JPH07140336A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
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- JPH07140336A JPH07140336A JP5286529A JP28652993A JPH07140336A JP H07140336 A JPH07140336 A JP H07140336A JP 5286529 A JP5286529 A JP 5286529A JP 28652993 A JP28652993 A JP 28652993A JP H07140336 A JPH07140336 A JP H07140336A
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- optical waveguide
- glass
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- siloxane
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は伝搬損失がきわめて小さく、生産
性の高い光導波路の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明の光導波路は、基板上に形成された
アンダークラッド層、コア部また、さらにオーバークラ
ッド層を、シロキサン系ポリマー由来のガラスで被覆し
てなることを特徴とするものである。
性の高い光導波路の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明の光導波路は、基板上に形成された
アンダークラッド層、コア部また、さらにオーバークラ
ッド層を、シロキサン系ポリマー由来のガラスで被覆し
てなることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路、特には光分岐
路として有用な石英系光導波路として使用可能な、伝送
損失が小さく、安価で生産性の高い光導波路に関するも
のである。
路として有用な石英系光導波路として使用可能な、伝送
損失が小さく、安価で生産性の高い光導波路に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に石英ガラス基板やシリコン基板上
に形成可能な石英系光導波路は、石英系光ファイバとの
整合性がよいことから、実用的な導波路型光部品の実現
手段として研究開発が進められている。これらの基板上
に石英系光導波路を形成する方法としては、火炎堆積法
と反応性イオンエッチングによる方法が提案されており
（河内、オプトロニクス、８号、85頁、1988年参照）、
これはシリコン基板上にアンダークラッド層、コア層の
ガラス微粒子を火炎堆積法で堆積させて多孔膜状の薄膜
を形成し、電気炉などで高温に加熱して透明ガラス化し
たのち、ガラス化したコア層を反応性イオンエッチング
で矩形のコアに形成し、ついでオーバークラッド層にガ
ラス微粒子を火炎堆積法で堆積し、これを高温に加熱し
てガラス化するものである。
に形成可能な石英系光導波路は、石英系光ファイバとの
整合性がよいことから、実用的な導波路型光部品の実現
手段として研究開発が進められている。これらの基板上
に石英系光導波路を形成する方法としては、火炎堆積法
と反応性イオンエッチングによる方法が提案されており
（河内、オプトロニクス、８号、85頁、1988年参照）、
これはシリコン基板上にアンダークラッド層、コア層の
ガラス微粒子を火炎堆積法で堆積させて多孔膜状の薄膜
を形成し、電気炉などで高温に加熱して透明ガラス化し
たのち、ガラス化したコア層を反応性イオンエッチング
で矩形のコアに形成し、ついでオーバークラッド層にガ
ラス微粒子を火炎堆積法で堆積し、これを高温に加熱し
てガラス化するものである。
【０００３】また、この基板上に石英系光導波路を形成
する方法としては、電子ビーム蒸着法と反応性イオンエ
ッチング法および火炎堆積による方法が提案されており
（K.Imoto ら, IEEE, 483, 1991 ）、この方法は石英系
光導波路を作製する場合には、アンダークラッド層を兼
ねた石英ガラス基板上にコア層を電子ビーム蒸着法で形
成後、熱処理を行なってこれをガラス化し、このコア層
を反応性イオンエッチングによって矩形のコアに形成
し、オーバークラッド層を形成するために火炎堆積法で
ここにガラス微粒子を堆積し、これを高温に加熱してガ
ラス化させるものである。すなわち、この二つの方法で
はアンダークラッド層とコア層の形成方法は異なってい
るが、オーバークラッド層を火炎堆積法で行なうという
点では一致している。
する方法としては、電子ビーム蒸着法と反応性イオンエ
ッチング法および火炎堆積による方法が提案されており
（K.Imoto ら, IEEE, 483, 1991 ）、この方法は石英系
光導波路を作製する場合には、アンダークラッド層を兼
ねた石英ガラス基板上にコア層を電子ビーム蒸着法で形
成後、熱処理を行なってこれをガラス化し、このコア層
を反応性イオンエッチングによって矩形のコアに形成
し、オーバークラッド層を形成するために火炎堆積法で
ここにガラス微粒子を堆積し、これを高温に加熱してガ
ラス化させるものである。すなわち、この二つの方法で
はアンダークラッド層とコア層の形成方法は異なってい
るが、オーバークラッド層を火炎堆積法で行なうという
点では一致している。
【０００４】他方、この光導波路の形成については、プ
ラスチック材料を前駆体としてガラスに変換することも
考えられ、これは例えばシリコーン系のポリマーを酸素
中でプラズマ処理する方法（A. D. Butherus，ジャーナ
ル オブ バキュウム サイエンス アンド テクノロ
ジー，29巻，17号、1197頁）、空気中あるいは酸素中で
加熱する方法（B. G. Bagley, ベター セラミックス
スルーケミストリー，287頁）によりガラスに変換する
ことができるとされているが、これについては耐熱性の
優れたシロキサン由来のガラスからなる導波路膜も提案
されている（特開平 5-88036号公報参照）。
ラスチック材料を前駆体としてガラスに変換することも
考えられ、これは例えばシリコーン系のポリマーを酸素
中でプラズマ処理する方法（A. D. Butherus，ジャーナ
ル オブ バキュウム サイエンス アンド テクノロ
ジー，29巻，17号、1197頁）、空気中あるいは酸素中で
加熱する方法（B. G. Bagley, ベター セラミックス
スルーケミストリー，287頁）によりガラスに変換する
ことができるとされているが、これについては耐熱性の
優れたシロキサン由来のガラスからなる導波路膜も提案
されている（特開平 5-88036号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この火炎堆積
法、電子ビーム蒸着法によってコア層を作製した光導波
路には伝搬損失が小さいという特徴があるものの、これ
らはつぎのような課題がある。すなわち、火炎堆積法で
はスート堆積時において屈折率制御の元素の添加が容易
であり、したがって屈折率制御が容易になるという特徴
があるが、これには膜厚制御性、面内の膜厚分布均一性
に難点があるために、高温加熱によりガラス化したアン
ダークラッド層、コア層、オーバークラッド層の各層の
面内の膜厚分布を均一にしようとすると各層においてポ
リッシュを行なう必要があるという難点がある。
法、電子ビーム蒸着法によってコア層を作製した光導波
路には伝搬損失が小さいという特徴があるものの、これ
らはつぎのような課題がある。すなわち、火炎堆積法で
はスート堆積時において屈折率制御の元素の添加が容易
であり、したがって屈折率制御が容易になるという特徴
があるが、これには膜厚制御性、面内の膜厚分布均一性
に難点があるために、高温加熱によりガラス化したアン
ダークラッド層、コア層、オーバークラッド層の各層の
面内の膜厚分布を均一にしようとすると各層においてポ
リッシュを行なう必要があるという難点がある。
【０００６】また、電子ビーム蒸着法では成膜時におけ
る膜厚制御が可能であり、面内の膜厚分布も非常に均一
であるためにこれをポリッシュする必要はないけれど
も、電子ビーム蒸着法でオーバークラッド層を形成しよ
うとすると成膜速度が遅いために、20μｍ程度の皮膜形
成にも時間がかかり、生産性の点で好ましくないという
欠点があり、一方、シロキサン系ポリマー由来のガラス
からなる導波路膜から光導波路を作製する場合には、屈
折率制御、膜厚制御、面内の膜厚分布均一性、生産性の
点では良好であるが、シロキサン系ポリマー由来のガラ
スによりコア層を形成後、反応性イオンエッチングによ
りコアを加工した光導波路は伝搬損失が大きくなるとい
う問題点がある。
る膜厚制御が可能であり、面内の膜厚分布も非常に均一
であるためにこれをポリッシュする必要はないけれど
も、電子ビーム蒸着法でオーバークラッド層を形成しよ
うとすると成膜速度が遅いために、20μｍ程度の皮膜形
成にも時間がかかり、生産性の点で好ましくないという
欠点があり、一方、シロキサン系ポリマー由来のガラス
からなる導波路膜から光導波路を作製する場合には、屈
折率制御、膜厚制御、面内の膜厚分布均一性、生産性の
点では良好であるが、シロキサン系ポリマー由来のガラ
スによりコア層を形成後、反応性イオンエッチングによ
りコアを加工した光導波路は伝搬損失が大きくなるとい
う問題点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した光導波路に関するものであり、こ
れは基板上に形成されたアンダークラッド層、コア部ま
たはさらにオーバークラッド層をシロキサン系ポリマー
由来のガラスで被覆してなることを特徴とするものであ
る。
利、問題点を解決した光導波路に関するものであり、こ
れは基板上に形成されたアンダークラッド層、コア部ま
たはさらにオーバークラッド層をシロキサン系ポリマー
由来のガラスで被覆してなることを特徴とするものであ
る。
【０００８】すなわち、本発明者らは伝搬損失が小さく
て生産性の高い光導波路を開発すべく種々検討した結
果、これについては基板上に火炎堆積法などでアンダー
クラッド層を形成したのち、この上に電子ビーム蒸着法
などでコア層を作成後、フォトリソグラフによりパター
ンを作り、反応性イオンエッチングなどによりコア部を
形成し、さらに必要に応じこの上に電子ビーム蒸着法な
どによりオーバークラッド層を形成し、ついでこの上に
シロキサン系ポリマー由来のガラス層を形成すると、こ
のようにして得られた光導波路は伝搬損失の小さいもの
になるということを見出すと共に、このものは被覆層が
シロキサン系ポリマーの塗布、ガラス化という工程で行
なわれるので、生産性の高いものになるということを確
認して本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
て生産性の高い光導波路を開発すべく種々検討した結
果、これについては基板上に火炎堆積法などでアンダー
クラッド層を形成したのち、この上に電子ビーム蒸着法
などでコア層を作成後、フォトリソグラフによりパター
ンを作り、反応性イオンエッチングなどによりコア部を
形成し、さらに必要に応じこの上に電子ビーム蒸着法な
どによりオーバークラッド層を形成し、ついでこの上に
シロキサン系ポリマー由来のガラス層を形成すると、こ
のようにして得られた光導波路は伝搬損失の小さいもの
になるということを見出すと共に、このものは被覆層が
シロキサン系ポリマーの塗布、ガラス化という工程で行
なわれるので、生産性の高いものになるということを確
認して本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
【０００９】
【作用】本発明は光導波路に関するもので、これは前記
したように基板上に形成されたアンダークラッド層、コ
ア部またはさらにこの上のオーバークラッド層をシロキ
サン系ポリマー由来のガラスで被覆してなることを特徴
とするものであるが、このものは伝搬損失が小さく、し
かも生産性の高いものになるという有利性が与えられ
る。
したように基板上に形成されたアンダークラッド層、コ
ア部またはさらにこの上のオーバークラッド層をシロキ
サン系ポリマー由来のガラスで被覆してなることを特徴
とするものであるが、このものは伝搬損失が小さく、し
かも生産性の高いものになるという有利性が与えられ
る。
【００１０】本発明の光導波路は基板上にアンダークラ
ッド層とコア層を形成後、反応性イオンエッチングなど
によりコア部を形成し、また、さらに必要に応じてオー
バークラッド層を形成し、これらをシロキサン系ポリマ
ー由来のガラスで被覆したものであるが、この基板とし
ては石英ガラス基板やシリコン基板が例示される。この
基板上に形成されるアンダークラッド層はこの基板上に
堆積したガラス微粒子層を高温に加熱してガラス膜とす
るものであるが、このガラス微粒子層の形成は四塩化け
い素などを酸水素火炎中で火炎加水分解して得られるガ
ラス微粒子を基板上に堆積する火炎堆積法で行えばよ
く、これをガラス膜とするにはこれを電気炉中で 1,250
〜 1,350℃の高温に加熱すればよいし、これによれば厚
さが８〜50μｍ程度のガラス膜からなるものを得ること
ができるが、基板が石英ガラス基板であるときにはこれ
をアンダークラッド層を兼ねるものとしてもよい。
ッド層とコア層を形成後、反応性イオンエッチングなど
によりコア部を形成し、また、さらに必要に応じてオー
バークラッド層を形成し、これらをシロキサン系ポリマ
ー由来のガラスで被覆したものであるが、この基板とし
ては石英ガラス基板やシリコン基板が例示される。この
基板上に形成されるアンダークラッド層はこの基板上に
堆積したガラス微粒子層を高温に加熱してガラス膜とす
るものであるが、このガラス微粒子層の形成は四塩化け
い素などを酸水素火炎中で火炎加水分解して得られるガ
ラス微粒子を基板上に堆積する火炎堆積法で行えばよ
く、これをガラス膜とするにはこれを電気炉中で 1,250
〜 1,350℃の高温に加熱すればよいし、これによれば厚
さが８〜50μｍ程度のガラス膜からなるものを得ること
ができるが、基板が石英ガラス基板であるときにはこれ
をアンダークラッド層を兼ねるものとしてもよい。
【００１１】このアンダークラッド層の上にはついでコ
ア部が形成されるのであるが、これは公知の電子ビーム
蒸着法などによって例えば膜厚が６〜10μｍの SiO2-Ge
O2系のコア層を形成すればよいが、このコア層はフォト
リソグラフ技術で導波路パターンを形成し、これを反応
性イオンエッチングによって幅が６〜10μｍのコア部と
すればよく、これによれば伝搬損失の小さいコア部を得
ることができる。
ア部が形成されるのであるが、これは公知の電子ビーム
蒸着法などによって例えば膜厚が６〜10μｍの SiO2-Ge
O2系のコア層を形成すればよいが、このコア層はフォト
リソグラフ技術で導波路パターンを形成し、これを反応
性イオンエッチングによって幅が６〜10μｍのコア部と
すればよく、これによれば伝搬損失の小さいコア部を得
ることができる。
【００１２】このオーバークラッド層はコア部より屈折
率の小さいSiO2などよりなり、これは電子ビーム蒸着法
などにより形成される。しかし、この場合には成膜速度
が遅いために10μｍ以上の成膜は生産性上好ましくない
ので、このオーバークラッド層の膜厚は10μｍ以下とす
ることにより伝搬損失が小さく、生産性の高い導電層を
形成すればよい。一方、前記オーバークラッド層として
は、数十ミクロン以上の膜厚が、光の導波や、コア層保
護の目的で必要であるが、本発明においては、前記10μ
ｍ以下のオーバークラッド層を、これと等しいかまたは
それ以下の屈折率を有するシロキサン系ポリマー由来の
ガラスで覆うことにより、数十ミクロンの膜厚のオーバ
ークラッドを低損失でしかも生産性良く製作できること
が判明した。
率の小さいSiO2などよりなり、これは電子ビーム蒸着法
などにより形成される。しかし、この場合には成膜速度
が遅いために10μｍ以上の成膜は生産性上好ましくない
ので、このオーバークラッド層の膜厚は10μｍ以下とす
ることにより伝搬損失が小さく、生産性の高い導電層を
形成すればよい。一方、前記オーバークラッド層として
は、数十ミクロン以上の膜厚が、光の導波や、コア層保
護の目的で必要であるが、本発明においては、前記10μ
ｍ以下のオーバークラッド層を、これと等しいかまたは
それ以下の屈折率を有するシロキサン系ポリマー由来の
ガラスで覆うことにより、数十ミクロンの膜厚のオーバ
ークラッドを低損失でしかも生産性良く製作できること
が判明した。
【００１３】本発明の光導波路はこのアンダークラッド
層およびコア部またさらにはオーバークラッド層をシロ
キサン系ポリマー由来のガラスで被覆するのであるが、
シロキサン系ポリマー由来のガラスとはシロキサン系ポ
リマーに熱処理等を行ない、アモルファスな３次元シロ
キサン結合をしたガラスをさす。このシロキサン系ポリ
マーは公知のものとすればよい。すなわち、このシロキ
サン系ポリマーは特開平 5-88036号公報に開示されてい
るもので、これはフェニルトリクロロシラン、フェニル
トリクロロシランｄ−５、ジフェニルジクロロシラン、
フェニルトリエトキシシランまたはペンチルトリクロロ
シランを塩化アルミニウム、フェニルトリゲルマニウ
ム、塩化リン、塩化ほう素、塩化ビスマス、フェニル塩
化すず、テトラキス（トリメチルシロキシ）チタンまた
はジフェニルジクロルゲルマニムと反応させて得られ
る、Ｓｉ以外の元素を含有するシロキサン系ポリマーで
あるが、本発明ではこの反応で得られたシロキサン系ポ
リマーを上記したアンダークラッド層とコア部の上にス
ピンコート法などにより塗布し、これを電気炉中で 1,1
00℃以上に加熱してこの塗膜をガラス化すればよい。
層およびコア部またさらにはオーバークラッド層をシロ
キサン系ポリマー由来のガラスで被覆するのであるが、
シロキサン系ポリマー由来のガラスとはシロキサン系ポ
リマーに熱処理等を行ない、アモルファスな３次元シロ
キサン結合をしたガラスをさす。このシロキサン系ポリ
マーは公知のものとすればよい。すなわち、このシロキ
サン系ポリマーは特開平 5-88036号公報に開示されてい
るもので、これはフェニルトリクロロシラン、フェニル
トリクロロシランｄ−５、ジフェニルジクロロシラン、
フェニルトリエトキシシランまたはペンチルトリクロロ
シランを塩化アルミニウム、フェニルトリゲルマニウ
ム、塩化リン、塩化ほう素、塩化ビスマス、フェニル塩
化すず、テトラキス（トリメチルシロキシ）チタンまた
はジフェニルジクロルゲルマニムと反応させて得られ
る、Ｓｉ以外の元素を含有するシロキサン系ポリマーで
あるが、本発明ではこの反応で得られたシロキサン系ポ
リマーを上記したアンダークラッド層とコア部の上にス
ピンコート法などにより塗布し、これを電気炉中で 1,1
00℃以上に加熱してこの塗膜をガラス化すればよい。
【００１４】本発明の光導波路は上記したように石英ガ
ラス基板、シリコン基板などの基板の上に火炎堆積法で
アンダークラッド層を形成し、この上に電子ビーム蒸着
法および反応性イオンエッチングでコア部を形成したの
ち、これにシロキサン系ポリマーに由来するガラスを被
覆することによって作製されるが、これは例えば図１に
示したように基板１の上にアンダークラッド層２が形成
されており、この上にコア部３が形成され、これをシロ
キサン系ポリマーに由来するガラス４で被覆したもので
あるが、このものはアンダークラッド層、コア部をポリ
ッシュする必要がないし、これが伝搬損失のきわめて小
さいものとなるので、高い生産性で生産することができ
るという有利性が与えられる。
ラス基板、シリコン基板などの基板の上に火炎堆積法で
アンダークラッド層を形成し、この上に電子ビーム蒸着
法および反応性イオンエッチングでコア部を形成したの
ち、これにシロキサン系ポリマーに由来するガラスを被
覆することによって作製されるが、これは例えば図１に
示したように基板１の上にアンダークラッド層２が形成
されており、この上にコア部３が形成され、これをシロ
キサン系ポリマーに由来するガラス４で被覆したもので
あるが、このものはアンダークラッド層、コア部をポリ
ッシュする必要がないし、これが伝搬損失のきわめて小
さいものとなるので、高い生産性で生産することができ
るという有利性が与えられる。
【００１５】
【実施例】つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例１ シリコン基板上に四塩化けい素を酸水素火炎中で火炎加
水分解して得たガラス微粒子を 500μｍの厚さに堆積
し、これを電気炉中で 1,300℃に加熱して厚さが50μｍ
のガラス膜（アンダークラッド層）を形成させた。
水分解して得たガラス微粒子を 500μｍの厚さに堆積
し、これを電気炉中で 1,300℃に加熱して厚さが50μｍ
のガラス膜（アンダークラッド層）を形成させた。
【００１６】ついで、このガラス膜の上にターゲット材
料としてGeO2を含むシリカガラスを用いる電子ビーム蒸
着法で厚さ６μｍの SiO2-GeO2系のコア層を形成したの
ち、フォトリソグラフ技術で導波路パターンを作り、反
応性イオンエッチングでこのコア層を幅６μｍのコア部
とした。
料としてGeO2を含むシリカガラスを用いる電子ビーム蒸
着法で厚さ６μｍの SiO2-GeO2系のコア層を形成したの
ち、フォトリソグラフ技術で導波路パターンを作り、反
応性イオンエッチングでこのコア層を幅６μｍのコア部
とした。
【００１７】他方、シロキサン系ポリマーを作るため
に、フェニルトリクロロシラン10g と塩化アルミニウム
1.3gにＫＯＨを 100mg添加し、トルエン15mlを混和した
のち、16時間還流し、反応終了後ろ過してＳｉ以外にＡ
ｌを含んだシロキサン系ポリマーを作り、これを上記の
コア部にスピンコーターを用いて約30μｍの厚さに塗布
し、乾燥処理後、電気炉で 1,100℃に加熱してこれをガ
ラス化した。これに波長1,310nm 、1,550nm の光を導波
路の一端から照射し、他端から出てくる光量を測定する
ことにより、この光導波路の伝搬損失を求めたところ、
これは0.008dB/cmであり、したがってこれが光分岐路な
どの種々の光回路に使用し得るものであることが確認さ
れた。
に、フェニルトリクロロシラン10g と塩化アルミニウム
1.3gにＫＯＨを 100mg添加し、トルエン15mlを混和した
のち、16時間還流し、反応終了後ろ過してＳｉ以外にＡ
ｌを含んだシロキサン系ポリマーを作り、これを上記の
コア部にスピンコーターを用いて約30μｍの厚さに塗布
し、乾燥処理後、電気炉で 1,100℃に加熱してこれをガ
ラス化した。これに波長1,310nm 、1,550nm の光を導波
路の一端から照射し、他端から出てくる光量を測定する
ことにより、この光導波路の伝搬損失を求めたところ、
これは0.008dB/cmであり、したがってこれが光分岐路な
どの種々の光回路に使用し得るものであることが確認さ
れた。
【００１８】実施例２ 実施例１と同じ方法で図２に示す基板11上にアンダーク
ラッド層12を形成し、このアンダークラッド層12上に幅
６μｍ、厚さ６μｍのコア部13を形成した。上記方法で
作成したコアリッジ導波路上に電子ビーム蒸着法により
10μｍ膜厚のSiO2よりなるオーバークラッド層14を形成
し、さらに、上記オーバークラッド層14上に実施例１と
同じシロキサン系ポリマー15をスピンコート法で塗布
し、ベーク、乾燥処理後電気炉で 1,100℃で熱処理をお
こないガラス化し、導波路を得たが、上記シロキサン系
ポリマー由来のガラス層の膜厚は30μｍであった。つい
で、これに波長 1,300nm、 1,500nmの光を導波路の一端
から入射し、他端から出車される光量を光パワモニタで
測定し、導波路の伝搬損失を計算したところ、この導波
路の伝搬損失は 0.007dBと小さな値を示した。
ラッド層12を形成し、このアンダークラッド層12上に幅
６μｍ、厚さ６μｍのコア部13を形成した。上記方法で
作成したコアリッジ導波路上に電子ビーム蒸着法により
10μｍ膜厚のSiO2よりなるオーバークラッド層14を形成
し、さらに、上記オーバークラッド層14上に実施例１と
同じシロキサン系ポリマー15をスピンコート法で塗布
し、ベーク、乾燥処理後電気炉で 1,100℃で熱処理をお
こないガラス化し、導波路を得たが、上記シロキサン系
ポリマー由来のガラス層の膜厚は30μｍであった。つい
で、これに波長 1,300nm、 1,500nmの光を導波路の一端
から入射し、他端から出車される光量を光パワモニタで
測定し、導波路の伝搬損失を計算したところ、この導波
路の伝搬損失は 0.007dBと小さな値を示した。
【００１９】
【発明の効果】本発明は光導波路に関するものであり、
これは前記したように基板上に形成されたアンダークラ
ッド層、コア部をシロキサン系ポリマー由来のガラスで
被覆してなることを特徴とするものであるが、これには
伝搬損失がきわめて小さく、高い生産性でこれを生産す
ることができるという有利性が与えられる。
これは前記したように基板上に形成されたアンダークラ
ッド層、コア部をシロキサン系ポリマー由来のガラスで
被覆してなることを特徴とするものであるが、これには
伝搬損失がきわめて小さく、高い生産性でこれを生産す
ることができるという有利性が与えられる。
【図１】本発明の光導波路の斜視図を示したものであ
る。
る。
【図２】本発明の光導波路の他の例の斜視図を示したも
のである。
のである。
１，11…基板、 ２，12…アンダークラッド層、３，
13…コア部、 ４，15…シロキサン系ポリマー由来のガ
ラス層、14…オーバークラッド層。
13…コア部、 ４，15…シロキサン系ポリマー由来のガ
ラス層、14…オーバークラッド層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小堺 正平 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 流王 俊彦 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成されたアンダークラッド層、
コア部を、シロキサン系ポリマー由来のガラスで被覆し
てなることを特徴とする光導波路。 - 【請求項２】基板上に形成されたアンダークラッド層、
コア部およびオーバークラッド層を、シロキサン系ポリ
マー由来のガラスで被覆してなることを特徴とする光導
波路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5286529A JPH07140336A (ja) | 1993-09-22 | 1993-11-16 | 光導波路 |
| US08/302,182 US5519803A (en) | 1993-09-22 | 1994-09-09 | Optical waveguide |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-236560 | 1993-09-22 | ||
| JP23656093 | 1993-09-22 | ||
| JP5286529A JPH07140336A (ja) | 1993-09-22 | 1993-11-16 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140336A true JPH07140336A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=26532737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5286529A Pending JPH07140336A (ja) | 1993-09-22 | 1993-11-16 | 光導波路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5519803A (ja) |
| JP (1) | JPH07140336A (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2309096A (en) * | 1996-01-09 | 1997-07-16 | Northern Telecom Ltd | Optical waveguide pair with cladding on buffered substrate |
| GB2312525A (en) * | 1996-04-24 | 1997-10-29 | Northern Telecom Ltd | Providing cladding on planar optical waveguide by heating to flow |
| US6025944A (en) * | 1997-03-27 | 2000-02-15 | Mendez R&D Associates | Wavelength division multiplexing/code division multiple access hybrid |
| US5930439A (en) * | 1997-10-01 | 1999-07-27 | Northern Telecom Limited | Planar optical waveguide |
| US5987196A (en) * | 1997-11-06 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structure having an optical signal path in a substrate and method for forming the same |
| CA2353567C (en) | 1998-12-04 | 2007-11-20 | Cidra Corporation | Bragg grating pressure sensor |
| US6865194B1 (en) | 1998-12-04 | 2005-03-08 | Cidra Corporation | Strain-isolated Bragg grating temperature sensor |
| US6810178B2 (en) * | 1998-12-04 | 2004-10-26 | Cidra Corporation | Large diameter optical waveguide having blazed grating therein |
| US6982996B1 (en) | 1999-12-06 | 2006-01-03 | Weatherford/Lamb, Inc. | Large diameter optical waveguide, grating, and laser |
| CN1153054C (zh) | 1998-12-04 | 2004-06-09 | 塞德拉公司 | 布拉格光栅压力传感器 |
| ATE265055T1 (de) | 1998-12-04 | 2004-05-15 | Cidra Corp | Rohrförderfasergitter |
| US6330388B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-12-11 | Northstar Photonics, Inc. | Method and apparatus for waveguide optics and devices |
| US6631235B1 (en) * | 1999-06-17 | 2003-10-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Planar lightwave circuit platform and method for manufacturing the same |
| CA2350825A1 (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-22 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for producing article having predetermined surface shape, and optical waveguide element |
| US6996316B2 (en) * | 1999-09-20 | 2006-02-07 | Cidra Corporation | Large diameter D-shaped optical waveguide and coupler |
| US6439055B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-08-27 | Weatherford/Lamb, Inc. | Pressure sensor assembly structure to insulate a pressure sensing device from harsh environments |
| US6626043B1 (en) * | 2000-01-31 | 2003-09-30 | Weatherford/Lamb, Inc. | Fluid diffusion resistant glass-encased fiber optic sensor |
| US6549713B1 (en) * | 2000-06-27 | 2003-04-15 | Oluma, Inc. | Stabilized and integrated fiber devices |
| US6954564B2 (en) * | 2000-11-27 | 2005-10-11 | Teem Photonics | Apparatus and method for integrated photonic devices having high-performance waveguides and multicompositional substrates |
| US6496637B2 (en) * | 2000-12-21 | 2002-12-17 | Corning Incorporated | Low optical loss polymers |
| EP1327903A1 (de) * | 2002-01-14 | 2003-07-16 | Alcatel | Optischer Wellenleiterphasenschieber |
| US6808742B2 (en) * | 2002-03-07 | 2004-10-26 | Competitive Technologies, Inc. | Preparation of thin silica films with controlled thickness and tunable refractive index |
| US20030185514A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-02 | Bendett Mark P. | Method and apparatus for tapping a waveguide on a substrate |
| US6905904B2 (en) * | 2002-06-24 | 2005-06-14 | Dow Corning Corporation | Planar optical waveguide assembly and method of preparing same |
| WO2008085251A1 (en) | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Bayer Healthcare Llc | Electrochemical test sensor with light guide |
| JP2012208306A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Nitto Denko Corp | 光電気混載基板およびその製法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3934061A (en) * | 1972-03-30 | 1976-01-20 | Corning Glass Works | Method of forming planar optical waveguides |
| US5080962A (en) * | 1985-02-25 | 1992-01-14 | University Of Florida | Method for making silica optical devices and devices produced thereby |
| JPS6457207A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Hitachi Ltd | Waveguide type optical device |
| JP2599488B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1997-04-09 | 日本電信電話株式会社 | 光導波回路の特性調整方法およびその方法に使われる光導波回路 |
| US5076654A (en) * | 1990-10-29 | 1991-12-31 | At&T Bell Laboratories | Packaging of silicon optical components |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP5286529A patent/JPH07140336A/ja active Pending
-
1994
- 1994-09-09 US US08/302,182 patent/US5519803A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5519803A (en) | 1996-05-21 |
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