JPH0542726B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は高保磁力磁気記録媒体と組み合せて使
用するに適した磁気ヘツドに係り、特に、高飽和
磁束密度の磁性合金膜を使用して構成することに
より、短い記録波長で、高保磁力の磁気記録媒体
に記録再生を行なうのに好適な磁気ヘツドに関す
る。 〔従来技術〕 従来、高飽和磁束密度を有する磁気ヘツドコア
材はセンダスト（Fe−Al−Si合金）のような合
金のバルク材を用いていた。しかし、金属磁性材
をコア材に用いた場合、渦電流損失が問題とな
り、高周波領域における透磁率が得られない欠点
があつた。そのため、薄膜形成技術を用いて、金
属磁性材と絶縁体を交互に積層して多層膜とした
ものをコア材とする検討が盛んに行なわれるよう
になつた。この種の磁気ヘツドは第１図、第２図
に示すものが提案されている。 すなわち、その一つは第１図に示すように、非
磁性基板１０，１０′の上に磁性合金を周知の薄
膜形成方法により多数層に積層した磁性合金膜１
１，１１′を形成し、これを分割して、コイル巻
線窓１２を設け、次にギヤツプ形成面を鏡面研摩
した後、非磁性膜を介して接合して磁気ヘツドコ
アとし、あるいは数個取りのコアブロツクとし、
これから磁気ヘツドコアを切り出していた（例え
ば特開昭48−3609）。このように平面的に形成す
る磁気ヘツドは１個１個を突き合せる方法によつ
て作製せざるを得ないので、生産性が低く、ま
た、製品の特性ばらつきが大きいという欠点があ
つた。 一方、第２図に示す磁気ヘツドは、従来のフエ
ライトコア２０，２０′の作動ギヤツプ近傍部が
磁気的に飽和しないようにするために、作動ギヤ
ツプ２１の近傍部のみを飽和磁束密度の大きい金
属磁性膜２２，２２′をもつて構成した金属磁性
合金膜−フエライトの複合ヘツドである（例えば
特開昭56−41517）。このような構造の磁気ヘツド
は、前者に比して生産性は格段に良好であるが、
フエライトと金属磁性膜の境界部２３，２３′が
作動ギヤツプ２１と平行部を有すると境界部が疑
似ギヤツプとして作動する欠点があつた。また、
特開昭56−169214にはフエライトと金属磁性膜の
境界部が作動ギヤツプと平行部を持たないように
構成された磁気ヘツドが提案されている。 しかし、上記従来技術には、特性上、次のよう
な欠点のあることが判つた。 すなわち、前述した複合型磁気ヘツドは、その
大部分がフエライトで構成されており、フエライ
トの摺動雑音が大きいこと、特に高周波領域
（8MHz以上）で大きな雑音を生じることが判つ
た。また、コアの大部分がフエライトで構成され
ているため、励磁用のコイル巻線を多くするとイ
ンダクタンスが大きくなつてしまつて巻線を多く
できないという欠点があつた。 〔発明の目的〕 本発明は上記従来の欠点を解消し、広帯域にお
いて好適な記録再生特性を有し、摺動雑音が小さ
く耐摩耗性にも優れ、擬似ギヤツプの問題を回避
し、しかも、量産性に適した磁気ヘツドおよびそ
の製造方法を提供するものである。 〔発明の概要〕 本発明の磁気ヘツドは、ほぼＶ字状の断面形状
を有し、磁気回路を構成する１対の金属磁性体膜
が非磁性ギヤツプ材を介してその突起部におい
て、互いに突き合わせてなり、該Ｖ字状の形状の
断面部分が磁気記録媒体対抗面に露出し、該１対
の金属磁性体膜の該突起部の先端は互に平行で且
つ磁気記録媒体走行方向にほぼ直角な平面であ
り、該平面と該磁気記録媒体対抗面との交線で示
される該平面の幅はトラツク幅に対応し、少なく
とも一方の該金属磁性体膜はコイル巻線窓を有
し、且つ該金属磁性体膜は該Ｖ字状に対応する形
状の突起部を有する非磁性保護材上に形成されて
なることを特徴とする磁気ヘツドである。 ほぼＶ字状の断面形状を有する１対の金属磁性
体膜が、Ｖ字状に対応する形状の突起部を有する
非磁性保護膜上に形成され、この金属磁性体膜が
突起部で突き合わされて作動ギヤツプを形成して
いるため、金属磁性体膜と非磁性保護膜の境界部
が作動ギヤツプと平行な部分が少なく、疑似ギヤ
ツプの心配が少ない。さらに磁気ヘツドの大部分
が非磁性体であるため、フエライト雑音やインダ
クタンス増大の問題もない。本発明において注意
を要することは、本発明においては従来のヘツド
と異なりフエライトを使用せずヘツドの大部分が
非磁性体であるため、実質上磁路を形成するのは
金属磁性体膜のみであるということである。従つ
て金属磁性体膜はそれのみで磁路を形成するよう
な形状をとる必要がある。また、磁路に磁束を発
生させるため、金属磁性体膜自体がコイル巻線窓
を有する必要がある。 また、本発明では金属磁性体膜がコイル巻線窓
を有する。コイル巻線窓の様な複雑な形状を有す
る金属磁性膜は、単純な平面に形成された膜と異
なり形成上特性が不均一になりやすい。本発明で
は磁路の実効的断面積が小さいため、磁路を形成
する金属磁性膜の特性の不均一は好ましくない。
この点、非晶質磁性膜を金属磁性膜に用いれば、
金属磁性膜の形成過程における結晶粒の疎密、欠
陥の問題が解消され、均一な特性が得られるた
め、本発明に特に好適である。 本発明の磁気ヘツドは、高飽和磁束密度の金属
磁性体膜で磁気回路が構成され、周囲の保護材を
非磁性材として摺動雑音の低減を図り、前記非磁
性材はフエライトと同等又はそれ以上の耐摩耗性
材料とすることによつて長寿命化を図るようにし
てある。さらに、本発明の磁気ヘツドは薄膜形成
技術を用いて製造することができ、量産性に適し
たヘツド構造を有するものである。すなわち、突
き合わせ面がトラツク幅に対応する平坦部を有
し、略Ｖ字状の一対の金属磁性体膜がその凸状部
において非磁性ギヤツプ材を介して互いに突き合
せてなり、少なくとも一方にコイル巻線窓を設け
て磁気回路が構成され、該金属磁性体膜が非磁性
保護材上に形成されてなる磁気ヘツドである。し
たがつて、大きな非磁性基板に多数の突起部を形
成するための溝を有し、この面に金属磁性体膜を
形成し、その突起部がギヤツプ突き合せ部とな
り、従来のフエライト磁気ヘツドの製造工程の大
部分がそのまま使用可能となり、同時に多数の磁
気ヘツドコアが得られる。また、突起部の両側面
に形成された金属磁性体膜の厚みの和がトラツク
幅となるので、従来の平面形状に金属磁性体膜を
形成した第１図に示すタイプの磁気ヘツドより、
短時間に目的の厚みが得られる。 前記金属磁性体膜は飽和磁束密度が高く（好ま
しくは8000ガウス以上）、且つ磁歪が０付近の高
磁率透材料であれば何でもよいが、代表的なもの
としては周知のFe−Si合金、Fe−Al−Si合金
（いわゆるセンダスト系合金）、Ni−Fe合金（い
わゆるパーマロイ系合金）および各種の高透過磁
率非晶質合金等を挙げることができる。透磁率は
高い程よいが、通常、少なくとも5MHzで500以上
とする。また、例えばSiO₂，Al₂O₃のような非磁
性絶縁体からなる厚さ100Å〜1μmの非磁性体層
と前記金属磁性体膜とを交互に積層した磁性体で
もよい。金属磁性体膜の厚さは、ほぼトラツク幅
の１／２程度とするが、その磁気ヘツドのトラツ
ク幅および、必要とする該金属磁性体膜の記録媒
体摺動方向におけるＶ字型の凸状部の厚さ（第６
図のtmに相当）との関連で定めるものとする。
上記金属磁性体膜のＶ字型の凸状部の厚さは、通
常0μm〜50μmとする。なお、このように、磁性
体層と非磁性体層を交互に積層することにより磁
気特性を向上せしめることは周知である。一方、
前記金属磁性体膜を被着する保護材料は耐摩性を
有する、非磁性フエライト、Al₂O₃、高融点ガラ
スあるいは一般に知られているセラミツクス等の
非磁性基板が用いられる。前記非磁性基板の一組
のＶ字状溝の側面に設けられた金属磁性体膜の上
にさらに保護材として非磁性材を設けることによ
つて、磁気ヘツドの耐摩耗性を確保するのに効果
があり、また、ヘツド製造工程で行なわれるガラ
ス接合等の工程において金属磁性体膜とガラスと
の反応を保護する効果がある。 また、金属磁性体膜の下層、上層面にCu，Al，
CuAg合金等高導電材料を設けることによつて作
動ギヤツプ以外の部分での漏洩磁束の損失を少な
くすることができる。 上述した本発明の、磁気ヘツドは、）少なく
とも一対のコアブロツクが得られ、多数のヘツド
コアが得られる非磁性ブロツクのギヤツプ形成側
の面に、コイル巻線用の窓となる溝を形成する工
程、）工程）を終了した前記非磁性ブロツク
のギヤツプ形成側の面に、前記コイル巻線用溝と
ほぼ直交するように中央部に突起を挾持するよう
に隣接し、少なくともコイル巻線用溝より深い２
本の溝を１組とする溝を平行に複数本設ける工
程、）工程）を終了した前記非磁性ブロツク
のギヤツプ形成側の面の少なくとも前記溝面上に
高透磁率金属磁性体を被着せしめる工程、）前
記金属磁性体が表面に被着されている前記溝に非
磁性材を充填する工程、）前記非磁性材ならび
に金属磁性体の不要部分を除去し、所定のトラツ
ク幅を有するギヤツプ形成面を露呈せしめる工
程、）工程）を終了したブロツクを一対の磁
気ヘツドコアブロツクとなるように切断する工
程、）工程）を終了した前記１対のコアブロ
ツクの少なくとも一方のギヤツプ形成側の面に所
要の厚さの非磁性層を形成する工程、）工程
）を終了した前記１対のコアブロツクのギヤツ
プ形成面を相対峙せしめ、互に接合して一体化す
る工程、および）接合された前記ブロツクを所
定の位置にて切断し、複数個の磁気ヘツドコアを
得る工程を有する方法により容易に製造すること
ができる。 工程）において、前記Ｖ字状の溝は、前記ブ
ロツクのギヤツプ形成側の面の一つの稜から他の
稜にかけて縦断するように設け、工程）のコイ
ル巻線用溝より深く形成される。 工程）において、金属磁性体を被着後上面に
非磁性保護膜を被着することによつて、ヘツド製
造工程において金属磁性体を保護することができ
る。 工程）において、金属磁性体の上面もしくは
上下面に高導電性の非磁性金属を被着することに
よつて作動ギヤツプ以外の部分での漏洩磁束を防
ぐことができる。また、さらにその上に非磁性絶
縁膜を形成してもよい。 工程）において、非磁性充填材はガラスを溶
融して充填してもよく、スパツタリング等の方法
で充填することもできる。 その他、本発明の磁気ヘツドならびにその製造
方法において、本明細書に記載してないことは、
すべて従来技術を踏襲するものである。 また、磁気ヘツドの製造工程の順序は特に規定
するものではない。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の磁気ヘツドの構造および製造方
法について実施例によつて詳しく説明する。 第３図は本発明の代表例を示す磁気ヘツドの斜
視図である。３０，３０′はコア保護材で非磁性
材料が用いられる。耐摩耗性を有することが必要
条件となるので、非磁性フエライト、セラミツ
ク、硬質ガラス等の中から、金属磁性体の種類に
よつて熱膨張係数の近いものが選ばれる。３１，
３１′はヘツドコアを形成する金属磁性体からな
り、Fe−Si，Fe−Al−Si，Ni−Feの結晶質合金
もしくは非晶質合金（Fe−Co−Si−Ｂ系、Co−
Mo−Zr系、Co−Nb−Zr系、Co−Ｗ−Zr系、Co
−Cr−Zr系、Co−Zr−Ｂ系、Co−Ni−Zr系）等
で構成されており、それぞれ、ほぼ磁歪零近傍の
組成を有するもので、スパツタリング、真空蒸着
等の手段で形成される。３２，３２′はコアおよ
び磁性膜の保護材で、ガラスを溶融して充填す
る。３３はギヤツプ突き合せ部でトラツク幅に対
応する平坦部を有する略Ｖ字状の金属磁性体膜が
その凸状部においてギヤツプ幅に対応する非磁性
膜を介して突き合せた作動ギヤツプ部である。こ
のような構造にすることによつて、金属磁性体膜
の作動ギヤツプ面と他端部に平行部を持たせない
ため、アジマス損失によつてクロストークの減少
が図られている。なお、３４はコイル巻線用窓で
ある。 第４図は本発明の他の磁気ヘツドの構造を示す
斜視図である。基本的な構造は第３図と同様であ
る。第３図の３５，３５′に示すように金属磁性
体を被着した後に、非磁性材を高スパツタリング
によつて被着し、ヘツドコアの一部３２，３２′
で接合することによつて金属磁性体の保護および
耐摩耗性向上に効果がある。このようにすれば、
高融点のガラスを充填することができ、さらにガ
ラス以外の非磁性材を用いることができる。場合
によつては３２，３２′のガラス接合をギヤツプ
面および、コイル巻線窓の一部で行なうこともで
きる。なお、それぞれ付記した符号は第３図と同
一である。 なお、第３図、第４図において、巻線コイルの
表示は省略した。 以下本発明の前記磁気ヘツドの種々の製造方法
を実施例によつて詳細に説明する。 本発明の基本的な製造方法の各工程の説明図を
第５図イ〜トに示す。 ） 第５図イは非磁性フエライトよりなるブロ
ツク４０のギヤツプ突き合せ面となる面４１に
コイル巻線用の溝４２を設ける工程である。溝
は先端が台形に成形されたメタルボンド砥石も
しくはレジンボンド砥石が用いられ、高速ダイ
サ等によつて加工される。この時の溝深さｈは
0.3mmとした。なお、非磁性体ブロツクの形状
は一対のコアブロツクとなる形状を示してあ
る。寸法は、ａ＝２mm、ｂ＝15mm、ｃ＝６mmと
した。（以下、第５図イ、第５図ロ等に対応す
る工程を工程イ、工程ロ等とする）。 ） 工程ロは前記ブロツク４０に形成した、コ
イル巻線溝４２に直交して、略Ｖ字状の突起部
を残して隣接する２本の溝４３，４３′を組と
する複数組の溝を平行に設ける工程である。溝
４３，４３′の深さは少なくともコイル巻線溝
４２の深さｈより深くしておく。ここでは、ｈ
＝0.3mmに対して、Ｈ＝0.4〜１mmとした。ま
た、突起部の角度θは５〜20゜とした。この角
度θは、切断した後の磁気ヘツドコア幅を狭く
するときは、狭くする必要がある。好適には7゜
〜15゜となる。 ） 工程ハは工程ロで得られた溝部を含め突起
部全面に金属磁性体膜４４をスパツタリングに
よつて堆積させる工程である。金属磁性体は
Fe−Si合金、Fe−Al−Si合金（センダスト）、
Ni−Fe合金（パーマロイ）等で代表される結
晶質合金であり、非晶質合金はCo−Fe−Si−
Ｂ系で代表される周知のメタル−メタロイド系
合金やCo−Mo−Zr、Co−Nb−Zr、Co−Ｗ−
Zr、Co−Ti等の周知のメタル−メタル系合金
系が用いられる。なお、上述した磁性合金膜の
被着形成の方法ならびに条件は一例をあげると
次のとおりである。 被着方法：マグネトロン型スパツタ装置 被着磁性合金：Co₈₇Nb₅Zr₈非晶質合金 ターゲツト電圧：1kV アルコンガス圧：５×10^-3Torr 被着時基板温度：50〜100℃ 被着速度：6μm／hr 被着膜厚：25μm 被着法は他に真空蒸着、イオンプレーテイン
グ、化学蒸着あるいはメツキ法等でも可能であ
るが、限られた金属でしかできないことや組成
変動が大きい等の難点があり、スパツタリング
法が適している。また、スパツタリング法は付
着強度が高く、溝部にも廻り込みがよいという
利点があり本発明法に対して適している。金属
磁性体膜の堆積は、必要ならば、前述のように
非磁性物質と交互に積層した多層膜としてもよ
い。 ） 工程ニは工程ハで得られた金属磁性体膜４
４の上に少なくとも残りの溝部が埋まる程度に
非磁性材４５を充填する工程である。非磁性材
４５はガラス、セラミツク系の無機接着材ある
いは硬質の樹脂が用いられる。安定性の面から
ガラスが適している。ガラス材は金属磁性体膜
４４が結晶質合金であれば、作業温度が800℃
以下の広い範囲で選ぶことが可能である。一方
非晶質合金の場合は少なくとも結晶化温度以下
のものが選ばれ、一般に、作業温度が500℃以
下の低融点ガラスにする必要がある。 ） 工程ホは工程ニで得られたブロツクの不要
の非磁性材および金属磁性体膜を除去し、所要
のトラツク幅ｔの金属磁性体膜からなる作動ギ
ヤツプ形成面を露呈させる工程である。除去法
は研削および研摩によつて行なわれ、ギヤツプ
突き合せ面を同時に得るため、最終仕上げは鏡
面研摩面とする。トラツク幅は非磁性体の突起
部が現われない範囲で任意に設定することが可
能である。次に、ブロツク４０を一点鎖線Ａで
切断し、一対のコアブロツク４７，４８を得
る。 ） 工程ヘは工程ホで得られた一対のコアブロ
ツク４７，４８のギヤツプ形成面（コアブロツ
ク突き合せ面）にSiO₂、ガラス等の非磁性材
を所要の厚さ（約0.25μm）にスパツタリング
してギヤツプ形成膜とし、該一対のコアブロツ
クの金属磁性体膜の突起部が規凍定のトラツク
幅となるように突き合せ、加圧しながら、、充
填ガラス４５が溶融する温度に加熱し、接合ブ
ロツク４９を得る。このようにして得られた接
合ブロツクは金属磁性体膜が突き合されて形成
されトラツク部を中心に一点鎖線ＣおよびC′で
順次切断することによつてコア厚みＴの磁気ヘ
ツドコアを得る。場合によつてはＢおよび
B′で切断して、所要のコア幅を得る。 ） このようにして得られた磁気ヘツドコア５
０を第５図トに示す。ここで、４４，４４′は
本発明の磁気ヘツドの磁気回路を構成する金属
磁性体、５２，５２′は磁気コアの非磁性保護
材、４５，４５′は金属磁性体の側面を保護す
る充填ガラス、５１は作動ギヤツプ、５３はコ
イル巻線用窓、Ｔは磁気コアの厚みを示す。 第６図は第５図トの磁気ヘツドコアから、主
要部の金属磁性体部を取り出して示した斜視図
である。突き合せ面がトラツク幅に対応する平
坦部を有し、略Ｖ字状一対の金属磁性体がギヤ
ツプ材を介して突き合せた構造となつている。
ここでt_wはトラツク幅で約25μmとした。また、
t_nは磁気記録媒体摺動方向における金属磁性体
層の凸状部の厚さで10μmとした。 次に本発明の他の実施例になる磁気ヘツドを第
７図に示す。６１，６１′は磁気回路を構成する
一対の金属磁性体膜で、突起部を有する非磁性保
護材６０，６０′の上に形成され、６２，６２′は
金属磁性体膜の上にさらに保護材として耐摩耗性
に優れ高融点の非磁性材をスパツタリング法によ
つて形成する。６３，６３′はガラスのような接
合材で２個のコアを接着するために用いる。６４
はコイル巻線用窓である。このようにすれば、強
固な保護材が容易に形成されコア接着工程におい
てガラスと金属磁性体膜との反応を防ぐことがで
きトラツク幅となる端部が精度よく形成すること
ができる。第７図において巻線コイルの表示は省
略してある。第７図に示す磁気ヘツド、の劾簡単
な製造法を第８図イ，ロに示す。第８図中イは非
磁性保護材６０のギヤツプ突き合せ面となる面に
多数の突起部を形成するように台形の溝入れを行
ない、その上に金属磁性体膜６１をスパツタリン
グ法によつて形成し、その上に、さらに、Al₂O₃
保護膜６２を形成する工程である。この工程は前
記実施例の第５図工程ハに対応して行なわれる。
次に、第８図ロは残りの溝部にガラス６３を充填
して後、研削、研摩工程によつてトラツク幅t_w得
る工程である。この工程は、第５図の工程ニを経
た工程ホに対応する。以下、第５図の製造工程に
よつて磁気ヘツドコアを製造する。また、場合に
よつては接着材６３をすべて保護材６２で形成し
てもよい。その場合、接着部は、ギヤツプ突き合
せ面およびコイル巻線窓の一部で行なうことがで
きる。 さらに、本発明の他の実施例は第８図イにおい
て、非磁性保護材６０の突起部に高導電性を有す
るCuの層を形成し、次に金属磁性体膜６１を形
成して後さらにCuの層を形成する構造からなる。
場合によつては最後に非磁性絶縁膜を形成して保
護材とし、以下前記本発明法で説明工程を経て磁
気ヘツドコアを製造する。本発明法のヘツド構造
によれば、作動ギヤツプ以外の部分での漏洩磁束
を減じる効果があり、効率のよい磁気ヘツドが得
られる。 次に、非磁性保護材の突起部の形状に関する他
の実施例を第９図イ、ロに示す。すなわち、第９
図イに示すように非磁性保護材６０に形成される
突起部の先端部を矩形状にすることもできる。こ
の場合先端面６６は後で形成される作動ギヤツプ
と平行部を持たないように傾斜させるようにして
おくことが好ましい。この傾斜面は本発明の実施
例を示す第５図イの前の工程で形成しておくとよ
い。次に、第９図イの工程後第５図に示した工程
によつて、金属磁性体膜６１の形成、ガラス６２
の充填、および上面研摩を順次行なうことによつ
て第９図ロの形状として、トラツク幅t_wを得るこ
とができる。このようにすれば、非磁性保護材の
突起部の幅t_w′をあらかじめ規定し、所要の金属
磁性体膜を形成することによつて、容易にトラツ
ク幅t_wを得ることができる。 次に、従来の磁気ヘツドと本発明の磁気ヘツド
の雑音レベルについて比較した例を第１０図、第
１１図によつて説明する。第１０図は従来例を示
す図で、例えば第３図において非磁性保護材３
０，３０′を磁性フエライトに置換した構造の場
合の周波数と各雑音レベルとの関係を示したもの
である。ここで、７０はアンプ雑音、７１は摺動
雑音、７２はAC消去雑音、７３は全雑音を示す。
用いた記録媒体は保持力1400Oeのメタルテープ
である。同様にして、第１１図は本発明法による
第３図、第４図に示す磁気ヘツドによる各雑音レ
ベルを示したもので、磁気回路を金属磁性体で構
成し、保護材３０，３０′として非磁性材を付加
した構造を有する磁気ヘツドである。ここで注目
すべきことは、保護材をフエライトで構成した場
合（第１０図の場合）、特に８〜9MHzの高周波領
域７４に急激に摺動雑音が増加することである。
一方、保護材を非磁性材とすることによつて、第
１１図に示すように、摺動雑音はほとんど現われ
ないことがわかつた。これによつて、本発明の磁
気ヘツドは高周波領域における再生出力が1dB以
上向上することがわかつた。また、第１図の従来
のストレート型の磁気ヘツドよりも、高保磁力メ
タルテープと組み合せた場合の記録再生特性の優
れたものがが得られることんも確認した。 〔発明の効果〕 以上説明したごとく本発明の磁気ヘツドは、高
保磁力を有する記録媒体にも十分記録可能な高飽
和磁束密度の金属磁性体で磁気コアを形成し、高
耐摩耗性を有する非磁性保護材と組み合せ、薄膜
形成技術用いた構造で量産性が高く、かつ、低雑
音で記録および再生特性の優れた狭トラツク磁気
ヘツドとなつている。また、この磁気ヘツドは、
本発明の製造方法により、極めて容易に製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来の磁気ヘツドの斜視図、
第３図、第４図は本発明の一実施例における磁気
ヘツドの斜視図、第５図イ〜トは本発明の磁気ヘ
ツドの製造方法の一実施例における各工程の説明
図、第６図は本発明の磁気ヘツドの主要磁性体部
を示す斜視図、第７図は本発明の他の実施例にお
ける磁気ヘツドの斜視図、第８図イ，ロは本発明
の他の実施例における加工されたブロツクの断面
図、第９図イ，ロは本発明の他の実施例における
非磁性保護材突起部の断面形状を示す図、第１０
図、第１１図は従来の磁気ヘツドと本発明の磁気
ヘツドの周波数領域による各雑音レベルの変化を
比較したグラフである。 ３０，３０′…非磁性保護材、３１，３１′…金
属磁性体膜、３３…作動ギヤツプ、３４…コイル
巻線用窓、３２，３２′…保護および接着材、３
５…保護膜、４０…非磁性ブロツク、４２…コイ
ル巻線用溝、４３，４３′…突起部形成溝、４４，
４４′，６１，６１′…金属磁性体膜、４５，６３
…保護ガラス、４７，４８…コアブロツク、５０
…磁気ヘツドコア、５１…作動ギヤツプ、５２，
５２′，６０，６０′…非磁性保護材、５３，６４
…コイル巻線窓、６３…保護膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ほぼＶ字状の断面形状を有し、磁気回路を構
   成する１対の金属磁性体膜が非磁性ギヤツプ材を
   介してその突起部において互いに突き合わせてな
   り、該Ｖ字状の形状の断面部分が磁気記録媒体対
   抗面に露出し、該１対の金属磁性体膜の該突起部
   の先端は互に平行で且つ磁気記録媒体走行方向に
   ほぼ直角な平面であり、該平面と該磁気記録媒体
   対抗面との交線で示される該平面の幅はトラツク
   幅に対応し、少なくとも一方の該金属磁性体膜は
   コイル巻線窓を有し、且つ該金属磁性体膜は該Ｖ
   字状に対応する形状の突起部を有する非磁性保護
   材上に形成されてなることを特徴とする磁気ヘツ
   ド。 ２ 前記金属磁性体膜のコイル巻線窓は、前記Ｖ
   字状に対応する形状の突起部の少なくとも一方に
   形成された切り欠き部上に、金属磁性体を被着す
   ることにより形成されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツド。 ３ 前記金属磁性体膜が非晶質合金からなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項の
   いずれかの項に記載の磁気ヘツド。 ４ 前記金属磁性体膜の上面に非磁性絶縁膜を形
   成してなることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項乃至第３項のいずれかの項に記載の磁気ヘツ
   ド。 ５ 前記金属磁性体膜の上面もしくは上下面に非
   磁性高導電体膜を形成することを特徴とする特許
   請求の範囲第１項乃至第４項のいずれかの項に記
   載の磁気ヘツド。 ６ 前記金属磁性体膜の上面に非磁性高導電体膜
   を形成し、さらにその上面に非磁性絶縁膜を形成
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
   第５項のいずれかの項に記載の磁気ヘツド。 ７ ）非磁性ブロツクのギヤツプ形成側の面
   に、コイル巻線用の窓となる溝を形成する工程、
   ）工程）を終了した前記非磁性ブロツクのギ
   ヤツプ形成側の面に、前記コイル巻線用溝とほぼ
   直交するように中央部に突起を挾持するように隣
   接し、少なくともコイル巻線用溝より深い２本の
   溝を１組とする少なくとも１組の溝を平行に設け
   る工程、）工程）を終了した前記非磁性ブロ
   ツクのギヤツプ形成側の面の少なくとも前記溝面
   上に高透磁率金属磁性体を被着せしめる工程、
   ）前記金属磁性体が表面に被着されている前記
   溝に非磁性材を充填する工程、）前記非磁性材
   ならびに金属磁性体の少なくとも一部を除去し、
   前記金属磁性体の一部が露出したギヤツプ形成面
   を露呈せしめる工程、）工程）を終了したブ
   ロツクを一対の磁気ヘツドコアブロツクとなるよ
   うに切断する工程、）工程）を終了した前記
   １対のコアブロツクの少なくとも一方のギヤツプ
   形成面に所要の厚さの非磁性層を形成する工程、
   ）工程）を終了した前記１対コアブロツクの
   ギヤツプ形成面を相対峙せしめ、互いに接合して
   一体化する工程、および）接合された前記ブロ
   ツクを所定の位置にて切断し、複数個の磁気ヘツ
   ドコアを得る工程を有することを特徴とする磁気
   ヘツドの製造方法。 ８ 前記工程）において、金属磁性体を被着後
   上面に非磁性保護膜を被着することを特徴とする
   特許請求の範囲第７項記載の磁気ヘツドの製造方
   法。 ９ 前記工程）において、金属磁性体を前記非
   磁性ブロツクのギヤツプ形成側の面の全面にわた
   つて被着することを特徴とする特許請求の範囲第
   ７項記載の磁気ヘツドの製造方法。