DE19543867A1 - Anfas-Schleifanlage für einen Wafer und Verfahren zum Anfas-Schleifen hierfür - Google Patents

Description

Die Erfindung befaßt sich mit einer Anfas-Schleifanlage für einen Wafer, und insbesondere mit einer Anfas-Schleifanlage zum Anfasen eines Umfangs eines aus Silizium hergestellten Wafers und dergleichen, bei dem es sich um ein Material für Halbleiter­ elemente handelt. Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Anfas-Schleifen von derartigen Wafern. Wafer werden auch als Halbleiterscheibchen bezeichnet.

Von einem Material für ein Halbleiterelement, wie einem Silizium-Rohblock, werden dünne Scheiben hiervon in Form von Wafern mit Hilfe einer Schneidmaschine bzw. einer Scheiben­ schneidmaschine abgetrennt. Dann wird ein Umfang des so abge­ trennten Wafers mit Hilfe einer Anfas-Schleifmaschine angefast. Eine Ausricht- bzw. Orientierungsabflachung und/oder eine Kerbe ist am Umfang des Wafers zur Positionierung und/oder Erkennung einer Kristallorientierung, und so weiter, vorgesehen. Die Ausrichtabflachung und die Kerbe müssen am Umfang ebenfalls angefast werden (ein kreisförmiges Teil wird hiervon, abgesehen von der Ausrichtabflachung oder der Kerbe, gebildet).

Fig. 6 zeigt einen Wafer 10, welcher eine Ausrichtung- bzw. eine Orientierungsabflachung 12 umfaßt, bei dem mit D ein Durchmesser des Wafers und mit L eine Spannweite bzw. Erstreckung des Wafers unter Einbeziehung der Orientierungsabflachung 12 bezeichnet ist.

Fig. 7 zeigt einen Wafer 11, welcher eine Kerbe 19 umfaßt, wobei mit D der Durchmesser des Wafers und mit α ein Öffnungswinkel der Kerbe, mit δ ein Winkel, welcher eine Position bzw. Lage der Kerbe 13 am Umfang des Wafers 11 angibt, und mit M eine Spann­ weite bzw. eine Erstreckung des Wafers 11 unter Einbeziehung der Kerbe 13 bezeichnet ist (an der Kerbe wird ein Kreis aus Übersichtlichkeitsgründen angenommen, um die Erstreckung in Fig. 7 anzugeben, und dieser Kreis wird nicht vom Wafer erfaßt).

Fig. 8 zeigt eine Querschnittsgestalt eines angefasten Wafers. In Fig. 8 ist mit T eine Dicke des Wafers, mit Bu und B1 sind beide Erstreckungen eines angefasten Teils, mit Ru und R1 Radien für die Ecken, mit Θu und Θ1 Konuswinkel und mit t eine Dicke eines flachen bzw. abgeflachten Teils des Umfangs bezeichnet. Die vorstehend angegebenen Größen D, L, M, Bu . . . sollten jeweils zulässige Werte annehmen.

Zum Anfasen eines Wafers ist es erforderlich, eine Dicke des Wafers zu kennen, um den Wafer und einen Schleifstein in einer Vertikalrichtung genau zu positionieren. Auch sollte der Wafer auf einem Wafertisch derart festgelegt werden, daß eine Mittel­ achse bzw. ein Mittelpunkt des Wafers mit einem Drehmittelpunkt eines Wafertisches übereinstimmt. In ähnlicher Weise sollte auch die Position und Lage der Orientierungsabflachung 12 oder der Kerbe 13 in genauer Weise bestimmt werden. Eine Anfas-Schleifma­ schine mißt daher die Dicke des Wafers und positioniert eine Mittelachse des Wafers und die Ausrichtungsabflachung 12 oder die Kerbe 13 in genauer Weise.

Zum Anfasen gibt es zwei Arten von Schleifsteinen. Beispielsweise einen trapezoidförmigen Schleifstein 42a, welcher in Fig. 9 gezeigt ist, und einen Schleifstein 42b zum Formdrehen, welcher in Fig. 10 gezeigt ist. Bei dem Schleifstein 42a werden der Wafer 10 und der Schleifstein 42a relativ in vertikaler Richtung bewegt, und jede Seite des Wafers wird gegen einen konischen Abschnitt des Schleifsteins 42a einzeln gedrückt. Andererseits hat die Gestalt der Außenseite des Schleifsteins 42b eine Form in gleicher Weise wie der angefaste Wafer, so daß beide Seiten des Wafers angefast werden können, indem nur der Wafer in den Schleifstein 42b gedrückt wird. Die Schleifsteine nach den Fig. 9 und 10 werden zum Anfasen des Außenumfangs und der Orientierungsabflachung 12 eingesetzt. Der Schleifstein für die Kerbe hat die gleiche Gestalt wie der Außenumfang sowie der Außenumfang und die Orientierungsabflachung. Üblicherweise werden Schleifsteine für eine Kantengrobanfasung und eine Kantenfein­ anfasung jeweils genommen. Auch ist es möglich, den Grobschleif­ stein und den Feinschleifstein in einem Schleifstein zu ver­ einigen.

Fig. 11 ist eine Draufsicht zur Verdeutlichung einer bevorzugten Ausführungsform einer üblichen Anfas-Schleifanlage, und Fig. 12 ist eine Erläuterungsansicht dieser Anlage.

Zwei Zufuhrteile 20 und 20 und Vorbearbeitungseinrichtungen 30 sind wie in den Fig. 11 und 12 angeordnet. Die Wafer 10 (11) sind nicht angefast und in Kassetten 21 untergebracht. Die Kassetten 21 sind an den Zufuhrteilen 20 vorgesehen.

Aufnahmeeinrichtungen bzw. Greifeinrichtungen 80 sind in einem Teil angeordnet, welcher von zwei Zufuhrteilen 20 und der Vorbearbeitungseinrichtung 30 umgeben ist. Ein Arm 81 der Aufnahmeeinrichtung 80 kann horizontal und vertikal sowie gedreht werden. Die Wafer 10 (11) werden durch den Arm 81 aufgenommen und ergriffen und von der Kassette 21 zu der Vorbearbeitungsein­ richtung 30 einzeln transportiert.

Eine Dicke des Wafers 10 (11) wird gemessen, und die Position der Orientierungsabflachung 12 oder einer Kerbe 13 des Wafers wird in Grobausrichtung an der Vorbearbeitungseinrichtung 30 einge­ setzt und hierbei festgestellt.

Eine Anfaseinrichtung 40 ist anschließend an die Vorbearbeitungs­ einrichtung 30 angeordnet, und eine Reinigungseinrichtung 50 ist anschließend an die Anfaseinrichtung 40 vorgesehen. Eine erste Transporteinrichtung 20 ist oberhalb eines Wafertisches 41 der Anfaseinrichtung 40 angeordnet, und die erste Transporteinrich­ tung 120 kann sich vertikal bewegen. Nach der Bearbeitung der Vorbearbeitungseinrichtung 30 wird der Wafer 10 (11) von der Vorbearbeitungseinrichtung 30 aufgenommen und nach oben zu einer Position oberhalb des Wafertisches 41 der Anfaseinrichtung 40 mit Hilfe der Aufnahmeeinrichtung bzw. der Greifeinrichtung 80 transportiert. Dann nimmt die erste Transporteinrichtung 120 den Wafer 10 (11) auf.

Der Wafer 10 (11) ist durch zwei Rollen 121 und ein Positionier­ stück 122 der ersten Transporteinrichtung 120 abgestützt, so daß die Position der Orientierungsabflachung 12 oder einer Kerbe 13 des Wafers 10 (11) mit hoher Repetiergenauigkeit eingestellt wird. Die erste Transporteinrichtung 120 bringt dann den Wafer 10 (11) an dem Wafertisch 41 der Anfaseinrichtung 40 an, und der Wafer 10 (11) wird an den Wafertisch 41 mit Hilfe von Vakuum­ absorption bzw. Vakuumansaugung, usw., festgelegt, so daß der Wafer angefast werden kann.

Eine zweite Transporteinrichtung 130 kann sich zwischen der Anfaseinrichtung 40 und der Reinigungseinrichtung 50 bewegen und kann sich auch in vertikaler Richtung bewegen. Nachdem der Wafer 10 (11) mittels der Anfaseinrichtung 40 angefast worden ist, wird der Wafer 10 (11) mit Hilfe von vier Rollen 131 der zweiten Transporteinrichtung 130 abgestützt, und der Wafer wird von dem Wafertisch 41 zu der Reinigungseinrichtung 50 zur Ausführung einer Reinigungsbehandlung transportiert.

Eine Speichereinrichtung bzw. eine Lagereinrichtung 110 ist anschließend an die Reinigungseinrichtung 50 angeordnet. Eine Prüf- bzw. Kontrolleinrichtung 60 und zwei Gehäuseeinrichtungen 70 sind um die Speichereinrichtung 110 angeordnet. Kassetten 71 zur Aufnahme des angefasten Wafers 10 (11) sind an den Gehäuse­ einrichtungen 71 angebracht. Ein Arm 111 der Speichereinrichtung 110 kann horizontal und vertikal bewegt werden, und er kann sich auch wie der Arm 181 der Aufnahmeeinrichtung 80 drehen.

Wenn die Reinigung abgeschlossen ist, wird der Wafer 10 (11) von der Reinigungseinrichtung 50 abgenommen und zu der Kontroll­ einrichtung 60 mittels der Speichereinrichtung 110 transportiert. Eine Querschnittsgestalt und ein Durchmesser, usw., des angefa­ sten Wafers 10 (11) werden an der Kontrolleinrichtung 60 kontrolliert und untersucht. Nachdem die Messung abgeschlossen ist, wird der Wafer 10 (11) von der Speichereinrichtung 110 in der Kassette 71 aufgenommen, welche an der Gehäuseeinrichtung 70 angebracht ist.

Im Hinblick auf die Arbeitszeiten allgemein ist die Zeit für das Anfasen am längsten im Vergleich zu der Zeit zur Aufnahme des Wafers von der Kassette 21, einer Zeit zur Vorbearbeitung, einer Zeit zum Waschen, einer Zeit zum Messen, einer Zeit zum Ablegen bzw. Lagern des Wafers und dergleichen in der Kassette 71 bei der vorstehend beschriebenen Anfas-Schleifanlage. Somit hängt eine Durchsatzleistung (eine Anzahl von Wafern, welche pro Stunde angefast werden kann) der Anlage hauptsächlich von der Anfaszeit ab.

Hierbei ist es möglich, den Schleifstein 42 zum Anfasen des Außenumfangs und der Orientierungsabflachung 12 vorzusehen, und den Schleifstein 43 für das Anfasen der Kerbe jeweils in der Anfaseinrichtung 40 der vorstehend beschriebenen Anfas-Schleif­ anlage vorzusehen, wie dies in Fig. 12 gezeigt ist. Um jedoch in diesem Fall das Kantengrobschleifen und das Kantenfein­ schleifen in ein und derselben Anfaseinrichtung vornehmen zu können, sind zwei oder mehr Schleifsteine erforderlich, und ein Anwender muß einen Schleifstein gegen einen anderen zu diesem Zweck auswechseln bzw. austauschen. Hierdurch wird die Betriebs­ zeit länger. Als Folge hiervon ergibt sich die Schwierigkeit, daß eine Losgröße von Wafern nicht angefast werden kann (die Durchsatzleistung ist zu klein), und zwar innerhalb einer vorbestimmten Zeit.

Ferner ist es möglich, einige Anfas-Schleifanlagen bereitzustel­ len, bei denen beispielsweise eine Anlage zum Anfasen des Wafers einschließlich der Orientierungsabflachung bestimmt ist, eine zum Anfasen des Wafers einschließlich der Kerbe bestimmt ist, eine für das Kantengrobschleifen und die andere für das Kantenfein­ schleifen und dergleichen bestimmt ist. Ferner ist es möglich, einige Anfaseinrichtungen einer Anfas-Schleifanlage beispiels­ weise bereitzustellen, wobei eine Anfaseinrichtung für das Anfasen des Wafers einschließlich der Orientierungsabflachung bestimmt ist und eine weitere für die Anfasung des Wafers einschließlich der Kerbe bestimmt ist.

Wenn jedoch das Anfasen in den jeweiligen zwei oder mehreren Anfas-Schleifanlagen erfolgt, oder wenn das Anfasen mit Hilfe von zwei oder mehr Anfaseinrichtungen erfolgt, welche in einer Anfas- Schleifanlage vorgesehen sind, muß eine Positionseinstellung der Orientierungsabflachung oder der Kerbe des Wafers für jede Anfasbearbeitung einzeln vorgenommen werden.

Es ist sehr schwierig, die Position der Wafermittelachse und der Orientierungsabflachung oder der Kerbe bei einer zweiten Anfasbearbeitung in gleicher Weise wie bei der ersten Anfas­ bearbeitung vorzugeben. Daher lassen sich eine Präzisionsanfasung und ein Kantenfeinschleifen nicht auf geeignete und gute Weise durchführen. Daher besteht eine Schwierigkeit dahingehend, daß die Genauigkeit des angefasten Wafers hierunter leidet. Ferner ergibt sich hierbei die Schwierigkeit, daß die Kosten der Anlagen und der Raumbedarf hierfür größer werden.

Wenn, wie beschrieben, die gesamte Anfasbearbeitung mit Hilfe einer Anfaseinrichtung durchgeführt wird, um die Anfasgenauigkeit zu verbessern, dann ergibt sich die Schwierigkeit, daß die Durchsatzleistung hierbei gering wird. Wenn die Anfasung in zwei oder mehreren Anfas-Schleifanlagen erfolgt oder mit zwei oder mit mehr Anfaseinrichtungen erfolgt, um die Durchsatzleistung zu steigern, dann ergibt sich eine Schwierigkeit dahingehend, daß die Anfasgenauigkeit schlechter wird.

Die Erfindung zielt darauf ab, die vorstehend genannten Schwie­ rigkeiten zu überwinden. Insbesondere soll nach der Erfindung eine Anfas-Schleifanlage für einen Wafer bereitgestellt werden, bei der eine Genauigkeit beim Anfasen eines Außenumfangs des Wafers groß ist und man eine große Durchsatzleistung erreichen kann.

Hierzu weist die Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach der Erfindung hauptsächlich wenigstens ein Zufuhrteil bzw. Auf­ gabeteil, wenigstens ein Gehäuseteil, wenigstens eine Vor­ bearbeitungseinrichtung, eine erste Anfaseinrichtung, eine zweite Anfaseinrichtung, eine Aufnahmeeinrichtung bzw. Greifeinrichtung, erste Transporteinrichtungen und eine Speichereinrichtung bzw. Lagereinrichtung auf.

Wenigstens eine erste Kassette zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern ist an dem Zuführungsteil vorgesehen. Diese Wafer sind noch nicht angefast.

Wenigstens ist eine zweite Kassette zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern an dem Gehäuseteil angebracht.

Die Vorbearbeitungseinrichtung mißt eine Dicke des Wafers und bestimmt eine Position des Wafers.

Die erste Anfaseinrichtung umfaßt einen drehbaren, ersten Wafertisch und wenigstens einen drehbaren Schleifstein. Der erste Wafertisch und der Schleifstein werden einander derart angenä­ hert, daß der Wafer angefast wird.

Die zweite Anfaseinrichtung umfaßt auch einen drehbaren, zweiten Wafertisch und wenigstens einen drehbaren Schleifstein. Der zweite Wafertisch und der Schleifstein werden einander derart angenähert, daß der Wafer angefast wird.

Eine Aufnahmeeinrichtung bzw. eine Greifeinrichtung nimmt den Wafer von der ersten Kassette einzeln ab und transportiert den Wafer zu der Vorbearbeitungseinrichtung. Nach dem Messen und der Bestimmung der Position mit Hilfe der Vorbearbeitungseinrichtung nimmt die Aufnahmeeinrichtung den Wafer von der Vorbearbeitungs­ einrichtung auf.

Die erste Transporteinrichtung nimmt den Wafer von der ersten Aufnahmeeinrichtung bzw. der ersten Greifeinrichtung auf und legt den Wafer auf den ersten Wafertisch in dem Fall, daß die erste Anfaseinrichtung den Wafer nicht anfast. Die erste Transport­ einrichtung bringt den Wafer zu der zweiten Anfaseinrichtung und legt den Wafer auf den zweiten Wafertisch in dem Fall, daß die erste Anfaseinrichtung den Wafer anfast.

Die Speichereinrichtung bzw. Lagereinrichtung nimmt den angefa­ sten Wafer von dem ersten Wafertisch und dem zweiten Wafertisch auf. Die Lagereinrichtung bzw. Speichereinrichtung speichert die Wafer in der zweiten Kassette.

Bei der Anfas-Schleifanlage nach der Erfindung werden die Wafer nicht nur mit der ersten Anfaseinrichtung, sondern auch mit der zweiten Anfaseinrichtung angefast. Als Folge hiervon läßt sich eine Losgröße von Wafern innerhalb einer vorbestimmten Zeit anfasen, so daß sich die Durchsatzleistung steigern läßt.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach der Erfindung mißt die Vorbearbeitungsein­ richtung in grober Weise die Dicke des Wafers und bestimmt in grober Weise die Position des Wafers. Die erste Transport­ einrichtung stellt genau die Position des Wafers ein, wenn die erste Transporteinrichtung den Wafer von der ersten Aufnahmeein­ richtung aufnimmt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform nach der Erfindung weist die Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach der Erfindung ferner eine Reinigungseinrichtung, eine Kontroll­ einrichtung und eine zweite Transporteinrichtung auf. Die Reinigungseinrichtung reinigt den Wafer nach dem Anfasen. Die Kontrolleinrichtung bzw. Untersuchungseinrichtung kontrolliert den angefasten und gereinigten Wafer. Die zweite Transport­ einrichtung transportiert den Wafer von dem ersten Wafertisch zu der Reinigungseinrichtung, wenn das Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung abgeschlossen ist. Die zweite Transporteinrich­ tung transportiert den Wafer von dem zweiten Wafertisch zu der Reinigungseinrichtung, wenn das Anfasen in der zweiten Anfas­ einrichtung beendet ist. Ferner nimmt die Speichereinrichtung den Wafer von der Reinigungseinrichtung auf und transportiert den Wafer zu der Kontrolleinrichtung, nachdem die Reinigung des Wafers in der Reinigungseinrichtung abgeschlossen ist. Die Speichereinrichtung nimmt den Wafer von der Kontrolleinrichtung auf und legt den Wafer in der zweiten Kassette ab, nachdem die Kontrolle in der Kontrolleinrichtung abgeschlossen ist.

Im Hinblick auf die ersten und zweiten Anfaseinrichtungen ist es möglich, einen drehbaren Schleifstein zum Anfasen eines Außen­ umfangs und der Orientierungsabflachung eines Wafers und einen Schleifstein zum Anfasen einer Kerbe eines Wafers mit den ersten und zweiten Anfaseinrichtungen jeweils vorzusehen. Auch ist es möglich, einen drehbaren Schleifstein für ein Kantengrob­ schleifen des Wafers vorzusehen, und einen drehbaren Schleifstein für ein Kantenfeinschleifen des Wafers in den ersten und zweiten Anfaseinrichtungen jeweils.

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachstehenden Beschreibung von bevorzugten Aus­ führungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung, in welcher gleiche oder ähnliche Teile mit denselben Bezugszeichen versehen sind. Darin zeigt

Fig. 1 eine Draufsicht zur Verdeutlichung einer Gesamtaus­ legung einer bevorzugten Ausführungsform einer Wafer- Anfasanlage nach der Erfindung;

Fig. 2 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Transportabfolge eines Wafers bei einer bevorzugten Ausführungsform der Wafer-Anfasanlage nach der Erfindung;

Fig. 3 eine Schnittansicht zur Verdeutlichung der Hauptteile einer bevorzugten Ausführungsform einer Wafer-Anfas­ anlage nach der Erfindung;

Fig. 4 ein Zeitdiagramm zur Verdeutlichung der Arbeitszeit für die jeweiligen Teile der Anlage;

Fig. 5 ein detailliertes Zeitablaufdiagramm für den jeweili­ gen Teil in der Anlage;

Fig. 6 eine Ansicht zur Verdeutlichung des äußeren Erschei­ nungsbildes eines Wafers mit einer Orientierungs­ abflachung;

Fig. 7 eine Ansicht zur Verdeutlichung eines äußeren Er­ scheinungsbildes eines Wafers mit einer Kerbe;

Fig. 8 eine Schnittansicht zur Verdeutlichung der Quer­ schnittsgestalt des angefasten Wafers;

Fig. 9 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Gestalt eines Außenumfangs eines trapezoidförmigen Schleifsteins;

Fig. 10 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Gestalt eines Außenumfangs eines Schleifsteins zum Formdrehen;

Fig. 11 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Gesamtauslegung einer üblichen Wafer-Anfasanlage; und

Fig. 12 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Transportabfolge eines Wafers bei einer üblichen Anfas-Schleifanlage.

Nachstehend erfolgt eine detaillierte Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform einer Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung.

Fig. 1 ist eine Draufsicht zur Verdeutlichung einer Gesamtaus­ legungsform einer bevorzugten Ausführungsform einer Wafer- Anfasanlage nach der Erfindung. Fig. 2 ist eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Transportabfolge eines Wafers. Fig. 3 ist eine Schnittansicht zur Verdeutlichung der Hauptteile der Anfas­ schleifanlage (oberer Teil von A-A im Schnitt von Fig. 1). Die Anfas-Schleifanlage gemäß der bevorzugten Ausführungsform weist im wesentlichen zwei Zufuhrteile bzw. Aufgabeteile 20 und 20, eine Aufnahmeeinrichtung 80, eine Vorbearbeitungseinrichtung 30, eine erste Anfaseinrichtung 40, eine zweite Anfaseinrichtung 45, eine Reinigungseinrichtung 50, eine erste Transporteinrichtung 90, eine zweite Transporteinrichtung 100, eine Kontrolleinrich­ tung 60, eine Speichereinrichtung 110 und zwei Gehäuseteile 70 und 70 auf. Dies bedeutet, daß die Anfas-Schleifanlage gemäß der bevorzugten Ausführungsform sich von einer üblichen Anfas- Schleifanlage nach den Fig. 11 und 12 im wesentlichen dadurch unterscheidet, daß zwei Anfaseinrichtungen 40 und 45, die erste Transporteinrichtung 90 und die zweite Transporteinrichtung 100 vorgesehen sind. Die weiteren Teile sind im wesentlichen gleich oder ähnlich wie jene bei der Anfas-Schleifanlage nach den Fig. 11 und 12, so daß diese Teile mit übereinstimmender Funktion mit denselben Bezugszeichen versehen sind und eine nähere Erläuterung derselben entfallen kann.

Die erste Anfaseinrichtung 40 ist im Anschluß an die Vorbearbei­ tungseinrichtung 30 angeordnet, und die zweite Anfaseinrichtung 45 ist im Anschluß an diese Anfaseinrichtung 40 vorgesehen. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform haben die ersten und zweiten Anfaseinrichtungen 40 und 45 den gleichen Aufbau, das heißt ein Schleifstein 42 zum Anfasen des Außenumfangs und der Orientie­ rungsabflachung, und einen Schleifstein 43 zum Anfasen der Kerbe jeweils, wozu die ersten und zweiten Anfaseinrichtungen 40 und 45 vorgesehen sind.

Die erste Transporteinrichtung 90 kann in vertikaler Richtung über einen Wafertisch 40a der ersten Anfaseinrichtung 40 und über einen Wafertisch 45a der zweiten Anfaseinrichtung 45 bewegt werden. Auch kann die erste Transporteinrichtung 90 zwischen dem Wafertisch 40a und dem Wafertisch 45a bewegt werden. Die erste Transporteinrichtung 90 umfaßt zwei Rollen 91 und ein Positio­ nierstück 92. Der Wafer wird horizontal durch den Arm 81 ergriffen und wird durch einen Flansch unterhalb der Rollen 91 und des Positionierstücks 92 aufgenommen. Die erste Transport­ einrichtung 90 stützt den Wafer mit Rollen 91 und dem Positio­ nierstück 92 derart ab, daß die Position des Wafers in korrekter Weise bestimmt ist.

Die zweite Transporteinrichtung 100 kann sich in vertikaler und horizontaler Richtung zwischen der ersten Anfaseinrichtung 40 und der Reinigungseinrichtung 50 und zwischen der zweiten Anfas­ einrichtung 45 und der Reinigungseinrichtung 50 bewegen. Der Wafer 10 (11) wird durch vier Rollen 101 der zweiten Transport­ einrichtung 100 abgestützt. Wie ferner in Fig. 3 gezeigt ist, liegt der obere Grenzwert für die Bewegung der Anfaseinrichtung 90 höher als jener der zweiten Transporteinrichtung 100, woraus resultiert, daß sich die jeweiligen Anfaseinrichtungen 90 und die zweite Transporteinrichtung 100 horizontal ohne jegliche wechselseitige Behinderung bewegen können.

Dann erfolgt eine Erläuterung der Arbeitsweise der Anfas- Schleifanlage mit dem vorbeschriebenen Aufbau.

Eine Mehrzahl von Wafern 10, welche eine Orientierungsabflachung umfassen, oder von Wafern 11, welche eine Kerbe bzw. Einkerbung umfassen, ist noch nicht angefast, und diese Mehrzahl ist in Kassetten 21 aufgenommen. Die Kassetten 21 sind an den Zufuhrtei­ len bzw. Aufgabeteilen 20 angebracht. Der (erste) Wafer 10 (11) wird mit Hilfe von dem Arm 81 ergriffen und von der Kassette 21 zu der Vorbearbeitungseinrichtung 30 transportiert. Eine Dicke des Wafers 10 (11) wird gemessen, und die Position der Orientie­ rungsabflachung oder der Kerbe des Wafers wird grob in der Vorbearbeitungseinrichtung 30 bestimmt.

Nach der Behandlung in der Vorbearbeitungseinrichtung 30 wird der Wafer 10 (11) nach oben in eine Position oberhalb des Waferti­ sches 40a der ersten Anfaseinrichtung 40 durch Ergreifen mit Hilfe der Aufnahmeeinrichtung 80 transportiert, und der Wafer wird von der ersten Transporteinrichtung 90 aufgenommen. Der Wafer 10 (11) ist durch zwei Rollen 91 und ein Positionierstück 92 der ersten Transporteinrichtung 90 abgestützt, so daß die Position der Orientierungsabflachung oder einer Kerbe des Wafers 10 (11) in genauer Weise vorgegeben wird. Dann legt die erste Transporteinrichtung 90 den Wafer 10 (11) auf den Wafertisch 40a der ersten Anfaseinrichtung 40, und der Wafer 10 (11) wird auf dem Wafertisch 40a mit Hilfe einer Vakuumansaugung, einer Vakuumabsorption, oder dergleichen fixiert, so daß der Wafer angefast werden kann.

Die Aufnahmeeinrichtung 80 kehrt zu der Nähe der Zufuhrteile 20 zurück. Die Aufnahmeeinrichtung 80 ergreift den (zweiten) Wafer 10 (11), welcher als nächster anzufasen ist. Der zweite Wafer 10 (11) wird zu der ersten Transporteinrichtung 90 abgegeben, wie dies voranstehend beschrieben worden ist. Wenn hierbei die erste Anfaseinrichtung 40 den ersten Wafer 10 (11) anfast, trans­ portiert die erste Transporteinrichtung 90 den zweiten Wafer 10 (11) nach oben zu der zweiten Anfaseinrichtung 45. Der zweite Wafer 10 (11) wird in der zweiten Anfaseinrichtung 45 angefast.

Wie vorstehend erwähnt worden ist, werden die Wafer 10 (11) von den Kassetten 21 aufgenommen und zu der ersten Anfaseinrichtung 40 oder der zweiten Anfaseinrichtung 45 transportiert und sie werden dort einzeln angefast.

Nachdem der Wafer 10 (11) in der Anfaseinrichtung 40 oder der Anfaseinrichtung 45 angefast worden ist, wird der Wafer 10 (11) durch vier Rollen 101 der zweiten Transporteinrichtung 100 abgestützt, und der Wafer wird von dem Wafertisch 40a oder dem Wafertisch 45a zu der Reinigungseinrichtung 50 zur Ausführung des Reinigungsvorganges transportiert.

Wenn die Reinigung abgeschlossen ist, bewegt sich der Arm 111 der Speichereinrichtung 110 in horizontaler Richtung derart, daß der Wafer 10 (11) unterstützt wird, und der Arm 111 wird geringfügig angehoben. Dann wird der Wafer 10 (11) von einem Tisch 51 der Reinigungseinrichtung 50 zu der Kontrolleinrichtung 60 trans­ portiert.

An der Kontrolleinrichtung 60 werden eine Querschnittsgestalt und ein Durchmesser, usw. des angefasten Wafers 10 (11) untersucht und kontrolliert. Nach der Kontrolle wird der Wafer 10 (11) in der Speichereinrichtung 110 in der Kassette 71 aufgenommen, welche an der Gehäuseeinrichtung 70 vorgesehen ist.

Nachstehend erfolgt eine Erläuterung der Arbeitszeiten der Anfas- Schleifanlage mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau. Fig. 4 ist ein Zeitablaufdiagramm zur Verdeutlichung der Arbeitszeit in jedem Teil der Anlage. Fig. 5 ist ein detailliertes Zeit­ ablaufdiagramm des jeweiligen Teils im System. Da die Betriebs­ zeit der Vorbearbeitungseinrichtung 30 und der Kontrolleinrich­ tung 60 jeweils in der Arbeitszeit der Aufnahmeeinrichtung 80 und der Speichereinrichtung 110 jeweils mit eingeschlossen ist, ist die Arbeitszeit für die Vorbearbeitungseinrichtung 30 und die Kontrolleinrichtung 60 in den Fig. 4 und 5 nicht erwähnt.

Wenn in Fig. 5 der Arm 81 der Aufnahmeeinrichtung 80 sich in der Nähe des Zufuhrteils 20 zuerst befindet, nimmt der Arm 81 einen Wafer 10 (11) von der Kassette 21 auf und transportiert diesen zu der Vorbearbeitungseinrichtung 30. Die Aufnahmeeinrichtung 80 befindet sich in der Nähe der Vorbearbeitungseinrichtung 30, bis die Dicke des Wafers 10 (11) gemessen ist und die Position der Orientierungsabflachung oder der Kerbe grob mit Hilfe der Vorbearbeitungseinrichtung 30 eingestellt ist. Die Zeit für den vorstehend beschriebenen Vorgang (vom Aufnehmen des Wafers bis zur Beendigung der Vorbearbeitung) ist mit F angegeben.

Wenn die Messung der Dicke und die Einstellung der Position des Wafers 10 (11) abgeschlossen sind, transportiert die Aufnahme­ einrichtung 80 den Wafer 10 (11) nach oben zu der ersten Transporteinrichtung 90, welche sich oberhalb des Wafertisches 40a der ersten Anfaseinrichtung 40 befindet, so daß der Wafer 10 (11) an der ersten Transporteinrichtung 90 angeordnet wird. Dann kehrt die Aufnahmeeinrichtung 80 zu der Nähe der Zufuhrein­ richtungen 20 zurück. Die für die vorstehend beschriebenen Vorgänge erforderliche Zeit ist mit Fa bezeichnet.

Die erste Transporteinrichtung 90 bestimmt die Position des Wafers 10 (11) genau und ordnet diesen auf dem Wafertisch 40a der Anfaseinrichtung 40 an. Die für diesen vorstehend genannten Vorgang erforderliche Zeit ist mit Ha bezeichnet.

Wie vorstehend beschrieben worden ist, kehrt die Aufnahme­ einrichtung 80 zu der Nähe des Zuführungsteils 20 zurück und nimmt den (zweiten) Wafer 10 (11) auf, welcher als nächster anzufasen ist. Der zweite Wafer 10 (11) wird zu der ersten Transporteinrichtung 90 transportiert. Wenn die erste Anfas­ einrichtung 40 den ersten Wafer 10 (11) anfast, transportiert die erste Transporteinrichtung 90 den zweiten Wafer 10 (11) nach oben zu der zweiten Anfaseinrichtung 45. Die Zeit zum Transportieren des Wafers 10 (11) von der ersten Anfaseinrichtung 40 zu der zweiten Anfaseinrichtung 45 ist mit Hb bezeichnet. Natürlich ist die Zeit zum Anordnen des Wafers auf dem Wafertisch 45a (ausge­ hend von der ersten Transporteinrichtung 90) mit Ha bezeichnet und stimmt mit jener zum Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung 40 überein.

Die zum Anfasen in den ersten und zweiten Anfaseinrichtungen 40 und 45 benötigte Zeit ist mit G bezeichnet.

Wenn das Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung 40 abgeschlossen ist, nimmt die zweite Transporteinrichtung 100 den angefasten Wafer 10 (11) von dem Wafertisch 40a auf und transportiert diesen nach oben zu der Reinigungseinrichtung 50. Die Zeit zum Trans­ portieren des Wafers 10 (11) von dem Wafertisch 40a zu der Reinigungseinrichtung 50 ist mit Hc bezeichnet.

In ähnlicher Weise ist die Zeit zum Transportieren des Wafers 10 (11) von dem Wafertisch 45a zu der Reinigungseinrichtung 50 mit Hd bezeichnet.

Nachdem der angefaste Wafer 10 (11) an dem Tisch 51 der Reini­ gungseinrichtung 50 angeordnet ist, wird der Wafer 10 (11) mit Hilfe der Reinigungseinrichtung 50 gereinigt. Die Zeit zum Anordnen des Wafers 10 (11) auf dem Tisch 51 und zum Reinigen ist mit W bezeichnet.

Wenn die Reinigung abgeschlossen ist, bewegt sich der Arm 111 der Lagereinrichtung 110 nach oben zu der Reinigungseinrichtung 50 und nimmt den gereinigten Wafer 10 (11) von der Reinigungsein­ richtung 50 auf. Die Zeit für diesen Vorgang ist mit He bezeich­ net.

Nach dem Aufnehmen des gereinigten Wafers 10 (11) von der Reinigungseinrichtung 50 in der Speichereinrichtung 110 trans­ portiert die Speichereinrichtung 110 den Wafer 10 (11) zu der Kontrolleinrichtung 60 nach oben. Wenn die Kontrolle in der Kontrolleinrichtung 60 abgeschlossen ist, wird der Wafer 10 (11) in der Kassette 71 aufgenommen, welche an der Gehäuseeinrichtung 10 angebracht ist. Die für den vorstehend beschriebenen Vorgang (Transportieren, Kontrollieren und Aufnehmen) erforderliche Zeit ist mit E bezeichnet.

In Fig. 4 bezeichnet die Ziffer der jeweiligen Zeitlinie die zu bearbeitenden Wafer (1 ist der erste Wafer, 2 ist der zweite Wafer, usw.).

Wie in Fig. 4 gezeigt ist, wird eine Zeit von F + Fa für den Vorgang benötigt, bei dem die Aufnahmeeinrichtung 80 den Wafer 10 (11) von der Kassette 21 aufnimmt, diesen auf der ersten Transporteinrichtung 90 anordnet und wieder zurückkehrt. Man benötigt Ha+G+Hc für den Vorgang, bei dem die erste Transport­ einrichtung 90 den Wafer 10 (11) aufnimmt und die zweite Transporteinrichtung 100 den angefasten Wafer 10 (11) zu der Reinigungseinrichtung 50 nach oben bewegt. Man benötigt W+He für den Vorgang, bei dem die zweite Transporteinrichtung 100 den Wafer 10 (11) in der Reinigungseinrichtung 50 anordnet und die Speichereinrichtung 110 den Wafer 10 (11) nach der Reinigung aufnimmt. Man benötigt E+He für den Vorgang, bei dem die Speichereinrichtung 110 den Wafer 10 (11) aufnimmt und ihn in der Kassette 110 anordnet. Natürlich zeigt Fig. 4, daß die Zeit für das Anfasen Ha+Hb+G+Hd bei der Anfaseinrichtung 45 derart gewählt ist, daß diese Zeit im wesentlichen gleich wie die Zeit für das Anfasen bei der Anfaseinrichtung 40 ist. Da ferner die erste Transporteinrichtung 90 und die zweite Transporteinrichtung 100 nicht viel Zeit für die Bewegung zu der nächsten Position nach der Anordnung des Wafers benötigen, wird diese Zeit hierbei nicht berücksichtigt.

Nach der voranstehenden Beschreibung beläuft sich eine maximale Anzahl von Anfaseinrichtungen in einer Anlage auf eine ganze Zahl N, welche kleiner als die folgenden Werte Na, Nb und Nc ist (N Na, Nb, Nc).

Na = (Ha + G + Hc)/(F + Fa) (1)

Nb = (Ha + G + Hc)/(W + He) (2)

Nc = (Ha + G + Hc)/(E + He) (3)

Als mittlere Bearbeitungszeit für einen Wafer ergibt sich folgendes:

ST = (Ha + G + Hc)/N (4)

Offensichtlich ist bei der voranstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform die Anfaszeit die längste, und sie ist mehr als dreimal so groß aber kleiner als dreimal so groß wie die längste der anderen Bearbeitungszeiten (F + Fa, W + He, und E + He). Wenn die Anfaszeit größer als das Dreifache von (F + Fa, W + He, und E + He) ist, kann die Anzahl der Anfaseinrichtungen auf drei oder mehr vergrößert werden, und ein Bewegungsweg der ersten Trans­ porteinrichtung 90 und der zweiten Transporteinrichtung 100 in horizontaler Richtung kann ebenfalls vergrößert werden.

Wenn in ähnlicher Weise die Reinigungszeit lang ist, so daß N größer als Nb, aber kleiner als Na und Nc (Na < N < Nb, Nc) kann eine weitere Reinigungseinrichtung 50 zusätzlich vorgesehen sein, und ein Bewegungsweg der zweiten Transporteinrichtung 100 in horizontaler Richtung kann vergrößert werden, so daß die mittlere Bearbeitungszeit für einen Wafer sich auf ST belaufen kann.

Wenn N größer als Na, aber kleiner als Nb und Nc (Na < N < Nb, Nc) ist, da es eine lange Zeit für die Bearbeitung benötigt, bei der der Wafer 10 (11) von der Kassette 21 aufgenommen wird, sowie für die Bearbeitung bei der Vorbearbeitungseinrichtung 130 können das Zufuhrteil 20 und die Vorbearbeitungseinrichtung 30 zusätz­ lich vorgesehen sein, oder die Funktionen der Vorbearbeitungsein­ richtung 30 können auf die Messung der Dicke und der Grobpositio­ nierung des Wafers gesondert aufgeteilt werden. In diesem Fall kann sich ein von dem Zufuhrteil 20 und der Vorbearbeitungsein­ richtung 30 gebildeter Winkel etwa auf 60° belaufen, wenn beispielsweise die Gesamtanzahl der Zufuhrteile 20 und der Vorbearbeitungseinrichtungen 30 sich auf 4 beläuft. Natürlich ist der Winkel auf etwa 90° bei dieser bevorzugten Ausführungsform eingestellt.

Wenn in ähnlicher Weise N größer als Nc, aber kleiner als Na und Nb (Nc < N < Na, Nb) ist, da die Zeit für das Arbeiten der Kontrolleinrichtung 60 und die Zeit für das Arbeiten zur Aufnahme des Wafers in der Kassette 71 länger sind, können die Kontroll­ einrichtung 60 und die Gehäuseeinrichtung 70 zusätzlich vor­ gesehen sein, oder die Funktionen der Kontrolleinrichtung 60 können aufgeteilt werden. In diesem Fall ist ein von der Kontrolleinrichtung 60 und dem Gehäuseteil 70 gebildeter Winkel beispielsweise etwa 60°, wenn beispielsweise sich eine Gesamt­ anzahl von Kontrolleinrichtungen 60 und Gehäuseteilen 70 auf 4 beläuft. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform beträgt der Winkel offensichtlich etwa 90°.

Bei der vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform wird darüber hinaus die Position der Orientierungsabflachung oder der Kerbe des Wafers 10 (11) grob durch die Vorbearbeitungsein­ richtung 30 voreingestellt, und es erfolgt eine genaue Ein­ stellung bevor der Wafer auf dem Wafertisch mit Hilfe der ersten Transporteinrichtung 90 angebracht wird. Die Erfindung ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Es ist möglich, die Position des Wafers an der Vorbearbeitungseinrichtung bzw. Vorbehandlungseinrichtung 30 genau voreinzustellen und den genau positionierten Wafer zu der ersten Transporteinrichtung 90 direkt zu transportieren.

Bei der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform wird der Wafer 10 (11) gereinigt und die Form und die Abmessungen usw. werden kontrolliert, nachdem der Wafer angefast worden ist, und dann wird der Wafer in der Kassette 71 aufgenommen. Die Erfindung ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Es ist möglich, den Kontrollteil 60 wegzulassen. Somit wird der Wafer 10 (11) gereinigt und in der Kassette 71 aufgenommen, ohne daß die Form und die Größe, usw. vermessen werden, und der Wafer 10 (11) wird in einem Wasserbehälter oder dergleichen aufgenommen, nachdem das Anfasen abgeschlossen ist, und der Wafer wird aus dem Wasser­ behälter zur nachträglichen Kontrolle genommen.

Wie sie auch der vorstehenden Beschreibung ergibt, ist bei der bevorzugten Ausführungsform der Anfas-Schleifanlage für Wafer nach der Erfindung eine Mehrzahl von Anfaseinrichtungen vor­ gesehen, so daß die Anfasung gleichzeitig mittels einer Mehrzahl von Anfaseinrichtungen durchgeführt werden kann, wobei diese das Anfasen des gesamten Außenumfangs des Wafers insgesamt vornehmen können. Dies bedeutet, daß es nicht erforderlich ist, wenn der Wafer eine Kerbe mit einschließt, das kreisförmige Teil und die Kerbe in zwei Anfas-Schleifanlagen oder mit wenigstens zwei Anfaseinrichtungen in einer Anfas-Schleifanlage anzufasen, wodurch sich die Durchsatzleistung steigern läßt. Ferner ist es nicht erforderlich, ein Kantengrobschleifen und ein Kantenfein­ schleifen in zwei Anfas-Schleifanlagen oder zwei Anfaseinrichtun­ gen in einer Anfas-Schleifanlage vorzunehmen, wodurch sich die Genauigkeit verbessern läßt.

Wenn ferner der Wafer an dem Wafertisch während der Anfasung festgelegt ist, dann besteht keine Notwendigkeit, den Wafer zu bewegen. Hierdurch läßt sich die Bearbeitungsgenauigkeit steigern. Daher ist es möglich, eine Anfas-Schleifanlage für einen Wafer bereitzustellen, bei dem die Genauigkeit der Anfasung des Außenumfangs des Wafers hoch ist und man eine große Durchsatzleistung erhält.

Ferner ist es möglich, die Anfas-Schleifanlage für einen Wafer derart auszulegen, daß die Kosten für die Anlagen und der Platzbedarf hierfür reduziert sind, wenn man einen Vergleich mit den entsprechenden Größen mit einem System vornimmt, bei dem das Anfasen in zwei Anfas-Schleifanlagen ausgeführt wird.

Es ist jedoch noch zu erwähnen, daß die Erfindung nicht auf die speziellen voranstehend beschriebenen Ausbildungseinzelheiten abgestellt ist, sondern daß zahlreiche Abänderungen und Modifika­ tionen möglich sind, die der Fachmann im Bedarfsfall treffen wird, ohne den Erfindungsgedanken zu verlassen.

Claims (6)

1. Anfas-Schleifanlage für einen Wafer, welche folgendes aufweist:
wenigstens ein Zufuhrteil (20), wenigstens eine erste Kassette (21) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern (10, 11), welche an dem Zufuhrteil (20) angeordnet ist, und welche die nicht angefasten Wafer aufnimmt;
wenigstens ein Gehäuseteil (70), wenigstens eine zweite Kassette (71) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern, welche an dem Gehäuseteil (70) angeordnet ist;
wenigstens eine Vorbearbeitungseinrichtung (30) zum Messen einer Dicke des Wafers zur Bestimmung einer Position des Wafers;
eine erste Anfaseinrichtung (40) zum Anfasen des Außenumfangs des Wafers, wobei die erste Anfaseinrichtung einen drehbaren ersten Wafertisch (40a) und wenigstens einen drehbaren Schleifstein (42, 43) umfaßt, und der erste Wafertisch (40a) und der Schleifstein (42, 43) einander derart angenähert werden, daß der Wafer angefast wird;
eine zweite Anfaseinrichtung (45) zum Anfasen eines Außenumfangs des Wafers, wobei die zweite Anfaseinrichtung wenigstens einen drehbaren, zweiten Wafertisch (45a) und wenigstens einen drehbaren Schleifstein (42, 43) umfaßt, und der zweite Wafertisch (45a) und der Schleifstein (42, 43) einander derart angenähert werden, daß der Wafer angefast wird;
eine Aufnahmeeinrichtung (80) zum einzelnen Aufnehmen des Wafers von der ersten Kassette (71) und zum Trans­ portieren des Wafers zu der Vorbearbeitungseinrichtung (30), wobei die Aufnahmeeinrichtung (80) den Wafer von der Vorbearbeitungseinrichtung (30) aufnimmt, nachdem die Vermessung und die Positionsbestimmung in der Vorbearbei­ tungseinrichtung (30) abgeschlossen sind;
eine erste Transporteinrichtung (90) zum Transportie­ ren des Wafers, wobei die erste Transporteinrichtung (90) den Wafer von der Aufnahmeeinrichtung (80) aufnimmt und den Wafer auf dem ersten Wafertisch (40a) der ersten Anfas­ einrichtung (40) dann anordnet, wenn die erste Anfaseinrich­ tung (40) den Wafer nicht anfast, und die erste Transport­ einrichtung (90) den Wafer nach oben zu der zweiten Anfas­ einrichtung (45) transportiert und auf dem zweiten Wafer­ tisch (45a) der zweiten Anfaseinrichtung (45) dann anordnet, wenn die erste Anfaseinrichtung (40) den Wafer anfast; und
eine Speichereinrichtung (110) zur Aufnahme des angefasten Wafers von dem ersten Wafertisch (40a) und dem zweiten Wafertisch (45a) und zur Speicherung bzw. zur Ablage des Wafers in der zweiten Kassette (71).

2. Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorbearbeitungseinrichtung (30) grob die Dicke des Wafers mißt und die Positionsbestimmung des Wafers grob vornimmt, und daß die erste Transporteinrichtung (90) die korrekte Positionseinstellung des Wafers vornimmt, wenn die erste Transporteinrichtung (90) den Wafer von der Aufnahmeeinrichtung (80) aufnimmt.

3. Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach Anspruch 1 oder 2, ferner gekennzeichnet durch folgendes:
eine Reinigungseinrichtung (50) zum Reinigen des angefasten Wafers;
eine Kontrolleinrichtung (60) zum Kontrollieren des angefasten und gereinigten Wafers; und
eine zweite Transporteinrichtung (100) zum Trans­ portieren des Wafers, wobei die zweite Transporteinrichtung (100) den Wafer von dem ersten Wafertisch (40a) zu der Reinigungseinrichtung (50) transportiert, wenn das Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung (40) beendet ist, und die zweite Transporteinrichtung (100) den Wafer von dem zweiten Wafertisch (45a) zu der Reinigungseinrichtung (50) trans­ portiert, wenn das Anfasen in der zweiten Anfaseinrichtung (45) beendet ist;
wobei die Speichereinrichtung (110) den Wafer von der Reinigungseinrichtung (50) aufnimmt und den Wafer zu der Kontrolleinrichtung (60) transportiert, nachdem die Reini­ gung des Wafers in der Reinigungseinrichtung (50) abge­ schlossen ist, und die Speichereinrichtung (110) den Wafer von der Kontrolleinrichtung (60) aufnimmt und den Wafer in der zweiten Kassette (71) ablegt, nachdem die Kontrolle in der Kontrolleinrichtung (60) abgeschlossen ist.

4. Anfas-Schleifanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Anfaseinrichtung (40) und die zweite Anfaseinrichtung (45) jeweils einen drehbaren Schleifstein zum Anfasen eines Außenumfangs und der Orien­ tierungsabflachung eines Wafers und einen drehbaren Schleif­ stein zum Anfasen einer Kerbe eines Wafers umfassen.

5. Anfas-Schleifanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Anfaseinrichtung (40) und die zweite Anfaseinrichtung (45) jeweils einen drehbaren Schleifstein zum Kantengrobschleifen und einen drehbaren Schleifstein zum Kantenfeinschleifen umfassen.

6. Verfahren zum Anfas-Schleifen eines Wafers, welches die folgenden Schritte aufweist:
Vorsehen von wenigstens einem Zufuhrteil (20); wenig­ stens einem Gehäuseteil (70), wenigstens einer Vorbearbei­ tungseinrichtung (30) zum Messen einer Dicke des Wafers und zur Positionsbestimmung des Wafers, einer ersten Anfas­ einrichtung (40) einschließlich eines drehbaren, ersten Wafertisches (40a) und wenigstens eines drehbaren Schleif­ steins (42, 43), wobei der erste Wafertisch (40a) und der Schleifstein (42, 43) einander derart angenähert werden, daß der Wafer auf dem ersten Wafertisch (40a) angefast wird, und wobei die zweite Anfaseinrichtung (45) einen drehbaren, zweiten Wafertisch (45a) und wenigstens einen drehbaren Schleifstein (42, 43) umfaßt und der zweite Wafertisch (45a) und der Schleifstein (42, 43) derart einander angenähert werden, daß der Wafer auf dem zweiten Wafertisch (45a) angefast wird;
Anbringen wenigstens einer ersten Kassette (21) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern (10, 11), welche nicht angefast sind, an dem wenigstens einen Zufuhrteil (20);
Anbringen wenigstens einer zweiten Kassette (71) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern an dem wenigstens einen Gehäuseteil (70);
einzelnes Aufnehmen des Wafers von der ersten Kassette (21);
Transportieren des Wafers zu der Vorbearbeitungsein­ richtung (30);
Aufnehmen des Wafers von der Vorbearbeitungseinrichtung (30), nachdem die Vermessung und die Positionsbestimmung in der Vorbearbeitungseinrichtung (30) abgeschlossen sind;
Transportieren des Wafers zu der ersten Anfaseinrich­ tung (40) und Anordnen des Wafers auf dem ersten Wafertisch (40a), wenn die erste Anfaseinrichtung (40) den Wafer nicht anfast,
Transportieren des Wafers zu der zweiten Anfaseinrich­ tung (45) und Anordnen des Wafers auf dem zweiten Wafertisch (45a), wenn die erste Anfaseinrichtung (40) den Wafer anfast;
Aufnehmen des angefasten Wafers von dem ersten Wafer­ tisch (40a) und dem zweiten Wafertisch (45a); und
Ablegen und Sammeln des angefasten Wafers in der zweiten Kassette (71).