JPH06291010A - 露光方法 - Google Patents

露光方法

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JPH06291010A
JPH06291010A JP5079211A JP7921193A JPH06291010A JP H06291010 A JPH06291010 A JP H06291010A JP 5079211 A JP5079211 A JP 5079211A JP 7921193 A JP7921193 A JP 7921193A JP H06291010 A JPH06291010 A JP H06291010A
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Japan
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exposure
photomask
light
shielding mask
wafer
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JP5079211A
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Masahiro Tsujimura
正浩 辻村
Hironori Kamimura
裕規 上村
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 露光条件を設定するまでの労力、時間を低減
でき、コストダウンを図れる露光方法を提供する。 【構成】 フォトマスク上に一部が開口した遮光マスク
を設け、該遮光マスクを、該遮光マスクの開口部が前記
フォトマスクのそれぞれ異なった箇所に対向するよう複
数回配置変更するとともに、配置変更毎に露光条件を変
えて露光してなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はウェハ上のレジストを最
適に露光する露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の技術について図5及び図6を参照
して説明する。図5は従来の露光工程に使用されるフォ
トマスクの上面図、図6(a)乃至(c)は従来例によ
る露光工程図である。
【0003】図5のフォトマスク10は、パターン領域
11に焼き付けパターン12が印刷されている。従来例
による露光工程は、図6(a)に示すように上面にレジ
スト13を形成したウェハ14に対して、上記した図6
のフォトマスク10を図6(b)のように重ねて紫外線
15を照射し、パターン12の焼き付けを行う。その
後、不要レジストを除去して図6(c)に示すウェハを
得る。13’は残ったレジストである。
【0004】以上の露光工程において、紫外線15の露
光量の設定は複数回の試行によって決定する。即ち、1
回毎に露光量を変更して作業を進め、得られた複数枚の
ウェハを顕微鏡、SEM等によって観察して最適な露光
量を決定していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
方法によれば、露光条件を変更する度にウェハを替える
必要があり、露光条件を決定するまでに大きな労力、時
間が必要であり、後工程に移れるまで非常に時間がかか
るといった問題点があった。また、露光条件を設定する
までに必要とするウェハの枚数も多くコストアップの要
因となっていた。そこで、本発明の目的は、露光条件を
設定するまでの労力、時間を低減でき、しかもウェハの
枚数も従来のように複数枚必要とせず、コストダウンを
図れる露光方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、紫外線によってフォトマスクのパターンを
ウェハ上のレジストに転写する露光方法において、前記
フォトマスク上に一部が開口した遮光マスクを設け、該
遮光マスクを、該遮光マスクの開口部が前記フォトマス
クのそれぞれ異なった箇所に対向するよう複数回配置変
更するとともに、配置変更毎に露光条件を変えて露光し
てなることを特徴とする。
【0007】
【作用】以上のように、フォトマスクの異なった箇所に
それぞれ別の露光条件によって露光を行うので、1枚の
ウェハにおいて複数種の露光条件の下で得られたレジス
トを観察でき、従来のように露光条件設定までに複数の
ウェハを要するということがなく、コストダウンを図れ
る。
【0008】また、この露光条件設定の工程において、
露光以外の工程は共通化しているので、複数枚のウェハ
各々をパターン焼き付け完了まで行った上で露光条件を
設定していた従来の方法に比し、時間、労力を大幅に削
減できる。
【0009】
【実施例】本発明の一実施例について、図1乃至図4を
参照して説明する。図1(a)乃至(c)は本実施例に
よる露光工程図、図2は露光条件出し用の遮光マスクの
上面図、図3(a)乃至(d)は図2の遮光マスクを用
いた露光工程図、図4は図1の工程で得られたレジスト
形状を示すウェハ上面図である。
【0010】ここでは、主に図5及び図6の従来例と異
なる点について説明する。
【0011】本実施例の露光方法の内、図1(a)は従
来例と同一であり省略する。次に、図1(b)に示すよ
うにウェハ14に露光用のフォトマスク10を重ね、さ
らにその上に、図2に示すような一部が扇状に開口した
開口部2を有する露光条件出し用の遮光マスク1を重ね
合わせる。
【0012】以上のようにして開口部2の扇状の部分の
パターンをある露光条件の下で露光する。
【0013】この後、図3(a)乃至(d)に示すよう
に、露光条件出し用の遮光マスク1を回転させ、フォト
マスク10に対する扇状の開口部2の角度を変えると同
時に、その時の露光条件も変更して露光工程を繰り返
す。この後の図1(c)に至る工程は従来例と同一であ
るので省略する。
【0014】この結果、得られるウェハ14のレジスト
3の形状を図5に示す。この4カ所のレジスト3は、そ
れぞれ露光条件が異なる下で得られたものであるため、
このウェハ14が1枚で4種類の露光条件に対するレジ
スト3の状態を観察できる。上記方法によれば、1枚の
ウェハで4種類の露光条件に対応するレジストを観察で
き、従来のように1つの露光条件毎に1枚のウェハを要
するという事がない。また、この露光条件設定の工程に
おいては、露光以外の工程は共通化されているので、複
数枚のウェハ各々をパターン焼き付け完了まで行ってい
た従来の方法に比し、時間、労力を大幅に削減できると
ともに、ウェハが1枚で済むことからコストダウンを図
れる。
【0015】なお、本実施例においては、露光条件出し
遮光マスクの開口部を4つの扇状としたが、開口部形状
及びその個数はこれに限るものではなく、露光条件によ
って異なるレジストを判別できる形状、個数であれば例
えば縞状等でも良い。
【0016】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、露光工程
において、露光条件を確定するための労力、時間を大幅
に削減できると共にコストダウンを図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)乃至(c)は本発明の一実施例による露
光工程図である。
【図2】本発明の一実施例による露光条件出し遮光マス
クの上面図である。
【図3】(a)乃至(d)は図2の露光条件出し遮光マ
スクを用いた露光工程図である。
【図4】図1の工程で得られたレジスト形状を示すウェ
ハ上面図である。
【図5】従来の露光工程に使用されるフォトマスクの上
面である。
【図6】(a)乃至(c)は従来例による露光工程図で
ある。
【符号の説明】
1 遮光マスク 2 開口部 3 レジスト 10 フォトマスク 15 紫外線

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 紫外線によってフォトマスクのパターン
    をウェハ上のレジストに転写する露光方法において、 前記フォトマスク上に一部が開口した遮光マスクを設
    け、該遮光マスクを、該遮光マスクの開口部が前記フォ
    トマスクのそれぞれ異なった箇所に対向するよう複数回
    配置変更するとともに、配置変更毎に露光条件を変えて
    露光してなることを特徴とする露光方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989005544A1 (en) * 1987-12-02 1989-06-15 Victor Company Of Japan, Ltd. Fir digital filter device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1989005544A1 (en) * 1987-12-02 1989-06-15 Victor Company Of Japan, Ltd. Fir digital filter device

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