DE19543867A1 - Anfas-Schleifanlage für einen Wafer und Verfahren zum Anfas-Schleifen hierfür - Google Patents
Anfas-Schleifanlage für einen Wafer und Verfahren zum Anfas-Schleifen hierfürInfo
- Publication number
- DE19543867A1 DE19543867A1 DE19543867A DE19543867A DE19543867A1 DE 19543867 A1 DE19543867 A1 DE 19543867A1 DE 19543867 A DE19543867 A DE 19543867A DE 19543867 A DE19543867 A DE 19543867A DE 19543867 A1 DE19543867 A1 DE 19543867A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wafer
- chamfering
- chamfered
- cassette
- rotatable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/005—Feeding or manipulating devices specially adapted to grinding machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
Die Erfindung befaßt sich mit einer Anfas-Schleifanlage für einen
Wafer, und insbesondere mit einer Anfas-Schleifanlage zum Anfasen
eines Umfangs eines aus Silizium hergestellten Wafers und
dergleichen, bei dem es sich um ein Material für Halbleiter
elemente handelt. Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein
Verfahren zum Anfas-Schleifen von derartigen Wafern. Wafer werden
auch als Halbleiterscheibchen bezeichnet.
Von einem Material für ein Halbleiterelement, wie einem
Silizium-Rohblock, werden dünne Scheiben hiervon in Form von
Wafern mit Hilfe einer Schneidmaschine bzw. einer Scheiben
schneidmaschine abgetrennt. Dann wird ein Umfang des so abge
trennten Wafers mit Hilfe einer Anfas-Schleifmaschine angefast.
Eine Ausricht- bzw. Orientierungsabflachung und/oder eine Kerbe
ist am Umfang des Wafers zur Positionierung und/oder Erkennung
einer Kristallorientierung, und so weiter, vorgesehen. Die
Ausrichtabflachung und die Kerbe müssen am Umfang ebenfalls
angefast werden (ein kreisförmiges Teil wird hiervon, abgesehen
von der Ausrichtabflachung oder der Kerbe, gebildet).
Fig. 6 zeigt einen Wafer 10, welcher eine Ausrichtung- bzw. eine
Orientierungsabflachung 12 umfaßt, bei dem mit D ein Durchmesser
des Wafers und mit L eine Spannweite bzw. Erstreckung des Wafers
unter Einbeziehung der Orientierungsabflachung 12 bezeichnet ist.
Fig. 7 zeigt einen Wafer 11, welcher eine Kerbe 19 umfaßt, wobei
mit D der Durchmesser des Wafers und mit α ein Öffnungswinkel
der Kerbe, mit δ ein Winkel, welcher eine Position bzw. Lage der
Kerbe 13 am Umfang des Wafers 11 angibt, und mit M eine Spann
weite bzw. eine Erstreckung des Wafers 11 unter Einbeziehung der
Kerbe 13 bezeichnet ist (an der Kerbe wird ein Kreis aus
Übersichtlichkeitsgründen angenommen, um die Erstreckung in Fig.
7 anzugeben, und dieser Kreis wird nicht vom Wafer erfaßt).
Fig. 8 zeigt eine Querschnittsgestalt eines angefasten Wafers.
In Fig. 8 ist mit T eine Dicke des Wafers, mit Bu und B1 sind
beide Erstreckungen eines angefasten Teils, mit Ru und R1 Radien
für die Ecken, mit Θu und Θ1 Konuswinkel und mit t eine Dicke
eines flachen bzw. abgeflachten Teils des Umfangs bezeichnet. Die
vorstehend angegebenen Größen D, L, M, Bu . . . sollten jeweils
zulässige Werte annehmen.
Zum Anfasen eines Wafers ist es erforderlich, eine Dicke des
Wafers zu kennen, um den Wafer und einen Schleifstein in einer
Vertikalrichtung genau zu positionieren. Auch sollte der Wafer
auf einem Wafertisch derart festgelegt werden, daß eine Mittel
achse bzw. ein Mittelpunkt des Wafers mit einem Drehmittelpunkt
eines Wafertisches übereinstimmt. In ähnlicher Weise sollte auch
die Position und Lage der Orientierungsabflachung 12 oder der
Kerbe 13 in genauer Weise bestimmt werden. Eine Anfas-Schleifma
schine mißt daher die Dicke des Wafers und positioniert eine
Mittelachse des Wafers und die Ausrichtungsabflachung 12 oder die
Kerbe 13 in genauer Weise.
Zum Anfasen gibt es zwei Arten von Schleifsteinen. Beispielsweise
einen trapezoidförmigen Schleifstein 42a, welcher in Fig. 9
gezeigt ist, und einen Schleifstein 42b zum Formdrehen, welcher
in Fig. 10 gezeigt ist. Bei dem Schleifstein 42a werden der
Wafer 10 und der Schleifstein 42a relativ in vertikaler Richtung
bewegt, und jede Seite des Wafers wird gegen einen konischen
Abschnitt des Schleifsteins 42a einzeln gedrückt. Andererseits
hat die Gestalt der Außenseite des Schleifsteins 42b eine Form
in gleicher Weise wie der angefaste Wafer, so daß beide Seiten
des Wafers angefast werden können, indem nur der Wafer in den
Schleifstein 42b gedrückt wird. Die Schleifsteine nach den
Fig. 9 und 10 werden zum Anfasen des Außenumfangs und der
Orientierungsabflachung 12 eingesetzt. Der Schleifstein für die
Kerbe hat die gleiche Gestalt wie der Außenumfang sowie der
Außenumfang und die Orientierungsabflachung. Üblicherweise werden
Schleifsteine für eine Kantengrobanfasung und eine Kantenfein
anfasung jeweils genommen. Auch ist es möglich, den Grobschleif
stein und den Feinschleifstein in einem Schleifstein zu ver
einigen.
Fig. 11 ist eine Draufsicht zur Verdeutlichung einer bevorzugten
Ausführungsform einer üblichen Anfas-Schleifanlage, und Fig. 12
ist eine Erläuterungsansicht dieser Anlage.
Zwei Zufuhrteile 20 und 20 und Vorbearbeitungseinrichtungen 30
sind wie in den Fig. 11 und 12 angeordnet. Die Wafer 10 (11)
sind nicht angefast und in Kassetten 21 untergebracht. Die
Kassetten 21 sind an den Zufuhrteilen 20 vorgesehen.
Aufnahmeeinrichtungen bzw. Greifeinrichtungen 80 sind in einem
Teil angeordnet, welcher von zwei Zufuhrteilen 20 und der
Vorbearbeitungseinrichtung 30 umgeben ist. Ein Arm 81 der
Aufnahmeeinrichtung 80 kann horizontal und vertikal sowie gedreht
werden. Die Wafer 10 (11) werden durch den Arm 81 aufgenommen und
ergriffen und von der Kassette 21 zu der Vorbearbeitungsein
richtung 30 einzeln transportiert.
Eine Dicke des Wafers 10 (11) wird gemessen, und die Position der
Orientierungsabflachung 12 oder einer Kerbe 13 des Wafers wird
in Grobausrichtung an der Vorbearbeitungseinrichtung 30 einge
setzt und hierbei festgestellt.
Eine Anfaseinrichtung 40 ist anschließend an die Vorbearbeitungs
einrichtung 30 angeordnet, und eine Reinigungseinrichtung 50 ist
anschließend an die Anfaseinrichtung 40 vorgesehen. Eine erste
Transporteinrichtung 20 ist oberhalb eines Wafertisches 41 der
Anfaseinrichtung 40 angeordnet, und die erste Transporteinrich
tung 120 kann sich vertikal bewegen. Nach der Bearbeitung der
Vorbearbeitungseinrichtung 30 wird der Wafer 10 (11) von der
Vorbearbeitungseinrichtung 30 aufgenommen und nach oben zu einer
Position oberhalb des Wafertisches 41 der Anfaseinrichtung 40 mit
Hilfe der Aufnahmeeinrichtung bzw. der Greifeinrichtung 80
transportiert. Dann nimmt die erste Transporteinrichtung 120 den
Wafer 10 (11) auf.
Der Wafer 10 (11) ist durch zwei Rollen 121 und ein Positionier
stück 122 der ersten Transporteinrichtung 120 abgestützt, so daß
die Position der Orientierungsabflachung 12 oder einer Kerbe 13
des Wafers 10 (11) mit hoher Repetiergenauigkeit eingestellt
wird. Die erste Transporteinrichtung 120 bringt dann den Wafer
10 (11) an dem Wafertisch 41 der Anfaseinrichtung 40 an, und der
Wafer 10 (11) wird an den Wafertisch 41 mit Hilfe von Vakuum
absorption bzw. Vakuumansaugung, usw., festgelegt, so daß der
Wafer angefast werden kann.
Eine zweite Transporteinrichtung 130 kann sich zwischen der
Anfaseinrichtung 40 und der Reinigungseinrichtung 50 bewegen und
kann sich auch in vertikaler Richtung bewegen. Nachdem der Wafer
10 (11) mittels der Anfaseinrichtung 40 angefast worden ist, wird
der Wafer 10 (11) mit Hilfe von vier Rollen 131 der zweiten
Transporteinrichtung 130 abgestützt, und der Wafer wird von dem
Wafertisch 41 zu der Reinigungseinrichtung 50 zur Ausführung
einer Reinigungsbehandlung transportiert.
Eine Speichereinrichtung bzw. eine Lagereinrichtung 110 ist
anschließend an die Reinigungseinrichtung 50 angeordnet. Eine
Prüf- bzw. Kontrolleinrichtung 60 und zwei Gehäuseeinrichtungen
70 sind um die Speichereinrichtung 110 angeordnet. Kassetten 71
zur Aufnahme des angefasten Wafers 10 (11) sind an den Gehäuse
einrichtungen 71 angebracht. Ein Arm 111 der Speichereinrichtung
110 kann horizontal und vertikal bewegt werden, und er kann sich
auch wie der Arm 181 der Aufnahmeeinrichtung 80 drehen.
Wenn die Reinigung abgeschlossen ist, wird der Wafer 10 (11) von
der Reinigungseinrichtung 50 abgenommen und zu der Kontroll
einrichtung 60 mittels der Speichereinrichtung 110 transportiert.
Eine Querschnittsgestalt und ein Durchmesser, usw., des angefa
sten Wafers 10 (11) werden an der Kontrolleinrichtung 60
kontrolliert und untersucht. Nachdem die Messung abgeschlossen
ist, wird der Wafer 10 (11) von der Speichereinrichtung 110 in
der Kassette 71 aufgenommen, welche an der Gehäuseeinrichtung 70
angebracht ist.
Im Hinblick auf die Arbeitszeiten allgemein ist die Zeit für das
Anfasen am längsten im Vergleich zu der Zeit zur Aufnahme des
Wafers von der Kassette 21, einer Zeit zur Vorbearbeitung, einer
Zeit zum Waschen, einer Zeit zum Messen, einer Zeit zum Ablegen
bzw. Lagern des Wafers und dergleichen in der Kassette 71 bei der
vorstehend beschriebenen Anfas-Schleifanlage. Somit hängt eine
Durchsatzleistung (eine Anzahl von Wafern, welche pro Stunde
angefast werden kann) der Anlage hauptsächlich von der Anfaszeit
ab.
Hierbei ist es möglich, den Schleifstein 42 zum Anfasen des
Außenumfangs und der Orientierungsabflachung 12 vorzusehen, und
den Schleifstein 43 für das Anfasen der Kerbe jeweils in der
Anfaseinrichtung 40 der vorstehend beschriebenen Anfas-Schleif
anlage vorzusehen, wie dies in Fig. 12 gezeigt ist. Um jedoch
in diesem Fall das Kantengrobschleifen und das Kantenfein
schleifen in ein und derselben Anfaseinrichtung vornehmen zu
können, sind zwei oder mehr Schleifsteine erforderlich, und ein
Anwender muß einen Schleifstein gegen einen anderen zu diesem
Zweck auswechseln bzw. austauschen. Hierdurch wird die Betriebs
zeit länger. Als Folge hiervon ergibt sich die Schwierigkeit, daß
eine Losgröße von Wafern nicht angefast werden kann (die
Durchsatzleistung ist zu klein), und zwar innerhalb einer
vorbestimmten Zeit.
Ferner ist es möglich, einige Anfas-Schleifanlagen bereitzustel
len, bei denen beispielsweise eine Anlage zum Anfasen des Wafers
einschließlich der Orientierungsabflachung bestimmt ist, eine zum
Anfasen des Wafers einschließlich der Kerbe bestimmt ist, eine
für das Kantengrobschleifen und die andere für das Kantenfein
schleifen und dergleichen bestimmt ist. Ferner ist es möglich,
einige Anfaseinrichtungen einer Anfas-Schleifanlage beispiels
weise bereitzustellen, wobei eine Anfaseinrichtung für das
Anfasen des Wafers einschließlich der Orientierungsabflachung
bestimmt ist und eine weitere für die Anfasung des Wafers
einschließlich der Kerbe bestimmt ist.
Wenn jedoch das Anfasen in den jeweiligen zwei oder mehreren
Anfas-Schleifanlagen erfolgt, oder wenn das Anfasen mit Hilfe von
zwei oder mehr Anfaseinrichtungen erfolgt, welche in einer Anfas-
Schleifanlage vorgesehen sind, muß eine Positionseinstellung der
Orientierungsabflachung oder der Kerbe des Wafers für jede
Anfasbearbeitung einzeln vorgenommen werden.
Es ist sehr schwierig, die Position der Wafermittelachse und der
Orientierungsabflachung oder der Kerbe bei einer zweiten
Anfasbearbeitung in gleicher Weise wie bei der ersten Anfas
bearbeitung vorzugeben. Daher lassen sich eine Präzisionsanfasung
und ein Kantenfeinschleifen nicht auf geeignete und gute Weise
durchführen. Daher besteht eine Schwierigkeit dahingehend, daß
die Genauigkeit des angefasten Wafers hierunter leidet. Ferner
ergibt sich hierbei die Schwierigkeit, daß die Kosten der Anlagen
und der Raumbedarf hierfür größer werden.
Wenn, wie beschrieben, die gesamte Anfasbearbeitung mit Hilfe
einer Anfaseinrichtung durchgeführt wird, um die Anfasgenauigkeit
zu verbessern, dann ergibt sich die Schwierigkeit, daß die
Durchsatzleistung hierbei gering wird. Wenn die Anfasung in zwei
oder mehreren Anfas-Schleifanlagen erfolgt oder mit zwei oder mit
mehr Anfaseinrichtungen erfolgt, um die Durchsatzleistung zu
steigern, dann ergibt sich eine Schwierigkeit dahingehend, daß
die Anfasgenauigkeit schlechter wird.
Die Erfindung zielt darauf ab, die vorstehend genannten Schwie
rigkeiten zu überwinden. Insbesondere soll nach der Erfindung
eine Anfas-Schleifanlage für einen Wafer bereitgestellt werden,
bei der eine Genauigkeit beim Anfasen eines Außenumfangs des
Wafers groß ist und man eine große Durchsatzleistung erreichen
kann.
Hierzu weist die Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach der
Erfindung hauptsächlich wenigstens ein Zufuhrteil bzw. Auf
gabeteil, wenigstens ein Gehäuseteil, wenigstens eine Vor
bearbeitungseinrichtung, eine erste Anfaseinrichtung, eine zweite
Anfaseinrichtung, eine Aufnahmeeinrichtung bzw. Greifeinrichtung,
erste Transporteinrichtungen und eine Speichereinrichtung bzw.
Lagereinrichtung auf.
Wenigstens eine erste Kassette zur Aufnahme einer Mehrzahl von
Wafern ist an dem Zuführungsteil vorgesehen. Diese Wafer sind
noch nicht angefast.
Wenigstens ist eine zweite Kassette zur Aufnahme einer Mehrzahl
von Wafern an dem Gehäuseteil angebracht.
Die Vorbearbeitungseinrichtung mißt eine Dicke des Wafers und
bestimmt eine Position des Wafers.
Die erste Anfaseinrichtung umfaßt einen drehbaren, ersten
Wafertisch und wenigstens einen drehbaren Schleifstein. Der erste
Wafertisch und der Schleifstein werden einander derart angenä
hert, daß der Wafer angefast wird.
Die zweite Anfaseinrichtung umfaßt auch einen drehbaren, zweiten
Wafertisch und wenigstens einen drehbaren Schleifstein. Der
zweite Wafertisch und der Schleifstein werden einander derart
angenähert, daß der Wafer angefast wird.
Eine Aufnahmeeinrichtung bzw. eine Greifeinrichtung nimmt den
Wafer von der ersten Kassette einzeln ab und transportiert den
Wafer zu der Vorbearbeitungseinrichtung. Nach dem Messen und der
Bestimmung der Position mit Hilfe der Vorbearbeitungseinrichtung
nimmt die Aufnahmeeinrichtung den Wafer von der Vorbearbeitungs
einrichtung auf.
Die erste Transporteinrichtung nimmt den Wafer von der ersten
Aufnahmeeinrichtung bzw. der ersten Greifeinrichtung auf und legt
den Wafer auf den ersten Wafertisch in dem Fall, daß die erste
Anfaseinrichtung den Wafer nicht anfast. Die erste Transport
einrichtung bringt den Wafer zu der zweiten Anfaseinrichtung und
legt den Wafer auf den zweiten Wafertisch in dem Fall, daß die
erste Anfaseinrichtung den Wafer anfast.
Die Speichereinrichtung bzw. Lagereinrichtung nimmt den angefa
sten Wafer von dem ersten Wafertisch und dem zweiten Wafertisch
auf. Die Lagereinrichtung bzw. Speichereinrichtung speichert die
Wafer in der zweiten Kassette.
Bei der Anfas-Schleifanlage nach der Erfindung werden die Wafer
nicht nur mit der ersten Anfaseinrichtung, sondern auch mit der
zweiten Anfaseinrichtung angefast. Als Folge hiervon läßt sich
eine Losgröße von Wafern innerhalb einer vorbestimmten Zeit
anfasen, so daß sich die Durchsatzleistung steigern läßt.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Anfas-Schleifanlage
für einen Wafer nach der Erfindung mißt die Vorbearbeitungsein
richtung in grober Weise die Dicke des Wafers und bestimmt in
grober Weise die Position des Wafers. Die erste Transport
einrichtung stellt genau die Position des Wafers ein, wenn die
erste Transporteinrichtung den Wafer von der ersten Aufnahmeein
richtung aufnimmt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform nach der
Erfindung weist die Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach der
Erfindung ferner eine Reinigungseinrichtung, eine Kontroll
einrichtung und eine zweite Transporteinrichtung auf. Die
Reinigungseinrichtung reinigt den Wafer nach dem Anfasen. Die
Kontrolleinrichtung bzw. Untersuchungseinrichtung kontrolliert
den angefasten und gereinigten Wafer. Die zweite Transport
einrichtung transportiert den Wafer von dem ersten Wafertisch zu
der Reinigungseinrichtung, wenn das Anfasen in der ersten
Anfaseinrichtung abgeschlossen ist. Die zweite Transporteinrich
tung transportiert den Wafer von dem zweiten Wafertisch zu der
Reinigungseinrichtung, wenn das Anfasen in der zweiten Anfas
einrichtung beendet ist. Ferner nimmt die Speichereinrichtung den
Wafer von der Reinigungseinrichtung auf und transportiert den
Wafer zu der Kontrolleinrichtung, nachdem die Reinigung des
Wafers in der Reinigungseinrichtung abgeschlossen ist. Die
Speichereinrichtung nimmt den Wafer von der Kontrolleinrichtung
auf und legt den Wafer in der zweiten Kassette ab, nachdem die
Kontrolle in der Kontrolleinrichtung abgeschlossen ist.
Im Hinblick auf die ersten und zweiten Anfaseinrichtungen ist es
möglich, einen drehbaren Schleifstein zum Anfasen eines Außen
umfangs und der Orientierungsabflachung eines Wafers und einen
Schleifstein zum Anfasen einer Kerbe eines Wafers mit den ersten
und zweiten Anfaseinrichtungen jeweils vorzusehen. Auch ist es
möglich, einen drehbaren Schleifstein für ein Kantengrob
schleifen des Wafers vorzusehen, und einen drehbaren Schleifstein
für ein Kantenfeinschleifen des Wafers in den ersten und zweiten
Anfaseinrichtungen jeweils.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben
sich aus der nachstehenden Beschreibung von bevorzugten Aus
führungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung, in
welcher gleiche oder ähnliche Teile mit denselben Bezugszeichen
versehen sind. Darin zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht zur Verdeutlichung einer Gesamtaus
legung einer bevorzugten Ausführungsform einer Wafer-
Anfasanlage nach der Erfindung;
Fig. 2 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Transportabfolge
eines Wafers bei einer bevorzugten Ausführungsform der
Wafer-Anfasanlage nach der Erfindung;
Fig. 3 eine Schnittansicht zur Verdeutlichung der Hauptteile
einer bevorzugten Ausführungsform einer Wafer-Anfas
anlage nach der Erfindung;
Fig. 4 ein Zeitdiagramm zur Verdeutlichung der Arbeitszeit
für die jeweiligen Teile der Anlage;
Fig. 5 ein detailliertes Zeitablaufdiagramm für den jeweili
gen Teil in der Anlage;
Fig. 6 eine Ansicht zur Verdeutlichung des äußeren Erschei
nungsbildes eines Wafers mit einer Orientierungs
abflachung;
Fig. 7 eine Ansicht zur Verdeutlichung eines äußeren Er
scheinungsbildes eines Wafers mit einer Kerbe;
Fig. 8 eine Schnittansicht zur Verdeutlichung der Quer
schnittsgestalt des angefasten Wafers;
Fig. 9 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Gestalt eines
Außenumfangs eines trapezoidförmigen Schleifsteins;
Fig. 10 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Gestalt eines
Außenumfangs eines Schleifsteins zum Formdrehen;
Fig. 11 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Gesamtauslegung
einer üblichen Wafer-Anfasanlage; und
Fig. 12 eine Ansicht zur Verdeutlichung einer Transportabfolge
eines Wafers bei einer üblichen Anfas-Schleifanlage.
Nachstehend erfolgt eine detaillierte Beschreibung einer
bevorzugten Ausführungsform einer Anfas-Schleifanlage für einen
Wafer nach der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügte
Zeichnung.
Fig. 1 ist eine Draufsicht zur Verdeutlichung einer Gesamtaus
legungsform einer bevorzugten Ausführungsform einer Wafer-
Anfasanlage nach der Erfindung. Fig. 2 ist eine Ansicht zur
Verdeutlichung einer Transportabfolge eines Wafers. Fig. 3 ist
eine Schnittansicht zur Verdeutlichung der Hauptteile der Anfas
schleifanlage (oberer Teil von A-A im Schnitt von Fig. 1). Die
Anfas-Schleifanlage gemäß der bevorzugten Ausführungsform weist
im wesentlichen zwei Zufuhrteile bzw. Aufgabeteile 20 und 20,
eine Aufnahmeeinrichtung 80, eine Vorbearbeitungseinrichtung 30,
eine erste Anfaseinrichtung 40, eine zweite Anfaseinrichtung 45,
eine Reinigungseinrichtung 50, eine erste Transporteinrichtung
90, eine zweite Transporteinrichtung 100, eine Kontrolleinrich
tung 60, eine Speichereinrichtung 110 und zwei Gehäuseteile 70
und 70 auf. Dies bedeutet, daß die Anfas-Schleifanlage gemäß der
bevorzugten Ausführungsform sich von einer üblichen Anfas-
Schleifanlage nach den Fig. 11 und 12 im wesentlichen dadurch
unterscheidet, daß zwei Anfaseinrichtungen 40 und 45, die erste
Transporteinrichtung 90 und die zweite Transporteinrichtung 100
vorgesehen sind. Die weiteren Teile sind im wesentlichen gleich
oder ähnlich wie jene bei der Anfas-Schleifanlage nach den
Fig. 11 und 12, so daß diese Teile mit übereinstimmender
Funktion mit denselben Bezugszeichen versehen sind und eine
nähere Erläuterung derselben entfallen kann.
Die erste Anfaseinrichtung 40 ist im Anschluß an die Vorbearbei
tungseinrichtung 30 angeordnet, und die zweite Anfaseinrichtung
45 ist im Anschluß an diese Anfaseinrichtung 40 vorgesehen. Bei
dieser bevorzugten Ausführungsform haben die ersten und zweiten
Anfaseinrichtungen 40 und 45 den gleichen Aufbau, das heißt ein
Schleifstein 42 zum Anfasen des Außenumfangs und der Orientie
rungsabflachung, und einen Schleifstein 43 zum Anfasen der Kerbe
jeweils, wozu die ersten und zweiten Anfaseinrichtungen 40 und
45 vorgesehen sind.
Die erste Transporteinrichtung 90 kann in vertikaler Richtung
über einen Wafertisch 40a der ersten Anfaseinrichtung 40 und über
einen Wafertisch 45a der zweiten Anfaseinrichtung 45 bewegt
werden. Auch kann die erste Transporteinrichtung 90 zwischen dem
Wafertisch 40a und dem Wafertisch 45a bewegt werden. Die erste
Transporteinrichtung 90 umfaßt zwei Rollen 91 und ein Positio
nierstück 92. Der Wafer wird horizontal durch den Arm 81
ergriffen und wird durch einen Flansch unterhalb der Rollen 91
und des Positionierstücks 92 aufgenommen. Die erste Transport
einrichtung 90 stützt den Wafer mit Rollen 91 und dem Positio
nierstück 92 derart ab, daß die Position des Wafers in korrekter
Weise bestimmt ist.
Die zweite Transporteinrichtung 100 kann sich in vertikaler und
horizontaler Richtung zwischen der ersten Anfaseinrichtung 40 und
der Reinigungseinrichtung 50 und zwischen der zweiten Anfas
einrichtung 45 und der Reinigungseinrichtung 50 bewegen. Der
Wafer 10 (11) wird durch vier Rollen 101 der zweiten Transport
einrichtung 100 abgestützt. Wie ferner in Fig. 3 gezeigt ist,
liegt der obere Grenzwert für die Bewegung der Anfaseinrichtung
90 höher als jener der zweiten Transporteinrichtung 100, woraus
resultiert, daß sich die jeweiligen Anfaseinrichtungen 90 und die
zweite Transporteinrichtung 100 horizontal ohne jegliche
wechselseitige Behinderung bewegen können.
Dann erfolgt eine Erläuterung der Arbeitsweise der Anfas-
Schleifanlage mit dem vorbeschriebenen Aufbau.
Eine Mehrzahl von Wafern 10, welche eine Orientierungsabflachung
umfassen, oder von Wafern 11, welche eine Kerbe bzw. Einkerbung
umfassen, ist noch nicht angefast, und diese Mehrzahl ist in
Kassetten 21 aufgenommen. Die Kassetten 21 sind an den Zufuhrtei
len bzw. Aufgabeteilen 20 angebracht. Der (erste) Wafer 10 (11)
wird mit Hilfe von dem Arm 81 ergriffen und von der Kassette 21
zu der Vorbearbeitungseinrichtung 30 transportiert. Eine Dicke
des Wafers 10 (11) wird gemessen, und die Position der Orientie
rungsabflachung oder der Kerbe des Wafers wird grob in der
Vorbearbeitungseinrichtung 30 bestimmt.
Nach der Behandlung in der Vorbearbeitungseinrichtung 30 wird der
Wafer 10 (11) nach oben in eine Position oberhalb des Waferti
sches 40a der ersten Anfaseinrichtung 40 durch Ergreifen mit
Hilfe der Aufnahmeeinrichtung 80 transportiert, und der Wafer
wird von der ersten Transporteinrichtung 90 aufgenommen. Der
Wafer 10 (11) ist durch zwei Rollen 91 und ein Positionierstück
92 der ersten Transporteinrichtung 90 abgestützt, so daß die
Position der Orientierungsabflachung oder einer Kerbe des Wafers
10 (11) in genauer Weise vorgegeben wird. Dann legt die erste
Transporteinrichtung 90 den Wafer 10 (11) auf den Wafertisch 40a
der ersten Anfaseinrichtung 40, und der Wafer 10 (11) wird auf
dem Wafertisch 40a mit Hilfe einer Vakuumansaugung, einer
Vakuumabsorption, oder dergleichen fixiert, so daß der Wafer
angefast werden kann.
Die Aufnahmeeinrichtung 80 kehrt zu der Nähe der Zufuhrteile 20
zurück. Die Aufnahmeeinrichtung 80 ergreift den (zweiten) Wafer
10 (11), welcher als nächster anzufasen ist. Der zweite Wafer 10
(11) wird zu der ersten Transporteinrichtung 90 abgegeben, wie
dies voranstehend beschrieben worden ist. Wenn hierbei die erste
Anfaseinrichtung 40 den ersten Wafer 10 (11) anfast, trans
portiert die erste Transporteinrichtung 90 den zweiten Wafer 10
(11) nach oben zu der zweiten Anfaseinrichtung 45. Der zweite
Wafer 10 (11) wird in der zweiten Anfaseinrichtung 45 angefast.
Wie vorstehend erwähnt worden ist, werden die Wafer 10 (11) von
den Kassetten 21 aufgenommen und zu der ersten Anfaseinrichtung
40 oder der zweiten Anfaseinrichtung 45 transportiert und sie
werden dort einzeln angefast.
Nachdem der Wafer 10 (11) in der Anfaseinrichtung 40 oder der
Anfaseinrichtung 45 angefast worden ist, wird der Wafer 10 (11)
durch vier Rollen 101 der zweiten Transporteinrichtung 100
abgestützt, und der Wafer wird von dem Wafertisch 40a oder dem
Wafertisch 45a zu der Reinigungseinrichtung 50 zur Ausführung des
Reinigungsvorganges transportiert.
Wenn die Reinigung abgeschlossen ist, bewegt sich der Arm 111 der
Speichereinrichtung 110 in horizontaler Richtung derart, daß der
Wafer 10 (11) unterstützt wird, und der Arm 111 wird geringfügig
angehoben. Dann wird der Wafer 10 (11) von einem Tisch 51 der
Reinigungseinrichtung 50 zu der Kontrolleinrichtung 60 trans
portiert.
An der Kontrolleinrichtung 60 werden eine Querschnittsgestalt und
ein Durchmesser, usw. des angefasten Wafers 10 (11) untersucht
und kontrolliert. Nach der Kontrolle wird der Wafer 10 (11) in
der Speichereinrichtung 110 in der Kassette 71 aufgenommen,
welche an der Gehäuseeinrichtung 70 vorgesehen ist.
Nachstehend erfolgt eine Erläuterung der Arbeitszeiten der Anfas-
Schleifanlage mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau. Fig. 4
ist ein Zeitablaufdiagramm zur Verdeutlichung der Arbeitszeit in
jedem Teil der Anlage. Fig. 5 ist ein detailliertes Zeit
ablaufdiagramm des jeweiligen Teils im System. Da die Betriebs
zeit der Vorbearbeitungseinrichtung 30 und der Kontrolleinrich
tung 60 jeweils in der Arbeitszeit der Aufnahmeeinrichtung 80 und
der Speichereinrichtung 110 jeweils mit eingeschlossen ist, ist
die Arbeitszeit für die Vorbearbeitungseinrichtung 30 und die
Kontrolleinrichtung 60 in den Fig. 4 und 5 nicht erwähnt.
Wenn in Fig. 5 der Arm 81 der Aufnahmeeinrichtung 80 sich in der
Nähe des Zufuhrteils 20 zuerst befindet, nimmt der Arm 81 einen
Wafer 10 (11) von der Kassette 21 auf und transportiert diesen
zu der Vorbearbeitungseinrichtung 30. Die Aufnahmeeinrichtung 80
befindet sich in der Nähe der Vorbearbeitungseinrichtung 30, bis
die Dicke des Wafers 10 (11) gemessen ist und die Position der
Orientierungsabflachung oder der Kerbe grob mit Hilfe der
Vorbearbeitungseinrichtung 30 eingestellt ist. Die Zeit für den
vorstehend beschriebenen Vorgang (vom Aufnehmen des Wafers bis
zur Beendigung der Vorbearbeitung) ist mit F angegeben.
Wenn die Messung der Dicke und die Einstellung der Position des
Wafers 10 (11) abgeschlossen sind, transportiert die Aufnahme
einrichtung 80 den Wafer 10 (11) nach oben zu der ersten
Transporteinrichtung 90, welche sich oberhalb des Wafertisches
40a der ersten Anfaseinrichtung 40 befindet, so daß der Wafer 10
(11) an der ersten Transporteinrichtung 90 angeordnet wird. Dann
kehrt die Aufnahmeeinrichtung 80 zu der Nähe der Zufuhrein
richtungen 20 zurück. Die für die vorstehend beschriebenen
Vorgänge erforderliche Zeit ist mit Fa bezeichnet.
Die erste Transporteinrichtung 90 bestimmt die Position des
Wafers 10 (11) genau und ordnet diesen auf dem Wafertisch 40a der
Anfaseinrichtung 40 an. Die für diesen vorstehend genannten
Vorgang erforderliche Zeit ist mit Ha bezeichnet.
Wie vorstehend beschrieben worden ist, kehrt die Aufnahme
einrichtung 80 zu der Nähe des Zuführungsteils 20 zurück und
nimmt den (zweiten) Wafer 10 (11) auf, welcher als nächster
anzufasen ist. Der zweite Wafer 10 (11) wird zu der ersten
Transporteinrichtung 90 transportiert. Wenn die erste Anfas
einrichtung 40 den ersten Wafer 10 (11) anfast, transportiert die
erste Transporteinrichtung 90 den zweiten Wafer 10 (11) nach oben
zu der zweiten Anfaseinrichtung 45. Die Zeit zum Transportieren
des Wafers 10 (11) von der ersten Anfaseinrichtung 40 zu der
zweiten Anfaseinrichtung 45 ist mit Hb bezeichnet. Natürlich ist
die Zeit zum Anordnen des Wafers auf dem Wafertisch 45a (ausge
hend von der ersten Transporteinrichtung 90) mit Ha bezeichnet
und stimmt mit jener zum Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung
40 überein.
Die zum Anfasen in den ersten und zweiten Anfaseinrichtungen 40
und 45 benötigte Zeit ist mit G bezeichnet.
Wenn das Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung 40 abgeschlossen
ist, nimmt die zweite Transporteinrichtung 100 den angefasten
Wafer 10 (11) von dem Wafertisch 40a auf und transportiert diesen
nach oben zu der Reinigungseinrichtung 50. Die Zeit zum Trans
portieren des Wafers 10 (11) von dem Wafertisch 40a zu der
Reinigungseinrichtung 50 ist mit Hc bezeichnet.
In ähnlicher Weise ist die Zeit zum Transportieren des Wafers 10
(11) von dem Wafertisch 45a zu der Reinigungseinrichtung 50 mit
Hd bezeichnet.
Nachdem der angefaste Wafer 10 (11) an dem Tisch 51 der Reini
gungseinrichtung 50 angeordnet ist, wird der Wafer 10 (11) mit
Hilfe der Reinigungseinrichtung 50 gereinigt. Die Zeit zum
Anordnen des Wafers 10 (11) auf dem Tisch 51 und zum Reinigen ist
mit W bezeichnet.
Wenn die Reinigung abgeschlossen ist, bewegt sich der Arm 111 der
Lagereinrichtung 110 nach oben zu der Reinigungseinrichtung 50
und nimmt den gereinigten Wafer 10 (11) von der Reinigungsein
richtung 50 auf. Die Zeit für diesen Vorgang ist mit He bezeich
net.
Nach dem Aufnehmen des gereinigten Wafers 10 (11) von der
Reinigungseinrichtung 50 in der Speichereinrichtung 110 trans
portiert die Speichereinrichtung 110 den Wafer 10 (11) zu der
Kontrolleinrichtung 60 nach oben. Wenn die Kontrolle in der
Kontrolleinrichtung 60 abgeschlossen ist, wird der Wafer 10 (11)
in der Kassette 71 aufgenommen, welche an der Gehäuseeinrichtung
10 angebracht ist. Die für den vorstehend beschriebenen Vorgang
(Transportieren, Kontrollieren und Aufnehmen) erforderliche Zeit
ist mit E bezeichnet.
In Fig. 4 bezeichnet die Ziffer der jeweiligen Zeitlinie die zu
bearbeitenden Wafer (1 ist der erste Wafer, 2 ist der zweite
Wafer, usw.).
Wie in Fig. 4 gezeigt ist, wird eine Zeit von F + Fa für den
Vorgang benötigt, bei dem die Aufnahmeeinrichtung 80 den Wafer
10 (11) von der Kassette 21 aufnimmt, diesen auf der ersten
Transporteinrichtung 90 anordnet und wieder zurückkehrt. Man
benötigt Ha+G+Hc für den Vorgang, bei dem die erste Transport
einrichtung 90 den Wafer 10 (11) aufnimmt und die zweite
Transporteinrichtung 100 den angefasten Wafer 10 (11) zu der
Reinigungseinrichtung 50 nach oben bewegt. Man benötigt W+He für
den Vorgang, bei dem die zweite Transporteinrichtung 100 den
Wafer 10 (11) in der Reinigungseinrichtung 50 anordnet und die
Speichereinrichtung 110 den Wafer 10 (11) nach der Reinigung
aufnimmt. Man benötigt E+He für den Vorgang, bei dem die
Speichereinrichtung 110 den Wafer 10 (11) aufnimmt und ihn in der
Kassette 110 anordnet. Natürlich zeigt Fig. 4, daß die Zeit für
das Anfasen Ha+Hb+G+Hd bei der Anfaseinrichtung 45 derart gewählt
ist, daß diese Zeit im wesentlichen gleich wie die Zeit für das
Anfasen bei der Anfaseinrichtung 40 ist. Da ferner die erste
Transporteinrichtung 90 und die zweite Transporteinrichtung 100
nicht viel Zeit für die Bewegung zu der nächsten Position nach
der Anordnung des Wafers benötigen, wird diese Zeit hierbei nicht
berücksichtigt.
Nach der voranstehenden Beschreibung beläuft sich eine maximale
Anzahl von Anfaseinrichtungen in einer Anlage auf eine ganze Zahl
N, welche kleiner als die folgenden Werte Na, Nb und Nc ist (N
Na, Nb, Nc).
Na = (Ha + G + Hc)/(F + Fa) (1)
Nb = (Ha + G + Hc)/(W + He) (2)
Nc = (Ha + G + Hc)/(E + He) (3)
Als mittlere Bearbeitungszeit für einen Wafer ergibt sich
folgendes:
ST = (Ha + G + Hc)/N (4)
Offensichtlich ist bei der voranstehend beschriebenen bevorzugten
Ausführungsform die Anfaszeit die längste, und sie ist mehr als
dreimal so groß aber kleiner als dreimal so groß wie die längste
der anderen Bearbeitungszeiten (F + Fa, W + He, und E + He). Wenn
die Anfaszeit größer als das Dreifache von (F + Fa, W + He, und
E + He) ist, kann die Anzahl der Anfaseinrichtungen auf drei oder
mehr vergrößert werden, und ein Bewegungsweg der ersten Trans
porteinrichtung 90 und der zweiten Transporteinrichtung 100 in
horizontaler Richtung kann ebenfalls vergrößert werden.
Wenn in ähnlicher Weise die Reinigungszeit lang ist, so daß N
größer als Nb, aber kleiner als Na und Nc (Na < N < Nb, Nc) kann
eine weitere Reinigungseinrichtung 50 zusätzlich vorgesehen sein,
und ein Bewegungsweg der zweiten Transporteinrichtung 100 in
horizontaler Richtung kann vergrößert werden, so daß die mittlere
Bearbeitungszeit für einen Wafer sich auf ST belaufen kann.
Wenn N größer als Na, aber kleiner als Nb und Nc (Na < N < Nb,
Nc) ist, da es eine lange Zeit für die Bearbeitung benötigt, bei
der der Wafer 10 (11) von der Kassette 21 aufgenommen wird, sowie
für die Bearbeitung bei der Vorbearbeitungseinrichtung 130 können
das Zufuhrteil 20 und die Vorbearbeitungseinrichtung 30 zusätz
lich vorgesehen sein, oder die Funktionen der Vorbearbeitungsein
richtung 30 können auf die Messung der Dicke und der Grobpositio
nierung des Wafers gesondert aufgeteilt werden. In diesem Fall
kann sich ein von dem Zufuhrteil 20 und der Vorbearbeitungsein
richtung 30 gebildeter Winkel etwa auf 60° belaufen, wenn
beispielsweise die Gesamtanzahl der Zufuhrteile 20 und der
Vorbearbeitungseinrichtungen 30 sich auf 4 beläuft. Natürlich ist
der Winkel auf etwa 90° bei dieser bevorzugten Ausführungsform
eingestellt.
Wenn in ähnlicher Weise N größer als Nc, aber kleiner als Na und
Nb (Nc < N < Na, Nb) ist, da die Zeit für das Arbeiten der
Kontrolleinrichtung 60 und die Zeit für das Arbeiten zur Aufnahme
des Wafers in der Kassette 71 länger sind, können die Kontroll
einrichtung 60 und die Gehäuseeinrichtung 70 zusätzlich vor
gesehen sein, oder die Funktionen der Kontrolleinrichtung 60
können aufgeteilt werden. In diesem Fall ist ein von der
Kontrolleinrichtung 60 und dem Gehäuseteil 70 gebildeter Winkel
beispielsweise etwa 60°, wenn beispielsweise sich eine Gesamt
anzahl von Kontrolleinrichtungen 60 und Gehäuseteilen 70 auf 4
beläuft. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform beträgt der
Winkel offensichtlich etwa 90°.
Bei der vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform wird
darüber hinaus die Position der Orientierungsabflachung oder der
Kerbe des Wafers 10 (11) grob durch die Vorbearbeitungsein
richtung 30 voreingestellt, und es erfolgt eine genaue Ein
stellung bevor der Wafer auf dem Wafertisch mit Hilfe der ersten
Transporteinrichtung 90 angebracht wird. Die Erfindung ist jedoch
hierauf nicht beschränkt. Es ist möglich, die Position des Wafers
an der Vorbearbeitungseinrichtung bzw. Vorbehandlungseinrichtung
30 genau voreinzustellen und den genau positionierten Wafer zu
der ersten Transporteinrichtung 90 direkt zu transportieren.
Bei der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform wird der
Wafer 10 (11) gereinigt und die Form und die Abmessungen usw.
werden kontrolliert, nachdem der Wafer angefast worden ist, und
dann wird der Wafer in der Kassette 71 aufgenommen. Die Erfindung
ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Es ist möglich, den
Kontrollteil 60 wegzulassen. Somit wird der Wafer 10 (11)
gereinigt und in der Kassette 71 aufgenommen, ohne daß die Form
und die Größe, usw. vermessen werden, und der Wafer 10 (11) wird
in einem Wasserbehälter oder dergleichen aufgenommen, nachdem das
Anfasen abgeschlossen ist, und der Wafer wird aus dem Wasser
behälter zur nachträglichen Kontrolle genommen.
Wie sie auch der vorstehenden Beschreibung ergibt, ist bei der
bevorzugten Ausführungsform der Anfas-Schleifanlage für Wafer
nach der Erfindung eine Mehrzahl von Anfaseinrichtungen vor
gesehen, so daß die Anfasung gleichzeitig mittels einer Mehrzahl
von Anfaseinrichtungen durchgeführt werden kann, wobei diese das
Anfasen des gesamten Außenumfangs des Wafers insgesamt vornehmen
können. Dies bedeutet, daß es nicht erforderlich ist, wenn der
Wafer eine Kerbe mit einschließt, das kreisförmige Teil und die
Kerbe in zwei Anfas-Schleifanlagen oder mit wenigstens zwei
Anfaseinrichtungen in einer Anfas-Schleifanlage anzufasen,
wodurch sich die Durchsatzleistung steigern läßt. Ferner ist es
nicht erforderlich, ein Kantengrobschleifen und ein Kantenfein
schleifen in zwei Anfas-Schleifanlagen oder zwei Anfaseinrichtun
gen in einer Anfas-Schleifanlage vorzunehmen, wodurch sich die
Genauigkeit verbessern läßt.
Wenn ferner der Wafer an dem Wafertisch während der Anfasung
festgelegt ist, dann besteht keine Notwendigkeit, den Wafer zu
bewegen. Hierdurch läßt sich die Bearbeitungsgenauigkeit
steigern. Daher ist es möglich, eine Anfas-Schleifanlage für
einen Wafer bereitzustellen, bei dem die Genauigkeit der Anfasung
des Außenumfangs des Wafers hoch ist und man eine große
Durchsatzleistung erhält.
Ferner ist es möglich, die Anfas-Schleifanlage für einen Wafer
derart auszulegen, daß die Kosten für die Anlagen und der
Platzbedarf hierfür reduziert sind, wenn man einen Vergleich mit
den entsprechenden Größen mit einem System vornimmt, bei dem das
Anfasen in zwei Anfas-Schleifanlagen ausgeführt wird.
Es ist jedoch noch zu erwähnen, daß die Erfindung nicht auf die
speziellen voranstehend beschriebenen Ausbildungseinzelheiten
abgestellt ist, sondern daß zahlreiche Abänderungen und Modifika
tionen möglich sind, die der Fachmann im Bedarfsfall treffen
wird, ohne den Erfindungsgedanken zu verlassen.
Claims (6)
1. Anfas-Schleifanlage für einen Wafer, welche folgendes
aufweist:
wenigstens ein Zufuhrteil (20), wenigstens eine erste Kassette (21) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern (10, 11), welche an dem Zufuhrteil (20) angeordnet ist, und welche die nicht angefasten Wafer aufnimmt;
wenigstens ein Gehäuseteil (70), wenigstens eine zweite Kassette (71) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern, welche an dem Gehäuseteil (70) angeordnet ist;
wenigstens eine Vorbearbeitungseinrichtung (30) zum Messen einer Dicke des Wafers zur Bestimmung einer Position des Wafers;
eine erste Anfaseinrichtung (40) zum Anfasen des Außenumfangs des Wafers, wobei die erste Anfaseinrichtung einen drehbaren ersten Wafertisch (40a) und wenigstens einen drehbaren Schleifstein (42, 43) umfaßt, und der erste Wafertisch (40a) und der Schleifstein (42, 43) einander derart angenähert werden, daß der Wafer angefast wird;
eine zweite Anfaseinrichtung (45) zum Anfasen eines Außenumfangs des Wafers, wobei die zweite Anfaseinrichtung wenigstens einen drehbaren, zweiten Wafertisch (45a) und wenigstens einen drehbaren Schleifstein (42, 43) umfaßt, und der zweite Wafertisch (45a) und der Schleifstein (42, 43) einander derart angenähert werden, daß der Wafer angefast wird;
eine Aufnahmeeinrichtung (80) zum einzelnen Aufnehmen des Wafers von der ersten Kassette (71) und zum Trans portieren des Wafers zu der Vorbearbeitungseinrichtung (30), wobei die Aufnahmeeinrichtung (80) den Wafer von der Vorbearbeitungseinrichtung (30) aufnimmt, nachdem die Vermessung und die Positionsbestimmung in der Vorbearbei tungseinrichtung (30) abgeschlossen sind;
eine erste Transporteinrichtung (90) zum Transportie ren des Wafers, wobei die erste Transporteinrichtung (90) den Wafer von der Aufnahmeeinrichtung (80) aufnimmt und den Wafer auf dem ersten Wafertisch (40a) der ersten Anfas einrichtung (40) dann anordnet, wenn die erste Anfaseinrich tung (40) den Wafer nicht anfast, und die erste Transport einrichtung (90) den Wafer nach oben zu der zweiten Anfas einrichtung (45) transportiert und auf dem zweiten Wafer tisch (45a) der zweiten Anfaseinrichtung (45) dann anordnet, wenn die erste Anfaseinrichtung (40) den Wafer anfast; und
eine Speichereinrichtung (110) zur Aufnahme des angefasten Wafers von dem ersten Wafertisch (40a) und dem zweiten Wafertisch (45a) und zur Speicherung bzw. zur Ablage des Wafers in der zweiten Kassette (71).
wenigstens ein Zufuhrteil (20), wenigstens eine erste Kassette (21) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern (10, 11), welche an dem Zufuhrteil (20) angeordnet ist, und welche die nicht angefasten Wafer aufnimmt;
wenigstens ein Gehäuseteil (70), wenigstens eine zweite Kassette (71) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern, welche an dem Gehäuseteil (70) angeordnet ist;
wenigstens eine Vorbearbeitungseinrichtung (30) zum Messen einer Dicke des Wafers zur Bestimmung einer Position des Wafers;
eine erste Anfaseinrichtung (40) zum Anfasen des Außenumfangs des Wafers, wobei die erste Anfaseinrichtung einen drehbaren ersten Wafertisch (40a) und wenigstens einen drehbaren Schleifstein (42, 43) umfaßt, und der erste Wafertisch (40a) und der Schleifstein (42, 43) einander derart angenähert werden, daß der Wafer angefast wird;
eine zweite Anfaseinrichtung (45) zum Anfasen eines Außenumfangs des Wafers, wobei die zweite Anfaseinrichtung wenigstens einen drehbaren, zweiten Wafertisch (45a) und wenigstens einen drehbaren Schleifstein (42, 43) umfaßt, und der zweite Wafertisch (45a) und der Schleifstein (42, 43) einander derart angenähert werden, daß der Wafer angefast wird;
eine Aufnahmeeinrichtung (80) zum einzelnen Aufnehmen des Wafers von der ersten Kassette (71) und zum Trans portieren des Wafers zu der Vorbearbeitungseinrichtung (30), wobei die Aufnahmeeinrichtung (80) den Wafer von der Vorbearbeitungseinrichtung (30) aufnimmt, nachdem die Vermessung und die Positionsbestimmung in der Vorbearbei tungseinrichtung (30) abgeschlossen sind;
eine erste Transporteinrichtung (90) zum Transportie ren des Wafers, wobei die erste Transporteinrichtung (90) den Wafer von der Aufnahmeeinrichtung (80) aufnimmt und den Wafer auf dem ersten Wafertisch (40a) der ersten Anfas einrichtung (40) dann anordnet, wenn die erste Anfaseinrich tung (40) den Wafer nicht anfast, und die erste Transport einrichtung (90) den Wafer nach oben zu der zweiten Anfas einrichtung (45) transportiert und auf dem zweiten Wafer tisch (45a) der zweiten Anfaseinrichtung (45) dann anordnet, wenn die erste Anfaseinrichtung (40) den Wafer anfast; und
eine Speichereinrichtung (110) zur Aufnahme des angefasten Wafers von dem ersten Wafertisch (40a) und dem zweiten Wafertisch (45a) und zur Speicherung bzw. zur Ablage des Wafers in der zweiten Kassette (71).
2. Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Vorbearbeitungseinrichtung (30) grob
die Dicke des Wafers mißt und die Positionsbestimmung des
Wafers grob vornimmt, und daß die erste Transporteinrichtung
(90) die korrekte Positionseinstellung des Wafers vornimmt,
wenn die erste Transporteinrichtung (90) den Wafer von der
Aufnahmeeinrichtung (80) aufnimmt.
3. Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach Anspruch 1 oder 2,
ferner gekennzeichnet durch folgendes:
eine Reinigungseinrichtung (50) zum Reinigen des angefasten Wafers;
eine Kontrolleinrichtung (60) zum Kontrollieren des angefasten und gereinigten Wafers; und
eine zweite Transporteinrichtung (100) zum Trans portieren des Wafers, wobei die zweite Transporteinrichtung (100) den Wafer von dem ersten Wafertisch (40a) zu der Reinigungseinrichtung (50) transportiert, wenn das Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung (40) beendet ist, und die zweite Transporteinrichtung (100) den Wafer von dem zweiten Wafertisch (45a) zu der Reinigungseinrichtung (50) trans portiert, wenn das Anfasen in der zweiten Anfaseinrichtung (45) beendet ist;
wobei die Speichereinrichtung (110) den Wafer von der Reinigungseinrichtung (50) aufnimmt und den Wafer zu der Kontrolleinrichtung (60) transportiert, nachdem die Reini gung des Wafers in der Reinigungseinrichtung (50) abge schlossen ist, und die Speichereinrichtung (110) den Wafer von der Kontrolleinrichtung (60) aufnimmt und den Wafer in der zweiten Kassette (71) ablegt, nachdem die Kontrolle in der Kontrolleinrichtung (60) abgeschlossen ist.
eine Reinigungseinrichtung (50) zum Reinigen des angefasten Wafers;
eine Kontrolleinrichtung (60) zum Kontrollieren des angefasten und gereinigten Wafers; und
eine zweite Transporteinrichtung (100) zum Trans portieren des Wafers, wobei die zweite Transporteinrichtung (100) den Wafer von dem ersten Wafertisch (40a) zu der Reinigungseinrichtung (50) transportiert, wenn das Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung (40) beendet ist, und die zweite Transporteinrichtung (100) den Wafer von dem zweiten Wafertisch (45a) zu der Reinigungseinrichtung (50) trans portiert, wenn das Anfasen in der zweiten Anfaseinrichtung (45) beendet ist;
wobei die Speichereinrichtung (110) den Wafer von der Reinigungseinrichtung (50) aufnimmt und den Wafer zu der Kontrolleinrichtung (60) transportiert, nachdem die Reini gung des Wafers in der Reinigungseinrichtung (50) abge schlossen ist, und die Speichereinrichtung (110) den Wafer von der Kontrolleinrichtung (60) aufnimmt und den Wafer in der zweiten Kassette (71) ablegt, nachdem die Kontrolle in der Kontrolleinrichtung (60) abgeschlossen ist.
4. Anfas-Schleifanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste Anfaseinrichtung (40)
und die zweite Anfaseinrichtung (45) jeweils einen drehbaren
Schleifstein zum Anfasen eines Außenumfangs und der Orien
tierungsabflachung eines Wafers und einen drehbaren Schleif
stein zum Anfasen einer Kerbe eines Wafers umfassen.
5. Anfas-Schleifanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste Anfaseinrichtung (40)
und die zweite Anfaseinrichtung (45) jeweils einen drehbaren
Schleifstein zum Kantengrobschleifen und einen drehbaren
Schleifstein zum Kantenfeinschleifen umfassen.
6. Verfahren zum Anfas-Schleifen eines Wafers, welches die
folgenden Schritte aufweist:
Vorsehen von wenigstens einem Zufuhrteil (20); wenig stens einem Gehäuseteil (70), wenigstens einer Vorbearbei tungseinrichtung (30) zum Messen einer Dicke des Wafers und zur Positionsbestimmung des Wafers, einer ersten Anfas einrichtung (40) einschließlich eines drehbaren, ersten Wafertisches (40a) und wenigstens eines drehbaren Schleif steins (42, 43), wobei der erste Wafertisch (40a) und der Schleifstein (42, 43) einander derart angenähert werden, daß der Wafer auf dem ersten Wafertisch (40a) angefast wird, und wobei die zweite Anfaseinrichtung (45) einen drehbaren, zweiten Wafertisch (45a) und wenigstens einen drehbaren Schleifstein (42, 43) umfaßt und der zweite Wafertisch (45a) und der Schleifstein (42, 43) derart einander angenähert werden, daß der Wafer auf dem zweiten Wafertisch (45a) angefast wird;
Anbringen wenigstens einer ersten Kassette (21) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern (10, 11), welche nicht angefast sind, an dem wenigstens einen Zufuhrteil (20);
Anbringen wenigstens einer zweiten Kassette (71) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern an dem wenigstens einen Gehäuseteil (70);
einzelnes Aufnehmen des Wafers von der ersten Kassette (21);
Transportieren des Wafers zu der Vorbearbeitungsein richtung (30);
Aufnehmen des Wafers von der Vorbearbeitungseinrichtung (30), nachdem die Vermessung und die Positionsbestimmung in der Vorbearbeitungseinrichtung (30) abgeschlossen sind;
Transportieren des Wafers zu der ersten Anfaseinrich tung (40) und Anordnen des Wafers auf dem ersten Wafertisch (40a), wenn die erste Anfaseinrichtung (40) den Wafer nicht anfast,
Transportieren des Wafers zu der zweiten Anfaseinrich tung (45) und Anordnen des Wafers auf dem zweiten Wafertisch (45a), wenn die erste Anfaseinrichtung (40) den Wafer anfast;
Aufnehmen des angefasten Wafers von dem ersten Wafer tisch (40a) und dem zweiten Wafertisch (45a); und
Ablegen und Sammeln des angefasten Wafers in der zweiten Kassette (71).
Vorsehen von wenigstens einem Zufuhrteil (20); wenig stens einem Gehäuseteil (70), wenigstens einer Vorbearbei tungseinrichtung (30) zum Messen einer Dicke des Wafers und zur Positionsbestimmung des Wafers, einer ersten Anfas einrichtung (40) einschließlich eines drehbaren, ersten Wafertisches (40a) und wenigstens eines drehbaren Schleif steins (42, 43), wobei der erste Wafertisch (40a) und der Schleifstein (42, 43) einander derart angenähert werden, daß der Wafer auf dem ersten Wafertisch (40a) angefast wird, und wobei die zweite Anfaseinrichtung (45) einen drehbaren, zweiten Wafertisch (45a) und wenigstens einen drehbaren Schleifstein (42, 43) umfaßt und der zweite Wafertisch (45a) und der Schleifstein (42, 43) derart einander angenähert werden, daß der Wafer auf dem zweiten Wafertisch (45a) angefast wird;
Anbringen wenigstens einer ersten Kassette (21) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern (10, 11), welche nicht angefast sind, an dem wenigstens einen Zufuhrteil (20);
Anbringen wenigstens einer zweiten Kassette (71) zur Aufnahme einer Mehrzahl von Wafern an dem wenigstens einen Gehäuseteil (70);
einzelnes Aufnehmen des Wafers von der ersten Kassette (21);
Transportieren des Wafers zu der Vorbearbeitungsein richtung (30);
Aufnehmen des Wafers von der Vorbearbeitungseinrichtung (30), nachdem die Vermessung und die Positionsbestimmung in der Vorbearbeitungseinrichtung (30) abgeschlossen sind;
Transportieren des Wafers zu der ersten Anfaseinrich tung (40) und Anordnen des Wafers auf dem ersten Wafertisch (40a), wenn die erste Anfaseinrichtung (40) den Wafer nicht anfast,
Transportieren des Wafers zu der zweiten Anfaseinrich tung (45) und Anordnen des Wafers auf dem zweiten Wafertisch (45a), wenn die erste Anfaseinrichtung (40) den Wafer anfast;
Aufnehmen des angefasten Wafers von dem ersten Wafer tisch (40a) und dem zweiten Wafertisch (45a); und
Ablegen und Sammeln des angefasten Wafers in der zweiten Kassette (71).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6317608A JP2882458B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | ウェーハ面取り機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19543867A1 true DE19543867A1 (de) | 1996-05-30 |
DE19543867C2 DE19543867C2 (de) | 1998-07-02 |
Family
ID=18090101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19543867A Expired - Fee Related DE19543867C2 (de) | 1994-11-28 | 1995-11-24 | Anfas-Schleifanlage für einen Wafer |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5769695A (de) |
JP (1) | JP2882458B2 (de) |
KR (1) | KR100197091B1 (de) |
DE (1) | DE19543867C2 (de) |
GB (1) | GB2296458B (de) |
TW (1) | TW366532B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0904893A2 (de) * | 1996-06-15 | 1999-03-31 | Unova U.K. Limited | Inspektion der Kante einer Halbleiterscheibe nach dem Schleifen |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2317585B (en) * | 1997-06-11 | 1999-12-01 | Western Atlas Uk Ltd | Improvements in and relating to grinding machines |
GB2322319B (en) * | 1996-06-15 | 1999-12-01 | Unova Uk Ltd | Method of grinding disc workpieces |
JPH11154655A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-08 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
US6132289A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-17 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit |
JPH11320363A (ja) | 1998-05-18 | 1999-11-24 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り装置 |
JP2003077872A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法 |
JP4748968B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2011-08-17 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法 |
US7752996B2 (en) * | 2006-05-11 | 2010-07-13 | Lam Research Corporation | Apparatus for applying a plating solution for electroless deposition |
JP5385519B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2014-01-08 | 株式会社東京精密 | 面取り機能つき洗浄装置 |
JP5491273B2 (ja) | 2010-05-11 | 2014-05-14 | ダイトエレクトロン株式会社 | ウェーハの面取り装置 |
JP2014167996A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Ebara Corp | 研磨装置および研磨方法 |
JP2014226767A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | 株式会社東京精密 | ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法 |
JP6920849B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-08-18 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法および装置 |
CN107598763A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-01-19 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种多尺寸兼容的晶圆研磨设备及其研磨方法 |
CN113334245B (zh) * | 2020-02-18 | 2022-10-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种研磨液供给*** |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3530571A (en) * | 1967-12-15 | 1970-09-29 | Cincinnati Milacron Inc | Manufacturing system |
US3665648A (en) * | 1969-12-18 | 1972-05-30 | Yugen Kaisha Yamanaka Seisakus | Grinding apparatus |
GB1365142A (en) * | 1971-10-01 | 1974-08-29 | Werkzeugmasch Heckert Veb | Method of and a machine tool installation for handling and ma chining workpieces |
JPS59214554A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-12-04 | Daiichi Seiki Kk | ウエハ−の面取り研削装置 |
JPS60109859U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | 株式会社 デイスコ | 半導体ウエ−ハ表面研削装置 |
US4982827A (en) * | 1985-04-01 | 1991-01-08 | Globe Products Inc. | Workpiece processing system |
US4753045A (en) * | 1985-10-01 | 1988-06-28 | General Motors Corporation | Adjustable double end grinding machine |
JPS6299065A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 球面研削装置 |
US4638601A (en) * | 1985-11-04 | 1987-01-27 | Silicon Technology Corporation | Automatic edge grinder |
JPH0230464A (ja) * | 1988-07-16 | 1990-01-31 | Daiichi Seiki Kk | ノッチの研削されたウエハとその研削加工装置 |
US5117590A (en) * | 1988-08-12 | 1992-06-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of automatically chamfering a wafer and apparatus therefor |
JP3027882B2 (ja) * | 1992-07-31 | 2000-04-04 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ面取部研磨装置 |
KR0167000B1 (ko) * | 1992-10-30 | 1999-02-01 | 슈지 가와사키 | 연마 방법, 그 장치 및 연마용 버프 휠 |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP6317608A patent/JP2882458B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-14 TW TW084112006A patent/TW366532B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-11-20 GB GB9523733A patent/GB2296458B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-24 DE DE19543867A patent/DE19543867C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-28 KR KR1019950044161A patent/KR100197091B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-05-29 US US08/865,048 patent/US5769695A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Bücken, Dr.-Ing. C.: Die Organisation automatischer Fertigungen, in: Sonderdruck aus Industrie-Anzeiger, Essen, 47/48 - 15. Juni 1956, S. 58-63 * |
Russia automates nut and bolt production, in: Metalworking Production 4. Nov. 1955, S. 1872-1874 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0904893A2 (de) * | 1996-06-15 | 1999-03-31 | Unova U.K. Limited | Inspektion der Kante einer Halbleiterscheibe nach dem Schleifen |
EP0904893A3 (de) * | 1996-06-15 | 1999-09-29 | Unova U.K. Limited | Inspektion der Kante einer Halbleiterscheibe nach dem Schleifen |
CN1081510C (zh) * | 1996-06-15 | 2002-03-27 | 尤诺瓦英国有限公司 | 改进的磨削和抛光机床 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW366532B (en) | 1999-08-11 |
KR100197091B1 (ko) | 1999-06-15 |
US5769695A (en) | 1998-06-23 |
GB2296458B (en) | 1998-07-29 |
GB9523733D0 (en) | 1996-01-24 |
JPH08150551A (ja) | 1996-06-11 |
JP2882458B2 (ja) | 1999-04-12 |
DE19543867C2 (de) | 1998-07-02 |
KR960017051A (ko) | 1996-06-17 |
GB2296458A (en) | 1996-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10162945B4 (de) | Schleifmaschine | |
DE68917046T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Abfasen einer Halbleiterplatte. | |
DE19543867A1 (de) | Anfas-Schleifanlage für einen Wafer und Verfahren zum Anfas-Schleifen hierfür | |
DE69424016T2 (de) | Poliergerät | |
DE69721115T2 (de) | Verfahren zum Orientieren von mehreren Einkristallbarren auf einem Träger für das gleichzeitige Aufschneiden der Barren in einer Schneidmaschine | |
DE69210566T2 (de) | Gerät zum automatischen Läppen von Wafern | |
DE69507990T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Hochglanzpolieren eines Teiles von einem Wafer | |
DE602005006225T2 (de) | Vorrichtung zum Bearbeiten von Brillengläsern | |
DE69207075T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abschrägen der Kerbe eines Plättchen | |
DE69631353T2 (de) | Verfahren zur Orientierung von Einkristallen zum Schneiden in eine Schneidemaschine und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE102012220161B4 (de) | Bearbeitungsverfahren für einen Wafer mit einem abgeschrägten Abschnitt entlang des äusseren Umfangs davon | |
DE3889473T2 (de) | Vorrichtung zum Handhaben eines Wafers. | |
DE102007052011A1 (de) | Waferbearbeitungsverfahren | |
DE69330599T2 (de) | Verfahren zur Bearbeitung eines Stabes aus Halbleitermaterial | |
DE3026272A1 (de) | Praezisionsformverfahren fuer wafermaterial und vorrichtung zu dessen durchfuehrung | |
DE102020201863A1 (de) | Einspanntisch und Untersuchungsvorrichtung | |
DE102007038343A1 (de) | Verfahren zur Bearbeitung bzw. Verarbeitung von Halbleiterscheiben bzw. Wafern | |
DE3927412A1 (de) | Linsenschleifvorrichtung und verfahren zum schleifen von linsen | |
DE10032425A1 (de) | Wafer-Saugkissen | |
AT522399B1 (de) | Schleifvorrichtung | |
DE68916482T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Zentrieren eines Edelsteines. | |
DE69223345T2 (de) | Vorrichtung zum Abschrägen der Kerbe eines Plättchen | |
DE102010008975B4 (de) | Werkstückbearbeitungsverfahren und -vorrichtung | |
DE102019219221A1 (de) | Schneidvorrichtung und Waferbearbeitungsverfahren, das eine Schneidvorrichtung benutzt | |
DE19825051A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls und Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |