JP2874595B2 - 高周波回路装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電子部品を多層
基板に実装した高周波回路装置に関し、特に、高周波信
号の漏洩防止を図ることができる高周波回路装置に関す
る。
基板に実装した高周波回路装置に関し、特に、高周波信
号の漏洩防止を図ることができる高周波回路装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】複数の高周波電子部品を有する高周波回
路装置では、各高周波電子部品、及び、これらを接続す
る高周波回路パターンから輻射される高周波信号によっ
て、各高周波回路ブロックが相互に干渉してしまい、ま
た、高周波回路装置の周辺に設置した他の機器とも干渉
してしまうという不都合が生じる。このため、従来から
高周波回路装置では、装置を構成する高周波電子部品等
から輻射される高周波信号の漏洩を防止する手段が講じ
られていた。
路装置では、各高周波電子部品、及び、これらを接続す
る高周波回路パターンから輻射される高周波信号によっ
て、各高周波回路ブロックが相互に干渉してしまい、ま
た、高周波回路装置の周辺に設置した他の機器とも干渉
してしまうという不都合が生じる。このため、従来から
高周波回路装置では、装置を構成する高周波電子部品等
から輻射される高周波信号の漏洩を防止する手段が講じ
られていた。
【0003】例えば、図10は第一従来例に係る高周波
回路装置を示すものであり、同図(a)は側面断面図,
同図(b)は同図(a)の部分拡大図である。図10
(a)において、第一従来例に係る高周波回路装置10
0は、両面基板110の両面に、複数の高周波回路ブロ
ック111を形成し、両面基板110全体を金属製の筐
体120によって覆うことにより、外部への高周波信号
の漏洩を防止していた。
回路装置を示すものであり、同図(a)は側面断面図,
同図(b)は同図(a)の部分拡大図である。図10
(a)において、第一従来例に係る高周波回路装置10
0は、両面基板110の両面に、複数の高周波回路ブロ
ック111を形成し、両面基板110全体を金属製の筐
体120によって覆うことにより、外部への高周波信号
の漏洩を防止していた。
【0004】また、図10(b)に示すように、筐体1
20内において各高周波回路ブロック111を金属製の
仕切板121によって仕切り、各高周波回路ブロック1
11間の干渉を防止していた。
20内において各高周波回路ブロック111を金属製の
仕切板121によって仕切り、各高周波回路ブロック1
11間の干渉を防止していた。
【0005】また、図11は第二従来例に係る高周波回
路装置を示す側面断面図である。この高周波回路装置2
00は、両面基板210の両面に、複数の高周波回路ブ
ロック211を形成するとともに、これら高周波回路ブ
ロック211間を複数のビアホール212によって仕切
り、さらに、これらビアホール212と対応する壁部2
21を有する金属製の筐体220によって基板全体を覆
うことにより、外部への高周波信号の漏洩、及び、各高
周波回路ブロック211間の干渉を防止していた。
路装置を示す側面断面図である。この高周波回路装置2
00は、両面基板210の両面に、複数の高周波回路ブ
ロック211を形成するとともに、これら高周波回路ブ
ロック211間を複数のビアホール212によって仕切
り、さらに、これらビアホール212と対応する壁部2
21を有する金属製の筐体220によって基板全体を覆
うことにより、外部への高周波信号の漏洩、及び、各高
周波回路ブロック211間の干渉を防止していた。
【0006】さらに、特開平5−191056号では、
図12に示すように、金属製の筐体を用いずに高周波信
号の漏洩を防止できる高周波回路装置が提案されてい
る。
図12に示すように、金属製の筐体を用いずに高周波信
号の漏洩を防止できる高周波回路装置が提案されてい
る。
【0007】同図において、この高周波回路装置300
は、基板310の両面に、電源線,接地線としての銅箔
パターン層311と、紫外線硬化樹脂からなる絶縁層3
12a,312bとをそれぞれ積層し、この基板310
の表面側の絶縁層312a,312bの間に複数の高周
波回路パターン320を形成するとともに、これら高周
波回路パターン320の間に側溝321を設け、さら
に、最上層と最下層の絶縁層312b上に、無電解銅メ
ッキによって遮蔽層330a,330bを形成した構成
としてあった。
は、基板310の両面に、電源線,接地線としての銅箔
パターン層311と、紫外線硬化樹脂からなる絶縁層3
12a,312bとをそれぞれ積層し、この基板310
の表面側の絶縁層312a,312bの間に複数の高周
波回路パターン320を形成するとともに、これら高周
波回路パターン320の間に側溝321を設け、さら
に、最上層と最下層の絶縁層312b上に、無電解銅メ
ッキによって遮蔽層330a,330bを形成した構成
としてあった。
【0008】このような高周波回路装置300では、遮
蔽層330a,330bによって外部への高周波信号の
漏洩を防止し、また、各側溝321に充填された無電解
銅メッキによって各高周波回路パターン320間の干渉
を防止していた。
蔽層330a,330bによって外部への高周波信号の
漏洩を防止し、また、各側溝321に充填された無電解
銅メッキによって各高周波回路パターン320間の干渉
を防止していた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した第
一及び第二従来例に係る高周波回路装置100,200
では、筐体120,220によって両面基板120,2
20を覆うことにより高周波信号の漏洩を防止する構成
としてあったため、これら筐体120,220に収納さ
れる回路の高密度化を図ったとしても、筐体120,2
20の占める割合が大きいので、装置全体の小型化に一
定の限界があった。
一及び第二従来例に係る高周波回路装置100,200
では、筐体120,220によって両面基板120,2
20を覆うことにより高周波信号の漏洩を防止する構成
としてあったため、これら筐体120,220に収納さ
れる回路の高密度化を図ったとしても、筐体120,2
20の占める割合が大きいので、装置全体の小型化に一
定の限界があった。
【0010】また、筐体120,220の寸法に誤差が
生じると、筐体120,220の接合部に隙間が開いて
シールド効果が低下してしまうという問題があり、この
ため、筐体120,220の加工寸法を厳密にし、ま
た、接合部の隙間に導電性シリコンエラストマを充填し
なければならず、装置の製造コストが高いという問題も
あった。
生じると、筐体120,220の接合部に隙間が開いて
シールド効果が低下してしまうという問題があり、この
ため、筐体120,220の加工寸法を厳密にし、ま
た、接合部の隙間に導電性シリコンエラストマを充填し
なければならず、装置の製造コストが高いという問題も
あった。
【0011】一方、特開平5−191056号の高周波
回路装置300では、遮蔽層330a及び絶縁層312
bを貫通して高周波回路パターン320に接続されるビ
アホールを形成し、遮蔽層330a上に高周波電子部品
を実装することが考えられるが、実装される高周波電子
部品が外部に露出してしまうため、この高周波電子部品
のリード部から漏洩する高周波信号を防ぐことができな
いという問題があった。
回路装置300では、遮蔽層330a及び絶縁層312
bを貫通して高周波回路パターン320に接続されるビ
アホールを形成し、遮蔽層330a上に高周波電子部品
を実装することが考えられるが、実装される高周波電子
部品が外部に露出してしまうため、この高周波電子部品
のリード部から漏洩する高周波信号を防ぐことができな
いという問題があった。
【0012】また、遮蔽層330a上に高周波電子部品
を実装することができるとしても、この遮蔽層330a
上の各側溝321に充填された無電解銅メッキの仕切り
と対応する位置には、高周波電子部品を実装することが
できず、このような高周波回路装置300では、実装ス
ペースが極めて狭く、回路パターンの形成の自由度が制
限されてしまうという問題もあった。
を実装することができるとしても、この遮蔽層330a
上の各側溝321に充填された無電解銅メッキの仕切り
と対応する位置には、高周波電子部品を実装することが
できず、このような高周波回路装置300では、実装ス
ペースが極めて狭く、回路パターンの形成の自由度が制
限されてしまうという問題もあった。
【0013】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たものであり、高周波信号の漏洩を確実に防止すること
ができるとともに、装置の小型化及びローコスト化を図
ることができ、また、回路パターン形成の自由度を拡大
することができる高周波回路装置の提供を目的とする。
たものであり、高周波信号の漏洩を確実に防止すること
ができるとともに、装置の小型化及びローコスト化を図
ることができ、また、回路パターン形成の自由度を拡大
することができる高周波回路装置の提供を目的とする。
【0014】上記目的を達成するため、請求項1記載の
高周波回路装置は、最上層に第一GNDパターン、最下
層に第二GNDパターン及び内層に複数の高周波回路パ
ターンを有し、これら複数の高周波回路パターン間に前
記第一GNDパターンと第二GNDパターンに接続され
た高周波遮断用ビアホールを配置するとともに、前記第
一及び/又は第二GNDパターンに絶縁部を形成し、こ
の絶縁部内にランド部を形成して高周波電子部品を実装
し、また、前記ランド部と高周波回路パターンをビアホ
ールによって接続した多層基板と、前記第一または第二
GNDパターンに接続させ、かつ、前記高周波電子部品
を樹脂材料で封止し、前記樹脂材料の外面をメッキ処理
してシールドするシールド手段とを備えたことを特徴と
する。
高周波回路装置は、最上層に第一GNDパターン、最下
層に第二GNDパターン及び内層に複数の高周波回路パ
ターンを有し、これら複数の高周波回路パターン間に前
記第一GNDパターンと第二GNDパターンに接続され
た高周波遮断用ビアホールを配置するとともに、前記第
一及び/又は第二GNDパターンに絶縁部を形成し、こ
の絶縁部内にランド部を形成して高周波電子部品を実装
し、また、前記ランド部と高周波回路パターンをビアホ
ールによって接続した多層基板と、前記第一または第二
GNDパターンに接続させ、かつ、前記高周波電子部品
を樹脂材料で封止し、前記樹脂材料の外面をメッキ処理
してシールドするシールド手段とを備えたことを特徴と
する。
【0015】請求項2記載の高周波回路装置は、前記多
層基板の最上層または最下層に感光性樹脂基板を積層
し、これによって形成された感光性樹脂層の表面に前記
高周波電子部品以外の電子部品を実装し、内面に回路パ
ターンを形成したことを特徴とする。
層基板の最上層または最下層に感光性樹脂基板を積層
し、これによって形成された感光性樹脂層の表面に前記
高周波電子部品以外の電子部品を実装し、内面に回路パ
ターンを形成したことを特徴とする。
【0016】
【0017】
【作用】上記構成からなる請求項1記載の高周波回路装
置では、多層基板の最上層と最下層に形成した第一又は
/及び第二GNDパターン上に、絶縁部を形成し、か
つ、この絶縁部内にランド部を形成することにより、こ
れら第一又は/及び第二GNDパターン上に高周波電子
部品等を実装することを可能としている。また、多層基
板の内層に形成した高周波回路パターンと前記ランド部
を、ビアホールによって接続することにより、所定の高
周波回路が形成される。
置では、多層基板の最上層と最下層に形成した第一又は
/及び第二GNDパターン上に、絶縁部を形成し、か
つ、この絶縁部内にランド部を形成することにより、こ
れら第一又は/及び第二GNDパターン上に高周波電子
部品等を実装することを可能としている。また、多層基
板の内層に形成した高周波回路パターンと前記ランド部
を、ビアホールによって接続することにより、所定の高
周波回路が形成される。
【0018】ここで、前記第一及び第二GNDパターン
により、前記高周波回路パターンから発生する高周波信
号の外部への漏洩を防止することができる。また、前記
高周波電子部品を、前記第一又は第二GNDパターンに
接続した導電性キャップで覆うことにより、前記高周波
電子部品から発生する高周波信号の漏洩を個別に防止す
ることができる。
により、前記高周波回路パターンから発生する高周波信
号の外部への漏洩を防止することができる。また、前記
高周波電子部品を、前記第一又は第二GNDパターンに
接続した導電性キャップで覆うことにより、前記高周波
電子部品から発生する高周波信号の漏洩を個別に防止す
ることができる。
【0019】さらに、高周波遮断用ビアホールによって
内層に形成した各高周波回路パターンを仕切ることによ
り、各高周波回路パターン相互間の高周波信号による干
渉を防止することができる。
内層に形成した各高周波回路パターンを仕切ることによ
り、各高周波回路パターン相互間の高周波信号による干
渉を防止することができる。
【0020】請求項1記載の高周波回路装置は、高周波
部品の形状や大きさに応じたキャップを製作する必要が
なくなり、どのような形状や大きさの高周波電子部品で
も容易にシールドすることができる。
部品の形状や大きさに応じたキャップを製作する必要が
なくなり、どのような形状や大きさの高周波電子部品で
も容易にシールドすることができる。
【0021】上述したように、前記第一及び第二GND
パターンから高周波信号が全く漏洩しないので、請求項
2記載の高周波回路装置のように前記第一及び第二GN
Dパターン上に高周波回路以外の回路(例えば、制御系
回路)を、ビルドアップ法によって簡易に形成すること
ができるとともに、装置の高密度化を図ることができ
る。
パターンから高周波信号が全く漏洩しないので、請求項
2記載の高周波回路装置のように前記第一及び第二GN
Dパターン上に高周波回路以外の回路(例えば、制御系
回路)を、ビルドアップ法によって簡易に形成すること
ができるとともに、装置の高密度化を図ることができ
る。
【0022】また、前記第一又は第二GNDパターン上
の感光性樹脂層を多層とした場合は、フォトエッチング
によって各層間のどこにでも容易にビアホールを形成す
ることができるので、回路をより簡単に形成することが
できる。
の感光性樹脂層を多層とした場合は、フォトエッチング
によって各層間のどこにでも容易にビアホールを形成す
ることができるので、回路をより簡単に形成することが
できる。
【0023】
【実施例】以下、本発明の高周波回路装置の一実施例に
ついて、図面を参照しつつ説明する。まず、第一実施例
に係る高周波回路装置について説明する。図1は本発明
の一実施例に係る高周波回路装置を示すものであり、同
図(a)は部分側面断面図、同図(b)は部分平面図で
ある。
ついて、図面を参照しつつ説明する。まず、第一実施例
に係る高周波回路装置について説明する。図1は本発明
の一実施例に係る高周波回路装置を示すものであり、同
図(a)は部分側面断面図、同図(b)は部分平面図で
ある。
【0024】図1(a)において、10は多層基板であ
り、最上層に第一GNDパターン11,最下層に第二G
NDパターン12及び内層に高周波回路パターン13が
形成してある。
り、最上層に第一GNDパターン11,最下層に第二G
NDパターン12及び内層に高周波回路パターン13が
形成してある。
【0025】また、図1(b)に示すように、第一GN
Dパターン11上には、矩形の絶縁部11aが形成して
あり、この絶縁部11a内には、高周波電子部品20を
接続するためのランド部11bが設けてある。このラン
ド部11bは、ビアホール10aを介して内層の高周波
回路パターン13と接続してあり、これによって一又は
複数の高周波回路を形成してある。
Dパターン11上には、矩形の絶縁部11aが形成して
あり、この絶縁部11a内には、高周波電子部品20を
接続するためのランド部11bが設けてある。このラン
ド部11bは、ビアホール10aを介して内層の高周波
回路パターン13と接続してあり、これによって一又は
複数の高周波回路を形成してある。
【0026】さらに、図1(b)に示すように、第一G
NDパターン11のランド部11b周辺は、レジスト液
を塗布することによって絶縁処理した高周波電子部品2
0の取付部11cとなっており(一点鎖線内側)、ま
た、この取付部11cの外側は、第一GNDパターン1
1の銅箔を露出させた状態としてある。
NDパターン11のランド部11b周辺は、レジスト液
を塗布することによって絶縁処理した高周波電子部品2
0の取付部11cとなっており(一点鎖線内側)、ま
た、この取付部11cの外側は、第一GNDパターン1
1の銅箔を露出させた状態としてある。
【0027】またさらに、図1(a)に示すように、第
一GNDパターン11上に実装された高周波電子部品2
0は、金属キャップ30によって覆ってある。この金属
キャップ30は、開口部の周縁を外側に折り曲げて接続
部31を形成した構成となっており、この接続部31
を、第一GNDパターン11の銅箔の露出した部分に半
田付けすることによって、金属キャップ30を第一GN
Dパターン11と同電位にしてある。
一GNDパターン11上に実装された高周波電子部品2
0は、金属キャップ30によって覆ってある。この金属
キャップ30は、開口部の周縁を外側に折り曲げて接続
部31を形成した構成となっており、この接続部31
を、第一GNDパターン11の銅箔の露出した部分に半
田付けすることによって、金属キャップ30を第一GN
Dパターン11と同電位にしてある。
【0028】ここで、金属キャップ30と第一GNDパ
ターン11の接続は、表面実装部品を実装するときに一
般的に使用されるスズ/鉛共晶半田(融点183℃程
度)より低い融点のろう材を使用しなければならない。
このようなろう材としては、ビスマス系の低融点半田
(融点150℃程度)又は導電性接着剤が好ましい。
ターン11の接続は、表面実装部品を実装するときに一
般的に使用されるスズ/鉛共晶半田(融点183℃程
度)より低い融点のろう材を使用しなければならない。
このようなろう材としては、ビスマス系の低融点半田
(融点150℃程度)又は導電性接着剤が好ましい。
【0029】このような構成からなる本第一実施例の高
周波回路装置によれば、第一及び第二GNDパターン1
1,12により、高周波回路パターン13から発生する
高周波信号の外部への漏洩を防止することができる。ま
た、高周波電子部品20を、第一GNDパターン11と
接続した金属キャップ30で覆うことにより、高周波電
子部品20のリード線等から発生する高周波信号の漏洩
を個別に防止することができるとともに、外部からの高
周波信号の侵入も防止することができる。
周波回路装置によれば、第一及び第二GNDパターン1
1,12により、高周波回路パターン13から発生する
高周波信号の外部への漏洩を防止することができる。ま
た、高周波電子部品20を、第一GNDパターン11と
接続した金属キャップ30で覆うことにより、高周波電
子部品20のリード線等から発生する高周波信号の漏洩
を個別に防止することができるとともに、外部からの高
周波信号の侵入も防止することができる。
【0030】したがって、従来の高周波回路装置のよう
な金属製の筐体によらずとも、安定した高周波信号のシ
ールド効果を得ることができ、装置を小型化することが
可能となる。また、筐体を用いたときのような高い組立
精度が要求されず、かつ、導電性エラストマ等の補修部
材が不要となり、装置をローコスト化することができ
る。
な金属製の筐体によらずとも、安定した高周波信号のシ
ールド効果を得ることができ、装置を小型化することが
可能となる。また、筐体を用いたときのような高い組立
精度が要求されず、かつ、導電性エラストマ等の補修部
材が不要となり、装置をローコスト化することができ
る。
【0031】さらに、絶縁部11aとランド部11bを
形成することにより、通常の回路を形成するときと同様
に、第一GNDパターン11上に高周波電子部品20を
実装することができ、回路パターン形成の自由度を拡大
させることができる。
形成することにより、通常の回路を形成するときと同様
に、第一GNDパターン11上に高周波電子部品20を
実装することができ、回路パターン形成の自由度を拡大
させることができる。
【0032】なお、本実施例では、第二GNDパターン
12に高周波電子部品20等の電子部品を実装しない構
成としてあるが、第一GNDパターン11と同様の絶縁
部11a,ランド部11bを形成することにより、この
第二GNDパターン12上に電子部品を実装することも
可能である。
12に高周波電子部品20等の電子部品を実装しない構
成としてあるが、第一GNDパターン11と同様の絶縁
部11a,ランド部11bを形成することにより、この
第二GNDパターン12上に電子部品を実装することも
可能である。
【0033】次に、本発明の第二実施例に係る高周波回
路装置について説明する。図2は本発明の二実施例に係
る高周波回路装置を示すものであり、同図(a)は部分
平面図、同図(b)は同図(a)のA−A断面図であ
る。
路装置について説明する。図2は本発明の二実施例に係
る高周波回路装置を示すものであり、同図(a)は部分
平面図、同図(b)は同図(a)のA−A断面図であ
る。
【0034】本実施例では、多層基板10の内層におい
て、互いに隣接して形成された二つの高周波回路パター
ン13,13を、第一及び第二GNDパターン11,1
2に接続した複数の高周波遮断用ビアホール10bによ
って仕切った(包囲した)構成としてある。
て、互いに隣接して形成された二つの高周波回路パター
ン13,13を、第一及び第二GNDパターン11,1
2に接続した複数の高周波遮断用ビアホール10bによ
って仕切った(包囲した)構成としてある。
【0035】このようなに、高周波遮断用ビアホール1
0bによって各高周波回路パターン13,13を仕切る
ことにより、これら高周波回路パターン13,13相互
間の高周波信号による干渉を防止することができる。
0bによって各高周波回路パターン13,13を仕切る
ことにより、これら高周波回路パターン13,13相互
間の高周波信号による干渉を防止することができる。
【0036】また、各高周波回路パターン13,13を
仕切るだけでなく、図2(a)に示すように、各高周波
回路パターン13,13全体を高周波遮断用ビアホール
10bによって包囲することにより、高周波信号の外部
への漏洩を防止することもできる。
仕切るだけでなく、図2(a)に示すように、各高周波
回路パターン13,13全体を高周波遮断用ビアホール
10bによって包囲することにより、高周波信号の外部
への漏洩を防止することもできる。
【0037】なお、高周波遮断用ビアホール10bのピ
ッチが狭いほど、シールド効果を向上させることがで
き、さらに、図3に示すように、各高周波回路パターン
13,13を二列又はそれ以上の列の高周波遮断用ビア
ホール10bによって仕切る(包囲する)構成とする
と、シールド効果をより向上させることができ、高周波
信号の漏洩防止の完全化を図ることができる。
ッチが狭いほど、シールド効果を向上させることがで
き、さらに、図3に示すように、各高周波回路パターン
13,13を二列又はそれ以上の列の高周波遮断用ビア
ホール10bによって仕切る(包囲する)構成とする
と、シールド効果をより向上させることができ、高周波
信号の漏洩防止の完全化を図ることができる。
【0038】次に、本発明の第三実施例に係る高周波回
路装置について説明する。図4は本発明の第三実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
路装置について説明する。図4は本発明の第三実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
【0039】本実施例では、多層基板10の端面にメッ
キ40を鍍着し、このメッキ40によって第一GNDパ
ターン11と第二GNDパターン12を接続した構成と
してある。これによって、多層基板10端面からの高周
波信号の漏洩を防止することができる。
キ40を鍍着し、このメッキ40によって第一GNDパ
ターン11と第二GNDパターン12を接続した構成と
してある。これによって、多層基板10端面からの高周
波信号の漏洩を防止することができる。
【0040】また、図5に示すように、多層基板10の
周縁を高周波遮断用ビアホール10bによって包囲する
構成としても、上記実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
周縁を高周波遮断用ビアホール10bによって包囲する
構成としても、上記実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
【0041】次に、本発明の第四実施例に係る高周波回
路装置について説明する。図6は本発明の第四実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
路装置について説明する。図6は本発明の第四実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
【0042】本実施例では、第一実施例における金属キ
ャップ30を用いずに、高周波電子部品20を樹脂材料
(熱硬化性樹脂)51によって封止し、この樹脂材料5
1の外面にメッキ52を鍍着した構成としてある。ま
た、このメッキ52の端部を第一GNDパターン11に
接触させることによって、メッキ52を第一GNDパタ
ーン11と同電位にしてある。
ャップ30を用いずに、高周波電子部品20を樹脂材料
(熱硬化性樹脂)51によって封止し、この樹脂材料5
1の外面にメッキ52を鍍着した構成としてある。ま
た、このメッキ52の端部を第一GNDパターン11に
接触させることによって、メッキ52を第一GNDパタ
ーン11と同電位にしてある。
【0043】このような本実施例の高周波回路装置よれ
ば、高周波電子部品20の形状や大きさに応じたキャッ
プを製作する必要がなくなり、どのような形状や大きさ
の高周波電子部品20でも、容易にシールドすることが
できる。
ば、高周波電子部品20の形状や大きさに応じたキャッ
プを製作する必要がなくなり、どのような形状や大きさ
の高周波電子部品20でも、容易にシールドすることが
できる。
【0044】なお、その他の金属キャップ30を用いな
いシールド手段として、図7に示すように、内面及び接
続部63にメッキ62を鍍着した樹脂キャップ61によ
って、高周波電子部品20をシールドする構成としても
よい。これによれば、少量の樹脂材料とメッキ62によ
って高周波電子部品20をシールドすることができるの
で、装置のローコスト化を図ることができる。
いシールド手段として、図7に示すように、内面及び接
続部63にメッキ62を鍍着した樹脂キャップ61によ
って、高周波電子部品20をシールドする構成としても
よい。これによれば、少量の樹脂材料とメッキ62によ
って高周波電子部品20をシールドすることができるの
で、装置のローコスト化を図ることができる。
【0045】次に本発明の第五実施例に係る高周波回路
装置について説明する。図8は本発明の第五実施例に係
る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
装置について説明する。図8は本発明の第五実施例に係
る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
【0046】一般に、高周波回路装置を形成する回路
は、高周波信号を扱う高周波回路と、この高周波回路に
電源を供給等する制御回路とに分類される。ここで、前
記制御回路では、高周波信号の送受が行なわれないの
で、高周波信号の漏洩を考慮した構成とする必要がな
く、より簡易な実装が望まれる。
は、高周波信号を扱う高周波回路と、この高周波回路に
電源を供給等する制御回路とに分類される。ここで、前
記制御回路では、高周波信号の送受が行なわれないの
で、高周波信号の漏洩を考慮した構成とする必要がな
く、より簡易な実装が望まれる。
【0047】そこで、本実施例では、図8に示すよう
に、多層基板10の第二GNDパターン12上に感光性
樹脂基板71,72,73を積層し、これら感光性樹脂
基板71〜73によって形成された感光性樹脂層70の
表層に電子部品74を実装するとともに、内層に図示し
ない回路パターンを形成した構成としてある。
に、多層基板10の第二GNDパターン12上に感光性
樹脂基板71,72,73を積層し、これら感光性樹脂
基板71〜73によって形成された感光性樹脂層70の
表層に電子部品74を実装するとともに、内層に図示し
ない回路パターンを形成した構成としてある。
【0048】このような本実施例の高周波回路装置で
は、第二GNDパターン12上に感光性樹脂基板71,
72,73を積層して制御回路等の高周波回路以外の回
路を形成する構成としたことにより、前記制御回路等を
一般的なビルドアップ法によって簡単に形成することが
できるとともに、装置の高密度化を図ることができる。
は、第二GNDパターン12上に感光性樹脂基板71,
72,73を積層して制御回路等の高周波回路以外の回
路を形成する構成としたことにより、前記制御回路等を
一般的なビルドアップ法によって簡単に形成することが
できるとともに、装置の高密度化を図ることができる。
【0049】また、感光性樹脂基板71〜73を用いた
ことにより、フォトエッチングによって簡単にビアホー
ルを形成することができる。さらに、多層基板10側で
発生する高周波信号は、第二GNDパターン12によっ
て遮断されるので、高周波信号の電子部品74等への干
渉を確実に防止することができる。
ことにより、フォトエッチングによって簡単にビアホー
ルを形成することができる。さらに、多層基板10側で
発生する高周波信号は、第二GNDパターン12によっ
て遮断されるので、高周波信号の電子部品74等への干
渉を確実に防止することができる。
【0050】なお、本実施例では、感光体樹脂層70を
感光性樹脂基板71,72,73からなる三層とした
が、感光体樹脂層70の層数は実装する回路の規模に応
じて変更することができる。
感光性樹脂基板71,72,73からなる三層とした
が、感光体樹脂層70の層数は実装する回路の規模に応
じて変更することができる。
【0051】次に、本発明の第六実施例に係る高周波回
路装置について説明する。図9は本発明の第六実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
路装置について説明する。図9は本発明の第六実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
【0052】本実施例では、感光性樹脂層70の表層に
第三GNDパターン81を形成するとともに、この第三
GNDパターン81に絶縁部81aを形成し、かつ、こ
の絶縁部81内にランド部81bを形成して電子部品7
4を実装した構成としてある。
第三GNDパターン81を形成するとともに、この第三
GNDパターン81に絶縁部81aを形成し、かつ、こ
の絶縁部81内にランド部81bを形成して電子部品7
4を実装した構成としてある。
【0053】このような構成によれば、第一及び第二G
NDパターン11,12に加え、感光性樹脂層70の表
層に形成した第三GNDパターン80によって高周波信
号の漏洩を防止することができ、高周波信号の漏洩によ
る弊害防止の完全化を図ることができる。
NDパターン11,12に加え、感光性樹脂層70の表
層に形成した第三GNDパターン80によって高周波信
号の漏洩を防止することができ、高周波信号の漏洩によ
る弊害防止の完全化を図ることができる。
【0054】
【発明の効果】以上のように、本発明の高周波回路装置
によれば、高周波信号の漏洩を確実に防止することがで
きるとともに、装置の小型化及びローコスト化を図るこ
とができ、また、回路パターン形成の自由度を拡大する
ことができる。
によれば、高周波信号の漏洩を確実に防止することがで
きるとともに、装置の小型化及びローコスト化を図るこ
とができ、また、回路パターン形成の自由度を拡大する
ことができる。
【図1】本発明の一実施例に係る高周波回路装置を示す
ものであり、同図(a)は部分側面断面図、同図(b)
は部分平面図である。
ものであり、同図(a)は部分側面断面図、同図(b)
は部分平面図である。
【図2】本発明の二実施例に係る高周波回路装置を示す
ものであり、同図(a)は部分平面図、同図(b)は同
図(a)のA−A断面図である。
ものであり、同図(a)は部分平面図、同図(b)は同
図(a)のA−A断面図である。
【図3】上記第二実施例に係る高周波回路装置の変更例
を示す部分平面図である。
を示す部分平面図である。
【図4】本発明の第三実施例に係る高周波回路装置を示
す部分側面断面図である。
す部分側面断面図である。
【図5】上記第三実施例に係る高周波回路装置の変更例
を示す部分側面断面図である。
を示す部分側面断面図である。
【図6】本発明の第四実施例に係る高周波回路装置を示
す部分側面断面図である。
す部分側面断面図である。
【図7】上記第四実施例に係る高周波回路装置の変更例
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図8】本発明の第五実施例に係る高周波回路装置を示
す部分側面断面図である。
す部分側面断面図である。
【図9】本発明の第六実施例に係る高周波回路装置を示
す部分側面断面図である。
す部分側面断面図である。
【図10】第一従来例に係る高周波回路装置を示すもの
であり、同図(a)は側面断面図,同図(b)は同図
(a)の部分拡大図である。
であり、同図(a)は側面断面図,同図(b)は同図
(a)の部分拡大図である。
【図11】第二従来例に係る高周波回路装置を示す側面
断面図である。
断面図である。
【図12】その他の従来例に係る高周波回路装置を示す
部分側面断面図である。
部分側面断面図である。
10 多層基板 10a ビアホール 10b 高周波遮断用ビアホール 11 第一GNDパターン 11a,81a 絶縁部 11b,81b ランド部 11c 取付部 12 第二GNDパターン 13 高周波回路パターン 20 高周波回路部品 30 金属キャップ 31,63 接続部 40,52,62 メッキ 51 樹脂材料 61 樹脂キャップ 70 感光性樹脂層 71,72,73 感光性樹脂基板 74 電子部品 81 第三GNDパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H05K 9/00 H05K 3/46
Claims (2)
- 【請求項1】最上層に第一GNDパターン、最下層に第
二GNDパターン及び内層に複数の高周波回路パターン
を有し、これら複数の高周波回路パターン間に前記第一
GNDパターンと第二GNDパターンに接続された高周
波遮断用ビアホールを配置するとともに、前記第一及び
/又は第二GNDパターンに絶縁部を形成し、この絶縁
部内にランド部を形成して高周波電子部品を実装し、ま
た、前記ランド部と高周波回路パターンをビアホールに
よって接続した多層基板と、 前記第一または第二GNDパターンに接続させ、かつ、
前記高周波電子部品を樹脂材料で封止し、前記樹脂材料
の外面をメッキ処理してシールドするシールド手段とを
備えたことを特徴とする高周波回路装置。 - 【請求項2】前記多層基板の最上層または最下層に感光
性樹脂基板を積層し、これによって形成された感光性樹
脂層の表面に前記高周波電子部品以外の電子部品を実装
し、内面に回路パターンを形成したことを特徴とする請
求項1記載の高周波回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7137335A JP2874595B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7137335A JP2874595B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 高周波回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08316686A JPH08316686A (ja) | 1996-11-29 |
JP2874595B2 true JP2874595B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=15196256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7137335A Expired - Fee Related JP2874595B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2874595B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998033366A1 (fr) | 1997-01-29 | 1998-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Procede et dispositif permettant de fabriquer un tableau de connexions multicouches et un tableau de connexions approprie |
JP3687041B2 (ja) | 1997-04-16 | 2005-08-24 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板、配線基板の製造方法、および半導体パッケージ |
JP4322402B2 (ja) | 2000-06-22 | 2009-09-02 | 大日本印刷株式会社 | プリント配線基板及びその製造方法 |
TWI376756B (en) * | 2003-07-30 | 2012-11-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Ground arch for wirebond ball grid arrays |
JP2005353889A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 高周波多層集積回路 |
JP2006019340A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Tdk Corp | 半導体ic内蔵基板 |
JP2007150101A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Sony Corp | モジュール基板及び撮像装置 |
JP7112785B1 (ja) * | 2021-09-16 | 2022-08-04 | イメージニクス株式会社 | 信号処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59180514A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-13 | Toshiba Corp | 光受信モジユ−ル |
JPH04313300A (ja) * | 1991-04-10 | 1992-11-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フレキシブルプリント配線板 |
JPH05191056A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線基板 |
JP2948039B2 (ja) * | 1992-12-28 | 1999-09-13 | 株式会社日立製作所 | 回路基板 |
-
1995
- 1995-05-11 JP JP7137335A patent/JP2874595B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08316686A (ja) | 1996-11-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971028 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981215 |
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