JP2000035659A - 半導体フォトマスク、およびそのフォトマスクによる半導体パターン作成方法 - Google Patents
半導体フォトマスク、およびそのフォトマスクによる半導体パターン作成方法Info
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- JP2000035659A JP2000035659A JP20320398A JP20320398A JP2000035659A JP 2000035659 A JP2000035659 A JP 2000035659A JP 20320398 A JP20320398 A JP 20320398A JP 20320398 A JP20320398 A JP 20320398A JP 2000035659 A JP2000035659 A JP 2000035659A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】フォトマスクによる１フォトリソグラフィ工程
に対応し、その工程数だけ必要とするフォトマスクはそ
の製作コストが高い。また、フォトリソグラフィ工程が
多いプロセスではフォトマスクの保管および取り扱い、
管理に手間がかかる。 【解決手段】本発明では、複数層のパターンを１つのフ
ォトマスク上の任意の場所に使用する順番に別々にレイ
アウトし、隣り合う層同士の間隔を任意に空け、各層の
パターンを工程順に異なるようにレイアウトしたもので
ある。
に対応し、その工程数だけ必要とするフォトマスクはそ
の製作コストが高い。また、フォトリソグラフィ工程が
多いプロセスではフォトマスクの保管および取り扱い、
管理に手間がかかる。 【解決手段】本発明では、複数層のパターンを１つのフ
ォトマスク上の任意の場所に使用する順番に別々にレイ
アウトし、隣り合う層同士の間隔を任意に空け、各層の
パターンを工程順に異なるようにレイアウトしたもので
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法におけるフォトリソグラフィ工程で使用する一種の
フォトマスクであるレチクルのパターン構成方法に関す
るものである。以下の説明ではこのフォトマスクをレチ
クルと称し、説明する。
方法におけるフォトリソグラフィ工程で使用する一種の
フォトマスクであるレチクルのパターン構成方法に関す
るものである。以下の説明ではこのフォトマスクをレチ
クルと称し、説明する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、レチクルのパターン構成方法の
従来技術例を示す。
従来技術例を示す。
【０００３】従来は例えば、図８に示すように、第１層
のパターン１を１枚目のレチクル１７に、第２層のパタ
ーン２を２枚目のレチクル１８にそれぞれ単独にレイア
ウトし、各フォトリソグラフィ工程毎に順番にそれぞれ
のレチクルを交換して使用していた。すなわち、フォト
リソグラフィ工程数に対比した同じ数のレチクルの数量
が必要であった。
のパターン１を１枚目のレチクル１７に、第２層のパタ
ーン２を２枚目のレチクル１８にそれぞれ単独にレイア
ウトし、各フォトリソグラフィ工程毎に順番にそれぞれ
のレチクルを交換して使用していた。すなわち、フォト
リソグラフィ工程数に対比した同じ数のレチクルの数量
が必要であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術には、
レチクルのパターン形成領域１又は２以外の空領域を有
効活用できず、また、１フォトリソグラフィ工程に対応
した数だけレチクルが必要となるため、レチクル製作コ
ストが高いという欠点があった。さらに、フォトリソグ
ラフィ工程が多いプロセスではレチクルの保管および取
り扱い、管理に手間がかかった。
レチクルのパターン形成領域１又は２以外の空領域を有
効活用できず、また、１フォトリソグラフィ工程に対応
した数だけレチクルが必要となるため、レチクル製作コ
ストが高いという欠点があった。さらに、フォトリソグ
ラフィ工程が多いプロセスではレチクルの保管および取
り扱い、管理に手間がかかった。
【０００５】本発明の目的は、以上のような欠点を除去
し、レチクル数を削減することにある。更に、これによ
りパターン作成をより効率的に行うようにしたものであ
る。
し、レチクル数を削減することにある。更に、これによ
りパターン作成をより効率的に行うようにしたものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、複数層のパターンを１つのレチクル上の
任意の位置に使用する順番に別々にレイアウトするよう
にしたものである。
成するために、複数層のパターンを１つのレチクル上の
任意の位置に使用する順番に別々にレイアウトするよう
にしたものである。
【０００７】すなわち、本発明は、半導体装置の製造に
使用するレチクルにおいて、工程別の複数のマスクパタ
ーンを１枚のフォトマスク上に設けたことを特徴とす
る。そのレチクルは、工程別の複数のマスクパターンを
製造工程毎に配置し、且つその配置はフォトマスクの中
心点から等しい位置で、該中心点からの放射線に対し各
層のパターンの向きが同一の角度となるように、点対象
の位置に設ける。 更に、本発明では 半導体のパター
ン作成に際し、前記各複数のフォトマスクの前記マスク
パターンを少なくとも連続する工程で使用するマスクパ
ターンは異なるフォトマスク上に形成したものである。
使用するレチクルにおいて、工程別の複数のマスクパタ
ーンを１枚のフォトマスク上に設けたことを特徴とす
る。そのレチクルは、工程別の複数のマスクパターンを
製造工程毎に配置し、且つその配置はフォトマスクの中
心点から等しい位置で、該中心点からの放射線に対し各
層のパターンの向きが同一の角度となるように、点対象
の位置に設ける。 更に、本発明では 半導体のパター
ン作成に際し、前記各複数のフォトマスクの前記マスク
パターンを少なくとも連続する工程で使用するマスクパ
ターンは異なるフォトマスク上に形成したものである。
【０００８】ここで、例えばパターンのレイアウト方法
として、前記のように、各マスクパターンはレチクル上
の任意の部分を中心に、各層のパターンを任意の同一距
離に任意の同一中心角、すなわち、配置角度と、前記中
心からの放射線に対し各層のパターンの向きが同一の角
度となるようにレイアウトしてもよいし、４つまたは２
つの層のパターンを１つのレチクル上にレイアウトした
場合に、前記配置角度を９０度または１８０度としても
よい。また、隣り合う層同士の間隔を任意に空ける。さ
らに、複数のレチクルを使用する場合に各層のパターン
を工程順に異なるレチクルにレイアウトする。本発明は
以上のようにして、レチクルによりパターン作成、半導
体製造を実現したものである。
として、前記のように、各マスクパターンはレチクル上
の任意の部分を中心に、各層のパターンを任意の同一距
離に任意の同一中心角、すなわち、配置角度と、前記中
心からの放射線に対し各層のパターンの向きが同一の角
度となるようにレイアウトしてもよいし、４つまたは２
つの層のパターンを１つのレチクル上にレイアウトした
場合に、前記配置角度を９０度または１８０度としても
よい。また、隣り合う層同士の間隔を任意に空ける。さ
らに、複数のレチクルを使用する場合に各層のパターン
を工程順に異なるレチクルにレイアウトする。本発明は
以上のようにして、レチクルによりパターン作成、半導
体製造を実現したものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００１０】図２は露光機すなわち、ステッパのレチク
ル配置ステージ部の模式図である。本発明では、各フォ
トリソグラフィ工程においてレチクルを使用する場合、
ステッパおよび露光位置に対して常に図示のような配置
形態となる。そのため、異なるフォトリソグラフィ工程
を実施する際に、レチクルを交換してもステッパで微調
整を行うだけで、レチクルを正規の位置に配置すること
ができる。同図において、１００はレチクル配置ステー
ジ、１０１はレチクル、１０２は露光位置を示す。レチ
クル１０１は中心点Ｏを中心に回転するように使用す
る。
ル配置ステージ部の模式図である。本発明では、各フォ
トリソグラフィ工程においてレチクルを使用する場合、
ステッパおよび露光位置に対して常に図示のような配置
形態となる。そのため、異なるフォトリソグラフィ工程
を実施する際に、レチクルを交換してもステッパで微調
整を行うだけで、レチクルを正規の位置に配置すること
ができる。同図において、１００はレチクル配置ステー
ジ、１０１はレチクル、１０２は露光位置を示す。レチ
クル１０１は中心点Ｏを中心に回転するように使用す
る。
【００１１】しかし、レチクル上で複数層（４層）のパ
ターンの向きが同一である場合、例えばレチクル上の右
下部に配置されたパターンを使用する場合は、レチクル
２の位置になるＸ方向調整装置およびＹ方向調整装置を
操作する必要があり、調整の手間を要する。
ターンの向きが同一である場合、例えばレチクル上の右
下部に配置されたパターンを使用する場合は、レチクル
２の位置になるＸ方向調整装置およびＹ方向調整装置を
操作する必要があり、調整の手間を要する。
【００１２】図１は、１つのレチクルに４層のパターン
をレイアウトしたときのレチクル構成図であり、全部で
１６層のパターンを有する場合である。図１に示すよう
に、第１層のパターン１を１枚目のレチクル１７の左上
部にレイアウトし、第２層のパターン２を２枚目のレチ
クル１８の左上部に、第３層のパターン３を３枚目のレ
チクル１９左上部に、第４層のパターン４を４枚目のレ
チクル２０の左上部にそれぞれレイアウトする。次に、
第５層のパターン５は１枚目のレチクル１７の右上部
に、レチクルと平行にレチクルの中央部を中心に時計回
りに９０度の配置角度２１で回転させてレイアウトし、
同様な方法で第６層のパターン６を２枚目のレチクル１
８に、第７層のパターン７を３枚目のレチクル１９に、
第８層のパターン８を４枚目のレチクル２０にそれぞれ
レイアウトする。ここで、角度ａは９０度である。次
に、第９層のパターン９は１枚目のレチクル１７の右下
部に、レチクルと平行に時計回りに１８０度回転させて
レイアウトし、同様に第１０層のパターン１０を２枚目
のレチクル１８に、第１１層のパターン１１を３枚目の
レチクル１９に、第１２層のパターン１２を４枚目のレ
チクル２０にそれぞれレイアウトする。次に、第１３層
のパターン１３は１枚目のレチクル１７の左下部に、レ
チクルと平行に時計回りに２７０度回転させてレイアウ
トし、同様に第１４層のパターン１４を２枚目のレチク
ル１８に、第１５層のパターン１５を３枚目のレチクル
１９に、第１６層のパターン１６を４枚目のレチクル２
０にそれぞれレイアウトする。ここで、レイアウトした
各層同士の間隔２２は、フォトリソグラフィ工程で使用
しない層のパターンに露光遮蔽用の処置を実施する際
に、使用するパターンまで隠さないようにできる程度の
幅で任意に空ける。また、実際の使用方法を図２、図３
を用いて説明する。図３において斜線部分はフォトリソ
グラフィ工程で使用しないためマスクする部分である。
まず、１回目のフォトリソグラフィ工程に使用するレチ
クルの形態２３で１枚目のレチクル１７を使用し、２回
目のフォトリソグラフィ工程に使用するレチクルの形態
２４で２枚目のレチクル１８を使用する。その後、４回
目のフォトリソグラフィ工程に使用するレチクルの形態
２５で４枚目のレチクル２０を使用し、５回目のフォト
リソグラフィ工程に使用するレチクルの形態２６でふた
たび１枚目のレチクル１７を使用する。そして、最後の
１６回目のフォトリソグラフィ工程に使用するレチクル
の形態２７で４枚目のレチクル１７を使用する。このよ
うに、１つのレチクル上で４層のパターンが９０度ずつ
中心点Ｏを中心に回転した状態で使用される（図２参
照）ため、各フォトリソグラフィ工程で必要となるパタ
ーンが常にレチクルの左上部にレイアウトされた状態と
なり、レチクル自体の精度の影響を受けにくい。また、
各工程順にレチクルを替えているため、レチクルの洗浄
を行う場合、一度にまとめて行うことができ、経済的
で、かつ効率向上が図れる。
をレイアウトしたときのレチクル構成図であり、全部で
１６層のパターンを有する場合である。図１に示すよう
に、第１層のパターン１を１枚目のレチクル１７の左上
部にレイアウトし、第２層のパターン２を２枚目のレチ
クル１８の左上部に、第３層のパターン３を３枚目のレ
チクル１９左上部に、第４層のパターン４を４枚目のレ
チクル２０の左上部にそれぞれレイアウトする。次に、
第５層のパターン５は１枚目のレチクル１７の右上部
に、レチクルと平行にレチクルの中央部を中心に時計回
りに９０度の配置角度２１で回転させてレイアウトし、
同様な方法で第６層のパターン６を２枚目のレチクル１
８に、第７層のパターン７を３枚目のレチクル１９に、
第８層のパターン８を４枚目のレチクル２０にそれぞれ
レイアウトする。ここで、角度ａは９０度である。次
に、第９層のパターン９は１枚目のレチクル１７の右下
部に、レチクルと平行に時計回りに１８０度回転させて
レイアウトし、同様に第１０層のパターン１０を２枚目
のレチクル１８に、第１１層のパターン１１を３枚目の
レチクル１９に、第１２層のパターン１２を４枚目のレ
チクル２０にそれぞれレイアウトする。次に、第１３層
のパターン１３は１枚目のレチクル１７の左下部に、レ
チクルと平行に時計回りに２７０度回転させてレイアウ
トし、同様に第１４層のパターン１４を２枚目のレチク
ル１８に、第１５層のパターン１５を３枚目のレチクル
１９に、第１６層のパターン１６を４枚目のレチクル２
０にそれぞれレイアウトする。ここで、レイアウトした
各層同士の間隔２２は、フォトリソグラフィ工程で使用
しない層のパターンに露光遮蔽用の処置を実施する際
に、使用するパターンまで隠さないようにできる程度の
幅で任意に空ける。また、実際の使用方法を図２、図３
を用いて説明する。図３において斜線部分はフォトリソ
グラフィ工程で使用しないためマスクする部分である。
まず、１回目のフォトリソグラフィ工程に使用するレチ
クルの形態２３で１枚目のレチクル１７を使用し、２回
目のフォトリソグラフィ工程に使用するレチクルの形態
２４で２枚目のレチクル１８を使用する。その後、４回
目のフォトリソグラフィ工程に使用するレチクルの形態
２５で４枚目のレチクル２０を使用し、５回目のフォト
リソグラフィ工程に使用するレチクルの形態２６でふた
たび１枚目のレチクル１７を使用する。そして、最後の
１６回目のフォトリソグラフィ工程に使用するレチクル
の形態２７で４枚目のレチクル１７を使用する。このよ
うに、１つのレチクル上で４層のパターンが９０度ずつ
中心点Ｏを中心に回転した状態で使用される（図２参
照）ため、各フォトリソグラフィ工程で必要となるパタ
ーンが常にレチクルの左上部にレイアウトされた状態と
なり、レチクル自体の精度の影響を受けにくい。また、
各工程順にレチクルを替えているため、レチクルの洗浄
を行う場合、一度にまとめて行うことができ、経済的
で、かつ効率向上が図れる。
【００１３】本発明のレチクルを使用した半導体装置の
製造方法の一実施例を図４、図５の製造工程フローチャ
ートおよび図６、図７の半導体装置の製造プロセスフロ
ー概略断面図を用いて説明する。一例として、８つのフ
ォトリソグラフィ工程を有するプロセスを用いる。な
お、図４と図５は一連のフローを示し、作図の都合上分
けて作図したものであり、図４のＡ，Ｂ，Ｃは図５の
Ａ，Ｂ，Ｃにつながるものである。また、図６、図７も
同じく図６のＤは図７のＤにつながる。
製造方法の一実施例を図４、図５の製造工程フローチャ
ートおよび図６、図７の半導体装置の製造プロセスフロ
ー概略断面図を用いて説明する。一例として、８つのフ
ォトリソグラフィ工程を有するプロセスを用いる。な
お、図４と図５は一連のフローを示し、作図の都合上分
けて作図したものであり、図４のＡ，Ｂ，Ｃは図５の
Ａ，Ｂ，Ｃにつながるものである。また、図６、図７も
同じく図６のＤは図７のＤにつながる。
【００１４】まず、基板ウェーハ６１に表面酸化（１）
４０を行い、Ｎ−ＢＬフォトリソグラフィ工程４１を行
う。つまり、基板ウェーハ６１に表面酸化（１）により
酸化膜を形成し、Ｎ−ＢＬフォトリソグラフィー工程に
より、レジスト膜にパターンを形成する。その後、前記
レジスト膜をマスクとして、前記表面酸化４０の生成酸
化膜をエッチングし、むき出しとなった基板ウェーハの
表面にＮ−ＢＬ６３拡散工程を実施するの状態が図６の
６２である。この際使用するレチクル４１１は、レチク
ル４１１においてレチクルパターン１以外を露光遮断テ
ープ４１２で被ったものであり、図中のレチクル４１１
−１の向きで露光されるようにステッパ（図示せず）に
セットする。使用後は一時保管４４する。
４０を行い、Ｎ−ＢＬフォトリソグラフィ工程４１を行
う。つまり、基板ウェーハ６１に表面酸化（１）により
酸化膜を形成し、Ｎ−ＢＬフォトリソグラフィー工程に
より、レジスト膜にパターンを形成する。その後、前記
レジスト膜をマスクとして、前記表面酸化４０の生成酸
化膜をエッチングし、むき出しとなった基板ウェーハの
表面にＮ−ＢＬ６３拡散工程を実施するの状態が図６の
６２である。この際使用するレチクル４１１は、レチク
ル４１１においてレチクルパターン１以外を露光遮断テ
ープ４１２で被ったものであり、図中のレチクル４１１
−１の向きで露光されるようにステッパ（図示せず）に
セットする。使用後は一時保管４４する。
【００１５】次にＮ−ＢＬ６３の拡散４２を行った後、
次に、同様な手法でＰ−ＢＬ６４のフォトリソグラフィ
ー工程４３および拡散４４を行い、一度全酸化膜を除去
する。
次に、同様な手法でＰ−ＢＬ６４のフォトリソグラフィ
ー工程４３および拡散４４を行い、一度全酸化膜を除去
する。
【００１６】次に、基板ウェーハの表面にエピタキシャ
ル成長層６５を形成し、表面酸化（２）４７により酸化
膜を形成する。この状態が図６の６６である。この際使
用するレチクル４２１は、レチクル４２１−１として示
すように、レチクルパターン２以外を露光遮断テープ４
２２で被ったものであり、図中のレチクル４２１−１の
向きで露光されるようにステッパにセットする。使用
後、前記一時保管していたレチクル４１１とともにテー
プ貼替え４５１を行なう。テープ貼替えは露光遮断テー
プを剥がし、パターンおよびレチクル自体を劣化させな
いような、かつ、露光遮断テープの貼り剥がしによる汚
染を除去できるような洗浄４６１を行う。次に、前記Ｎ
−ＢＬフォトリソグラフィー工程４１およびＮ−ＢＬ拡
散４２と同様な方法で、ＩＳＯフォトリソグラフィー工
程４８、ＩＳＯ拡散４９、ＣＮフォトリソグラフィー工
程５０、ＣＮ拡散５１、ＢＲフォトリソグラフィー工程
５２、ＢＲ拡散工程を実施する。このときの半導体装置
の断面図が図７の６７である。同図において、６８はＩ
ＳＯ、６９はＢＲ、７０はＣＮの各領域を示す。その
後、レチクル４１１を反時計回りに９０度回転し、パタ
ーン３が正規の向きになった状態で前記のパターン３以
外を露光遮断テープ４１２を貼って覆い隠す。同様にレ
チクル４２１においてもレチクル４１１と同等作業によ
りレチクルパターン４以外を露光遮断テープ４２２を貼
って覆い隠す。この状態を４１１−２と４２１−２に示
す。そして、以下同様に、ＩＳＯ拡散フォトリソグラフ
ィー工程４９でレチクル４１１をＣＮフォトリソグラフ
ィー工程５０でレチクル４２１を前記Ｎ−ＢＬフォトリ
ソグラフィー工程およびＰ−ＢＬフォトリソグラフィー
工程と同様の方法で使用し、再び、レチクルの保管、露
光遮断テープを張り替え、レチクルの前記洗浄を繰り返
し、ＡＬフォトリソグラフィー工程まで作業を進めて行
く。ここで、レチクル１およびレチクル２は保管してお
く。このようにして、ＩＳＯ拡散４９からＢＲ拡散５３
へと進み、Ｅフォトリソグラフィー工程５４、Ｅ拡散５
５のＥフォトリソグラフィー工程およびＥ拡散工程を実
施し、ＣＯＮＴフォトリソグラフィー工程５６を行った
後、形成したレジスト・パターンをマスクとして酸化膜
をエッチングする。
ル成長層６５を形成し、表面酸化（２）４７により酸化
膜を形成する。この状態が図６の６６である。この際使
用するレチクル４２１は、レチクル４２１−１として示
すように、レチクルパターン２以外を露光遮断テープ４
２２で被ったものであり、図中のレチクル４２１−１の
向きで露光されるようにステッパにセットする。使用
後、前記一時保管していたレチクル４１１とともにテー
プ貼替え４５１を行なう。テープ貼替えは露光遮断テー
プを剥がし、パターンおよびレチクル自体を劣化させな
いような、かつ、露光遮断テープの貼り剥がしによる汚
染を除去できるような洗浄４６１を行う。次に、前記Ｎ
−ＢＬフォトリソグラフィー工程４１およびＮ−ＢＬ拡
散４２と同様な方法で、ＩＳＯフォトリソグラフィー工
程４８、ＩＳＯ拡散４９、ＣＮフォトリソグラフィー工
程５０、ＣＮ拡散５１、ＢＲフォトリソグラフィー工程
５２、ＢＲ拡散工程を実施する。このときの半導体装置
の断面図が図７の６７である。同図において、６８はＩ
ＳＯ、６９はＢＲ、７０はＣＮの各領域を示す。その
後、レチクル４１１を反時計回りに９０度回転し、パタ
ーン３が正規の向きになった状態で前記のパターン３以
外を露光遮断テープ４１２を貼って覆い隠す。同様にレ
チクル４２１においてもレチクル４１１と同等作業によ
りレチクルパターン４以外を露光遮断テープ４２２を貼
って覆い隠す。この状態を４１１−２と４２１−２に示
す。そして、以下同様に、ＩＳＯ拡散フォトリソグラフ
ィー工程４９でレチクル４１１をＣＮフォトリソグラフ
ィー工程５０でレチクル４２１を前記Ｎ−ＢＬフォトリ
ソグラフィー工程およびＰ−ＢＬフォトリソグラフィー
工程と同様の方法で使用し、再び、レチクルの保管、露
光遮断テープを張り替え、レチクルの前記洗浄を繰り返
し、ＡＬフォトリソグラフィー工程まで作業を進めて行
く。ここで、レチクル１およびレチクル２は保管してお
く。このようにして、ＩＳＯ拡散４９からＢＲ拡散５３
へと進み、Ｅフォトリソグラフィー工程５４、Ｅ拡散５
５のＥフォトリソグラフィー工程およびＥ拡散工程を実
施し、ＣＯＮＴフォトリソグラフィー工程５６を行った
後、形成したレジスト・パターンをマスクとして酸化膜
をエッチングする。
【００１７】次に、ＡＬを蒸着５７しＡＬ蒸着膜を形成
し、前記フォトリソグラフィー工程と同等な方法でＡＬ
フォトリソグラフィー工程５８を実施する。最後に、形
成したレジスト・パターンをマスクとしてＡＬ蒸着膜の
エッチングを実施し、レジスト膜を除去する。
し、前記フォトリソグラフィー工程と同等な方法でＡＬ
フォトリソグラフィー工程５８を実施する。最後に、形
成したレジスト・パターンをマスクとしてＡＬ蒸着膜の
エッチングを実施し、レジスト膜を除去する。
【００１８】また、必要な保護膜形成工程等を実施し、
７１に示す所望の半導体装置が完成する。７１におい
て、７２はＡＬ電極、７３はエミッタである。
７１に示す所望の半導体装置が完成する。７１におい
て、７２はＡＬ電極、７３はエミッタである。
【００１９】本実施例では、工程順にレチクルを替える
ようにして各層パターンをレイアウトしたが、任意の順
番にもレイアウトできる。また、レチクル材料が特に寸
法精度の狂いが少ないものであれば、各層の向きを一方
向に統一化することも可能である。不要パターンのマス
クの方法の一例としては、露光遮蔽効果のあるテープを
貼る方法があり、この場合、前記テープの貼り剥がしの
作業を行い易くするために層同士の間隔を任意に空け
る。他のマスクの方法としては、露光遮蔽用の任意の形
状の板を使用することや使用する露光装置に部分的に露
光遮蔽できる機能を設けることも考えられる。
ようにして各層パターンをレイアウトしたが、任意の順
番にもレイアウトできる。また、レチクル材料が特に寸
法精度の狂いが少ないものであれば、各層の向きを一方
向に統一化することも可能である。不要パターンのマス
クの方法の一例としては、露光遮蔽効果のあるテープを
貼る方法があり、この場合、前記テープの貼り剥がしの
作業を行い易くするために層同士の間隔を任意に空け
る。他のマスクの方法としては、露光遮蔽用の任意の形
状の板を使用することや使用する露光装置に部分的に露
光遮蔽できる機能を設けることも考えられる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、フォトマ
スク、すなわち、レチクル用乾板の大きさは従来通りの
ままで複数層のパターンを１つのレチクルにレイアウト
することで、各層毎にレチクルを使用するよりも原価の
低減が可能となる。また、製造工程において、全フォト
リソグラフィ工程に費やすレチクル数を削減でき、レチ
クルの保管、および取り扱い、管理の簡易化を実現出
来、大きな経済的効果を得ることが出来る。
スク、すなわち、レチクル用乾板の大きさは従来通りの
ままで複数層のパターンを１つのレチクルにレイアウト
することで、各層毎にレチクルを使用するよりも原価の
低減が可能となる。また、製造工程において、全フォト
リソグラフィ工程に費やすレチクル数を削減でき、レチ
クルの保管、および取り扱い、管理の簡易化を実現出
来、大きな経済的効果を得ることが出来る。
【図１】本発明の一実施例を示すレチクルの構成図
【図２】本発明のレチクルのステージ部構成図
【図３】本発明の一実施例の使用形態を説明するレチク
ルの構成図
ルの構成図
【図４】本発明の一実施例のフロー説明図
【図５】本発明の一実施例のフロー説明図
【図６】本発明の一実施例のフロー説明図
【図７】本発明の一実施例のフロー説明図
【図８】従来例のレチクル説明図
１：第１層のレチクルパターン、２：第２層のレチクル
パターン、３：第３層のレチクルパターン、４：第４層
のレチクルパターン、５：第５層のレチクルパターン、
６：第６層のレチクルパターン、７：第７層のレチクル
パターン、８：第８層のレチクルパターン、９：第９層
のレチクルパターン、１０：第１０層のレチクルパター
ン、１１：第１１層のレチクルパターン、１２：第１２
層のレチクルパターン、１３：第１３層のレチクルパタ
ーン、１４：第１４層のレチクルパターン、１５：第１
５層のレチクルパターン、１６：第１６層のレチクルパ
ターン、１００：レチクル配置ステージ、１０１：レチ
クル、１０２：露光位置。
パターン、３：第３層のレチクルパターン、４：第４層
のレチクルパターン、５：第５層のレチクルパターン、
６：第６層のレチクルパターン、７：第７層のレチクル
パターン、８：第８層のレチクルパターン、９：第９層
のレチクルパターン、１０：第１０層のレチクルパター
ン、１１：第１１層のレチクルパターン、１２：第１２
層のレチクルパターン、１３：第１３層のレチクルパタ
ーン、１４：第１４層のレチクルパターン、１５：第１
５層のレチクルパターン、１６：第１６層のレチクルパ
ターン、１００：レチクル配置ステージ、１０１：レチ
クル、１０２：露光位置。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体装置の製造に使用するフォトマス
クにおいて、 工程別の複数のマスクパターンを１枚のフォトマスク上
に設けたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造に使用
するフォトマスクにおいて、 前記工程別の複数のマスクパターンは半導体製造の各工
程を配置し、且つその配置はフォトマスクの中心点から
等しい位置で、該中心点からの放射線に対し各層のパタ
ーンの向きが同一の角度となるように、点対象の位置に
設けたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項３】 半導体装置の製造に使用するフォトマス
クにおいて、 半導体装置の製造に使用する複数のフォトマスクの各々
に、半導体製造の各工程のマスクパターンを配置し、且
つその配置はフォトマスクの中心点から等しい位置で、
該中心点からの放射線に対し各層のパターンの向きが同
一の角度となるように、点対象の位置に設け、更に、 半導体のパターン作成に際し、前記各複数のフォトマス
クの前記マスクパターンを連続する工程で使用するマス
クパターンは異なるフォトマスク上に形成したことを特
徴とするフォトマスク。 - 【請求項４】 半導体装置の製造に使用するフォトマス
クによる半導体パターン作成方法において、 半導体装置の製造に使用する複数のフォトマスクの各々
に複数のマスクパターンを設け、 半導体のパターン作成に際し、前記各複数のフォトマス
クの前記マスクパターンを順次変更し、パターンを作成
していくことを特徴とするフォトマスクによる半導体パ
ターン作成方法 - 【請求項５】 半導体装置の製造に使用するフォトマス
クによる半導体パターン作成方法において、 半導体装置の製造に使用する複数のフォトマスクの各々
に複数のマスクパターンを設け、該フォトマスクの各々
には、半導体製造の各工程のマスクパターンを配置し、
且つその配置はフォトマスクの中心点から等しい位置
で、該中心点からの放射線に対し各層のパターンの向き
が同一の角度となるように、点対象の位置に設け、更
に、 半導体のパターン作成に際し、前記各複数のフォトマス
クの前記マスクパターンを順次変更し、且つ前記各複数
のフォトマスクの前記マスクパターンを連続する工程で
使用するマスクパターンは異なるフォトマスク上に形成
したことを特徴とする半導体パターン作成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20320398A JP2000035659A (ja) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | 半導体フォトマスク、およびそのフォトマスクによる半導体パターン作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20320398A JP2000035659A (ja) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | 半導体フォトマスク、およびそのフォトマスクによる半導体パターン作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000035659A true JP2000035659A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16470183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20320398A Pending JP2000035659A (ja) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | 半導体フォトマスク、およびそのフォトマスクによる半導体パターン作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000035659A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191560A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 結晶化装備及びこれを用いた結晶化方法 |
| JP2008060576A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び方法 |
| CN105629659A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-06-01 | 北京航空航天大学 | 适于多次套刻的多时序光刻图案的掩膜板组及制作方法 |
| CN110568732A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-13 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种半导体结构及其制作方法 |
-
1998
- 1998-07-17 JP JP20320398A patent/JP2000035659A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7569793B2 (en) | 2003-12-24 | 2009-08-04 | Lg Display Co., Ltd. | Sequential lateral solidification device and method of crystallizing silicon using the same |
| JP4571486B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2010-10-27 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 結晶化装備及びこれを用いた結晶化方法 |
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| CN105629659B (zh) * | 2016-03-16 | 2023-08-18 | 北京航空航天大学 | 适于多次套刻的多时序光刻图案的掩膜板组及制作方法 |
| CN110568732A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-13 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种半导体结构及其制作方法 |
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