JP2903668B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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Description
部の強度向上に関する。
積回路のボンディングパッド部に於て、ボンディングワ
イヤーが接続される配線層(以下パッド部の配線層と呼
ぶ)と、その下方に位置する基板を、半導体集積回路製
造過程に形成される保護膜または、絶縁膜(以下絶縁膜
と呼ぶ)の一部または、全てを除去し、直接接続するこ
とにより、パッド部の配線層のはがれ強度の大幅な向上
を可能とし、半導体集積回路実装の品質の向上と、回路
パターン設計におけるボンディングパッドの形状およ
び、サイズ縮小への自由度が高まることによる設計工数
削減、チップサイズの縮小によるコストダウンを実現し
たものである。
される保護膜または、絶縁膜(以下絶縁膜と呼ぶ)上
に、設計された回路パターン形状を実現するのみであ
り、パッド部の配線層と絶縁膜の接触によってはがれ強
度を確保するものであった。
集積回路の断面図である。
配線層、2はパッド部の下方に位置する基板、3は配線
層間を絶縁、保護する絶縁膜、5は半導体集積回路表面
を保護し、パッド開口部が取り除かれた保護膜である。
は、パッド部の配線層1と絶縁膜3の接触面積に依存す
るものであった。
がれ強度は、絶縁膜とボンディングパッド部の配線材の
接触面積に比例するものであり、はがれ強度を確保する
ため、ボンディングパッドのサイズを大きくしなければ
ならない。
ドの必要面積を確保することは、高密度及び、多入出力
回路を保有するパターンを設計する上での制限となる等
の問題点を有する。
で、その目的とするところは、パターン設計納期の短縮
とチップサイズの縮小によるコストの削減を実現し、品
質の高い小型で低コストの半導体集積回路及び、半導体
集積回路組立品を提供するところにある。
体基板上に設置された絶縁膜と、前記絶縁膜上に設置さ
れたパッドとなる配線層と、前記絶縁膜及び前記パッド
となる配線層上に設置され前記パッド部に対応する部分
にパッド開口部を有する保護膜と、を有する半導体集積
回路において、 複数の開口を設けた前記絶縁膜と、 前記開口部において、前記パッドとなる配線と前記半
導体基板とにより形成された共晶と、 前記半導体基板に設けられた、前記パッドとなる配線
層と他のパッドとなる配線層とを電気的に分離する領域
と、を有することを特徴とする。
断面図である。
配線層、2はパッド部の下方に位置する基板、3は配線
層間を絶縁、保護する絶縁膜、4はパッド部の配線層と
下方の基板を接続するために絶縁膜を除去した部分、5
は半導体集積回路表面を保護し、パッド開口部が取り除
かれた保護膜である。
線層1と基板2を接続するための経路を得るために、絶
縁膜3の一部をプロセス処理の過程で除去することによ
り設ける。
パッド部の配線層1が形成される部分に凹凸が形成さ
れ、平坦な絶縁膜3上にパッド部の配線層1を形成する
場合より接触面積を多く確保でき、はがれ強度の向上が
図れる。
除去部4においてパッド部の配線層1と基板2の間で共
晶状態を生成して密接な接続を図り、第3図で示す従来
の半導体集積回路が、パッド部の配線層1と絶縁膜3の
面接触によって得るはがれ強度より、更に高いはがれ強
度を得ることが可能となり、ボンディングの品質向上が
図れる。
れ強度が得られるため、ボンディングパッド自体の占め
る面積を小さくすることができると同時に、ボンディン
グパッドの形状に対する自由度が高まり、半導体集積回
路の設計条件が緩和され、チップの小型化や多入出力対
応が容易となりコストダウンが図れる。
したのでは、複数のパッドと基板2は当然接続されるこ
ととなり、パッド間にショートが発生し、各パッドの信
号及び、電位の確保が不可能となる。この現象を回避す
るには、各パッド下のパッドと接続する基板領域の電気
的分離を行えばよい。
造を造れば容易に実現可能である。
のパッドに接続される基板領域をP+拡散層とする方
法、また、P−領域とする方法が考えられる。
に実現可能である。但し、もとの基板の電位と同等のパ
ッドについては、この処理が不要であることは言うまで
もない。
に対しても吸収することが可能であり、静電気耐圧の向
上と言った効果も得られる。また、ジャンクション領域
を拡散することにより、実効的にコンデンサとしての効
果を持たせることも可能である。
いる場合に本発明を応用した1実施例を示す半導体集積
回路の断面図である。
ンディングパッド部の1層目の配線層、8は1層目の配
線層と2層目の配線層を絶縁する絶縁膜、9は半導体集
積回路表面の保護膜である。
例を示したが、それ以上の多層配線に於いても同様の効
果を期待できる。
と基板を接続させる事により、ボンディングパッドサイ
ズの縮小が可能となり、従来と同様のチップサイズでの
多入出力の対応による付加価値の向上または、チップの
小型化による低コスト化につながると共に、半導体集積
回路チップの品質向上と、ボンディング品質の高い半導
体集積回路を提供出来るという効果を有する。
要断面図。 第2図は、ボンディングパッド部が2層配線となってい
る場合に本発明を応用した1実施例を示す半導体集積回
路の断面図。 第3図は、本発明を使用しない従来の例を示す半導体集
積回路の断面図。 1……ボンディングワイヤーとの接続を取るパッド部の
配線層 2……基板 3……絶縁膜 4……パッド部の配線層と下方の基板を接続するために
絶縁膜を除去した部分 5……半導体集積回路表面の保護膜 6……2層目の配線層 7……1層目の配線層 8……1層目と2層目の配線層間の絶縁膜 9……半導体集積回路表面の保護膜
Claims (1)
- 【請求項1】半導体基板と、前記半導体基板上に設置さ
れた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設置されたパッドとなる
配線層と、前記絶縁膜及び前記パッドとなる配線層上に
設置され前記パッド部に対応する部分にパッド開口部を
有する保護膜と、を有する半導体集積回路において、 複数の開口を設けた前記絶縁膜と、 前記開口部において、前記パッドとなる配線と前記半導
体基板とにより形成された共晶と、 前記半導体基板に設けられた、前記パッドとなる配線層
と他のパッドとなる配線層とを電気的に分離する領域
と、を有することを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2192701A JP2903668B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2192701A JP2903668B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0479247A JPH0479247A (ja) | 1992-03-12 |
JP2903668B2 true JP2903668B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16295615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2192701A Expired - Lifetime JP2903668B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2903668B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP2192701A patent/JP2903668B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0479247A (ja) | 1992-03-12 |
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