JP2878551B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JP2878551B2 JP2878551B2 JP5079211A JP7921193A JP2878551B2 JP 2878551 B2 JP2878551 B2 JP 2878551B2 JP 5079211 A JP5079211 A JP 5079211A JP 7921193 A JP7921193 A JP 7921193A JP 2878551 B2 JP2878551 B2 JP 2878551B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- wafer
- photomask
- resist
- exposure conditions
- Prior art date
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェハ上のレジストを最
適に露光する露光方法に関する。
適に露光する露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について図５及び図６を参照
して説明する。図５は従来の露光工程に使用されるフォ
トマスクの上面図、図６（ａ）乃至（ｃ）は従来例によ
る露光工程図である。
して説明する。図５は従来の露光工程に使用されるフォ
トマスクの上面図、図６（ａ）乃至（ｃ）は従来例によ
る露光工程図である。
【０００３】図５のフォトマスク１０は、パターン領域
１１に焼き付けパターン１２が印刷されている。従来例
による露光工程は、図６（ａ）に示すように上面にレジ
スト１３を形成したウェハ１４に対して、上記した図６
のフォトマスク１０を図６（ｂ）のように重ねて紫外線
１５を照射し、パターン１２の焼き付けを行う。その
後、不要レジストを除去して図６（ｃ）に示すウェハを
得る。１３’は残ったレジストである。
１１に焼き付けパターン１２が印刷されている。従来例
による露光工程は、図６（ａ）に示すように上面にレジ
スト１３を形成したウェハ１４に対して、上記した図６
のフォトマスク１０を図６（ｂ）のように重ねて紫外線
１５を照射し、パターン１２の焼き付けを行う。その
後、不要レジストを除去して図６（ｃ）に示すウェハを
得る。１３’は残ったレジストである。
【０００４】以上の露光工程において、紫外線１５の露
光量の設定は複数回の試行によって決定する。即ち、１
回毎に露光量を変更して作業を進め、得られた複数枚の
ウェハを顕微鏡、ＳＥＭ等によって観察して最適な露光
量を決定していた。
光量の設定は複数回の試行によって決定する。即ち、１
回毎に露光量を変更して作業を進め、得られた複数枚の
ウェハを顕微鏡、ＳＥＭ等によって観察して最適な露光
量を決定していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
方法によれば、露光条件を変更する度にウェハを替える
必要があり、露光条件を決定するまでに大きな労力、時
間が必要であり、後工程に移れるまで非常に時間がかか
るといった問題点があった。また、露光条件を設定する
までに必要とするウェハの枚数も多くコストアップの要
因となっていた。そこで、本発明の目的は、露光条件を
設定するまでの労力、時間を低減でき、しかもウェハの
枚数も従来のように複数枚必要とせず、コストダウンを
図れる露光方法を提供することにある。
方法によれば、露光条件を変更する度にウェハを替える
必要があり、露光条件を決定するまでに大きな労力、時
間が必要であり、後工程に移れるまで非常に時間がかか
るといった問題点があった。また、露光条件を設定する
までに必要とするウェハの枚数も多くコストアップの要
因となっていた。そこで、本発明の目的は、露光条件を
設定するまでの労力、時間を低減でき、しかもウェハの
枚数も従来のように複数枚必要とせず、コストダウンを
図れる露光方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、紫外線によってフォトマスクのパターンを
ウェハ上のレジストに転写する露光方法において、前記
フォトマスク上に一部が開口した遮光マスクを設け、該
遮光マスクを、該遮光マスクの開口部が前記フォトマス
クのそれぞれ異なった箇所に対向するよう複数回配置変
更するとともに、配置変更毎に露光条件を変えて露光し
てなることを特徴とする。
に本発明は、紫外線によってフォトマスクのパターンを
ウェハ上のレジストに転写する露光方法において、前記
フォトマスク上に一部が開口した遮光マスクを設け、該
遮光マスクを、該遮光マスクの開口部が前記フォトマス
クのそれぞれ異なった箇所に対向するよう複数回配置変
更するとともに、配置変更毎に露光条件を変えて露光し
てなることを特徴とする。
【０００７】
【作用】以上のように、フォトマスクの異なった箇所に
それぞれ別の露光条件によって露光を行うので、１枚の
ウェハにおいて複数種の露光条件の下で得られたレジス
トを観察でき、従来のように露光条件設定までに複数の
ウェハを要するということがなく、コストダウンを図れ
る。
それぞれ別の露光条件によって露光を行うので、１枚の
ウェハにおいて複数種の露光条件の下で得られたレジス
トを観察でき、従来のように露光条件設定までに複数の
ウェハを要するということがなく、コストダウンを図れ
る。
【０００８】また、この露光条件設定の工程において、
露光以外の工程は共通化しているので、複数枚のウェハ
各々をパターン焼き付け完了まで行った上で露光条件を
設定していた従来の方法に比し、時間、労力を大幅に削
減できる。
露光以外の工程は共通化しているので、複数枚のウェハ
各々をパターン焼き付け完了まで行った上で露光条件を
設定していた従来の方法に比し、時間、労力を大幅に削
減できる。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例について、図１乃至図４を
参照して説明する。図１（ａ）乃至（ｃ）は本実施例に
よる露光工程図、図２は露光条件出し用の遮光マスクの
上面図、図３（ａ）乃至（ｄ）は図２の遮光マスクを用
いた露光工程図、図４は図１の工程で得られたレジスト
形状を示すウェハ上面図である。
参照して説明する。図１（ａ）乃至（ｃ）は本実施例に
よる露光工程図、図２は露光条件出し用の遮光マスクの
上面図、図３（ａ）乃至（ｄ）は図２の遮光マスクを用
いた露光工程図、図４は図１の工程で得られたレジスト
形状を示すウェハ上面図である。
【００１０】ここでは、主に図５及び図６の従来例と異
なる点について説明する。
なる点について説明する。
【００１１】本実施例の露光方法の内、図１（ａ）は従
来例と同一であり省略する。次に、図１（ｂ）に示すよ
うにウェハ１４に露光用のフォトマスク１０を重ね、さ
らにその上に、図２に示すような一部が扇状に開口した
開口部２を有する露光条件出し用の遮光マスク１を重ね
合わせる。
来例と同一であり省略する。次に、図１（ｂ）に示すよ
うにウェハ１４に露光用のフォトマスク１０を重ね、さ
らにその上に、図２に示すような一部が扇状に開口した
開口部２を有する露光条件出し用の遮光マスク１を重ね
合わせる。
【００１２】以上のようにして開口部２の扇状の部分の
パターンをある露光条件の下で露光する。
パターンをある露光条件の下で露光する。
【００１３】この後、図３（ａ）乃至（ｄ）に示すよう
に、露光条件出し用の遮光マスク１を回転させ、フォト
マスク１０に対する扇状の開口部２の角度を変えると同
時に、その時の露光条件も変更して露光工程を繰り返
す。この後の図１（ｃ）に至る工程は従来例と同一であ
るので省略する。
に、露光条件出し用の遮光マスク１を回転させ、フォト
マスク１０に対する扇状の開口部２の角度を変えると同
時に、その時の露光条件も変更して露光工程を繰り返
す。この後の図１（ｃ）に至る工程は従来例と同一であ
るので省略する。
【００１４】この結果、得られるウェハ１４のレジスト
３の形状を図５に示す。この４カ所のレジスト３は、そ
れぞれ露光条件が異なる下で得られたものであるため、
このウェハ１４が１枚で４種類の露光条件に対するレジ
スト３の状態を観察できる。上記方法によれば、１枚の
ウェハで４種類の露光条件に対応するレジストを観察で
き、従来のように１つの露光条件毎に１枚のウェハを要
するという事がない。また、この露光条件設定の工程に
おいては、露光以外の工程は共通化されているので、複
数枚のウェハ各々をパターン焼き付け完了まで行ってい
た従来の方法に比し、時間、労力を大幅に削減できると
ともに、ウェハが１枚で済むことからコストダウンを図
れる。
３の形状を図５に示す。この４カ所のレジスト３は、そ
れぞれ露光条件が異なる下で得られたものであるため、
このウェハ１４が１枚で４種類の露光条件に対するレジ
スト３の状態を観察できる。上記方法によれば、１枚の
ウェハで４種類の露光条件に対応するレジストを観察で
き、従来のように１つの露光条件毎に１枚のウェハを要
するという事がない。また、この露光条件設定の工程に
おいては、露光以外の工程は共通化されているので、複
数枚のウェハ各々をパターン焼き付け完了まで行ってい
た従来の方法に比し、時間、労力を大幅に削減できると
ともに、ウェハが１枚で済むことからコストダウンを図
れる。
【００１５】なお、本実施例においては、露光条件出し
遮光マスクの開口部を４つの扇状としたが、開口部形状
及びその個数はこれに限るものではなく、露光条件によ
って異なるレジストを判別できる形状、個数であれば例
えば縞状等でも良い。
遮光マスクの開口部を４つの扇状としたが、開口部形状
及びその個数はこれに限るものではなく、露光条件によ
って異なるレジストを判別できる形状、個数であれば例
えば縞状等でも良い。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、露光工程
において、露光条件を確定するための労力、時間を大幅
に削減できると共にコストダウンを図れる。
において、露光条件を確定するための労力、時間を大幅
に削減できると共にコストダウンを図れる。
【図１】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の一実施例による露
光工程図である。
光工程図である。
【図２】本発明の一実施例による露光条件出し遮光マス
クの上面図である。
クの上面図である。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）は図２の露光条件出し遮光マ
スクを用いた露光工程図である。
スクを用いた露光工程図である。
【図４】図１の工程で得られたレジスト形状を示すウェ
ハ上面図である。
ハ上面図である。
【図５】従来の露光工程に使用されるフォトマスクの上
面である。
面である。
【図６】（ａ）乃至（ｃ）は従来例による露光工程図で
ある。
ある。
１ 遮光マスク ２ 開口部 ３ レジスト １０ フォトマスク １５ 紫外線
Claims (1)
- 【請求項１】 紫外線によってフォトマスクのパターン
をウェハ上のレジストに転写する露光方法において、 前記フォトマスク上に一部が開口した遮光マスクを設
け、該遮光マスクを、該遮光マスクの開口部が前記フォ
トマスクのそれぞれ異なった箇所に対向するよう複数回
配置変更するとともに、配置変更毎に露光条件を変えて
露光してなることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5079211A JP2878551B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5079211A JP2878551B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291010A JPH06291010A (ja) | 1994-10-18 |
| JP2878551B2 true JP2878551B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=13683611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5079211A Expired - Fee Related JP2878551B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2878551B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2639543B2 (ja) * | 1987-12-02 | 1997-08-13 | 日本ビクター株式会社 | デジタル・フィルタ装置 |
-
1993
- 1993-04-06 JP JP5079211A patent/JP2878551B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06291010A (ja) | 1994-10-18 |
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