JP2022018648A - 基板処理装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
42 チャック
100 粗研削部
101 粗研削ホイール
110 中研削部
111 中研削ホイール
120 仕上研削部
121 仕上研削ホイール
130 接触式測定機構
140 非接触式測定機構
150 制御部
W ウェハ
Claims (20)
- 基板を加工処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を研削する第1の研削砥石を備えた第1の研削部と、
前記第1の研削部で研削された後に前記基板保持部に保持された前記基板を研削する、前記第1の研削砥石の砥粒の粒度より小さい粒度の砥粒を含む第2の研削砥石を備えた第2の研削部と、
前記基板の径方向の複数点の厚みを測定する測定部と、
前記基板保持部、前記第1の研削部、前記第2の研削部及び前記測定部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記第1の研削砥石を用いて前記基板保持部のセルフグラインドを行うことと、
前記セルフグラインド後の前記基板保持部で前記基板を保持することと、
前記基板保持部に保持された前記基板を前記第1の研削砥石で研削することと、
前記第1の研削砥石で研削された後の前記基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、
前記測定部で測定された前記基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲内であるか否かを判定することと、を実行するように、前記基板保持部、前記第1の研削部及び前記測定部を制御する、基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記基板保持部に保持された前記基板を前記第2の研削砥石で研削することと、
前記第2の研削砥石で研削された後の前記基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、を実行するように、前記第2の研削部及び前記測定部を制御する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記セルフグラインド前に測定された前記基板保持部の保持面の高さ位置に基づいて、前記セルフグラインドにおける前記基板保持部の研削量を設定する、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記測定部の測定結果に基づいて、前記基板の厚みが局所的に許容範囲から外れている場合に前記セルフグラインドを行うように、前記第1の研削部を制御する、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部を複数備え、
前記制御部は、少なくとも1つの前記基板保持部で保持された前記基板に対する前記測定部の測定結果に基づいて、前記基板の厚みが局所的に許容範囲から外れている場合に、すべての前記基板保持部に対して前記セルフグラインドを行うように、前記第1の研削部を制御する、請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記セルフグラインド後の前記第1の研削砥石を、ドレスボードを用いてドレスするように、前記第1の研削部及び前記ドレスボードの前記基板保持部への搬送を制御する、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記セルフグラインド、前記第1の研削砥石のドレス、前記第1の研削砥石による前記基板の研削、及び前記測定部による前記基板の厚み測定を連続して実行するように、前記第1の研削部、前記測定部、前記ドレスボードの前記基板保持部への搬送、及び前記基板の前記基板保持部への搬送を制御する、請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記セルフグラインド後、前記測定部における基準高さの調整を、基準基板を用いて行うように、前記測定部及び前記基準基板の前記基板保持部への搬送を制御する、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記セルフグラインド後に測定された前記基板保持部の保持面の高さ位置に基づいて、前記第1の研削砥石及び前記第2の研削砥石の高さ調整を行うように、前記第1の研削部、前記第2の研削部及び前記測定部を制御する、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、
前記セルフグラインド後の前記基板保持部で検査用基板を保持することと、
前記基板保持部に保持された前記検査用基板を前記第1の研削砥石で研削することと、
前記第1の研削砥石で研削された後の前記検査用基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、
前記測定部で測定された前記検査用基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲内である場合に、製品用基板の加工処理を行うことと、を実行するように、前記基板保持部、前記第1の研削部及び測定部を制御する、請求項1~9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記測定部で測定された前記検査用基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲から外れている場合に、再度、前記基板保持部のセルフグラインドを行うように、前記第1の研削部を制御する、請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記セルフグラインドと前記第1の研削砥石による前記基板の研削をそれぞれ、前記基板保持部を回転させながら行うように、前記基板保持部及び前記第1の研削部を制御し、
前記セルフグラインドにおける前記基板保持部の回転速度は、前記基板の研削における前記基板保持部の回転速度より遅い、請求項1~11のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板を加工処理する基板処理方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板処理装置は、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を研削する第1の研削砥石を備えた第1の研削部と、
前記第1の研削部で研削された後に前記基板保持部に保持された前記基板を研削する、前記第1の研削砥石の砥粒の粒度より小さい粒度の砥粒を含む第2の研削砥石を備えた第2の研削部と、
前記基板の径方向の複数点の厚みを測定する測定部と、を備え、
前記基板処理方法は、
前記第1の研削砥石を用いて前記基板保持部のセルフグラインドを行うことと、
前記セルフグラインド後の前記基板保持部で前記基板を保持することと、
前記基板保持部に保持された前記基板を前記第1の研削砥石で研削することと、
前記第1の研削砥石で研削された後の前記基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、
前記測定部で測定された前記基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲内であるか否かを判定することと、を含む、記憶媒体。 - 前記基板処理方法は、
前記基板保持部に保持された前記基板を前記第2の研削砥石で研削することと、
前記第2の研削砥石で研削された後の前記基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、を含む、請求項13に記載の記憶媒体。 - 前記基板処理方法では、前記セルフグラインド前に測定された前記基板保持部の保持面の高さ位置に基づいて、前記セルフグラインドにおける前記基板保持部の研削量を設定する、請求項13又は14に記載の記憶媒体。
- 前記基板処理方法では、前記測定部の測定結果に基づいて、前記基板の厚みが局所的に許容範囲から外れている場合に前記セルフグラインドを行う、請求項13~15のいずれか一項に記載の記憶媒体。
- 前記基板処理装置は、前記基板保持部を複数備え、
前記基板処理方法では、少なくとも1つの前記基板保持部で保持された前記基板に対する前記測定部の測定結果に基づいて、前記基板の厚みが局所的に許容範囲から外れている場合に、すべての前記基板保持部に対して前記セルフグラインドを行う、請求項16に記載の記憶媒体。 - 前記基板処理方法では、前記セルフグラインド後の前記第1の研削砥石を、ドレスボードを用いてドレスする、請求項13~17のいずれか一項に記載の記憶媒体。
- 前記基板処理方法では、前記セルフグラインド後、前記測定部における基準高さの調整を、基準基板を用いて行う、請求項13~18のいずれか一項に記載の記憶媒体。
- 前記基板処理方法は、
前記セルフグラインド後の前記基板保持部で検査用基板を保持することと、
前記基板保持部に保持された前記検査用基板を前記第1の研削砥石で研削することと、
前記第1の研削砥石で研削された後の前記検査用基板の径方向の複数点の厚みを前記測定部で測定することと、
前記測定部で測定された前記検査用基板の径方向の複数点の厚みが許容範囲内である場合に、製品用基板の加工処理を行うことと、を含む、請求項13~19のいずれか一項に記載の記憶媒体。
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