜にＣｒ70（ＳｉＯ2）30
などの組成の薄膜からなる第一ギャップ膜４ａ、４ｂを
配し、金属磁性層２ａ、２ｂ側のギャップ膜には、Ａｌ
2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂを配している。
第一構成例の磁気ヘッドにおける諸元を以下に示す。 金属磁性層の厚さ ： ６μm トラック幅 ： ２０μm ギャップ深さ ： ２０μm ギャップ長 ： ０．１８μm 第一ギャップ膜の厚さ ： ６００Å 第二ギャップ膜の厚さ ： ３００Å
【００２０】上記金属磁性層２ａ、２ｂの厚さは、それ
ぞれ３〜１０μm程度とすることが良く、Ｃｒ70（Ｓｉ
Ｏ2）30からなる第一ギャップ膜４ａ、４ｂの厚さは、
２００〜７００Å、Ａｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３
ａ、３ｂの厚さは２００〜７００Å程度とすることが望
ましい。また、前記第一ギャップ膜４ａ、４ｂはＣｒ70
（ＳｉＯ2）30の組成の薄膜に限らずＣｒ化合物でも可
能であり、第二ギャップ膜３ａ、３ｂは、Ａｌ2Ｏ3薄膜
に限らず、Ａｌ単体又はＡｌ化合物でも可能である。
ぞれ３〜１０μm程度とすることが良く、Ｃｒ70（Ｓｉ
Ｏ2）30からなる第一ギャップ膜４ａ、４ｂの厚さは、
２００〜７００Å、Ａｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３
ａ、３ｂの厚さは２００〜７００Å程度とすることが望
ましい。また、前記第一ギャップ膜４ａ、４ｂはＣｒ70
（ＳｉＯ2）30の組成の薄膜に限らずＣｒ化合物でも可
能であり、第二ギャップ膜３ａ、３ｂは、Ａｌ2Ｏ3薄膜
に限らず、Ａｌ単体又はＡｌ化合物でも可能である。
【００２１】尚、上記金属磁性層２ａ、２ｂは、スパッ
タ、蒸着等の薄膜形成装置により作製する。また、前記
金属磁性層２ａ、２ｂ中にＣを添加する方法としては、
ターゲット板上にグラファイトのペレットを配置して複
合ターゲットとし、これをスパッタする方法、あるい
は、Ｃを含まないターゲット（Ｆｅ−Ｔ−Ｍ系）を用
い、Ａｒ等の不活性ガス中にメタン（ＣＨ4）等の炭化
水素ガスを混合したガス雰囲気中でスパッタする反応性
スパッタ法を用いることができる。また、Ｃｒ70（Ｓｉ
Ｏ2）30からなる第一ギャップ膜４ａ、４ｂを形成する
手段としては、スパッタ、蒸着法などを用い、Ａｌ2Ｏ3
からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂを形成する手段とし
てもスパッタ、蒸着法などを用いる。
タ、蒸着等の薄膜形成装置により作製する。また、前記
金属磁性層２ａ、２ｂ中にＣを添加する方法としては、
ターゲット板上にグラファイトのペレットを配置して複
合ターゲットとし、これをスパッタする方法、あるい
は、Ｃを含まないターゲット（Ｆｅ−Ｔ−Ｍ系）を用
い、Ａｒ等の不活性ガス中にメタン（ＣＨ4）等の炭化
水素ガスを混合したガス雰囲気中でスパッタする反応性
スパッタ法を用いることができる。また、Ｃｒ70（Ｓｉ
Ｏ2）30からなる第一ギャップ膜４ａ、４ｂを形成する
手段としては、スパッタ、蒸着法などを用い、Ａｌ2Ｏ3
からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂを形成する手段とし
てもスパッタ、蒸着法などを用いる。
【００２２】しかし、上記のように作製したままの膜
は、アモファス相をかなりの割合で含んだものであり、
不安定であるため、５５０℃程度に加熱する熱処理を施
すことによって微結晶を析出させることが必要である。
は、アモファス相をかなりの割合で含んだものであり、
不安定であるため、５５０℃程度に加熱する熱処理を施
すことによって微結晶を析出させることが必要である。
【００２３】従って、上記構成からなる本実施例の磁気
ヘッドは、Ｃｒ70（ＳｉＯ2）30からなる第一ギャップ
膜及びＡｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜の２層構造より
なるギャップ膜とすることにより、前記金属磁性層と磁
気コア半体における変質層を防ぐとともに、前記金属磁
性層とギャップ層における膜付着力を向上させ、膜はが
れを回避することができる。
ヘッドは、Ｃｒ70（ＳｉＯ2）30からなる第一ギャップ
膜及びＡｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜の２層構造より
なるギャップ膜とすることにより、前記金属磁性層と磁
気コア半体における変質層を防ぐとともに、前記金属磁
性層とギャップ層における膜付着力を向上させ、膜はが
れを回避することができる。
【００２４】そして、上述した成膜後の熱処理により、
膜の密着度を安定させるとともに、膜中の成分を拡散さ
せる効果を奏する。よって、前記金属磁性層２ａ、２ｂ
側にＡｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂを配す
ることにより、ギャップ突き合わせ面に近い方が、磁気
コア半体１ａ、１ｂに近い位置より飽和磁束密度が高く
なり、従来、磁気コアの飽和磁束密度の低さに起因して
起こっていた記録磁界、磁界勾配の飽和という現象を避
け、また、第一ギャップ膜４ａ、４ｂ、第二ギャップ膜
３ａ、３ｂ及び金属磁性層２ａ、２ｂ等の複数の薄膜層
の存在によって、これらの薄膜層の有する飽和磁束密度
の高さを有効に利用し、記録磁界勾配の改善を図ること
が可能である。
膜の密着度を安定させるとともに、膜中の成分を拡散さ
せる効果を奏する。よって、前記金属磁性層２ａ、２ｂ
側にＡｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂを配す
ることにより、ギャップ突き合わせ面に近い方が、磁気
コア半体１ａ、１ｂに近い位置より飽和磁束密度が高く
なり、従来、磁気コアの飽和磁束密度の低さに起因して
起こっていた記録磁界、磁界勾配の飽和という現象を避
け、また、第一ギャップ膜４ａ、４ｂ、第二ギャップ膜
３ａ、３ｂ及び金属磁性層２ａ、２ｂ等の複数の薄膜層
の存在によって、これらの薄膜層の有する飽和磁束密度
の高さを有効に利用し、記録磁界勾配の改善を図ること
が可能である。
【００２５】さらに、第一ギャップ膜４ａ、４ｂ及び第
二ギャップ膜３ａ、３ｂと２層構造にすることにより、
前記金属磁性膜２ａ、２ｂの膜構成すなわち柱状晶の成
長方向は、ギャップ部近傍に沿って一方向に平行に揃っ
た均一なものとなる。このため、本発明による磁気ヘッ
ドは、磁路に沿った方向で、前記金属磁性層２ａ、２ｂ
の全体が高い透磁率を示すようになり、高い記録再生出
力が得られる。
二ギャップ膜３ａ、３ｂと２層構造にすることにより、
前記金属磁性膜２ａ、２ｂの膜構成すなわち柱状晶の成
長方向は、ギャップ部近傍に沿って一方向に平行に揃っ
た均一なものとなる。このため、本発明による磁気ヘッ
ドは、磁路に沿った方向で、前記金属磁性層２ａ、２ｂ
の全体が高い透磁率を示すようになり、高い記録再生出
力が得られる。
【００２６】ここで、上記構成からなる第一構成例の磁
気ヘッドのＡｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂ
の厚さに対するギャップ部（４ａ、４ｂ及び３ａ、３
ｂ）の抗折力を図２に示すような装置によって測定し
た。図２の測定装置中の符号１０は治具であり、１１
は、ばねばかりである。そして、符号１２は接合したチ
ップ、１３はロット状の測定子である。また、前記チッ
プ１２は、図１に示した一対の磁気コア半体１ａ、１ｂ
と、それらの間に設けられた２層構造を有する第一ギャ
ップ膜４ａ、４ｂ及び第二ギャップ膜３ａ、３ｂとＦｅ
76Ｔａ10Ｃ14などの組成の薄膜からなる金属磁性膜２
ａ、２ｂが設けられたものであり、そして、前記ギャッ
プ膜は、ギャップ突き合わせ面側のギャップ膜にＣｒ70
（ＳｉＯ2）30などの組成の薄膜からなる第一ギャップ
膜４ａ、４ｂを配し、金属磁性層２ａ、２ｂ側のギャッ
プ膜には、Ａｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂ
を配して構成されている。そして、上記のような構成か
らなる抗折力測定装置において、前記治具１０に形成さ
れた凹部に、チップ１２を測定子１３で押さえるように
して挟み、前記測定子１３を前記ばねばかり１１で、矢
印方向に力（Ｆ）を加えることにより、前記チップ１２
の抗折強度を測った。そして、この結果を図３に示し
た。
気ヘッドのＡｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂ
の厚さに対するギャップ部（４ａ、４ｂ及び３ａ、３
ｂ）の抗折力を図２に示すような装置によって測定し
た。図２の測定装置中の符号１０は治具であり、１１
は、ばねばかりである。そして、符号１２は接合したチ
ップ、１３はロット状の測定子である。また、前記チッ
プ１２は、図１に示した一対の磁気コア半体１ａ、１ｂ
と、それらの間に設けられた２層構造を有する第一ギャ
ップ膜４ａ、４ｂ及び第二ギャップ膜３ａ、３ｂとＦｅ
76Ｔａ10Ｃ14などの組成の薄膜からなる金属磁性膜２
ａ、２ｂが設けられたものであり、そして、前記ギャッ
プ膜は、ギャップ突き合わせ面側のギャップ膜にＣｒ70
（ＳｉＯ2）30などの組成の薄膜からなる第一ギャップ
膜４ａ、４ｂを配し、金属磁性層２ａ、２ｂ側のギャッ
プ膜には、Ａｌ2Ｏ3からなる第二ギャップ膜３ａ、３ｂ
を配して構成されている。そして、上記のような構成か
らなる抗折力測定装置において、前記治具１０に形成さ
れた凹部に、チップ１２を測定子１３で押さえるように
して挟み、前記測定子１３を前記ばねばかり１１で、矢
印方向に力（Ｆ）を加えることにより、前記チップ１２
の抗折強度を測った。そして、この結果を図３に示し
た。
【００２７】図３に示す抗折力の測定結果より、第一構
成例の磁気ヘッドの第二ギャップ膜３ａ、３ｂの膜厚を
増加させるほど、ギャップ部の抗折力が向上することが
わかる。第二ギャップ膜３ａ、３ｂとして用いたＡｌ2
Ｏ3薄膜はギャップ部の硬度を高くするとともに、化学
的耐久性を向上させることができる。
成例の磁気ヘッドの第二ギャップ膜３ａ、３ｂの膜厚を
増加させるほど、ギャップ部の抗折力が向上することが
わかる。第二ギャップ膜３ａ、３ｂとして用いたＡｌ2
Ｏ3薄膜はギャップ部の硬度を高くするとともに、化学
的耐久性を向上させることができる。
【００２８】よって、本実施例の磁気ヘッドは、ギャッ
プ突き合わせ面側には、Ｃｒ（ＳｉＯ2）30の組成から
なる第一ギャップ膜４ａ、４ｂを設けることによって、
前記金属磁性層２ａ、２ｂと磁気コア半体１ａ、１ｂに
おける変質層を防ぐとともに、ギャップ膜間の膜付着力
を向上させ、膜はがれを回避し、第一ギャップ膜４ａ、
４ｂ及び第二ギャップ膜３ａ、３ｂからなるギャップ部
の抗折強度を向上させることができる。従って、本発明
の磁気ヘッドは、ギャップ突き合わせ面及び金属磁性層
２ａ、２ｂの層間の密着性を改善し、歩留まりの向上を
図ることができる。
プ突き合わせ面側には、Ｃｒ（ＳｉＯ2）30の組成から
なる第一ギャップ膜４ａ、４ｂを設けることによって、
前記金属磁性層２ａ、２ｂと磁気コア半体１ａ、１ｂに
おける変質層を防ぐとともに、ギャップ膜間の膜付着力
を向上させ、膜はがれを回避し、第一ギャップ膜４ａ、
４ｂ及び第二ギャップ膜３ａ、３ｂからなるギャップ部
の抗折強度を向上させることができる。従って、本発明
の磁気ヘッドは、ギャップ突き合わせ面及び金属磁性層
２ａ、２ｂの層間の密着性を改善し、歩留まりの向上を
図ることができる。
【００２９】
【発明の効果】従って、本発明の磁気ヘッドでは、一対
の磁気コア半体と、それらの間に設けられた磁気ギャッ
プ層と、前記磁気コア半体とギャップ層の間に設けられ
た金属磁性層とを具備してなるメタルインギャップ型の
磁気ヘッドの前記ギャップ層としてＣｒ単体又はＣｒ化
合物からなる第一ギャップ膜及びＡｌ単体またはＡｌ化
合物からなる第二ギャップ膜の２層構造のギャップ膜が
設けられることで、前記金属磁性層と磁気コア半体にお
ける変質層を防ぐとともに、前記金属磁性層とギャップ
層における膜付着力を向上させ、膜はがれを回避し、前
記ギャップ層及びギャップ膜からなるギャップ部の抗折
強度を向上させることができる。
の磁気コア半体と、それらの間に設けられた磁気ギャッ
プ層と、前記磁気コア半体とギャップ層の間に設けられ
た金属磁性層とを具備してなるメタルインギャップ型の
磁気ヘッドの前記ギャップ層としてＣｒ単体又はＣｒ化
合物からなる第一ギャップ膜及びＡｌ単体またはＡｌ化
合物からなる第二ギャップ膜の２層構造のギャップ膜が
設けられることで、前記金属磁性層と磁気コア半体にお
ける変質層を防ぐとともに、前記金属磁性層とギャップ
層における膜付着力を向上させ、膜はがれを回避し、前
記ギャップ層及びギャップ膜からなるギャップ部の抗折
強度を向上させることができる。
【００３０】また、前記金属磁性層側の第二ギャップ膜
にＡｌ又はＡｌ化合物を使用することにより、ギャップ
層近傍のほうが、磁気コア半体に近い位置より飽和磁束
密度が高くなり、従来、磁気コアの飽和磁束密度の低さ
に起因して起こっていた記録磁界、磁界勾配の飽和とい
う現象を避け、また、第一ギャップ膜、第二ギャップ膜
及び金属磁性層等の複数の薄膜層の存在によって、これ
らの薄膜層の有する飽和磁束密度の高さを有効に利用し
て、記録磁界磁界勾配の改善を図ることが可能である。
そして、単一の層を単に厚くした場合において顕著に生
じる渦電流損失の増大や膜応力の増大を薄膜の積層によ
って、抑制され記録特性の向上が促進できる。
にＡｌ又はＡｌ化合物を使用することにより、ギャップ
層近傍のほうが、磁気コア半体に近い位置より飽和磁束
密度が高くなり、従来、磁気コアの飽和磁束密度の低さ
に起因して起こっていた記録磁界、磁界勾配の飽和とい
う現象を避け、また、第一ギャップ膜、第二ギャップ膜
及び金属磁性層等の複数の薄膜層の存在によって、これ
らの薄膜層の有する飽和磁束密度の高さを有効に利用し
て、記録磁界磁界勾配の改善を図ることが可能である。
そして、単一の層を単に厚くした場合において顕著に生
じる渦電流損失の増大や膜応力の増大を薄膜の積層によ
って、抑制され記録特性の向上が促進できる。
【００３１】さらに、上記のように前記金属磁性層とギ
ャップ層の間にギャップ膜を設けることによって、前記
金属磁性膜の膜構成すなわち柱状晶の成長方向は、磁気
ギャップ近傍部に沿って一方向に平行に揃った均一なも
のとなる。このため、本発明による磁気ヘッドは、磁路
に沿った方向で、前記金属磁性層の全体が高い透磁率を
示すようになり、高い記録再生出力が得られる。
ャップ層の間にギャップ膜を設けることによって、前記
金属磁性膜の膜構成すなわち柱状晶の成長方向は、磁気
ギャップ近傍部に沿って一方向に平行に揃った均一なも
のとなる。このため、本発明による磁気ヘッドは、磁路
に沿った方向で、前記金属磁性層の全体が高い透磁率を
示すようになり、高い記録再生出力が得られる。
【図１】図１は、本発明の磁気ヘッドにおける磁気テー
プ摺接面の要部拡大図である。
プ摺接面の要部拡大図である。
【図２】図２は、本発明の磁気ヘッドの第二ギャップ膜
（Ａｌ2Ｏ3）の厚さに対するギャップ部の抗折力を測定
するための測定装置を説明するための図である。
（Ａｌ2Ｏ3）の厚さに対するギャップ部の抗折力を測定
するための測定装置を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明の磁気ヘッドの第二ギャップ膜
（Ａｌ2Ｏ3）の厚さに対するギャップ部の抗折力を示す
図である。
（Ａｌ2Ｏ3）の厚さに対するギャップ部の抗折力を示す
図である。
【図４】図４は、従来の磁気ヘッドの磁気テープ摺接面
の要部拡大図である。
の要部拡大図である。
１ａ 磁気コア半体 １ｂ 磁気コア半体 ２ａ 金属磁性層 ２ｂ 金属磁性層 ３ａ 第二ギャップ膜 ３ｂ 第二ギャップ膜 ４ａ 第一ギャップ膜 ４ｂ 第一ギャップ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−259903（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−247903（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−20208（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−58714（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−298805（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−2413（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−109806（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/127 - 5/255
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の磁気コア半体と、それらの間に設
けられた磁気ギャップ層と、前記磁気コア半体とギャッ
プ層の間に設けられた金属磁性層とを具備してなるメタ
ルインギャップ型の磁気ヘッドにおいて、２層構造から
なるギャップ膜が設けられ、ギャップ層側の第一ギャッ
プ膜はＣｒ化合物から構成され、金属磁性層側の第二ギ
ャップ膜はＡｌ化合物から構成されてなることを特徴と
する磁気ヘッド。 - 【請求項２】 一対の磁気コア半体と、それらの間に設
けられた磁気ギャップ層と、前記磁気コア半体とギャッ
プ層の間に設けられた金属磁性層とを具備してなるメタ
ルインギャップ型の磁気ヘッドにおいて、２層構造から
なるギャップ膜が設けられ、ギャップ層側の第一ギャッ
プ膜はＣｒ化合物から構成され、金属磁性層側の第二磁
気ギャップ膜は、Ａｌ単体から構成されてなることを特
徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】 一対の磁気コア半体と、それらの間に設
けられた磁気ギャップ層と、前記磁気コア半体とギャッ
プ層の間に設けられた金属磁性層とを具備してなるメタ
ルインギャップ型の磁気ヘッドにおいて、２層構造から
なるギャップ膜が設けられ、ギャップ層側の第一ギャッ
プ膜はＣｒ単体から構成され、金属磁性層側の第二ギャ
ップ膜はＡｌ単体から構成されてなることを特徴とする
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038592A JP2947658B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038592A JP2947658B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0628621A JPH0628621A (ja) | 1994-02-04 |
| JP2947658B2 true JP2947658B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=11748657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038592A Expired - Fee Related JP2947658B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2947658B2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP1038592A patent/JP2947658B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628621A (ja) | 1994-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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