JP2832262B2 - タイバー切断金型 - Google Patents

タイバー切断金型

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JP2832262B2
JP2832262B2 JP872093A JP872093A JP2832262B2 JP 2832262 B2 JP2832262 B2 JP 2832262B2 JP 872093 A JP872093 A JP 872093A JP 872093 A JP872093 A JP 872093A JP 2832262 B2 JP2832262 B2 JP 2832262B2
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勝 中村
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Punching Or Piercing (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに樹脂封
止してなる半導体装置のタイバー切断金型に関する。
【0002】
【従来の技術】従来この種の切断金型は、図4の正面図
に示すように、上型10に保持されたパンチ1が、上型
10の下降と共にパッド3に案内されて下型11のダイ
2と噛み合い、パイロットピン8により位置決めされた
半導体装置9のタイバー部を切断する構造となってい
た。この際、パンチとダイの位置関係は図2(a)、
(b)の平面図、正面図にそれぞれ示すように、パンチ
1の切刃部12より先にパンチ1の案内部13がダイ2
の案内部14に入り込み、刃先とダイの噛み合わせを維
持するようになっている。しかし、金型各部の寸法許容
差の累積誤差により、パンチ1が下降した際、図3
(a)、(b)のそれぞれ側面図に示すように、パンチ
1とダイ2との左右の均一なクリアランスA1 =A2
維持できるとは限らない。
【0003】従来のタイバー切断金型は高精度な部品に
より構成され、パンチとダイのクリアランスA1 、A2
を15〜25μm(リードフレームの種類により異な
る)に保持している。しかし、これは理論上の数値であ
って、その部品の精度によりクリアランスA1 =A2
保証できない。このように従来の金型は、パンチ1の案
内部13によりクリアランスの確保はしているもののこ
れが片寄っているのが現状である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の切断金
型において、パンチ1はダイ2とのクリアランスA1
2 が15〜25μmではめ合い、半導体装置9のタイ
バー部を切断する。この際、ストリッパガイドピン4と
ストリッパガイドブッシュ5、ガイドブッシュ6とガイ
ドポスト7、さらにパンチ1を保持するパッド3の許容
範囲内での累積誤差により、前述した15〜25μmと
いうクリアランスを確保できる保証はない。これによ
り、切断された半導体装置9のリードに発生する切断ば
りが左右不均一になってリードが規格外れとなり、ま
た、この切断ずれによる半導体装置の信頼性低下という
欠点が生ずる。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置のタ
イバー切断金型は、ダイの案内部とパンチの切刃部との
クリアランスよりも、ダイの案内部とパンチの案内部と
のクリアランスを狭くした構造を備えている。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例であるパンチとダイのはめ
合い状態を示す平面図である。本実施例は、パンチ1の
案内部13とはまり合うダイ2の案内部14にクリアラ
ンス均等部15を設けてある。このクリアランス均等部
15は、パンチ1の案内部13とダイ2の案内部14と
のクリアランスB1 、B2 をそれぞれ2〜3μmに保持
することによって、パンチ1の切刃部12とダイ2の案
内部14とのクリアランスA1 、A2 よりも狭くなるよ
うに形成したものである。また、それぞれの案内部1
3、14には面取り部を設け、パンチ1の入り勝手をよ
くしている。
【0007】このように、本実施例と従来の技術との相
違点はダイの構造にある。このクリアランス均等部15
を設けたことにより、パンチ1の片寄りによるクリアラ
ンスA1 とA2 のばらつきを最小限にすることができ、
ほぼA1 =A2 となるような均一なクリアランスが確保
できる。これにより、安定したタイバーの切断が可能と
なり、半導体装置の信頼性はさらに向上する。また、本
実施例の金型は、摩耗等に対する維持管理工数が低減で
きるので、従来の金型と抜き数を比較した場合、従来の
96万個から260万個へと向上することができた。
【0008】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ダイの案
内部にクリアランス均等部を設けることにより安定した
タイバー切断ができる。これにより、切断ばりの発生と
いう信頼性低下の要因を低減し、切断精度の向上と切断
金型の抜き数向上という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のパンチとダイの位置関係を
示す平面図である。
【図2】従来のタイバー切断金型のパンチとダイの位置
関係を示す図で、同図(a)は平面図、同図(b)は正
面図である。
【図3】従来のタイバー切断金型のパンチとダイの位置
関係を示す図で、同図(a)、(b)はそれぞれ側面図
である。
【図4】従来のタイバー切断金型の全体構造を示す正面
図である。
【符号の説明】
1 パンチ 2 ダイ 3 パッド 4 ストリッパガイドピン 5 ストリッパガイドブッシュ 6 ガイドブッシュ 7 ガイドポスト 8 パイロットピン 9 半導体装置 10 上型 11 下型 12 切刃部 13 パンチ案内部 14 ダイ案内部 15 クリアランス均等部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/50 B21D 28/00 B26F 1/44

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームに樹脂封止された半導体
    装置のタイバー部をパンチとダイで切断するタイバー切
    断金型において、ダイの案内部とパンチの切刃部とのク
    リアランスよりも、ダイの案内部とパンチの案内部との
    クリアランスを狭くしたことを特徴とするタイバー切断
    金型。
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