JP2842874B2 - 導波路型光デバイスの製造方法 - Google Patents
導波路型光デバイスの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、導波路型光デバイスおよびその製造方法に
係り、特にコア導波路の周りを低屈折率のクラッドで均
一に覆うことのできる導波路型光デバイスの製造方法に
関する。
係り、特にコア導波路の周りを低屈折率のクラッドで均
一に覆うことのできる導波路型光デバイスの製造方法に
関する。
［従来の技術］ 近年、光デバイスは、光ファイバ通信の進展に伴い、 １）大量生産性 ２）高信頼性 ３）結合の無調整化 ４）自動組立 ５）低損失化 等の要求がなされるようになり、これらの要求に応える
ために導波路型のものが注目されるようになってきた。
特に、光導波路の中で、石英系ガラス光導波路は低損失
であり、また光ファイバとの接続損失も非常に小さいた
め、将来の光導波路として有望視されている。
ために導波路型のものが注目されるようになってきた。
特に、光導波路の中で、石英系ガラス光導波路は低損失
であり、また光ファイバとの接続損失も非常に小さいた
め、将来の光導波路として有望視されている。
従来、石英系ガラス光導波路の製法として、第３図に
示す火炎堆積法を用いる方法がある。
示す火炎堆積法を用いる方法がある。
その石英系ガラス光導波路の製造方法は、第３図
（ａ）から同図（ｆ）に向けて工程が進められ、先ず同
図（ａ）に示すように、シリコン基板31上への石英ガラ
ス多孔質膜（バッファ層）32の形成およびその膜上への
屈折率制御用ドーパント（Ti,あるいはGe等）を含んだ
石英ガラス多孔質膜（コア層）33の形成を行い、次に同
図（ｂ）に示すように、その加熱透明化による平面光導
波膜34の形成を行い、同図（ｃ）及び（ｄ）に示すよう
に、マスク35でのパターン化による３次元光導波路36の
形成を行い、さらに同図（ｅ）に示すように、上記３次
元光導波路36上への石英ガラス多孔質膜（クラッド層）
37の形成を行い、最後に同図（ｆ）に示すように、その
加熱透明化によって、基板31上にバッファ層39、コア層
36、クラッド層40の３層構造が実現されている（宮下
著：光導波路技術、1.最近の光導波路技術、O plas E,N
o.78,pp.59−67参照）。
（ａ）から同図（ｆ）に向けて工程が進められ、先ず同
図（ａ）に示すように、シリコン基板31上への石英ガラ
ス多孔質膜（バッファ層）32の形成およびその膜上への
屈折率制御用ドーパント（Ti,あるいはGe等）を含んだ
石英ガラス多孔質膜（コア層）33の形成を行い、次に同
図（ｂ）に示すように、その加熱透明化による平面光導
波膜34の形成を行い、同図（ｃ）及び（ｄ）に示すよう
に、マスク35でのパターン化による３次元光導波路36の
形成を行い、さらに同図（ｅ）に示すように、上記３次
元光導波路36上への石英ガラス多孔質膜（クラッド層）
37の形成を行い、最後に同図（ｆ）に示すように、その
加熱透明化によって、基板31上にバッファ層39、コア層
36、クラッド層40の３層構造が実現されている（宮下
著：光導波路技術、1.最近の光導波路技術、O plas E,N
o.78,pp.59−67参照）。
なお、クラッド層40、コア層36及びバッファ層39の屈
折率がそれぞれncl,nc及びnbとすると次式のような関係
を有する。
折率がそれぞれncl,nc及びnbとすると次式のような関係
を有する。
nc＞ncl＝nb ［発明が解決しようとする課題］ ところが、第３図（ａ）乃至（ｆ）に示した、上記の
石英系ガラス光導波路の製造方法による石英系ガラス光
導波路の構成を種々検討した結果、次のような問題が生
じ易く、高性能光伝送特性（伝送損失、アイソレーショ
ンなどの特性）を再現性良く実現できないことが分かっ
た。
石英系ガラス光導波路の製造方法による石英系ガラス光
導波路の構成を種々検討した結果、次のような問題が生
じ易く、高性能光伝送特性（伝送損失、アイソレーショ
ンなどの特性）を再現性良く実現できないことが分かっ
た。
即ち、先ず第１の問題としては、同図（ｃ）および
（ｄ）に示す工程において、パターン化により作成した
３次元光導波路36は幅ＷがＷ＝10μｍ、厚みＴがＴ＝８
μｍ、間隔ＳがＳ＝２μｍのようにアスペクト比の大き
い高段差パターンの為、このパターン上に同図（ｅ）に
示す如くクラッド用多孔質膜37を形成し、焼結により透
明ガラス化しても、同図（ｆ）に示すごとく光導波路36
の間隔部分や光導波路36の側面に気泡（空隙）38が発生
することであった。このような部分に気泡（空隙）38が
発生すると、散乱損失が増大することである。また、方
向性結合器のように光導波路36間の結合を利用して光信
号を分岐したり、結合したりする場合には、上記気泡38
の発生は結合条件を変化させるという問題点を生じさせ
ていた。上記気泡38はコア層36の間隔Ｓが狭いほど、ま
たコア層36の厚さＴが厚いほど、さらには光導波路36の
側面が垂直で面荒れが少ないほど発生し易かった。
（ｄ）に示す工程において、パターン化により作成した
３次元光導波路36は幅ＷがＷ＝10μｍ、厚みＴがＴ＝８
μｍ、間隔ＳがＳ＝２μｍのようにアスペクト比の大き
い高段差パターンの為、このパターン上に同図（ｅ）に
示す如くクラッド用多孔質膜37を形成し、焼結により透
明ガラス化しても、同図（ｆ）に示すごとく光導波路36
の間隔部分や光導波路36の側面に気泡（空隙）38が発生
することであった。このような部分に気泡（空隙）38が
発生すると、散乱損失が増大することである。また、方
向性結合器のように光導波路36間の結合を利用して光信
号を分岐したり、結合したりする場合には、上記気泡38
の発生は結合条件を変化させるという問題点を生じさせ
ていた。上記気泡38はコア層36の間隔Ｓが狭いほど、ま
たコア層36の厚さＴが厚いほど、さらには光導波路36の
側面が垂直で面荒れが少ないほど発生し易かった。
第２の問題点としては、ガラス膜の屈折率の制御性が
悪いことと、その屈折率が高温焼結による透明ガラス化
プロセスを経ることによって変動することである。
悪いことと、その屈折率が高温焼結による透明ガラス化
プロセスを経ることによって変動することである。
つまり、単一モード光導波路では屈折率の制御性は所
望値に対して±２×10-4以下の精度で作る必要がある。
しかしながら、火炎加水分解バーナへのガス流量、温
度、バーナと基板との間隔、堆積中の雰囲気など、非常
に多くのパラメータによって屈折率値が決定されるた
め、上記精度で作ることはかなり難しい。また、透明ガ
ラス化プロセスでの温度、雰囲気、時間などによって変
動し易く、再現性に問題があった。
望値に対して±２×10-4以下の精度で作る必要がある。
しかしながら、火炎加水分解バーナへのガス流量、温
度、バーナと基板との間隔、堆積中の雰囲気など、非常
に多くのパラメータによって屈折率値が決定されるた
め、上記精度で作ることはかなり難しい。また、透明ガ
ラス化プロセスでの温度、雰囲気、時間などによって変
動し易く、再現性に問題があった。
本発明の目的は、上記問題点を解決することができる
導波路型光デバイスの製造方法を提供することである。
導波路型光デバイスの製造方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、上記目的を達成するため、基板上に３次元
光導波路をパターン化し、その上にクラッド用多孔質膜
を覆った試料のうち少なくとも上記クラッド用多孔質膜
を金属アルコレート溶液に浸した後、所望の雰囲気に保
って上記金属アルコレート溶液を加水分解させてゲル化
させ、ついで高温焼結により、少なくとも上記ゲル化し
たガラス膜を含んだ上記クラッド用多孔質膜を透明ガラ
ス化し、光信号の入・出力端面以外の基板の裏面、側面
などのうち少なくとも１カ所をクラッドガラス層に含ま
れているガラス成分で保護したことである。
光導波路をパターン化し、その上にクラッド用多孔質膜
を覆った試料のうち少なくとも上記クラッド用多孔質膜
を金属アルコレート溶液に浸した後、所望の雰囲気に保
って上記金属アルコレート溶液を加水分解させてゲル化
させ、ついで高温焼結により、少なくとも上記ゲル化し
たガラス膜を含んだ上記クラッド用多孔質膜を透明ガラ
ス化し、光信号の入・出力端面以外の基板の裏面、側面
などのうち少なくとも１カ所をクラッドガラス層に含ま
れているガラス成分で保護したことである。
また、上記製造方法において、クラッド用多孔質膜と
してSiO2の微粒子からなる多孔質膜を用いると共に、金
属アルコレート溶液としてＢ、Ｐ、Ti,Ge,Zr,Al等の屈
折率制御用金属アルコレート溶液を少なくとも１種含ん
だSiのアルコレート溶液を用いたことである。
してSiO2の微粒子からなる多孔質膜を用いると共に、金
属アルコレート溶液としてＢ、Ｐ、Ti,Ge,Zr,Al等の屈
折率制御用金属アルコレート溶液を少なくとも１種含ん
だSiのアルコレート溶液を用いたことである。
［作 用］ 基板上に３次元光導波路をパターン化し、その上にク
ラッド用多孔質膜を覆った試料のうち少なくとも上記ク
ラッド用多孔質膜を金属アルコレート溶液に浸した後、
所望の雰囲気に保って上記金属アルコレート溶液を加水
分解させてゲル化させ、ついで高温焼結により、少なく
とも上記ゲル化したガラス膜を含んだ上記クラッド用多
孔質膜を透明ガラス化したので、屈折率の制御が容易で
且つ変動も小さいため、上記のようにアイソレーション
特性や光結合特性の変動の小さい光デバイスを再現性良
く作ることができる。
ラッド用多孔質膜を覆った試料のうち少なくとも上記ク
ラッド用多孔質膜を金属アルコレート溶液に浸した後、
所望の雰囲気に保って上記金属アルコレート溶液を加水
分解させてゲル化させ、ついで高温焼結により、少なく
とも上記ゲル化したガラス膜を含んだ上記クラッド用多
孔質膜を透明ガラス化したので、屈折率の制御が容易で
且つ変動も小さいため、上記のようにアイソレーション
特性や光結合特性の変動の小さい光デバイスを再現性良
く作ることができる。
光信号の入・内力端面以外の基板の裏面、側面などの
うち少なくとも１カ所をクラッドガラス層に含まれてい
るガラス成分で保護してあるので、高温熱処理による基
板の反りを制御でき、熱膨張係数の違いによる応力の発
生に起因する偏向依存性を低減することができる。従っ
て、コア層とクラッド層との界面、クラッド層とバッフ
ァ層との界面に空隙や気泡のない均一なガラス膜が得ら
れ、低散乱損失でアイソレーション特性や光結合特性の
優れた光デバイスを実現することができる。
うち少なくとも１カ所をクラッドガラス層に含まれてい
るガラス成分で保護してあるので、高温熱処理による基
板の反りを制御でき、熱膨張係数の違いによる応力の発
生に起因する偏向依存性を低減することができる。従っ
て、コア層とクラッド層との界面、クラッド層とバッフ
ァ層との界面に空隙や気泡のない均一なガラス膜が得ら
れ、低散乱損失でアイソレーション特性や光結合特性の
優れた光デバイスを実現することができる。
上記製造方法において、クラッド用多孔質膜としてSi
O2の微粒子からなる多孔質膜を用いると共に、金属アル
コレート溶液としてＢ、Ｐ、Ti,Ge,Zr,Al等の屈折率制
御用金属アルコレート溶液を少なくとも１種含んだSiの
アルコレート溶液を用いたので、屈折率の制御が容易で
且つその変動も小さくなり、上記のようにアイソレーシ
ョン特性や光結合特性の変動の小さい光デバイスを再現
性良く作ることができる。
O2の微粒子からなる多孔質膜を用いると共に、金属アル
コレート溶液としてＢ、Ｐ、Ti,Ge,Zr,Al等の屈折率制
御用金属アルコレート溶液を少なくとも１種含んだSiの
アルコレート溶液を用いたので、屈折率の制御が容易で
且つその変動も小さくなり、上記のようにアイソレーシ
ョン特性や光結合特性の変動の小さい光デバイスを再現
性良く作ることができる。
［実施例］ 次に本発明の実施例を添付図面に従って説明する。
本発明の一実施例である導波路型光デバイスの構成
は、第１図（ｅ）に示すように、石英ガラス、Si、LiNa
O3等よりなる基板１上にSiO2よりなるバッファ層３が被
層され、その上にパターン化された３次元光導波路21,2
2が形成されていると共に、透明ガラス化されたSiO2よ
りなる保護層10が被層されている。さらに、３次元光導
波路21,22上に透明ガラス化されたSiO2よりなるクラッ
ド層９が被層されている。
は、第１図（ｅ）に示すように、石英ガラス、Si、LiNa
O3等よりなる基板１上にSiO2よりなるバッファ層３が被
層され、その上にパターン化された３次元光導波路21,2
2が形成されていると共に、透明ガラス化されたSiO2よ
りなる保護層10が被層されている。さらに、３次元光導
波路21,22上に透明ガラス化されたSiO2よりなるクラッ
ド層９が被層されている。
次に、第１図（ａ）から同図（ｅ）の工程順序に従っ
て、上記導波路型光デバイスの製造方法について説明す
る。
て、上記導波路型光デバイスの製造方法について説明す
る。
先ず第１図（ａ）に示すように、石英ガラス、Si,LiN
aO3等よりなる基板１上にパターン化された３次元光導
波路21,22を形成する。ここで、バッファ層３はSiO2、
コア層21、22はSiO2−TiO2系ガラスである。この場合、
コア層21,22の幅Ｗ＝10μｍ、コア層21,22の厚さＴ＝８
μｍ、コア層21とコア層22との間隔Ｓ＝２μｍ、バッフ
ァ層３の厚みは約10μｍである。バッファ層３、コア層
21、22は、例えば電子ビーム蒸着、CVD、スパッタリン
グ、または火炎堆積などで形成される。
aO3等よりなる基板１上にパターン化された３次元光導
波路21,22を形成する。ここで、バッファ層３はSiO2、
コア層21、22はSiO2−TiO2系ガラスである。この場合、
コア層21,22の幅Ｗ＝10μｍ、コア層21,22の厚さＴ＝８
μｍ、コア層21とコア層22との間隔Ｓ＝２μｍ、バッフ
ァ層３の厚みは約10μｍである。バッファ層３、コア層
21、22は、例えば電子ビーム蒸着、CVD、スパッタリン
グ、または火炎堆積などで形成される。
次に同図（ｂ）に示すように、上記３次元光導波路上
にSiO2よりなるクラッド用多孔質膜４を形成する。ここ
で、クラッド用多孔質膜４は火炎堆積、低温CVD、プラ
ズマCVDなどによって形成する。
にSiO2よりなるクラッド用多孔質膜４を形成する。ここ
で、クラッド用多孔質膜４は火炎堆積、低温CVD、プラ
ズマCVDなどによって形成する。
次に同図（ｃ）に示すように、同図（ｂ）に示した上
記工程で得た試料を金属アルコレート溶液６（珪酸エチ
ルの縮合体、またはそれにアルコール、水、酸類を混合
した液）の入った容器５内に浸す。
記工程で得た試料を金属アルコレート溶液６（珪酸エチ
ルの縮合体、またはそれにアルコール、水、酸類を混合
した液）の入った容器５内に浸す。
そして同図（ｄ）に示すように、容器５内から試料を
引き上げて一定雰囲気（例えば、温度25℃の酸素雰囲
気）に約４日間放置することによりクラッド用多孔質膜
４をゲル化したSiO2を含んだ膜７に変えさせる。なお、
基板１の裏面、側面などにもゲル化したSiO2膜８が形成
される。
引き上げて一定雰囲気（例えば、温度25℃の酸素雰囲
気）に約４日間放置することによりクラッド用多孔質膜
４をゲル化したSiO2を含んだ膜７に変えさせる。なお、
基板１の裏面、側面などにもゲル化したSiO2膜８が形成
される。
最後に同図（ｅ）に示すように、約1400℃の温度に加
熱して上記膜７、８を透明ガラス化してSiO2よりなるク
ラッド層９およびSiO2よりなる保護層10にする。
熱して上記膜７、８を透明ガラス化してSiO2よりなるク
ラッド層９およびSiO2よりなる保護層10にする。
なお、従来の導波路型光デバイスの製造方法にあって
は、クラッド用多孔質膜４に金属アルコレート溶液６が
含浸されていないので、上記膜４とコア層21、22、バッ
ファ層３との親和性、容着性が悪いために透明ガラス化
に空隙を生じ易い、といった問題を有していた。
は、クラッド用多孔質膜４に金属アルコレート溶液６が
含浸されていないので、上記膜４とコア層21、22、バッ
ファ層３との親和性、容着性が悪いために透明ガラス化
に空隙を生じ易い、といった問題を有していた。
それに対して、第１図に示すごとき薄波路型光デバイ
スの製造方法によれば、クラッド用多孔質膜４中に金属
アルコレート溶液６が親和性が良く、且つ均一に含浸さ
れているので、コア層21、22、バッファ層３とクラッド
用多孔質膜４との密着性も良く、その結果、空隙の発生
を抑制することができる。また、クラッド用多孔質膜７
は金属アルコレートの加水分解により微粒子が0.0数μ
ｍ程度と小さく、且つ緻密な膜になるので、散乱損失を
低減できる。なお、第１図（ｅ）に示す工程において、
光信号の波長λ，出力端面、即ち光ファイバとの結合端
面はダイシング、あるいは研磨などにより、上記保護層
10は取り除かれる。金属アルコレート溶液中のアルコー
ル、水、酸類は加水分解の進行の度合いを調整するもの
である。水、酸類が多いほど加水分解は促進され、アル
コール量が多いほど加水分解は遅くすることができる。
スの製造方法によれば、クラッド用多孔質膜４中に金属
アルコレート溶液６が親和性が良く、且つ均一に含浸さ
れているので、コア層21、22、バッファ層３とクラッド
用多孔質膜４との密着性も良く、その結果、空隙の発生
を抑制することができる。また、クラッド用多孔質膜７
は金属アルコレートの加水分解により微粒子が0.0数μ
ｍ程度と小さく、且つ緻密な膜になるので、散乱損失を
低減できる。なお、第１図（ｅ）に示す工程において、
光信号の波長λ，出力端面、即ち光ファイバとの結合端
面はダイシング、あるいは研磨などにより、上記保護層
10は取り除かれる。金属アルコレート溶液中のアルコー
ル、水、酸類は加水分解の進行の度合いを調整するもの
である。水、酸類が多いほど加水分解は促進され、アル
コール量が多いほど加水分解は遅くすることができる。
次に本発明の別の実施例を示す。
本発明の実施例による薄波路型光デバイスは、第２図
（ａ）乃至（ｅ）に示すような工程順に従って、製造さ
れる。
（ａ）乃至（ｅ）に示すような工程順に従って、製造さ
れる。
先ず、第２図（ａ）に示すように、第１図で示した３
次元光導波路と同様に基板１上にパターン化された３次
元光導波路を形成する。ここで、バッファ層３はSiO2−
TiO2−B2O3系ガラス、コア層21、22はSiO2−TiO2系ガラ
スである。これらの層は第１図の場合と同様の方法で形
成される。
次元光導波路と同様に基板１上にパターン化された３次
元光導波路を形成する。ここで、バッファ層３はSiO2−
TiO2−B2O3系ガラス、コア層21、22はSiO2−TiO2系ガラ
スである。これらの層は第１図の場合と同様の方法で形
成される。
次に同図（ｂ）に示すように、上記３次元光導波路上
にSiO2よりなるクラッド用多孔質膜４を形成する。
にSiO2よりなるクラッド用多孔質膜４を形成する。
そして、同図（ｃ）に示すように、上記同図（ｂ）に
示す工程で得た試料をTi、Ｂを含んだSiの金属アルコレ
ート溶液６、例えば、Si（OC2H5）４、Ti（OC2H5）４、
Ｂ（OC2H5）３、アルコール、水、酸類を含んだ液より
なる溶液の入った容器５内に浸す。ここで、上記金属ア
ルコレート溶液６はバッファ層３の屈折率と等しくなる
ように、Ti（OC2H5）４とＢ（OC2H5）３の液体配合量が
調合される。即ち、上記液体の配合量で屈折率が調節さ
れる。
示す工程で得た試料をTi、Ｂを含んだSiの金属アルコレ
ート溶液６、例えば、Si（OC2H5）４、Ti（OC2H5）４、
Ｂ（OC2H5）３、アルコール、水、酸類を含んだ液より
なる溶液の入った容器５内に浸す。ここで、上記金属ア
ルコレート溶液６はバッファ層３の屈折率と等しくなる
ように、Ti（OC2H5）４とＢ（OC2H5）３の液体配合量が
調合される。即ち、上記液体の配合量で屈折率が調節さ
れる。
次に同図（ｄ）に示すように、容器５内から試料を引
き上げて一定雰囲気に所望時間放置することにより、ゲ
ル化したSiO2−TiO2−B2O3を含んだクラッド用多孔質膜
７を得る。
き上げて一定雰囲気に所望時間放置することにより、ゲ
ル化したSiO2−TiO2−B2O3を含んだクラッド用多孔質膜
７を得る。
最後に同図（ｅ）に示すように、約1300℃の温度に加
熱してHeガス雰囲気中で透明ガラス化してクラッド層９
及び保護層10にする。
熱してHeガス雰囲気中で透明ガラス化してクラッド層９
及び保護層10にする。
本発明は上記２つの実施例に限定されるものでない。
先ず、クラッド層９のガラス成分は上記以外に,GeO2、P
2O5、ZnO2、SbO、Al2O3などを少なくとも１種含んだも
のでも良い。即ち、屈折率制御用の金属アルコレート溶
液としては、PO（OC2H5）３、Ge（OC2H5）４、Sb（OC2H
5）４、Al（OC2H5）３などを用いることができる。金属
アルコレート溶液に添加する酸類としては、M2OxP2O
5（ＭはAl,Mg,Ca,Fe,Cu,Ba,Ti,Mn,Zn等の多価金属、ｘ
は正の数）で示される重リン酸金属塩の水溶塩を用い
る。クラッド用多孔質４中へ金属アルコレート溶液を含
浸させる方法としては、上記液体内に浸す方法以外に、
霧吹きにより上面に吹き付ける方法、上面にスピンコー
ティングする方法等を用いることができる。
先ず、クラッド層９のガラス成分は上記以外に,GeO2、P
2O5、ZnO2、SbO、Al2O3などを少なくとも１種含んだも
のでも良い。即ち、屈折率制御用の金属アルコレート溶
液としては、PO（OC2H5）３、Ge（OC2H5）４、Sb（OC2H
5）４、Al（OC2H5）３などを用いることができる。金属
アルコレート溶液に添加する酸類としては、M2OxP2O
5（ＭはAl,Mg,Ca,Fe,Cu,Ba,Ti,Mn,Zn等の多価金属、ｘ
は正の数）で示される重リン酸金属塩の水溶塩を用い
る。クラッド用多孔質４中へ金属アルコレート溶液を含
浸させる方法としては、上記液体内に浸す方法以外に、
霧吹きにより上面に吹き付ける方法、上面にスピンコー
ティングする方法等を用いることができる。
なお、基板１に石英ガラスを用いた場合には、バッフ
ァ層３は無くても良い。
ァ層３は無くても良い。
［発明の効果］ 以上、本発明によれば、コア層とクラッド層との界
面、クラッド層とバッファ層との界面に空隙や気泡がな
く均一なガラス膜で構成できるため、低散乱損失でアイ
ソレーション特性や光結合特性の優れた光デバイスを実
現することができる。
面、クラッド層とバッファ層との界面に空隙や気泡がな
く均一なガラス膜で構成できるため、低散乱損失でアイ
ソレーション特性や光結合特性の優れた光デバイスを実
現することができる。
また、屈折率の制御が容易で且つその変動も小さいた
め、上記のようにアイソレーション特性や光結合特性の
変動の小さい光デバイスを再現性良く作ることができ
る。
め、上記のようにアイソレーション特性や光結合特性の
変動の小さい光デバイスを再現性良く作ることができ
る。
さらに、基板の側面、裏面などにもクラッド用ガラス
に含まれているガラス成分が形成されているので、高温
熱処理による基板の反りを制御でき、熱膨張係数の違い
による応力の発生に起因する偏向依存性を低減すること
ができる。
に含まれているガラス成分が形成されているので、高温
熱処理による基板の反りを制御でき、熱膨張係数の違い
による応力の発生に起因する偏向依存性を低減すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は本発
明の別の実施例を示す説明図、第３図は従来例を示す説
明図である。 図中、１は基板、９はクラッドガラス層、７はクラッド
用多孔質膜、６は金属アルコレート溶液、21、22はコア
ガラス層である。
明の別の実施例を示す説明図、第３図は従来例を示す説
明図である。 図中、１は基板、９はクラッドガラス層、７はクラッド
用多孔質膜、６は金属アルコレート溶液、21、22はコア
ガラス層である。
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に光の伝搬するコアを３次元にパタ
ーン化し、その上にクラッド用多孔質膜を覆った試料の
うち少なくとも上記クラッド用多孔質膜を金属アルコレ
ート溶液を含んだ液に浸した後、所望の雰囲気に保って
上記金属アルコレート溶液を加水分解させてゲル化さ
せ、ついで高温焼結により、少なくとも上記ゲル化した
ガラス膜を含んだ上記クラッド用多孔質膜を透明ガラス
化することを特徴とする導波路型光デバイスの製造方
法。 - 【請求項２】第１項記載の導波路型光デバイスの製造方
法において、クラッド用多孔質膜としてSiO2の微粒子か
らなる多孔質膜を用いると共に、金属アルコレート溶液
としてB,P,Ti,Ge,Zr,Al等の屈折率制御用金属アルコレ
ート溶液を少なくとも１種含んだSiのアルコレート溶液
を用いたことを特徴とする導波路型光デバイスの製造方
法。 - 【請求項３】第１項記載の導波路型光デバイスの製造方
法において、上記クラッド用多孔質膜と共に、上記基板
も上記金属アルコレート溶液に浸し、基板に金属アルコ
レート溶液を付着させ、上記金属アルコレート溶液のゲ
ル化及び高温焼結を行った後、基板に付着させた金属ア
ルコレート溶液によって形成されたガラス層の内、光信
号の入・出力端面に位置するガラス層のみ取り除くこと
を特徴とする導波路型光デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204776A JP2842874B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 導波路型光デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204776A JP2842874B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 導波路型光デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254205A JPH0254205A (ja) | 1990-02-23 |
| JP2842874B2 true JP2842874B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=16496160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63204776A Expired - Lifetime JP2842874B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 導波路型光デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842874B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10395810B2 (en) | 2015-05-19 | 2019-08-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Inductor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169704A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production for optical waveguide film |
| JPS63184708A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜光回路 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63204776A patent/JP2842874B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254205A (ja) | 1990-02-23 |
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