JP2826475B2 - 光送信装置 - Google Patents

光送信装置

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JP2826475B2
JP2826475B2 JP6332133A JP33213394A JP2826475B2 JP 2826475 B2 JP2826475 B2 JP 2826475B2 JP 6332133 A JP6332133 A JP 6332133A JP 33213394 A JP33213394 A JP 33213394A JP 2826475 B2 JP2826475 B2 JP 2826475B2
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千隆 小西
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光送信装置に関し、特に
半導体発光素子の出力光を遮断することができる光送信
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の光送信装置は、例えば図
4に示すように、半導体レーザ1aおよび半導体レーザ
1aの後方光をモニタする受光素子1bからなる半導体
レーザモジュール1と、半導体レーザ1aの出力光を入
力して変調する外部変調器2と、外部変調器2からの変
調光を入力して2つに分岐する光カプラ3と、半導体レ
ーザモジュール1の受光素子1bの後方光モニタ信号を
入力して半導体レーザ1aの出力光を一定レベルに自動
的に制御する自動出力安定化回路(APC)4と、デー
タ信号を入力して外部変調器2の駆動信号を出力する変
調器駆動回路(MDD)5と、光カプラ3からの分岐変
調光を受光して受光量の異常時に異常検出信号を出力す
る受光素子回路6と、受光素子回路6からの異常検出信
号を入力して自動出力安定化回路4に半導体レーザ1a
の光遮断信号を出力するシャットダウン回路8とから、
その主要部が構成されていた。なお、図4図中、符号9
は光伝送路を構成する光ファイバ,レンズ等の光学部品
を示す。
【0003】このような従来の光送信装置では、半導体
レーザ1aの出力光は受光素子1bによる半導体レーザ
1aの後方光モニタ信号に基づいて自動出力安定化回路
4によって一定レベルに保たれている。しかし、半導体
レーザ1aの異常,自動出力安定化回路4の故障,光学
部品9の位置ずれ等の何等かの原因で外部変調器2から
の変調光の光量が一定範囲から増大または減少すると、
受光素子回路6から異常検出信号が出力され、シャット
ダウン回路8から自動出力安定化回路4に光遮断信号が
出力されて、自動出力安定化回路4により半導体レーザ
1aの光出力が停止されるようになっていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光送信
装置では、分岐変調光をモニタし、その光量が一定範囲
から増大または減少した場合には半導体レーザ1aの光
出力を停止するように制御していたので、外部変調器2
の駆動電流が断したり過大の駆動電流が流れたりして
も、外部変調器2からの変調光の光量が一定範囲から増
大または減少しないかぎり半導体レーザ1aの出力光が
遮断されず、光伝送路の下流側に出力光が送出されてし
まうという問題点があった。
【0005】本発明の目的は、上述の点に鑑み、外部変
調器からの変調光および外部変調器の駆動信号の両者を
モニタし、それらの異常状態を同時に監視することによ
り、外部変調器からの変調光の異常時ばかりでなく、外
部変調器の駆動信号の異常時にも、光伝送路の下流側へ
の出力光の送出を確実に防止できるようにした光送信装
置を提供することにある。
【0006】なお、先行技術として、特開平3−245
21号公報に開示された「光変調回路」があるが、これ
は変調光をフォトダイオードでモニタして自動出力安定
化回路に入力することにより、変調光のピーク値が一定
になるようにフィードバック回路を構成するようにした
ものであり、本発明のように半導体レーザの出力光を遮
断できるものではない。
【0007】また、特開平4−132428号公報に
は、半導体レーザの後方光をモニタして自動出力安定化
回路により半導体レーザの光出力を一定に制御するよう
にした構成が開示されているが、本発明のように半導体
レーザの光出力を遮断できるようになってはいない。
【0008】さらに、特開平1−192231号公報に
開示された「外部変調器を備えた光送信装置」には、2
つの出力端を有するスイッチ形外部変調器の他方の出力
端からの出力光を下り伝送路で伝送してループバック光
とするような構成が開示されているが、本発明のように
半導体レーザの出力光を遮断できるようにしたものでは
ない。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の光送信装置は、
一定レベルの出力光を出力するように発光する半導体発
光素子と、この半導体発光素子の出力光を入力して変調
する外部変調器と、データ信号を入力して前記外部変調
器の駆動信号を出力する変調器駆動回路と、前記外部変
調器からの変調光を入力して分岐する光カプラと、この
光カプラからの分岐変調光を受光して受光量の異常時に
異常検出信号を出力する受光素子回路と、この受光素子
回路からの異常検出信号を入力して前記半導体発光素子
の光遮断信号を出力するシャットダウン回路とを備える
光送信装置において、前記変調器駆動回路における前記
外部変調器の駆動信号をモニタして駆動信号の異常時に
異常検出信号を出力する駆動信号モニタ回路と、前記受
光素子回路からの異常検出信号と前記駆動信号モニタ回
路からの異常検出信号との論理和をとって前記シャット
ダウン回路に入力するOR回路とを有する。
【0010】また、本発明の光送信装置は、一定レベル
の出力光を出力するように発光する半導体発光素子およ
びこの半導体発光素子の後方光をモニタする受光素子か
らなる半導体発光素子モジュールと、前記半導体発光素
子の出力光を入力して変調する外部変調器と、前記半導
体発光素子モジュールの受光素子の後方光モニタ信号を
入力して前記半導体発光素子の出力光を一定レベルに自
動的に制御する自動出力安定化回路と、データ信号を入
力して前記外部変調器の駆動信号を出力する変調器駆動
回路と、前記外部変調器からの変調光を入力して分岐す
る光カプラと、この光カプラからの分岐変調光を受光し
て受光量の異常時に異常検出信号を出力する受光素子回
路と、この受光素子回路からの異常検出信号を入力して
前記自動出力安定化回路に前記半導体発光素子の光遮断
信号を出力するシャットダウン回路とを備える光送信装
置において、前記変調器駆動回路における前記外部変調
器の駆動信号をモニタして駆動信号の異常時に異常検出
信号を出力する駆動信号モニタ回路と、前記受光素子回
路からの異常検出信号と前記駆動信号モニタ回路からの
異常検出信号との論理和をとって前記シャットダウン回
路に入力するOR回路とを有する。
【0011】
【作用】本発明の光送信装置では、外部変調器が一定レ
ベルの出力光を出力するように発光する半導体発光素子
の出力光を入力して変調し、変調器駆動回路がデータ信
号を入力して外部変調器の駆動信号を出力し、、光カプ
ラが外部変調器からの変調光を入力して分岐し、受光素
子回路が光カプラからの分岐変調光を受光して受光量の
異常時に異常検出信号を出力する。また、駆動信号モニ
タ回路が変調器駆動回路における外部変調器の駆動信号
をモニタして駆動信号の異常時に異常検出信号を出力す
る。そして、OR回路が受光素子回路からの異常検出信
号と駆動信号モニタ回路からの異常検出信号との論理和
をとってシャットダウン回路に入力し、シャットダウン
回路がOR回路の出力信号を入力して半導体発光素子の
光遮断信号を出力する。
【0012】また、本発明の光送信装置では、半導体発
光素子モジュールが一定レベルの出力光を出力するよう
に発光する半導体発光素子およびこの半導体発光素子の
後方光をモニタする受光素子からなり、外部変調器が半
導体発光素子の出力光を入力して変調し、自動出力安定
化回路が半導体発光素子モジュールの受光素子の後方光
モニタ信号を入力して半導体発光素子の出力光を一定レ
ベルに自動的に制御し、変調器駆動回路がデータ信号を
入力して外部変調器の駆動信号を出力し、光カプラが外
部変調器からの変調光を入力して分岐し、受光素子回路
が光カプラからの分岐変調光を受光して受光量の異常時
に異常検出信号を出力する。また、駆動信号モニタ回路
が変調器駆動回路における外部変調器の駆動信号をモニ
タして駆動信号の異常時に異常検出信号を出力する。そ
して、OR回路が受光素子回路からの異常検出信号と駆
動信号モニタ回路からの異常検出信号との論理和をとっ
てシャットダウン回路に入力し、シャットダウン回路が
OR回路の出力信号を入力して自動出力安定化回路に半
導体発光素子の光遮断信号を出力する。
【0013】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。
【0014】図1は、本発明の一実施例に係る光送信装
置の構成を示す回路ブロック図である。本実施例の光送
信装置は、半導体レーザ1aおよび半導体レーザ1aの
後方光をモニタする受光素子1bからなる半導体レーザ
モジュール1と、半導体レーザ1aからの出力光を入力
して変調する外部変調器2と、外部変調器2からの変調
光を入力して2つに分岐する光カプラ3と、半導体レー
ザモジュール1の受光素子1bの後方光モニタ信号を入
力して半導体レーザ1aの出力光を一定レベルに自動的
に制御する自動出力安定化回路(APC)4と、データ
信号を入力して外部変調器2の駆動信号を出力する変調
器駆動回路(MDD)5と、光カプラ3からの分岐変調
光を受光して受光量の異常時に“H”レベルの異常検出
信号を出力する受光素子回路6と、変調器駆動回路5に
おける外部変調器2の駆動信号をモニタして駆動信号の
異常時に“H”レベルの異常検出信号を出力する駆動信
号モニタ回路(MON)10と、受光素子回路6からの
異常検出信号と駆動信号モニタ回路10からの異常検出
信号との論理和をとってシャットダウン回路8に入力す
るOR回路11と、OR回路11からの出力信号が
“H”レベルになったときに自動出力安定化回路4に半
導体レーザ1aの光遮断信号を出力するシャットダウン
回路8とから、その主要部が構成されている。なお、図
1図中、符号9は光伝送路を構成する光ファイバ,レン
ズ等の光学部品を示す。また、図4に示した従来の光送
信装置と対応する部分には同一の符号を付して示した。
【0015】外部変調器2は、スイッチ型外部変調器、
例えば偏向型光変調器,吸収型光変調器,干渉計型光変
調器等でなる。
【0016】変調器駆動回路5は、例えば図2に示すよ
うに、電界効果型トランジスタTR1と、抵抗R1 とが
図示のように接続されて構成されており、電界効果型ト
ランジスタTR1のゲートにパルス状のデータ信号が印
加されるようになっている。
【0017】駆動信号モニタ回路10は、例えば図2に
示すように、オペレーショナルアンプ21と、コンパレ
ータ22および23と、OR回路24と、抵抗R2 〜R
15と、コンデンサC1 およびC2 とが図示のように接続
されて構成されており、OR回路24の出力がOR回路
11の一方の入力に接続されている。
【0018】シャットダウン回路8は、例えば図3に示
すように、コンパレータ31と、PNP型トランジスタ
TR2と、抵抗R21とが図示のように接続されて構成さ
れており、OR回路11の出力電圧が“H”レベルとな
って比較電圧Vref3より高くなると、PNP型トランジ
スタTR2がオンするようになっている。このPNP型
トランジスタTR2のオン信号が、光遮断信号に相当す
る。
【0019】自動出力安定化回路4は、例えば図3に示
すように、電流/電圧変換回路(I/V)32と、オペ
レーショナルアンプ33および34と、可変抵抗VR
と、NPN型トランジスタTR3と、抵抗R22およびR
23とが図示のように接続されて構成されており、シャッ
トダウン回路8のPNP型トランジスタTR2がオンす
ると、比較電圧Vref4が電流/電圧変換回路32の出力
電圧よりも高くなり、オペレーショナルアンプ33の出
力電圧が比較電圧Vref5よりも高くなり、オペレーショ
ナルアンプ34の出力電圧が“L”レベルになってNP
N型トランジスタTR3がカットオフし、半導体レーザ
1aへの駆動電流が断たれるようになっている。
【0020】次に、このように構成された本実施例の光
送信装置の動作について説明する。
【0021】半導体レーザ1aからの出力光は、受光素
子1bによる半導体レーザ1aの後方光モニタ信号に基
づいて自動出力安定化回路4によって一定レベルに保た
れている。
【0022】例えば、図3に例示した自動出力安定化回
路4では、受光素子1bの後方光モニタ電流が電流/電
圧変換回路32によって電圧に変換され、この電圧が比
較電圧Vref4より大きければ、オペレーショナルアンプ
33の出力電圧が比較電圧Vref5より低くなり、NPN
型トランジスタTR3が導通して半導体レーザ1aへの
駆動電流を制御する。これにより、フィードバック回路
が構成され、半導体レベル1aの出力光が一定レベルに
保たれる。
【0023】しかし、半導体レーザ1aの異常,自動出
力安定化回路4の故障,光学部品9の位置ずれ等の何等
かの原因で外部変調器2からの変調光の光量が一定範囲
から増大または減少すると、受光素子回路6により受光
される分岐変調光の光量が一定範囲から増大または減少
して、受光素子回路6から“H”レベルの異常検出信号
が出力される。この異常検出信号は、OR回路11を介
してシャットダウン回路8に入力され、シャットダウン
回路8から自動出力安定化回路4に半導体レーザ1aの
光遮断信号が出力されて、半導体レーザ1aの光出力が
停止される。
【0024】例えば、図3に例示したシャットダウン回
路8では、OR回路11の出力電圧が“H”レベルとな
って比較電圧Vref3より高くなると、コンパレータ31
の出力電圧が“L”レベルとなってPNP型トランジス
タTR2がオンし、半導体レーザ1aの光遮断信号が自
動出力安定化回路4に出力される。
【0025】例えば、図3に例示した自動出力安定化回
路4では、シャットダウン回路8から半導体レーザ1a
の光遮断信号(PNP型トランジスタTR2のオン信
号)が入力されると、比較電圧Vref4が電流/電圧変換
回路32の出力電圧よりも高くなり、オペレーショナル
アンプ33の出力電圧が比較電圧Vref5よりも高くな
り、オペレーショナルアンプ34の出力電圧が“L”レ
ベルになってNPN型トランジスタTR3がカットオフ
し、半導体レーザ1aへの駆動電流が断たれる。これに
より、半導体レーザ1aの光出力が停止される。
【0026】また、何等かの原因で外部変調器2の駆動
信号に異常が発生したとすると、駆動信号モニタ回路1
0から“H”レベルの異常検出信号が出力される。この
異常検出信号は、OR回路11を介してシャットダウン
回路8に入力され、シャットダウン回路8から自動出力
安定化回路4に半導体レーザ1aの光遮断信号が出力さ
れて、半導体レーザ1aの光出力が停止される。
【0027】例えば、図2に例示した駆動信号モニタ回
路10では、電界効果型トランジスタTR1が破損して
外部変調器2に駆動電流が流れなくなると、オペレーシ
ョナルアンプ21の出力電圧は“L”レベルとなり、コ
ンパレータ23の出力電圧が“H”レベルとなる。ま
た、コンパレータ22の出力電圧が“L”レベルとな
る。これらの出力電圧は、OR回路24で論理和され
て、“H”レベルの異常検出信号としてOR回路11の
一方の入力に印加される。
【0028】また、電界効果型トランジスタTR1が異
常動作し、外部変調器2に過大な駆動電流が流れると、
オペレーショナルアンプ21の出力電圧は“H”レベル
になり、コンパレータ22の出力電圧が“H”レベルと
なる。また、コンパレータ23の出力電圧が“L”レベ
ルとなる。これらの出力電圧は、OR回路24で論理和
されて、“H”レベルの異常検出信号としてOR回路1
1の一方の入力に印加される。
【0029】したがって、電界効果型トランジスタTR
1の異常により駆動電流が流れなくなった場合および過
大な駆動電流が流れるようになった場合には、OR回路
11を介してシャットダウン回路8に“H”レベルの異
常検出信号が入力されるので、シャットダウン回路8
は、半導体レーザ1aの光遮断信号を出力して自動出力
安定化回路4により半導体レーザ1aの光出力が停止さ
れる。
【0030】例えば、図3に例示したシャットダウン回
路8では、OR回路11の出力電圧が“H”レベルにな
って比較電圧Vref3より高くなると、コンパレータ31
の出力電圧が“L”レベルとなってPNP型トランジス
タTR2がオンし、半導体レーザ1aの光遮断信号が自
動出力安定化回路4に出力される。
【0031】例えば、図3に例示した自動出力安定化回
路4では、シャットダウン回路8から半導体レーザ1a
の光遮断信号(PNP型トランジスタTR2のオン信
号)が入力されると、比較電圧Vref4が電流/電圧変換
回路32の出力電圧よりも高くなり、オペレーショナル
アンプ33の出力電圧が比較電圧Vref5よりも高くな
り、オペレーショナルアンプ34の出力電圧が“L”レ
ベルになってNPN型トランジスタTR3がカットオフ
し、半導体レーザ1aへの駆動電流が断たれる。これに
より、半導体レーザ1aの光出力が停止される。
【0032】なお、上記実施例では、半導体レーザモジ
ュール1が受光素子1bを備え、受光素子1bからの半
導体レーザ1aの後方光モニタ信号を自動出力安定化回
路4に入力して半導体レーザ1aの出力光を一定レベル
に自動的に制御する光送信装置を例にとって説明した
が、半導体レーザモジュールが半導体レーザのみからな
り、自動出力安定化回路が単なる半導体レーザ駆動回路
である光送信装置についても本発明が同様に適用できる
ことはもちろんである。
【0033】また、上記実施例では、図2および図3に
おいて、変調器駆動回路5,駆動信号モニタ回路6,シ
ャットダウン回路8および自動出力安定化回路4の詳し
い回路例を示したが、これらの回路が図2および図3に
例示したものに限定されるものでないことはいうまでも
ない。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、外部変調
器を用いた光送信装置において、受光素子回路で外部変
調器からの変調光をモニタすると同時に駆動信号モニタ
回路で外部変調器の駆動信号をモニタし、受光素子回路
からの異常検出信号および駆動信号モニタ回路からの異
常検出信号をOR回路を介してシャットダウン回路に入
力するようにしたことにより、外部変調器からの変調光
および外部変調器の駆動信号のいずれかの異常時にはO
R回路を介してシャットダウン回路から半導体発光素子
の光遮断信号が出力され、光伝送路の下流側への出力光
の送出が確実に防止されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る光送信装置の構成を示
す回路ブロック図である。
【図2】図1中の変調器駆動回路および駆動信号モニタ
回路のより詳細な回路例を示す回路図である。
【図3】図1中のシャットダウン回路および自動出力安
定化回路のより詳細な回路例を示す回路図である。
【図4】従来の光送信装置の構成を示す回路ブロック図
である。
【符号の説明】
1 半導体レーザモジュール 1a 半導体レーザ 1b 受光素子 2 外部変調器 3 光カプラ 4 自動出力安定化回路 5 変調器駆動回路 6 受光素子回路 8 シャットダウン回路 9 光学部品 10 駆動信号モニタ回路 11 OR回路 21 オペレーショナルアンプ 22,23 コンパレータ 24 OR回路 31 コンパレータ 32 電流/電圧変換回路 33,34 オペレーショナルアンプ C1 ,C2 コンデンサ R1 〜R15,R21〜R23 抵抗 TR1 電界効果型トランジスタ TR2 PNP型トランジスタ TR3 NPN型トランジスタ VR 可変抵抗 Vref1〜Vref5 比較電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H04B 10/26

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一定レベルの出力光を出力するように発
    光する半導体発光素子と、この半導体発光素子の出力光
    を入力して変調する外部変調器と、データ信号を入力し
    て前記外部変調器の駆動信号を出力する変調器駆動回路
    と、前記外部変調器からの変調光を入力して分岐する光
    カプラと、この光カプラからの分岐変調光を受光して受
    光量の異常時に異常検出信号を出力する受光素子回路
    と、この受光素子回路からの異常検出信号を入力して前
    記半導体発光素子の光遮断信号を出力するシャットダウ
    ン回路とを備える光送信装置において、 前記変調器駆動回路における前記外部変調器の駆動信号
    をモニタして駆動信号の異常時に異常検出信号を出力す
    る駆動信号モニタ回路と、 前記受光素子回路からの異常検出信号と前記駆動信号モ
    ニタ回路からの異常検出信号との論理和をとって前記シ
    ャットダウン回路に入力するOR回路とを有することを
    特徴とする光送信装置。
  2. 【請求項2】 一定レベルの出力光を出力するように発
    光する半導体発光素子およびこの半導体発光素子の後方
    光をモニタする受光素子からなる半導体発光素子モジュ
    ールと、前記半導体発光素子の出力光を入力して変調す
    る外部変調器と、前記半導体発光素子モジュールの受光
    素子の後方光モニタ信号を入力して前記半導体発光素子
    の出力光を一定レベルに自動的に制御する自動出力安定
    化回路と、データ信号を入力して前記外部変調器の駆動
    信号を出力する変調器駆動回路と、前記外部変調器から
    の変調光を入力して分岐する光カプラと、この光カプラ
    からの分岐変調光を受光して受光量の異常時に異常検出
    信号を出力する受光素子回路と、この受光素子回路から
    の異常検出信号を入力して前記自動出力安定化回路に前
    記半導体発光素子の光遮断信号を出力するシャットダウ
    ン回路とを備える光送信装置において、 前記変調器駆動回路における前記外部変調器の駆動信号
    をモニタして駆動信号の異常時に異常検出信号を出力す
    る駆動信号モニタ回路と、 前記受光素子回路からの異常検出信号と前記駆動信号モ
    ニタ回路からの異常検出信号との論理和をとって前記シ
    ャットダウン回路に入力するOR回路とを有することを
    特徴とする光送信装置。
  3. 【請求項3】 前記駆動信号モニタ回路が、前記外部変
    調器の駆動信号の断および過大を検出して異常検出信号
    を出力する請求項1または2記載の光送信装置。
  4. 【請求項4】 前記半導体発光素子が、半導体レーザで
    なる請求項1または2記載の光送信装置。
JP6332133A 1994-12-12 1994-12-12 光送信装置 Expired - Lifetime JP2826475B2 (ja)

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