JP2827657B2 - ガラス導波路及びその製造方法 - Google Patents
ガラス導波路及びその製造方法Info
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- JP2827657B2 JP2827657B2 JP1722892A JP1722892A JP2827657B2 JP 2827657 B2 JP2827657 B2 JP 2827657B2 JP 1722892 A JP1722892 A JP 1722892A JP 1722892 A JP1722892 A JP 1722892A JP 2827657 B2 JP2827657 B2 JP 2827657B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光集積回路など光通信シ
ステムにおける重要な光部品であるガラス導波路及びそ
の製造方法に係り、特にアイソレーションの改善を図っ
たガラス導波路及びその製造方法に関する。
ステムにおける重要な光部品であるガラス導波路及びそ
の製造方法に係り、特にアイソレーションの改善を図っ
たガラス導波路及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス導波路は、軽量かつコンパクトな
パッシブデバイスあるいはモジュールを作製する上で重
要な光部品である。図２にガラス導波路１を用いた送受
信モジュールの一例を示す。図示するように、カプラ、
合分波回路等からなるガラス導波路１にレーザダイオー
ド３、レンズ４、フォトダイオード５、光ファイバ６が
実装されている。また、ガラス導波路１は図３に示すよ
うに、石英ガラス基板７上のクラッド層８に適宜パター
ンでコア２を形成したものである。
パッシブデバイスあるいはモジュールを作製する上で重
要な光部品である。図２にガラス導波路１を用いた送受
信モジュールの一例を示す。図示するように、カプラ、
合分波回路等からなるガラス導波路１にレーザダイオー
ド３、レンズ４、フォトダイオード５、光ファイバ６が
実装されている。また、ガラス導波路１は図３に示すよ
うに、石英ガラス基板７上のクラッド層８に適宜パター
ンでコア２を形成したものである。
【０００３】このモジュールでは、レーザダイオード３
から発せられた光は、レンズ４で集光されてガラス導波
路１のコア２に結合され、さらに光ファイバ６を通じて
送信される。一方、光ファイバ６からの光は、ガラス導
波路１によってフォトダイオード５へと伝送され、フォ
トダイオード５で受信される。
から発せられた光は、レンズ４で集光されてガラス導波
路１のコア２に結合され、さらに光ファイバ６を通じて
送信される。一方、光ファイバ６からの光は、ガラス導
波路１によってフォトダイオード５へと伝送され、フォ
トダイオード５で受信される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、フォトダイ
オード５には、光ファイバ６からの受信光以外に、レー
ザダイオード３の光の一部が迷光となってフォトダイオ
ード５に受光される。この迷光が、フォトダイオード５
の受信に対してノイズとなる。受信光以外の迷光は、一
般に次式で示すアイソレーションＡにより定義される。
オード５には、光ファイバ６からの受信光以外に、レー
ザダイオード３の光の一部が迷光となってフォトダイオ
ード５に受光される。この迷光が、フォトダイオード５
の受信に対してノイズとなる。受信光以外の迷光は、一
般に次式で示すアイソレーションＡにより定義される。
【０００５】Ａ＝−１０ｌｏｇ10（Ｐ2 ／Ｐ1 ） ここで、Ｐ1 はレーザダイオード５が発振しているとき
のフォトダイオード５の出力、つまり迷光によるフォト
ダイオード５の出力であり、Ｐ2 はレーザダイオード５
が発振していないときの受信光によるフォトダイオード
５の出力である。
のフォトダイオード５の出力、つまり迷光によるフォト
ダイオード５の出力であり、Ｐ2 はレーザダイオード５
が発振していないときの受信光によるフォトダイオード
５の出力である。
【０００６】レーザダイオード３から発せられガラス導
波路１に結合された光はコア２内ばかりでなく、一部は
クラッド層８内を伝搬するが、クラッド層８内を伝搬す
る光は、石英ガラス基板７に漏れ出して石英ガラス基板
７内を乱反射し、その一部がフォトダイオード５に入射
する。このため、図３に示す従来のガラス導波路１で
は、クラッド層８から基板７への漏れ光によるアイソレ
ーションの低下が大きく、−３５ｄＢ以上が望ましいに
もかかわらず、アイソレーションＡの値は−１５〜−２
０ｄＢしか得られなかった。
波路１に結合された光はコア２内ばかりでなく、一部は
クラッド層８内を伝搬するが、クラッド層８内を伝搬す
る光は、石英ガラス基板７に漏れ出して石英ガラス基板
７内を乱反射し、その一部がフォトダイオード５に入射
する。このため、図３に示す従来のガラス導波路１で
は、クラッド層８から基板７への漏れ光によるアイソレ
ーションの低下が大きく、−３５ｄＢ以上が望ましいに
もかかわらず、アイソレーションＡの値は−１５〜−２
０ｄＢしか得られなかった。
【０００７】本発明の目的は、上記の従来技術の欠点を
解消し、アイソレーションを大幅に向上させることがで
きるガラス導波路及びその製造方法を提供することにあ
る。
解消し、アイソレーションを大幅に向上させることがで
きるガラス導波路及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のガラス導波路は、石英ガラスまたはシリ
コンからなる基板とクラッド層が被覆された石英系ガラ
スのコアとの間に、多孔質ガラス層を介設したものであ
る。
めに、本発明のガラス導波路は、石英ガラスまたはシリ
コンからなる基板とクラッド層が被覆された石英系ガラ
スのコアとの間に、多孔質ガラス層を介設したものであ
る。
【０００９】また、本発明のガラス導波路の製造方法
は、石英ガラスまたはシリコンからなる基板上に多孔質
ガラス層を形成し、多孔質ガラス層上に石英系ガラスの
第１クラッド層を形成し、第１クラッド層上に石英系の
ガラス膜を形成した後、このガラス膜から余分な部分を
除去してコアを形成し、コア及び第１クラッド層を覆う
ように石英系ガラスの第２クラッド層を形成するように
したものである。
は、石英ガラスまたはシリコンからなる基板上に多孔質
ガラス層を形成し、多孔質ガラス層上に石英系ガラスの
第１クラッド層を形成し、第１クラッド層上に石英系の
ガラス膜を形成した後、このガラス膜から余分な部分を
除去してコアを形成し、コア及び第１クラッド層を覆う
ように石英系ガラスの第２クラッド層を形成するように
したものである。
【００１０】本発明において、上記多孔質ガラス層のか
さ密度は１〜２ｇ／ｃｍ3 とするのがよく、さらに多孔
質ガラスの軟化温度（ガラス転移温度）は上記コア、第
１及び第２クラッド層の軟化温度より高くするのが好ま
しい。また、上記石英系のガラス膜は電子ビーム蒸着ま
たはイオンスパッタリングを用いて第１クラッド層上に
形成するのがよい。
さ密度は１〜２ｇ／ｃｍ3 とするのがよく、さらに多孔
質ガラスの軟化温度（ガラス転移温度）は上記コア、第
１及び第２クラッド層の軟化温度より高くするのが好ま
しい。また、上記石英系のガラス膜は電子ビーム蒸着ま
たはイオンスパッタリングを用いて第１クラッド層上に
形成するのがよい。
【００１１】
【作用】ガラス導波路のクラッド層内を伝搬する光のう
ち一部は基板側へと漏れ出ようとするが、クラッド層と
基板との間には多孔質ガラス層が散乱体として存在する
ので、クラッド層から基板に漏れようとする光は多孔質
ガラス層で散乱され、基板への漏れ光は低減される。ま
た、基板に漏れて、基板内を乱反射し、再びクラッド層
に戻ろうとする光も多孔質ガラス層によって散乱され、
クラッド層への迷光の侵入は抑えられる。
ち一部は基板側へと漏れ出ようとするが、クラッド層と
基板との間には多孔質ガラス層が散乱体として存在する
ので、クラッド層から基板に漏れようとする光は多孔質
ガラス層で散乱され、基板への漏れ光は低減される。ま
た、基板に漏れて、基板内を乱反射し、再びクラッド層
に戻ろうとする光も多孔質ガラス層によって散乱され、
クラッド層への迷光の侵入は抑えられる。
【００１２】多孔質ガラス層のかさ密度を１〜２ｇ／ｃ
ｍ3 としたのは、次の理由による。多孔質ガラス層のか
さ密度が１ｇ／ｃｍ3 以下では、加熱処理によりクラッ
ド層を形成する際に、多孔質ガラス層が収縮しクラッド
層が均一に形成されなくなるからである。また、かさ密
度が２ｇ／ｃｍ3 以上では、多孔質ガラス層の表面ない
し界面の凹凸がなくなると共に、多孔質ガラス層の空孔
部分が減少して、多孔質ガラス層の散乱性能が低下する
からである。
ｍ3 としたのは、次の理由による。多孔質ガラス層のか
さ密度が１ｇ／ｃｍ3 以下では、加熱処理によりクラッ
ド層を形成する際に、多孔質ガラス層が収縮しクラッド
層が均一に形成されなくなるからである。また、かさ密
度が２ｇ／ｃｍ3 以上では、多孔質ガラス層の表面ない
し界面の凹凸がなくなると共に、多孔質ガラス層の空孔
部分が減少して、多孔質ガラス層の散乱性能が低下する
からである。
【００１３】さらに、多孔質ガラス層の軟化温度をコア
やクラッド層の軟化温度よりも高くすると、例えば多孔
質ガラス層を純粋ＳｉＯ2 とすると、多孔質ガラスを焼
結ガラス化してクラッド層やコアを形成する際に、多孔
質ガラス層が熱影響を受け難くなる。
やクラッド層の軟化温度よりも高くすると、例えば多孔
質ガラス層を純粋ＳｉＯ2 とすると、多孔質ガラスを焼
結ガラス化してクラッド層やコアを形成する際に、多孔
質ガラス層が熱影響を受け難くなる。
【００１４】また、コア用の石英系のガラス膜を電子ビ
ーム蒸着またはイオンスパッタリングにより第１クラッ
ド層上に形成すると、ドーパントが少なく軟化温度が高
い多孔質ガラスを透明ガラス化してコア用のガラス膜を
形成する場合に生じる、高温加熱によるガラス導波路の
変形などの問題がなくなる。
ーム蒸着またはイオンスパッタリングにより第１クラッ
ド層上に形成すると、ドーパントが少なく軟化温度が高
い多孔質ガラスを透明ガラス化してコア用のガラス膜を
形成する場合に生じる、高温加熱によるガラス導波路の
変形などの問題がなくなる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１に、本発明のガラス導波路の一実施例を示す。
図示するように、このガラス導波路１０は、石英ガラス
の基板１１上に純粋のＳｉＯ2 の多孔質ガラス層１２を
形成した後、多孔質ガラス層１２上に石英系ガラスの第
１クラッド層１３、コア１５及び第２クラッド層１６を
順次形成したものである。
る。図１に、本発明のガラス導波路の一実施例を示す。
図示するように、このガラス導波路１０は、石英ガラス
の基板１１上に純粋のＳｉＯ2 の多孔質ガラス層１２を
形成した後、多孔質ガラス層１２上に石英系ガラスの第
１クラッド層１３、コア１５及び第２クラッド層１６を
順次形成したものである。
【００１６】次に、このガラス導波路１０の製造方法を
図４に従って具体的に述べる。まず、石英ガラスの基板
１１上に多孔質ガラス層１２を形成する（図４
（Ａ））。これは、バーナ（図示せず）に原料のＳｉＣ
ｌ4 および燃料を供給して、火炎加水分解反応によりＳ
ｉＯ2 を生成し、生成したＳｉＯ2 の微粒子を３インチ
径、厚さ１ｍｍの石英ガラスの基板１１上に５０μｍの
厚さとなるまで堆積させた。堆積した多孔質ガラスのか
さ密度は０．４ｇ／ｃｍ3 であった。その後、この基板
１１をＨｅ雰囲気の電気炉内で加熱し、かさ密度が１．
５ｇ／ｃｍ3 の多孔質ガラス層１２を得た。
図４に従って具体的に述べる。まず、石英ガラスの基板
１１上に多孔質ガラス層１２を形成する（図４
（Ａ））。これは、バーナ（図示せず）に原料のＳｉＣ
ｌ4 および燃料を供給して、火炎加水分解反応によりＳ
ｉＯ2 を生成し、生成したＳｉＯ2 の微粒子を３インチ
径、厚さ１ｍｍの石英ガラスの基板１１上に５０μｍの
厚さとなるまで堆積させた。堆積した多孔質ガラスのか
さ密度は０．４ｇ／ｃｍ3 であった。その後、この基板
１１をＨｅ雰囲気の電気炉内で加熱し、かさ密度が１．
５ｇ／ｃｍ3 の多孔質ガラス層１２を得た。
【００１７】次いで、多孔質ガラス層１２上に、火炎加
水分解反応を利用してＰ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系
の多孔質ガラス膜を堆積形成させた後、これを電気炉で
熱処理し、厚さ２０μｍの第１クラッド層１３を形成し
た（図４（Ｂ））。
水分解反応を利用してＰ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系
の多孔質ガラス膜を堆積形成させた後、これを電気炉で
熱処理し、厚さ２０μｍの第１クラッド層１３を形成し
た（図４（Ｂ））。
【００１８】次いで、第１クラッド層１３上に、電子ビ
ーム蒸着法によりＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 系のガラス膜１４
を形成した（図４（Ｃ））。これは、電子ビーム真空蒸
着装置（図示せず）内に基板１１を保持すると共にＴｉ
Ｏ2 −ＳｉＯ2 系ガラスのターゲットを設け、電子ビー
ムによりタブレットを加熱し、その蒸気を第１クラッド
層１３上に付着堆積させて、８μｍ厚のＴｉＯ2 −Ｓｉ
Ｏ2 系のガラス膜１４を形成したものである。
ーム蒸着法によりＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 系のガラス膜１４
を形成した（図４（Ｃ））。これは、電子ビーム真空蒸
着装置（図示せず）内に基板１１を保持すると共にＴｉ
Ｏ2 −ＳｉＯ2 系ガラスのターゲットを設け、電子ビー
ムによりタブレットを加熱し、その蒸気を第１クラッド
層１３上に付着堆積させて、８μｍ厚のＴｉＯ2 −Ｓｉ
Ｏ2 系のガラス膜１４を形成したものである。
【００１９】しかる後、ガラス膜１４から余分な部分を
除去してコア１５を形成した（図４（Ｄ））。これに
は、パターン形成装置を用い、導波路のパターンをフォ
トリソグラフィにより転写した後、反応性イオンエッチ
ングでガラス膜１４の不用な部分を除去することによっ
て、導波路をパターン化してコア１５を得た。
除去してコア１５を形成した（図４（Ｄ））。これに
は、パターン形成装置を用い、導波路のパターンをフォ
トリソグラフィにより転写した後、反応性イオンエッチ
ングでガラス膜１４の不用な部分を除去することによっ
て、導波路をパターン化してコア１５を得た。
【００２０】最後に、第１クラッド層１３を形成したの
と同様な条件で、多孔質ガラスの堆積と透明ガラス化と
を行って、コア１５及び第１クラッド層１３を覆う３０
μｍ厚でＰ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの第２
クラッド層１６を形成した（図４（Ｅ））。
と同様な条件で、多孔質ガラスの堆積と透明ガラス化と
を行って、コア１５及び第１クラッド層１３を覆う３０
μｍ厚でＰ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの第２
クラッド層１６を形成した（図４（Ｅ））。
【００２１】上記により製造した基板１１をダイシング
によりガラス導波路素子を切りだし、その両端面を研磨
した後、ガラス導波路素子にレーザダイオード、フォト
ダイオード、光ファイバなどを実装してアイソレーショ
ンの測定を行った。測定結果はアイソレーションの値が
−３８ｄＢと非常に良好であった。なお、上記実施例に
おける多孔質ガラス層１２をなくしたガラス導波路素子
では、アイソレーションは−１８ｄＢにすぎなかった。
によりガラス導波路素子を切りだし、その両端面を研磨
した後、ガラス導波路素子にレーザダイオード、フォト
ダイオード、光ファイバなどを実装してアイソレーショ
ンの測定を行った。測定結果はアイソレーションの値が
−３８ｄＢと非常に良好であった。なお、上記実施例に
おける多孔質ガラス層１２をなくしたガラス導波路素子
では、アイソレーションは−１８ｄＢにすぎなかった。
【００２２】また、上記実施例において、多孔質ガラス
層のかさ密度を１ｇ／ｃｍ3 以下とすると、クラッド形
成中に多孔質ガラス層の収縮が起り、第２クラッド層の
ガラス膜が均一に形成されなかった。一方、かさ密度を
２ｇ／ｃｍ3 以上とすると、多孔質ガラス層の表面の凹
凸がなくなり、また多孔質ガラス層内の散乱体となる空
孔が少なくなるため、アイソレーションが−２８ｄＢ以
下に減少してしまった。
層のかさ密度を１ｇ／ｃｍ3 以下とすると、クラッド形
成中に多孔質ガラス層の収縮が起り、第２クラッド層の
ガラス膜が均一に形成されなかった。一方、かさ密度を
２ｇ／ｃｍ3 以上とすると、多孔質ガラス層の表面の凹
凸がなくなり、また多孔質ガラス層内の散乱体となる空
孔が少なくなるため、アイソレーションが−２８ｄＢ以
下に減少してしまった。
【００２３】上記実施例では基板が石英ガラスの場合を
説明したが、基板にシリコンの基板を用い、上記と同様
に多孔質ガラス層を形成してガラス導波路素子を作製
し、アイソレーションの測定を行ったところ、−３６ｄ
Ｂと良好な結果を得た。
説明したが、基板にシリコンの基板を用い、上記と同様
に多孔質ガラス層を形成してガラス導波路素子を作製
し、アイソレーションの測定を行ったところ、−３６ｄ
Ｂと良好な結果を得た。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によれば次のような効果が得られる。
明によれば次のような効果が得られる。
【００２５】（１）請求項１に記載のガラス導波路によ
れば、基板とクラッド層（第１クラッド層）との間に散
乱体となる多孔質ガラス層を形成しているため、クラッ
ド層から基板に漏れようとする光は多孔質ガラス層で散
乱され、基板への漏れ光は大幅に減少する。また、たと
え基板へと漏れ出し基板内を乱反射して再びクラッド層
に戻ろうとする光があっても多孔質ガラス層で散乱を受
けるので、クラッド層への迷光の侵入は良好に抑制され
る。このため、ガラス導波路のアイソレーションを大幅
に向上させることができる。
れば、基板とクラッド層（第１クラッド層）との間に散
乱体となる多孔質ガラス層を形成しているため、クラッ
ド層から基板に漏れようとする光は多孔質ガラス層で散
乱され、基板への漏れ光は大幅に減少する。また、たと
え基板へと漏れ出し基板内を乱反射して再びクラッド層
に戻ろうとする光があっても多孔質ガラス層で散乱を受
けるので、クラッド層への迷光の侵入は良好に抑制され
る。このため、ガラス導波路のアイソレーションを大幅
に向上させることができる。
【００２６】（２）請求項２に記載のガラス導波路の製
造方法によれば、石英系ガラスのコア、第１及び第２ク
ラッド層は、通常、火炎加水分解反応を利用して多孔質
ガラス膜を堆積させ、これを加熱し透明ガラス化して形
成されるが、これらを形成するために用いる既存の装置
・技術により、散乱体として設けた多孔質ガラスも形成
でき、簡易に且つ信頼性をもって本発明のガラス導波路
を製造することができる。
造方法によれば、石英系ガラスのコア、第１及び第２ク
ラッド層は、通常、火炎加水分解反応を利用して多孔質
ガラス膜を堆積させ、これを加熱し透明ガラス化して形
成されるが、これらを形成するために用いる既存の装置
・技術により、散乱体として設けた多孔質ガラスも形成
でき、簡易に且つ信頼性をもって本発明のガラス導波路
を製造することができる。
【００２７】（３）請求項３または４に記載のガラス導
波路またはその製造方法によれば、多孔質ガラス層のか
さ密度を１ｇ／ｃｍ3 以上にすると、第１クラッド層等
を加熱処理により形成する際に、多孔質ガラス層を収縮
してクラッド層等に変形・歪みを与えることを防止でき
る。また、多孔質ガラス層のかさ密度を２ｇ／ｃｍ3以
下とすると、多孔質ガラス層の表面の凹凸や空孔を多く
保持でき、高い散乱性能の多孔質ガラス層が得られる。
波路またはその製造方法によれば、多孔質ガラス層のか
さ密度を１ｇ／ｃｍ3 以上にすると、第１クラッド層等
を加熱処理により形成する際に、多孔質ガラス層を収縮
してクラッド層等に変形・歪みを与えることを防止でき
る。また、多孔質ガラス層のかさ密度を２ｇ／ｃｍ3以
下とすると、多孔質ガラス層の表面の凹凸や空孔を多く
保持でき、高い散乱性能の多孔質ガラス層が得られる。
【００２８】（４）請求項５に記載のガラス導波路の製
造方法によれば、多孔質ガラス層の軟化温度をコアや第
１、第２クラッド層の軟化温度よりも高くすれば、多孔
質ガラスを焼結ガラス化してクラッド層やコアを形成す
る際に、多孔質ガラス層が熱影響を受け難くなり、確実
に所望の多孔質ガラス層を形成できる。
造方法によれば、多孔質ガラス層の軟化温度をコアや第
１、第２クラッド層の軟化温度よりも高くすれば、多孔
質ガラスを焼結ガラス化してクラッド層やコアを形成す
る際に、多孔質ガラス層が熱影響を受け難くなり、確実
に所望の多孔質ガラス層を形成できる。
【００２９】（５）請求項６に記載のガラス導波路の製
造方法によれば、石英系のガラス膜を電子ビーム蒸着ま
たはイオンスパッタリングを用いて第１クラッド層上に
形成すれば、ドーパントが少なく軟化温度の高い多孔質
ガラスを透明ガラス化してコア用のガラス膜を形成する
場合における高温によるガラス導波路の変形などの問題
を回避でき、軟化温度の高いコアを有するガラス導波路
を高精度に製造することができる。
造方法によれば、石英系のガラス膜を電子ビーム蒸着ま
たはイオンスパッタリングを用いて第１クラッド層上に
形成すれば、ドーパントが少なく軟化温度の高い多孔質
ガラスを透明ガラス化してコア用のガラス膜を形成する
場合における高温によるガラス導波路の変形などの問題
を回避でき、軟化温度の高いコアを有するガラス導波路
を高精度に製造することができる。
【図１】本発明に係るガラス導波路の一実施例を示す横
断面図。
断面図。
【図２】従来のガラス導波路を用いた光送受信モジュー
ルを示す概略構成図。
ルを示す概略構成図。
【図３】図２のガラス導波路の横断面図。
【図４】図１のガラス導波路の製造方法の一実施例を示
す工程図。
す工程図。
１ ガラス導波路 ２ コア ３ レーザダイオード ４ レンズ ５ フォトダイオード ６ 光ファイバ ７ 石英ガラス基板 ８ クラッド層 １０ ガラス導波路 １１ 基板 １２ 多孔質ガラス層 １３ 第１クラッド層 １４ ガラス膜 １５ コア １６ 第２クラッド層
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/138
Claims (6)
- 【請求項１】石英ガラスまたはシリコンからなる基板と
クラッド層が被覆された石英系ガラスのコアとの間に、
多孔質ガラス層が介設されていることを特徴とするガラ
ス導波路。 - 【請求項２】上記多孔質ガラス層のかさ密度が１〜２ｇ
／ｃｍ3 であることを特徴とする請求項１に記載のガラ
ス導波路。 - 【請求項３】石英ガラスまたはシリコンからなる基板上
に多孔質ガラス層を形成し、多孔質ガラス層上に石英系
ガラスの第１クラッド層を形成し、第１クラッド層上に
石英系のガラス膜を形成した後、このガラス膜から余分
な部分を除去してコアを形成し、コア及び第１クラッド
層を覆うように石英系ガラスの第２クラッド層を形成す
るようにしたことを特徴とするガラス導波路の製造方
法。 - 【請求項４】上記多孔質ガラス層のかさ密度を１〜２ｇ
／ｃｍ3 としたことを特徴とする請求項３に記載のガラ
ス導波路の製造方法。 - 【請求項５】上記多孔質ガラス層の軟化温度が上記第１
クラッド層、コア及び第２クラッド層の軟化温度よりも
高いことを特徴とする請求項３または４に記載のガラス
導波路の製造方法。 - 【請求項６】上記石英系のガラス膜を電子ビーム蒸着ま
たはイオンスパッタリングにより上記第１クラッド層上
に形成するようにしたことを特徴とする請求項３ないし
５のいずれかに記載のガラス導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1722892A JP2827657B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | ガラス導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1722892A JP2827657B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | ガラス導波路及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05215926A JPH05215926A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2827657B2 true JP2827657B2 (ja) | 1998-11-25 |
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ID=11938096
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1722892A Expired - Fee Related JP2827657B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | ガラス導波路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2827657B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100269173B1 (ko) * | 1997-09-12 | 2000-10-16 | 윤종용 | 손실흡수를위한광도파로소자및그제작방법 |
| CN101351765B (zh) * | 2005-10-24 | 2010-08-25 | Rpo私人有限公司 | 用于基于波导的光学触摸屏的改进光学元件及方法 |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP1722892A patent/JP2827657B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05215926A (ja) | 1993-08-27 |
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